TWI289727B - Radiation sensitive refractive index changing composition, pattern forming method and optical material - Google Patents

Radiation sensitive refractive index changing composition, pattern forming method and optical material Download PDF

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Description

1289727 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對輻射敏 成折射率圖案之方法、折躬 說，其係關於形成折射率圖 圖案及用在光電及顯示領域 法之對輻射敏感而折射率改 【先前技術】 在稱爲”多媒體社會”之 的折射率區域組成之折射率 需求，該產品不只包括用於 射率有週期性變化之光學繞 是寫在具有不同折射率的部 細折射率圖案之光學1C、 及光學傳遞元件。 折射率分布型光學模塑 產品中有連續折射率分布 ”GRIN光學模塑產品”）且 ，例如光學繞射光栅及SI § GRIN光學模塑產品吸 光學模塑產品，例如，一種 形式下從光纖核的中心軸向 訊，折射率在其中連續改變 感而折射率改變的組成物、形 率圖案及光學材料，更確定地 案之方法其提供新穎的折射率 之光學材料、及適宜用在此方 變的組成物。 現代社會中，對於各是由不同 分布型光學模塑產品有很大的 傳導資訊之光纖，還包括在折 射光柵、光學記憶體其中資訊 位、光學偶合元件例如具有微 光學控制元件、光學調製元件 產品可以分成兩種：一種是在 ，例如GI型光纖（以下稱爲 另一種具有非連續折射率分布 呈光學波導。 引很多的注意作爲下個世代的 GI型光纖其折射率在拋物線 周圍降低，可以傳遞大量的資 之GRIN鏡片是作爲讀鏡片用 (2) 1289727 在影印機，用於連接纖維之球面鏡片或顯微鏡片，利用其 特性即使在平坦表面也有折射能力，且其沒有球面像差。 迄今已經提出許多方法用於生產上述GRIN光學模塑 產品，例如 JP-A 9-133813、JP-A 8-336911、JP-A 8-337609、 JP-A 3-192310、 JP-A 5-60931 (本文中使用的 名詞”：ΓΡ-Α”係指”未檢查公告的日本專利申請案”）， WO 93 / 1 95 05及 WO94/04949揭示經由分散低分子量化合 物或單體至聚合物並連續分布其濃度而得到GI型光纖之 方法，JP-A 62-25 705揭示桿狀GI型光學模塑產品或光纖 是得自經由光-共聚合化二或多種具有不同折射率及反應 性比例的乙烯基單體，另外，JP-A 7-5 6026揭示一種得到 折射率分布之方法，經由形成含光-反應性官能基之聚合 物A，將折射率低於聚合物A之化合物B分散至聚合物A 而形成化合物B之濃度分布，並使聚合物A與化合物B 進行光-反應。 部份生產無機材料的GRIN光學模塑產品之方法也經 提出，例如其中一個是生產GI型桿之方法，其係經由添 加高折射率鉈至實質上由矽或鈴.組成的桿狀玻璃，將玻璃 浸漬在含低折射率鉀之熔化溶液，並經由離子交換而形成 鉀濃度分布。 GRIN鏡片可以類似地得自經由施行上述方法至一個 短桿，也就是類似鏡片的光學模塑產品，或者是，可以將 經由上述方法製造之GI型桿切片。 在其中一種製造具有微細折射率圖案的光學模塑產品 -6- (3) 1289727 例如上述光學繞射光柵或光學I C之方法中，已知有一種 ί支柿i'經由暴露至光線造成模塑產品之光化學反應而得到折 身寸率改變’例如，在無機材料之情形下，摻雜鍺的玻璃暴 H S光:線後改變其折射率而生產光學繞射光柵，在有機材 料之情形下，上述技術稱爲光鉻反應或光漂白，JP-A 7-923 13揭示一種技術經由暴露至雷射光使光化學反應分散 在聚合物中，造成含低分子量化合物的材料之折射率改變 ’因而得到光學繞射光柵，另外，JP-A 9- 1 78 90 1最近提 出申請此技術用於製造GRIN光學模塑產品，此方法利用 光施加至模塑產品經吸收且強度變弱之現象，提供輻射後 在深層方向之連續折射率分布。 但是，在使用上述材料所得的折射率分布中，最大的 折射率差異只有約0.001至0.02，且很難提供更寬的折射 率分布用於預防光學損失及抑制電路故障。 而且，當上述傳統材料是在光線波長接近折射率分布 形成後用於改變通過的折射率波長之情形下使用時，不可 能防止發生折射率逐漸改變之現象，因而造成惡化。 【發明內容】 本發明之目的是提供一種折射率圖案及經由簡單方法 改變材料的折射率而得到光學材料之方法，其折射率差異 是足夠大且不管使用情形都可安定，以及其形成的新穎方 法。 從下列說明可以更了解本發明之其他目的及優點。 (4) 1289727 根據本發明，首先，本發明之上述目的及優點是經由 含（A)無機氧化物粒子、（B)可聚合的化合物、（c) 對輻射敏感的分解劑及（D )可逃脫的化合物之對輻射敏 感而折射率改變的組成物達成。 其次，本發明之上述目的及優點是經由形成折射率圖 案之方法達成，包括施加輻射至上述對輻射敏感而折射率 改變的組成物部份。 第二，本發明之上述目的及優點是經由上述形成折射 率圖案之方法形成折射率圖案而達成。 在第四個方面，本發明之上述目的及優點是經由上述 形成折射率圖案之方法在光學材料上形成折射率圖案而達 成。 在本發明中，”折射率圖案”係指含不同折射率區域之 折射率分布型材料。 較佳具體實施例之詳細說明 在本發明中使用的折射率改變的組成物之各成份將詳 細說明如下。 (A )無機氧化物粒子 幾乎全部種類的無機氧化物粒子可作爲成份（A )使 用，較宜該無機氧化物粒子是對酸、鹼或從下述說明的對 輻射敏感的分解劑（C )形成的基安定，不會吸收穿過其 中且具有特定波長範圍的光，並具有高光學透明性，根據 -8- (5) 1289727 應用目的可以選擇較佳的値作爲氧化物粒子之折射率。
Ca Ti 、 例 複 的 較 粒 透 氧化物粒子之較佳實例包括含原子例如Me、Mg、 、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、 、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb B i或T e之氧化物，氧化物粒子之更佳實例包括氧化物 如 BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc203、Y2O3、La2〇s Ce203、Gd2〇3 ' Tb203、Dy203、Yb203、Lu203、Ti02 Zr02、Hf02、Nb203、Mo03、W03、ZnO、B203、A1203 Si02、Ge02、Sn02、PbO、Bi203 及 Te02，及含這些的 合物氧化物例如 Al203-Mg0、Al203 -Si02、Ζη0·Υ203 Zr〇2-Ce2〇3、Ζ r Ο 2 - Τ i Ο 2 - S η Ο 2、Te〇2-BaO-ZnO、 Te02-W03-Ta2〇5 、 Τ e Ο 2 - W Ο 3 - Β i 2 Ο 3 、 Te02-BaO-PbO CaO-Al2〇3、CaO-Al2〇3-BaO、CaO-Al2〇3-Na2〇 ' Ca0-Al203-K20、CaO-Al203 -Si〇2、Pb0-Bi203 -Ba0、 Pb0-Bi203-Zn0、Pb0-Bi203、P b 0 - B i 2 0 3 - B a 0 - Zn 0、 PbO-Bi2〇3-CdO-Al203、PbO-Bi2〇3-Ge02、 Pb0-Bi203-Ge02-Tl20、Ba0-Pb0-Bi203、 BaO-PbO-Bi2〇3-ZnO、B i 2 〇 3 · G a2 0 3 - P b 0、 Bi2〇3-Ga2〇3-CdO 及 Bi2〇3-Ga：2〇3- ( Pb，Cd) O 0 氧化物粒子之粒子直徑較宜小於改變本發明組成物 折射率使用的光之波長，且可以是例如2微米或更小， 宜是0.2微米或更小，特別較宜是〇·1微米或更小，當 子直徑是大於2微米時，所得的折射率改變的組成物之 明性可能降低或從其所得的膜其表面狀態有問題。 -9 - (6) 1289727 氧化物粒子之形狀沒有特 球狀，因爲入射光之散射較小 上述氧化物粒子可以與矽 金屬原子有配位能力而可組成 以便在使用前修改粒子之表面 (B )可聚合的化合物 交聯密度經由酸、鹼或從 形成的基增加之聚合物可作爲 ，成份（B )是例如含烯系不 、哼坦基（oxetanyl )、哼唑 之聚合物，或含烷氧基之聚矽 含烯系不飽和鍵、環氧基 基、Df哄基或馬來醯亞胺基之 硫醚基、哼坦基、鸣唑基、哼 之均聚物，或上述單體及其他 ，其他基系可聚合的單體之實 甲基丙烯酸及巴豆酸；二羧酸 酸、中康酸及衣康酸；這些二 烷酯例如甲基丙烯酸甲酯、甲 正丁酯、甲基丙烯酸第二丁酯 烯酸烷酯例如丙烯酸甲酯及丙 酸烷酯例如甲基丙烯酸環己酷 酯、甲基丙烯酸三環[5·2·1·〇2’ 別的限制，但較宜實質上是 〇 烷偶合劑、表面活性劑或對 氧化物之配位化合物接觸， :對輻射敏感的分解劑（C ) 『可聚合的化合物（Β )使用 飽和鍵、環氧基、環硫酸基 基、噚畊基或馬來醯亞胺基 氧院。 、環硫酸基、吗坦基、0琴π坐 聚合物可以是含環氧基、環 畊基或馬來醯亞胺基的單體 基系可聚合的單體之共聚物 例包括單羧酸例如丙烯酸、 例如馬來酸、富馬酸、檸康 羧酸之酸酐類；甲基丙烯酸 基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸 及甲基丙烯酸第三丁酯；丙 烯酸異丙酯；環狀甲基丙烯 j、甲基丙烯酸2-甲基環己 6]癸酯（在此技術領域中 -10- (7) 1289727 俗稱甲基丙烯酸二環戊酯）、甲基丙烯酸二環戊氧基乙酯 及甲基丙烯酸異冰片酯；環狀丙烯酸烷酯例如丙烯酸環己 酯、丙烯酸2-甲基環己酯及丙烯酸三環[5.2.1.02·6]癸-8-酯（在此技術領域中俗稱丙烯酸二環戊酯）、丙烯酸二環 戊氧基乙酯及丙烯酸異冰片酯；甲基丙烯酸芳酯例如甲基 丙烯酸苯酯及甲基丙烯酸苄酯；丙烯酸芳酯例如丙烯酸苯 酯及丙烯酸苄酯；二羧酸二酯例如馬來酸二乙酯、富馬酸 .二乙酯及衣康酸二乙酯；羥基烷酯例如甲基丙烯酸2-羥 基乙酯及甲基丙烯酸2-羥基丙酯；及苯乙烯、α-甲基苯 乙烯、間甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、 對-甲氧基苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、氯乙烯、偏氯 乙烯.、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、醋酸乙烯酯、1，3-丁二 烯、異戊間二烯及2,3-二甲基-1，3-丁二烯，這些基系可聚 合的單體可以單獨或二或多種結合使用。 含烯系不飽和鍵的單體實例包括丙烯酸烯丙酯、甲基 丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯α -乙酯、丙烯酸烯丙酯 正丙酯、丙烯酸烯丙酯α-正丁酯、丙烯酸1-丁烯酯、甲 基丙烯酸1-丁烯酯、丙烯酸2-(2’-乙烯氧基乙氧基）乙 酯、甲基丙烯酸2-(2乙烯氧基乙氧基）乙酯、丙烯酸 2-(2’-芳氧基乙氧基）乙酯、甲基丙烯酸2-(2’-芳氧基 乙氧基）乙酯、四氫酞酸丙烯醯氧基-正丙酯及四氫酞酸 甲基丙烯醯氧基-正丙酯。 含環氧基的單體實例包括丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙 烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯α -乙酯、丙烯酸縮 -11 - (8) 1289727 水甘油酯α-正丙酯、丙烯酸縮水甘油酯正丁酯、丙烯 酸3,4-環氧丁酯、甲基丙烯酸3,4-環氧丁酯、丙烯酸6,7· 環氧庚酯、甲基丙烯酸6,7-環氧庚酯、丙烯酸甲酯縮水甘 油酯、甲基丙烯酸甲酯縮水甘油酯、丙烯酸乙酯縮水甘油 酯、甲基丙烯酸乙酯縮水甘油酯、丙烯酸正丙酯縮水甘油 醋、甲基丙烯酸正丙酯縮水甘油酯、丙烯酸正丁酯縮水甘 油酯、甲基丙烯酸正丁酯縮水甘油酯、丙烯酸羥基甲酯縮 水甘油醚、甲基丙烯酸羥基甲酯縮水甘油醚、丙烯酸2-羥基乙酯縮水甘油醚、甲基丙烯酸2 -羥基乙酯縮水甘油 醚、丙烯酸3 -羥基正丙酯縮水甘油醚、甲基丙烯酸3 -羥 基正丙酯縮水甘油醚、丙烯酸4-羥基正丁酯縮水甘油醚 、甲基丙烯酸4-羥基正丁酯縮水甘油醚、丙烯酸2,3-環氧 環己基甲酯、甲基丙烯酸2,3 -環氧環己基甲酯、丙烯酸 3，4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸3，4-環氧環己基甲酯、 鄰-乙烯基苄基縮水甘油基醚、間-乙烯基苄基縮水甘油基 醚、對-乙烯基苄基縮水甘油基醚、1，2-環氧基-3-乙烯基 環己烷及1，2-環氧基-4-乙烯基環己烷。 含環硫醚基的單體可以是經由乙烯硫醚基取代上述含 環氧基的單體之環氧基所得之單體，例如J. Org. Chem·， 28,229(1963)所示。 含哼坦基的單體實例包括2-丙烯醯基氧基Df坦、3-甲 基丙烯醯基氧基哼坦、2-丙烯醯基氧基甲基鸣坦、2-甲基 丙烯醯基氧基甲基啤坦、3·丙烯醯基氧基甲基Df坦、3 -甲 基丙烯醯基氧基甲基哼坦、3 -甲基-3-甲基丙烯醯基氧基 -12- (9) 1289727 甲基Df坦、3 -甲基-3-丙烯醯基氧基甲基Df坦、3 -乙基- 3-丙烯醯基氧基甲基哼坦、3 -乙基-3-甲基丙烯醯基氧基甲 基啤坦、3-正丙基-3 ·丙烯醯基氧基甲基哼坦、3-正丙基-3-甲基丙揚醯基氧基甲基Df坦、3-正丁基-3-丙烯醯基氧基 甲基IJf坦、3 -正丁基-3-甲基丙儲醯基氧基甲基Uf坦、丙 烯酸3 - ( 2 鸣坦甲氧基）金剛烷酯、甲基丙烯酸3 2，- 哼坦甲氧基）金剛烷酯、丙烯酸3 - ( 2 ’ -哼坦乙氧基）金 剛烷酯、甲基丙烯酸3 - ( 2 ’ - Df坦乙氧基）金剛烷酯、丙 烯酸3- ( 2’-噚坦正丙氧基）金剛烷酯、甲基丙烯酸3_ ( 2’-哼坦正丙氧基）金剛烷酯、2-哼坦甲氧基原冰片烯、2-噚坦乙氧基原冰片烯、2-哼坦正丙氧基原冰片烯、鄰-乙 烯基苄基-2-哼坦甲基醚、間-乙烯基苄基-2-Df坦甲基醚及 對-乙烯基苄基-2-鸣坦甲基醚。 