JP2024038618A - 情報処理装置、機械学習装置、情報処理方法、及び、機械学習方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理が行われたときに交流電力線から生じる電磁波の影響を適切に予測することを可能とする情報処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置５は、交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ基板又は処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により基板処理が行われたときに交流機器に供給される交流電流の電流値情報を生成する電流値情報生成部５０１と、
電流値情報生成部５０１により生成された電流値情報に基づいて、交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報を生成する電磁波影響情報生成部５０２と、を備える。
【選択図】 図１７

Description

本発明は、情報処理装置、機械学習装置、情報処理方法、及び、機械学習方法に関する。

半導体ウェハ等の基板に対して各種の処理を行う基板処理装置の１つとして、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行う基板処理装置が知られている。基板処理装置では、例えば、研磨パッドを有する研磨テーブルを回転させつつ、液体供給ノズルから研磨パッドに研磨流体を供給した状態で、トップリングと呼ばれる基板保持部により基板を研磨パッドに押し付けることで、基板は化学的かつ機械的に研磨される。そして、研磨後の基板に付着した研磨屑等の異物を除去するため、研磨後の基板に洗浄流体を供給しながら洗浄具を接触させてスクラブ洗浄し、さらに基板を乾燥することで、一連の基板処理が終了する。

特許文献１及び特許文献２には、このような基板処理を行うための各種の機器と、これらの機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置が開示されている。

特開平７－２６３３８８号公報 特開２０１１－２４９８２０号公報

特許文献１及び特許文献２に開示されたように、制御盤は、各機器を制御するものであり、各機器は、交流電力線を介して交流電源に接続されることで交流電流が供給される。その際、交流電流が流れる交流電力線から電磁波が生じるが、基板処理装置の正常な動作に影響がないように、その電磁波の影響を適切に把握することが求められる。

本発明は、上記の課題に鑑み、基板処理が行われたときに交流電力線から生じる電磁波の影響を適切に予測することを可能とする情報処理装置、機械学習装置、情報処理方法、及び、機械学習方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る情報処理装置は、
交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報を生成する電流値情報生成部と、
前記電流値情報生成部により生成された前記電流値情報に基づいて、前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報を生成する電磁波影響情報生成部と、を備える。

本発明の一態様に係る情報処理装置によれば、基板処理が行われたときに交流機器に供給される交流電流の電流値情報に基づいて、当該交流電流が流れる交流電力線に対する電磁波影響情報が生成されるので、基板処理が行われたときに交流電力線から生じる電磁波
の影響を適切に予測することができる。

上記以外の課題、構成及び効果は、後述する発明を実施するための形態にて明らかにされる。

基板処理システム１の一例を示す全体構成図である。 基板処理装置２の一例を示す平面図である。 第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄの一例を示す斜視図である。 第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂの一例を示す斜視図である。 第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄの一例を示す斜視図である。 第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆの一例を示す斜視図である。 基板処理装置２の一例を示すブロック図である。 制御盤２６の一例を示す概略図である。 コンピュータ９００の一例を示すハードウエア構成図である。 データベース装置３により管理される生産履歴情報３０の一例を示すデータ構成図である。 データベース装置３により管理される試験情報３１の一例を示すデータ構成図である。 機械学習装置４の一例を示すブロック図である。 第１の学習モデル１０Ａ及び第１の学習用データ１１Ａの一例を示す図である。 第２の学習モデル１０Ｂ及び第２の学習用データ１１Ｂの一例を示す図である。 機械学習装置４による機械学習方法の一例を示すフローチャートである。 情報処理装置５の一例を示すブロック図である。 情報処理装置５の一例を示す機能説明図である。 ユーザ端末装置６の一例を示すブロック図である。 情報処理装置５及びユーザ端末装置６による情報処理方法の一例を示すフローチャートである。 現実空間の交流電力線２７０に仮想オブジェクトを重畳表示したオブジェクト表示画面１２の一例を示す図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための実施形態について説明する。以下では、本発明の目的を達成するための説明に必要な範囲を模式的に示し、本発明の該当部分の説明に必要な範囲を主に説明することとし、説明を省略する箇所については公知技術によるものとする。

図１は、基板処理システム１の一例を示す全体構成図である。本実施形態に係る基板処理システム１は、半導体ウェハ等の基板（以下、「ウェハ」という）Ｗを研磨流体が供給された研磨パッドに押し付けることでウェハＷの表面を平坦に研磨する化学機械研磨処理（以下、「研磨処理」という）、研磨処理後のウェハＷに洗浄流体を供給しつつ洗浄具に接触させることでウェハＷの表面を洗浄する洗浄処理、洗浄処理後のウェハＷの表面を乾燥する乾燥処理等を含む一連の基板処理を管理するシステムとして機能する。

基板処理システム１は、その主要な構成として、基板処理装置２と、データベース装置３と、機械学習装置４と、情報処理装置５と、ユーザ端末装置６とを備える。各装置２～
６は、例えば、汎用又は専用のコンピュータ（後述の図９参照）で構成されるとともに、有線又は無線のネットワーク７に接続されて、各種のデータ（図１には一部のデータの送受信を破線の矢印にて図示）を相互に送受信可能に構成される。なお、各装置２～６の数やネットワーク７の接続構成は、図１の例に限られず、適宜変更してもよい。

基板処理装置２は、交流電源ＡＣ（三相交流２００Ｖ等）に接続されて動作する交流機器、入力機器、出力機器、制御機器等の各機器（詳細は後述）と、ウェハＷに処理部材を接触させつつウェハＷ又は処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために各機器を制御する制御盤２６とを備える。基板処理装置２は、各機器に設定された複数の装置パラメータからなる装置設定情報２５５と、基板処理の処理内容等を定める基板レシピ情報２５６とを参照しつつ、各機器の動作を制御する。研磨処理では、ウェハＷに接触する処理部材としての研磨パッドと、処理部材に供給される処理流体としての研磨流体とが用いられる。洗浄処理では、ウェハＷに接触する処理部材としての洗浄具と、ウェハＷに供給される処理流体としての洗浄流体とが用いられる。

データベース装置３は、本生産用のウェハＷ、処理部材及び処理流体を用いて基板処理が行われたときの履歴に関する生産履歴情報３０と、基板処理が行われたときの各機器の状態をシミュレーションモデルにより算出した結果に関する試験情報３１とを管理する装置である。なお、データベース装置３には、上記の他に、装置設定情報２５５や基板レシピ情報２５６が記憶されていてもよく、その場合には、基板処理装置２がこれらの情報を参照するようにしてもよい。

データベース装置３は、基板処理装置２により基板処理が行われたときに、基板処理装置２から各種のレポートＲを随時受信し、生産履歴情報３０に登録することで、生産履歴情報３０には、基板処理に関するレポートＲが蓄積される。また、データベース装置３は、シミュレーションモデルを用いて基板処理の試験や電磁波ノイズの試験が行われたときに、そのシミュレーションの実行条件及び実行結果を試験情報３１に対応付けて登録することで、試験情報３１には、シミュレーションの実行条件及び実行結果が蓄積される。なお、シミュレーションに代えて、試験用のウェハＷ、処理部材及び処理流体を用いて基板処理の試験を、例えば、本生産用の基板処理装置２や、基板処理装置２と同様の基板処理を再現可能な試験装置（不図示）で行うことで、その試験条件及び試験結果が試験情報３１に登録されるようにしてもよい。

機械学習装置４は、機械学習の学習フェーズの主体として動作し、例えば、データベース装置３から試験情報３１の一部を第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂとしてそれぞれ取得し、情報処理装置５にて用いられる第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂを機械学習によりそれぞれ生成する。学習済みの第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂは、ネットワーク７や記録媒体等を介して情報処理装置５に提供される。

情報処理装置５は、機械学習の推論フェーズの主体として動作し、機械学習装置４により生成された第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂを用いて、基板処理が行われたときに交流電源ＡＣと交流機器との間を接続する交流電力線から生じる電磁波の影響を予測し、その予測した結果を示す電磁波影響情報を生成し、データベース装置３、ユーザ端末装置６等に送信する。

ユーザ端末装置６は、ユーザが使用する端末装置であり、据置型の装置でもよいし、携帯型の装置でもよい。ユーザ端末装置６は、例えば、アプリケーションプログラム、ウェブブラウザ等の表示画面を介して各種の入力操作を受け付けるとともに、表示画面を介して各種の情報（例えば、イベントの通知、装置設定情報２５５、基板レシピ情報２５６、電磁波影響情報、生産履歴情報３０、試験情報３１等）を表示する。

本実施形態では、ユーザ端末装置６は、拡張現実（ＡＲ）又は複合現実（ＭＲ）を実現可能な携帯型の装置として、例えば、スマートフォン、タブレット端末等の携帯機器、スマートグラス、透過型のヘッドマウントディスプレイ等のウェアラブル機器で構成される場合を中心に説明する。その場合、ユーザ端末装置６は、ユーザが現実空間における基板処理装置２にて作業を行う際に、情報処理装置５から提供される電磁波影響情報に基づいて、現実空間の交流電力線に対して電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示することで、ユーザを支援する情報処理装置として機能する。

（基板処理装置２）
図２は、基板処理装置２の一例を示す平面図である。基板処理装置２は、平面視で略矩形状のハウジング２０の内部に、ロード／アンロードユニット２１と、研磨ユニット２２と、基板搬送ユニット２３と、仕上げユニット２４と、制御ユニット２５とを備えて構成される。ロード／アンロードユニット２１と、研磨ユニット２２、基板搬送ユニット２３及び仕上げユニット２４との間は、第１の隔壁２００Ａにより区画され、基板搬送ユニット２３と仕上げユニット２４との間は、第２の隔壁２００Ｂにより区画されている。ハウジング２０の天井部分や側壁部分には、例えば、モータで駆動される送風機器（不図示）が複数設置されており、第１及び第２の隔壁２００Ａ、２００Ｂにより区画された内部空間の気圧を外部空間よりも高く維持するようにそれぞれ動作する。

（ロード／アンロードユニット）
ロード／アンロードユニット２１は、多数のウェハＷを上下方向に収納可能なウェハカセット（ＦＯＵＰ等）が載置される第１乃至第４のフロントロード部２１０Ａ～２１０Ｄと、ウェハカセットに収納されたウェハＷの収納方向（上下方向）に沿って上下移動可能な搬送ロボット２１１と、第１乃至第４のフロントロード部２１０Ａ～２１０Ｄの並び方向（ハウジング２０の短手方向）に沿って搬送ロボット２１１を移動させる水平移動機構部２１２とを備える。

搬送ロボット２１１は、第１乃至第４のフロントロード部２１０Ａ～２１０Ｄの各々に載置されたウェハカセット、基板搬送ユニット２３（具体的に、後述のリフタ２３２）、仕上げユニット２４（具体的に、後述の第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆ）に対してアクセス可能に構成され、それらの間でウェハＷを受け渡すための上下二段のハンド（不図示）を備える。下側ハンドは、処理前のウェハＷを受け渡すときに使用され、上側ハンドは、処理後のウェハＷを受け渡すときに使用される。基板搬送ユニット２３や仕上げユニット２４に対するウェハＷの受け渡しの際には、第１の隔壁２００Ａに設けられたシャッタ（不図示）が開閉される。

なお、図２では、搬送ロボット２１１、及び、水平移動機構部２１２の具体的な構成を省略しているが、例えば、サーボモータ等の交流機器と、リニアガイド、ボールねじ、ギヤ、ベルト、カップリング、軸受等の駆動力伝達機構と、流体圧シリンダ、バルブ等の出力機器と、リニアセンサ、エンコーダセンサ、リミットセンサ、トルクセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。

（研磨ユニット）
研磨ユニット２２は、ウェハＷの研磨処理（平坦化）をそれぞれ行う第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄを備える。第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄは、ハウジング２０の長手方向に沿って並べられて配置される。

図３は、第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄの一例を示す斜視図である。第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄの基本的な構成や機能は共通する。

第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄの各々は、研磨面を有する研磨パッド２２００を回転可能に支持する研磨テーブル（処理部材支持部）２２０と、ウェハＷを回転可能に保持し、かつウェハＷを研磨テーブル２２０上の研磨パッド２２００に押圧しながら研磨するためのトップリング（基板保持部）２２１と、研磨パッド２２００に研磨流体を供給する研磨流体供給部２２２と、ドレッサディスク２２３０を回転可能に支持するとともにドレッサディスク２２３０を研磨パッド２２００の研磨面に接触させて研磨パッド２２００をドレッシングするドレッサ２２３と、研磨パッド２２００にパッド洗浄流体を噴射するアトマイザ２２４と、研磨処理が行われるハウジング２０の内部空間の状態を測定する環境センサ２２５とを備える。

