TWI289726B - Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock - Google Patents

Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock Download PDF

Info

Publication number
TWI289726B
TWI289726B TW093106319A TW93106319A TWI289726B TW I289726 B TWI289726 B TW I289726B TW 093106319 A TW093106319 A TW 093106319A TW 93106319 A TW93106319 A TW 93106319A TW I289726 B TWI289726 B TW I289726B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
load lock
substrate
temperature
support unit
lock
Prior art date
Application number
TW093106319A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200523671A (en
Inventor
Albert Jan Hendrik Klomp
Jan Frederik Hoogkamp
Josephus Cornelius Johan Vugts
Johannes Hendrikus Ge Franssen
Raimond Visser
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200523671A publication Critical patent/TW200523671A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI289726B publication Critical patent/TWI289726B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F7/007—Ventilation with forced flow
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00—Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/08—Air-flow control members, e.g. louvres, grilles, flaps or guide plates
    • F24F13/10—Air-flow control members, e.g. louvres, grilles, flaps or guide plates movable, e.g. dampers
    • F24F13/14—Air-flow control members, e.g. louvres, grilles, flaps or guide plates movable, e.g. dampers built up of tilting members, e.g. louvre
    • F24F13/1413—Air-flow control members, e.g. louvres, grilles, flaps or guide plates movable, e.g. dampers built up of tilting members, e.g. louvre using more than one tilting member, e.g. with several pivoting blades
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00—Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/22—Means for preventing condensation or evacuating condensate
    • F24F13/222—Means for preventing condensation or evacuating condensate for evacuating condensate
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00—Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/30—Arrangement or mounting of heat-exchangers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F7/04—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation
    • F24F7/06—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit
    • F24F7/10—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit with air supply, or exhaust, through perforated wall, floor or ceiling
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00—Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/24—Means for preventing or suppressing noise
    • F24F2013/242—Sound-absorbing material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

1289726 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關用於一微影裝置之载入鎖中之溫度控制。，，載 入鎖’’係一種有助於由第一環境傳送諸如基板之物件至第 一核境之裝置，在此該環境之一可具有一比另一環境較低 之壓力。於一物件由第一環境傳送至該第二環境期間，該 載入鎖之内部係下降至一較低之壓力或升高至一較高之壓 力。其他可能性係該二環境具有不同溫度或不同大氣，例 如不同氣體成份。 【先前技術】 μ〜裝置係一種將想要之圖案施加至一基板之目標部份 上之機器。微影裝置能譬如用於製造積體電路（ICs)。於該 狀態中，諸如光罩之佈圖構件可用來產生一對應於該冗之 7個別層之電路圖案’及該圖案能成像於—基板(例如碎晶 圓）上之目標部份（例如包含一或多晶粒之部份）上，且該基 板有層對輻射敏感之材料（光阻）。大致上，單一基板將包 含連續曝光之鄰接目標部份之—網絡。f知微影^置包: 所謂之步進器，其中於一回中藉著將整個圖案曝光於該目 標部份上以照射每-目標部份；及所謂掃μ，盆中❹ 經過該投影光束在一給定之參考方向中(該，，掃描"方向曰)掃 描該圖案以照射每-目標部份，而平行或反向平行於此方 向地同步掃描該基板。該光源可為UV、DUV、EUV光或電 子束。 如在此所使用之”佈圖構件 一詞應廣泛地係解釋 意指 能 O:\91\91786-960817.DOC 5 1289726 用於賦予一具有佈圖剖面圖之進來輻射光束、並對應於欲 在该基板之目標部份中建立一圖案之構件；該”光閥，，一詞 亦可用於此上下文中。大致上，該圖案將對應於一欲在該 目標部份中建立之裝置中之特別機能層，諸如一積體電路 或其他裝置（看下文）。此佈圖構件之範例包含： 一光罩。於微影術中已熟知光罩之概念，且其包含諸如 二進位、交替相變、及衰減相變之光罩型式，以及各種混 合之光罩型式。根據該光罩上之圖案，此一光罩於該輻射 光束中之配置造成撞擊在該光罩上之輻射之選擇性傳送 (於一透射性光罩之案例中）或反射（於一反射性光罩之案例 中）。於一光罩之案例中，該支撐結構大致上將係一光罩平 口，其確保該光罩能保持在該進來輻射光束中之一想要位 置且其叙5又如此想要時，能相對該光束移動； 可転式化之鏡片列陣。此裝置之一範例係一具有一兼 具黏著性與伸縮性控制層之矩陣式可定址表面及一反射表 面。此一裝置之基本原理係（例如）該反射表面之已編址區域 反射入射光線當作衍射光，反之未編址區域反射入射光線 當作未衍射光線。使用一適當之過濾器，該未衍射光能係 自該反射光束過濾出，僅只留下該衍射光；以此方式，該 光束根據該矩陣式可定址表面之定址圖案變得已佈圖。一 面可程式化鏡片列陣之另一選擇具體實施例採用微小鏡片 之一矩陣配置，每一鏡片可藉著施加合適之局部化電場、 或藉著採用壓電作動構件繞著一軸個別地傾斜。再一次， 該鏡片係矩陣式可^址，以致已編址之鏡片將於不同方向 O:\91 \91786-960817.D0C 5 1289726 中反射一進來之輻射光束至未編址鏡片；以此方式，該反 射光束係根據該矩陣式可定址鏡片之定址圖案佈圖。能使 用合適之電子構件施行所需之矩陣定址。於上面所述兩種 狀態中，該佈圖構件能包含一或多個可程式化之鏡片列 陣。在此所提及鏡片列陣之更多資訊可譬如點點滴滴地收 集自美國專利第5,296,891及5,523，193號及PCT專利申請案 第W0 98/38597及W0 98/33096號。於一可程式化鏡片列陣 之案例中，該支撐結構可譬如具體化為一機架或平台，其 可如所需地為固定式或可移動；及 一可程式化之薄膜電晶體（LCD)列陣。在美國專利第 5,229,872號中給與此一結構之範例。如上文，該案例中之 支撐結構可譬如具體化為一機架或平台，其可如所需地為 固定式或可移動。 為單純故’該正文之其餘部份可在某些位置特別地將其 本身引導至涉及一光罩及光罩平台之範例；然而，應以如 上文所提出之佈圖構件之較寬廣情況瞭解在此例証中所討 論之一般原理。 