含鸣唑基的單體實例包括2 -丙烯醯基氧基噚唑啉、2 -甲基丙烯醯基氧基哼唑啉、2 -丙烯醯基氧基甲基哼唑啉、 2 -甲基丙烯醯基甲氧基嗎唑啉、2 -丙烯醯基甲氧基鸣唑啉 、2 -甲基丙烯醯基乙氧基Df唑啉、2 -丙烯醯基乙氧基鸣唑 啉、2-烯丙基吗唑啉、2-異丙烯基-2-哼唑啉、2- ( 3-甲 基-1 -丙烯基）鸣唑啉、2 ·( 4 - 丁烯基）鸣唑啉及2 -正崁 基-2 -哼唑啉。 含哼哄基的單體實例包括2-丙烯醯基氧基哼畊、2-甲 基丙烯醯基氧基鸣畊、2-丙烯醯基氧基甲基哼哄、2-甲基 丙烯醯基甲氧基哼畊、2·丙烯醯基甲氧基哼畊、2-甲基丙 烯醯基乙氧基噚哄、2-丙烯醯基乙氧基Df D井、2-烯丙基哼 -13- (10) 1289727 畊、2 -異丙烯基· 2 · D等畊、2 - ( 3 -甲基-1 -丙烯基）哼畊、2 -(4 - 丁烯基）哼哄及2 -正崁基-2 -哼D井。 含馬來醯亞胺基的單體實例包括丙烯酸（3,4,5,6-四 氫酞醯亞胺基）甲酯、甲基丙烯酸（3，4,5，6-四氫酞醯亞 胺基）甲酯、丙烯酸（3，4,5，6-四氫酞醯亞胺基）乙酯、 甲基丙烯酸（3，4,5,6 -四氫酞醯亞胺基）乙酯、丙烯酸3-(3,4,5，6 -四氫酞醯亞胺基）正丙酯、甲基丙烯酸3-( 3，4,5，6 -四氫酞醯亞胺基）正丙酯、N -乙烯基馬來醯亞胺 、N-烯丙基馬來醯亞胺、N- ( 2-異丙烯基）馬來醯亞胺及 N · ( 4 · 丁烯基）馬來醯亞胺。 用於聚合這些單體之聚合溶劑實例包括醇類例如甲醇 及乙醇；醚類例如四氫呋喃；乙二醇醚類例如乙二醇單甲 基醚及乙二醇單乙基醚；乙二醇烷基醚醋酸酯類例如甲基 纖維素醋酸酯及乙基纖維素醋酸酯及；二甘醇類例如二甘 醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚 及二甘醇乙基甲基醚；丙二醇單烷基醚類例如丙二醇甲醚 、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚；丙二醇烷基醚 醋酸酯類例如丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯 '丙 二醇丙醚醋酸酯及丙二醇丁醚醋酸酯；丙二醇烷基醚丙酸 酯類例如丙二醇甲醚丙酸酯、丙二醇乙醚丙酸酯、丙二醇 丙醚丙酸酯及丙二醇丁醚丙酸酯；芳族烴類例如甲苯及二 甲苯；酮類例如甲基乙基酮、環己酮及4-羥基-4-甲基- 2-戊酮；及酯類例如醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、醋酸 丁酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥 -14- (11) 1289727 基-2 -甲基丙酸乙酯、羥基醋酸甲酯、羥基醋酸乙酯、羥 基醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯 、3 -羥基丙酸甲酯、3 -羥基丙酸乙酯、3 -羥基丙酸丙酯、 3-羥基丙酸丁酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基醋酸甲 酯、甲氧基醋酸乙酯、甲氧基醋酸丙酯、甲氧基醋酸丁酯 、乙氧基醋酸甲酯、乙氧基醋酸乙酯、乙氧基醋酸丙酯、 乙氧基醋酸丁酯、丙氧基醋酸甲酯、丙氧基醋酸乙酯、丙 氧基醋酸丙酯、丙氧基醋酸丁酯、丁氧基醋酸甲酯、丁氧 基醋酸乙酯、丁氧基醋酸丙酯、丁氧基醋酸丁酯、2-甲氧 基丙酸甲酯、2 -甲氧基丙酸乙酯、2 -甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯 、2 -乙氧基丙酸丙醋、2 -乙氧基丙酸丁醋、2 -丁氧基丙酸 甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基 丙酸丁酯、3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -甲氧基丙酸乙酯、3 -甲 氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、 3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁 酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙 酸丙酯、3 -丙氧基丙酸丁酯、3 -丁氧基丙酸甲酯、3 -丁氧 基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯及3-丁氧基丙酸丁酯。 一般已知的游離基聚合反應引發劑可以作爲聚合反應 引發劑使用，用於生產含烯系不飽和鍵、環氧基、環硫醚 基、nf坦基、uf唑基、哼畊基或馬來醯亞胺基之聚合物可 以是含環氧基、環硫醚基、鸣坦基、鸣唑基、哼畊基或馬 來醯亞胺基的聚合物，游離基聚合反應引發劑之實例包括 -15· (12) 1289727 偶氮化合物例如2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙-(2,4-二甲基戊腈）；有機過氧化物例如過氧化苯醯、過氧化月 桂醯、過氧化特戊酸第三丁酯及1,1-雙-(第三丁基過氧 基）環己烷；及過氧化氫。當使用過氧化物作爲游離基聚 合反應引發劑時，其可以與還原劑結合使用作爲氧化還原 引發劑。 含烯系不飽和鍵、環氧基、環硫醚基、哼坦基、哼唑 基、哼哄基或馬來醯亞胺基之聚合物在聚苯乙烯下之重量 平均分子量（以下稱爲”Mw”）較宜是lxlO3至lxl〇5，更 宜是5xl03至5xl〇4，當Mw是低於lxlO3，所得的塗膜沒 有完全固化且很難得到機械強度，當Mw是高於lxl 05， 暴露部份及未經暴露部份之間很難得到高交聯對比，導致 暴露部份及未經暴露部份之間的折射率差異很小。 聚矽氧烷是下式（1 )代表的化合物或其縮合物之水 解產物： R、Si ( OR2 ) 4·η ( 1 ) 其中R1及R2可以是相同或不同且各是單價有機基，且η 是〇至2之整數。 在上式（1 )中，單價有機基是例如烷基、芳基、烯 丙基或甘油基，烷基之實例包括甲基、乙基、丙基及丁基 ，較宜烷基是含1至5個碳原子，這些烷基可以是直鏈或 支鏈且還可用鹵素原子例如氟原子取代氫原子，在上式（ -16- (13) 1289727 1)中，芳基是例如苯基或萘基，在上式（1)中，η較宜 是1或2。 上式（1 )代表之烷基烷氧基矽烷實例包括甲基三甲 氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三正丙氧基矽烷、甲 基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、甲基三第二丁 氧基矽烷、甲基三第三丁氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、 乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三正丙氧基 矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三正丁氧基矽烷、乙基 三第二丁氧基矽烷、乙基三第三丁氧基矽烷、乙基三苯氧 基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正 丙基三正丙氧基矽烷、正丙基三異丙氧基矽烷、正丙基三 正丁氧基矽烷、正丙基三第二丁氧基矽烷、正丙基三第三 丁氧基矽烷、正丙基三苯氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷 、異丙基三乙氧基矽烷、異丙基三正丙氧基矽烷、異丙基 三異丙氧基矽烷、異丙基三正丁氧基矽烷、異丙基三第二 丁氧基矽烷、異丙基三第三丁氧基矽烷、異丙基三苯氧基 矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正丁 基三正丙氧基矽烷、正丁基三異丙氧基矽烷、正丁基三正 丁氧基矽烷、正丁基三第二丁氧基矽烷、正丁基三第三丁 氧基矽烷、正丁基三苯氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷 、第二丁基三乙氧基矽烷、第二丁基三正丙氧基矽烷、第 二丁基三異丙氧基矽烷、第二丁基三正丁氧基矽烷、第二 丁基三第二丁氧基矽烷、第二丁基三第三丁氧基矽烷、第 二丁基三苯氧基矽烷、第三丁基三甲氧基矽烷、第三丁基 -17- (14) 1289727 三乙氧基矽烷、第三丁基三正丙氧基矽烷 '第三丁基三異 丙氧基矽烷、第三丁基三正丁氧基矽烷、第三丁基三第二 丁氧基矽烷、第三丁基三第三丁氧基矽烷、第三丁基三苯 氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、 環己基三正丙氧基矽烷、環己基三異丙氧基矽烷、環己基 .三正丁氧基矽烷、環己基三第二丁氧基矽烷、環己基三第 三丁氧基矽烷、環己基三苯氧基矽烷、正崁基三甲氧基矽 烷、正崁基三乙氧基矽烷、正崁基三正丙氧基矽烷、正崁 基三異丙氧基矽烷、正崁基三正丁氧基矽烷、正崁基三第 二丁氧基矽烷、正崁基三第三丁氧基矽烷、正崁基三苯氧 基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三 .正丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、苯基三正丁氧基矽 烷、苯基三第二丁氧基矽烷、苯基三第三丁氧基矽烷、苯 基三苯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基 矽烷、二甲基二正丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、 二甲基二正丁氧基矽烷、二甲基二第二丁氧基矽烷、二甲 基二第三丁氧基矽烷、二甲基二苯氧基矽烷、二乙基二甲 氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二正丙氧基矽烷 、二乙基二異丙氧基矽烷、二乙基二正丁氧基矽烷、二乙 基二第二丁氧基矽烷、二乙基二第三丁氧基矽烷、二乙基 二苯氧基矽烷、二正丙基二甲氧基矽烷、二正丙基二乙氧 基矽烷、二正丙基二正丙氧基矽烷、二正丙基二異丙氧基 矽烷、二正丙基二正丁氧基矽烷、二正丙基二第二丁氧基 矽烷、二正丙基二第三丁氧基矽烷、二正丙基二苯氧基矽 -18- (15) 1289727 烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二乙氧基矽烷、二 異丙基二正丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二異 丙基二正丁氧基矽烷、二異丙基二第二丁氧基矽烷、二異 丙基二第三丁氧基矽烷、二異丙基二苯氧基矽烷、二正丁 基二甲氧基矽烷、二正丁基二乙氧基矽烷、二正丁基二正 丙氧基矽烷、二正丁基二異丙氧基矽烷、二正丁基二正丁 氧基矽烷、二正丁基二第二丁氧基矽烷、二正丁基二第三 丁氧基矽烷、二正丁基二苯氧基矽烷、二第二丁基二甲氧 基矽烷、二第二丁基二乙氧基矽烷、二第二丁基二正丙氧 基矽烷、二第二丁基二異丙氧基矽烷、二第二丁基二正丁 氧基矽烷 '二第二丁基二第二丁氧基矽烷、二第二丁基二 第三丁氧基矽烷、二第二丁基二苯氧基矽烷、二第三丁基 二甲氧基矽烷、二第三丁基二乙氧基矽烷、二第三丁基二 正丙氧基矽烷、二第三丁基二異丙氧基矽烷、二第三丁基 二正丁氧基矽烷、二第三丁基二第二丁氧基矽烷、二第三 丁基二第三丁氧基矽烷、二第三丁基二苯氧基矽烷、二環 己基二甲氧基矽烷、二環己基二乙氧基矽烷、二環己基二 正丙氧基矽烷、二環己基二異丙氧基矽烷、二環己基二正 丁氧基矽烷、二環己基二第二丁氧基矽烷、二環己基二第 三丁氧基矽烷、二環己基二苯氧基矽烷 '二正崁基二甲氧 基矽烷、二正崁基二乙氧基矽烷、二正崁基二正丙氧基砍 烷、二正崁基二異丙氧基矽烷、二正崁基二正丁氧基矽烷 、二正崁基二第二丁氧基矽烷、二正崁基二第三丁氧基矽 烷、二正崁基二苯氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯 -19- (16) 1289727 基二乙氧基矽烷、二苯基二正丙氧基矽烷、二苯基二異丙 氧基矽烷、二苯基二正丁氧基矽烷、二苯基二第二丁氧基 矽烷、二苯基二第三丁氧基矽烷、二苯基二苯氧基矽烷、 二乙烯基二甲氧基矽烷、r -胺基丙基三甲氧基矽烷、7 _ 胺基丙基三乙氧基矽烷、7-甘油基氧基丙基三甲氧基砂 烷、r-甘油基氧基丙基三乙氧基矽烷、7-三氟丙基三甲 氧基矽烷及r-三氟丙基三乙氧基矽烷，也包括經由用氟 原子取但上述烷基烷氧基矽烷之部份或全部氫原子所得的 化合物，這些烷基烷氧基矽烷可以單獨或二或多種結合使 用。 上式（1 )代表之化合物中，較宜是垸基三院氧基砂 烷其中η是1，特別較宜是甲基三甲氧基矽烷及甲基三乙 氧基矽烷，當甲基三甲氧基矽烷及/或甲基三乙氧基5夕院 是以全部烷基烷氧基矽烷之總量爲基準在70莫耳％或更 多之量使用時，有利於得到在耐熱及折射率之間有良好平 衡之固化產物， 上式（1 )代表的化合物及其縮合物之水解產物比該 化合物更佳，當成份（Β )是上式（1 )代表的化合物之縮 合物時，在聚苯乙烯下之重量平均分子量較宜是500至 100,000，更宜是5,000至50,000，當在聚苯乙烯下之重 量平均分子量是低於500，所得的塗膜沒有完全固化且很 難得到機械強度，當在聚苯乙烯下之重量平均分子量是高 於1 00,000，暴露部份及未經暴露部份之間很難得到高交 聯對比，導致暴露部份及未經暴露部份之間的折射率差異 -20- (17) 1289727 很小。 