JP6590612B2 - 渦電流センサ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハなどの基板の表面に形成した金属膜等の導電性膜を検出するのに好適な渦電流センサに関するものである。

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。そこで、研磨対象物である半導体ウェハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の一手段として研磨装置により研磨（ポリッシング）することが行われている。

研磨装置は、研磨対象物を研磨するための研磨パッドを保持するための研磨テーブルと、研磨対象物を保持して研磨パッドに押圧するためにトップリングを備える。研磨テーブルとトップリングはそれぞれ、駆動部（例えばモータ）によって回転駆動される。研磨剤を含む液体（スラリー）を研磨パッド上に流し、そこにトップリングに保持された研磨対象物を押し当てることにより、研磨対象物は研磨される。

研磨装置では、研磨対象物の研磨が不十分であると、回路間の絶縁がとれず、ショートするおそれが生じ、また、過研磨となった場合は、配線の断面積が減ることによる抵抗値の上昇、又は配線自体が完全に除去され、回路自体が形成されないなどの問題が生じる。このため、研磨装置では、最適な研磨終点を検出することが求められる。

このような技術としては、特開２０１２−１３５８６５号及び特開２０１３−５８７６２号に記載のものがある。これらの技術においては、ソレノイド型又は渦巻型のコイルが用いられている。

特開２０１２−１３５８６５号 特開２０１３−５８７６２号 特開２００９−２０４３４２号

近年、半導体ウェハのエッジ近くの不良品率を減らすために、半導体ウェハのエッジの、より近くまで膜厚を測定して、In-situの閉ループ制御で膜厚コントロールを行いたいという要求がある。

また、トップリングには、空圧等を利用したエアバッグヘッド方式のものがある。エアバッグヘッドは、同心状の複数のエアバッグを有する。渦電流センサによる半導体ウェハの表面の凹凸の分解能を向上させて、狭い幅のエアバッグにて膜厚コントロールするために、より狭い範囲の膜厚を測定したいという要求がある。

しかし、ソレノイド型又は渦巻型のコイルでは、磁束を細くすることが困難であり、狭い範囲の測定に限界があった。
特開２００９−２０４３４２号には、渦電流センサの磁心内部に電磁波の寸法共鳴を発生させて、磁心の断面積より小さい範囲に磁界を集中発生させることが記載されている。この磁界を金属膜に与えるので、渦電流センサの磁心の断面積より小さい空間分解能を得
ることができる。しかし、電磁波の寸法共鳴を利用する場合、磁束は細くなるが、磁束が弱くなる(磁界が弱くなる)という欠点があった。

なお、寸法共鳴については、特開２００９−２０４３４２号に、「渦電流センサの磁心材料に、磁気特性に加えて誘電特性が顕著となるＭｎ−Ｚｎフェライトなどを使用した場合、例えば、ＭＨｚ帯の高周波励磁下において、磁心内部の電磁波が定在波となる現象が知られており、これを寸法共鳴と称している。定在波の山の部分に磁束を集中させて、その磁界発生面積（磁束断面積）を磁心の磁路断面積より小さくし、その磁束を試料に与える。」と記載されている。

そこで、本発明の一形態は、強い磁束で、より狭い範囲の膜厚を測定して、ウェハの研磨平坦性を改善することを課題とする。

本願発明の研磨装置の第１の形態によれば、導電性膜が形成された基板の近傍に配置される渦電流センサであって、前記渦電流センサは、底面部と、前記底面部の中央に設けられた磁心部と、前記底面部の周囲に設けられた周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、前記磁心部に配置され、前記導電性膜に渦電流を形成する励磁コイルと、前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、前記磁性体の比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、前記磁心部の外形寸法は５０ｍｍ以下であり、前記励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可されることを特徴とする渦電流センサが提供される。ここで、磁心部の外形寸法とは、励磁コイルによって磁心部に印加される磁界に対して垂直な磁心部の断面の最大寸法をいう。

以上の形態によれば、ポットコアを用いているために、励磁コイルによって発生した磁束が、磁心部の先端と周壁部の先端との間に限定され、磁束の小さなスポット径を作り出すことができる。また、磁性体の比誘電率が５〜１５であり、比透磁率が１〜３００であり、前記磁心部の外形寸法が５０ｍｍ以下であり、前記励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可される場合、電磁波の寸法共鳴が生じないため、磁束が強くなる。このため、ポットコアの形状により磁束を細く収束させながら、強い磁束を生成して、センサの空間分解能を向上させることができる。強い磁束で、より狭い範囲の膜厚を測定できるため、ウェハのエッジ近傍まで測定可能となる。磁性体としては、例えば、上記の特性を有するＮｉ−Ｚｎ系フェライトを用いることが好ましい。

ここで、寸法共鳴が起こらない条件について説明する。寸法共鳴は、磁界に対して垂直なコアの断面の最大寸法が電磁波の波長λの約1/2の整数倍の時に現れる。材料の特性と寸法共鳴が起こる波長との間には以下の関係がある。

λ＝C/f×√(μ_s× ε_r)
ここで、C：真空の電磁波速度（3.0×10⁸m/s）
μ_s：比透磁率
ε_r：比誘電率
f：印加する磁界（電磁波）の周波数
寸法共鳴を防ぐには、使用する材料及び周波数から寸法共鳴を起こす最小寸法を決めて、コアの寸法が、寸法共鳴を起こす最小寸法より小さくすればよい。本発明の場合、寸法共鳴を起こす最小寸法は、上記の式より、約７．５ｃｍであることがわかる。従って、磁心部の外形寸法が５０ｍｍ以下であるため、本発明では寸法共鳴は生じない。

なお、２ＭＨｚ〜３０ＭＨｚという周波数は、金属の薄膜の厚さの変化を検知するとい
う目的からも必要な周波数である。膜が薄くなるほど、また薄膜の抵抗値が大きくなるほど、薄膜の厚さの変化を検知するために、高周波数の信号を印可する必要がある。励磁コイルに、２ＭＨｚ〜３０ＭＨｚという高周波を印可することが、研磨装置において必要とされる。また、比誘電率が５〜１５、比透磁率が１〜３００という数値は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトにより、達成可能である。

また、比誘電率とは物質の誘電率εと真空の誘電率ε₀の比 ε / ε₀ = ε_rのことである。その測定は、ＪＩＳ２１３８「電気絶縁材料−比誘電率及び誘電正接の測定方法」による。比透磁率とは、物質の透磁率μと真空の透磁率μ₀ との比 μ_s = μ/μ₀ をいう。その測定は、ＪＩＳＣ２５６０−２「フェライト磁心−第２部：試験方法」による。

磁性体の材料が、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトである場合、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに比べて、透磁率及び誘電率の両方の値が低いため、電磁波の寸法共鳴が生じないため、磁束が強くなる。この結果、ポットコアの形状により、磁束を細く収束させながら、強い磁束を生成して、センサの空間分解能を向上させることができる。