微影投影裝置能譬如用於製造積體電路（ICs)。於此一案 例中，該佈圖構件可產生一對應於個別1(：層之電路圖案， 且該圖案能成像於一基板（矽晶圓）上之目標部份（例如包含 一或多晶粒）上，且該基板已塗有一層對輻射敏感之材料（光 阻）。大致上’單一晶圓將包含鄰接目標部份之一整個網 絡’並經由該投影系統一次一部份地連續照射該目標部 份。於目前裝置中，採用藉著在光罩平台上之光罩之佈圖， O:\91\91786-960817.DOC 5 1289726 二不同型式機器之間可產生_ 置中，於-回中夢著將整個^ 種微影投影裝 π μ者㈣個光罩圖案曝光 照射每一目桿部份·昝驻罢 A 日铩口P伤上 重鮮署 置一般稱為晶圓步進器或步進及 重禝裝置。於另一選擇裝置中__^ 置-藉著在該投影光束之下一為一步進及掃描裝 牡以又如光束之下於一給定之參考方向 描"方向）漸進地掃描該光罩圖幸 Μ — 早間茶…射母一目標部份，而平 m 0平行於此方向地同步掃描該基板平台；大致上， 既然該投影系統將具有__放大因數M(大致上外掃描減 板平台之速度V將係掃描該光罩平台之因數縣。如在3 敘述關於微影裝置之更多資訊，可譬如點點滴滴地收集自 美國專利第6,046,792號。 於使用一微影投影裝置之製程中，一圖案（例如於一光罩 中）係成像於藉著-層對輻射敏感之材料（光阻）所至少局部 覆蓋之基板上。於該成像步驟之前，該基板可遭受各種程 序諸如塗底、光阻覆蓋及軟烤。在曝光之後，該基板可 遭受其他程序，諸如曝光後之烘烤（pEB)、顯影、一硬烤及 該成像部件之測量/檢查。此程序之排列係用作一基礎，以 對例如1C之裝置之個別層佈圖。此一已佈圖層可然後遭受 各種製程，諸如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化 學機械拋光等，所有程序皆意欲修整一個別層。假如需要 數層，則將必須對於每一新層重複該整個程序或其一變 體。最後，一裝置之列陣將呈現在該基板（晶圓）上。這些裝 置係然後藉著諸如切割或鋸割之技術彼此分開，在此該個 別裝置能安裝在一载具上，並連接至栓銷等。譬如能由彼 O:\91\91786-960817.DOC 5 -9- 1289726
得van Zant，McGraw mu出版公司在j 997年之書本"微型晶 片製造：半導體處理之實用指南"第三版ISBN 獲得關於此製程之進一步資訊。 為單純故，下文該投影系統可稱為該”透鏡，，；然而，此 名詞應廣泛地解釋為涵括各種型式之投影系統，譬如包含 折射光學、反射光學' 及反射折射系、统。該輻射系統亦可 包含根據任何這些設計型式操作之零組件，用以引導、成 形或控制輻射之投影光束，且此零組件亦可在下文集體地 或稀有地稱為”透鏡”。再者，該微影裝置可為一具有二或 更多基板平台（及/或二或更多光罩平台）之型式。於此”多數 架台”装置中，可平行地使用該額外之平台，或可在一或多 平台上進行製備步驟，而一或多個其他平台係用於曝光。 譬如於美國專利第5,969,441號及第W〇 98/40791號中敘述 雙重架台微影裝置。 於一典型之微影配置中，基板係經由一基板軌道及一基 板處理機運送至一微影投影裝置之基板平台。於該基板軌 道中，預處理該基板之表面。該基板之預處理典型包含藉 著一層對輻射敏感之材料（光阻）至少局部覆蓋該基板。再 者，於該成像步驟之前，該基板可遭受各種其他預處理程 序’諸如塗底及軟烤。在該基板之預處理之後，該基板係 經由該基板處理機由該基板軌道運送至該基板架台。 該基板處理機典型係被設計成適於在該基板平台精確地 定位該基板，及亦可控制該基板之溫度。 對於某一微影投影裝置，諸如一使用極紫外線輻射（於短 〇:\91\91786-960817.DOC 5 -10- 1289726 極紫外線輻射中）之裝置，僅只可在真空狀態之下達成於一 基板上之投影。因此，該基板處理機應設計成適於傳送該 已預處理基板進入一真空。這典型意指至少在該基板於該 基板執道中預處理之後，該基板之處理及溫度控制必須於 一真空中達成。 對於另一型式之微影投影裝置，諸如一在氮氣環境中使 用157奈米輻射操作之裝置，其需要維持一特定之氣體環 境’諸如一氮氣環境。因此該基板處理機應設計成適於傳 送該預處理基板進入一特定之氣體環境。這典型意指至少 在該基板於該基板執道中預處理之後，該基板之處理及溫 度控制必須於一特定之氣體環境中達成。 典型地，一載入鎖可設在該基板執道及該處理室之間。 當降低一載入鎖内部之壓力時，該壓力差將影響該载入 鎖室内侧之温度。藉此亦可影響該載入鎖室中之諸如基板 之物件之溫度。由於絕熱製程，當該載入鎖内側之壓力減 少時，該物件溫度能降低。關於一欲在微影投影組件中處 理之物件，該物件溫度係一應控制之性質。這特別適用於 當該物件係於該微影投影裝置本身中時，然而，這亦意指 於朝向及離開該微影投影装置之傳送製程中，應該要注意 該基板之溫度。
Canon的歐洲專利公開號1282157揭示一種利用載入鎖腔 室中熱調節器的基板處理裝置。該熱調節器調節置於載入 鎖腔室的基板溫度，而熱調節器調節基板溫度的時間由一 控制器所控制。 O:\91\91786-960817.D〇C 5 11 - 1289726
Nikon的美國專利5,914,493揭示一種具有基板溫度控制 的f電％粒子束之曝光裝置及方法。該裝置包含經閘閥連 結至曝光處理腔室的載入鎖腔室，該載入鎖可調節基板的 溫度，至適當的條件以傳送入曝光處理腔室，而使得在進 入曝光腔室時，基板上的溫度符合該腔室的内部溫度。
Mitsubishi Electric Corporation 的日本專利公開號 JP03-180023揭示對準機中的溫度控制方法，使試片支撐座 溫度恆定。在該方法中，腔室内基板的溫度是被控制的， 且在一特定的適當範圍内，而腔室之一為載入鎖腔室。 【發明内容】 本發明處理在此一載入鎖内之溫度控制。為該目的，本 發明提供一用於微影投影裝置之載入鎖，其配置以將一物 件傳送進入及離開該微影裝置，其包括至少局部界定一載 入鎖容量（volume)之外部壁面，以容納一用於當在該載入鎖 中時支擇該物件之支撐單元，該載人鎖包含—溫度調節型 、、口構以至；在該物件係由該載入鎖傳送朝向該微影裝置 之刖將物件溫度控制至一想要之溫度，其中當載入鎖減壓 時，該支撐單兀被設計以防止一氣流吹向該物件表面進而 實質上保護該物件。 在該載入鎖内之溫度調節結構藉著在該技藝中習知之任 何熱傳方式，包含輻射、對流及傳導控制該物件溫度。 該溫度調節結構可包含該外部壁面及該支撐單元之至少 一個0 為了對該溫度調節結構提供—控制τ之溫度，其可包含 O:\91\91786-960817.DOC 5 -12- 1289726 允許一溫度控制下之流體流經它們之管線。 於一具體實施例中，該支撐單元可設有一供給管線及一 排出管線，該供給管線組合成在該支撐單元及該物件之間 提供一氣體’以於該支撐單元及該物件之間提供一熱橋效 應。該氣體之局部壓力可為2〇〇至1〇4巴。 於另一具體實施例中，該載入鎖可設有一幫浦，以使該 載入鎖容量減壓。該幫浦可連接至一處理器，配置該處理 器以使該載入鎖容量藉著該幫浦排空至一預定第一壓力、 於一預定時期間等候 '及然後使該載入鎖容量減壓至一預 疋第一壓力。於無、或大體上未發生任何布卩吸之時期間， 在此於該載入鎖内仍有足夠氣體，以在該溫度調節型結構 及該物件之間提供一良好熱交換。假如不再存有任何氣 體，不會有對流或傳導發生，如此使熱交換急劇慢下來。 於另一具體實施例中，該幫浦係連接至一配置成藉著該 幫浦由第一壓力排空該載入鎖容量至第二壓力之處理器， 該處理器係亦配置成可控制該溫度調節型結構，以致當該 處理器開始使該載入鎖容量減壓時，該物件係在一高於該 想要溫度之預定溫度。 於该載入鎖之減壓期間，該物件將由於絕熱製程獲得一 較低溫度。然而，可預先估計此溫度降低。如此，藉著提 供比該想要溫度具較高溫度之物件，該物件之溫度降低大 體上可為在該減壓製程之末端需要抵達該想要溫度之估計 溫度降低。 另一減少由於該載入鎖之減壓作用而溫度降低之手段可 O:\91\91786-960817.DOC 5 -13· 1289726 為減少鄰接定位在該支 -a- 疋上之物件表面之氣體容量。 本發明係亦針對一微影 定夕哉X蚀 又办組件，其包含一如上面所界 微影裝置，其典型 之载人鎖。該微影投影組件可包含一 包含： :輕射系統，其用以供給轄射之投影光束； 墙相支撐結構’其用以切佈圖構件，該佈圖構件具有根 據心要之圖案佈圖該投影光束之作用； 一基板平台 一投影系統 標部份上。 其用於固持一基板；及 其用以將該佈圖光束投影於該基板之—目 最後’本發明有關一裝置製造方法，其包含： ?供-基板，並藉著—對輻射敏感之材料層至少局部遮 蓋該基板； 使用輕射系統提供輻射之一投影光束； 使用佈圖構件，以於其剖面中賦予具有—圖案之投影光 束，及 -將該已佈圖之輻射光束投影於對輻射敏感之材料層卜 目標部份上， 其特徵為經過一載入鎖或一支撐結構提供該基板，如上 面所界定者。 根據本發明之進一步具體實施例，該載入鎖室包含一頂 壁面及一底部壁面，其中一減壓開口係提供於該載入鎖 室之底部壁面中，及其中一排氣開口係提供於該載入鎖室 之頂部壁面中。藉著由該底部減壓及由該頂部排氣，該裝 O:\91\91786-960817.DOC 5 •14- 1289726 置中之氣流將自上而下。假如在 、丄 ^ , 子在’廷思指微粒將藉著該 乳體由該載入鎖室之上部運送 二、 I至°亥底邛。該微粒將澱積在 忒載入鎖室之底部或由該載 貝至移去。在此方面，該排 氣開口及減壓，可關於該載人鎖之—或多支料元呈中 心配置’在此傻如有複數支揮單心它們最好係呈相疊配 所建立氣流之可能性，用以移去可安置在或可點著至該載 入鎖室中所放置基板之微粒。該頂部壁面及/或底部壁面可 固定、但不須固戈，有利地是，該頂部壁面及/或底部壁面 為維修故係可移動。 置。這於減壓作用及/或排氣期間提供使用該載人鎖室内部 根據此論點之進一步具體實施例，該投影室係一真空室， 且該微影投影裝置包含用以於該真空室中建立或維持一真 空之真空構件。真空意指約少於1〇5pa(或丄巴）之絕對壓力。 雖然於本文中已特別參考根據本發明之裝置於ICS製造 中之使用，應明確了解此一裝置具有許多其他可能之應 用。譬如，其可用於製造積體光學系統、用於磁域記憶體 之導引及檢波圖案、液晶顯示面板、薄膜式磁頭等。