成份（B )之上式（1 )代表的化合物及/或其縮 之水解產物之水解反應及/或縮合反應是在水及合適 媒存在下進行且將在下文說明。 更確定地說，將上式（1 )代表的化合物溶解在 的有機溶劑中，並間斷或連續將水添加至所得的溶液 媒可以溶解或分散在有機溶劑，或溶解或分散在添加 中〇 今行水解及/或縮合反應之溫度較宜是0至100 °c 宜是1 5至8 0 °c。 上式（1 )代表的化合物進行水解及/或縮合反應 的水沒有特別的限制，但較宜是離子交換水。 水的量是0.25至3莫耳，較宜是〇.3至2.5莫耳 1莫耳之上式（1 )代表的化合物之R2 〇 -代表的基總 基準。 上式（1 )代表的化合物進行水解及/或縮合反應 的觸媒是例如金屬螯合化合物、有機酸、無機酸、有 或無機鹼。 作爲觸媒使用的金屬螯合化合物之實例包括鈦螯 合物例如三乙氧基•單（乙醯基丙酮基）鈦、三正丙 •單（乙醯基丙酮基）鈦、三異丙氧基•單（乙醯基 基）鈦、三正丁氧基•單（乙醯基丙酮基）鈦、三第 氧基•單（乙醯基丙酮基）鈦、三第三丁氧基•單（ 基丙酮基）鈦、二乙氧基•雙（乙醯基丙酮基）鈦、 合物 的觸 合適 ，觸 的水 ，更 所用 ，以 數爲 所用 機驗 合化 氧基 丙酮 二丁 乙醯 二正 -21 - (18) 1289727 丙氧基•雙（乙醯基丙酮基）鈦、二異丙氧基·雙（乙驢 基丙酮基）鈦、二正丁氧基·雙（乙醯基丙酮基）鈦、二 第二丁氧基•雙（乙醯基丙酮基）鈦、二第三丁氧基·雙 (乙醯基丙酮基）鈦、單乙氧基·參（乙醯基丙酮基）欽 、單正丙氧基•參（乙醯基丙酮基）駄、單異丙氧基·參 (乙醯基丙酮基）鈦、單正丁氧基•參（乙醯基丙酮基） 鈦、單第二丁氧基•參（乙醯基丙酮基）鈦、單第三丁氧 基•參（乙醯基丙酮基）鈦、肆（乙醯基丙酮基）鈦、三 乙氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鈦、三正丙氧基•單（乙醯 醋酸乙酯）鈦、三異丙氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鈦、三 正丁氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鈦、三第二丁氧基•單（ 乙醯醋酸乙酯）鈦、三第三丁氧基•單（乙醯醋酸乙酯） 鈦、二乙氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鈦、二正丙氧基•雙 (乙醯醋酸乙酯）鈦、二異丙氧基•雙（乙醯醋酸乙酯） 鈦、二正丁氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鈦、二第二丁氧基 •雙（乙醯醋酸乙酯）鈦、二第三丁氧基•雙（乙醯醋酸 乙酯）鈦、單乙基•參（乙醯醋酸乙酯）鈦、單正丙氧基 •參（乙醯醋酸乙酯）鈦、單異丙氧基•參（乙醯醋酸乙 酯）鈦、單正丁氧基•參（乙醯醋酸乙酯）鈦、單第二丁 氧基•參（乙醯醋酸乙酯）鈦、單第三丁氧基•參（乙醯 醋酸乙酯）鈦、肆（乙醯醋酸乙酯）鈦、單（乙醯基丙酮 基）參（乙醯醋酸乙酯）鈦、雙（乙醯基丙酮基）雙（乙 醯醋酸乙酯）鈦及參（乙醯基丙酮基）單（乙醯醋酸乙酯 )鈦；鉻螯合化合物例如三乙氧基•單（乙醯基丙酮基） -22- (19) 1289727 锆、三正丙氧基•單（乙醯基丙酮基）鉻、三異丙氧基· 單（乙醯基丙酮基）鉻、三正丁氧基•單（乙醯基丙酮基 )鉻、三第二丁氧基•單（乙醯基丙酮基）鍩、三第三丁 氧基·單（乙醯基丙酮基）鉻、二乙氧基•雙（乙醯基丙 酮基）锆、二正丙氧基•雙（乙醯基丙酮基）鉻、二異丙 氧基·雙（乙醯基丙酮基）鉻、二正丁氧基•雙（乙醯基 丙酮基）锆、二第二丁氧基•雙（乙醯基丙酮基）鉻、二 第三丁氧基•雙（乙醯基丙酮基）鉻、單乙氧基•參（乙 醯基丙酮基）鍩、單正丙氧基•參（乙醯基丙酮基）鉻、 單異丙氧基•參（乙醯基丙酮基）锆、單正丁氧基·參（ 乙醯基丙酮基）鉻、單第二丁氧基•參（乙醯基丙酮基） 銷、單第三丁氧基•參（乙醯基丙酮基）鉻、肆（乙醯基 丙酮基）锆、三乙氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鉻、三正丙 氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鉻、三異丙氧基·單（乙醯醋 酸乙酯）鉻、三正丁氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鍩、三第 二丁氧基•單（乙醯醋酸乙酯）鉻、三第三丁氧基·單（ 乙醯醋酸乙酯）鉻、二乙氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鉻、 二正丙氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鉻、二異丙氧基•雙（ 乙醯醋酸乙酯）鉻、二正丁氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鉻 、二第二丁氧基•雙（乙醯醋酸乙酯）鉻、二第三丁氧基 •雙（乙醯醋酸乙酯）锆、單乙氧基•參（乙醯醋酸乙酯 )鉻、單正丙氧基·參（乙醯醋酸乙酯）鉻、單異丙氧基 •參（乙醯醋酸乙酯）鉻、單正丁氧基·參（乙醯醋酸乙 酯）鉻、單第二丁氧基•參（乙醯醋酸乙酯）鉻、單第三 -23- (20) 1289727 丁氧基•參（乙醯醋酸乙酯）鉻、肆（乙醯醋酸乙 、單（乙醯基丙酮基）參（乙醯醋酸乙酯）鉻、雙 基丙酮基）雙（乙醯醋酸乙酯）鉻、參（乙醯基丙 單（乙醯醋酸乙酯）鉻；及鋁螯合化合物例如參（ 丙酮基）鋁及參（乙醯醋酸乙酯）鋁。 作爲觸媒使用的有機酸實例包括醋酸、丙酸、 戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、馬 甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、五倍子酸、丁酸、 酸花生四烯酸、莽草酸、2 -乙基己酸、油酸、硬脂 油酸、亞麻酸、水楊酸、苯甲酸、對-胺基苯甲酸 苯基磺酸、苯基磺酸、單氯醋酸、二氯醋酸、三氯 三氟醋酸、甲酸、丙二酸、磺酸、酞酸、富馬酸、 及酒石酸。 作爲觸媒使用的無機酸實例包括氫氯酸、硝酸 、氬氟酸及碟酸。 作爲觸媒使用的有機鹼實例包括吡啶、吡咯、 哄、吡咯啶、六氫吡啶、皮考林、三甲胺、三乙胺 醇胺、二乙醇胺、二甲基單甲醇胺、單甲基二乙醇 乙醇胺、二氮雜二環辛烷、二氮雜二環壬烷、二氮 ^--碳嫌及四甲基氫氧化錢。 作爲觸媒使用的無機鹼實例包括氨、氫氧化鈉 化鉀、氫氧化鋇及氫氧化鈣。 這些觸媒中，較宜是金屬螯合化合物、有機酸 酸，且更宜是鈦螯合化合物及有機酸。 酯）鍩 (乙醯 酮基） 乙醯基 丁酸、 來酸、 、苯六 酸、亞 、對-甲 醋酸、 檸檬酸 、硫酸 六氫吡 、單乙 胺、三 雜二環 、氫氧 及無機 -24- (21) 1289727 這些觸媒可以單獨或二或多種結合使用。 觸媒的量較宜是0.001至10重量組份，更宜是0.01 至10重量組份，以100重量組份在Si〇2名稱下的上式（ 1 )代表的化合物爲基準。 上式（1 )代表的化合物進行水解及/或縮合後，較宜 將殘留的水及以反應副產物產生的醇去除。 上列已知化合物可以在本發明中作爲可聚合的化合物 (B )使用而無限制，但是在化合物含芳族環之情形時， 有利於使用鹵素原子或硫原子增加折射率。 在上述化合物（B )中列出的全部化合物所含的氫原 子可以經由氯原子、溴原子、羥基、毓基、烷氧基、烷硫 基、鹵烷基、鹵烷氧基、鹵烷硫基、硫酯基、毓基烷基、 芳基、芳烷基或氰基取代。 可以是直鏈或支鏈的上述烷氧基之實例包括甲氧基、 乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第 二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基新戊氧基及正己氧基。 可以是直鏈或支鏈的上述烷硫基之實例包括甲硫基、 乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第 二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基新戊硫基及正己硫基。 可以是直鏈或支鏈的上述鹵烷基之實例包括三氟甲基 、五氟乙基、七氟丙基、氯甲基、2 -氯乙基、3 -氯丙基、 1-氯甲基乙基、4-氯丁基、2·氯甲基丙基、5-氯戊基、3· 氯甲基丁基、2-氯乙基丙基、6-氯己基、3-氯甲基戊基、 4 -氯甲基戊基、2 -氯乙基丁基、溴甲基、2_溴乙基、3 -溴 -25- (22) 1289727 丙基、卜溴甲基乙基、4 -溴丁基、2 -溴甲基丙基、5 -溴戊 基、3-溴甲基丁基、2-溴乙基丙基、6-溴己基、3-溴甲基 戊基、4-溴甲基戊基及2-溴乙基丁基。 上述鹵烷氧基之實例包括三氟甲氧基、五氟乙氧基、 七氟丙氧基、氯甲氧基、2 -氯乙氧基、3 -氯丙氧基、1-氯 甲基乙氧基、4-氯丁氧基、2-氯甲基丙氧基、5-氯戊氧基 、3-氯甲基丁氧基、2-氯乙基丙氧基、6-氯己氧基、3-氯 甲基戊氧基、4 -氯甲基戊氧基、2 -氯乙基丁氧基、溴甲氧 基、2 -溴乙氧基、3 -溴丙氧基、1-溴甲基乙氧基、4 -溴丁 氧基、2 -溴甲基丙氧基' 5 -溴戊氧基、3 -溴甲基丁氧基、 2 -溴乙基丙氧基、6 -溴己氧基、3 -溴甲基戊氧基、4 -溴甲 基戊氧基及2-溴乙基丁氧基。 上述鹵烷硫基之實例包括三氟甲硫基、五氟乙硫基、 七氟丙硫基、氯甲硫基、2-氯乙硫基、3-氯丙硫基、卜氯 甲基乙硫基、4-氯丁硫基、2-氯甲基丙硫基、5·氯戊硫基 、3-氯甲基丁硫基、2-氯乙基丙硫基、6-氯己硫基、3-氯 甲基戊硫基、4-氯甲基戊硫基、2-氯乙基丁硫基、溴甲硫 基、2-溴乙硫基、3-溴丙硫基、1-溴甲基乙硫基、4-溴丁 硫基、2 -溴甲基丙硫基、5 -溴戊硫基、3 -溴甲基丁硫基、 2 -漠乙基丙硫基、6 -漠己硫基、3 -漠甲基戊硫基、4 -漠甲 基戊硫基及2·溴乙基丁硫基。 上述硫酯基之實例包括乙醯基對胺苯磺醯基、丙醯基 對胺苯磺醯基、正丁醯基對胺苯磺醯基、異丁醯基對胺苯 磺醯基、正戊醯基對胺苯磺醯基、新戊醯基對胺苯磺醯基 -26- (23) 1289727 及正己醯基對胺苯磺醯基。 上述锍基烷基之實例包括锍基甲基、2 -锍基乙基、3 -锍基丙基、1-锍基甲基乙基、4-酼基丁基、2-巯基甲基丙 基、5-锍基戊基、3-5荒基甲基丁基、2-锍基乙基丙基、6· 锍基己基、3 _锍基甲基戊基、4 -锍基甲基戊基及2 -锍基乙 基丁基。 上述芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯 基及1-萘基。 上述芳烷基之實例包括；基、α -甲基苄基、苯乙基 及蔡基甲基。 列出作爲成份（Β )之這些化合物可以單獨或二或多 種結合使用。 成份（Β)之量較宜是5至95重量組份，更宜是10 至90重量組份，以1〇〇重量組份之成份（A )及（Β )之 總數爲基準，當成份（B )之量小於5重量組份時，折射 率改變的物質容易變成脆化且當量大於9 5重量組份時， 所得折射率差異容易變小。 (C )對輻射敏感的分解劑 在本發明中使用之對輻射敏感的分解劑（C )可以是 對輻射敏感的酸產生劑、對輻射敏感的鹼產生劑或對輻射 敏感的基產生劑，當酸反應性化合物是作爲可聚合的化合 物（B )使用時，較宜使用對輻射敏感的酸產生劑作爲對 輻射敏感的分解劑（C )使用，當鹼反應性化合物是作爲 -27- (24) 1289727 可聚合的化合物（B )使用時，較宜使用對輻射敏 產生劑作爲對輻射敏感的分解劑（C )使用，且當 性化合物是作爲可聚合的化合物（B )使用時，較 對輻射敏感的基產生劑作爲對輻射敏感的分解劑（ 用。 上述對輻射敏感的酸產生劑是例如三氯甲基-、二芳基碘_鹽、三芳基硫ϋ鹽、四級銨鹽或磺酸丨 三氯甲基-s-三畊之實例包括2,4,6-參（三氯弓 s-三哄、2-苯基- 4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊、2-( 基）_4,6-雙（三氯甲基）-s-三哄、2-(3-氯苯基 雙（三氯甲基）-5-三哄、2-(2-氯苯基）-4,6-雙（ 基）-s-三哄、2- ( 4-甲氧基苯基）-4,6-雙（三氯弓 s-三哄、2- ( 3-甲氧基苯基）-4，6·雙（三氯甲基）-、2-(2-甲氧基苯基）-4,6-雙（三氯甲基）4-三哄 4-甲硫基苯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三卩井、2-( 基苯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s·三哄、2- (2-甲硫 )-4,6-雙（三氯甲基）-s-三哄、2-(4 -甲氧基蔡 4，6-雙（三氯甲基）-s-三哄、2-(3-甲氧基萘基）. (三氯甲基）-5-三畊、2-(2-甲氧基萘基）-4,6-雙 甲基）-s-三畊、2- (4-甲氧基- /3-苯乙烯基）-4,6-氯甲基）-5-三哄、2-(3-甲氧基->3-苯乙烯基）-4, 三氯甲基）-s-三畊、2- (2-甲氧基- /3-苯乙烯基）_ (三氯甲基）-s-三畊、2-(3,4,5-三甲氧基-石-苯 )-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊、2-(4-甲硫基- /5- 感的鹼 基反應 宜使用 C)使 s-三哄 P基）-4-氯苯 )-4,6-三氯甲 3基）-.s -三哄 、2-( 3 -甲硫 基苯基 ί基）--4,6-雙 (三氯 雙（三 6-雙（ ·4,6-雙 乙烯基 苯乙烯 -28- (25) 1289727 基）-4;6-雙（三氯甲基）-s-三D并、2-(3-甲硫基- yS-苯乙 烯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三卩井、2-(3-甲硫基苯 乙烯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊、2-胡椒基- 4,6-雙 (三氯甲基）-5-三卩井、2-[2-(呋喃-2-基）乙烯基]-4,6-雙 (三氯甲基）-s-三畊、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基）乙烯基 ]-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊及2-[2-(4-二乙胺基-2-甲 基苯基）乙烯基]-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊。 