研磨テーブル２２０は、研磨テーブルシャフト２２０ａにより支持されて、その軸心周りに研磨テーブル２２０を回転駆動させる回転移動機構部２２０ｂと、研磨パッド２２００の表面温度を調節する温調機構部２２０ｃとを備える。

トップリング２２１は、上下方向に移動可能なトップリングシャフト２２１ａに支持されて、その軸心周りにトップリング２２１を回転駆動させる回転移動機構部２２１ｃと、トップリング２２１を上下方向に移動させる上下移動機構部２２１ｄと、支持シャフト２２１ｂを旋回中心にしてトップリング２２１を旋回（揺動）移動させる揺動移動機構部２２１ｅとを備える。回転移動機構部２２１ｃ、上下移動機構部２２１ｄ及び揺動移動機構部２２１ｅは、研磨パッド２２００とウェハＷの被研磨面との相対位置を移動させる基板移動機構部として機能する。

研磨流体供給部２２２は、研磨パッド２２００の研磨面に研磨流体を供給する研磨流体供給ノズル２２２ａと、支持シャフト２２２ｂに支持されて、支持シャフト２２２ｂを旋回中心にして研磨流体供給ノズル２２２ａを旋回移動させる揺動移動機構部２２２ｃと、研磨流体の流量を調節する流量調節部２２２ｄと、研磨流体の温度を調節する温調機構部２２２ｅとを備える。研磨流体は、研磨液（スラリー）又は純水であり、さらに、薬液を含むものでもよいし、研磨液に分散剤を添加したものでもよい。

ドレッサ２２３は、上下方向に移動可能なドレッサシャフト２２３ａに支持されて、その軸心周りにドレッサ２２３を回転駆動させる回転移動機構部２２３ｃと、ドレッサ２２３を上下方向に移動させる上下移動機構部２２３ｄと、支持シャフト２２３ｂを旋回中心にしてドレッサ２２３を旋回移動させる揺動移動機構部２２３ｅとを備える。

アトマイザ２２４は、支持シャフト２２４ａに支持されて、支持シャフト２２４ａを旋回中心にしてアトマイザ２２４を旋回移動させる揺動移動機構部２２４ｂと、パッド洗浄流体の流量を調節する流量調節部２２４ｃとを備える。パッド洗浄流体は、液体（例えば、純水）と気体（例えば、窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば、純水）である。

環境センサ２２５は、ハウジング２０の内部空間に配置された入力機器からなり、例えば、内部空間の温度を計測する温度センサ２２５ａと、内部空間の湿度を計測する湿度センサ２２５ｂと、内部空間の気圧を計測する気圧センサ２２５ｃと、酸素濃度センサ２２５ｄと、マイクロホン（音センサ）２２５ｅとを備える。なお、環境センサ２２５として、研磨処理中や研磨処理の前後に、研磨パッド２２００の表面、温度分布、気流分布等を撮影可能なカメラ（イメージセンサ）を備えていてもよい。カメラの撮影対象は、可視光に限られず、赤外光や紫外光等でもよい。

ウェハＷは、トップリング２２１の下面に吸着保持されて、研磨テーブル２２０上の所定の研磨位置に移動された後、研磨流体供給ノズル２２２ａから研磨流体が供給された研
磨パッド２２００の研磨面に対してトップリング２２１により押圧されることで研磨される。

なお、図３では、回転移動機構部２２０ｂ、２２１ｃ、２２３ｃ、上下移動機構部２２１ｄ、２２３ｄ、及び、揺動移動機構部２２１ｅ、２２２ｃ、２２３ｅ、２２４ｂの具体的な構成を省略しているが、例えば、サーボモータ等の交流機器と、リニアガイド、ボールねじ、ギヤ、ベルト、カップリング、軸受等の駆動力伝達機構と、流体圧シリンダ、バルブ等の出力機器と、リニアセンサ、エンコーダセンサ、リミットセンサ、トルクセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。図３では、流量調節部２２２ｄ、２２４ｃの具体的な構成を省略しているが、例えば、ポンプ、バルブ、レギュレータ等の流体調節用の出力機器と、流量センサ、圧力センサ、液面センサ、温度センサ、流体濃度センサ、流体物性センサ、流体パーティクルセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。図３では、温調機構部２２０ｃ、２２２ｅの具体的な構成を省略しているが、例えば、接触式又は非接触式のヒータ等の交流機器と、温度センサ、電流センサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。

（基板搬送ユニット）
基板搬送ユニット２３は、図２に示すように、第１乃至第４の研磨部２２Ａ～２２Ｄの並び方向（ハウジング２０の長手方向）に沿って水平移動可能な第１及び第２のリニアトランスポータ２３０Ａ、２３０Ｂと、第１及び第２のリニアトランスポータ２３０Ａ、２３０Ｂの間に配置されたスイングトランスポータ２３１と、ロード／アンロードユニット２１側に配置されたリフタ２３２と、仕上げユニット２４側に配置されたウェハＷの仮置き台２３３とを備える。

第１のリニアトランスポータ２３０Ａは、第１及び第２の研磨部２２Ａ、２２Ｂに隣接して配置されて、４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット２１側から順に第１乃至第４の搬送位置ＴＰ１～ＴＰ４とする）の間でウェハＷを搬送する機構である。第２の搬送位置ＴＰ２は、第１の研磨部２２Ａに対してウェハＷを受け渡す位置であり、第３の搬送位置ＴＰ３は、第２の研磨部２２Ｂに対してウェハＷを受け渡す位置である。

第２のリニアトランスポータ２３０Ｂは、第３及び第４の研磨部２２Ｃ、２２Ｄに隣接して配置されて、３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット２１側から順に第５乃至第７の搬送位置ＴＰ５～ＴＰ７とする）の間でウェハＷを搬送する機構である。第６の搬送位置ＴＰ６は、第３の研磨部２２Ｃに対してウェハＷを受け渡す位置であり、第７の搬送位置ＴＰ７は、第４の研磨部２２Ｄに対してウェハＷを受け渡す位置である。

スイングトランスポータ２３１は、第４及び第５の搬送位置ＴＰ４、ＴＰ５に隣接して配置されるとともに、第４及び第５の搬送位置ＴＰ４、ＴＰ５の間を移動可能なハンドを有する。スイングトランスポータ２３１は、第１及び第２のリニアトランスポータ２３０Ａ、２３０Ｂの間でウェハＷを受け渡すとともに、仮置き台２３３にウェハＷを仮置きする機構である。リフタ２３２は、第１の搬送位置ＴＰ１に隣接して配置されて、ロード／アンロードユニット２１の搬送ロボット２１１との間でウェハＷを受け渡す機構である。ウェハＷの受け渡しの際、第１の隔壁２００Ａに設けられたシャッタ（不図示）が開閉される。

なお、図２では、第１及び第２のリニアトランスポータ２３０Ａ、２３０Ｂ、スイングトランスポータ２３１、並びに、リフタ２３２の具体的な構成を省略しているが、例えば、サーボモータ等の交流機器と、リニアガイド、ボールねじ、ギヤ、ベルト、カップリング、軸受等の駆動力伝達機構と、流体圧シリンダ、バルブ等の出力機器と、リニアセンサ、エンコーダセンサ、リミットセンサ、トルクセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて
構成される。

（仕上げユニット）
仕上げユニット２４は、図２に示すように、ロールスポンジ２４００を用いた基板洗浄装置として、上下二段に配置された第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂと、ペンスポンジ２４０１を用いた基板洗浄装置として、上下二段に配置された第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄと、洗浄後のウェハＷを乾燥させる基板乾燥装置として、上下二段に配置された第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆと、ウェハＷを搬送する第１及び第２の搬送部２４Ｇ、２４Ｈとを備える。なお、ロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、ペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄ、乾燥部２４Ｅ、２４Ｆ、及び、搬送部２４Ｇ、２４Ｈの数や配置は、図２の例に限られず、適宜変更してもよい。

仕上げユニット２４の各部２４Ａ～２４Ｈは、それぞれが区画された状態で第１及び第２のリニアトランスポータ２３０Ａ、２３０Ｂに沿って、例えば、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、第１の搬送部２４Ｇ、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄ、第２の搬送部２４Ｈ、及び、第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆの順（ロード／アンロードユニット２１から遠い順）に配置される。仕上げユニット２４は、研磨処理後のウェハＷに対して、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂのいずれかによる一次洗浄処理、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄのいずれかによる二次洗浄処理、及び、第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆのいずれかによる乾燥処理を順に行う。なお、仕上げユニット２４の各部２４Ａ～２４Ｈによる処理の順序は適宜変更してもよいし、処理の一部を省略してもよく、例えば、ロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂによる洗浄処理を省略して、ペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄによる洗浄処理から開始してもよい。また、仕上げユニット２４は、ロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、及び、ペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄのいずれかに代えて又は加えて、バフ洗浄部（不図示）を備えることにより、バフ洗浄処理を行うようにしてもよい。さらに、本実施形態では、仕上げユニット２４の各部２４Ａ～２４Ｈは、ウェハＷを水平置きで保持（水平保持）するものであるが、ウェハＷを垂直保持又は斜め保持するものでもよい。

ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１は、ＰＶＡ、ナイロン等の合成樹脂で形成され、多孔質構造を有する。ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１は、ウェハＷをスクラブ洗浄するための洗浄具として機能し、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、並びに、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄに交換可能にそれぞれ取り付けられる。

第１の搬送部２４Ｇは、上下方向に移動可能な第１の搬送ロボット２４６Ａを備える。第１の搬送ロボット２４６Ａは、基板搬送ユニット２３の仮置き台２３３、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、並びに、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄに対してアクセス可能に構成され、それらの間でウェハＷを受け渡すための上下二段のハンドを備える。例えば、下側ハンドは、洗浄前のウェハＷを受け渡すときに使用され、上側ハンドは、洗浄後のウェハＷを受け渡すときに使用される。仮置き台２３３に対するウェハＷの受け渡しの際には、第２の隔壁２００Ｂに設けられたシャッタ（不図示）が開閉される。

第２の搬送部２４Ｈは、上下方向に移動可能な第２の搬送ロボット２４６Ｂを備える。第２の搬送ロボット２４６Ｂは、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄ、並びに、第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆに対してアクセス可能に構成され、それらの間でウェハＷを受け渡すためのハンドを備える。

図４は、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂの一例を示す斜視図である。第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂの基本的な構成や機能は共通する。図４の例では、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂは、ウェハＷの被洗浄面（表面及び裏面）を挟み込むように、上下に配置された一対のロールスポンジ２４００を有する。

第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂの各々は、ウェハＷを保持する基板保持部２４１と、ウェハＷに洗浄流体を供給する洗浄流体供給部２４２と、ロールスポンジ２４００を回転可能に支持するとともにロールスポンジ２４００をウェハＷに接触させてウェハＷを洗浄する基板洗浄部（処理部材支持部）２４０と、ロールスポンジ２４００を洗浄具洗浄流体にて洗浄（セルフクリーニング）する洗浄具洗浄部２４３と、洗浄処理が行われるハウジング２０の内部空間の状態を測定する環境センサ２４４とを備える。

基板保持部２４１は、ウェハＷの側縁部の複数個所を保持する基板保持機構部２４１ａと、ウェハＷの被洗浄面に垂直な第３の回転軸周りにウェハＷを回転させる基板回転機構部２４１ｂとを備える。図４の例では、基板保持機構部２４１ａは、４つのローラで構成され、少なくとも１つのローラは、ウェハＷの側縁部を保持又は解放するように移動可能に構成される。また、図４の例では、基板回転機構部２４１ｂは、２つの駆動ローラで構成され、駆動ローラは、ウェハＷを保持する基板保持機構部２４１ａを兼ねている。なお、基板保持部２４１は、複数のローラで構成される基板保持機構部２４１ａと、少なくとも１つの駆動ローラで構成される基板回転機構部２４１ｂとで構成されていてもよい。また、基板保持機構部２４１ａは、ローラに代えてチャックで構成されていてもよい。

洗浄流体供給部２４２は、ウェハＷの被洗浄面に洗浄流体を供給する洗浄流体供給ノズル２４２ａと、洗浄流体供給ノズル２４２ａを旋回移動させる揺動移動機構部２４２ｂと、洗浄流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４２ｃと、洗浄流体の温度を調節する温調機構部２４２ｄとを備える。洗浄流体は、純水（リンス液）及び薬液のいずれでもよく、洗浄流体供給ノズル２４２ａは、図４に示すように、純水用のノズルと、薬液用のノズルとが別々に設けられていてもよい。また、洗浄流体は、液体でもよいし、液体及び気体を混合させた二流体でもよいし、ドライアイスのような固体を含むものでもよい。

