JP3291854B2 - 光伝送用プラスチック部材の製造方法 - Google Patents
光伝送用プラスチック部材の製造方法Info
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- JP3291854B2 JP3291854B2 JP20217693A JP20217693A JP3291854B2 JP 3291854 B2 JP3291854 B2 JP 3291854B2 JP 20217693 A JP20217693 A JP 20217693A JP 20217693 A JP20217693 A JP 20217693A JP 3291854 B2 JP3291854 B2 JP 3291854B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に用いる光伝送
用プラスチック部材の製造方法に関する。
用プラスチック部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】コアも
クラッドも共にプラスチックの光ファイバは、光信号の
送受を行う例えば電子装置間において、その伝送損失が
問題とされない近距離の光伝送路として、ガラスファイ
バと比べて使いやすく低価格なために、多用されてお
り、特にＬＡＮ，ＩＳＤＮ等の次世代通信網構想におい
て重要となっている。
クラッドも共にプラスチックの光ファイバは、光信号の
送受を行う例えば電子装置間において、その伝送損失が
問題とされない近距離の光伝送路として、ガラスファイ
バと比べて使いやすく低価格なために、多用されてお
り、特にＬＡＮ，ＩＳＤＮ等の次世代通信網構想におい
て重要となっている。
【０００３】従来においては、図３に示すようにこのプ
ラスチック光ファイバ０１は、コア０２にＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート樹脂），ＰＣ（ポリカーボネー
ト樹脂）又はこれらの共重合樹脂等を用い、クラッド０
３にフッ素樹脂を用いてなる図３（Ｂ）に示すような屈
折率分布を有する、ステップインデックス（ＳＩ）型光
ファイバが実用化されている。
ラスチック光ファイバ０１は、コア０２にＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート樹脂），ＰＣ（ポリカーボネー
ト樹脂）又はこれらの共重合樹脂等を用い、クラッド０
３にフッ素樹脂を用いてなる図３（Ｂ）に示すような屈
折率分布を有する、ステップインデックス（ＳＩ）型光
ファイバが実用化されている。
【０００４】また、このＳＩ型光ファイバに対して時間
当りの情報量を多量に送れる、図３（Ｃ）に示すような
屈折率分布を有する、グレートインデックス（ＧＩ）型
光ファイバは、例えば特公昭５２−５８５７号，特公昭
５４−３０３０１号，特開昭６１−１３０９０４号，特
公昭６１−１３０９０４号等の各公報等に開示されてい
るが、製造上等の観点から種々の問題があり、未だ所望
のものが得られていない。
当りの情報量を多量に送れる、図３（Ｃ）に示すような
屈折率分布を有する、グレートインデックス（ＧＩ）型
光ファイバは、例えば特公昭５２−５８５７号，特公昭
５４−３０３０１号，特開昭６１−１３０９０４号，特
公昭６１−１３０９０４号等の各公報等に開示されてい
るが、製造上等の観点から種々の問題があり、未だ所望
のものが得られていない。
【０００５】一方、本出願人も円筒内に屈折率差の異な
る二種の材料を注入して遠心力作用下で重合積層させる
ことを繰返して屈折率が連続的に変化するプラスチック
光ファイバ用プリフォームの製造方法について先に提案
したが（特開昭６０−１１９５０９号公報参照）、所望
の設計値通りに屈折率を管理するために手間がかかり、
廉価に製造できないという問題がある。
る二種の材料を注入して遠心力作用下で重合積層させる
ことを繰返して屈折率が連続的に変化するプラスチック
光ファイバ用プリフォームの製造方法について先に提案