該熟 練之工匠將了解於此另一選擇應用之情況中，於本文中，，遮 罩π、”晶圓π或”晶粒"等詞之任何使用應考慮為分別藉著更 通用之”光罩”、”基板”及”目標部份”等詞所取代。 於本文件中，該”輻射”及”光束"等詞係用於涵括所有型式 之電磁輻射，包含紫外線（UV)輻射（例如具有365, 248, 193, 157或126奈米之波長）及極紫外線（EUV)輻射（例如具有於 5-20奈米範圍中之波長），以及粒子束，諸如離子束或電子 〇.\9i\91786-960817.DOC 5 -15- 1289726 束。 如將已變彳于清楚者，本發明包含數個論點。每一論點係 由本發明之其他論點孤立，然而一或多個該論點、或部份 該論點能夠根據本發明有利地互相組合。 【實施方式】 圖1概要地描述根據本發明之一特別具體實施例之微影 投影裝置（LP)。該圖示之敘述係意指說明一微影投影裝置 之各種零件。該裝置包括： 一輻射系統Ex，IL，用以供給輻射（例如EUV輻射）之一投 影光束PB。於此特別之案例中，該輻射系統亦包含一輻射 源LA ; 第一物件平台（光罩平台）MT，其設有一用以固持光罩 MA(例如遮罩）之光罩夾具，及連接至第一定位機構pM，用 以關於項目PL精確地定位該光罩； 第二物件平台（基板平台）WT，其設有一用以固持基板 W(例如一已塗附抗蝕劑之矽晶圓）之基板夾具，及連接至第 二定位機構PW，用以關於項目PL精確地定位該基板；及 一投影系統（”透鏡”）PL(例如一反射鏡片系統），其用於將 該光罩MA之一已照射部份成像於該基板W之一目標部份c 上（例如包含一或多晶粒）。 如在此所描述，該裝置係一反射型式（亦即具有一反射光 罩）。然而，大致上，其亦可為一透射型式，譬如（具有一折 射透鏡系統之透射光罩）。另一選擇係，該裝置可採用另一 種佈圖構件，諸如一在上面所提及之可程式化鏡片列陣型 O:\91\91786-960817,DOC 5 -16- 1289726 式。 該來源LA(例如一電漿源）產生一輻射光束。該光束係譬 如直接或在已橫跨諸如光束擴徑器Ex之調節構件之後飯入 一照明系統（照明器）IL。該照明器IL可包含調整構件, 用以設定該光束中強度分佈之外部及/或内部徑向範圍（一 般分別稱為σ外部及σ内部）。此外，其將大致上包含各種 其他零組件，諸如一集成器IN及一聚光器c〇。以此方式， 撞擊在該光罩MA上之光束PB於其剖面中具有一想要之一 致性及強度分佈。 關於圖1應注思該來源L A可位在該微影投影裝置之外殼 内（常有的是當來源L A係譬如一水銀燈時），但其亦可遠離 該微影投影裝置，其所產生之輻射光束係導入該裝置（例如 藉著合適之導引鏡片之輔助）；此稍後之綱要常有的是當該 來源LA係一準分子雷射時。本發明及申請專利涵括該綱要 兩者。 该光束PB隨後攔截固持在一光罩平台MT上之光罩μα。 已經跨該光罩Μ A ’該光束ΡΒ通過該透鏡PL，該透鏡將 該光束P B聚焦於該基板w之一目標部份C上。例如藉著該第 一疋位機構PW(及該干擾儀測量構件if)之辅助，可精確地 移動該基板平台WT，以便於該光束PB之路徑中定位不同之 目標部份C。同理’例如在由一光罩儲藏庫機械式取回光罩 MA之後、或於一掃描期間，該第一定位機構PM能用於關 於該光束PB之路徑精確地定位該光罩Μ A。大致上，將藉著 一長衝程模組（粗調定位）及一短衝程模組（微調定位）之辅 O:\91\91786-960817DOC 5 •17- 1289726 助實現該物件平台MT、WT之移動，這未明確地描述在圖】 t然而，於一晶圓步進器之案例中（如與一步進及掃描裝 置相反），該光罩平台MT可僅只連接至一短衝程作動器， 或可為固定。光罩MA及基板w可使用光罩對齊標記M1、 M2及基板對齊標記PI、P2對齊。 所描述装置能夠使用在二不同模式中·· L於步進模式中，該光罩平台Μτ本質上係保持固定不 動，且一整個光罩影像係一鼓作氣（亦即單次，，閃光”)投影於 一目標部份C上。該基板平台WT係然後在該乂及/或乂方向中 位移，以致能藉著該光束PB照射一不同目標部份C ;及 2 ·於知描模式中，本質上應用相同之綱要，除了一給定之 目標部份C係未曝光在單次”閃光”中以外。反之，該光罩平 台MT係能以速度乂於一給定之方向中（所謂，，掃描方向"，例 如該y方向）移動，以致造成該投影光束？]3掃描在一光罩影 像上方；同時發生的是，該基板平台WT係同時以速度v = MV於該相同或相反方向中移動，其中以係該透鏡孔之倍率 (典型，Μ= 1/4或1/5)。以此方式，能曝光一相當大之目標 部份C，而不需妥協解析度。 圖2概要地描述一本發明具體實施例之微影投影組件 LPA之分開模組之配置圖。此圖示係意指說明此揭示内容所 使用之模組。 該配置圖包含·· -複數載人鎖LL’其有助於在第―環境及第二環境之間傳 送基板。普遍於該模組HC及LP中之第二環境具有一比該 〇：\91\91786-960817.DOC 5 -18- 1289726 第一環境較低之壓力； --處理機室HC，其設有預處理器，諸如用以預處理該基 板之預先對齊單元及/或熱處理單元；及運送構件，其用 以由忒載入鎖LL傳送基板至該預處理器，及進一步由該 預處理器傳送至一於該微影投影裝置Lp中之載入位置， 及於相反方向中由該微影投影裝置Lp中之卸載位置傳送 至該載入鎖LL。 -一微影投影裝置LP，如上面所更詳細敘述者。 該載入鎖隨同該處理機室共同標以基板處理機SH或如果 欲處理晶圓則標以晶圓處理機。 該微影投影裝置包含一投影室，其特別包含該基板平台 WT及典型來自圖1之第二定位機構PW及用以排空或降低 該投影室中之壓力（在此皆稱為減壓）之排空配置。該載入鎖 及處理機室之作用係更詳細地敘述在下面。 圖3及圖4描述分別根據本發明第一及第二具體實施例之 一微影投影組件。於兩圖面中，將認知以下模組：
-二載入鎖LL -該處理機室HC，其與標以基板處理機SH或晶圓處理機之 二載入鎖LL組合 -該微影投影裝置LP，其包含一投影室。 於該後一模組LP中，其配置未詳細地顯示，但能由圖1 及2之範例所了解。 諸如基板軌道ST(看圖2)之另一模組典型將呈現鄰接至 該載入鎖LL而相向於該處理機室HC，其係配備用於供給基 O:\91\91786-960817.DOC 5 -19- 1289726 板至該載入鎖LL及由該載入鎖ll移走。 於每一載入鎖LL中，呈現一門件丨〇、丨丨，該門件係打算 允許基板之傳送於該第一環境及該載入鎖LL之間。在其相 向側面中，每一載入鎖係設有一門件12、13，用以允許基 板之傳送於該載入鎖LL及該處理機室11(：之間。該第二環境 於該投影處理期間將普遍存在於該處理機室HC及該微影 投影裝置LP中。配備每一門件1〇、u、12、13以用氣密方 式關閉該個別載入鎖之内部。 每一載入鎖具有一基板支撐單元14a、15a，以支撐一基 板。在圖4中未示出者係第二基板支撐單元14b、15b。該第 及第一基板支撑單元係說明在圖5及6中，及如此在此後 解釋。 該第二環境具有一比該第一環境較低之壓力。當該微影 投影裝置LP譬如使用極紫外線輻射（EUV)，該第二環境將 為一真空裱境。於此案例中之投影室係一真空室。為建立 一真空環境，兩具體實施例之微影投影組件可設有真空配 置’以建立或維持一真空（未示出）。 另一選擇係該第二環境亦可為一特別之氣體環境，諸如 一氮氣環境。 為了在該第一環境及第二環境之間以較低壓力傳送基 板’而不會由於未受控制及潛在損害性氣流損害重要之零 件，一載入鎖LL之僅只一門件將同時打開。於由該基板支 撐單元14a、i5a傳送基板至該第一環境時，該載入鎖[乙將 首先在打開該個別門件10、丨丨之前排氣，而於由該基板支 O:\91\91786-960817.DOC5 -20· 1289726 撐單元14b、15b傳送基板至該第二環境時，該載入鎖將在 打開該個別門件12、13之前首先被唧吸或以別的方式降低 至所需之真空程度。 於該處理機室HC中，呈現一預處理位置16，在此設置預 先對背單元及熱處理單元（未示出）。在該預處理位置16之預 先對齊係重要的，以便於該基板在該晶圓平台WT上之定位 中抵達所需之準確性程度。下一位置係於該微影投影裝置 LP中之載入及卸載位置17、18。在此位置，該基板係放置 在來自圖1之基板平台WT上或由該基板平台WT移去。如果 晶圓係正處理，該平台係視為一晶圓架台。在位置16應用 熱處理單元係是有利的，以便越過該基板維持一控制下之 溫度。 於圖4中，卸載位置18係設置成由該微影投影裝置Lp中之 載入位置17隔開。這與圖3之第一具體實施例呈對比，其中 一位置17及18碰巧在同·位置。 §於u亥處理機室HC及该微影投影裝置LP之間傳送基板 且反之亦然時，一基板通過彼此隔開之入口及出口 2 3、μ。 可與先前段落之差異作比較，圖3中該處理機室及载入與卸 載位置間之入口及出口 23、24碰巧在同一位置。 圖3及圖4之第一及第二具體實施例間之另一差異有關該 運送配置。圖3之第一具體實施例包含一具有夾子2〇之操作 器19，而圖4所述之第二具體實施例包含鄰接該第一操作器 19之第一麵作器21 ’其亦具有一夾子22。於這些具體實施 例中’兩操作器係一機器手臂、一 SCARA機器手臂，但亦 O:\91\91786-960817JDOC 5 -21- 1289726 可能為其他機器手臂或其他操作器。 該機器手臂係被設計成適用於以下之傳送操作： 由載入鎖LL旱起基板及傳送該基板至該預處理器丨6 ; 及/或 2·由該預處理器16拿起基板及傳送該基板至該載入位置 17 ;及/或 3·由該卸载位置18拿起一基板及傳送該基板至一載入鎖[乙 之基板運送位置14、15。 能在排氣或減壓一載入鎖L£之前藉著組合上述三種操作 之一或更多種獲致增進圖3具體實施例中之基板產量。 於使用二機器手臂而取代一機器手臂時，吾人將輕易地 了解上述操作組合之可能性係徹底地增強，如於圖4之具體 實施例中所見者。 傳送操作之主要邏輯順序將依該微影投影組件lpa之操 作模式而定： -一起始階段，其中將需要由該卸載位置18未傳送任何基 板至載入鎖LL，及一或多基板係傳送進入該處理機室及 該微影投影裝置； -一穩態操作，其中甚至分別傳送至該載入位置17及由卸 載位置18送出； -一空轉階段，其中未發生由一載入鎖LL傳送至該預處理 位置16或至一載入位置17,且一或多基板係傳送出該處 理機室及該微影投影裝置。 