基板洗浄部２４０は、ウェハＷの被洗浄面に平行な第１の回転軸周りにロールスポンジ２４００を回転させる洗浄具回転機構部２４０ａと、一対のロールスポンジ２４００の高さ及び両者の距離を変更するため、一対のロールスポンジ２４００の少なくとも一方を上下方向に移動させる上下移動機構部２４０ｂと、一対のロールスポンジ２４００を水平方向に直線移動させる直線移動機構部２４０ｃとを備える。上下移動機構部２４０ｂ及び直線移動機構部２４０ｃは、ロールスポンジ２４００とウェハＷの被洗浄面との相対位置を移動させる洗浄具移動機構部として機能する。

洗浄具洗浄部２４３は、ウェハＷと干渉しない位置に配置されて、洗浄具洗浄流体を貯留及び排出可能な洗浄具洗浄槽２４３ａと、洗浄具洗浄槽２４３ａに収容されて、ロールスポンジ２４００が押し付けられる洗浄具洗浄板２４３ｂと、洗浄具洗浄槽２４３ａに供給される洗浄具洗浄流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４３ｃと、ロールスポンジ２４００の内側を流通し、ロールスポンジ２４００の外周面から外部に排出される洗浄具洗浄流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４３ｄとを備える。洗浄具洗浄流体は、純水（リンス液）及び薬液のいずれでもよい。

環境センサ２４４は、例えば、温度センサ２４４ａと、湿度センサ２４４ｂと、気圧センサ２４４ｃと、酸素濃度センサ２４４ｄと、マイクロホン（音センサ）２４４ｅとを備える。なお、環境センサ２４４として、洗浄処理中や洗浄処理の前後に、ウェハＷやロー
ルスポンジ２４００の表面、温度分布、気流分布等を撮影可能なカメラ（イメージセンサ）を備えていてもよい。カメラの撮影対象は、可視光に限られず、赤外光や紫外光等でもよい。

第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂによる一次洗浄処理では、ウェハＷは、基板保持機構部２４１ａにより保持された状態で基板回転機構部２４１ｂにより回転される。そして、洗浄流体供給ノズル２４２ａからウェハＷの被洗浄面に洗浄流体が供給された状態で、洗浄具回転機構部２４０ａにより軸心周りに回転されたロールスポンジ２４００がウェハＷの被洗浄面に摺接することでウェハＷは洗浄される。その後、基板洗浄部２４０が、ロールスポンジ２４００を洗浄具洗浄槽２４３ａに移動させて、例えば、ロールスポンジ２４００を回転させたり、洗浄具洗浄板２４３ｂに押し付けたり、流量調節部２４３ｄにより洗浄具洗浄流体をロールスポンジ２４００に供給することで、ロールスポンジ２４００は洗浄される。

図５は、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄの一例を示す斜視図である。第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄの基本的な構成や機能は共通する。

第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄの各々は、ウェハＷを保持する基板保持部２４１と、ウェハＷに洗浄流体を供給する洗浄流体供給部２４２と、ペンスポンジ２４０１を回転可能に支持するとともにペンスポンジ２４０１をウェハＷに接触させてウェハＷを洗浄する基板洗浄部（処理部材支持部）２４０と、ペンスポンジ２４０１を洗浄具洗浄流体にて洗浄（セルフクリーニング）する洗浄具洗浄部２４３と、洗浄処理が行われるハウジング２０の内部空間の状態を測定する環境センサ２４４とを備える。以下では、ペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄについて、ロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂと異なる部分を中心に説明する。

基板保持部２４１は、ウェハＷの側縁部の複数個所を保持する基板保持機構部２４１ｃと、ウェハＷの被洗浄面に垂直な第３の回転軸周りにウェハＷを回転させる基板回転機構部２４１ｄとを備える。図５の例では、基板保持機構部２４１ｃは、４つのローラであり、少なくとも１つのローラは、ウェハＷの側縁部を保持又は解放するように移動可能に構成される。また、図５の例では、基板回転機構部２４１ｄは、２つの駆動ローラで構成され、基板回転機構部２４１ｂを構成する駆動ローラは、ウェハＷを保持する基板保持機構部２４１ａを兼ねている。なお、基板保持部２４１は、複数のローラで構成される基板保持機構部２４１ｃと、少なくとも１つの駆動ローラで構成される基板回転機構部２４１ｄとで構成されていてもよい。また、基板保持機構部２４１ｃは、ローラに代えてチャックで構成されていてもよい。

洗浄流体供給部２４２は、図４と同様に構成されており、洗浄流体供給ノズル２４２ａ、揺動移動機構部２４２ｂ、流量調節部２４２ｃ、及び、温調機構部２４２ｄを備える。

基板洗浄部２４０は、ウェハＷの被洗浄面に垂直な第２の回転軸周りにペンスポンジ２４０１を回転させる洗浄具回転機構部２４０ｄと、ペンスポンジ２４０１を上下方向に移動させる上下移動機構部２４０ｅと、ペンスポンジ２４０１を水平方向に旋回移動させる揺動移動機構部２４０ｆとを備える。上下移動機構部２４０ｅ及び揺動移動機構部２４０ｆは、ペンスポンジ２４０１とウェハＷの被洗浄面との相対位置を移動させる洗浄具移動機構部として機能する。

洗浄具洗浄部２４３は、ウェハＷと干渉しない位置に配置されて、洗浄具洗浄流体を貯留及び排出可能な洗浄具洗浄槽２４３ｅと、洗浄具洗浄槽２４３ｅに収容されて、ペンスポンジ２４０１が押し付けられる洗浄具洗浄板２４３ｆと、洗浄具洗浄槽２４３ｅに供給
される洗浄具洗浄流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４３ｇと、ペンスポンジ２４０１の内側を流通し、ペンスポンジ２４０１の外表面から外部に排出される洗浄具洗浄流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４３ｈとを備える。

環境センサ２４４は、例えば、温度センサ２４４ａと、湿度センサ２４４ｂと、気圧センサ２４４ｃと、酸素濃度センサ２４４ｄと、マイクロホン（音センサ）２４４ｅとを備える。なお、環境センサ２４４として、洗浄処理中や洗浄処理の前後に、ウェハＷやペンスポンジ２４０１の表面温度分布、気流分布等を撮影可能なカメラ（イメージセンサ）を備えていてもよい。カメラの撮影対象は、可視光に限られず、赤外光や紫外光等でもよい。

第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄによる二次洗浄処理では、ウェハＷは、基板保持機構部２４１ｃにより保持された状態で基板回転機構部２４１ｄにより回転される。そして、洗浄流体供給ノズル２４２ａからウェハＷの被洗浄面に洗浄流体が供給された状態で、洗浄具回転機構部２４０ｄにより軸心周りに回転されたペンスポンジ２４０１がウェハＷの被洗浄面に摺接することでウェハＷは洗浄される。その後、基板洗浄部２４０が、ペンスポンジ２４０１を洗浄具洗浄槽２４３ｅに移動させて、例えば、ペンスポンジ２４０１を回転させたり、洗浄具洗浄板２４３ｆに押し付けたり、流量調節部２４３ｈにより洗浄具洗浄流体をペンスポンジ２４０１に供給することで、ペンスポンジ２４０１は洗浄される。

図６は、第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆの一例を示す斜視図である。第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆの基本的な構成や機能は共通する。

第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆの各々は、ウェハＷを保持する基板保持部２４１と、ウェハＷに乾燥流体を供給する乾燥流体供給部２４５と、乾燥処理が行われるハウジング２０の内部空間の状態を測定する環境センサ２４４とを備える。

基板保持部２４１は、ウェハＷの側縁部の複数個所を保持する基板保持機構部２４１ｅと、ウェハＷの被洗浄面に垂直な第３の回転軸周りにウェハＷを回転させる基板回転機構部２４１ｇとを備える。基板保持機構部２４１ｅは、一端を上下方向に移動する上下移動機構部２４１ｆに対して水平軸を中心として回動するように設置され、他端をウェハＷの周縁部に対して接離可能なチャックで構成される。基板保持機構部２４１ｅは、上下移動機構部２４１ｆの上下方向への移動に伴い、把持部がウェハＷに対して当接又は分離方向に移動する傘機構を構成する。なお、基板保持機構部２４１ｅは、チャックに代えてローラで構成されていてもよい。

乾燥流体供給部２４５は、ウェハＷの被洗浄面に乾燥流体を供給する乾燥流体供給ノズル２４５ａと、乾燥流体供給ノズル２４５ａを上下方向に移動させる上下移動機構部２４５ｂと、乾燥流体供給ノズル２４５ａを水平方向に旋回移動させる揺動移動機構部２４５ｃと、乾燥流体の流量及び圧力を調節する流量調節部２４５ｄと、乾燥流体の温度を調節する温調機構部２４５ｅとを備える。上下移動機構部２４５ｂ及び揺動移動機構部２４５ｃは、乾燥流体供給ノズル２４５ａとウェハＷの被洗浄面との相対位置を移動させる乾燥流体供給ノズル移動機構部として機能する。乾燥流体は、例えば、ＩＰＡ蒸気及び純水（リンス液）であり、乾燥流体供給ノズル２４５ａは、図６に示すように、ＩＰＡ蒸気用のノズルと、純水用のノズルとが別々に設けられていてもよい。また、乾燥流体は、液体でもよいし、液体及び気体を混合させた二流体でもよいし、ドライアイスのような固体を含むものでもよい。

環境センサ２４４は、温度センサ２４４ａと、湿度センサ２４４ｂと、気圧センサ２４
４ｃと、酸素濃度センサ２４４ｄと、マイクロホン（音センサ）２４４ｅとを備える。なお、環境センサ２４４として、乾燥処理中や乾燥処理の前後に、ウェハＷの表面、温度分布、気流分布等を撮影可能なカメラ（イメージセンサ）を備えていてもよい。

第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆによる乾燥処理では、ウェハＷは、基板保持機構部２４１ｅにより保持された状態で基板回転機構部２４１ｇにより回転される。そして、乾燥流体供給ノズル２４５ａからウェハＷの被洗浄面に乾燥流体が供給された状態で、乾燥流体供給ノズル２４５ａがウェハＷの側縁部側（径方向外側）に移動される。その後、ウェハＷは、基板回転機構部２４１ｇにより高速回転されることでウェハＷが乾燥される。

なお、図４乃至図６では、基板保持機構部２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｅ、基板回転機構部２４１ｂ、２４１ｄ、２４１ｇ、上下移動機構部２４０ｂ、２４０ｅ、２４１ｆ、２４５ｂ、直線移動機構部２４０ｃ、揺動移動機構部２４０ｆ、２４２ｂ、２４５ｃ、洗浄具回転機構部２４０ａ、２４０ｄの具体的な構成を省略しているが、例えば、サーボモータ等の交流機器、リニアガイド、ボールねじ、ギヤ、ベルト、カップリング、軸受等の駆動力伝達機構と、流体圧シリンダ、バルブ等の出力機器と、リニアセンサ、エンコーダセンサ、リミットセンサ、トルクセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。図４乃至図６では、流量調節部２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｇ、２４３ｈ、２４５ｄの具体的な構成を省略しているが、例えば、ポンプ、バルブ、レギュレータ等の流体調節用の須出力機器と、流量センサ、圧力センサ、液面センサ、温度センサ、流体濃度センサ、流体物性センセ、流体パーティクルセンサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。図４乃至図６では、温調機構部２４２ｄ、２４５ｅの具体的な構成を省略しているが、例えば、接触式又は非接触式のヒータ等の交流機器と、温度センサ、電流センサ等の入力機器とを適宜組み合わせて構成される。

（制御ユニット）
図７は、基板処理装置２の一例を示すブロック図である。制御ユニット２５は、各ユニット２１～２４と電気的に接続されて、各ユニット２１～２４を統括的に制御する制御部として機能する。以下では、研磨ユニット２２及び仕上げユニット２４の制御系（交流機器、入力機器、出力機器、制御機器）を例にして説明するが、他のユニット２１、２３も基本的な構成や機能は共通するため、説明を省略する。

研磨ユニット２２は、研磨ユニット２２が備える各サブユニット（例えば、研磨テーブル２２０、トップリング２２１、研磨流体供給部２２２、ドレッサ２２３、アトマイザ２２４等）にそれぞれ配置されて、制御対象となる複数の交流機器２２７及び出力機器２２８Ｂと、各サブユニットの制御に必要なデータ（検出値）を検出する複数の入力機器２２８Ａと、各入力機器２２８Ａの検出値に基づいて交流機器２２７及び出力機器２２８Ｂを制御する制御機器２２９とを備える。