したが（特開昭６０−１１９５０９号公報参照）、所望
の設計値通りに屈折率を管理するために手間がかかり、
廉価に製造できないという問題がある。
【０００６】本発明は上記問題に鑑み、所望の屈折率変
化を有し、且つ製造が簡易で廉価となる光伝送用プラス
チック部材の製造方法を提供することを目的とする。
化を有し、且つ製造が簡易で廉価となる光伝送用プラス
チック部材の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る光伝送用プラスチック部材の第１の製造方法
は、光反応性の活性基を有する重合体Ａからなる円柱体
又は線状体を成形し、上記重合体Ａと反応してなると共
にその生成物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重合体Ａの屈折
率（Ｎａ）より低くなる化合物Ｃを用い、上記円柱体又
は線状体の外周からその内部にかけて上記化合物Ｃを拡
散させ、その外周部から中心にかけて当該化合物Ｃの濃
度が漸次減少した濃度分布を形成し、その後、外部より
重合体Ａの光反応性の活性基を反応させ得る光を照射し
て光反応させ、生成物Ｂを固定することを特徴とする。
明に係る光伝送用プラスチック部材の第１の製造方法
は、光反応性の活性基を有する重合体Ａからなる円柱体
又は線状体を成形し、上記重合体Ａと反応してなると共
にその生成物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重合体Ａの屈折
率（Ｎａ）より低くなる化合物Ｃを用い、上記円柱体又
は線状体の外周からその内部にかけて上記化合物Ｃを拡
散させ、その外周部から中心にかけて当該化合物Ｃの濃
度が漸次減少した濃度分布を形成し、その後、外部より
重合体Ａの光反応性の活性基を反応させ得る光を照射し
て光反応させ、生成物Ｂを固定することを特徴とする。
【０００８】また、第２の製造方法は、光反応性の活性
基を有する重合体Ａと、上記重合体Ａと反応してなると
共にその生成物Ｄの屈折率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈
折率（Ｎａ）より高くなる化合物Ｅとを用いて、円柱体
又は線状体を成形し、次いで、上記円柱体又は線状体の
外周から上記化合物Ｅを揮発させ、その外周部から中心
にかけて当該化合物Ｅの濃度が漸次減少した濃度分布を
形成し、その後、外部より重合体Ａの光反応性の活性基
を反応させ得る光を照射して光反応させ、生成物Ｄを固
定することを特徴とする。
基を有する重合体Ａと、上記重合体Ａと反応してなると
共にその生成物Ｄの屈折率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈
折率（Ｎａ）より高くなる化合物Ｅとを用いて、円柱体
又は線状体を成形し、次いで、上記円柱体又は線状体の
外周から上記化合物Ｅを揮発させ、その外周部から中心
にかけて当該化合物Ｅの濃度が漸次減少した濃度分布を
形成し、その後、外部より重合体Ａの光反応性の活性基
を反応させ得る光を照射して光反応させ、生成物Ｄを固
定することを特徴とする。
【０００９】また、第３の製造方法は、光反応性の活性
基を有する重合体Ａと、上記重合体Ａと反応してなると
共にその生成物Ｄの屈折率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈
折率（Ｎａ）より高くなる化合物Ｅとを用いて、円柱体
又は線状体を成形し、次いで、上記円柱体又は線状体の
外周から上記化合物Ｅを揮発させ、その外周部から中心
にかけて当該化合物Ｅの濃度が漸次減少した濃度分布を
形成すると共に、或いはその後に、上記重合体Ａと反応
してなると共にその生成物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重
合体Ａの屈折率（Ｎａ）より低くなる化合物Ｃを用い、
上記円柱体又は線状体の外周からその内部にかけて上記
化合物Ｃを拡散させ、その後、外部より重合体Ａの光反