本願発明の第２の形態によれば、前記渦電流センサは、前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出するダミーコイルを有する。
この時に、前記検出コイルと前記励磁コイルと前記ダミーコイルは、前記磁心部の軸方向に異なる位置に配置され、かつ前記磁心部の軸方向に、前記基板上の前記導電性膜に近い位置から遠い位置に向かって、前記検出コイル、前記励磁コイル、前記ダミーコイルの順に配置することが好ましい。

本願発明の第３の形態によれば、導電性膜が形成された基板の近傍に配置される渦電流センサであって、前記渦電流センサは、第１のポットコアと、前記第１のポットコアの近傍に配置された第２のポットコアとを有し、前記第１のポットコア及び前記第２のポットコアは、それぞれ、底面部と、前記底面部の中央に設けられた磁心部と、前記底面部の周囲に設けられた周壁部とを有し、前記渦電流センサは、前記第１のポットコアの前記磁心部に配置され、前記導電性膜に渦電流を形成する第１の励磁コイルと、前記第１のポットコアの前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出する検出コイルと、前記第２のポットコアの前記磁心部に配置される第２の励磁コイルと、前記第２のポットコアの前記磁心部に配置されるダミーコイルとを有し、前記第１のポットコアの前記磁心部の軸方向と前記第２のポットコアの前記磁心部の軸方向は一致し、前記第１のポットコア及び前記第２のポットコアは、前記基板に近い位置から遠い位置に向かって、前記第１のポットコア、前記第２のポットコアの順に配置される。

本願発明の第４の形態によれば、前記磁性体の比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、前記磁心部の外形寸法は５０ｍｍ以下であり、前記第１及び第２の励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可される。

本願発明の第５の形態によれば、前記周壁部の外部に配置された金属製の外周部を有する。周壁部の周囲を金属で囲むことによって、外に広がる磁場を遮断して、センサの空間分解能を向上することができる。周壁部に直接金属をめっきしてもよいし、周壁部の周りに絶縁物を配置し、その絶縁物を囲むように金属を配置してもよい。また、この外周部を接地してもよい。この場合、磁気遮断の効果が安定し、かつ増加する。

本願発明の第６の形態によれば、前記外周部は、前記磁心部の軸方向に伸びる少なくとも１つの溝を有する。このように、外周部に切れ込み(溝)を入れて、外周部における周方向の渦電流の発生を防ぐことができる。

本願発明の第７の形態によれば、前記検出コイル及び前記励磁コイルに使用される導線は、銅、マンガニン線、又はニクロム線である。マンガニン線やニクロム線を使用することにより、電気抵抗等の温度変化が少なくなり、温度特性が良くなる。

本願発明の第８の形態によれば、前記励磁コイルに印加される電気信号の周波数は、前記渦電流センサの出力に基づいて前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数である。

本願発明の第９の形態によれば、前記検出コイルと前記励磁コイルと前記ダミーコイルの導線の巻き数は、前記渦電流センサの出力に基づいて前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数になるように設定されている。

なお、ダミーコイルを用いる場合、ブリッジ回路により測定するため、共振タイプの測定システムに比べてコンデンサを追加しないので、大きな周波数で測定することができる。例えば30MHzを採用できる。これはシート抵抗の高い金属膜を測定するのに有利である。抵抗の高い金属ほど、薄膜の厚さの変化を検知する際に、高い周波数を必要とするからである。

本願発明の第１０の形態によれば、前記導電性膜を含む研磨対象物を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転駆動する駆動部と、前記研磨対象物を保持して前記研磨パッドに押圧する保持部と、前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記導電性膜に形成される前記渦電流を前記研磨対象物の研磨面に沿って検出する第１の形態から第９の形態のいずれかに記載の渦電流センサと、前記検出された前記渦電流から前記研磨対象物の膜厚データを算出する終点検出コントローラと、を備える研磨装置が提供される。

本願発明の第１１の形態によれば、前記終点検出コントローラが算出する膜厚データに基づいて、前記研磨対象物の複数の領域の押圧力を独立に制御する機器制御コントローラを備える研磨装置が提供される。

図１は、本発明に係る研磨装置の全体構成を示す概略図である。 図２は、研磨テーブルと渦電流センサと半導体ウェハとの関係を示す平面図である。 図３は、渦電流センサの構成を示す図であり、図３（ａ）は渦電流センサの構成を示すブロック図であり、図３（ｂ）は渦電流センサの等価回路図である。 図４（ａ），４（ｂ）は、従来の渦電流センサと本発明の渦電流センサとを対比して示す図であり、図４（ａ）は従来の渦電流センサの構成例を示す概略図であり、図４（ｂ）は本発明の渦電流センサの構成例を示す概略図である。 図５は、ポットコア６０の詳細形状を示す図である。 図６は、渦電流センサ５０の周囲に金属材料からなる筒状部材である外周部２１０を配置した例を示す概略図である。 図７は、磁心部６１ｂの軸方向に伸びる４個の溝２２６を示す図である。 図８は、渦電流センサの別の構成を示す図である。 図９は、渦電流センサにおける各コイルの接続例を示す概略図である。 図１０は、渦電流センサの同期検波回路を示すブロック図である。 図１１は、膜厚制御を行う方法を示すブロック図である。 図１２は、渦電流センサが半導体ウェハ上を走査する軌跡を示す模式図である。 図１３は、渦電流センサが半導体ウェハ上を走査する軌跡を示す模式図である。 図１４は、研磨中に行う圧力コントロールの動作の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明に係る研磨装置の実施形態について添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、添付の図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、本発明に係る研磨装置の全体構成を示す概略図である。図１に示すように、研磨装置は、研磨テーブル１００と、研磨対象物である半導体ウェハ等の基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧するトップリング(保持部)１とを備えている。

研磨テーブル１００は、テーブル軸１００ａを介してその下方に配置される駆動部であるモータ（図示せず）に連結されており、そのテーブル軸１００ａ周りに回転可能になっている。研磨テーブル１００の上面には研磨パッド１０１が貼付されており、研磨パッド１０１の表面１０１ａが半導体ウェハＷを研磨する研磨面を構成している。研磨テーブル１００の上方には研磨液供給ノズル１０２が設置されており、この研磨液供給ノズル１０２によって研磨テーブル１００上の研磨パッド１０１上に研磨液Ｑが供給されるようになっている。図１に示すように、研磨テーブル１００の内部には、渦電流センサ５０が埋設されている。

トップリング１は、半導体ウェハＷを研磨面１０１ａに対して押圧するトップリング本体２と、半導体ウェハＷの外周縁を保持して半導体ウェハＷがトップリングから飛び出さないようにするリテーナリング３とから基本的に構成されている。

トップリング１は、トップリングシャフト１１１に接続されており、このトップリングシャフト１１１は、上下動機構１２４によりトップリングヘッド１１０に対して上下動するようになっている。このトップリングシャフト１１１の上下動により、トップリングヘッド１１０に対してトップリング１の全体を昇降させ位置決めするようになっている。なお、トップリングシャフト１１１の上端にはロータリージョイント１２５が取り付けられている。