研磨ユニット２２の入力機器２２８Ａには、例えば、研磨テーブル２２０（研磨パッド２２００）の回転数を検出するセンサ、研磨テーブル２２０（研磨パッド２２００）の回転トルクを検出するセンサ、研磨パッド２２００の表面温度を検出するセンサ、回転移動機構部２２１ｃ（ウェハＷ）の回転数を検出するセンサ、回転移動機構部２２１ｃ（ウェハＷ）の回転トルクを検出するセンサ、研磨パッド２２００に対するウェハＷの位置に変換可能な基板移動機構部（上下移動機構部２２１ｄ、揺動移動機構部２２１ｅ）の位置座標を検出するセンサ、基板移動機構部の移動速度を検出するセンサ、基板移動機構部の移動トルクを検出するセンサ、ウェハＷを研磨パッド２２００に接触させるときのウェハＷの押付荷重を検出するセンサ、ウェハ押付圧力室及びリテーナリング押付圧力室（いずれも不図示）の圧力（正圧及び負圧）を検出するセンサ、ウェハ押付圧力室及びリテーナリ
ング押付圧力室に供給される圧力流体の流量を検出するセンサ、研磨流体供給部２２２から供給される研磨流体の流量を検出するセンサ、研磨流体供給部２２２から供給される研磨流体の温度を検出するセンサ、研磨流体供給部２２２による研磨流体の滴下位置に変換可能な研磨流体供給部２２２の揺動位置を検出するセンサ、研磨流体の濃度を検出するセンサ、研磨流体の清浄度（例えば、研磨流体の廃液に含まれるパーティクルの濃度、粒子径、粒子径毎の粒子数）を検出するセンサ、環境センサ２２５等が含まれる。

仕上げユニット２４は、仕上げユニット２４が備える各サブユニット（例えば、第１及び第２のロールスポンジ洗浄部２４Ａ、２４Ｂ、第１及び第２のペンスポンジ洗浄部２４Ｃ、２４Ｄ、第１及び第２の乾燥部２４Ｅ、２４Ｆ、第１及び第２の搬送部２４Ｇ、２４Ｈ等）にそれぞれ配置されて、制御対象となる複数の交流機器２４７及び出力機器２４８Ｂと、各サブユニットの制御に必要なデータ（検出値）を検出する複数の入力機器２４８Ａと、各入力機器２４８Ａの検出値に基づいて交流機器２４７及び出力機器２４８Ｂの動作を制御する制御機器２４９とを備える。

仕上げユニット２４の入力機器２４８Ａには、例えば、基板保持機構部２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｅがウェハＷを保持するときの保持圧力を検出するセンサ、基板回転機構部２４１ｂ、２４１ｄ、２４１ｇ（ウェハＷ）の回転数を検出するセンサ、基板回転機構部２４１ｂ、２４１ｄ、２４１ｇ（ウェハＷ）の回転トルクを検出するセンサ、洗浄流体又は乾燥流体の流量を検出するセンサ、洗浄流体又は乾燥流体の圧力を検出するセンサ、洗浄流体の滴下位置に変換可能な洗浄流体供給部２４２又は乾燥流体供給部２４５の位置座標を検出するセンサ、洗浄流体又は乾燥流体の温度を検出するセンサ、洗浄流体又は乾燥流体の濃度を検出するセンサ、洗浄流体又は乾燥流体の流体物性を検出するセンサ、洗浄具回転機構部２４０ａが洗浄具（ロールスポンジ２４００、ペンスポンジ２４０１）を回転させるときの洗浄具の回転数を検出するセンサ、洗浄具回転機構部２４０ａの回転トルクを検出するセンサ、ウェハＷに対する洗浄具の位置に変換可能な洗浄具移動機構部（上下移動機構部２４０ｂ、２４０ｅ、直線移動機構部２４０ｃ、揺動移動機構部２４０ｆ）の位置座標を検出するセンサ、洗浄具移動機構部の移動速度を検出するセンサ、洗浄具移動機構部の移動トルクを検出するセンサ、洗浄具をウェハＷ又は洗浄具洗浄板２４３ｂ、２４３ｆに接触させるときの洗浄具の押付荷重を検出するセンサ、洗浄具洗浄流体の流量を検出するセンサ、洗浄具洗浄流体の圧力を検出するセンサ、洗浄具洗浄流体の清浄度（例えば、洗浄具洗浄槽２４３ａ、２４３ｅの廃液に含まれるパーティクルの濃度、粒子径、粒子径毎の粒子数）を検出するセンサ、環境センサ２４４等が含まれる。

制御ユニット２５は、制御部２５０、通信部２５１、入力部２５２、出力部２５３、及び、記憶部２５４を備える。制御ユニット２５は、例えば、汎用又は専用のコンピュータ（後述の図９参照）で構成される。

通信部２５１は、ネットワーク７に接続され、各種のデータを送受信する通信インターフェースとして機能する。入力部２５２は、各種の入力操作を受け付けるとともに、出力部２５３は、表示画面、シグナルタワー点灯、ブザー音を介して各種の情報を出力することで、ユーザインターフェースとして機能する。

記憶部２５４は、基板処理装置２の動作で使用される各種のプログラム（オペレーティングシステム（ＯＳ）、アプリケーションプログラム、ウェブブラウザ等）やデータ（装置設定情報２５５、基板レシピ情報２５６等）を記憶する。装置設定情報２５５及び基板レシピ情報２５６は、表示画面を介してユーザにより編集可能なデータである。

制御部２５０は、複数の制御機器２１９、２２９、２３９、２４９（以下、「制御機器群」という）を介して複数の入力機器２１８Ａ、２２８Ａ、２３８Ａ、２４８Ａ（以下、
「入力機器群」という）の検出値を取得するとともに、複数の交流機器２１７、２２７、２３７、２４７（以下、「交流機器群」という）、及び、複数の出力機器２１８Ｂ、２２８Ｂ、２３８Ｂ、２４８Ｂ（以下、「出力機器群」という）を連携して動作させることで、ロ―ド、研磨、洗浄、乾燥、アンロード等の一連の基板処理を行う。

図８は、制御盤２６の一例を示す概略図である。制御盤２６は、箱型の筐体２６ａと、その箱型の一部が着脱可能な蓋体２６ｂとで構成される。なお、基板処理装置２は、複数の制御盤２６を備えていてもよく、例えば、各ユニット２１～２４毎に制御盤２６をそれぞれ備えるようにしてもよい。以下では、研磨ユニット２２を制御するための制御盤２６を中心に説明する。

制御盤２６内には、交流電源ＡＣに接続される交流分電盤２６０と、交流分電盤２６０に接続される交流機器制御回路２６１と、交流分電盤２６０に接続されて、交流電源ＡＣから供給される交流電力を直流電力（直流２４Ｖ等）に変換する交流／直流変換器２６２と、交流／直流変換器２６２に接続される直流分電盤２６３と、直流分電盤２６３に接続されるプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）２６４と、交流機器制御回路２６１に接続される交流端子台２６５と、プログラマブルロジックコントローラ２６４に接続される入力端子台２６６及び出力端子台２６７とが配置される。

交流機器制御回路２６１及びプログラマブルロジックコントローラ２６４は、交流機器群（交流機器２１７、２２７、２３７、２４７）を制御するための制御機器群（制御機器２１９、２２９、２３９、２４９）を構成する機器であり、図８では、研磨ユニット２２の交流機器２２７を制御するための研磨ユニット２２の制御機器２２９を示す。

交流機器制御回路２６１は、交流機器２１７、２２７、２３７、２４７として動作するモータに交流電流を供給するモータ駆動回路２６１Ａと、交流機器２１７、２２７、２３７、２４７として動作するヒータに交流電流を供給するヒータ駆動回路２６１Ｂとを備える。モータは、例えば、サーボモータ、インバータモータ、直巻モータ等の任意の形式のモータで構成される。モータ駆動回路２６１Ａは、例えば、サーボドライバ、インバータ、リレー等で構成され、複数のモータを駆動するものでもよい。ヒータ駆動回路２６１Ｂは、例えば、アンプ、リレー等で構成され、複数のヒータを駆動するものでもよい。

また、制御盤２６内には、各機器を接続する配線２７の一部として、交流電源ＡＣと交流機器群との間を交流機器制御回路２６１等を介して接続する交流電力線２７０と、交流／直流変換器２６２と制御機器群との間を接続する直流電力線２７１と、制御機器群と入力機器群（図８では、研磨ユニット２２の入力機器２２８Ａを示す）との間を入力端子台２６６を介して接続する入力信号線２７２と、プログラマブルロジックコントローラ２６４と出力機器群（図８では、研磨ユニット２２の出力機器２２８Ｂを示す）との間を出力端子台２６７を介して接続する出力信号線２７３と、プログラマブルロジックコントローラ２６４と交流機器制御回路２６１との間を接続する通信信号線２７４とが配置される。

制御盤２６内の交流電力線２７０は、モータ駆動回路２６１Ａに対して交流電源ＡＣ側に接続された一次側モータ電力線２７０Ａと、モータ駆動回路２６１Ａに対してモータ側に接続された二次側モータ電力線２７０Ｂと、ヒータ駆動回路２６１Ｂに対して交流電源ＡＣ側に接続された一次側ヒータ電力線２７０Ｃと、ヒータ駆動回路２６１Ｂに対してヒータ側に接続された二次側ヒータ電力線２７０Ｄとを備える。制御盤２６の筐体２６ａには、複数のコネクタ（不図示）が取り付けられ、配線２７は、コネクタを介して接続される。なお、制御盤２６内における各機器の配置や数は適宜変更してもよいし、配線２７の接続関係や数についても適宜変更してもよい。

（各装置のハードウエア構成）
図９は、コンピュータ９００の一例を示すハードウエア構成図である。基板処理装置２の制御ユニット２５、データベース装置３、機械学習装置４、情報処理装置５、及び、ユーザ端末装置６の各々は、汎用又は専用のコンピュータ９００により構成される。

コンピュータ９００は、図９に示すように、その主要な構成要素として、バス９１０、プロセッサ９１２、メモリ９１４、入力デバイス９１６、出力デバイス９１７、表示デバイス９１８、ストレージ装置９２０、通信Ｉ／Ｆ（インターフェース）部９２２、外部機器Ｉ／Ｆ部９２４、Ｉ／Ｏ（入出力）デバイスＩ／Ｆ部９２６、及び、メディア入出力部９２８を備える。なお、上記の構成要素は、コンピュータ９００が使用される用途に応じて適宜省略されてもよい。

プロセッサ９１２は、１つ又は複数の演算処理装置（ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、ＤＳＰ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等）で構成され、コンピュータ９００全体を統括する制御部として動作する。メモリ９１４は、各種のデータ及びプログラム９３０を記憶し、例えば、メインメモリとして機能する揮発性メモリ（ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等）と、不揮発性メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ等とで構成される。

入力デバイス９１６は、例えば、キーボード、マウス、テンキー、電子ペン等で構成され、入力部として機能する。出力デバイス９１７は、例えば、音（音声）出力装置、バイブレーション装置等で構成され、出力部として機能する。表示デバイス９１８は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー、プロジェクタ等で構成され、出力部として機能する。入力デバイス９１６及び表示デバイス９１８は、タッチパネルディスプレイのように、一体的に構成されていてもよい。ストレージ装置９２０は、例えば、ＨＤＤ、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）等で構成され、記憶部として機能する。ストレージ装置９２０は、オペレーティングシステムやプログラム９３０の実行に必要な各種のデータを記憶する。

通信Ｉ／Ｆ部９２２は、インターネットやイントラネット等のネットワーク９４０（図１のネットワーク７と同じであってもよい）に有線又は無線により接続され、所定の通信規格に従って他のコンピュータとの間でデータの送受信を行う通信部として機能する。外部機器Ｉ／Ｆ部９２４は、カメラ、プリンタ、スキャナ、リーダライタ等の外部機器９５０に有線又は無線により接続され、所定の通信規格に従って外部機器９５０との間でデータの送受信を行う通信部として機能する。Ｉ／ＯデバイスＩ／Ｆ部９２６は、各種のセンサ、アクチュエータ等のＩ／Ｏデバイス９６０に接続され、Ｉ／Ｏデバイス９６０との間で、例えば、センサによる検出信号やアクチュエータへの制御信号等の各種の信号やデータの送受信を行う通信部として機能する。メディア入出力部９２８は、例えば、ＤＶＤドライブ、ＣＤドライブ等のドライブ装置で構成され、ＤＶＤ、ＣＤ等のメディア（非一時的な記憶媒体）９７０に対してデータの読み書きを行う。