上述二芳基碘鎗鹽之實例包括二苯基碘鐵四氟硼酸鹽 、二苯基碘鎗六氟磷酸鹽、二苯基碘鎗六氟砷酸鹽、二苯 基碘鐵三氟甲基磺酸鹽、二苯基碘鎗三氟醋酸鹽、二苯基 碘對-甲苯磺酸鹽、二苯基碘鏡丁基參（2,6-二氟苯基 )硼酸鹽、二苯基碘_己基參（對-氟苯基）硼酸鹽、二 苯基碘鑰己基參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、4-甲氧基苯 基苯基碘鎗四氟硼酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘_六氟磷酸 鹽、4-甲氧基苯基苯基碘_六氟砷酸鹽、4-甲氧基苯基苯 基碘鐵三氟甲基磺酸鹽、4_甲氧基苯基苯基碘_三氟醋酸 鹽、4-甲氧基苯基苯基碘鎗-對-甲苯磺酸鹽、4-甲氧基苯 基苯基碘鑰丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、4_甲氧基苯 基苯基碘鏡己基參（對-氟苯基）硼酸鹽、4-甲氧基苯基 苯基碘鑰參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、雙（4-第三丁基 苯基）碘_四氟硼酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘鐵六氟 砷酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘鐘三氟甲基磺酸鹽、雙 (4-第三丁基苯基）碘鎗三氟醋酸鹽、雙（4-第三丁基苯 基）碘鏺-對-甲苯磺酸鹽、雙（第三丁基苯基）碘鐵丁 -29- (26) 1289727 基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘 鑰己基參（對-氟苯基）硼酸鹽及雙（4-第三丁基苯基） 碘鑰己基參（3 -三氟甲基苯基）硼酸鹽。 上述三芳基硫鎗鹽之實例包括三苯基硫鑰四氟硼酸鹽 、三苯基硫鑰六氟磷酸鹽、三苯基硫鑰六氟砷酸鹽、三苯 基硫鎗三氟甲基磺酸鹽、三苯基硫鎗三氟醋酸鹽、三苯基 硫鐵-對-甲苯磺酸鹽、三苯基硫鐵丁基參（2,6-二氟苯基 )硼酸鹽、三苯基硫鑰己基參（對·氟苯基）硼酸鹽、三 苯基硫鑰己基參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、4-甲氧基苯 基二苯基硫鎗四氟硼酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫鐵六氟 磷酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫_六氟砷酸鹽、4-甲氧基 苯基二苯基硫鏺三氟甲基磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫 鑰三氟醋酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫_ -對-甲苯磺酸鹽 、4-甲氧基苯基二苯基硫_ 丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸 鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫鎗己基參（對-氟苯基）硼酸 鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫_參（3-三氟甲基苯基）硼酸 鹽、4 -苯硫基苯基二苯基硫鐵四氟硼酸鹽、4 -苯硫基苯基 二苯基硫鏺六氟磷酸鹽、4-苯硫基苯基二苯基硫_六氟砷 酸鹽、4-苯硫基苯基二苯基硫鎗三氟甲基磺酸鹽、4-苯硫 基苯基二苯基硫鐵三氟醋酸鹽、4 -苯硫基苯基二苯基硫 鐵-對-甲苯磺酸鹽、4-苯硫基苯基二苯基硫_ 丁基參（ 2,6-二氟苯基）硼酸鹽、4-苯硫基苯基二苯基硫_己基參 (對-氟苯基）硼酸鹽、4 -苯硫基苯基二苯基硫鐵參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、4 -羥基-1-萘基二甲基硫錯四氟 -30- (27) 1289727 硼酸鹽、4-羥基-卜萘基二甲基硫鐵六氟磷酸鹽 1-萘基二甲基硫鑰六氟砷酸鹽、4-羥基-卜萘基二 三氟甲基磺酸鹽、4-羥基萘基二甲基硫鐵三 、4-羥基-卜萘基二甲基硫對-甲苯磺酸鹽、4-: 基二甲基硫鎗丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、 萘基二甲基硫鐵己基參（對-氟苯基）硼酸鹽及 萘基二甲基硫鑰參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽。 上述四級銨鹽之實例包括四甲銨四氟硼酸鹽 六氟磷酸鹽、四甲銨六氟砷酸鹽、四甲銨三氟甲 、四甲銥三氟醋酸鹽、四甲銨·對-甲苯磺酸鹽、 基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、四甲銨己基參（言 )硼酸鹽、四甲銨參（3 -三氟甲基苯基）硼酸鹽 四氟硼酸鹽、四丁銨六氟磷酸鹽、四丁銨六氟砷 丁銨三氟甲基磺酸鹽、四丁銨三氟醋酸鹽、四丁 苯磺酸鹽、四丁銨丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸 銨己基參（對-氟苯基）硼酸鹽、四丁銨參（3-苯基）硼酸鹽、苄基三甲銨四氟硼酸鹽、苄基三 磷酸鹽、苄基三甲銨六氟砷酸鹽、苄基三甲銨三 酸鹽、苄基三甲銨三氟醋酸鹽、苄基三甲銨-對-鹽、苄基三甲銨丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽 甲銨己基參（對-氟苯基）硼酸鹽、苄基三甲銨 氟甲基苯基）硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨四氟硼 基二甲基苯基銨六氟磷酸鹽、苄基二甲基苯基銨 鹽、苄基二甲基苯基銨三氟甲基磺酸鹽、苄基二 、4 -羥基- 甲基硫鏡 氟醋酸鹽 徑基-1 -萘 4-羥基-1-4 - @ 基-1 _ 、四甲銨 基磺酸鹽 四甲銨丁 付-氟苯基 、四丁銨 酸鹽、四 銨-對-甲 鹽、四丁 三氟甲基 甲錢六戴 氟甲基磺 甲苯磺酸 、苄基三 參（3-三 酸鹽、苄 六氟砷酸 甲基苯基 -31 - (28) 1289727 銨三氟醋酸鹽、苄基二甲基苯基銨-對-甲苯磺酸鹽、苄基 二甲基苯基銨丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、苄基二甲 基苯基銨己基參（對-氟苯基）硼酸鹽、苄基二甲基苯基 銨參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨 四氟硼酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨六氟磷酸鹽、N-亞桂 皮基乙基苯基銨六氟砷酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨三氟 甲基磺酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨三氟醋酸鹽、N-亞桂 皮基乙基苯基銨-對-甲苯磺酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨 丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、N-亞桂皮基乙基苯基銨 己基參（對-氟苯基）硼酸鹽及N-亞桂皮基乙基苯基銨參 (3-三氟甲基苯基）硼酸鹽。 上述磺酸酯之實例包括α -羥基甲基苯偶姻-對-甲苯 磺酸酯、α -羥基甲基苯偶姻-三氟甲基磺酸酯、α -羥基 甲基苯偶姻-甲磺酸酯、焦掊酚-三（對-甲苯磺酸）酯、 焦掊酚-三（三氟甲基磺酸）酯、焦掊酚-三甲基磺酸酯、 2,4-二硝基苄基-對-甲苯磺酸酯、2,4-二硝基苄基-三氟甲 基磺酸酯、2,4-二硝基苄基-甲基磺酸酯、2,4-二硝基苄 基-1，2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、2,6-二硝基苄基-對-甲苯 磺酸酯、2,6-二硝基苄基-三氟甲基磺酸酯、2,6-二硝基苄 基-甲基磺酸酯、2,6-二硝基苄基-1,2-萘醌二疊氮基-5-磺 酸酯、2-硝基苄基-對-甲苯磺酸酯、2-硝基苄基-三氟甲基 磺酸酯、2-硝基苄基-甲基磺酸酯、2_硝基苄基-1,2-萘醌 二疊氮基-5-磺酸酯、4-硝基苄基-對-甲苯磺酸酯、4-硝基 苄基-三氟甲基磺酸酯、4-硝基苄基·甲基磺酸酯、4-硝基 -32- (29) 1289727 苄基-1，2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、N-羥基萘醯亞胺基-對-甲苯磺酸酯、N-羥基萘醯亞胺基·三氟甲基磺酸酯、N-羥基蔡醯亞胺基-甲基磺酸酯、N-羥基-5-原冰片烯-2，3-二 羧基醯亞胺基-對-甲苯磺酸酯、N-羥基-5-原冰片烯-2.3-二羧基醯亞胺基-三氟甲基磺酸酯、N-羥基-5-原冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基-甲基磺酸酯、2,4,6,3’，4’，5’-六羥基 二苯甲酮-1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸酯及1，1，1-三（對-羥 基苯基）乙烷-1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸酯。 這些化合物中，2- (3-氯苯基）-4,6-雙（三氯甲基 )_5-三哄、2-(4-甲氧基苯基）-4,6-雙（三氯甲基）-5-三畊、2- (4-甲硫基苯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三哄、 2- (4-甲氧基- /5-苯乙烯基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊 、2-胡椒基-4,6-雙（三氯甲基）-5-三哄、2-[2-(呋喃-2-基）乙烯基]-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊、2-[2-(5-甲基 呋喃-2-基）乙烯基]-4,6-雙（三氯甲基）-5-三畊、2-[2-( 4-二乙胺基-2-甲基苯基）乙烯基]-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊及2- (4-甲氧基萘基）-4,6-雙（三氯甲基）-s-三畊 是較佳的三氯甲基-s-三D井類；二苯基碘_三氟醋酸鹽、 二苯基碘鎗三氟甲基磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘_三氟 甲基磺酸鹽及4-甲氧基苯基苯基碘鐵三氟醋酸鹽是較佳 的二芳基碘_鹽類；三苯基硫_三氟甲基磺酸鹽、三苯基 硫銷三氟醋酸鹽、4 -甲氧基苯基二苯基硫鐵三氟甲基磺酸 鹽、4-甲氧基苯基二苯基硫鐵三氟醋酸鹽、4-苯硫基苯基 二苯基硫鏺三氟甲基磺酸鹽及4 ·苯硫基苯基二苯基硫鏠 -33- (30) 1289727
三氟醋酸鹽是較佳的二芳基硫鐘鹽；四甲錢丁基爹（2，6-二氟苯基）硼酸鹽、四甲銨己基參（對-氟苯基）硼酸鹽 、四甲銨參（3-三氟甲基苯基）硼酸鹽、苄基二甲基苯基 銨丁基參（2,6-二氟苯基）硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨己 基參（對-氟苯基）硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨參（3_三 氟甲基苯基）硼酸鹽是較佳的四級銨鹽；且2,6-二硝基苄 基-對-甲苯磺酸酯、2,6-二硝基苄基-三氟甲基磺酸酯、N-羥基萘醯亞胺基-對-甲苯磺酸酯及N-羥基萘醯亞胺基-三 氟甲基磺酸酯是較佳的磺酸酯類。 JP-A 4-330444及USP 5,627,010揭示的化合物適宜 作爲上述對輻射敏感的鹼產生劑，但是，任何對輻射敏感 的鹼產生劑是可以接受如果其功能是暴露至輻射後形成鹼
在本發明中對輻射敏感的鹼產生劑較宜是光學活性胺 基甲酸酯例如三苯基甲醇、胺基甲酸苄酯或胺基甲酸苯偶 姻酯；醯胺例如〇-胺基甲醯基羥基醯胺、〇-胺基甲醯基 肟、芳族磺醯胺、α -內醯胺或N- ( 2-烯丙基乙炔基）醯 胺或其他醯胺；肟酯、α ·胺基乙醯苯或鈷複合物。 對輻射敏感的鹼產生劑實例包括下式（2 )至（1 3 ) 代表之化合物：
-34- (31) 1289727 其中R3是含1至6個碳原子之烷基、含1至6個碳原子 之{兀氧基、含1至6個碳原子之院硫基、含1至6個碳原 子之二烷胺基、六氫吡啶基、硝基、羥基、锍基、含2至 6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基、含6至20 個碳原子之芳基、氟原子、氯原子或溴原子，k是〇至3 之整數，R4是氫原子、含1至6個碳原子之烷基、含2 至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6至 20個碳原子之芳基，且R5及R6各獨立地是氫原子、含！ 至6個碳原子之院基、含2至6個碳原子之嫌基、含2至 6個碳原子之炔基、含6至20個碳原子之芳基或苄基， 或R5及R6與和其鍵結的氮鍵結在一起而形成含5至6個 碳原子之環狀結構。