トップリングシャフト１１１およびトップリング１を上下動させる上下動機構１２４は、軸受１２６を介してトップリングシャフト１１１を回転可能に支持するブリッジ１２８と、ブリッジ１２８に取り付けられたボールねじ１３２と、支柱１３０により支持された支持台１２９と、支持台１２９上に設けられたＡＣサーボモータ１３８とを備えている。サーボモータ１３８を支持する支持台１２９は、支柱１３０を介してトップリングヘッド１１０に固定されている。

ボールねじ１３２は、サーボモータ１３８に連結されたねじ軸１３２ａと、このねじ軸１３２ａが螺合するナット１３２ｂとを備えている。トップリングシャフト１１１は、ブリッジ１２８と一体となって上下動するようになっている。したがって、サーボモータ１３８を駆動すると、ボールねじ１３２を介してブリッジ１２８が上下動し、これによりトップリングシャフト１１１およびトップリング１が上下動する。

また、トップリングシャフト１１１はキー（図示せず）を介して回転筒１１２に連結されている。この回転筒１１２はその外周部にタイミングプーリ１１３を備えている。トップリングヘッド１１０にはトップリング用モータ１１４が固定されており、上記タイミングプーリ１１３は、タイミングベルト１１５を介してトップリング用モータ１１４に設け
られたタイミングプーリ１１６に接続されている。したがって、トップリング用モータ１１４を回転駆動することによってタイミングプーリ１１６、タイミングベルト１１５、およびタイミングプーリ１１３を介して回転筒１１２およびトップリングシャフト１１１が一体に回転し、トップリング１が回転する。なお、トップリングヘッド１１０は、フレーム（図示せず）に回転可能に支持されたトップリングヘッドシャフト１１７によって支持されている。

図１に示すように構成された研磨装置において、トップリング１は、その下面に半導体ウェハＷなどの基板を保持できるようになっている。トップリングヘッド１１０はトップリングシャフト１１７を中心として旋回可能に構成されており、下面に半導体ウェハＷを保持したトップリング１は、トップリングヘッド１１０の旋回により半導体ウェハＷの受取位置から研磨テーブル１００の上方に移動される。そして、トップリング１を下降させて半導体ウェハＷを研磨パッド１０１の表面（研磨面）１０１ａに押圧する。このとき、トップリング１および研磨テーブル１００をそれぞれ回転させ、研磨テーブル１００の上方に設けられた研磨液供給ノズル１０２から研磨パッド１０１上に研磨液を供給する。このように、半導体ウェハＷを研磨パッド１０１の研磨面１０１ａに摺接させて半導体ウェハＷの表面を研磨する。

図２は、研磨テーブル１００と渦電流センサ５０と半導体ウェハＷとの関係を示す平面図である。図２に示すように、渦電流センサ５０は、トップリング１に保持された研磨中の半導体ウェハＷの中心Ｃｗを通過する位置に設置されている。符号Ｃ_Ｔは研磨テーブル１００の回転中心である。例えば、渦電流センサ５０は、半導体ウェハＷの下方を通過している間、通過軌跡（走査線）上で連続的に半導体ウェハＷのＣｕ層等の金属膜（導電性膜）を検出できるようになっている。

次に、本発明に係る研磨装置が備える渦電流センサ５０について、添付図面を用いてより詳細に説明する。
図３は、渦電流センサ５０の構成を示す図であり、図３（ａ）は渦電流センサ５０の構成を示すブロック図であり、図３（ｂ）は渦電流センサ５０の等価回路図である。

図３（ａ）に示すように、渦電流センサ５０は、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆの近傍に配置され、そのコイルに交流信号源５２が接続されている。ここで、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆは、例えば半導体ウェハＷ上に形成されたＣｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗなどの薄膜である。渦電流センサ５０は、検出対象の金属膜（または導電性膜）に対して、例えば１．０〜４．０ｍｍ程度の近傍に配置される。

渦電流センサには、金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流が生じることにより、発振周波数が変化し、この周波数変化から金属膜（または導電性膜）を検出する周波数タイプと、インピーダンスが変化し、このインピーダンス変化から金属膜（または導電性膜）を検出するインピーダンスタイプとがある。即ち、周波数タイプでは、図３（ｂ）に示す等価回路において、渦電流I_２が変化することで、インピーダンスＺが変化し、信号源（可変周波数発振器）５２の発振周波数が変化すると、検波回路５４でこの発振周波数の変化を検出し、金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。インピーダンスタイプでは、図３（ｂ）に示す等価回路において、渦電流I_２が変化することで、インピーダンスＺが変化し、信号源（固定周波数発振器）５２から見たインピーダンスＺが変化すると、検波回路５４でこのインピーダンスＺの変化を検出し、金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。

インピーダンスタイプの渦電流センサでは、信号出力Ｘ、Ｙ、位相、合成インピーダンスＺ、が後述するように取り出される。周波数Ｆ、またはインピーダンスＸ、Ｙ等から、
金属膜（または導電性膜）Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗの測定情報が得られる。渦電流センサ５０は、図１に示すように研磨テーブル１００の内部の表面付近の位置に内蔵することができ、研磨対象の半導体ウェハに対して研磨パッドを介して対面するように位置し、半導体ウェハ上の金属膜（または導電性膜）に流れる渦電流から金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。

渦電流センサの周波数は、単一電波、混合電波、ＡＭ変調電波、ＦＭ変調電波、関数発生器の掃引出力または複数の発振周波数源を用いることができ、金属膜の膜種に適合させて、感度の良い発振周波数や変調方式を選択することが好ましい。

以下に、インピーダンスタイプの渦電流センサについて具体的に説明する。交流信号源５２は、２〜３０ＭＨｚ程度の固定周波数の発振器であり、例えば水晶発振器が用いられる。そして、交流信号源５２により供給される交流電圧により、渦電流センサ５０に電流Ｉ_１が流れる。金属膜（または導電性膜）ｍｆの近傍に配置された渦電流センサ５０に電流が流れることで、この磁束が金属膜（または導電性膜）ｍｆと鎖交することでその間に相互インダクタンスＭが形成され、金属膜（または導電性膜）ｍｆ中に渦電流Ｉ_２が流れる。ここでＲ１は渦電流センサを含む一次側の等価抵抗であり、Ｌ_１は同様に渦電流センサを含む一次側の自己インダクタンスである。金属膜（または導電性膜）ｍｆ側では、Ｒ２は渦電流損に相当する等価抵抗であり、Ｌ_２はその自己インダクタンスである。交流信号源５２の端子ａ，ｂから渦電流センサ側を見たインピーダンスＺは、金属膜（または導電性膜）ｍｆ中に形成される渦電流損の大きさによって変化する。

図４（ａ），（ｂ）は、従来の渦電流センサと本発明の渦電流センサとを対比して示す図である。図４（ａ）は従来の渦電流センサの構成例を示す概略図であり、図４（ｂ）は本発明の渦電流センサ５０の構成例を示す概略図である。図４（ａ），（ｂ）では、従来の渦電流センサと本発明の渦電流センサが、同等の大きさである時のそれぞれの磁束の広がりを対比して示す。図４から明らかなように、本発明の渦電流センサ５０は、従来の渦電流センサに対して、磁束が集中しており、磁束の広がりが狭いことがわかる。