根據本發明之具體實施例，每一載入鎖LL係設有第一 O:\91\91786-960817.DOC 5 -22- 1289726 14a、15a及第二基板支撐單元i4b 千Ψ 15b(在圖3及4中未詳細 ’、，仁於圖5及6中顯示）。一額外t Φ ^ 論及傳送操作之可能性，因為：：之支撐早順組合所 種用於進來及外出基板之緩衝區之作用。 -、有 ::第一及第二具趙實施例兩者中，該載入料同該 對應機器手臂19、21兩者係形 立 — 、 x场所明之雙向載入鎖， 載入鎖係可藉著该處理機室中之一機器手臂及例 X㈣以軌道❿-機器手臂兩者進出，並以該基板 能於兩方向中傳送通過該門件10、Η、12、13之方式。這 是^圖3及4中設有箭頭之實線d'e、f、G所指示。此架 構能增進該基板之產量。根據本發明之微影投影組件LPA 之具體實施例係亦合宜的，在此一載入鎖以係用於進來之 基板’且另-載入鎖咖於外出之基板。然而，此一具體 實施例減少用於組合該傳送操作之彈性，但同時減少關於 機器手臂所及之操作需求。 於兩具體實施例中，該基板處理機8]^係選擇性地設有第 二載入鎖25，用以於第三環境及該第二環境之間傳送基 板。在該第三載入鎖25之相向兩侧上提供二門件27、28。 門件27連接該第三載入鎖25之内部至該處理機室hc。外部 門件28連接該第三載入鎖之内部至該基板處理機SH外部之 環境。 此第三載入鎖25係設置在該處理機室之一側面，其可自 由地進出及增進該微影投影組件LPA之彈性及應用可能 性’例如藉著使用該第三載入鎖當作一缓衝區，如果一基 O:\91\91786-960817.DOC 5 -23- 1289726 板應移去或如果已經採取該 乐及弟一載入鎖14a、14b、 Ba' 15b之基板支撐單元兩者。 冉者其施用以有助於修理 及維修該處理機室HC及/啖兮料旦/ & θ 曰 至及次4锨影投影裝置LP。應注意的 疋該第三環境可與該第一環境 兄相冋，但亦可異於該第一環 境0
於圖3及4中，該載入銷LT夕 -A 之一包3 一選擇性之外部門件 26 ’其設置在一可自由地進出之侧面。該Η件26係打算直 接由第三環境（其可與該第-環境相同）傳送基板或其他物 件至歧載入鎖。再者，其能用於修理及維修該對應之載入 鎖。其亦可能對兩載入鎖提供_外部門㈣，或在另一載 入鎖LL設置該外部門件26。 圖5描述根據本發明一具體實施例之載入鎖之剖面圖。 由先如-"圖月b纟忍知圖5中之數個愛件· 載入鎖Π件1〇、11，其用以與該第一環境連接 -載入鎖門件12、13,其用以與該第二環境連接 -第一基板支撐位置14a、l5a，其於該載入鎖之上部 -第二基板支撐位置14b、15b，其於該載入鎖之下部 -該夾子20，其來自該處理機室中之一機器手臂 在圖5之左邊描述一夾子3〇,其係配備以於例如一基板執 道系統中在该載入鎖LL及該第一環境之間傳送基板。該夾 子30、像夾子20能拿起及運送基板進出各種基板支撐單 元。於圖5中，基板31藉著夾子3〇正好放置在該第一基板支 撐單元14a上，而藉著該第二基板支撐單元丨朴、i5b支撐第 二基板32。 O.\91\9l786-960817.DOC 5 -24- 1289726 二基板支撐單元14a、14b、15a、15b包含一支撐板33、 3 5及一排出器栓銷34、36。該排出器栓銷34、36有助於一 基板及該支撐板33、35間之位移，以致一部份夾子能介入 該基板及該支撐板之間，不論於運送一基板至一基板支撐 單兀或於由一基板支撐單元移去一基板。在該夾子3〇已經 運迗該基板3 1及本身係在該載入鎖外面移動之後，該排出 器栓銷34、3 6及/或該支撐板33、35相對彼此移動，以便讓 忒支撐板33、35支樓該基板，如圖5中用於該下基板32所 示。同理’該排出器栓銷34、36及/或該支撐板33、35能相 對彼此移動，以便允許一部份夾子3〇、2〇介於該基板及該 支撐板之間，以致該夾子拿起該基板及將該基板傳送出該 載入鎖。 於圖5中’每支撐板係僅只描述一排出器栓銷3 4、3 6，但 於大部份案例中，該支撐板將具有三或更多排出器栓銷。 於支撐板3 3、3 5之間設置一中介板5 5，其功能將稍後敘 述。 以圖5輕易地說明提供二基板支撐單元之一優點。於圖5 所示狀態中，該載入鎖LL係排氣至該第一環境，且第一基 板31剛傳送至該第一基板支撐單元14a、15a之一，而第二 基板一來自該處理機室HC及如此在排氣該載入鎖之前業 已呈現一係支撐在該第二基板支撐單元14b、15b之一上。 由此狀態，能發生以下之操作： -在該載入鎖LL之外側移動夾子30; 相對彼此移動支樓板3 3及/或排出器检鎖3 4，以便讓該支 O:\91\91786-960817.DOC 5 •25- 1289726 撐板33完全地支撐該基板31 ; -相對彼此移動支撐板3 5及/或排出器栓銷3 6，以便由該支 撐板35位移該第二基板32 ; -盡可能移動夾子30或第二夾子（未示出）至該第二基板 32,且隨後讓該夾子拿起第二基板32; -在該載入鎖外面移動具有第二基板32之夾子3〇或可能該 第二夾子（未示出）； -關上該門件10、11及減壓該載入鎖。 3亥優點係该基板能於一連績排氣及減壓操作之間傳送進出 該載入鎖LL兩者。 另一使用具有二支撐位置之載入鎖之優點係其可能交換 一基板，而不需一在該載入鎖外側之缓衝區。 吾人將輕易地了解各操作之一可比較之順序係可能的， 以便使用該夾子20在該處理機室HC及該載入鎖LL之間傳 送二基板。 另於圖5中，一方面描述包含一排氣開口 37之頂部壁面 38，及在另一方面描述一包含減壓開口 39之底部壁面4〇。 该排氣開口 37係連接至一供氣源丨〇丨，反之該減壓開口 ”係 連接至一幫浦103(或其他合適之減壓機構）。該供氣源ι〇ι 及幫浦103兩者係連接至一配置成可控制其操作之處理器 105。圖5(及其他）中所描述之處理器1〇5為單一單元。然而， 可藉著數個一起操作、例如呈主從架構之處理器單元提供 該處理器105。該處理器105可設有合適之軟體，然而，該 處理器105亦可基於（局部）類比及/或數位技術。 O:\91\91786-960817.DOC 5 -26- 1289726 圖5所示該排氣開口 3 7及該減壓開口 3 9架構之優點係节 載入鎖LL中之氣流總是自上而下，這有助於防止空中傳播 之微粒著陸在該基板之未支撐表面上，因該微粒將運送至 該載入鎖LL之底部壁面40。 圖5進一步顯示一與該支撐板33、35整合之溫度控制配 置’以便影響及特別使該基板之溫度變穩定。經由範例， 該配置包含設置在該支撐板33、35中之管線60、61，諸如 通道、隧道或管道，及一用以唧吸溫度控制下之流體經過 該管線之流體唧吸系統。該支撐板33、35能遭受不同之溫 度處理。於圖5中，其顯示這些管線60、61係整合在該個別 支撐板33、35中。然而，這並非必要的。其本質係該管線 60、61係與個別支撐板33、35呈良好熱接觸。 如圖5所示，提供溫度控制下之流體幫浦1〇7，其連接至 該處理器105,且該處理器依序配置成可控制該溫度控制下 之流體幫浦107之操作。這是為說明之單純故僅只圖示地描 述在圖5中。該溫度控制下之流體幫浦1〇7係連接至具供給 管線113及排出管線115之管線6〇，及至具供給管線1〇9及排 出官線111之管線61，用以分別供給溫度控制下之流體至該 支撐板33、35，且然後將該流體排出至溫度控制下之流體 幫浦107。當供給至該供給管線丨〇9、丨丨3時，該溫度控制下 之流體幫浦107係配置成可對該流體提供一預定想要之溫 度，這可由該處理器1〇5接收。 另選擇係於邊載入鎖室之一或多壁面、例如壁面3 8、 40、50、51及/或門件10、n、12、13中設置一溫度控制配 O:\91\91786-960817.DOC 5 -27- 1289726 置’這於穩定該基板溫度中將較無效率，但導致一更簡單· 之結構。這未顯示在圖5中。然而，將在下文討論者，圖7 顯示於外部壁面38、4〇中之管線125，溫度控制下之流體能 以類似於經過管線6G、61之方式流動經過該f線⑵。管線 125可包含通道或管道。 . 圖6根據本發明之一具體實施例描述一剖面圖，其根據圖·· 5载入鎖LL中之剖線VI-VI。 · 取代該載入鎖門件’於該剖面圖中描述側壁5〇及5 i。這 些壁面隨同底部壁面40及頂部壁面38界定載入鎖室52。除_ 了排出器栓銷34、36、支撐板33、35、及排氣及排空開口 37 ' 39以外，該具體實施例包含位移配置”及/或54。波紋 管56、57係用作密封件。該位移配置包含由—作動器ιΐ7所 才呆作之二軸桿，該作動器本身係連接至該處理器1〇5。該處 理器105控制該作動器之操作。當然在此可有二分開式作動 器’一作動器用於每一軸桿。 這些位移配置首先於該載入鎖室52減壓之前具有分別減 少（或增加）該基板3 1及該頂部壁面38間之距離a與該基板春 32及該中介板55間之距離8之功能。其次於運送一基板或由 · 一支撐板拿起一基板之前，該配置具有分別增加（或減少） 忒支撐板33、35及該頂部壁面38與該中介板55間之距離之 功能。於此意義中，該中介板55用作一保護單元，以於該 載入鎖室52減壓期間儘可能多地保護一基板抵住沿著其表 面之氣流。沿著其表面之氣流越少，則由於絕熱冷卻所將 降下之溫度越少。 O:\91\91786-960817.DOC 5 -28 - 1289726 如稿早所討論，減少距離A及B之一有利效果是呈現環繞 著一基板之氣體容量係減少。具有一減少之氣體容量，亦 減少於該載入鎖室52之減壓期間之絕熱效應及該基板上之 溫度效應。 為了避免基板及該頂部壁面或該中介板間之任*何接觸， 該距離A及B係超過1〇〇微米。一額外之理由是避免增加唧 吸時間，這可能發生在當太小間隙存在於該載入鎖室中時。 在減壓該載入鎖室52及打開門件12、13之後，增加該距 離A、B以建立用於該夾子2〇之適當之空間，以拿起及移去 或運送一基板。 取代分別移動該支撐板33、35/基板31、32朝向一固定式 頂部壁面38/中介板55,另一選擇係提供可移動（頂）板（未示 出）’其移向固定式或可移動支撐板或基板。對於具有基板 31之第一支撐板33,此一頂板將設置在該頂部壁面刊，且 提供一適當之移動配置，譬如設置在該頂部壁面刊中，其 中設置有適當之移動配置’而對於具有基板32之第二支撐 板35,該中介板55具有一頂板之功能。對於後者，適當之 移動配置能譬如設置於侧壁5 〇、5 1中。 於圖6中，兩基板支撑單元14a、14b、15a、i5b係可移動 的。兩基板支擇單7C之僅只—個係可移動之具體實施例係 亦口且的。