NR8 R7-l：-0 其中R7是含1至6個碳原子之烷基、含1至6個碳原子 之烷氧基、含1至6個碳原子之烷硫基、含1至6個碳原 子之二烷胺基、六氫吡啶基、硝基、羥基、巯基、含2至 6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20 個碳原子之芳基，R8是氫原子、含1至6個碳原子之烷 基、含2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基 或含6至20個碳原子之芳基，且R9及R1G各獨立地是氫 原子、含1至6個碳原子之烷基、含2至6個碳原子之烯 -35- (32) 1289727 基、含2至6個碳原子之炔基、含6至20個碳原子之芳 基或苄基，或R9及R1()與和其鍵結的氮鍵結在一起而形 成含5至6個碳原子之環狀結構。
R 11
(4) 其中R11是含1至6個碳原子之烷基、含2至6個碳原子 之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20個碳原子 之芳基，且R12及R13各獨立地是氫原子、含1至6個碳 原子之院基、含2至6個碳原子之儲基、含2至6個碳原 子之炔基、含6至20個碳原子之芳基或苄基，或R12及 R13與和其鍵結的氮鍵結在一起而形成含5至6個碳原子 之環狀結構。
其中R14及R15各獨立地是含1至6個碳原子之烷基、含 2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6 至2 0個碳原子之芳基。 R16-LLcH=CH-R18 (6) -36- (33) 1289727 其中R16、R17及R18各獨立地是含1至6個碳原子之烷基 、含2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或 含6至20個碳原子之芳基。
其中R19是含1至6個碳原子之烷基、含1至6個碳原子 之烷氧基、含1至6個碳原子之烷硫基、含1至6個碳原 子之二烷胺基、六氫吡啶基、硝基、羥基、锍基、含2至 6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20 個碳原子之芳基，R2()是氫原子、含2至6個碳原子之烯 基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20個碳原子之芳 基，且R21、R22及R2 3各獨立地是氫原子、含1至6個碳 原子之烷基、含2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原 子之炔基、含6至20個碳原子之芳基或苄基。
其中R24是含1至6個碳原子之烷基、含1至6個碳原子 之烷氧基、含1至6個碳原子之烷硫基、含1至6個碳原 子之二烷胺基、六氫吡啶基、硝基、羥基、锍基、含2至 6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20 -37- 1289727 個碳原子之芳基，R25及R26各獨立地是氫原子、羥基、 锍基、氰基、苯氧基、含1至6個碳原子之烷基、氟原子 、氯原子、溴原子或芳基，且R27及R28各獨立地是氫原 子、含1至6個碳原子之烷基、含2至6個碳原子之烯基 、含2至6個碳原子之炔基、含6至20個碳原子之芳基 或苄基，或R2 7及R28與和其鍵結的氮鍵結在一起而形成 含5至6個碳原子之環狀結構。
其中R29及R3G各獨立地是含1至6個碳原子之烷基、含 1至6個碳原子之烷氧基、含丨至6個碳原子之烷硫基、 含1至6個碳原子之二烷胺基、六氫吡啶基、硝基、羥基 、巯基、含2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子之 炔基或含6至20個碳原子之芳基，至R34各獨立地是 氫原子、羥基 '锍基 '氰基、苯氧基、含丨至6個碳原子 之院基、氟原子、氯原子、溴原子、含2至6個碳原子之 燦基、含2至6個碳原子之炔基或含6至20個碳原子之 芳基’且A 1是經由排除兩個氫原子鍵結至單烷基胺、六 氫吼哄、芳族二胺或脂族二胺之一或兩個氮原子而形成的 二價基。 -38- (10) 36 (35) 1289727
R 其中R3 5及R3 6各獨立地是含1至6個 1至6個碳原子之烷氧基、含！至6個 含1至6個碳原子之二烷胺基、六氫吡 、锍基、含2至6個碳原子之烯基、含 炔基或含6至20個碳原子之芳基，R3 7 氫原子、羥基、毓基、氰基、苯氧基、 之烷基、氟原子、氯原子、溴原子、含 烯基、含2至6個碳原子之炔基或含έ 芳基，R3 9至R42各獨立地是氫原子、： 之烷基、含2至6個碳原子之烯基、含 炔基、含6至20個碳原子之芳基或苄3 及R41及R42與和其鍵結的氮鍵結在一 個碳原子之環狀結構，且Α2是含1至 基、伸環己基、伸苯基或單鍵。 碳原子之烷基、含 碳原子之烷硫基、 啶基、硝基、羥基 2至6個碳原子之 及R38各獨立地是 含1至6個碳原子 2至6個碳原子之 »至20個碳原子之 爹1至6個碳原子 2至6個碳原子之 S，或 R39 及 R40、 起而形成含5至6 6個碳原子之伸烷
其中R43至R45各獨立地是氫原子、氟 原子、氯原子、溴 -39- (36) 1289727 原子、含1至6個碳原子之烷基、含1至6個碳原子之烷 氧基、含2至6個碳原子之稀基、含2至6個碳原子之炔 基或含6至20個碳原子之芳基。
LmCO • 3[(R46)3R47] 其中L是至少一個選自包括氨、吡啶、咪唑、乙二胺、丙 撐二胺、丁撐二胺、己撐二胺、丙二胺、1,2-環己二胺、 N，N-二乙基乙二胺及二乙撐三胺之配體，m是2至6之整 數，R46是含2至6個碳原子之烯基、含2至6個碳原子 之炔基或含6至20 .個碳原子之芳基，且R47是含1至18 個碳原子之烷基。
其中R4 8至rM各獨立地是氫原子、硝基、氟原子、氯原 子、溴原子、含1至6個碳原子之烷基、含2至6個碳原 子之烯基、含2至6個碳原子之炔基、含1至6個碳原子 之烷氧基或芳基，R52及R53各獨立地是乙醯基、乙醯氧 基或氰基，且R54是氫原子、含1至6個碳原子之烷基、 芳基或苄基。 在全部上式（2)至（13)中，烷基可以是直鏈、支 -40- (37) 1289727 鏈或環狀’芳基之實例包括苯基、萘基、蒽基及經由氟原 子、氯原子、溴原子、鹵烷基、羥基、羧基、毓基、氰基 、硝基、疊氮基、二烷胺基、烷氧基或烷硫基取代這些基 的氫原子所得者。 在這些對輻射敏感的鹼產生劑中，較宜是胺基甲酸 2-硝基苄基環己酯、三苯基甲醇、〇-胺基甲醯基羥基醯胺 、〇-胺基甲醯基肟、[[(2,6-二硝基苄基）氧基]羰基]環 己基胺、雙[[(2,6-二硝基苄基）氧基]羰基]己烷1，6-二 胺、4 -(甲硫基苯甲醯基）-1 _甲基-1 ·嗎福啉基乙烷、（ 4 -嗎福啉基苯甲醯基）-1 ·苄基-1 -二甲胺基丙烷、N - ( 2 · 硝基苄酯基）吡咯啶、六胺鈷（III )參（三苯基甲基硼 酸鹽）、2-苄基-2-二甲胺基-1- ( 4-嗎福啉基苯甲醯基）· 丁酮、2,6-二甲基-3, 5·二乙醯基-4- (2、硝基苯基）-U4-二氫吡啶及L6-二甲基- 3,5-二乙醯基-4-( 2，，4’-二硝基苯 基）-1，4 _二氫卩比B定。 上述對輻射敏感的基產生劑實例包括^ -二酮類例如 苄基及二乙醯基；偶姻類例如苯偶姻；偶姻醚類例如苯偶 姻甲基醚、苯偶姻乙基醚及苯偶姻異丙基醚；二苯甲酿1類 例如噻噸酮、2,4·二乙基噻噸酮、噻噸酮磺酸、二苯甲 酮' 4,4，-雙（二甲胺基）二苯甲酮及4，4，-雙（二乙胺基 )二苯甲酮；乙醯苯類例如乙醯苯、對-二甲胺基乙醯苯 ' α5α，-二甲氧基乙醯氧基乙醯苯、2，2，-二甲氧基·2_苯 基乙醯苯、對·甲氧基乙醯苯、2-甲基-[4-(甲硫基）苯基 ]-2-嗎福啉基-1 -丙酮及2-苄基-2·二甲胺基-1- ( 4·嗎福啉 -41 - (38) 1289727 基苯基）-丁 -1-酮；醌類例如蒽醌及1，4-萘醌；鹵基化合 物例如苯醯甲基氯、三溴甲基苯基砸及參（三氯甲基）· s-三畊；醯基膦氧化物例如2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基 膦氧化物、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）-2,4，4-三甲基-戊 基膦氧化物及雙（2,4,6_三甲基苯甲醯基）苯基膦氧化物 ;及過氧化物例如二第三丁基過氧化物。 這些對輻射敏感的基產生劑之商業化供應產品包括 IRGACURE- 1 84、3 69、5 00、65 1、907、1 700、819、 1000、2959、149、1800 及 1850，及 Darocur-1 1 73 > 1116 、29 59、1664 及 4043 ( Ciba Speciality Chemicals Co·，
Ltd·) 、KAYACURE-DETX、-MBP、-DMBI、-EPA 及-OA (Nippon Kayaku Co.; Ltd. ) 、VICURE-10 及 55 ( STAUFFER Co·，Ltd.) ^ TRIGONALP1 (AKZO Co.? Ltd. )、SANDORAY 1 000 ( SANDOZ Co” Ltd.) ' DEAP ( APJOHN Co.，Ltd.)及 Q U A N T A C U R E - P D O、-1 T X 及-E P D (WARD BLEKINSOP Co., Ltd.)。 對輻射敏感的基產生劑可以與對輻射敏感的敏化劑結 合使用，得到對輻射高度敏感的樹脂組成物。 當上述對輻射敏感的分解劑（C )是對輻射敏感的酸 產生劑或鹼產生劑時，其用量較宜是〇. 〇 1重量組份或更 多，更宜是0.05重量組份或更多，以10〇重量組份之無 機氧化物粒子（A)及可聚合的化合物（B)之總數爲基 準，當對輻射敏感的酸產生劑或鹼產生劑之量是小於0·01 重量組份時，其對輻射的敏感性將下降，上限値較宜是 -42- (39) 1289727 3 〇重量組份，更宜是2 0重量組份。 對輻射敏感的基產生劑之用量較宜是1至50重量 份，更宜是5至3 0重量組份，以1 00重量組份之無機 化物粒子（A )及可聚合的化合物（Β )之總數爲基準 當對輻射敏感的基產生劑之量是小於1重量組份時’其 輻射的敏感性將下降。 作爲成份（C )之上列化合物可以單獨或二或多種 合使用。 (D )可逃脫的化合物 在本發明中使用之可逃脫的化合物（D)是一種已 的化合物，當其加熱後分解、昇華或蒸發而經由揮發等 脫，加熱溫度較宜是70至40(TC，更宜是150至3 5 0 °C 成份（D)之折射率較宜是1.3至1.9，更宜是I·4至1 ，作爲成份（D )使用之可逃脫的化合物之分子量沒有 別的限制且可以低至單體或寡聚物。 可逃脫的化合物是例如聚醚、脂肪酸、脂肪酸酯、 肼化合物、腙化合物、偶氮化合物或胺基化合物’可逃 的化合物之典型實例如下。 聚醚之實例包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇及 丙二醇之嵌狀共聚物、聚乙二醇及聚丙二醇之無規則共 物、經由改良聚乙二醇之末端羥基所得之脂肪酸酯或烷 醚、經由改良聚丙二醇之末端羥基所得之脂肪酸酯或烷 醚、經由改良聚乙二醇-聚丙二醇共聚物之末端羥基所 組 氧 ， 對 結 知 逃 • 9 特 醯 脫 聚 聚 基 基 得 -43- (40) 1289727 之脂肪酸酯或烷基醚、經由用乙二醇改良山梨糖醇酐所得 之聚乙二醇山梨糖醇酐脂肪酸酯、經由用丙二醇改良山梨 糖醇酐所得之聚丙二醇山梨糖醇酐脂肪酸酯、經由用聚乙 二醇-聚丙二醇共聚物改良山梨糖醇酐所得之聚乙二醇·聚 丙二醇山梨糖醇酐脂肪酸酯、經由添加聚乙二醇、聚丙二 醇或聚乙二醇-聚丙二醇共聚物至 A型雙酚所得之聚醚二 醇、經由添加聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙二醇-聚丙二醇 共聚物至甘油所得之聚醚三醇、及經由添加聚乙二醇、聚 丙二醇或聚乙二醇-聚丙二醇共聚物至乙二胺所得之聚醚 四醇。 脂肪酸之實例包括丁酸、戊酸、己酸、辛酸、壬酸、 癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸及硬脂酸，也包括用雙 鍵取代上述脂肪酸之部份或全部單鍵所得之不飽和的脂肪 酸。 脂肪酸酯之實例包括辛酸乙酯、壬酸乙酯、肉豆蔻酸 甲酯、肉豆蔻酸乙酯、棕櫚酸甲酯、硬脂酸甲酯及花生四 烯酸甲酯，也包括用雙鍵取代上述脂肪酸酯之部份或全部 單鍵所得之不飽和的脂肪酸酯。 醯肼化合物之實例包括水楊酸醯肼、馬來酸醯肼、 對-甲苯磺醯基醯胼、對，對氧基雙苯磺醯基醯肼、硫代 碳酸醯肼、3-羥基-2-萘酸醯肼、碳二醯肼、己二酸二醯 肼、癸二酸二醯肼、十二烷二醯肼、異酞酸二醯肼、丙酸 二醯肼、雙（亞環己基）酸草醯基二醯肼及胺基聚丙烯醯 胺。 -44- (41) 1289727 腙化合物之實例包括二苯甲酮腙、對-甲苯磺醯基丙 酮腙、羰基氰化物間-氯苯基腙及羰基氰化物3 -氯苯基腙 〇 偶氮化合物之實例包括偶氮二碳化醯胺、二苯基卡巴 腙、二苯基硫卡巴腙、2，2 ’ -偶氮雙異丁腈、2，2，-偶氮雙 (2，4-二甲基戊腈）、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基丁腈）、 1，1’_偶氮雙（卜乙醯氧基-1-苯基乙烷）及2,2，-偶氮雙（ 2-甲基丁烷偕胺肟）。 胺化合物之實例包括辛胺、月桂胺、硬脂胺、油胺、 肉豆蔻胺、鯨蠟銨、三乙醇胺及二亞硝基五甲撐四胺。 成份（D )可作爲無機氧化物粒子（a )之分散劑。 