図４（ａ）に示すように、従来の渦電流センサ５１は、金属膜（または導電性膜）に渦電流を形成するためのコイル７２と、金属膜（または導電性膜）の渦電流を検出するためのコイル７３，７４とを分離したもので、コア(図示しない)に巻回された３個のコイル７２，７３，７４により構成されている。ここで中央のコイル７２は、交流信号源５２に接続される励磁コイルである。この励磁コイル７２は、交流信号源５２より交流電圧を供給されて、磁界を形成し、この磁界は、渦電流センサ５１の近傍に配置される半導体ウェハ（基板）Ｗ上の金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流を形成する。コアの金属膜（または導電性膜）側には、検出コイル７３が配置され、金属膜（または導電性膜）に形成される渦電流により発生する磁界を検出する。励磁コイル７２を挟んで検出コイル７３の反対側にはダミー(バランス)コイル７４が配置されている。

これに対して、導電性膜が形成された基板の近傍に配置される本発明の渦電流センサ５０は、図４（ｂ）に示すように、ポットコア６０と、３個のコイル６２，６３，６４により構成されている。磁性体であるポットコア６０は、底面部６１ａと、底面部６１ａの中央に設けられた磁心部６１ｂと、底面部６１ａの周囲に設けられた周壁部６１ｃとを有する。

前記３個のコイル６２，６３，６４のうち中央のコイル６２は、交流信号源５２に接続される励磁コイルである。この励磁コイル６２は、交流信号源５２より供給される電圧の形成する磁界により、近傍に配置される半導体ウェハＷ上の金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流を形成する。励磁コイル６２の金属膜（または導電性膜）側には、検出コイル
６３が配置され、金属膜（または導電性膜）に形成される渦電流により発生する磁界を検出する。励磁コイル６２を挟んで検出コイル６３と反対側にはダミーコイル６４が配置されている。励磁コイル６２は、磁心部６１ｂに配置され、導電性膜に渦電流を形成する。検出コイル６３は、磁心部６１ｂに配置され、導電性膜に形成される渦電流を検出する。励磁コイル６２には、渦電流センサ５０の磁心部６１ｂ内部に電磁波の寸法共鳴が発生しないように、周波数が２ＭＨｚ以上の電気信号が印可される。

励磁コイル６２に印加される周波数は、電磁波の寸法共鳴が発生しない周波数であれば、任意の周波数を印可することができる。渦電流センサの磁心材料に、透磁率及び誘電率の両方の値が高いＭｎ−Ｚｎフェライトを使用した場合、１ＭＨｚの高周波励磁下において、磁心内部の電磁波が定在波となる現象が知られており、これを寸法共鳴と呼ぶ。寸法共鳴は磁心の磁路断面積（磁心寸法）に起因した共鳴であるため、共鳴周波数は励磁周波数を一定にして磁路断面積を変えるか、磁路断面積を一定にして励磁周波数を変えることにより、寸法共鳴が生じる。透磁率及び誘電率の両方の値が低いＮｉ−Ｚｎフェライトは、寸法共鳴が起こりにくい材料であるため、本実施例では、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いる。本実施例のＮｉ−Ｚｎ系フェライトの比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、磁心部６１ｂの外形寸法Ｌ３（図５を参照）は５０ｍｍ以下である。さらに、電磁波の寸法共鳴が発生しないように、Ｎｉ−Ｚｎフェライトに、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可される。

渦電流センサは、磁心部６１ｂに配置され、導電性膜に形成される渦電流を検出するダミーコイル６４を有する。磁心部６１ｂの軸方向は、基板上の導電性膜に直交し、検出コイル６３と励磁コイル６２とダミーコイル６４は、磁心部６１ｂの軸方向に異なる位置に配置され、かつ磁心部６１ｂの軸方向に、基板上の導電性膜に近い位置から遠い位置に向かって、検出コイル６３、励磁コイル６２、ダミーコイル６４の順に配置される。検出コイル６３、励磁コイル６２、ダミーコイル６４からは、それぞれ、外部と接続するためのリード線６３ａ，６２ａ，６４ａが出ている。

図４（ａ）の範囲２０２は、従来の渦電流センサの磁束２０６の広がりを示し、図４（ｂ）の範囲２０４は、本発明の渦電流センサの磁束２０８の広がりを示す。図４（ｂ）では、周壁部６１ｃが磁性体であるため、磁束２０８が周壁部６１ｃ内に集束される。そのため、磁束２０８の広がりが制限され、磁束２０８が細くなる。従来技術の図４（ａ）の場合、コイルの外周には磁性体が存在せず、磁束２０６が集束されるということはない。そのため、磁束２０６が広がり、その範囲２０２が広くなり、磁束２０６が大きくなる。

図４（ｂ）では、励磁コイル６２には、渦電流センサ５０の磁心部６１ｂ内部に電磁波の寸法共鳴が発生しないように、２ＭＨｚ以上の電気信号が印可されるため、強い磁束が発生する。従って、強い磁束で、より狭い範囲の膜厚を測定できる。そのため、研磨終点検出の精度を向上させることができる。

図５に、ポットコア６０の詳細形状を示す。図５(ａ)は平面図であり、図５（ｂ）は、図５(ａ)の矢視ＡＡにおける断面図である。磁性体であるポットコア６０は、円板形状の底面部６１ａと、底面部６１ａの中央に設けられた円柱形状の磁心部６１ｂと、底面部６１ａの周囲に設けられた円筒形状の周壁部６１ｃとを有する。ポットコア６０の寸法の１例としては、底面部６１ａの直径Ｌ１は９ｍｍ、厚さＬ２は３ｍｍ、磁心部６１ｂの直径Ｌ３は３ｍｍ、高さＬ４は５ｍｍ、周壁部６１ｃの外径Ｌ５は９ｍｍ、内径Ｌ６は５ｍｍ、厚さＬ７は２ｍｍ、高さＬ４は５ｍｍである。磁心部６１ｂの高さＬ４と、周壁部６１ｃの高さＬ４は、図５では同一であるが、磁心部６１ｂの高さＬ４は、周壁部６１ｃの高さＬ４より、高くても低くてもよい。周壁部６１ｃの外径は、図５では高さ方向に同一である円筒形状であるが、底面部６１ａから離れる方向に、すなわち先端に向かって細くな
る先細形状(テーパ形状)でもよい。

磁場をポットコア６０の周囲に漏らさないようにするためには、周壁部６１ｃの厚さＬ７が、磁心部６１ｂの直径Ｌ３の１／２以上の長さであること、及び底面部６１ａの厚さＬ２が磁心部６１ｂの直径Ｌ３以上の長さであることが好ましい。ポットコア６０の材料は、寸法共鳴が起こりにくいＮｉ−Ｚｎフェライトである。