応性の活性基を反応させ得る光を照射して光反応させ、
生成物を固定することを特徴とする。
基を有する重合体Ａと、上記重合体Ａと反応してなると
共にその生成物Ｄの屈折率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈
折率（Ｎａ）より高くなる化合物Ｅとを用いて、円柱体
又は線状体を成形し、次いで、上記円柱体又は線状体の
外周から上記化合物Ｅを揮発させ、その外周部から中心
にかけて当該化合物Ｅの濃度が漸次減少した濃度分布を
形成すると共に、或いはその後に、上記重合体Ａと反応
してなると共にその生成物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重
合体Ａの屈折率（Ｎａ）より低くなる化合物Ｃを用い、
上記円柱体又は線状体の外周からその内部にかけて上記
化合物Ｃを拡散させ、その後、外部より重合体Ａの光反
応性の活性基を反応させ得る光を照射して光反応させ、
生成物を固定することを特徴とする。
【００１０】また、上記製造において、円柱体がプラス
チック光ファイバ用母材であり、線状体がプラスチック
光ファイバであることを特徴とする。
チック光ファイバ用母材であり、線状体がプラスチック
光ファイバであることを特徴とする。
【００１１】さらに、上記製造において、円柱体がプラ
スチック光ファイバ用母材であり、且つ当該光ファイバ
用母材を加熱溶融して光ファイバに線引した後、化合物
Ａの光反応を行うことを特徴とする。
スチック光ファイバ用母材であり、且つ当該光ファイバ
用母材を加熱溶融して光ファイバに線引した後、化合物
Ａの光反応を行うことを特徴とする。
【００１２】以下、本発明の内容を説明する。
【００１３】ここで、本発明で光反応性の活性基を有す
る重合体Ａとは、例えば紫外線等の熱エネルギを有する
光を照射することで活性基同志が反応し、化学的に結合
するものであり、側鎖に例えば桂皮酸残基等のα・β−
不飽和カルボニル基を含む重合体又は共重合体をいう。
具体的には桂皮酸残基を含むエチレン−Ｐ−ビニル桂皮
酸エチル（屈折率：Ｎａ＝1.５２５）を例示できる。
る重合体Ａとは、例えば紫外線等の熱エネルギを有する
光を照射することで活性基同志が反応し、化学的に結合
するものであり、側鎖に例えば桂皮酸残基等のα・β−
不飽和カルボニル基を含む重合体又は共重合体をいう。
具体的には桂皮酸残基を含むエチレン−Ｐ−ビニル桂皮
酸エチル（屈折率：Ｎａ＝1.５２５）を例示できる。
【００１４】上記重合体Ａと反応し、得られる生成物Ｂ
の屈折率（Ｎｂ）が重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より低い
ものとなる化合物Ｃとは、上記重合体Ａをエチレン−桂
皮酸ビニル共重合体とした場合、桂皮酸トリフルオロエ
チルエステル（屈折率：Ｎｃ＝1.４８５）を例示するこ
とができる。
の屈折率（Ｎｂ）が重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より低い
ものとなる化合物Ｃとは、上記重合体Ａをエチレン−桂
皮酸ビニル共重合体とした場合、桂皮酸トリフルオロエ
チルエステル（屈折率：Ｎｃ＝1.４８５）を例示するこ
とができる。
【００１５】次に、プラスチック光ファイバ用母材を製
造する一例を図１を参照して説明する。
造する一例を図１を参照して説明する。
【００１６】図１は本発明の方法に用いられる塗布装置
の概略図であり、同図中、符号１０は円柱体、１１は浸
漬タンク、１２は拡散溶液を各々図示する。
の概略図であり、同図中、符号１０は円柱体、１１は浸
漬タンク、１２は拡散溶液を各々図示する。
【００１７】本発明の第１の製造方法は、光反応性の活
性基を有する重合体Ａを円柱状の円柱体１０に整形し、
次いでこの円柱体１０を、拡散溶液１２としての化合物
Ｃが入れられている浸漬タンク１１内に浸漬する（図１
（Ａ）参照）。所定条件で浸漬させた後、円柱体１０を
引き上げ、当該円柱体１０を回転させながら、紫外線