上述化合物分子中所含的氫原子可經由烯系不飽和鍵 、環氧基、環硫醚基、nf坦基、異氰酸醋基、氰酸醋基、 口琴唑基、吗哄基或矽烷基取代，其可經由酸、鹼或從對輻 射敏感的分解劑（C )形成之基聚合化。上列已知化合物 可以在本發明中作爲可逃脫的化合物（D )而無限制，但 是含芳族環、鹵素原子或硫原子之化合物有利於用於增加 折射率。 列出作爲成份（D )之全部化合物之氫原子可經由氯 原子、漠原子、經基、疏基、院氧基、院硫基、鹵院基、 鹵烷氧基、鹵烷硫基、硫酯基、巯基烷基、芳基、芳烷基 或氰基取代。 可以是直鏈或支鏈的上述烷氧基之實例包括甲氧基、 乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第 -45- (42) 1289727 二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、新戊氧基及正己 〇 可以是直鏈或支鏈的上述烷硫基之實例包括甲硫 乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基 二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、新戊硫基及正己 〇 上述鹵烷基之實例包括三氟甲基、五氟乙基、七 基、氯甲基、2-氯乙基、3-氯丙基、1-氯甲基乙基、 丁基、2-氯甲基丙基、5-氯戊基、3-氯甲基丁基、2-基丙基、6-氯己基、3-氯甲基戊基、4-氯甲基戊基、 乙基丁基、溴甲基、2-溴乙基、3-溴丙基、1-溴甲基 、4-溴丁基、2-溴甲基丙基、5-溴戊基、3-溴甲基丁 溴乙基丙基、6-溴己基、3-溴甲基戊基、4-溴甲基 及2-溴乙基丁基。 上述鹵烷氧基之實例包括三氟甲氧基、五氟乙氧 七氟丙氧基、氯甲氧基、2-氯乙氧基、3-氯丙氧基、 甲基乙氧基、4-氯丁氧基、2-氯甲基丙氧基、5-氯戊 、3-氯甲基丁氧基、2_氯乙基丙氧基、6-氯己氧基、 甲基戊氧基、4 -氯甲基戊氧基、2 -氯乙基丁氧基、溴 基、2-溴乙氧基、3-溴丙氧基、1-溴甲基乙氧基、4-氧基、2-溴甲基丙氧基、5-溴戊氧基、3-溴甲基丁氧 2-溴乙基丙氧基、6-溴己氧基、3-溴甲基戊氧基、4-基戊氧基及2-溴乙基丁氧基。 上述鹵烷硫基之實例包括三氟甲硫基、五氟乙硫 氧基 基、 、第 硫基 氟丙 4-氯 氯乙 2·氯 乙基 基、 戊基 基、 1 -氯 氧基 3 ·氯 甲氧 溴丁 基、 溴甲 基、 -46- (43) 1289727 七氟丙硫基、氯甲硫基、2 -氯乙硫基、3 -氯丙硫基、1-氯 甲基乙硫基、4 -氯丁硫基、2 -氯甲基丙硫基、5 -氯戊硫基 、3-氯甲基丁硫基、2-氯乙基丙硫基、6-氯己硫基、3-氯 甲基戊硫基、4-氯甲基戊硫基、2-氯乙基丁硫基、溴甲硫 基、2-溴乙硫基、3-溴丙硫基、1-溴甲基乙硫基、4-溴丁 硫基、2 -溴甲基丙硫基、5 -溴戊硫基、3 -溴甲基丁硫基、 2-溴乙基丙硫基、6-溴己硫基、3-溴甲基戊硫基、4-溴甲 基戊硫基及2-溴乙基丁硫基。 上述硫酯基之實例包括乙醯基磺胺基、異丁醯基磺胺 基、正戊薩基磺胺基、新戊醯基磺胺基及正己醯基磺胺基 〇 .上述锍基院基之實例包括锍基甲基、2-酼基乙基、3-锍基丙基、1-巯基甲基乙基、4-锍基丁基、2-毓基甲基丙 基、5 -毓基戊基、3 -锍基甲基丁基、2 -毓基乙基丙基、6-锍基己基、3-锍基甲基戊基、4-锍基甲基戊基及2-巯基乙 基丁基。 上述芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯 基及1-萘基。 上述芳烷基之實例包括苄基、α -甲基苄基、苯乙基 及萘基甲基。 作爲成份（D )之這些化合物可以單獨或二或多種結 合使用。 成份（D )之量較宜是1至99重量組份，更宜是5 至9 0重量組份’以1 〇 〇重量組份之成份（a )及（Β )之 -47- (44) 1289727 總數爲基準，當成份（D )之量小於1重量組份時，所得 的折射率差異容易變小且當量大於99重量組份時，折射 率改變的材料容易變成脆化。 <其他成份> 本發明折射率改變的組成物可含其他成份，其限制是 不會破壞本發明之目的，該添加劑包括紫外光吸收劑、敏 化劑、表面活性劑、耐熱改良劑及助黏著劑。 上述紫外光吸收劑是例如苯並三唑、水楊酸酯、二苯 甲酮、鯨取代之丙烯腈、氧雜蒽、香豆素、黃酮或查耳_ ’紫外光吸收劑之特定實例包括Ti nub in 234 ( 2· ( 2-經 基-3,5-雙（α5α-二甲基苄基）苯基）·2Η-苯並三唑）、 T1 η u b 1 η 5 7 1 (經基苯基苯並三卩坐二衍生物）及Tinubin 1130 (甲基-3- ( 3-第三丁基·5· ( 2H-苯並三唑-2-基）· 4 -羥基丙基）丙酸酯及聚乙二醇（分子量3〇〇) ) (Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd·) 、1，7 -雙（4 -羥基-3.甲氧 基苯基）-1，6-庚二烯- 3,5_二酮及亞苄基丙酮。 經由添加紫外光吸收劑’從成份（C )形成的酸或鹼 可以隨著本發明折射率改變的材料從暴露部份的表面深度 增加而逐漸變少’其可用於形成grin，紫外光吸收劑的 量較宜是30重量組份或更少，更宜是20重量組份或更少 ’以1 00重量組份之成份（A )及（b )之總數爲基準。 上述敏化劑是例如在3-畏忌及/或厂位置含取代基之 香豆素、黃酮、二苄叉丙酮、二苄叉環己烷、查耳酮、氧 •48- (45) 1289727 雜蒽、硫氧雜蒽、樸啉、酞花青、吖啶或蒽。 敏化劑之量較宜是3 0重量組份或更少，更宜是2 0重 量組份或更少，以1 〇 〇重量組份之成份（A )及（B )之 總數爲基準。 上述表面活性劑可以添加用於改進塗覆性例如防止輝 紋及改進顯色力。 表面活性劑之實例包括非離子性表面活性劑例如聚氧 乙烯烷基醚類包括聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂醯基 醚及聚氧乙烯油基醚；聚氧乙烯芳基醚類包括聚氧乙烯辛 基苯基醚及聚氧乙烯壬基苯基醚；及聚乙二醇二烷基酯類 包括聚乙二醇二月桂酸酯及聚乙二醇二硬脂酸酯；氟基質 的表面活性劑，其係在F Top EF301、EF303及EF352( Shin Akita Kasei Co·，Ltd.) 、Megafac F171、F172 及 F 1 7 3 ( Dainippon Ink and Chemicals, Inc. ) 、Florade FC43 0 及 FC43 1 ( Sumitomo 3M L i m i t e d )及 A s a h i G u a r d AG710、Surflon S-3 82、SC-101、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105 及 SC-106 (Asahi Glass Co·，Ltd·)之商標 名稱下商業化供應；及其他表面活性劑其係在ο KP341有 機砂氧烷聚合物（Shin-Etsu Chemical Co.5 Ltd.)及 Poly flow No· 57及No. 95丙烯酸或甲基丙烯酸基質（共 )聚合物（Kyoeisha Kagaku Co·，Ltd·)之商標名稱下商 業化供應。 表面活性劑之量較宜是2重量組份或更少，更宜是1 重量組份或更少，以1 〇〇重量組份之成份（A )及（B ) -49- (46) 1289727 之總數爲基準。 上述助黏著劑可以添加用於改進對基板之黏著性且較 宜是矽烷偶合劑。 上述耐熱改良劑是一種不飽和的化合物例如聚丙烯酸 酯。 視需要還可以在本發明折射率改變的組成物中加入抗 靜電劑、安定劑、光暈抑制劑、抗發泡劑、顏料及酸熱產 生劑。 <形成折射率圖案> 在本發明中，例如下文可以從上述折射率改變的組成 物形成折射率圖案。 首先，將折射率改變的組成物溶解或分散在溶劑中， 製備固體含量是5至70重量％之組成物溶液，使用前視 需要將組成物溶液經由開口直徑約0. 1至1 0微米之濾紙 過爐。 隨後，將此組成物溶液施加至例如矽晶片之基板表面 並預烘烤將溶劑去除以致於形成折射率改變的組成物之塗 膜，然後將部份形成的塗膜經由圖案光罩暴露至輻射，並 進行暴露後烘烤（PEB )使折射率改變的組成物之暴露與 未暴露部份之間有折射率差異。 將從對輻射敏感的分解劑（C )經由上述暴露形成的 酸、鹼或基作用在作爲成份（B)之可聚合的化合物，使 成份（B )聚合並交聯，因而侷限可脫逃的化合物（D ) -50- (47) 1289727 並預防成份（D)脫逃，因爲上述聚合及交聯不會發 未暴露部份，成份（D)脫逃，由於成份（D)之存 不存在，因而造成暴露及未暴露部份之折射率差異。 製備含在本發明中使用之折射率改變的化合物之 所使用的溶劑可以均勻溶解或分散上述成份（A )、 )、（C )及（D )及其他添加劑且不會與這些成份 〇 溶劑之實例包括醇類例如甲醇、乙醇、丙醇、異 、丁醇、乙二醇及丙二醇；醚類例如四氫呋喃；纖維 如甲基纖維素、乙基纖維素、丙基纖維素及丁基纖維 乙二醇烷基醚醋酸酯例如甲基纖維素醋酸酯及乙基纖 醋酸酯；二甘醇例如二甘醇單甲醚、二甘醇二甲醚、 醇單乙基甲基醚及二甘醇二乙醚；丙二醇單烷基醚例 二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚； 醇烷基醚醋酸酯例如丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚 酯、丙二醇丙醚醋酸酯及丙二醇丁醚醋酸酯；丙二醇 醚丙酸酯例如丙二醇甲醚丙酸酯、丙二醇乙醚丙酸酯 二醇丙醚丙酸酯及丙二醇丁醚丙酸酯；芳族烴類例如 及二甲苯；酮類例如甲基乙基酮、環己酮及4-羥基· 基-2-戊酮；酯類例如醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙 醋酸丁酯、2 -羥基丙酸乙酯、2 -羥基-2-甲基丙酸甲酯 羥基-2-甲基丙酸乙酯、羥基醋酸甲酯、羥基醋酸乙 羥基醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳 酯、3-羥基丙酸甲酯、3-羥基丙酸乙酯、3·羥基丙酸 生在 在及 溶液 (B 反應 丙醇 素例 素； 維素 二甘 如丙 丙二 醋酸 烷基 、丙 甲苯 .4 -甲 酯、 、2- 酯、 酸丁 丙酯 -51 - (48) 1289727 、3_羥基丙酸丁酯、2 -羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基醋酸 甲酯、甲氧基醋酸乙酯、甲氧基醋酸丙酯、甲氧基醋酸丁 酯、乙氧基醋酸甲酯、乙氧基醋酸乙酯、乙氧基醋酸丙酯 、乙氧基醋酸丁酯、丙氧基醋酸甲酯、丙氧基醋酸乙酯、 丙氧基醋酸丙酯、丙氧基醋酸丁酯、丁氧基醋酸甲酯、丁 氧基醋酸乙酯、丁氧基醋酸丙酯、丁氧基醋酸丁酯、2 -甲 氧基丙酸甲酯、2 -甲氧基丙酸乙酯、2 -甲氧基丙酸丙酯、 2- 甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙 酯、2 -乙氧基丙酸丁酯、2 -乙氧基丙酸甲酯、2 -乙氧基丙 酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧 基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、h甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯 、3 -乙氧基丙酸甲酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、3 -乙氧基丙酸 丙酯、3 -乙氧基丙酸丁酯、3 -丙氧基丙酸甲酯、3 -丙氧基 丙酸乙酯、3 -丙氧基丙酸丙酯、3 -丙氧基丙酸丁酯、3 -丁 氧基丙酸甲酯、3 -丁氧基丙酸乙酯、3 -丁氧基丙酸丙酯、 3- 丁氧基丙酸丁酯；及含氟原子的溶劑例如三氟甲基苯、 1，3 -雙（三氟甲基）苯、硫氟苯、六氟環己烷、全氟二甲 基環己烷、全氟甲基環己烷、八氟萘烷及1，1，2-三氯-1，2,2·三氟乙烷。 在這些溶劑中，從溶解度、與各成份之反應性及形成 塗膜的容易性之觀點，醇類、二醇醚類、乙二醇烷基醚醋 酸酯類、丙二醇烷基醚醋酸酯類、酮類、酯類及二甘醇類 較佳。 -52- (49) 1289727 另外’可以將高沸點溶劑與上述溶劑結合使用，高沸 點溶劑之實例包括N-甲基甲醯胺、N，N- =甲基甲醯胺、 N -甲基甲醯替苯胺、N -甲基乙醯胺、N，N-=甲基乙醯胺、 N -甲基吡咯酮、二甲亞硕、苄基乙基醚、二己醚、丙酮基 丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、b壬醇、；醇、 醋酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、 7-丁內酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、苯基纖維素醋酸 酯及二甘醇單苄基醚。 在本發明中使用之折射率改變的組成物是考量應用目 的在暴露至輻射前模塑成各種形狀，例如，將其模塑成桿 狀、纖維、長板、球、膜或鏡片，本發明對此並無限制， 慣用的方法可以用於模塑本發明之折射率改變的組成物， 例如，可以使用注射模塑、壓縮模塑、吹模、擠壓、模具 內聚合、刮平、抽拉、加熱/冷卻、VCD沈積、燒結或掃 描法，根據光學模塑產物之應用目的，也可使用旋轉塗覆 、切條、條形塗覆、溶劑澆鑄、LB、噴霧、輥塗覆、凸 版印刷及網版印刷。 在暴露至輻射前的此模塑方法中，較宜進行加熱（以 下稱爲”預烘烤”），加熱情形是根據本發明組成物之材料 及各添加物之種類而改變，且較宜是30至200 °C，更宜 是40至150 °C，加熱板或烤爐、或紅外線輻射可用於加 熱。