検出コイル６３、励磁コイル６２、及びダミーコイル６４に使用される導線は、銅、マンガニン線、又はニクロム線である。マンガニン線やニクロム線を使用することにより、電気抵抗等の温度変化が少なくなり、温度特性が良くなる。

図６は、図４（ｂ）に示す渦電流センサ５０の周壁部６１ｃの外部に配置された金属製の外周部２１０を示す断面図である。図６は、渦電流センサ５０の周囲に金属材料からなる筒状部材である外周部２１０を配置した例を示す概略図である。図６に示すように、周壁部６１ｃの周囲を外周部２１０により囲むようにしている。周壁部６１ｃの材料は、例えば、ＳＵＳ３０４やアルミニウムである。周壁部６１ｃの周りに絶縁物２１２(例えばエポキシ樹脂、フッ素樹脂、ガラスエポキシ（ガラエポ）である。)を配置し、その絶縁物２１２を囲むように外周部２１０を配置する。また、この外周部２１０を導線２１４により接地する。この場合、磁気遮断の効果が安定し、かつ増加する。

周壁部６１ｃの周囲を金属で囲むことによって、外に広がる磁場を遮断して、センサ５０の空間分解能を向上することができる。周壁部６１ｃに直接金属をめっきしてもよい。
外周部２１０は、図７に示すように、磁心部６１ｂの軸方向に伸びる少なくとも１つ、本図では４個の溝２２６を有する。図７（ａ）は断面図であり、図７（ｂ）は平面図である。図７（ａ）は、図７(ｂ)の矢視ＡＡにおける断面図である。このように、外周部２１０に切れ込み(溝)２２６を入れて、外周部２１０における周方向の渦電流２２８の発生を防ぐ。外周部２１０の周方向に渦電流２２８が発生すると、測定対象である導電性膜に生じる渦電流が弱くなるからである。検出に使用するコア中央部から生じる磁場２３０は、ポットコア６０の軸方向に生じる磁場であり、外周部２１０に発生する周方向の渦電流とは異なるため、外周部２１０の溝２２６によって遮断されない。側面に漏れる磁場２３２のみが溝２２６によって遮断される。

溝２２６の軸方向の配置や長さに関しては、図７（ａ）に示すように、外周部２１０の上端２４１にのみ短い溝を設けてもよく、外周部２１０の軸方向の長さの半分２４０にわたるものでもよく、さらに外周部２１０の軸方向の長さの全長２４２にわたるものでもよい。外周部２１０の周方向に発生する渦電流２２８が、どの程度、測定対象である導電性膜に渦電流を生じるかにより選択することができる。

図８に、渦電流センサの別の実施例を示す。図８(ａ)、８（ｂ）では、それぞれ、渦電流センサ５０ａは、第１のポットコア６０ａと、第１のポットコア６０ａの近傍に配置された第２のポットコア６０ｂとを有する。第１のポットコア６０ａ及び第２のポットコア６０ｂは、それぞれ、底面部６１ａと、底面部６１ａの中央に設けられた磁心部６１ｂと、底面部６１ｂの周囲に設けられた周壁部６１ｃとを有する。

渦電流センサ５０ａは、第１のポットコア６０ａの磁心部６１ｂに配置され、導電性膜Ｗに渦電流を形成する第１の励磁コイル６３ａを有する。渦電流センサ５０ａは、さらに第１のポットコア６０ａの磁心部６１ｂに配置され、導電性膜Ｗに形成される渦電流を検出する検出コイル６３と、第２のポットコア６０ｂの磁心部６１ｂに配置される第２の励磁コイル６３ｂと、第２のポットコア６０ｂの磁心部６１ｂに配置されるダミーコイル６４とを有する。第１のポットコア６０ａの磁心部６１ｂの軸方向と第２のポットコア６０
ｂの磁心部６１ｂの軸方向は一致する。第１のポットコア６０ａの磁心部６１ｂの軸方向と第２のポットコア６０ｂの磁心部６１ｂの軸方向は、基板Ｗ上の導電性膜に直交する。第１のポットコア６０ａ及び第２のポットコア６０ｂは、基板Ｗに近い位置から遠い位置に向かって、第１のポットコア６０ａ、第２のポットコア６０ｂの順に配置される。

さらに、第１のポットコア６０ａは、導電性膜Ｗの方に向かって開口しているが、第２のポットコア６０ｂは、導電性膜Ｗとは反対の方を向かって開口している。
本図では、図４の実施例とは異なり、２つのポットコアを用いている。本図の場合、検出コイル６３とダミーコイル６４が、別々のポットコア内に同様の配置で設けられている。図４の実施例では、検出コイル６３とダミーコイル６４が、１つのポットコア内に配置されている。そのため、検出コイル６３と底面部６１ｂとの距離は、ダミーコイル６４と底面部６１ｂとの距離よりも遠い。すなわち、検出コイル６３とダミーコイル６４は、ポットコアとの関係において、同様の配置ではない。図８の場合、検出コイル６３とダミーコイル６４は、ポットコア内に同様の配置で設けられているため、検出コイル６３とダミーコイル６４は、電気回路的に同様の特性を示すという利点がある。

また、図８では、図４の実施例とは異なり、ダミーコイル６４が、基板Ｗから遠いため、基板Ｗの影響を受けにくい。そのため、ダミーコイル６４は、測定時に基準信号を生成するというダミーコイル６４の目的を精度よく達成することができるという利点がある。

さらに、図４の場合、検出コイル６３と底面部６１ｂとの距離は、ダミーコイル６４と底面部６１ｂとの距離よりも遠いため、検出コイル６３の導線の巻き数は、ダミーコイル６４の導線の巻き数よりも増やす必要がある。これは、検出コイル６３の方が、底面部６１ｂから遠いために、ダミーコイル６４よりもポットコアの影響を受けにくいからである。結果として、検出コイル６３とダミーコイル６４は特性が異なるように製作することになる。一方、図８では、検出コイル６３とダミーコイル６４は、ポットコア内に同様の配置で設けられているため、電気回路的に同様の特性を示す。そのため、図８の場合、検出コイル６３とダミーコイル６４は同じものでよい。従って、第１のポットコア６０ａと、第２のポットコア６０ｂは同じものを製作すればよいという利点がある。

図８(ａ)と図８（ｂ）の違いは、第１の励磁コイル６３ａと第２の励磁コイル６３ｂの接続方法にある。図８(ａ)では、第１の励磁コイル６３ａと第２の励磁コイル６３ｂは直列に接続されている。一方、図８（ｂ）では第１の励磁コイル６３ａと第２の励磁コイル６３ｂは接続されていない。

具体的には、図８(ａ)では、第１の励磁コイル６３ａの一方の端子と第２の励磁コイル６３ｂの一方の端子はリード線２３４ｂにより直列に接続されている。従って、第１の励磁コイル６３ａに接続されたリード線２３４ａと、第２の励磁コイル６３ｂに接続されたリード線２３４ｃが外部の信号源に接続される。一方、図８（ｂ）では第１の励磁コイル６３ａに接続された２本のリード線２３４ａ、２３４ｂが外部の信号源に接続され、第２の励磁コイル６３ｂに接続された２本のリード線２３４ｃ、２３４ｄが外部の信号源に接続される。すなわち、図８（ｂ）では第１の励磁コイル６３ａと、第２の励磁コイル６３ｂは並列に接続される。