（ＵＶ）を外部より照射する（図１（Ｂ），（Ｃ）参
照）。この結果、化合物Ｃの濃度分布に沿った形で、屈
折率がその中心から外部に向って漸次減少した屈折率分
布を有するプラスチック光ファイバ母材を得る。上述し
た浸漬式の塗布の他に、例えば刷毛を用いた刷毛塗りに
よっても同様に行うことができる。
性基を有する重合体Ａを円柱状の円柱体１０に整形し、
次いでこの円柱体１０を、拡散溶液１２としての化合物
Ｃが入れられている浸漬タンク１１内に浸漬する（図１
（Ａ）参照）。所定条件で浸漬させた後、円柱体１０を
引き上げ、当該円柱体１０を回転させながら、紫外線
（ＵＶ）を外部より照射する（図１（Ｂ），（Ｃ）参
照）。この結果、化合物Ｃの濃度分布に沿った形で、屈
折率がその中心から外部に向って漸次減少した屈折率分
布を有するプラスチック光ファイバ母材を得る。上述し
た浸漬式の塗布の他に、例えば刷毛を用いた刷毛塗りに
よっても同様に行うことができる。
【００１８】図２（Ａ）は、このようにして得られたプ
ラスチック光ファイバ母材１３を示し、図２（Ｂ）はそ
のＧＩ型の屈折率分布を示す。
ラスチック光ファイバ母材１３を示し、図２（Ｂ）はそ
のＧＩ型の屈折率分布を示す。
【００１９】上述したようにして得られた光ファイバ母
材は、通常の線引き操作、例えば当該光ファイバ母材を
鉛直状態に保持して加熱溶融し、所望のプラスチック光
ファイバを得る。
材は、通常の線引き操作、例えば当該光ファイバ母材を
鉛直状態に保持して加熱溶融し、所望のプラスチック光
ファイバを得る。
【００２０】上述した方法は、所望の光ファイバ母材を
形成した後、線引して光ファイバを作製したものである
が、本発明はこれに限定されず、重合体Ａで円柱体の代
りに所定の線状体を形成した後、上述した操作を同様に
して行ってもよい。その際、光反応させるには、線状体
を巻取りつつ紫外線照射を行うようにすればよい。
形成した後、線引して光ファイバを作製したものである
が、本発明はこれに限定されず、重合体Ａで円柱体の代
りに所定の線状体を形成した後、上述した操作を同様に
して行ってもよい。その際、光反応させるには、線状体
を巻取りつつ紫外線照射を行うようにすればよい。
【００２１】また、上述した第１の製造方法は、重合体
Ａからなる円柱体又は線状体に化合物Ｃを含侵させるよ
うにしたものであるが、このような操作の外に、第２の
製造方法として、上記重合体Ａと反応してなると共にそ
の生成物Ｄが重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より高くなる化
合物Ｅを用い、先ずこれら重合体Ａと化合物Ｅとから、
円柱体又は線状体を形成する。次いで、化合物Ｅをその
成形体から揮発させ、化合物Ｅの濃度がその中心から外
周部にかけて漸次減少した濃度分布とし、その後、外部
から光を照射することで、該濃度分布に沿った形で連続
した屈折率分布を形成し、重合体Ａと化合物Ｅとの反応
による生成物Ｄを円柱体又は線状体に固定するようにし
てもよい。
Ａからなる円柱体又は線状体に化合物Ｃを含侵させるよ
うにしたものであるが、このような操作の外に、第２の
製造方法として、上記重合体Ａと反応してなると共にそ
の生成物Ｄが重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より高くなる化
合物Ｅを用い、先ずこれら重合体Ａと化合物Ｅとから、
円柱体又は線状体を形成する。次いで、化合物Ｅをその
成形体から揮発させ、化合物Ｅの濃度がその中心から外
周部にかけて漸次減少した濃度分布とし、その後、外部
から光を照射することで、該濃度分布に沿った形で連続
した屈折率分布を形成し、重合体Ａと化合物Ｅとの反応
による生成物Ｄを円柱体又は線状体に固定するようにし
てもよい。
【００２２】ここで、化合物Ｅとしては、重合体Ａが桂
皮酸残基を有するエチレン−桂皮酸ビニル共重合体（屈
折率：Ｎａ＝1.５２５）の場合、例えば桂皮酸エチルエ
ステルを例示することができる。
皮酸残基を有するエチレン−桂皮酸ビニル共重合体（屈