上記構成を有するコンピュータ９００において、プロセッサ９１２は、ストレージ装置９２０に記憶されたプログラム９３０をメモリ９１４に呼び出して実行し、バス９１０を介してコンピュータ９００の各部を制御する。なお、プログラム９３０は、ストレージ装置９２０に代えて、メモリ９１４に記憶されていてもよい。プログラム９３０は、インストール可能なファイル形式又は実行可能なファイル形式でメディア９７０に記録され、メディア入出力部９２８を介してコンピュータ９００に提供されてもよい。プログラム９３０は、通信Ｉ／Ｆ部９２２を介してネットワーク９４０経由でダウンロードすることによりコンピュータ９００に提供されてもよい。また、コンピュータ９００は、プロセッサ９
１２がプログラム９３０を実行することで実現する各種の機能を、例えば、ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣ等のハードウエアで実現するものでもよい。

コンピュータ９００は、例えば、据置型コンピュータや携帯型コンピュータで構成され、任意の形態の電子機器である。コンピュータ９００は、クライアント型コンピュータでもよいし、サーバ型コンピュータやクラウド型コンピュータでもよい。コンピュータ９００は、各装置２～６以外の装置にも適用されてもよい。

（生産履歴情報３０）
図１０は、データベース装置３により管理される生産履歴情報３０の一例を示すデータ構成図である。生産履歴情報３０は、本生産用の基板処理が行われたときに取得されたレポートＲが分類されて登録されるテーブルとして、例えば、各ウェハＷに関するウェハ履歴テーブル３００と、研磨処理に関する研磨履歴テーブル３０１と、洗浄処理に関する洗浄履歴テーブル３０２と、乾燥処理に関する乾燥履歴テーブル３０３とを備える。なお、生産履歴情報３０は、上記の他に、イベント情報に関するイベント履歴テーブル及び操作情報に関する操作履歴テーブル等を備えるが、詳細な説明は省略する。

ウェハ履歴テーブル３００の各レコードには、例えば、ウェハＩＤ、カセット番号、スロット番号、基板レシピ情報２５６、各工程の開始時刻、終了時刻、使用ユニットＩＤ等が登録される。なお、図１０では、研磨工程、洗浄工程、乾燥工程が例示されているが、他の工程についても同様に登録される。基板レシピ情報２５６としては、その基板レシピ情報２５６がそのまま登録されてもよいし、基板レシピ情報２５６の参照先の情報が登録されてもよい。使用ユニットＩＤは、各工程で使用されたユニットを示す固有のユニットＩＤを特定するとともに、ユニットＩＤには、そのユニットの種別を示すユニット種別（例えば、基板搬送、研磨、ロールスポンジ洗浄、ペンスポンジ洗浄、乾燥等）が関連付けられる。

研磨履歴テーブル３０１の各レコードには、ウェハＷの状態を示す基板状態情報と、処理部材（研磨パッド２２００）の状態を示す処理部材状態情報と、処理流体（研磨流体）の供給状態を示す処理流体状態情報とがそれぞれ登録される。洗浄履歴テーブル３０２の各レコードには、ウェハＷの状態を示す基板状態情報と、処理部材（ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１）の状態を示す処理部材状態情報と、処理流体（洗浄流体）の供給状態を示す処理流体状態情報とがそれぞれ登録される。乾燥履歴テーブル３０３の各レコードには、ウェハＷの状態を示す基板状態情報と、処理流体（乾燥流体）の供給状態を示す処理流体状態情報とがそれぞれ登録される。

基板状態情報は、基板保持部により保持されたウェハＷの状態を示す情報である。基板状態情報は、例えば、基板保持部が有する入力機器群（又は交流機器群や出力機器群）により所定の時間間隔でサンプリングされた各入力機器の検出値（又は各交流機器群や各出力機器への指令値）でもよいし、装置設定情報２５５又は基板レシピ情報２５６における設定値でもよい。

処理部材状態情報は、例えば、処理部材支持部が有する入力機器群（又は交流機器群や出力機器群）により所定の時間間隔でサンプリングされた各入力機器の検出値（又は各交流機器群や各出力機器への指令値）でもよいし、装置設定情報２５５又は基板レシピ情報２５６における設定値でもよい。

処理流体状態情報は、例えば、処理流体供給部が有する入力機器群（又は交流機器群や出力機器群）により所定の時間間隔でサンプリングされた各入力機器の検出値（又は各交流機器群や各出力機器への指令値）でもよいし、装置設定情報２５５又は基板レシピ情報
２５６における設定値でもよい。

研磨履歴テーブル３０１、洗浄履歴テーブル３０２及び乾燥履歴テーブル３０３を参照することで、ウェハＩＤで特定されるウェハＷに対して基板処理が行われたときの処理内容、ウェハＷ、処理部材及び処理流体の状態が抽出可能である。なお、各情報の具体的な内容は後述する。

（試験情報３１）
図１１は、データベース装置３により管理される試験情報３１の一例を示すデータ構成図である。試験情報３１は、研磨処理のシミュレーションが行われたときに取得された実行条件及び実行結果が分類されて登録される研磨試験テーブル３１０と、洗浄処理のシミュレーションが行われたときに取得された実行条件及び実行結果が分類されて登録される洗浄試験テーブル３１１と、乾燥処理のシミュレーションが行われたときに取得された実行条件及び実行結果が分類されて登録される乾燥試験テーブル３１２とを備える。

研磨試験テーブル３１０、洗浄試験テーブル３１１及び乾燥試験テーブル３１２の各レコードには、例えば、試験ＩＤ、基板レシピ情報２５６、基板状態情報、処理部材状態情報、処理流体状態情報、及び、試験結果情報等が登録される。基板レシピ情報２５６、基板状態情報、処理部材状態情報及び処理流体状態情報は、シミュレーションの実行条件を示す情報であり、そのデータ構成は、研磨履歴テーブル３０１、洗浄履歴テーブル３０２及び乾燥履歴テーブル３０３と同様であるため、詳細な説明を省略する。

試験結果情報は、シミュレーションの実行結果を示す情報であり、基板処理が行われたときに交流電力線２７０を介して交流機器に供給される交流電流の電流値情報と、基板処理が行われたときに交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報とを含む。電流値情報は、複数の交流電力線２７０毎に、電流値をそれぞれ記録したのであり、電磁波影響情報は、複数の交流電力線２７０毎に、電磁波の影響をそれぞれ記録したものである。試験結果情報に含まれる電流値情報及び電磁波影響情報は、例えば、特定の対象期間の時系列データとして取得されてもよいし、特定の対象時点における時点データとして取得されてもよい。

（機械学習装置４）
図１２は、機械学習装置４の一例を示すブロック図である。機械学習装置４は、制御部４０、通信部４１、学習用データ記憶部４２、及び、学習済みモデル記憶部４３を備える。

制御部４０は、学習用データ取得部４００及び機械学習部４０１として機能する。通信部４１は、ネットワーク７を介して外部装置（例えば、基板処理装置２、データベース装置３、情報処理装置５、及び、ユーザ端末装置６、試験装置（不図示）等）と接続され、各種のデータを送受信する通信インターフェースとして機能する。

学習用データ取得部４００は、通信部４１及びネットワーク７を介して外部装置と接続され、第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂを取得する。学習用データ取得部４００は、入力データしての基板処理情報と、出力データとしての電流値情報で構成される第１の学習用データ１１Ａを取得するとともに、入力データしての電流値情報と、出力データとしての電磁波影響情報で構成される第２の学習用データ１１Ｂを取得する。第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂは、教師あり学習における教師データ（トレーニングデータ）、検証データ及びテストデータとして用いられるデータである。また、電磁波影響情報は、教師あり学習における正解ラベルとして用いられるデータである。

学習用データ記憶部４２は、学習用データ取得部４００で取得した第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂを複数組記憶するデータベースである。なお、学習用データ記憶部４２を構成するデータベースの具体的な構成は適宜設計すればよい。

機械学習部４０１は、学習用データ記憶部４２に記憶された複数組の第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂを用いて機械学習を実施する。すなわち、機械学習部４０１は、第１の学習モデル１０Ａに第１の学習用データ１１Ａを複数組入力し、第１の学習用データ１１Ａに含まれる基板処理情報と電流値情報との相関関係を第１の学習モデル１０Ａに学習させることで、学習済みの第１の学習モデル１０Ａを生成する。また、機械学習部４０１は、第２の学習モデル１０Ｂに第２の学習用データ１１Ｂを複数組入力し、第２の学習用データ１１Ｂに含まれる電流値情報と電磁波影響情報との相関関係を第２の学習モデル１０Ｂに学習させることで、学習済みの第２の学習モデル１０Ｂを生成する。

学習済みモデル記憶部４３は、機械学習部４０１により生成された学習済みの第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂ（具体的には、調整済みの重みパラメータ群）を記憶するデータベースである。学習済みモデル記憶部４３に記憶された学習済みの第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂは、ネットワーク７や記録媒体等を介して実システム（例えば、情報処理装置５）に提供される。なお、図１２では、学習用データ記憶部４２と、学習済みモデル記憶部４３とが別々の記憶部として示されているが、これらは単一の記憶部で構成されてもよい。

なお、学習済みモデル記憶部４３に記憶される第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂの数は１つに限定されず、例えば、機械学習の手法、基板保持部の機構の違い、処理部材保持部の機構の違い、基板処理情報に含まれるデータの種類、電流値情報に含まれるデータの種類、電磁波影響情報に含まれるデータの種類等のように、条件が異なる複数の学習モデルが記憶されてもよい。その場合には、学習用データ記憶部４２には、条件が異なる複数の学習モデルにそれぞれ対応するデータ構成を有する複数種類の学習用データが記憶されればよい。

図１３は、第１の学習モデル１０Ａ及び第１の学習用データ１１Ａの一例を示す図である。第１の学習モデル１０Ａの機械学習に用いられる第１の学習用データ１１Ａは、基板処理情報と電流値情報とで構成される。

第１の学習用データ１１Ａを構成する基板処理情報は、基板処理（研磨処理、洗浄処理、乾燥処理等）の処理内容を示す基板レシピ情報２５６と、ウェハＷの状態を示す基板状態情報と、処理部材（研磨パッド２２００、ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１）の状態を示す処理部材状態情報と、処理流体（研磨流体、洗浄流体及び乾燥流体）の供給状態を示す処理流体状態情報との少なくとも１つを含む。

基板レシピ情報２５６は、研磨処理、洗浄処理、乾燥処理等の処理内容を示す情報である。研磨処理の処理内容としては、例えば、研磨テーブル２２０によるテーブル回転速度、トップリング２２１によるトップリング押付時間、ウェハ押付荷重、ウェハ回転速度、研磨流体供給部２２２による研磨流体の供給量、供給タイミング、ドレッサ２２３によるドレッサ動作時間、アトマイザ２２４によるアトマイザ動作時間等が含まれる。洗浄処理の処理内容としては、例えば、ロールスポンジ洗浄処理でのロールスポンジ動作時間、ロールスポンジ回転速度、ウェハ回転速度、洗浄流体の供給量、供給タイミング、ペンスポンジ洗浄処理でのペンスポンジ動作時間、ペンスポンジ回転速度、ウェハ回転速度、洗浄流体の供給量、供給タイミング、ウェハ回転速度等が含まれる。乾燥処理の処理内容としては、例えば、乾燥処理での乾燥動作時間、ウェハ回転速度、乾燥流体の供給量、供給タイミング等が含まれる。なお、基板レシピ情報２５６は、ウェハＷの１枚毎に設定されて
いてもよいし、ロットを構成する複数枚毎に設定されていてもよい。

基板状態情報は、ウェハＷのサイズ、厚み、及び、膜種の少なくとも１つを含む。

処理部材状態情報は、研磨パッド２２００のコンディション、ロールスポンジ２４００のコンディション、及び、ペンスポンジ２４０１のコンディションの少なくとも１つを含む。研磨パッド２２００のコンディションは、例えば、表面性状、平面度、清浄度、湿潤度等で表され、研磨パッド２２００の使用状況（使用時間、使用時の押付荷重、ドレッシングの有無、交換の有無、研磨パッド２２００の表面を撮影した画像、研磨パッド２２００の回転数、ウェハＷの回転数、処理枚数）に基づいて設定される。研磨パッド２２００のコンディションは、例えば、研磨処理中に経時変化するものでもよい。ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１のコンディションは、例えば、消耗度や汚染度等で表され、ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１の使用状況（使用時間、使用時の押付荷重、交換の有無、ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１の表面を撮影した画像、ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１の回転数、ウェハＷの回転数、処理枚数）に基づいて設定される。ロールスポンジ２４００及びペンスポンジ２４０１のコンディションは、例えば、洗浄処理中に経時変化するものでもよい。