図８の配置を図４の配置と比較した場合、以下の利点もある。すなわち図８の場合、検出コイル６３と底面部６１ｂとの距離が、図４の場合よりも短い。図４の実施例では、検出コイル６３と底面部６１ｂとの間にダミーコイル６４が配置されている。そのため、図８の検出コイル６３は、底面部６１ｂの影響を受けやすい、すなわち磁性体の影響を受けやすい。従って、検出コイル６３の出力は、コイルの巻き数が同じ場合、図８の方が図４よりも大きくなるという利点がある。

なお、第１のポットコア６０ａと、第２のポットコア６０ｂとの間の距離２３６に関しては、お互いのコアの磁場干渉を避けるために、距離２３６はコア底部厚さ２３４より大きくすることが好ましい。別の方法として、距離２３６の部分に金属等を挿入する事により遮断してもよい。

なお、図１〜図８の実施例において、励磁コイル６２に印加される電気信号の周波数は、渦電流センサの出力に基づいて導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数である。発信しない周波数を利用することにより回路の動作が安定する。

また、検出コイルと励磁コイルとダミーコイルの導線の巻き数は、渦電流センサの出力に基づいて導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数になるように設定することができる。

図９は、渦電流センサにおける各コイルの接続例を示す概略図である。図９（ａ）に示すように、検出コイル６３とダミーコイル６４とは互いに逆相に接続されている。
検出コイル６３とダミーコイル６４とは、上述したように逆相の直列回路を構成し、その両端は可変抵抗７６を含む抵抗ブリッジ回路７７に接続されている。励磁コイル６２は交流信号源５２に接続され、交番磁束を生成することで、近傍に配置される金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流を形成する。可変抵抗７６の抵抗値を調整することで、コイル６３，６４からなる直列回路の出力電圧が、金属膜（または導電性膜）が存在しないときにはゼロとなるように調整可能としている。コイル６３，６４のそれぞれに並列に入る可変抵抗７６（VR_１，VR_２）でＬ_１，Ｌ_３の信号を同位相にするように調整する。即ち、図９（ｂ）の等価回路において、
VR_1-1×(VR_2-2+jωL₃)＝VR_1-2×(VR_2-1+jωL₁) (1)
となるように、可変抵抗VR₁(=VR_1-1+VR_1-2)およびVR₂(=VR_2-1+VR_2-2)を調整する。これにより、図９（ｃ）に示すように、調整前のＬ_１,Ｌ_３の信号（図中点線で示す）を、同位相・同振幅の信号（図中実線で示す）とする。

そして、金属膜（または導電性膜）が検出コイル６３の近傍に存在する時には、金属膜（または導電性膜）中に形成される渦電流によって生じる磁束が検出コイル６３とダミーコイル６４とに鎖交するが、検出コイル６３のほうが金属膜（または導電性膜）に近い位置に配置されているので、両コイル６３，６４に生じる誘起電圧のバランスが崩れ、これにより金属膜（または導電性膜）の渦電流によって形成される鎖交磁束を検出することができる。即ち、交流信号源に接続された励磁コイル６２から、検出コイル６３とダミーコイル６４との直列回路を分離して、抵抗ブリッジ回路でバランスの調整を行うことで、ゼロ点の調整が可能である。従って、金属膜（または導電性膜）に流れる渦電流をゼロの状態から検出することが可能になるので、金属膜（または導電性膜）中の渦電流の検出感度が高められる。これにより、広いダイナミックレンジで金属膜（または導電性膜）に形成される渦電流の大きさの検出が可能となる。

図１０は、渦電流センサの同期検波回路を示すブロック図である。
図１０は、交流信号源５２側から渦電流センサ５０側を見たインピーダンスＺの計測回路例を示している。図１６に示すインピーダンスＺの計測回路においては、膜厚の変化に伴う抵抗成分（Ｒ）、リアクタンス成分（Ｘ）、振幅出力（Ｚ）および位相出力（ｔａｎ^−１Ｒ／Ｘ）を取り出すことができる。

上述したように、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆが成膜された半導体ウェハＷ近傍に配置された渦電流センサ５０に、交流信号を供給する信号源５２は、水晶発振器からなる固定周波数の発振器であり、例えば、２ＭＨｚ，８ＭＨｚの固定周波数の電圧を
供給する。信号源５２で形成される交流電圧は、バンドパスフィルタ８２を介して渦電流センサ５０に供給される。渦電流センサ５０の端子で検出された信号は、高周波アンプ８３および位相シフト回路８４を経て、ｃｏｓ同期検波回路８５およびｓｉｎ同期検波回路８６からなる同期検波部により検出信号のｃｏｓ成分とｓｉｎ成分とが取り出される。ここで、信号源５２で形成される発振信号は、位相シフト回路８４により信号源５２の同相成分（０゜）と直交成分（９０゜）の２つの信号が形成され、それぞれｃｏｓ同期検波回路８５とｓｉｎ同期検波回路８６とに導入され、上述の同期検波が行われる。

同期検波された信号は、ローパスフィルタ８７，８８により、信号成分以上の不要な高周波成分が除去され、ｃｏｓ同期検波出力である抵抗成分（Ｒ）出力と、ｓｉｎ同期検波出力であるリアクタンス成分（Ｘ）出力とがそれぞれ取り出される。また、ベクトル演算回路８９により、抵抗成分（Ｒ）出力とリアクタンス成分（Ｘ）出力とから振幅出力（Ｒ^２＋Ｘ^２）^１／２が得られる。また、ベクトル演算回路９０により、同様に抵抗成分出力とリアクタンス成分出力とから位相出力（ｔａｎ^−１Ｒ／Ｘ）が得られる。ここで、測定装置本体には、各種フィルタがセンサ信号の雑音成分を除去するために設けられている。各種フィルタは、それぞれに応じたカットオフ周波数が設定されており、例えば、ローパスフィルタのカットオフ周波数を０．１〜１０Ｈｚの範囲で設定することにより、研磨中のセンサ信号に混在する雑音成分を除去して測定対象の金属膜（または導電性膜）を高精度に測定することができる。

なお、上記の各実施形態を適用した研磨装置において、図１１に示すように、トップリング１の内部の空間に複数の圧力室（エアバッグ）Ｐ１−Ｐ７を設け、圧力室Ｐ１−Ｐ７の内部圧力を調整することができる。すなわち、トップリング１の内側に形成された空間内には、複数の圧力室Ｐ１−Ｐ７が設けられる。複数の圧力室Ｐ１−Ｐ７は、中央の円形の圧力室Ｐ１と、この圧力室Ｐ１の外側に同心円状に配置された複数の環状の圧力室Ｐ２−Ｐ７と、を備える。各圧力室Ｐ１−Ｐ７の内部圧力は、各エアバッグ圧力コントローラ２４４により互いに独立して変化させることが可能である。これにより、各圧力室Ｐ１−Ｐ７に対応する位置の基板Ｗの各領域の押圧力を独立に調整することができる。