用於暴露之輻射是波長爲3 6 5毫微米之射線、波長 爲404毫微米之h-射線、波長爲43 6毫微米之g·射線、 從寬波長光源例如氙燈之紫外線輻射、遠紫外線輻射例如 -53- (50) 1289727 波長是248毫微米之KrF激發雷射光或波長是193毫微米 之ArF激發雷射光、X-輻射例如同步加速器輻射、荷電微 粒束例如電子束、可見光輻射或其混合物，其中，較宜是 遠紫外線輻射及可見光輻射，決定於輻射波長之照明度較 宜是1至1，〇〇〇瓦/平方米，因爲可以得到最高的反應效 率。對輻射敏感而折射率改變的組成物可以經由圖案光罩 暴露至上述輻射而圖案化，至於受使用光源影響之圖案精 確性，可以產生解析度約0.2微米之折射率改變分布之光 學部份。 在本發明中，暴露後較宜進行加熱（稱爲”暴露後烘 烤（PEB ) ”），上述預烘烤裝置之類似裝置可用於PEB ’且PEB情形可以隨意，加熱溫度較宜是30至150 °C， 更宜是3 0至1 3 0 °C。 另外，可以進行再度暴露將存在於未暴露部份之殘留 成份（C )分解並進一步改進材料之安定性。 進行再度暴露可以根據改變折射率之方式，在相同量 下施加相同波長之輻射至圖案之整個表面。 視需要可以進一步進行加熱將存在於未暴露部份之成 份（D )完全去除，並進一步改進材料之安定性，模塑時 使用的預烘烤裝置之類似裝置可以用於加熱且加熱情形可 以隨意。 根據本發明上述形成之折射率圖案中，暴露部份之折 射率是高於未暴露部份，此差異可以經由控制在本發明中 使用的折射率改變的材料所含的成份（A )及（B )之種 -54- (51) 1289727 類及含量而調整至所要的値’例如，折射率差異之最大値 可以調整至大於0 · 0 2之値。 因爲本發明之折射率圖案不會惡化而沒有改變折射率 ，即使當其是在光波長接近上述穿過其用於改變折射率的 波長之情形使用其非常合適作爲光學材料使用在光電及顯 示領域。 【實施方式】 實例 下列實例是提供用於進一步說明本發明之目的且不能 作爲其限制。 各化合物在聚本乙燒下之重量平均分子量是使用 Showa Denko Κ·Κ·之 GPC CHROMATOGRAPH SYSTEM-21 測量。 成份（B )之合成實例 合成實例1 將7重量組份之2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）及 2 00重量組份之二甘醇乙基甲基醚進料至配備冷卻管及攪 拌器之燒瓶，隨後，將1 0重量組份之苯乙烯、2 0重量組 份之甲基丙烯酸、40重量組份之甲基丙烯酸2-(2^乙烯 氧基乙氧基）乙酯及25重量組份之甲基丙烯酸二環戊酯 進料至燒瓶，將燒瓶內部用氮氣置換，並將5重量組份之 1，3-丁二烯進料至燒瓶並溫和攪拌，將容易加熱至70°C並 -55- (52) 1289727 維持在此溫度經5小時而得到含共聚物（B -1 )之聚合物 溶液，所得的聚合物溶液之固體含量是3 3 · 5 %且聚合物（ B-1)之重量平均分子量是29,000° 合成實例2 在配備攪拌器及溫度計之5 00毫升三頸燒瓶內部完全 經氮氣置換後，同時將140克甲苯、24克苯乙烯及4.9克 2-異丙烯基-2-哼唑啉加入燒瓶，燒瓶內部溫度上升至100 °C後，加入2.3克之2,2’-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈作爲引 發劑而開始反應，隨後，在3 · 5小時內將6 1 . 5克苯乙烯 、4.9克引發劑及61.5克甲苯同時逐滴加入反應溶液，然 後，使反應產物老化1 .5小時而得到淡黃色聚合物溶液。 將所得的聚合物溶液用400克甲苯稀釋並注射至2升 甲醇內使沈澱，將沈澱物溶解在400克甲苯並再度注射至 2升甲醇內使經由再度沈澱而純化，在120 °C真空乾燥後 ，得到62克聚合物（B-2 )，所得的聚合物（B-2 )之重 量平均分子量是1 60,000。 合成實例3 將71克苯基三甲氧基矽烷及10克甲基三甲氧基矽烷 進料至配備攪拌器及溫度計之500毫升三頸燒瓶內，加入 90克正丁醇並溶解在混合物中，將所得的混合物溶液在 6 0 °C及用磁攪拌器攪拌下加熱，將經由加入1 · 2克1 N氫 氯酸至40克離子交換水與正丁醇之1:1混合溶液而製備 -56- (53) 1289727 的溶液添加至所得的溶液歷經1 〇分鐘，在60 °c反應4小 時後，使所得的反應溶液冷卻至室溫。 隨後，在減壓下將反應副產物之甲醇從反應溶液蒸餾 去除，並將反應溶液濃縮至固體含量是3 0重量％而得到 含聚合物（B-3 )之溶液，此聚合物（B-3 )之重量平均分 子量是5,000 。
合成實例4 將50克甲基三甲氧基矽烷、90克丙二醇甲醚及0.25 克肆（乙烯基丙酮基）鈦進料至配備攪拌器及溫度計之 5 00毫升三頸燒瓶內使其溶解，並將所得的混合溶液在60 °C及用磁攪拌器攪拌下加熱，將離子交換水與丙二醇甲醚 之4 0克1:1混合溶液連續添加至所得的溶液歷經1小時 ，在6 0 °C反應4小時後，使所得的反應溶液冷卻至室溫
隨後，在減壓下將反應副產物之甲醇從反應溶液蒸餾 去除，並將反應溶液濃縮至固體含量是3 0重量％而得到 含聚合物（B-4)之溶液，此聚合物（B-4)之重量平均分 子量是1 0,000。 實例1
將作爲成份（A )之90重量組份Zr02粒子分散在作 爲分散劑之3重量組份特殊聚羧酸型聚合物表面活性劑之 Homogenol L-18 (Kao Corporation)，將作爲成份（C -57- (54) 1289727 )之10重量組份4，4’-雙（二乙胺基）二苯甲酮及作爲成 份（D )之1 2重量組份硬脂酸溶解在二甘醇乙基甲基醚 使總固體含量是2 0 %，並將所得的溶液用開口直徑是〇.2 微米之膜濾紙過濾，製備折射率改變的組成物。 (1 )形成塗膜 用旋轉器將上述組成物施加至矽基板並在i 〇 〇 °C之加 熱板預烘烤1分鐘而形成1 · 0微米厚之塗膜。 (2 )形成折射率圖案 用 NSR150516A 還原投射暴露裝置（Nikon Corporation，ΝΑ = 0·45，λ = 3 65毫微米）經由圖案光罩在最 適化聚焦深度下將上述所得的塗膜暴露至4，0 0 0焦耳/平 方米及8,0 0 0焦耳/平方米，然後將塗膜在220°C烘烤30 分鐘而形成在暴露及未暴露部份之間有折射率差異之折射 率圖案。 (3 )測量折射率 上述形成的折射率圖案之暴露部份及未暴露部份之折 射率是在 63 3毫微米用 MODEL2010稜鏡偶合器（ METRICON Co.，Ltd.)及 #200-Ρ-1 或 #200-P_2 測量稜鏡 測量，結果列在表1。 (4 )用汞孔率計測量孔率 -58- (55) 1289727 上述形成的折射率圖案之低折射率部份及高折射率部 份之孔率是用汞孔率計（Autopore 92 00，Shimadzu Corporation，最小可測量的孔洞直徑是34A )測量。 (5 )透明度評估 除了用 Corning 1737 玻璃基板（Corning Co·，Ltd·) 代替矽基板以外，相同於·（ 1 )及（2 )之方法在玻璃基板 上形成折射率圖案。 在玻璃基板上形成的折射率圖案之暴露部份及未暴露 部份之透羽度是在400至800毫微米之波長下用150-20 雙光束光度計（Hitachi，Ltd.)測量，在400毫微米測量 之透明度結果列在表1。 實例2 除了使用10重量組份聚合物（B-1 )作爲成份（B ) 及1 2重量組份二亞硝基五甲撐四胺作爲成份（D )以外 ，相同於實例1之方法進行評估，結果列在表1。 實例3 除了使用10重量組份聚合物（B-3 )作爲成份（B ) ，1重量組份4 -經基-1-萘基一甲基硫鐵二氟醋酸鹽作爲 成份（C )及1 2重量組份偶氮碳醯胺作爲成份（D ).，並 在8 0°C進行暴露後烘烤經5分鐘以外，相同於實例丨之 方法進行評估，結果列在表1。 -59- (56) 1289727 實例4 除了使用85重量組份Ti〇2粒子作爲成份（a )及15 重量組份聚合物（B-2 )作爲成份（B )分散在1 2重量組 份PE-62聚乙一醇-聚丙二醇嵌狀共聚物（Sanyo Chemical Industries, Ltd )作爲成份（d )之分散液以外，相同於實 例1之方法進行評估，結果列在表1。 實例5 除了使用1 5重量組份聚合物（B - 4 )作爲成份（B ) 及7重量組份2,6·二甲基- 3,5-二乙醯基-4-(2’，4，-二硝基 苯基）-1，4-二氫吡啶作爲成份（C )，並在110°C進行暴 露後烘烤經1分鐘以外，相同於實例4之方法進行評估， 結果列在表1。 實例6 除了使用15重量組份聚合物（B-1)作爲成份（B) 及5重量組份4-三甲基-戊基膦氧化物作爲成份（C )以 外，相同於實例4之方法進行評估，結果列在表i。 實例7 除了使用85重量組份Ah〇3粒子作爲成份（a )及 15重量組份聚合物（B-1 )作爲成份（B )分散在8重量 組份 PEG-200 聚乙二醇（Sanyo Chemical Industries，Ltd -60- (57) 1289727 )作爲成份（D )之分散液以外，相同於實例1之方法進 行評估，結果列在表1。 實例8 除了使用1 5重量組份聚合物（B - 3 )作爲成份（b ) 及5重量組份6-二胺-4-(甲硫基苯甲醯基）甲基-卜嗎 福啉基乙院作爲成份（C )，並在8 0 °C進行暴露後烘烤經 3分鐘以外，相同於實例7之方法進行評估，結果列在表 實例9 除了使用15重量組份聚合物（B_4)作爲成份（b) 及5重量組份三苯基硫_四氟硼酸鹽作爲成份（（：），並 在1 1 0 C進行暴露後烘烤經2分鐘以外，相同於實例7之 方法進行評估，結果列在表1。 -61 - (58) 1289727 表1 暴露重 折射率 孔率 透明度 實例1 〇焦耳/平方米 1.58 12.0% 95.2 4,000焦耳/平方米 1.68 4.3% 96.5 8,000焦耳/平方米 1.74 0.1% 95.2 實例2 〇焦耳/平方米 1.56 14.9% 95.4 4,000焦耳/平方米 1.66 9.6% 97.2 8,000焦耳/平方米 1.70 0.3% 95.3 實例3 〇焦耳/平方米 1.57 16.3% 96.1 4,000焦耳/平方米 1.67 10.9% 95.1 8,000焦耳/平方米 1.71 0.5% 95.2 實例4 〇焦耳/平方米 1.73 18.0% 87.1 4,000焦耳/平方米 1.82 7.9% 85.2 8,000焦耳/平方米 1.89 0.5% 84.1 實例5 〇焦耳/平方米 1.69 18.8% 88.2 4,000焦耳/平方米 1.80 5.9% 85.1 8,000焦耳/平方米 1.85 0.6% 84.1 實例6 〇焦耳/平方米 1.68 15.0% 87.1 4,000焦耳/平方米 1.77 3.8% 83.4 8,000焦耳/平方米 1.80 0.1% 82.1 實例7 〇焦耳/平方米 1.48 15.8% 94.3 4,000焦耳/平方米 1.55 5.3% 95.1 8,000焦耳/平方米 1.57 0.5% 95.2 實例8 〇焦耳/平方米 1.48 15.8% 97.9 4,000焦耳/平方米 1.55 3.5% 95.1 8,000焦耳/平方米 1.57 0.4% 96.3 實例9 〇焦耳/平方米 1.50 15.3% 97.1 4,000焦耳/平方米 1.57 11.9% 96.1 8,000焦耳/平方米 1.59 0.4% 96.2 -62- (59) 1289727 因爲經由本發明方法形成的折射率圖案具有足夠大的 折射率差異且所得的折射率差異對光及熱安定，其非常合 適作爲光學材料用於光電及顯示領域，本發明之折射率圖 案還可作爲光學材料用於光陣列、鏡片、光偶合器、光中 繼器、極化光分流器、全息圖、單-模式及多重模式光學 纖維、捆捲纖維、光導器、單核心、多核心及光電偶合光 學連接器、光學分隔器、光學感測器例如光二極體、光學 穿透器、光學- ICs、CCD影像感測器、CMOS影像感測器 、光學纖維感測器及光學纖維迴轉儀 '光碟例如CD、LD 、PD及DVD、光學轉換器、波導器、光學觸摸板、繞射 光柵、光學導板、光學散射器、抗反射器及光學密封器。 -63-

Claims (1)

1289727 (1) 拾、申請專利範圍 第93 1 1 86 5 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年8月2日修正 1 · 一種對輻射敏感而折射率改變的組成物，其包含 (A )無機氧化物粒子、（B )可聚合的化合物、（C )對 輻射敏感的分解劑及（D )可逃脫的化合物，其中 該無機氧化物粒子（A )對酸、鹼或該成分（C )對 輻射敏感的分解劑經暴露於輻射下所生成之基團安定， 該可聚合的化合物（B )係選自具有烯系不飽和鍵、 環氧基、環硫醚基、噁阻基、噁唑基、噁嗪基或馬來醯亞 胺基之聚合物、或含有殘餘烷氧基之聚矽氧烷， 該對輻射敏感的分解劑（C )係選自（a )作爲對輻射 敏感的酸產生劑之三氯甲基-s-三嗪、二芳基碘鐵鹽、三 芳基硫鑰鹽、四級銨鹽或磺酸酯、（b )作爲對輻射敏感 的鹼產生劑之光學活性氨基甲酸酯、醯胺、肟酯、α -胺 基乙醯苯或銘複合物、或（c )作爲對輻射敏感的基團產 生劑之α -二酮、偶姻、偶姻醚、二苯甲酮、乙醯苯、醌 、鹵化合物、醯基膦氧化物或過氧化物， 該可逃脫的化合物（D )係選自聚醚、脂肪酸、脂肪 酸酯、醯肼化合物、腙化合物、偶氧化合物或胺基化合物 ，且 基於該成分（A )和（Β )總計爲1 00重量份，該成 (2) 1289727 分（A) 、( B) 、（C)及（D)之量係分別爲5至95重 量份、5至95重量份、0.01至30重量份及1至99重量 份。 2 ·如申請專利範圍第1項之對輻射敏感而折射率改 變的組成物，其中成份（C )暴露至輻射後分解而形成酸 、驗或基團，且此分解產物增加成份（B)之分子量。 3 · —種形成折射率圖案之方法，其包含旋轉塗敷申 請專利範圍第1項之對輻射敏感而折射率改變的組成物至 基板上，施加波長爲193至43 6nm之輻射至該塗敷膜的 至少一部份，及於30至150°C之溫度下加熱該膜以使暴 露部份之該可聚合的化合物（B )聚合，使得經由交聯以 侷限該可逃脫的化合物（D )並使未暴露部份之該可逃脫 的化合物（D )逃脫。 4 ·如申請專利範圍第3項之方法，其中經由揮發使 未暴露部份之可逃脫的化合物（D )逃脫而形成孔洞。 5 _ —種經由申請專利範圍第3或4項之方法所形成 之折射率圖案，其包含有或無孔洞之未暴露部份及無孔洞 之暴露部份，其中該暴露部份具有高於該未暴露部份之折 射率。 6 ·如申請專利範圍第5項之折射率圖案，其係作爲 光學材料。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006343455A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Fujifilm Holdings Corp プラスチック光学材料の製造方法