S -基板支揮單元（用於較大零件）係保留給外出 之晶圓時，此具體實施例係特別有利的，—接近溫度控制 係較不重要。在這—點根據—較佳具體實施例，該上基板 支撲單元心…係可移動的，而該下基板支撲單元14卜 O:\91\91786-960817.DOC 5 -29- 1289726 15b係固定（亦即，譬如該波紋管％係多餘，且能藉著一固 定桿取代位移配置54)。然而，該上基板支撐單元14a、15a 係固疋、而該下基板支撐單元14b、15b係可移動亦合宜的。 於另一選擇具體實施例中，其亦合宜的係於該壁面5〇、 51中整合該位移配置53、54。 於圖6之具體實施例中，該排空開口 39係整合在該位移配 置54之架構中。 圖7顯示一剖面圖，其經過根據本發明之進一步具體實施 例之另一選擇載入鎖LL。反之，於先前之圖示中，顯示二 支撐板33、35，圖7顯示一具體實施例，其中僅只有一支撐 板33。該上下載入鎖壁面38、40係顯示包含管線，例如管 道 '通道或管子125。該管線125係藉著一供給管線121及一 排出管線123連接至一溫度控制下之流體幫浦119。當然， 在此可有比一個更多之供給管線及/或排出管線。該溫度控 制下之流體幫浦119係連接至該處理器1 〇 5。該處理器1 〇 5係 配置成可控制該溫度控制下之流體幫浦119之操作。於操作 中，該溫度控制下之流體幫浦119將經過該供給管線121供 給一具控制下溫度之流體至一或多管線125。再者，在已通 過該管線125之後，該流體將經過排出管線123返回至該溫 度控制下之流體幫浦119。該處理器105係配置成可使該溫 度控制下之流體幫浦119對流體提供一想要之溫度。當然， 該溫度控制下之流體幫浦119可藉著異於處理器1〇5之另一 處理器所控制。其甚至可為一未連接至該溫度控制下之流 體幫浦119外部之分開處理器之獨立單元。 O:\91\91786-960817.DOC 5 -30- 1289726 如所示’該排氣開口 39係大體上配置在該下壁面4〇中 心’反之該支撐板33係大體上配置在該排氣開口 39上方中 心。如此’當幫浦1 〇3係減壓該載入鎖ll之内部時，氣體呈 現在該載入鎖内，及在該基板W之表面上方，呈現一徑向 之流動圖案，亦即由該基板W之中心流向該邊緣，如藉著 圖7箭頭所示。越過該基板，之（上）表面之一指向外之徑向 氣流將導致呈現於該區域中之污染之移除，且將至少防止 污染物掉落在該上表面上。以此一流動圖案，在此污染微 粒有較少之機會以於減壓期間附著在該基板W上。 圖8a及8b顯示另一選擇支撐板33。該支撐板33係設有一 支撐結構161(諸如面皰或同心倒鉤），以由支撐板33之一表 面支撐基板W。該支撐結構161於該支撐板33及基板w之間 界定一容量。該支撐板33係提供管線6〇，類似在圖5中。再 者’該支樓板33係設有一供給溝槽m及一排出溝槽129。 該供給溝槽127係配置成可於該基板界之下表面及該支撑 板33之間供給一氣體量。為此目的，該供給溝槽127係連接 至一供給管線135。該排出溝槽129係配置成可用於排出一 些或全部氣體量，如將在下文說明者。為此目的，該排出 溝槽129係連接至一排出管線137。該支撐結構161應架構成 可允許氣體相當輕易地由該供給溝槽127流動至該排出溝 槽 129。 圖8a亦顯不一可應用之鉗子13〇。該鉗子13〇係配置成可 用於爽住該基板w抵住該支撐板33之平板支撐結構i6i。當 該載入鎖LL中之氣流可造成該基板冒不宜地移動時，這是 O:\91\91786-960817.DOC 5 -31 - 1289726 當減壓該載入鎖LL時特別有利。實際上，此鉗子13〇將連接 至該處理器1〇5(或另一處理器），以致該處理器1〇5控制該鉗 子130之操作。此連接未顯示。該鉗子13〇亦可提供當作一 靜電鉗子。 圖8b顯示圖8a所示支撐板33之一上視圖。該供給溝槽127 係位於支撐板33之中心。該排出溝槽129係顯示具有一遠離 及包圍該供給溝槽127之圓形。然而，本發明不限於這些特 疋形狀或位置。該供給溝槽127係經由管線135連接至一供 氣源13 1，反之該排出溝槽！29係經由管線137連接至一幫浦 133。該供氣源131及該幫浦133係連接至處理器1〇5。該處 理器105係配置成可控制該供氣源131及幫浦133之操作，以 致於使用時，氣體係在該基板w及該支撐板33間之空間中 經由供給溝槽127及排出溝槽129供給、維持及移去，使得 該空間中之壓力係受控制。在此氣體進入該载入鎖容量之 前，該氣體係由此空間經由排出溝槽129排出。該基板|上 之大部份污染典型將位於其邊緣。藉著防止經由該供給溝 槽127所供給之氣體進入該載入鎖容量，此在該基板邊緣之 污染將沒有機會藉著此氣流移去、進入該載入鎖容量及黏 著至該基板w之上表面。再者，於該基板w及該支撐板33 之間，經由該供給溝槽127供給之氣體所累積之氣體壓力典 型將由 200至 10,000 pa(2_l〇〇 毫巴）。 於一具體實施例中，經由該供給溝槽127之氣體供給將在 該載入鎖LL減壓之起始處開始及在該門件12、13將朝向該 處理室H C打開之前停止。 O:\91\91786-960817.DOC 5 -32- 1289726 該基板W及該支撐板33間之氣體供給將在該載入鎖LL之 . 減壓期間於該支撐板3 3及該基板W提供一熱橋。如此，即 使當在該載入鎖LL内業已有一很低壓力時，在此於該支撐 板33及該基板W之間仍然有一良好之熱接觸，且該基板W 將大體上保持在該支撐板3 3之溫度’儘管在該基板W表面 _ 之絕熱製程。 \ 圖8c顯示圖8a及8b之配置之另一選擇具體實施例。圖8c _ 及圖8a、8b之具體實施例間之差異係一直立邊緣138之應 用，亦即最好呈圓形。其關閉基板W及支撐板33間之容量， _ 及可高至使其嚙合基板W以對基板W提供更好之支撐。 圖8a-8c之原理能應用於一微影裝置之異於載入鎖之其 他環境中。圖8d顯示這些原理於一轉動式預先對齊器151之 應用，諸如在預處理位置16。該轉動式預先對齊器151包含 · 一設有主體支撐結構16 1(諸如面皰）之轉動主體155，該支撐 · 結構161用以由主體155之一表面支撐一基板w。在該主體 1 55之上外緣’有一用以支撐該基板w及用以密封該基板w 及該主體155間之容量之邊緣173。類似於圖“中，能省略 參 5亥邊緣173。该主體155具有一钳子169、例如一靜電钳子， 用以夾住該基板W抵住該主體支撐結構16ι。一溝槽158係 $又在該主體155中，其通至該基板w及該主體155間之容量。 该主體155係連接至一軸桿153，其連接至一配置成可旋 轉α亥主體155之合適驅動單元（未示出）。 該主體155係藉著一溫度控制下之主體165所圍繞。該溫 度控制下之主體16 5係設有用以運送一溫度控制下流體之 O:\91\91786-960817.DOC 5 -33- 1289726 官線163。為此目的，該管線163係連接至一合適之溫度控 制流體幫浦（於此圖面中未示出）。該溫度控制主體165及該 主體155係設計成可在它們之間界定一間隙167。該間隙a? 經由一孔洞159與該溝槽158相通。該溫度控制下之主體165 係叹有一開口 174。該開口 174係連接至一合適之供氣源（於 此圖面中未示出），用以經由孔洞159及溝槽158供給氣體至 該間隙167及該基板w及該主體155間之容量。 該間隙167係由外部環境藉著該轉動主體ι55及該溫度控 制下之主體165間之一密封件171密封。在此對該密封件J 7i 無高要求，因為其僅只須比該邊緣173及該基板臂間之密封 件更好之密封件。選擇性地，在此可有於該溫度控制下之 主體165中至該間隙167之另一開口 172。此另一開口 172能 連接至一排出管（未示出），以由間隙167排出氣體，俾能減 少經由密封件171至可為一真空之外部環境之氣體漏損。 在該轴桿153之位置，該溫度控制下之主體165可（幾乎） 嚙合該軸桿153,以提供一密封及防止氣體由流動離開該軸 桿及該溫度控制下之主體165之間。 。人已觀察到除了該孔洞159及開口 174以外，來自圖§ 之配置係旋轉對稱的。其明顯的是可依特定之設計選擇而 定設計其他配置。 於使用中，該溫度控制下之主體165係藉著流經管線163 之流體（諸如液體）保持在一預定溫度。既然有氣體呈現於該 溫度控制下之主體165及該主體155間之間隙167中，在此亦 經由該間隙167中之對流及傳導溫度控制該主體155。再 O:\91\91786-960817.DOC 5 -34- 1289726 者，於該主體155及該基板臂間之容量中存在有氣體。該氣 體可具有一在該容量内之200至1〇4 Pa之壓力。該容量中之 氣體於該主體155及該基板w之間經由對流及傳導提供一 熱交換。如此，除了由於該主體155及基板w間之輻射之溫 度控制以外，該基板W現在亦藉著對流及傳導溫度控制。 如此，圖8d顯示一配置，其具有在該溫度控制下之主體 165内轉動之主體155，而該主體165本身係固定不動的。該 主體155不須設有用於供給溫度控制下流體之軟管，因這將 造成該配置變複雜及靠不住。液體供給至該固定不動之溫 度控制下之主體165，該主體16S能以可靠之方式藉著簡單 之固定不動軟管製成。 於一具體實施例中，該孔洞159係設有一閥175，以關閉 該孔洞159。該閥175係連接至處理器105及由該處理器1〇5 所控制（於此圖面中未示出），以致縱使在此未呈現任何基板 W，於該間隙167中可有氣體及該主體！ 55之溫度控制係可 能的，例如於一基板W之交換期間。其亦可能譬如藉著該 基板W本身控制該閥175，亦即使得該基板臀之重量用於控 制該閥17 5之打開。再者，如果使用一分開之處理器，結合 一直接或間接之基板溫度測量（例如藉著測量該基板w上之 某些β卩件之尺寸）’可控制該閥17 5，以致控制該氣體（分子） 之流入，俾能間接地控制該基板之溫度。 圖9a根據本發明一具體實施例進一步顯示另一選擇之載 入鎖LL。再次，該載入鎖LL包含管線125，如於圖7之具體 實施例中。為清楚故，該溫度控制下之流體幫浦丨丨9及其供 O:\91\91786-960817.DOC 5 -35- 1289726 給管線121及排出管線123係未在圖％中重複。圖％顯示一 支撐單元141之特別具體實施例，該支撐單元本質上具有二 功能，亦即支撐該基板W之第一功能，及於該載入鎖室之 減壓期間盡可能多地保護該基板w抵住一越過其上表面之 氣流之第二功能。