処理流体状態情報は、研磨流体の状態、洗浄流体の状態、及び、乾燥流体の状態の少なくとも１つを含む。研磨流体、洗浄流体、及び、乾燥流体の状態は、例えば、流量、滴下位置、圧力、流体物性（密度、粘度）等が含まれる。

第１の学習用データ１１Ａを構成する電流値情報は、制御盤２６内の交流電力線２７０を流れる交流電流の電流値を示す情報である。制御盤２６内に配置された交流電力線２７０として、一次側モータ電力線２７０Ａ、二次側モータ電力線２７０Ｂ、一次側ヒータ電力線２７０Ｃ、及び、二次側ヒータ電力線２７０Ｄの少なくとも１つが含まれる場合には、電流値情報は、これらの少なくとも１つの交流電力線２７０を流れる交流電流の電流値を示す情報である。その際、電流値情報は、図１３に示すように、複数の交流電力線２７０のそれぞれに対する電流値を示すものでもよい。なお、電流値情報は、制御盤２６の外側に配置された交流電力線２７０を流れる交流電流の電流値を示す情報でもよい。

学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照するとともに、必要に応じてユーザ端末装置６によるユーザの入力操作を受け付けることで、第１の学習用データ１１Ａを取得する。

例えば、学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照することで、試験ＩＤで特定されるシミュレーションが行われたときの基板レシピ情報２５６、基板状態情報、処理部材状態情報及び処理流体状態情報を、第１の学習用データ１１Ａの基板処理情報として取得する。なお、基板処理情報は、基板処理期間全体の時系列データとして取得されてもよいし、基板処理期間の一部である対象期間の時系列データとして取得されてもよいし、特定の対象時点における時点データとして取得されてもよい。基板処理情報の定義を変更する場合には、第１の学習モデル１０Ａ及び第１の学習用データ１１Ａにおける入力データのデータ構成を適宜変更すればよい。

さらに、学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照することで、同一の試験ＩＤで特定されるシミュレーションが行われたときの試験結果情報における電流値情報を、上記の基板処理情報に対する電流値情報として取得する。なお、電流値情報は、基板処理期間全体の時系列データ又は基板処理期間の一部である対象期間の時系列データとして取得されてもよいし、特定の対象時点の時点データとして取得されてもよい。電流値情報の定義を変更する場合には、第１の学習モデル１０Ａ及び第１の学習用データ１１Ａにおけ
る出力データのデータ構成を適宜変更すればよい。

第１の学習モデル１０Ａは、例えば、ニューラルネットワークの構造を採用したものであり、入力層１００、中間層１０１、及び、出力層１０２を備える。各層の間には、各ニューロンをそれぞれ接続するシナプス（不図示）が張られており、各シナプスには、重みがそれぞれ対応付けられている。各シナプスの重みからなる重みパラメータ群が、機械学習により調整される。

入力層１００は、入力データとしての基板処理情報に対応する数のニューロンを有し、基板処理情報の各値が各ニューロンにそれぞれ入力される。出力層１０２は、出力データとしての電流値情報に対応する数のニューロンを有し、基板処理情報に対する電流値情報の予測結果（推論結果）が、出力データとして出力される。

図１４は、第２の学習モデル１０Ｂ及び第２の学習用データ１１Ｂの一例を示す図である。第２の学習モデル１０Ｂの機械学習に用いられる第２の学習用データ１１Ｂは、電流値情報と電磁波影響情報とで構成される。

第２の学習用データ１１Ｂを構成する電流値情報は、制御盤２６内の交流電力線２７０を流れる交流電流の電流値を示す情報であり、第１の学習用データ１１Ａを構成する電流値情報と同様であるため、詳細な説明を省略する。

第２の学習用データ１１Ｂを構成する電磁波影響情報は、基板処理が行われたときに交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を示す情報である。電磁波影響情報は、例えば、交流電力線２７０からの距離をノイズ距離（ＬＧ１、ＬＧ２、…、ＬＧｎ）と定義したときに、各ノイズ距離（ＬＧ１、ＬＧ２、…、ＬＧｎ）に対して電磁波の影響の強さをそれぞれ表すノイズレベル（ＮＬ１、ＮＬ２、…、ＮＬｎ）として定義される。その際、電磁波影響情報は、図１４に示すように、複数の交流電力線２７０のそれぞれに対する電磁波の影響を示すものでもよい。

学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照するとともに、必要に応じてユーザ端末装置６によるユーザの入力操作を受け付けることで、第２の学習用データ１１Ｂを取得する。

例えば、学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照することで、試験ＩＤで特定されるシミュレーションが行われたときの試験結果情報における電流値情報を、第２の学習用データ１１Ｂの電流値情報として取得する。なお、電流値情報は、基板処理期間全体の時系列データとして取得されてもよいし、基板処理期間の一部である対象期間の時系列データとして取得されてもよいし、特定の対象時点における時点データとして取得されてもよい。電流値情報の定義を変更する場合には、第２の学習モデル１０Ｂ及び第２の学習用データ１１Ｂにおける入力データのデータ構成を適宜変更すればよい。

さらに、学習用データ取得部４００は、試験情報３１を参照することで、同一の試験ＩＤで特定されるシミュレーションが行われたときの試験結果情報における電磁波影響情報を、上記の電流値情報に対する電磁波影響情報として取得する。なお、電磁波影響情報は、基板処理期間全体の時系列データ又は基板処理期間の一部である対象期間の時系列データとして取得されてもよいし、特定の対象時点の時点データとして取得されてもよい。電磁波影響情報の定義を変更する場合には、第２の学習モデル１０Ｂ及び第２の学習用データ１１Ｂにおける出力データのデータ構成を適宜変更すればよい。

第２の学習モデル１０Ｂは、例えば、ニューラルネットワークの構造を採用したもので
あり、第１の学習モデル１０Ａと同様に構成されるため、詳細な説明を省略する。

（機械学習方法）
図１５は、機械学習装置４による機械学習方法の一例を示すフローチャートである。以下では、複数組の学習用データ１１を用いて学習モデル１０を生成するものとして説明するが、第１及び第２の学習用データ１１Ａ、１１Ｂの各々を用いて第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂをそれぞれ作成する場合に適用される。

まず、ステップＳ１００において、学習用データ取得部４００は、機械学習を開始するための事前準備として、試験情報３１等から所望の数の学習用データ１１を取得し、その取得した学習用データ１１を学習用データ記憶部４２に記憶する。ここで準備する学習用データ１１の数については、最終的に得られる学習モデル１０に求められる推論精度を考慮して設定すればよい。

次に、ステップＳ１１０において、機械学習部４０１は、機械学習を開始すべく、学習前の学習モデル１０を準備する。ここで準備する学習前の学習モデル１０は、ニューラルネットワークモデルで構成されており、各シナプスの重みが初期値に設定されている。

次に、ステップＳ１２０において、機械学習部４０１は、学習用データ記憶部４２に記憶された複数組の学習用データ１１から、例えば、ランダムに１組の学習用データ１１を取得する。

次に、ステップＳ１３０において、機械学習部４０１は、１組の学習用データ１１に含まれる入力データ（基板処理情報又は電流値情報）を、準備された学習前（又は学習中）の学習モデル１０の入力層１００に入力する。その結果、学習モデル１０の出力層１０２から推論結果として出力データ（電流値情報又は電磁波影響情報）が出力されるが、当該出力データは、学習前（又は学習中）の学習モデル１０によって生成されたものである。そのため、学習前（又は学習中）の状態では、推論結果として出力された出力データは、学習用データ１１に含まれる正解ラベル（電流値情報又は電磁波影響情報）とは異なる情報を示す。

次に、ステップＳ１４０において、機械学習部４０１は、ステップＳ１２０において取得された１組の学習用データ１１に含まれる正解ラベルと、ステップＳ１３０において出力層から推論結果として出力された出力データとを比較し、各シナプスの重みを調整する処理（バックプロバケーション）を実施することで、機械学習を実施する。これにより、機械学習部４０１は、入力データと出力データとの相関関係を学習モデル１０に学習させる。

次に、ステップＳ１５０において、機械学習部４０１は、所定の学習終了条件が満たされたか否かを、例えば、学習用データ１１に含まれる正解ラベルと、推論結果として出力された出力データとに基づく誤差関数の評価値や、学習用データ記憶部４２内に記憶された未学習の学習用データ１１の残数に基づいて判定する。

ステップＳ１５０において、機械学習部４０１が、学習終了条件が満たされておらず、機械学習を継続すると判定した場合（ステップＳ１５０でＮｏ）、ステップＳ１２０に戻り、学習中の学習モデル１０に対してステップＳ１２０～Ｓ１４０の工程を未学習の学習用データ１１を用いて複数回実施する。一方、ステップＳ１５０において、機械学習部４０１が、学習終了条件が満たされて、機械学習を終了すると判定した場合（ステップＳ１５０でＹｅｓ）、ステップＳ１６０に進む。

そして、ステップＳ１６０において、機械学習部４０１は、各シナプスに対応付けられた重みを調整することで生成された学習済みの学習モデル１０（調整済みの重みパラメータ群）を学習済みモデル記憶部４３に記憶し、図１５に示す一連の機械学習方法を終了する。機械学習方法において、ステップＳ１００が学習用データ記憶工程、ステップＳ１１０～Ｓ１５０が機械学習工程、ステップＳ１６０が学習済みモデル記憶工程に相当する。

以上のように、本実施形態に係る機械学習装置４及び機械学習方法によれば、基板処理情報から、基板処理が行われたときに交流機器に供給される交流電流の電流値情報を予測（推論）することが可能な第１の学習モデル１０Ａと、基板処理が行われたときに交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報を予測（推論）することが可能な第２の学習モデル１０Ｂとを提供することができる。

（情報処理装置５）
図１６は、情報処理装置５の一例を示すブロック図である。図１７は、情報処理装置５の一例を示す機能説明図である。情報処理装置５は、制御部５０、通信部５１、及び、記憶部５２を備える。

制御部５０は、基板処理情報取得部５００、電流値情報生成部５０１、電磁波影響情報生成部５０２及び出力処理部５０３として機能する。通信部５１は、ネットワーク７を介して外部装置（例えば、基板処理装置２、データベース装置３、機械学習装置４、及び、ユーザ端末装置６等）と接続され、各種のデータを送受信する通信インターフェースとして機能する。記憶部５２は、情報処理装置５の動作で使用される各種のプログラム（オペレーティングシステムやユーザ端末プログラム等）やデータ（第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂ）等を記憶する。

基板処理情報取得部５００は、通信部５１及びネットワーク７を介して外部装置と接続され、例えば、基板処理装置２の基板レシピ情報２５６やデータベース装置３の生産履歴情報３０を参照することで、基板レシピ情報２５６、基板状態情報、処理部材状態情報及び処理流体状態情報を含む基板処理情報を取得する。

電流値情報生成部５０１は、基板処理情報取得部５００により取得された基板処理情報に基づいて、電流値情報を生成する。本実施形態では、電流値情報生成部５０１は、基板処理情報と電流値情報との相関関係を機械学習させた第１の学習モデル１０Ａに、基板処理情報取得部５００により取得された基板処理情報を入力することにより、当該基板処理情報に対する電流値情報を生成する。

電磁波影響情報生成部５０２は、電流値情報生成部５０１により生成された電流値情報に基づいて、電磁波影響情報を生成する。本実施形態では、電磁波影響情報生成部５０２は、電流値情報と電磁波影響情報との相関関係を機械学習させた第２の学習モデル１０Ｂに、電流値情報生成部５０１により生成された電流値情報を入力することにより、当該電流値情報に対する電磁波影響情報を生成する。

記憶部５２には、電磁波影響情報生成部５０２にて用いられる学習済みの第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂが記憶されている。なお、記憶部５２に記憶される第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂの数は１つに限定されず、例えば、機械学習の手法、基板保持部の機構の違い、処理部材保持部の機構の違い、基板処理情報に含まれるデータの種類、電流値情報に含まれるデータの種類、電磁波影響情報に含まれるデータの種類等のように、条件が異なる複数の学習済みモデルが記憶され、選択的に利用可能としてもよい。記憶部５２は、外部コンピュータ（例えば、サーバ型コンピュータやクラウド型コンピュータ）の記憶部で代用されてもよく、その場合には、電流値情報生成部５０１及び電磁
波影響情報生成部５０２は、当該外部コンピュータにアクセスすればよい。

出力処理部５０３は、電磁波影響情報生成部５０２により生成された電磁波影響情報を出力するための出力処理を行う。例えば、出力処理部５０３は、その電磁波影響情報をユーザ端末装置６に送信することで、その電磁波影響情報に基づく表示画面がユーザ端末装置６に表示されてもよいし、その電磁波影響情報をデータベース装置３に送信することで、その電磁波影響情報が生産履歴情報３０に登録されてもよい。