JPWO2007029522A1 (ja) * 2005-09-01 2009-03-19 住友電気工業株式会社 透光性薄膜、光学素子、およびそれらの製造方法
EP1996967A1 (en) * 2006-03-20 2008-12-03 CooperVision International Holding Company, LP Demolding aids for silicone hydrogels and related methods
JP2008037907A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Three Bond Co Ltd 硬化性樹脂組成物
WO2008074017A2 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 University Of Washington Polymer charge transport material for optoelectronic devices
WO2009070438A1 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Bausch & Lomb Incorporated Optical material and method for modifying the refractive index
US9060847B2 (en) * 2008-05-19 2015-06-23 University Of Rochester Optical hydrogel material with photosensitizer and method for modifying the refractive index
KR101245336B1 (ko) 2009-10-07 2013-03-19 한국과학기술연구원 이트륨옥사이드 함유 유전잉크 조성물 및 그의 제조방법
JP5540689B2 (ja) * 2009-12-18 2014-07-02 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性組成物、硬化膜及びこの形成方法
US9144491B2 (en) 2011-06-02 2015-09-29 University Of Rochester Method for modifying the refractive index of an optical material
US9240565B2 (en) * 2013-06-06 2016-01-19 Toyo Gosei Co., Ltd. Composition
KR20180110671A (ko) * 2016-02-19 2018-10-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20180123045A (ko) * 2016-03-28 2018-11-14 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102164614B1 (ko) * 2017-11-24 2020-10-12 주식회사 엘지화학 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 필름

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315152A (en) * 1976-07-27 1978-02-10 Canon Inc Hologram
JPH0638125B2 (ja) 1985-07-26 1994-05-18 三菱電機株式会社 光集束性プラスチツクの製造方法
JPH03192310A (ja) 1989-12-22 1991-08-22 Mitsubishi Rayon Co Ltd プラスチック光伝送体の製造方法
JP2583364B2 (ja) * 1990-06-19 1997-02-19 三菱電機株式会社 感光性樹脂組成物
JPH0560931A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Fujitsu Ltd 屈折率分布型プラスチツク樹脂成形体
DE69324942T2 (de) * 1992-02-14 1999-10-07 Shipley Co Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren
JPH05275789A (ja) 1992-03-26 1993-10-22 Res Dev Corp Of Japan ポリマー光ファイバーアンプ
EP0615141B1 (en) * 1992-08-17 2001-11-07 KOIKE, Yasuhiro METHOD OF MANUFACTURING PLASTICS OPTICAL WAVEGUIDEs
EP0589241B1 (en) 1992-09-23 1999-04-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive dielectric sheet composition and multilayer interconnect circuits
CA2110233C (en) * 1992-12-02 1999-01-12 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Optical information recording medium and composition for optical information recording film
JPH0756336A (ja) * 1993-06-07 1995-03-03 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
JP3291854B2 (ja) 1993-08-16 2002-06-17 住友電気工業株式会社 光伝送用プラスチック部材の製造方法
JPH0792313A (ja) 1993-09-20 1995-04-07 Toshiba Corp 光ファイバー型回折格子
JP3530630B2 (ja) 1995-06-09 2004-05-24 康博 小池 屈折率分布型光ファイバー及びその母材の製造方法
JP3679155B2 (ja) 1995-06-09 2005-08-03 康博 小池 屈折率分布型光学樹脂材料の製造方法
JPH09133813A (ja) 1995-11-07 1997-05-20 Fujikura Ltd 光ファイバ接続部収納ユニットと光ファイバ接続部収納構造
JP2914486B2 (ja) 1995-12-26 1999-06-28 清藏 宮田 光ファイバ、及びその製造方法
US6210858B1 (en) * 1997-04-04 2001-04-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Anti-reflection film and display device using the same
US6495309B1 (en) * 1998-12-15 2002-12-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polymeric film having a coating layer of a phosphonic acid group containing polymer
US6268089B1 (en) * 1998-02-23 2001-07-31 Agere Systems Guardian Corp. Photorecording medium and process for forming medium
TW482817B (en) * 1998-06-18 2002-04-11 Jsr Corp Photosetting compositions and photoset articles
GB9815271D0 (en) * 1998-07-14 1998-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Particles and devices comprising particles
US6627354B1 (en) * 1999-03-01 2003-09-30 Lucent Technologies Inc. Photorecording medium, process for fabricating medium, and process for holography using medium
JP2001200023A (ja) 2000-01-17 2001-07-24 Jsr Corp 硬化性組成物、その硬化物及び積層体
JP2001250267A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Sony Corp 光記録媒体
DE10034876C1 (de) 2000-07-18 2002-02-28 Siemens Ag Kraftfahrzeug-Steuergerät mit integriertem Druckschalter
EP1235104A4 (en) 2000-08-29 2008-10-01 Jsr Corp COMPOSITION HAVING SUBSTANTIALLY MODIFIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD FOR FORMING REFRACTION INDEX PATTERN
JP3849134B2 (ja) 2000-08-29 2006-11-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
JP3896584B2 (ja) 2000-12-11 2007-03-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
US7108954B2 (en) * 2000-12-11 2006-09-19 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition changing in refractive index and method of changing refractive index
JP3622201B2 (ja) 2001-02-19 2005-02-23 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物
WO2002066561A1 (fr) * 2001-02-19 2002-08-29 Jsr Corporation Composition sensible au rayonnement pouvant presenter une repartition de l'indice de refraction
JP3959735B2 (ja) 2001-03-13 2007-08-15 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物およびその利用
CA2408217A1 (en) 2001-03-13 2002-11-12 Jsr Corporation Radiation sensitive refractive index changing composition and use thereof
US6762009B2 (en) 2001-10-12 2004-07-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable thick film compositions with photospeed enhancer
JP2003185820A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Jsr Corp 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
US7015256B2 (en) 2002-01-28 2006-03-21 Jsr Corporation Composition for forming photosensitive dielectric material, and transfer film, dielectric material and electronic parts using the same

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