為此目的，該支撐單元141係設計成可大 體上蓋住該整個基板w。該支撐單元141係顯示藉著一板 143連接至该載入鎖ll之上壁面38。然而，另一選擇係該支 撐單元141能藉著任何型式構件連接至該載入鎖LL之任何 其他零件。 該基板w係顯示為藉著一作動器139作動之二栓銷14〇所 支撐。當然，在此可提供其他數目之栓銷丨4Q。該支撐單元 141可設有管線6〇，如於圖5、8a之具體實施例。未顯示這 些官線60與溫度控制下之流體幫浦107之連接。 既然该支撐單元141於該載入鎖室之減壓期間盡可能多 地保護該基板W不遭受該氣流，該減壓開口 39可位於任何 合適之位置。再者，該減壓開口 39可於其他配置中製成較 大，且每單位時間所移去之氣體數量可造成較大，而在基 板W之服度降低不會具有一太強之影響。圖所示另一選 擇具體實施例係造成該支撐單元141之壁面面對該基板W 之上側面及下側面，並可相對彼此移動，如此，以便當需 要時進一步減少包圍該基板w之氣體數量。 圖9b根據本發明一具體實施例顯示該支撐單元141之一 具體實加例之三維視圖，隨同其至該溫度控制下之流體幫 浦107之連接部份。該支撐單元i4i最好係設有一下半圓形 O:\91\91786-960817.DOC 5 -36 - 1289726 這些二半圓形板之 板及一上半圓形板。一空間係提供於立 間，用以容納該基板w。 當该載入鎖室係已減壓時，圖9&及Μ 流將如何接近該基板W。本質上，僅只 間中所存在之氣體將導致一沿菩镑其士 圖9a及9b中之箭頭顯示該氣
顯示該基板溫度T， ^數。在某一開始時間，該壓力P等於 、鎖室之後，該壓力p等於一末端壓力 乞”。圖10a亦於該載入鎖室之排空期間 其為時間之函數。以1指示之曲線顯示 該溫度為時間之函數，而未採取任何額外之測量。亦即當 減壓開始時，該基板（晶圓）w之溫度等於一想要之溫度 Tdesired。於該載入鎖室之減壓期間，該基板溫度τ下降。當 該減壓停止，及該載入鎖室已經抵達其末端壓力匕“時，該 基板之溫度將又上昇。然而，既然已不再有極少之氣體呈 現在該載入鎖室内，該基板溫度上昇將極緩慢。最後，該 度Τ!將又抵達想要之溫度Tdesired。然而，此再次抵達該想 要溫度Tdesired所需要之時間可如此之長，以致吾人不能等 待直至以打開該門件12、13至該處理室HC抵達該溫度。 解決該問題之一方法將係對該基板W提供一相對該想要 溫度Tdesired之偏置溫度丁。治“。此偏置溫度丁。出以最好係等於 該基板W由於該載入鎖室減壓之預期溫度下降。然後，在 達成該減壓之後，吾人可直接打開該門件12、13至該處理 至HC ’因為該基板W之溫度將然後具有該想要之溫度 O:\91\91786-960817.DOC 5 -37- 1289726 ^desired。此另一選擇具體實施例之溫度曲線係以T2指示。 當該基板具有一低於Tdesired + 丁⑽如之開始溫度時，以Τ2! 才曰不之曲線顯不自亥基板溫度為時間之函數。然後甚至該基 板溫度比沒有任何偏置溫度丁‘⑷更快抵達該想要之溫度 ^desired ° 圖10b進一步顯示解決該問題之另一選擇。於圖i〇b之具 體實施例中，該壓力P係藉著減壓該載入鎖室所降低，直至 一在時間h之預定壓力。然而，在那時間tl，於該載入鎖室 中將仍有足夠氣體，以於該基板w及該載入鎖中之一溫度 控制下結構、像該支撐板3 3或壁面3 8、4 0之一之間具有一 適當之熱傳導及對流。如此，在時間q，以τ3指示之基板w 之溫度能夠迅速地增加朝向等於該想要溫度Tdesired之開始 溫度。 在時間h之後，於一預定時期間停止該載入鎖室之減壓， 直至時間t2。在時間t2，該基板W之溫度Τ3已經上昇如此之 多，以致其在來自該想要溫度Tdesired之一預定範圍内。然 後，在時間t2，該壓力係藉著完成該載入鎖室之排空製程又 降低。如所指示，該基板w之溫度丁3然後將再次降下，直 至”亥壓力P已抵達其最後之壓力pend。然後，該溫度丁3將再 次上昇，直至其最後抵達該想要之溫度Tdesired。然而，既 j已不再有極少之氣體呈現在該載入鎖室内，此溫度上昇 可需一段時間。然而，由於該載入鎖室之中斷減壓，該基 板W之溫度T3將保持較接近該想要之溫度心⑷red。 當然，該載入鎖室之減壓製程之中斷可重複幾次，以便 O:\91\91786-960817.DOC 5 -38 - 1289726 使該溫度A保持較接近於該想要
亦可結合由T2及丁3所指示之溫度設計。 之溫度Tdesired。然而，這可
之溫度控制。 【圖式簡單說明】
件，且其中： 圖1概要地描述一根據本發明具體實施例之微影投影裝 圖2概要地描述一根據本發明具體實施例之微影投影組 件之分開模組之總圖； 圖3及4描述根據本發明具體實施例之微影投影組件中之 基板處理機； 圖5描述根據本發明一具體實施例之載入鎖之剖面圖； 圖6描述一剖面圖，其垂直於圖5根據本發明一具體實施 例之載入鎖（看剖線VI-VI)之剖面圖； 圖7描述根據本發明一具體實施例之載入鎖之剖面圖； 圖8a根據本發明具體實施例顯示一經過用以支撐基板之 支撐單元之剖面圖； 圖8b顯示圖8a所示支撐單元之一上視圖； O:\91\91786-960817.DOC 5 -39- 1289726 1不圖8a或圖扑配置的任—實施例； 圖8d顯示一轉動式 国〇舶-- 先對齊器於本發明之應用； 圖9 a ,、，、頁不經過一载入4省夕：1 , w , 政α Λ 戰入鎖之剖面圖，該載入鎖包含根據本 發明具體實施例用以支撐美 文琢基板之另一選擇支撐單元； 圖9b顯示圖9a所示支樓單元之三維視圖； :广及广顯示根據本發明之具體實施例於一載入鎖中 之基板之溫度控制曲線圖。 【圖式代表符號說明】 Μ ' U、12、13、 門件 26 、 27 、 28 14、15 14a、15a 14b 、 15b 16 17 18 19 20 、 22 、 30 21 23 基板運送位置 第一基板支撐單元 第二基板支撐單元 預處理位置 載入位置 卸載位置 第一操作器 夾子 第二操作器 入口 24 25 31 32 33 > 35 34、36 出口 第三載入鎖定 第一基板 弟一基板 支撐板 排出器栓銷
O:\91\91786-960817.DOC 40- 1289726 37 38 39 40 50、51 52 53、54 55 56 > 57 60 、 61 、 125 、 137 > 163 101 、 131 103 、 133 105 107 > 119 109 、 113 、 121 111 、 115 、 123 117 、 139 127 129 130 、 169 138 、 173 140 141 排氣開口 頂部壁面 減壓開口 底部壁面 側壁 載入鎖定室 位移配置 中介板 波紋管 135、 管線 供氣源 幫浦 處理器 流體幫浦 、135 供給管線 、137 排出管線 作動器 供給溝槽 排出溝槽 鉗子 邊緣 栓銷 支撐單元 O:\91\91786-960817.DOC 5 -41· 1289726 143 板 151 預先對齊器 153 軸桿 155 轉動主體 158 溝槽 159 孔洞 161 支撐結構 165 溫度控制下之主體 167 間隙 171 密封件 172 另一開口 174 開口 175 閥 A、B 距離 AM 調整構件 C 目標部份 CO 聚光器 Ex 輻射系統 HC 處理機室 IF 干擾儀測量構件 IL 照明器 IN 集成器 LA 輻射源 LL 載入鎖定 O:\91\91786-960817.DOC 5 42- 1289726 LP 微影投影裝置 LPA 微影投影組件 M 倍率 Ml、M2 倍率 MA 光罩 MT 光罩平台 PI、P2 基板對齊標記 PB 投影光束 PL 投影系統 PM 第一定位機構 PW 第二定位機構 SH 基板處理機 ST 基板執道 v、V 速度 W 基板 WT 基板平台 O:\91\91786-960817.DOC 5 -43 -

Claims (1)

1289726 拾、申請專利範園： 1·:種用於微影裝置之載入鎖，其配置成可將一物件(w)傳 达進入及離開該微影裝置，並包括至少局部界定一載入 鎖容量之外部壁面（38,40)，以容納一用於當在該载入鎖 (LL)中時支撐該物件（W)之支撐單元（33; 141)，該載入鎖 (LL)包含一溫度調節型結構，以至少在該物件係由該載入 鎖傳送朝向該微影裝置之前將該物件溫度控制至一想要 之溫度，其中當載入鎖容量減壓時’該支撐單元（141)被 設計防止-氣流吹向該物件的一表面以f質上保護該物 件（W) 〇 2. 如申請專利範圍第丨項之載入鎖，其中該溫度調節型結構 包含該外部壁面（38|，40)及該支撐單元（33; 141)之至少一 個。 3. 如申請專利範圍第1或2項之載入鎖，其中該溫度調節型 結構包含允許一溫度控制下之流體流經它們之管線。 4·如申請專利範圍第1或2項之載入鎖，其中該支撐單元（33) 係没有一供給管線（127)及一排出管線（15〇)，架構該供給 管線（127)以於該支撐單元（33)及該物件（w)之間提供氣 體，俾能在該支撐單元（33)及該物件（w)之間提供一熱橋 效應。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之載入鎖，其中該載入鎖係設 有一幫浦（1〇3)，以使該載入鎖容量減壓。 6·如申請專利範圍第5項之載入鎖，其中該幫浦（1()3)係連接 至一處理器（105)’配置该處理器以使該載入鎖容量藉著 O:\91\91786-960817.DOC 6 1289726 該幫浦（103)減壓至一預定第一壓力、於一預定時期間等 候、及然後使該載入鎖容量減壓至一預定第二壓力。 7·如申請專利範圍第5項之載入鎖，其中該幫浦（1 〇3)係連接 至一處理器（105)，配置該處理器以使該載入鎖容量藉著 該幫浦（103)由第一壓力減壓至第二壓力，該處理器（1〇5) 係亦配置成可控制該溫度調節型結構，以致當該處理器 開始使該載入鎖容量減壓時，該物件係在一高於該想要 溫度之預定溫度。 8·如申請專利範圍第5項之載入鎖，其中該幫浦（1〇3)係連接 至一呈中心地配置在該支撐單元（33)下邊之開口（39)，該 物件係一基板（W)及該支撐單元係配置成可實質上在該 開口（3 9)上方支撐該基板（w)。 