（ユーザ端末装置６）
図１８は、ユーザ端末装置６の一例を示すブロック図である。ユーザ端末装置６は、制御部６０、通信部６１、記憶部６２、入力部６３、出力部６４、センサ群６５、及び、カメラ６６を備える。

制御部６０は、電磁波影響情報取得部６００、空間位置情報取得部６０１及びオブジェクト情報生成部６０２として機能する。通信部６１は、ネットワーク７を介して外部装置（例えば、基板処理装置２、データベース装置３、機械学習装置４、及び、情報処理装置５等）と接続され、各種のデータを送受信する通信インターフェースとして機能する。記憶部６２は、ユーザ端末装置６の動作で使用される各種のプログラム（オペレーティングシステムやユーザ端末プログラム等）やデータ等を記憶する。入力部６３は、各種の入力操作を受け付けるとともに、出力部６４は、表示画面や音声を介して各種の情報を出力することで、ユーザインターフェースとして機能する。センサ群６５は、自装置の位置、加速度、角速度、姿勢等を検出する。カメラ６６は、静止画及び動画を撮影する。

電磁波影響情報取得部６００は、通信部６１及びネットワーク７を介して外部装置と接続され、例えば、情報処理装置５に電磁波影響情報生成要求を送信し、その応答として情報処理装置５から電磁波影響情報を取得する。

空間位置情報取得部６０１は、制御盤２６内の交流電力線２７０が現実空間に存在する位置を示す空間位置情報を取得する。例えば、空間位置情報取得部６０１は、カメラ６６で現実空間を撮影したときの撮影範囲に、交流電力線２７０の特徴点が含まれるか否かを監視し、交流電力線２７０の特徴点が含まれていることを検知したとき、当該特徴点に基づいて交流電力線２７０の空間位置情報を取得する。特徴点は、例えば、交流電力線２７０の外形形状や外形色に基づくものでもよいし、交流電力線２７０に印字された文字に基づくものでもよい。なお、制御盤２６の設計図データが記憶部６２に記憶されている場合には、空間位置情報取得部６０１は、設計図データを参照し、カメラ６６で現実空間を撮影したときの撮影範囲に、設計図データにおける制御盤２６の特徴点が含まれていることを検知したとき、当該特徴点に基づいて交流電力線２７０の空間位置情報を取得するようにしてもよい。

オブジェクト情報生成部６０２は、空間位置情報取得部６０１により取得された空間位置情報と、電磁波影響情報取得部６００により取得された電磁波影響情報とに基づいて、現実空間の交流電力線２７０に対して電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示させるためのオブジェクト情報を生成する。なお、オブジェクト情報生成部６０２は、現実電磁波の影響を通常の表示画面に表示させるためのオブジェクト情報を生成するようにしてもよい。

（情報処理方法）
図１９は、情報処理装置５及びユーザ端末装置６による情報処理方法の一例を示すフローチャートである。以下では、ユーザが、制御盤２６の筐体２６ａから蓋体２６ｂを取り外して、制御盤２６内の状態を確認する際に、ユーザ端末装置６を操作して、電磁波の影
響を示す仮想オブジェクトを交流電力線２７０に重畳表示する場合の動作例について説明する。

まず、ステップＳ２００において、ユーザが、例えば、ユーザ端末装置６に表示された確認作業用の表示画面に対して、基板処理装置２を特定する装置ＩＤと、ウェハＷを特定するウェハＩＤとを入力するとともに、確認作業の開始を指示する入力操作を行うと、ユーザ端末装置６の電磁波影響情報取得部６００は、装置ＩＤ及びウェハＩＤを含む電磁波影響情報生成要求を情報処理装置５に送信する。

次に、ステップＳ２１０において、情報処理装置５の基板処理情報取得部５００は、ステップＳ２００で送信された電磁波影響情報生成要求を受信すると、電磁波影響情報生成要求に含まれる装置ＩＤ及びウェハＩＤに基づいて、装置ＩＤにより特定される基板処理装置２の装置設定情報２５５と、ウェハＩＤにより特定される生産履歴情報３０とを参照することで、基板レシピ情報２５６、基板状態情報、処理部材状態情報及び処理流体状態情報を、基板処理情報として取得する。

次に、ステップＳ２１１において、電流値情報生成部５０１は、ステップＳ２１０で取得された基板処理情報を入力データとして、第１の学習モデル１０Ａに入力することで出力された出力データに基づいて、当該基板処理情報に対する電流値情報を生成する。

次に、ステップＳ２１２において、電磁波影響情報生成部５０２は、ステップＳ２１１で生成された電流値情報を入力データとして、第２の学習モデル１０Ｂに入力することで出力された出力データに基づいて、当該電流値情報に対する電磁波影響情報を生成する。

次に、ステップＳ２１３において、出力処理部５０３は、ステップＳ２１２で生成された電磁波影響情報を出力するための出力処理として、その電磁波影響情報をユーザ端末装置６に送信する。

そして、ステップＳ２２０において、ユーザ端末装置６の電磁波影響情報取得部６００は、ステップＳ２００における電磁波影響情報生成要求に対する応答として、ステップＳ２１３で送信された電磁波影響情報を取得（受信）する。

一方、ステップＳ２３０において、空間位置情報取得部６０１は、確認作業の開始を指示する入力操作に基づいて、カメラ６６により現実空間を撮影し、その撮影した撮影範囲に、制御盤２６内の交流電力線２７０の特徴点が含まれているか否かを監視する。このとき、確認作業を行うユーザは、自身の位置やカメラ６６の向きを変更することにより、カメラ６６により撮影される現実空間の撮影範囲が更新される。このとき、空間位置情報取得部６０１は、交流電力線２７０だけでなく、制御盤２６内の各部の特徴点も監視するようにしてもよいし、制御盤２６の設計図データを参照するようにしてもよい。

そして、ステップＳ２３１において、空間位置情報取得部６０１が、カメラ６６による現実空間の撮影範囲に交流電力線２７０の特徴点が含まれていることを検知することにより、当該特徴点に基づいて、交流電力線２７０が現実空間に存在する位置を示す空間位置情報を取得する。

次に、ステップＳ２４０において、オブジェクト情報生成部６０２は、ステップＳ２３１で取得された空間位置情報と、ステップＳ２２０で取得された電磁波影響情報とに基づいて、現実空間の交流電力線２７０に対して電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示させるためのオブジェクト情報を生成する。そして、ステップＳ２４１において、オブジェクト情報生成部６０２は、その生成したオブジェクト情報に基づいて、オブジェク
ト表示画面をユーザ端末装置６の出力部６４に表示する。

図２０は、現実空間の交流電力線２７０に仮想オブジェクトを重畳表示したオブジェクト表示画面１２の一例を示す図である。オブジェクト表示画面１２は、カメラ６６で撮影した現実空間の交流電力線２７０に対して、電磁波の影響を示す仮想オブジェクト１２０を重畳表示するものである。

図２０に示す仮想オブジェクト１２０は、モータ駆動回路２６１Ａに接続された複数の二次側モータ電力線２７０Ｂのうち、最も上側に配置された二次側モータ電力線２７０Ｂに対して電磁波の影響を示すものである。また、図２０に示す仮想オブジェクト１２０は、３段階のノイズ距離（ＬＧ１、ＬＧ２、ＬＧ３）に対する各ノイズレベル（ＮＬ１、ＮＬ２、ＮＬ３）を３つのサブオブジェクト１２１～１２３により示すものである。３つのサブオブジェクト１２１～１２３は、対象の交流電力線２７０を中心とする円筒形状で表示され、その円筒の半径をノイズ距離（ＬＧ１、ＬＧ２、ＬＧ３）に対応させるとともに、その円筒の濃淡色（図２０では、色が濃いほどノイズレベルが強い）をノイズレベル（ＮＬ１、ＮＬ２、ＮＬ３）に対応させることで、電磁波の影響（距離と強さ）を示している。

なお、オブジェクト表示画面１２は、仮想オブジェクト１２０を重畳表示した交流電力線２７０に関する各種の情報を表示するようにしてもよい。例えば、図２０に示すように、仮想オブジェクト１２０を重畳表示した二次側モータ電力線２７０Ｂが、第１の研磨部２２Ａの研磨テーブル２２０を回転駆動させる回転移動機構部２２０ｂのモータに接続されている場合、オブジェクト表示画面１２には、基板処理情報に含まれる基板レシピ情報２５６のうち、研磨処理に関する情報が表示されてもよいし、二次側モータ電力線２７０Ｂが接続された交流機器２１７、２２７、２３７、２４７（ここでは、回転移動機構部２２０ｂのモータ）の情報や制御機器２１９、２２９、２３９、２４９（ここでは、回転移動機構部２２０ｂのモータを制御する制御機器２２９）の情報が表示されてもよい。

また、例えば、電磁波影響情報が、時系列として生成されている場合には、オブジェクト表示画面１２は、その電磁波影響情報に合わせて仮想オブジェクト１２０を時系列で変化させるようにしてもよい。さらに、オブジェクト表示画面１２は、複数の交流電力線２７０に対して仮想オブジェクト１２０をそれぞれ重畳表示するようにしてもよいし、仮想オブジェクト１２０を重畳表示する対象の交流電力線２７０を選択する入力操作を受付可能に構成され、その選択された交流電力線２７０に対して仮想オブジェクト１２０を重畳表示するようにしてもよい。

ユーザは、オブジェクト表示画面１２に表示された仮想オブジェクト１２０を視認することにより、交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を把握することができる。そして、ユーザにより自身の位置やカメラ６６の向きが変更されることに応じて、ユーザ端末装置６は、オブジェクト表示画面１２を更新する処理を繰り返し行う。また、基板処理情報が変更されることに応じて、ユーザ端末装置６は、オブジェクト表示画面１２を更新する処理を繰り返し行う。これにより、ユーザは、例えば、基板処理情報の変更に伴う電磁波の影響の変化を即座に視認することができるので、確認作業を簡便に実施することができる。

上記の情報処理方法において、ステップＳ２１０が基板処理情報取得工程、ステップＳ２１１が電流値情報生成工程、ステップＳ２１２が電磁波影響情報生成工程、ステップＳ２３０、Ｓ２３１が空間位置情報取得工程、ステップＳ２４０がオブジェクト情報生成工程に相当する。

以上のように、本実施形態に係る情報処理装置５及び情報処理方法によれば、基板処理が行われたときに交流機器２１７、２２７、２３７、２４７に供給される交流電流の電流値情報に基づいて、当該交流電流が流れる交流電力線２７０に対する電磁波影響情報が生成されるので、基板処理が行われたときに交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を適切に予測することができる。その際、基板処理が行われたときの基板処理情報に基づいて、当該基板処理情報に対する電流値情報が生成されるので、基板処理の内容を反映させた状態で交流電力線２７０から生じる電磁波の影響を適切に予測することができる。

また、本実施形態に係るユーザ端末装置６及び情報処理方法によれば、現実空間における交流電力線２７０に対して、電磁波の影響を示す仮想オブジェクトが重畳表示（ＡＲ表示又はＭＲ表示）されるので、交流電力線２７０による電磁波の影響が、例えば、直流電力線２７１、入力信号線２７２、出力信号線２７３、通信信号線２７４等の他の配線２７に作用するのか適切に把握することができる。

（他の実施形態）
本発明は上述した実施形態に制約されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。そして、それらはすべて、本発明の技術思想に含まれるものである。

上記実施形態では、データベース装置３、機械学習装置４、情報処理装置５及びユーザ端末装置６は、別々の装置で構成されたものとして説明したが、それら４つの装置が、単一の装置で構成されていてもよいし、それら４つの装置のうち任意の２つ又は３つの装置が、単一の装置で構成されていてもよい。また、機械学習装置４及び情報処理装置５の少なくとも一方は、基板処理装置２の制御ユニット２５又はユーザ端末装置６に組み込まれていてもよい。例えば、ユーザ端末装置６の記憶部６２に第１及び第２の学習モデル１０Ａ、１０Ｂを記憶し、制御部６０が、基板処理情報取得部５００、電流値情報生成部５０１及び電磁波影響情報生成部５０２としてさらに機能するようにしてもよい。

上記実施形態では、基板処理装置２が、各ユニット２１～２４を備えるものとして説明したが、基板処理装置２は、基板処理として、研磨処理及び洗浄処理の少なくとも一方を行う装置であればよく、研磨処理として、化学機械研磨処理に代えて、物理機械研磨処理でもよい。すなわち、基板処理装置２は、処理部材としての研磨パッドと、処理流体としての研磨流体とを用いて、基板処理として化学機械研磨処理又は物理機械研磨処理を行う基板研磨装置でもよいし、処理部材としての洗浄具と、処理流体としての洗浄流体とを用いて、基板処理として洗浄処理を行う基板洗浄装置でもよい。その際、基板処理装置は、各ユニット２１～２４のうち研磨処理及び洗浄処理にて使用されないユニットは適宜省略されていてもよい。