各領域の押圧力を独立に調整するためには、ウェハ膜厚分布を渦電流センサ５０により測定する必要がある。以下に説明するように、センサ出力と、トップリング回転数と、テーブル回転数からウェハ膜厚分布を求めることができる。

最初に、渦電流センサ５０が半導体ウェハの表面を走査するときの軌跡（走査線）について説明する。
本発明では、所定の時間内に渦電流センサ５０が半導体ウェハＷ上に描く軌跡が半導体ウェハＷの表面の全体にわたってほぼ均等に分布するようにトップリング１と研磨テーブル１００の回転速度比を調整する。

図１２は、渦電流センサ５０が半導体ウェハＷ上を走査する軌跡を示す模式図である。図１２に示すように、渦電流センサ５０は、研磨テーブル１００が１回転するごとに半導体ウェハＷの表面（被研磨面）を走査するが、研磨テーブル１００が回転すると、渦電流センサ５０は概ね半導体ウェハＷの中心Ｃｗ（トップリングシャフト１１１の中心）を通る軌跡を描いて半導体ウェハＷの被研磨面上を走査することになる。トップリング１の回転速度と研磨テーブル１００の回転速度とを異ならせることにより、半導体ウェハＷの表面における渦電流センサ５０の軌跡は、図１２に示すように、研磨テーブル１００の回転に伴って走査線ＳＬ_１，ＳＬ_２，ＳＬ_３，…と変化する。この場合でも、上述したように、渦電流センサ５０は、半導体ウェハＷの中心Ｃｗを通る位置に配置されているので、渦電流センサ５０が描く軌跡は、毎回半導体ウェハＷの中心Ｃｗを通過する。

図１３は、研磨テーブル１００の回転速度を７０min^−１、トップリング１の回転速度を７７min^−１として、所定時間（この例では５秒）内に渦電流センサ５０が描く半導体ウェハ上の軌跡を示す図である。図１３に示すように、この条件下では、研磨テーブル１００が１回転するごとに渦電流センサ５０の軌跡が３６度回転するので、５回走査するごとにセンサ軌跡が半導体ウェハＷ上を半周だけ回転することになる。センサ軌跡の湾曲も考慮すると、所定時間内に渦電流センサ５０が半導体ウェハＷを６回走査することにより、渦電流センサ５０は半導体ウェハＷ上をほぼ均等に全面スキャンすることになる。各軌跡について、渦電流センサ５０は、数百回の測定を行うことができる。半導体ウェハＷ全体では例えば、１０００箇所から２０００箇所の測定点で膜厚を測定して、膜厚分布を求めることができる。

上述した例では、トップリング１の回転速度が研磨テーブル１００の回転速度よりも速い場合を示したが、トップリング１の回転速度が研磨テーブル１００の回転速度よりも遅い場合（例えば、研磨テーブル１００の回転速度が７０min^−１、トップリング１の回転速度が６３min^−１）も、センサ軌跡が逆方向に回転するだけであり、所定の時間内に渦電流センサ５０が半導体ウェハＷの表面に描く軌跡を半導体ウェハＷの表面の全周にわたって分布させる点では上述の例と同じである。

得られた膜厚分布に基づいて、基板Ｗの各領域の押圧力を制御する方法について以下説明する。図１１に示すように、渦電流センサ５０は、終点検出コントローラ２４６に接続され、終点検出コントローラ２４６は、機器制御コントローラ２４８に接続されている。渦電流センサ５０の出力信号は、終点検出コントローラ２４６に送られる。終点検出コントローラ２４６は、渦電流センサ５０の出力信号に対して必要な処理（演算処理・補正）を施してモニタリング信号（終点検出コントローラ２４６によって補正された膜厚データ）を生成する。終点検出コントローラ２４６は、モニタリング信号に基づいてトップリング１内の各圧力室Ｐ１−Ｐ７の内部圧力を操作する。すなわち、終点検出コントローラ２４６は、トップリング１が基板Ｗを押圧する力を決定し、この押圧力を機器制御コントローラ２４８へ送信する。機器制御コントローラ２４８は、トップリング１の基板Ｗに対する押圧力を変更するように各エアバッグ圧力コントローラ２４４に指令を出す。膜厚センサ（渦電流センサ）５０によって検出された基板Ｗの膜厚または膜厚に相当する信号の分布を機器制御コントローラ２４８で蓄積する。そして、終点検出コントローラ２４６から送信された基板Ｗの膜厚または膜厚に相当する信号の分布に応じて、機器制御コントローラ２４８で、機器制御コントローラ２４８のデータベースに格納された押圧条件に対する研磨量に基づいて、膜厚または膜厚に相当する信号の分布が検出された基板Ｗの押圧条件を決め、各エアバッグ圧力コントローラ２４４に送信する。

基板Ｗの押圧条件は、例えば、次のように決められる。各々のエアバッグの圧力を変化させた時に研磨量が影響を受けるウェハエリアに関する情報に基づいて、各ウェハエリアの膜厚平均値を算出する。影響を受けるウェハエリアは実験結果などから算出し、前もって機器制御コントローラ２４８のデータベースに入力しておく。膜が薄くなっているウェハエリアに対応するエアバッグ箇所に対する圧力は低くし、膜が厚くなっているウェハエリアに対応するエアバッグ箇所に対する圧力は高くして、各エリアの膜厚が均一になるようにエアバッグ圧力をコントロールする。この時、過去の膜厚分布結果から、研磨レートを算出し、コントロールする圧力の指標にしてもよい。

また、膜厚センサによって検出された基板Ｗの膜厚または膜厚に相当する信号の分布を上位のホストコンピュータ（複数の半導体製造装置と接続し、管理しているコンピュータ）に送信し、ホストコンピュータで蓄積してもよい。そして、研磨装置側から送信された基板Ｗの膜厚または膜厚に相当する信号の分布に応じて、ホストコンピュータで、ホストコンピュータのデータベースに格納された押圧条件に対する研磨量に基づいて、膜厚また
は膜厚に相当する信号の分布が検出された基板Ｗの押圧条件を決め、当該研磨装置の機器制御コントローラ２４８に送信してもよい。

次に、基板Ｗの各領域の押圧力の制御フローについて説明する。
図１４は、研磨中に行う圧力コントロールの動作の一例を示すフローチャートである。まず、研磨装置は、基板Ｗを研磨位置に搬送する（ステップＳ１０１）。続いて、研磨装置は、基板Ｗの研磨を開始する（ステップＳ１０２）。

続いて、終点検出コントローラ２４６は、基板Ｗの研磨中に、残膜指数(残膜量を表す膜厚データ)を研磨対象物の各領域について算出する（ステップＳ１０３）。続いて、機器制御コントローラ２４８は、残膜指数に基づいて残膜厚の分布を制御する（ステップＳ１０４）。

具体的には、機器制御コントローラ２４８は、各領域について算出された残膜指数に基づいて、基板Ｗの裏面の各領域に加える押圧力（すなわち、圧力室Ｐ１−Ｐ７内の圧力）を独立に制御する。なお、研磨初期には基板Ｗの被研磨膜表層の変質などにより研磨特性（圧力に対する研磨速度）が不安定になることがある。このような場合には、研磨開始から初回の制御を行うまでの間に、所定の待ち時間を設けてもよい。

続いて、終点検出器は、残膜指数に基づいて研磨対象物の研磨を終了すべきか否かを決定する（ステップＳ１０５）。残膜指数があらかじめ設定された目標値に達していないと終点検出コントローラ２４６が判断した場合には（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、ステップＳ１０３へ戻る。

一方、残膜指数があらかじめ設定された目標値に達したと終点検出コントローラ２４６が判断した場合には（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、機器制御コントローラ２４８は、研磨対象物の研磨を終了する（ステップＳ１０６）。ステップＳ１０５〜１０６においては、研磨開始から所定の時間が経過したか否かを判断して研磨を終了することも可能である。本実施形態によれば、渦電流センサは、空間分解能が向上しているため、渦電流センサ出力の有効範囲が、エッジ等の狭い領域に広がるので、基板Ｗの領域ごとの測定点が増え、研磨の制御性の向上を図ることができ、基板の研磨平坦性を改善することができる。
以上説明したように、本発明は以下の形態を有する。
形態１
導電性膜が形成された基板の近傍に配置される渦電流センサであって、前記渦電流センサは、
底面部と、前記底面部の中央に設けられた磁心部と、前記底面部の周囲に設けられた周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
前記磁心部に配置され、前記導電性膜に渦電流を形成する励磁コイルと、
前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
前記磁性体の比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、
前記磁心部の外形寸法は５０ｍｍ以下であり、
前記励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可されることを特徴とする渦電流センサ。
形態２
前記渦電流センサは、前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を
検出するダミーコイルを有することを特徴とする形態１に記載の渦電流センサ。
形態３
導電性膜が形成された基板の近傍に配置される渦電流センサであって、前記渦電流センサは、
磁性体である第１のポットコアと、前記第１のポットコアの近傍に配置された磁性体である第２のポットコアとを有し、
前記第１のポットコア及び前記第２のポットコアは、それぞれ、底面部と、前記底面部の中央に設けられた磁心部と、前記底面部の周囲に設けられた周壁部とを有し、
前記渦電流センサは、
前記第１のポットコアの前記磁心部に配置され、前記導電性膜に渦電流を形成する第１の励磁コイルと、
前記第１のポットコアの前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出する検出コイルと、
前記第２のポットコアの前記磁心部に配置される第２の励磁コイルと、
前記第２のポットコアの前記磁心部に配置されるダミーコイルとを有し、
前記第１のポットコアの前記磁心部の軸方向と前記第２のポットコアの前記磁心部の軸方向は一致し、
前記第１のポットコア及び前記第２のポットコアは、前記基板に近い位置から遠い位置に向かって、前記第１のポットコア、前記第２のポットコアの順に配置されることを特徴とする渦電流センサ。
形態４
前記磁性体の比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、
前記磁心部の外形寸法は５０ｍｍ以下であり、
前記第１及び第２の励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可されることを特徴とする形態３に記載の渦電流センサ。
形態５
前記周壁部の外部に配置された金属製の外周部を有することを特徴とする形態１から３までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
形態６
前記外周部は、前記磁心部の軸方向に伸びる少なくとも１つの溝を有することを特徴とする形態５に記載の渦電流センサ。
形態７
前記検出コイル及び前記励磁コイルに使用される導線は、銅、マンガニン線、又はニクロム線であることを特徴とする形態１から６までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。形態８
前記励磁コイルに印加される電気信号の周波数は、前記渦電流センサの出力に基づいて前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数であることを特徴とする形態１から７までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
形態９
前記検出コイルと前記励磁コイルの導線の巻き数は、前記渦電流センサの出力に基づいて前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数になるように設定されていることを特徴とする形態１から８までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
形態１０
前記導電性膜を含む研磨対象物を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転駆動する駆動部と、
前記研磨対象物を保持して前記研磨パッドに押圧する保持部と、
前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記導電性膜に形成される前記渦電流を前記研磨対象物の研磨面に沿って検出する形態１から９のいずれか
１項に記載の渦電流センサと、
前記検出された前記渦電流から前記研磨対象物の膜厚データを算出する終点検出コントローラと、
を備える研磨装置。
形態１１
形態１０の研磨装置において、
前記終点検出コントローラが算出する膜厚データに基づいて、前記研磨対象物の複数の領域の押圧力を独立に制御する機器制御コントローラを備える研磨装置。

Claims (9)

1. 導電性膜が形成された基板の近傍に配置され、前記導電性膜を検出する渦電流センサであって、前記渦電流センサは、
   底面部と、前記底面部の中央に設けられた磁心部と、前記底面部の周囲に設けられた周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
   前記磁心部に配置され、前記導電性膜に渦電流を形成する励磁コイルと、
   前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
   前記磁性体の比誘電率は５〜１５であり、比透磁率は１〜３００であり、
   前記磁心部の外形寸法は５０ｍｍ以下であり、
   前記励磁コイルには、周波数が２〜３０ＭＨｚの電気信号が印可されることを特徴とする渦電流センサ。
2. 前記渦電流センサは、前記磁心部に配置され、前記導電性膜に形成される前記渦電流を検出するダミーコイルを有することを特徴とする請求項１に記載の渦電流センサ。
3. 前記周壁部の外部に配置された金属製の外周部を有することを特徴とする請求項１または２記載の渦電流センサ。
4. 前記外周部は、前記磁心部の軸方向に伸びる少なくとも１つの溝を有することを特徴とする請求項３に記載の渦電流センサ。
5. 前記検出コイル及び前記励磁コイルに使用される導線は、銅、マンガニン線、又はニクロム線であることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
6. 前記励磁コイルに印加される電気信号の周波数は、前記渦電流センサの出力に基づいて
   前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数であることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
7. 前記検出コイルと前記励磁コイルの導線の巻き数は、前記渦電流センサの出力に基づいて前記導電性膜に形成された渦電流を検出する検出回路が発振しない周波数になるように設定されていることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の渦電流センサ。
8. 前記導電性膜を含む研磨対象物を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、
   前記研磨テーブルを回転駆動する駆動部と、
   前記研磨対象物を保持して前記研磨パッドに押圧する保持部と、
   前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記導電性膜に形成される前記渦電流を前記研磨対象物の研磨面に沿って検出する請求項１から７のいずれか１項に記載の渦電流センサと、
   前記検出された前記渦電流から前記研磨対象物の膜厚データを算出する終点検出コントローラと、
   を備える研磨装置。
9. 請求項８の研磨装置において、
   前記終点検出コントローラが算出する膜厚データに基づいて、前記研磨対象物の複数の領域の押圧力を独立に制御する機器制御コントローラを備える研磨装置。

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