9·如申請專利範圍第1或2項之載入鎖，其中該支撐單元（141) 係設計成可於使用時實質上蓋住該物件，及包含一用以 連接忒支撐單元至該外部壁面（38,，4〇)之連接結構（143)。 10·如申請專利範圍第9項之載入鎖，其中該支撐單元（141) 具有一半圓形上表面。 11·如申請專利範圍第9項之載入鎖，其中該支撐單元（141) 具有一半圓形下表面。 12.如申請專利範圍第i項之載入鎖，其中該載入鎖包含容量 減少構件，用以減少鄰接定位在該支撐單元上之物件表 面之氣體容量。 13 ·如申請專利範圍第12項之載入鎖， •其中該支撐單元包含一支撐板，其尺寸大約等於或大 O:\91\91786-960817.DOC 6 1289726 於欲在其上面支撐之物件， .其中—頂部板係設在該支樓I元上方，該頂部板之尺 寸大約等於或大於該物件；及 •其中該容量減少構件包含一定位單元，其用於： Η. 15. 16. 17. .於該載入鎖室之減壓之前及/或於該載入鎖室之減壓 期間減少該支撐板及該支撐單元之頂板間之距離；及 .於由該支料元移除一物件或運送物件至該支撐單 元之前增加該支撐板及該頂部板間之距離。 如申請專利範圍第13項之載人鎖，其中該定位單元係設 計成適於作用於該支撑板上，而該對應頂部板係、以固定 不動之方式配置於該載入鎖室中。 -種微影投影組件，其包含如申請專利範圍第_項之 載入鎖。 如申請專利範圍第15項之微影投影組件，其包含： •至少—載人鎖，其用以於第—環境及第二環境之間傳 送物件； •一物件處理機，其包含-普遍為第二環境之處理機室； .一微影裝置，其包含一投影室； 其中該處理機室及投影室相通供交換物件。 如申請專利範圍第16項之微影投影組件，其中 置包含： -一輻射系統’其用以供給轄射之投影光束； 芽、。構纟用以支撑饰圖構件，該佈圖構件具有 根據想要之圖案佈圖該投影光束之作用； O:\91\91786-960817.DOC 6 1289726 -一基板平台’其用於固持一基板；及 --投影系統，其用以將該佈圖光束投影於該基板之一 目標部份上。 18· —種元件製造方法，其包含： 提i、反it藉著_對輻射敏感之材料層至少局部 遮蓋該基板； 使用幸田射糸統提供輪射之一投影光束· -使用佈圖構件，以於其剖面Φ秘 々、，、d甶中賦予具有一圖案之投影 光束；及 •將該已佈圖之輻射光束投影於對輻射敏感之材料層之 一目標部份上， 其特徵為經由如申請專利範圍第丨或2項之之載入鎖提供 該基板。 ' O:\91\91786-960817.DOC 6 -4 - 1289726 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（7 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10 、 11 、 12 、 13 門件 14a、15a 第一基板支撐單元 33 支撐板 37 排氣開口 38 頂部壁面 39 減壓開口 40 底部壁面 101 供氣源 103 幫浦 105 處理器 119 流體幫浦 121 供給管線 123 排出管線 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） O:\91\91786-960817.DOC 4
TW093106319A 2003-03-11 2004-03-10 Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock TWI289726B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03075703 2003-03-11
EP03077319 2003-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200523671A TW200523671A (en) 2005-07-16
TWI289726B true TWI289726B (en) 2007-11-11

Family

ID=33542554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093106319A TWI289726B (en) 2003-03-11 2004-03-10 Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7394520B2 (zh)
JP (2) JP4021419B2 (zh)
KR (1) KR100632886B1 (zh)
CN (2) CN1538240B (zh)
SG (1) SG115630A1 (zh)
TW (1) TWI289726B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI418803B (zh) * 2011-06-24 2013-12-11 Chroma Ate Inc Display panel module to the burner test equipment

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115632A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
SG115629A1 (en) 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
US7123344B2 (en) 2003-09-29 2006-10-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7246985B2 (en) * 2004-04-16 2007-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece processing system
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
JP2009507363A (ja) * 2005-07-27 2009-02-19 シリコン・ジェネシス・コーポレーション 制御された劈開プロセスを用いてプレート上の複数タイル部分を形成する方法および構造
US7674687B2 (en) 2005-07-27 2010-03-09 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process
US7863157B2 (en) * 2006-03-17 2011-01-04 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
WO2007118121A2 (en) 2006-04-05 2007-10-18 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
US8153513B2 (en) * 2006-07-25 2012-04-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for continuous large-area scanning implantation process
US20080025823A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Masahiko Harumoto Load lock device, and substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
US7426015B2 (en) * 2007-01-17 2008-09-16 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and lithographic apparatus
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5436763B2 (ja) * 2007-07-27 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法
US20090206275A1 (en) * 2007-10-03 2009-08-20 Silcon Genesis Corporation Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing
JP2009111186A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Toshiba Corp 基板処理方法、基板搬送方法および基板搬送装置
NL1036164A1 (nl) * 2007-11-15 2009-05-18 Asml Netherlands Bv Substrate processing apparatus and device manufacturing method.
JP5097627B2 (ja) * 2008-06-27 2012-12-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
FR2938116B1 (fr) * 2008-11-04 2011-03-11 Aplinov Procede et dispositif de chauffage d'une couche d'une plaque par amorcage et flux lumineux.
GB2469112A (en) * 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
US8693856B2 (en) 2010-09-03 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for vacuum-compatible substrate thermal management
CN104810315B (zh) * 2014-01-29 2018-07-20 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种用于led基底曝光的夹持装置