上記実施形態では、機械学習部４０１による機械学習を実現する学習モデルとして、ニューラルネットワークを採用した場合について説明したが、他の機械学習のモデルを採用してもよい。他の機械学習のモデルとしては、例えば、決定木、回帰木等のツリー型、バギング、ブースティング等のアンサンブル学習、再帰型ニューラルネットワーク、畳み込みニューラルネットワーク、ＬＳＴＭ等のニューラルネット型(ディープラーニングを含
む)、階層型クラスタリング、非階層型クラスタリング、ｋ近傍法、ｋ平均法等のクラス
タリング型、主成分分析、因子分析、ロジスティク回帰等の多変量解析、サポートベクターマシン等が挙げられる。

上記実施形態では、情報処理装置５の電流値情報生成部５０１は、基板処理情報取得部５００により取得された基板処理情報に基づいて電流値情報を生成する際、学習済みの第１の学習モデル１０Ａを用いる場合について説明したが、他の手法を採用してもよい。他
の手法としては、例えば、シミュレーションモデルや計算式が挙げられる。すなわち、電流値情報生成部５０１は、基板処理情報取得部５００により取得された基板処理情報を入力データとしてシミュレーションモデルや計算式に入力することで、当該基板処理情報が示す状態にて基板処理が行われたときの電流値情報を生成するようにしてもよい。

上記実施形態では、情報処理装置５の電磁波影響情報生成部５０２は、電流値情報生成部５０１により生成された電流値情報に基づいて電磁波影響情報を生成する際、学習済みの第２の学習モデル１０Ｂを用いる場合について説明したが、他の手法を採用してもよい。他の手法としては、例えば、シミュレーションモデルや計算式が挙げられる。すなわち、電磁波影響情報生成部５０２は、電流値情報生成部５０１により取得された電流値情報を入力データとしてシミュレーションモデルや計算式に入力することで、当該電流値情報が示す交流電流が交流機器に供給されたときの電磁波影響情報を生成するようにしてもよい。

（機械学習プログラム及び情報処理プログラム）
本発明は、機械学習装置４が備える各部としてコンピュータ９００を機能させるプログラム（機械学習プログラム）や、機械学習方法が備える各工程をコンピュータ９００に実行させるためのプログラム（機械学習プログラム）の態様で提供することもできる。また、本発明は、情報処理装置５やユーザ端末装置６が備える各部としてコンピュータ９００を機能させるためのプログラム（情報処理プログラム）や、上記実施形態に係る情報処理方法が備える各工程をコンピュータ９００に実行させるためのプログラム（情報処理プログラム）の態様で提供することもできる。

１…基板処理システム、２…基板処理装置、３…データベース装置、
４…機械学習装置、５…情報処理装置、６…ユーザ端末装置、７…ネットワーク、
１０…学習モデル、１０Ａ…第１の学習モデル、１０Ｂ…第２の学習モデル、
１１…学習用データ、１１Ａ…第１の学習用データ、１１Ｂ…第２の学習用データ、
１２…オブジェクト表示画面、
２１…ロード／アンロードユニット、２２…研磨ユニット、２２Ａ～２２Ｂ…研磨部、
２３…基板搬送ユニット、２４…仕上げユニット、
２４Ａ、２４Ｂ…ロールスポンジ洗浄部、２４Ｃ、２４Ｄ…ペンスポンジ洗浄部、
２４Ｅ、２４Ｆ…乾燥部、２４Ｇ、２４Ｈ…搬送部
２５…制御ユニット、２６…制御盤、２６ａ…筐体、２６ｂ…蓋体、２７…配線、
３０…生産履歴情報、３１…試験情報、
４０…制御部、４１…通信部、４２…学習用データ記憶部、
４３…学習済みモデル記憶部、
５０…制御部、５１…通信部、５２…記憶部（学習済みモデル記憶部）、
６０…制御部、６１…通信部、６２…記憶部、６３…入力部、６４…出力部、
６５…センサ群、６６…カメラ、
２１１…搬送ロボット、２１２…水平移動機構部、
２１７…交流機器、２１８Ａ…入力機器、２１８Ｂ…出力機器、２１９…制御機器、
２２０…研磨テーブル（処理部材支持部）、２２１…トップリング（基板保持部）、
２２２…研磨流体供給部、２２３…ドレッサ、２２４…アトマイザ、
２２７…交流機器、２２８Ａ…入力機器、２２８Ｂ…出力機器、２２９…制御機器、
２３０Ａ、２３０Ｂ…リニアトランスポータ、２３１…スイングトランスポータ、
２３７…交流機器、２３８Ａ…入力機器、２３８Ｂ…出力機器、２３９…制御機器、
２４０…基板洗浄部（処理部材支持部）、２４１…基板保持部、
２４２…洗浄流体供給部、２４３…洗浄具洗浄部、２４５…乾燥流体供給部、
２４６Ａ、２４６Ｂ…第２の搬送ロボット、
２４７…交流機器、２４８Ａ…入力機器、２４８Ｂ…出力機器、２４９…制御機器、
２５０…制御部、２５１…通信部、２５２…入力部、２５３…出力部、２５４…記憶部、２５５…装置設定情報、２５６…基板レシピ情報
２６０…交流分電盤、２６１…交流機器制御回路、２６１Ａ…モータ駆動回路、
２６１Ｂ…ヒータ駆動回路、２６２…直流変換器、２６３…直流分電盤、
２６４…プログラマブルロジックコントローラ、
２６５…交流端子台、２６６…入力端子台、２６７…出力端子台、
２７０…交流電力線、２７０Ａ…一次側電力線、２７０Ｂ…二次側モータ電力線
２７０Ｃ…一次側ヒータ電力線、２７０Ｄ…二次側ヒータ電力線
２７１…直流電力線、２７２…入力信号線、２７３…出力信号線、２７４…通信信号線、４００…学習用データ取得部、４０１…機械学習部
５００…基板処理情報取得部、５０１…電流値情報生成部、
５０２…電磁波影響情報生成部、５０３…出力処理部、
６００…電磁波影響情報取得部、６０１…空間位置情報取得部、
６０２…オブジェクト情報生成部、
２２００…研磨パッド（処理部材）、２４００…ロールスポンジ（処理部材）、
２４０１…ペンスポンジ（処理部材）

Claims (13)

1. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報を生成する電流値情報生成部と、
   前記電流値情報生成部により生成された前記電流値情報に基づいて、前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報を生成する電磁波影響情報生成部と、を備える、
   情報処理装置。
2. 前記電磁波影響情報生成部は、
   前記電流値情報と前記電磁波影響情報との相関関係を機械学習させた学習モデルに、前記電流値情報生成部により生成された前記電流値情報を入力することにより、当該電流値情報に対する前記電磁波影響情報を生成する、
   請求項１に記載の情報処理装置。
3. 前記基板処理の状況を示す基板処理情報を取得する基板処理情報取得部をさらに備え、
   前記電流値情報生成部は、
   前記基板処理情報取得部により取得された前記基板処理情報に基づいて、前記電流値情報を生成し、
   前記基板処理情報は、
   前記基板処理の処理内容を示すレシピ情報と、
   前記基板の状態を示す基板状態情報と、
   前記処理部材の状態を示す処理部材状態情報と、
   前記処理流体の供給状態を示す処理流体状態情報との少なくとも１つを含む、
   請求項１に記載の情報処理装置。
4. 前記電流値情報生成部は、
   前記基板処理情報と前記電流値情報との相関関係を機械学習させた学習モデルに、前記基板処理情報取得部により取得された前記基板処理情報を入力することにより、当該基板処理情報に対する前記電流値情報を生成する、
   請求項３に記載の情報処理装置。
5. 前記電流値情報生成部は、
   前記制御盤内の前記交流電力線を流れる前記交流電流の前記電流値情報を生成し、
   前記電磁波影響情報生成部は、
   前記制御盤内の前記交流電力線から生じる前記電磁波の影響を示す前記電磁波影響情報を生成し、
   前記制御盤内の前記交流電力線は、
   前記交流機器として動作するモータに前記交流電流を供給するように前記制御盤内に配置されたモータ駆動回路に対して前記交流電源側に接続された一次側モータ電力線と、
   前記モータ駆動回路に対して前記モータ側に接続された二次側モータ電力線と、
   前記交流機器として動作するヒータに前記交流電流を供給するように前記制御盤内に配置されたヒータ駆動回路に対して前記交流電源側に接続された一次側ヒータ電力線と、
   前記ヒータ駆動回路に対して前記ヒータ側に接続された二次側ヒータ電力線との少なくとも１つを含む、
   請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の情報処理装置。
6. 前記制御盤内の前記交流電力線が現実空間に存在する位置を示す空間位置情報を取得す
   る空間位置情報取得部と、
   前記空間位置情報取得部により取得された前記空間位置情報と、前記電磁波影響情報生成部により生成された前記電磁波影響情報とに基づいて、前記現実空間の前記交流電力線に対して前記電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示させるためのオブジェクト情報を生成するオブジェクト情報生成部と、をさらに備える、
   請求項５に記載の情報処理装置。
7. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置にて、前記制御盤内の前記交流電力線が現実空間に存在する位置を示す空間位置情報を取得する空間位置情報取得部と、
   前記空間位置情報取得部により取得された前記空間位置情報と、前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報とに基づいて、前記現実空間の前記交流電力線に対して前記電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示させるためのオブジェクト情報を生成するオブジェクト情報生成部と、を備える、
   情報処理装置。
8. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報と、前記基板処理が行われたときに前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報とで構成される学習用データを複数組記憶する学習用データ記憶部と、
   複数組の前記学習用データを学習モデルに入力することで、前記電流値情報と前記電磁波影響情報との相関関係を前記学習モデルに学習させる機械学習部と、
   前記機械学習部により前記相関関係を学習させた前記学習モデルを記憶する学習済みモデル記憶部と、を備える、
   機械学習装置。
9. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により行われた前記基板処理の状況を示す基板処理情報と、前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報とで構成される学習用データを複数組記憶する学習用データ記憶部と、
   複数組の前記学習用データを学習モデルに入力することで、前記基板処理情報と前記電流値情報との相関関係を前記学習モデルに学習させる機械学習部と、
   前記機械学習部により前記相関関係を学習させた前記学習モデルを記憶する学習済みモデル記憶部と、を備える、
   機械学習装置。
10. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報を生成する電流値情報生成工程と、
    前記電流値情報生成工程により生成された前記電流値情報に基づいて、前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報を生成する電磁波影響情報生成工程と、を備える、
    情報処理方法。
11. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ
    前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置にて、前記制御盤内の前記交流電力線が現実空間に存在する位置を示す空間位置情報を取得する空間位置情報取得工程と、
    前記空間位置情報取得工程により取得された前記空間位置情報と、前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報とに基づいて、前記現実空間の前記交流電力線に対して前記電磁波の影響を示す仮想オブジェクトを重畳表示させるためのオブジェクト情報を生成するオブジェクト情報生成工程と、を備える、
    情報処理方法。
12. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報と、前記基板処理が行われたときに前記交流電力線から生じる電磁波の影響を示す電磁波影響情報とで構成される学習用データを学習用データ記憶部に複数組記憶する学習用データ記憶工程と、
    複数組の前記学習用データを学習モデルに入力することで、前記電流値情報と前記電磁波影響情報との相関関係を前記学習モデルに学習させる機械学習工程と、
    前記機械学習工程により前記相関関係を学習させた前記学習モデルを学習済みモデル記憶部に記憶する学習済みモデル記憶工程と、を備える、
    機械学習方法。
13. 交流電源に交流電力線を介して接続された交流機器と、基板に処理部材を接触させつつ前記基板又は前記処理部材に処理流体を供給する基板処理を行うために前記交流機器を制御する制御盤とを備える基板処理装置により行われた前記基板処理の状況を示す基板処理情報と、前記基板処理が行われたときに前記交流機器に供給される交流電流の電流値情報とで構成される学習用データを学習用データ記憶部に複数組記憶する学習用データ記憶工程と、
    複数組の前記学習用データを学習モデルに入力することで、前記基板処理情報と前記電流値情報との相関関係を前記学習モデルに学習させる機械学習工程と、
    前記機械学習工程により前記相関関係を学習させた前記学習モデルを学習済みモデル記憶部に記憶する学習済みモデル記憶工程と、を備える、
    機械学習方法。

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