折率：Ｎａ＝1.５２５）の場合、例えば桂皮酸エチルエ
ステルを例示することができる。
【００２３】さらに、第３の製造方法として上述した２
種類の方法を併用する方法、すなわち、第２の方法によ
って化合物Ｅが中心から外周部にかけての連続した濃度
分布を形成し、同時に、或いはその後に、第１の方法に
よって化合物Ｃを用いてその内部に拡散させ、次いで外
部より光を照射することにより、反応生成物の濃度分布
を変化させその中心から外周部にかけて漸次屈折率が減
少してなる円柱体又は線状体を得るようにしてもよい。
種類の方法を併用する方法、すなわち、第２の方法によ
って化合物Ｅが中心から外周部にかけての連続した濃度
分布を形成し、同時に、或いはその後に、第１の方法に
よって化合物Ｃを用いてその内部に拡散させ、次いで外
部より光を照射することにより、反応生成物の濃度分布
を変化させその中心から外周部にかけて漸次屈折率が減
少してなる円柱体又は線状体を得るようにしてもよい。
【００２４】上述した重合体Ａ及びその具体例，生成物
Ｂ，化合物Ｃ，生成物Ｄ及び化合物Ｅの化学式を次記
「化１」〜「化６」に各々示す。
Ｂ，化合物Ｃ，生成物Ｄ及び化合物Ｅの化学式を次記
「化１」〜「化６」に各々示す。
【００２５】
【化１】
【００２６】
【化２】
【００２７】
【化３】
【００２８】
【化４】
【００２９】
【化５】
【００３０】
【化６】
【００３１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を説明する。
【００３２】（実施例１）前述した図１を参照して実施
例１を説明する。桂皮酸残基１ mol％を含むエチレン−
Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.５２５）
を、１００℃に加熱混練し、押出し成形により、直径１
０mm×長さ３００mmの円柱体１０を得た。該円柱体１０
を、拡散溶液１２として桂皮酸トリフルオロエチルエス
テル（化合物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）７０℃の液体中に、
約４時間浸積し、該円柱体１０の中央部を除いて該エス
テルを含浸している状態にした（図１（Ｂ）参照）。次
に、含浸後の円柱体を回転させつつ、その外周部より、
紫外線ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて約２０分間紫
外線照射し、該桂皮酸残基と該エステルとを光２量化反
応により化学的に結合させ、プラスチック光ファイバ母
材１３を得た（図１（Ｃ）参照）。この光ファイバ母材
１３を干渉顕微鏡（溝尻社製）により測定したところ、
中心部での屈折率がｎD ＝1.５２３、周辺部がｎD ＝1.
４９７であり、その分布はＧＩ型の屈折率分布であった
（図２（Ａ），（Ｂ）参照）。
例１を説明する。桂皮酸残基１ mol％を含むエチレン−
Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.５２５）
を、１００℃に加熱混練し、押出し成形により、直径１
０mm×長さ３００mmの円柱体１０を得た。該円柱体１０
を、拡散溶液１２として桂皮酸トリフルオロエチルエス
テル（化合物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）７０℃の液体中に、
約４時間浸積し、該円柱体１０の中央部を除いて該エス
テルを含浸している状態にした（図１（Ｂ）参照）。次
に、含浸後の円柱体を回転させつつ、その外周部より、
紫外線ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて約２０分間紫
外線照射し、該桂皮酸残基と該エステルとを光２量化反
応により化学的に結合させ、プラスチック光ファイバ母
材１３を得た（図１（Ｃ）参照）。この光ファイバ母材
１３を干渉顕微鏡（溝尻社製）により測定したところ、
中心部での屈折率がｎD ＝1.５２３、周辺部がｎD ＝1.
４９７であり、その分布はＧＩ型の屈折率分布であった
（図２（Ａ），（Ｂ）参照）。
【００３３】（実施例２）桂皮酸残基１ mol％を含むエ
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）を、１００℃に加熱混練し、押出し成形によ
り、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得た。該
線状体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル（化合物
Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）４０℃の液体中に、約５分間浸積
し、該線状体の中央部を除いて該エステルを含浸してい
る状態にした。次に、含浸後の線状体を線速５０ｍ／分
にて巻取りつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw
水銀ランプ）を用いて紫外線照射し、該桂皮酸残基と該
エステルとを光２量化反応により化学的に結合させ、プ
ラスチック光ファイバを得た。この光ファイバを干渉顕
微鏡（溝尻社製）により測定したところ、中心部での屈
折率がｎD ＝1.５３、周辺部がｎD ＝1.５０であり、そ
の分布はＧＩ型の屈折率分布であった。
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）を、１００℃に加熱混練し、押出し成形によ
り、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得た。該
線状体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル（化合物
Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）４０℃の液体中に、約５分間浸積
し、該線状体の中央部を除いて該エステルを含浸してい
る状態にした。次に、含浸後の線状体を線速５０ｍ／分
にて巻取りつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw
水銀ランプ）を用いて紫外線照射し、該桂皮酸残基と該
エステルとを光２量化反応により化学的に結合させ、プ
ラスチック光ファイバを得た。この光ファイバを干渉顕
微鏡（溝尻社製）により測定したところ、中心部での屈
折率がｎD ＝1.５３、周辺部がｎD ＝1.５０であり、そ
の分布はＧＩ型の屈折率分布であった。
【００３４】（実施例３）桂皮酸残基１ mol％を含むエ
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径１０mm×長さ３００mmの円柱体を得た。
該円柱体を、５mmHg減圧下、５０℃にて１時間乾燥し、
該円柱体中の桂皮酸エチルエステルを一部揮発させた。
次に、揮発後の円柱体を回転させつつ、その外周部よ
り、紫外線ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて約２０分
間紫外線照射し、該桂皮酸残基と該エステルとを光２量
化反応により化学的に結合させ、プラスチック光ファイ
バ母材を得た。この光ファイバ母材を干渉顕微鏡（溝尻
社製）により測定したところ、中心部での屈折率がｎD
＝1.５６２、周辺部がｎD ＝1.５２５であり、その分布
はＧＩ型の屈折率分布であった。
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径１０mm×長さ３００mmの円柱体を得た。
該円柱体を、５mmHg減圧下、５０℃にて１時間乾燥し、
該円柱体中の桂皮酸エチルエステルを一部揮発させた。
次に、揮発後の円柱体を回転させつつ、その外周部よ
り、紫外線ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて約２０分
間紫外線照射し、該桂皮酸残基と該エステルとを光２量
化反応により化学的に結合させ、プラスチック光ファイ
バ母材を得た。この光ファイバ母材を干渉顕微鏡（溝尻
社製）により測定したところ、中心部での屈折率がｎD
＝1.５６２、周辺部がｎD ＝1.５２５であり、その分布
はＧＩ型の屈折率分布であった。
【００３５】（実施例４）桂皮酸残基１ mol％を含むエ
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得
た。該線状体を、２５mmHg減圧下、５０℃にて１０分間
乾燥し、該線状体中の桂皮酸エチルエステルを一部揮発
させた。次に、揮発後の線状体を線速５０ｍ／分にて巻
取りつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw水銀ラ
ンプ）を用いて紫外線照射し、該桂皮酸残基と該エステ
ルとを光２量化反応により化学的に結合させ、プラスチ
ック光ファイバを得た。この光ファイバを干渉顕微鏡
（溝尻社製）により測定したところ、中心部での屈折率
がｎD ＝1.５６、周辺部がｎD ＝1.５３であり、その分
布はＧＩ型の屈折率分布であった。
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得
た。該線状体を、２５mmHg減圧下、５０℃にて１０分間
乾燥し、該線状体中の桂皮酸エチルエステルを一部揮発
させた。次に、揮発後の線状体を線速５０ｍ／分にて巻
取りつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw水銀ラ
ンプ）を用いて紫外線照射し、該桂皮酸残基と該エステ
ルとを光２量化反応により化学的に結合させ、プラスチ
ック光ファイバを得た。この光ファイバを干渉顕微鏡
（溝尻社製）により測定したところ、中心部での屈折率
がｎD ＝1.５６、周辺部がｎD ＝1.５３であり、その分
布はＧＩ型の屈折率分布であった。
【００３６】（実施例５）桂皮酸残基１ mol％を含むエ
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径１０mm×長さ３００mmの円柱体を得た。
該円柱体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル（化合
物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）７０℃の液体中に、約１時間浸
積し、該円柱体形の該エステルを部分的にフルオロエチ
ルエステルと置換した。次に、置換後の円柱体を回転さ
せつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw水銀ラン
プ）を用いて約２０分間紫外線照射し、該桂皮酸残基と
該エステル及び該フルオロエステルとを光２量化反応に
より化学的に結合させ、プラスチック光ファイバ母材を
得た。この光ファイバ母材を干渉顕微鏡（溝尻社製）に
より測定したところ、中心部での屈折率がｎD ＝1.５６
３、周辺部がｎD ＝1.４９９であり、その分布はＧＩ型
の屈折率分布であった。
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径１０mm×長さ３００mmの円柱体を得た。
該円柱体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル（化合
物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）７０℃の液体中に、約１時間浸
積し、該円柱体形の該エステルを部分的にフルオロエチ
ルエステルと置換した。次に、置換後の円柱体を回転さ
せつつ、その外周部より、紫外線ランプ（１kw水銀ラン
プ）を用いて約２０分間紫外線照射し、該桂皮酸残基と
該エステル及び該フルオロエステルとを光２量化反応に
より化学的に結合させ、プラスチック光ファイバ母材を
得た。この光ファイバ母材を干渉顕微鏡（溝尻社製）に
より測定したところ、中心部での屈折率がｎD ＝1.５６
３、周辺部がｎD ＝1.４９９であり、その分布はＧＩ型
の屈折率分布であった。
【００３７】（実施例６）桂皮酸残基１ mol％を含むエ
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得
た。該線状体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル
（化合物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）４０℃の液体中に、約３
分間浸積し、該線状体の該エステルを部分的にフルオロ
エチルエステルと置換した。次に、置換後の線状体を線
速５０ｍ／分にて巻取りつつ、その外周部より、紫外線
ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて紫外線照射し、該桂
皮酸残基と該エステル及び該フルオロエステルとを光２
量化反応により化学的に結合させ、プラスチック光ファ
イバを得た。この光ファイバを干渉顕微鏡（溝尻社製）
により測定したところ、中心部での屈折率がｎD ＝1.５
６、周辺部がｎD ＝1.５０であり、その分布はＧＩ型の
屈折率分布であった。
チレン−Ｐ−ビニル桂皮酸エチル（重合体Ａ，Ｎａ＝1.
５２５）８５重量部と桂皮酸エチルエステル（化合物
Ｅ）１５重量部とを、１００℃に加熱混練し、押出し成
形により、直径５００μｍ×長さ３００ｍの線状体を得
た。該線状体を、桂皮酸トリフルオロエチルエステル
（化合物Ｃ；Ｎｃ＝1.４８５）４０℃の液体中に、約３
分間浸積し、該線状体の該エステルを部分的にフルオロ
エチルエステルと置換した。次に、置換後の線状体を線
速５０ｍ／分にて巻取りつつ、その外周部より、紫外線
ランプ（１kw水銀ランプ）を用いて紫外線照射し、該桂
皮酸残基と該エステル及び該フルオロエステルとを光２
量化反応により化学的に結合させ、プラスチック光ファ
イバを得た。この光ファイバを干渉顕微鏡（溝尻社製）
により測定したところ、中心部での屈折率がｎD ＝1.５
６、周辺部がｎD ＝1.５０であり、その分布はＧＩ型の
屈折率分布であった。
【００３８】
【発明の効果】以上、実施例と共に述べたように本発明
によれば、従来の方法では極めて困難であった屈折率分
布の制御を容易で且つ簡易な方法で、均質なＧＩ型のプ
ラスチック光ファイバ母材を得ることができる。
によれば、従来の方法では極めて困難であった屈折率分
布の制御を容易で且つ簡易な方法で、均質なＧＩ型のプ
ラスチック光ファイバ母材を得ることができる。
【図１】本発明方法の概略図である。
【図２】プラスチック母材とその屈折率分布図である。
【図３】（Ａ）はプラスチック母材の概略図であり、
（Ｂ）はＳＩ型の屈折率分布図、（Ｃ）はＧＩ型の屈折
率分布図である。
（Ｂ）はＳＩ型の屈折率分布図、（Ｃ）はＧＩ型の屈折
率分布図である。
１０ 円柱体 １１ 浸漬タンク １２ 溶液 １３ 光ファイバ母材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 裕男 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社 横浜製作所内 (56)参考文献 特開 平５−181022（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−42603（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−86605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−163903（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−181107（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−5857（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭58−17924（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 3/00 G02B 6/00 - 6/02 G02B 6/10 G02B 6/16 - 6/22 G02B 6/44
Claims (5)
- 【請求項１】 光反応性の活性基を有する重合体Ａから
なる円柱体又は線状体を成形し、上記重合体Ａと反応し
てなると共にその生成物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重合
体Ａの屈折率（Ｎａ）より低くなる化合物Ｃを用い、上
記円柱体又は線状体の外周からその内部にかけて上記化
合物Ｃを拡散させ、その外周部から中心にかけて当該化
合物Ｃの濃度が漸次減少した濃度分布を形成し、その
後、外部より重合体Ａの光反応性の活性基を反応させ得
る光を照射して光反応させ、生成物を固定することを特
徴とする光伝送用プラスチック部材の製造方法。 - 【請求項２】 光反応性の活性基を有する重合体Ａと、
上記重合体Ａと反応してなると共にその生成物Ｄの屈折
率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より高くな
る化合物Ｅとを用いて、円柱体又は線状体を成形し、次
いで、上記円柱体又は線状体の外周から上記化合物Ｅを
揮発させ、その外周部から中心にかけて当該化合物Ｅの
濃度が漸次減少した濃度分布を形成し、その後、外部よ
り重合体Ａの光反応性の活性基を反応させ得る光を照射
して光反応させ、生成物を固定することを特徴とする光
伝送用プラスチック部材の製造方法。 - 【請求項３】 光反応性の活性基を有する重合体Ａと、
上記重合体Ａと反応してなると共にその生成物Ｄの屈折
率（Ｎｄ）が当該重合体Ａの屈折率（Ｎａ）より高くな
る化合物Ｅとを用いて、円柱体又は線状体を成形し、次
いで、上記円柱体又は線状体の外周から上記化合物Ｅを
揮発させ、その外周部から中心にかけて当該化合物Ｅの
濃度が漸次減少した濃度分布を形成すると共に、或いは
その後に、上記重合体Ａと反応してなると共にその生成
物Ｂの屈折率（Ｎｂ）が当該重合体Ａの屈折率（Ｎａ）
より低くなる化合物Ｃを用い、上記円柱体又は線状体の
外周からその内部にかけて上記化合物Ｃを拡散させ、そ
の後、外部より重合体Ａの光反応性の活性基を反応させ
得る光を照射して光反応させ、生成物を固定することを
特徴とする光伝送用プラスチック部材の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３において、円柱体がプラス
チック光ファイバ用母材であり、線状体がプラスチック
光ファイバであることを特徴とする光伝送用プラスチッ
ク部材の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３において、円柱体がプラス
チック光ファイバ用母材であり、且つ当該光ファイバ用
母材を加熱溶融して光ファイバに線引した後、化合物Ａ
の光反応を行うことを特徴とする光伝送用プラスチック
部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20217693A JP3291854B2 (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 光伝送用プラスチック部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20217693A JP3291854B2 (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 光伝送用プラスチック部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756026A JPH0756026A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3291854B2 true JP3291854B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16453228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20217693A Expired - Fee Related JP3291854B2 (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 光伝送用プラスチック部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291854B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1350814A4 (en) | 2000-12-11 | 2007-09-19 | Jsr Corp | RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, VARIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD OF ALTERING REFRACTIVE INDEX |
| RU2281310C2 (ru) | 2001-02-19 | 2006-08-10 | Джей Эс Эр КОРПОРЕЙШН | Чувствительная к облучению композиция, изменяющая показатель преломления |
| US7125647B2 (en) | 2001-03-13 | 2006-10-24 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition changing in refractive index and utilization thereof |
| JP2003185820A (ja) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Jsr Corp | 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法 |
| JP4217886B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-02-04 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性屈折率変化性組成物、パターン形成法および光学材料 |
-
1993
- 1993-08-16 JP JP20217693A patent/JP3291854B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0756026A (ja) | 1995-03-03 |
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