KR20240024307A (ko) * 2018-07-17 2024-02-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 빔 검사 장치

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2901193B2 (ja) 1989-12-08 1999-06-07 三菱電機株式会社 露光装置における温度制御方法
JP2938568B2 (ja) * 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
JPH0448716A (ja) 1990-06-15 1992-02-18 Canon Inc 基板保持装置および該装置を有する露光装置
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JPH0851143A (ja) * 1992-07-20 1996-02-20 Nikon Corp 基板保持装置
JP3188363B2 (ja) * 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法
JP2850279B2 (ja) * 1994-02-22 1999-01-27 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
TW278200B (en) * 1995-07-06 1996-06-11 Brooks Automation Inc Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock
JP2937846B2 (ja) 1996-03-01 1999-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチチャンバウェハ処理システム
WO1997033205A1 (en) * 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH1092738A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Canon Inc 基板保持装置およびこれを用いた露光装置
DE69735016T2 (de) * 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US5914493A (en) * 1997-02-21 1999-06-22 Nikon Corporation Charged-particle-beam exposure apparatus and methods with substrate-temperature control
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
US6090176A (en) * 1997-03-18 2000-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Sample transferring method and sample transfer supporting apparatus
JPH11135416A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Nikon Corp 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置
KR100307825B1 (ko) * 1999-10-23 2001-11-02 윤종용 웨이퍼 예비정렬 스테이지에 사용되는 웨이퍼 온도 제어장치
US20010016302A1 (en) * 1999-12-28 2001-08-23 Nikon Corporation Wafer chucks allowing controlled reduction of substrate heating and rapid substrate exchange
JP2001222099A (ja) 2000-02-10 2001-08-17 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法
JP2002075856A (ja) 2000-06-13 2002-03-15 Canon Inc ロードロックチャンバ及びそれを用いた露光装置
JP2003031639A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Canon Inc 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置
JP2003045947A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US6619903B2 (en) * 2001-08-10 2003-09-16 Glenn M. Friedman System and method for reticle protection and transport
US6906783B2 (en) * 2002-02-22 2005-06-14 Asml Holding N.V. System for using a two part cover for protecting a reticle
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
SG115632A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI418803B (zh) * 2011-06-24 2013-12-11 Chroma Ate Inc Display panel module to the burner test equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP4021419B2 (ja) 2007-12-12
CN101986208A (zh) 2011-03-16
CN1538240A (zh) 2004-10-20
CN1538240B (zh) 2010-12-08
JP4679555B2 (ja) 2011-04-27
US7394520B2 (en) 2008-07-01
CN101986208B (zh) 2011-09-28
SG115630A1 (en) 2005-10-28
JP2007300142A (ja) 2007-11-15
JP2004343065A (ja) 2004-12-02
TW200523671A (en) 2005-07-16
KR100632886B1 (ko) 2006-10-16
KR20040080380A (ko) 2004-09-18
US20050054217A1 (en) 2005-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI289726B (en) Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock
US7878755B2 (en) Load lock and method for transferring objects
JP4030452B2 (ja) マスクまたは基板の移送方法、そのような方法での使用に適合した保管ボックス、デバイスまたは装置、およびそのような方法を含むデバイス製造方法
JP4025739B2 (ja) リソグラフィ投影アセンブリを操作する方法およびリソグラフィ投影装置
JP2005057294A (ja) インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
WO2007080779A1 (ja) 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法
KR20110004876A (ko) 리소그래피 레티클용 급속 교환 디바이스
JP2007329506A (ja) 支持構造体、リソグラフィ投影装置、およびデバイス製造方法
JP2004343077A (ja) 対象物を移送する装置及びその使用方法と該移送装置を含むリソグラフィ投影装置
JP2012009883A (ja) 基板処理装置およびデバイス製造方法
KR100704422B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2008098635A (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法
JP6485687B2 (ja) 保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1457829A1 (en) Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
TWI289733B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4784860B2 (ja) 処理装置及び処理方法、並びに露光装置
EP1457830A2 (en) Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock
EP1457832A1 (en) Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
JP2004289147A (ja) 露光装置とその方法及び電子デバイスの製造方法
JP2007142019A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent