1288589 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於層形成方法及配線基板，特別關於藉由液 滴噴出法形成導電層之適用之層形成方法及其所製造之配 線基板。 【先前技術】 # 藉由液滴噴出法之金屬配線之形成技術爲習知（例如 專利文獻1)。 專利文獻1:特開2004 — 6578號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 使用液滴噴出法等印刷法於絕緣層上設置之導電性材 料層，存在著和底層絕緣層難以密著之問題。因此，對此 ® 種導電性材料層加熱產生最終導電層時，因爲導電性材料 層之熱收縮將導致絕緣層與導電性材料層間發生間隙。另 外，絕緣層之線性膨脹係數與導電層之線性膨脹係數差會 導致周圍溫度上升時導電層之剝離。 本發明有鑑於上述問題，目的在於提升使用印刷法施 予塗敷或供給之導電層之密著性。 (用以解決課題的手段） 本發明之層形成方法，係包含以下步驟··（A)於第1絕 (2) 1288589 緣樹脂之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形成 中間材料層的步驟：（B)於上述中間材料層塗敷或供給含 有第1金屬之液狀導電性材料，而於上述中間材料層上形 成導電性材料層的步驟「及（C)使上述中間材料層與上述 導電性材料層活化，而產生中間層以及位於上述中間層上 之導電層的步驟。上述中間材料，係含有第2絕緣樹脂之 前驅體與第2金屬之微粒。 • 上述構成所能獲得效果之一爲，可使用印刷法形成不 容易由絕緣樹脂之層剝離的導電層。 又，較好是上述第1絕緣樹脂與第2絕緣樹脂爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，絕緣樹脂之層之線性 膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 較好是上述第1金屬與上述第2金屬爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，中間層之線性膨脹係 數與導電層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 ® 本發明之層形成方法，係包含以下步驟：（A)於第1無 機絕緣物之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形 成中間材料層的步驟：（B)於上述中間材料層塗敷或供給 含有第1金屬之液狀導電性材料，而於上述中間材料層上 形成導電性材料層的步驟：及（C)使上述中間材料層與上 述導電性材料層活化，而產生中間層以及位於上述中間層 上之導電層的步驟。上述中間材料，係含有第2無機絕緣 物與第2金屬之微粒。 上述構成所能獲得效果之一爲，可使用印刷法形成不 -5- (3) 1288589 容易由無機絕緣物之層剝離的導電層。 較好是上述第1無機絕緣物與第2無機絕緣物爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，無機絕緣％之層之線 性膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 較好是上述第1金屬與上述第2金屬爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，中間層之線性膨脹係 數與導電層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 本發明之層形成方法，係包含以下步驟：（A)於第1絕 緣樹脂之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形成 中間材料層的步驟：（B)於上述中間材料層塗敷或供給含 有金屬之液狀導電性材料，而於上述中間材料層上形成導 電性材料層的步驟：及（C)使上述中間材料層與上述導電 性材料層活化，而產生中間層以及位於上述中間層上之導 電層的步驟。上述中間材料，係含有第2絕緣樹脂之前驅 體、以及無機物或樹脂之微粒。 上述構成所能獲得效果之一爲，藉由定著效應可使中 間層與導電層密著。中間材料含有無機物或樹脂之微粒， 因此該無機物或樹脂之微粒之平均粒徑所對應凹凸將呈現 於中間層表面。 較好是上述第1絕緣樹脂與第2絕緣樹脂爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，絕緣樹脂之層之線性 膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 本發明之層形成方法，係包含以下步驟：（A)於第1無 機絕緣物之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形 (4) 1288589 成中間材料層的步驟：（B)於上述中間材料層塗敷或供給 含有金屬之液狀導電性材料，而於上述中間材料層上形成 導電性材料層的步驟：及（C)使上述中間材料層與上述導 電性材料層活化，而產生中間層以及位於上述中間層上之 導電層的步驟。上述中間材料，係含有第2無機絕緣物、 以及無機物或樹脂之微粒。 上述構成所能獲得效果之一爲，藉由定著效應可使中 ^ 間層與導電層密著。中間材料含有無機物或樹脂之微粒， 因此該無機物或樹脂之微粒之平均粒徑所對應凹凸將呈現 於中間層表面。 較好是上述第1無機絕緣物與第2無機絕緣物爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，無機絕緣物之層之線 性膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 較好是，上述液狀導電性材料含有上述金屬微粒，上 述無機物或樹脂之微粒之平均粒徑大於上述金屬微粒之平 β均粒徑。 上述構成所能獲得效果之一爲，即使使用印刷法塗敷 或供給含有金屬微粒之液狀導電性材料，亦可形成不容易 剝離的導電層。 本發明之層形成方法，係包含以下步驟：（Α)於第1絕 緣樹脂之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形成 中間材料層的步驟：（Β)在上述中間材料層乾燥之前，於 上述中間材料層塗敷或供給含有金屬微粒之液狀導電性材 料，而於上述中間材料層上形成導電性材料層的步驟：及 (5) 1288589 (C)使上述中間材料層與上述導電性材料層活化，而產生 中間層以及位於上述中間層上之導電層的步驟。上述中間 材料，係含有第2絕緣樹脂之前驅體。 上述構成所能獲得效果之一爲，可使用印刷法形成不 容易由絕緣樹脂之層剝離的導電層。 又，較好是上述第1絕緣樹脂與第2絕緣樹脂爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，絕緣樹脂之層之線性 膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 本發明之層形成方法，係包含以下步驟：（A)於第1無 機絕緣物之層塗敷或供給液狀中間材料，而於上述層上形 成中間材料層的步驟：（B)在上述中間材料層乾燥之前， 於上述中間材料層塗敷或供給含有金屬微粒之液狀導電性 材料，而於上述中間材料層上形成導電性材料層的步驟： 及（C)使上述中間材料層與上述導電性材料層活化，而產 生中間層以及位於上述中間層上之導電層的步驟。上述中 間材料，係含有第2無機絕緣物。 上述構成所能獲得效果之一爲，可使用印刷法形成不 容易由無機絕緣物之層剝離的導電層。 較好是上述第1無機絕緣物與第2無機絕緣物爲相同。 上述構成所能獲得效果之一爲，無機絕緣物之層之線 性膨脹係數與中間層之線性膨脹係數相互間更爲接近。 本發明之配線基板，係使用上述層形成方法製造者。 上述構成所能獲得效果之一爲，可使用印刷法製造導 電層不容易剝離之配線基板。 -8 - (6) 1288589 【實施方式】 (第1實施形態） 本實施形態之配線基板係由具有捲帶狀之底基板la製 造。底基板la由聚醯亞胺構成，亦稱爲可撓性基板。於底 基板la藉由後述之製造步驟形成導電配線。導電配線形成 後，底基板la被施予沖壓處理，由底基板la切割成多數個 基板。結果，由底基板1 a可得分別具有導電配線之多數個 • 基板。本實施形態中，多數個基板之各個上設置之導電配 線均構成同一圖型。將形成有導電配線之基板稱爲「配線 基板」。 (A，層形成裝置） 本實施形態之配線基板，係經由3個層形成裝置進行 之層形成步驟而製造。彼等3個層形成裝置基本上具有相 同構成、功能。因此，以下爲避免記載之重複以3個層形 ® 成裝置爲代表而僅說明1個層形成裝置之構成、功能。 圖1之層形成裝置10，爲在位於特定位準之表面設置 導電層或絕緣層之裝置。該層形成裝置10包含：一對捲軸 W1，噴出裝置10A，及加熱裝置10B。於層形成裝置10， 在底基板la由捲軸W1之一方捲出被捲繞於另一方之前。 藉由噴出裝置10A及加熱裝置10B對底基板la進行各個處 理。此種處理方式稱爲捲軸對捲軸（Reel To Reel)。 噴出裝置10A，爲對位於底基板la之特定位準之表面 噴出液狀材料的裝置。又，加熱裝置10B爲使噴出裝置 (7) 1288589 10 A所塗敷或供給之液狀材料加熱或活化之裝置。爲方便 說明，本說明書中，3個層形成裝置10之各個包含之3個噴 出裝置10A分別標記爲噴出裝置11A、噴出裝置12A、噴出 裝置13A。同樣地將3個加熱裝置10B標記爲加熱裝置11B 、加熱裝置12B、加熱裝置13B。 3個噴出裝置11A、12A、13A基本上具有相同構造、 功能。因此，以下爲避免重複記載，而以3個噴出裝置 ® 11A、12A、13A爲代表，僅說明噴出裝置11A之構成、功 能。 (B、噴出裝置之全體構成） 圖2所示噴出裝置11A爲液滴噴出裝置，具體言之爲 ，噴出裝置11A具備：槽101，用於保持液狀材料111;軟 管110;及介由軟管110由槽101被供給液狀材料X11的噴出 掃描部102。噴出掃描部1〇2具備：地面載置台GS ;噴頭 m — 部;載置台106 ;第1位置控制裝置104 ;第2位置控制 裝置108;控制部112;及支撐部l〇4a。 噴頭部103用於保持噴頭114(圖3、圖4)。該噴頭114 ，係依控制部112之信號噴出液狀材料lli。又，噴頭部 103之噴頭114,係藉由軟管u〇連結於槽i〇i。由槽1〇1對 噴頭114可供給液狀材料ui。 載置台10 6提供固定底基板1&用之平面。載置台1〇6具 有使用吸引力固定底基板la之位置的功能。 第1位置控制裝置104，被支撐部104a支撐，由地面載 -10- (8) 1288589 置台GS被固定於特定高度之位置。該第丨位置控制裝置 1〇4係依據控制部112之信號使噴頭部1〇3朝X軸方向及與 X軸方向正交之Z軸方向移動。另外，第1位置控制裝置 104具有使噴頭部1〇3朝和z軸平行之軸之周圍旋轉之功能 。本實施形態中，Z軸方向爲和垂直方向（亦即重力加速 度方向）平行之方向。 第2位置控制裝置1〇8，係依據控制部112之信號使載 肇 置台106於地面載置台GS上朝Y軸方向移動。該Y軸方 向爲和X軸方向及Z軸方向雙方正交之方向。 具有上述功能之第1位置控制裝置104吉第2位置控制 裝置108之構成，可使用習知線性馬達及伺服馬達之χγ 機器人予以實現。因此此處省略其詳細說明。又，本說明 書中，第1位置控制裝置104與第2位置控制裝置108亦有標 記爲「機器人」或「掃描部」之情況。 如上述說明，噴頭部103係由第1位置控制裝置104控 — 制朝X軸方向移動。底基板la和載置台106則由第2位置控 制裝置108控制朝Y軸方向移動。結果，可變化噴頭114相 對於底基板la之相對位置。更具體言之爲，藉由彼等動作 ,噴頭部103、噴頭114或噴嘴118(圖3、4)，對於底基板 la可以於Z軸方向保持特定距離、且於X軸方向與Y軸方 向相對移動、亦即相對掃描。所謂「相對移動」或「相對 掃描」係使噴出液狀材料111之側，與噴出物著彈之側（被 噴出部）之至少一方朝另一方之相對移動。 控制部112可由外部資訊處理裝置接受噴出資料（例如 -11 - 1288589 Ο) 位元對映資料）用於表示應噴出之液狀材料111之相對位置 。控制部112，係將受取之噴出資料儲存於內部記憶裝置 之同時，依儲存之噴出資料控制第1位置控制裝置104、第 2位置控制裝置108及噴頭114。 具有上述構成之噴出裝置11A，係依位元對映資料（亦 即噴出資料）使噴頭114之噴嘴118(圖3、4)朝底基板la進行 相對移動之同時，由噴嘴118朝被噴出部噴出液狀材料111 ® 。該位元對映資料爲底基板la上將材料以特定圖型供給之 資料。又，亦有將噴出裝置11A之暖頭114之相對移動， 與來自噴頭11 4之液狀材料111之噴出統稱爲「塗敷掃描」 或「噴出掃描」。 又，「被噴出部」係指液狀材料111之液滴著彈而塗 敷擴大之部分，另外，「被噴出部」亦可爲使液狀材料 111呈現所要接觸角，而對底層物體施予表面改質處理而 形成之部分。但是，不進行表面改質處理而使底層物體表 零 面相對於液狀材料111呈現所要疏液性或親液性（亦即著彈 之液狀材料111於底層物體表面上呈現所要接觸角）時，以 底層物體表面本身爲「被噴出部」亦可。又，本說明書中 ，「被噴出部」亦有被稱爲「標靶」或「受容部」。 (C，噴頭） 如圖3所示，噴頭114，係於噴頭部103被拖架103A固 定。又，噴頭114爲具有多數個噴嘴118之液滴噴頭。具體 言之爲，如圖4(a)、（b)所示，噴頭114具備振動板126與用 -12- (10) 1288589 於界定噴嘴118之開口的噴嘴板128。振動板126與噴嘴板 128之間設置貯液槽129，於該貯液槽129經常塡充由外部 槽（未圖示）介由孔131被供給之液狀材料111。 振動板126與噴嘴板128之間設由多數個間隔壁122。 振動板126、噴嘴板128與1對間隔壁122包圍之部分爲空穴 部120。空穴部120對應噴嘴11 8設置，因此空穴部120之數 目和噴嘴118之數目相同。於空穴部120，介由位於1對間 ^ 隔壁1·22間之供給口 130，由貯液槽129被供給液狀材料111 。又本實施形態中，噴嘴118之直徑約27// m。 振動子124分別和各個空穴部120對應地位於振動板 126上。振動子124由壓電元件124c，及挾持壓電元件124c 的1對電極124A、124B構成。控制部112對該1對電極124A 、124B供給驅動電壓而可由對應之噴嘴118噴出液狀材料 111之液滴D。由噴嘴118噴出之材料之體積係於〇pl以上 42pl(微微升）以下之間可變化。又，噴嘴118之形狀被調整 ，以使液狀材料111之液滴D由噴嘴118朝Z軸方向噴出。 本說明書中，亦有將包含1個噴嘴118、與噴嘴118對 應之空穴部120、以及和空穴部120對應之振動子124的部 分標記爲「噴出部127」。依據該標記，1個噴頭114具有 和噴嘴118之數目相同數目之噴出部127。噴出部127可改 爲具有電熱轉換元件以替代壓電元件。亦即，噴出部127 可以構成利用電熱轉換元件之材料熱膨脹而噴出材料。 (D，控制部） 以下說明控制部112之構成。如圖5所示，控制部112 •13- (11) 1288589 具備：輸入緩衝記憶體2 Ο Ο ;記憶裝置2 Ο 2 ;處理部2 Ο 4 ; 掃描驅動部206 ;及噴頭驅動部208。緩衝記憶體2〇2與處 理部204可互相通信。處理部204、記憶裝置202、掃描驅 動部206、及噴頭驅動部208藉由匯流排（未圖示）連接成可 互相通信。 掃描驅動部206係將第1位置控制裝置1〇4與第2位置控 制裝置108連接成可互相通信。同樣地，噴頭驅動部208連 ® 接成可與多數個噴頭114之各個互相通信。 輸入緩衝記憶體200，係由位於噴出裝置1〇a外部之 外部資訊處理裝置（未圖示）接受進行液狀材料111之液滴 噴出用的噴出資料。輸入緩衝記憶體200係將噴出資料供 給至處理部204，處理部204將噴出資料存於記憶裝置2〇2 。於圖5，記憶裝置202爲R AM。 處理部204，係依據記憶裝置202內之噴出資料，對掃 描驅動部2 0 6供給資料用於顯不噴嘴11 8相對於被噴出部之 ^ 相對位置。掃描驅動部20 6則將和該資料與噴出週期對應 之載置台驅動信號供給至第2位置控制裝置1〇8。結果，噴 頭部11 3相對於被噴出部之相對移動變化。另外，處理部 204依據記憶裝置202記憶之噴出資料對噴頭114供給液狀 材料111之噴出必要之噴出信號。藉果，由噴頭114中對應 之噴嘴11 8噴出液狀材料111之液滴。 控制部112可爲包含CPU、ROM、RAM、匯流排 之電腦。此情況下，控制部112之上述功能，可由電腦執 行軟體實現。當然控制部112亦可由專用電路（硬體）實現 -14 - (12) 1288589 (E，液狀材料） 上述液狀材料111，係指具有可由噴頭114之噴嘴118 作爲液滴噴出之黏度者，液狀材料i i i可爲水性或油性， 只要具備黏度（流動性）可由噴嘴噴出即可，即使混入固體 物質而全體具備流軌性亦可。又，液狀材料1 i i之黏度較 • 好是爲lm P a · s以上50m P a · s以下，黏度爲lm p a · s以 上時噴出液狀材料111之液滴D時噴嘴118之周邊部不容易 被液狀材料111污染·另外，黏度爲5〇mP a· s以下時噴嘴 118堵塞頻率變少，可實現圓滑之液滴噴出。 後述之導電性材料91A(圖7(a))爲上述「液狀材料」 之一種。本實施形態之導電性材料9 i A包含：平均粒徑約 10nm之銀粒子、分散劑、甲苯或二甲苯等之有機溶媒。 於導電性材料，銀粒子被分散劑覆蓋。被分散劑覆蓋之銀 ^ 粒子可穩定分散於有機溶媒中。分散劑爲可使銀原子配位 之化合物。 上述分散劑習知者有胺、乙醇、硫醇等。具體言之， 分散劑可使用二甲胺基乙醇、二乙醇胺、二乙基甲胺、2 -二甲胺基乙醇、甲（替）二乙醇胺等之胺化合物、烷基安 類、乙稀二胺、院基乙醇類、乙二醇、丙二醇、院基硫醇 類、乙烷二硫醇等。 又，平均粒徑約lnm〜數l〇〇nm之粒子亦標記爲「奈 米粒子」。依該標記，本實施形態之導電性材料包含銀之 -15- (13) 1288589 奈米粒子。 後述之絕緣材料21A(圖6(a)、圖10(a))，及絕緣材料 22 A(圖8(a)、圖12(a))亦爲「液狀材料」。具體言之爲， 絕緣材料21A係包含：聚醯亞胺前驅體、溶媒（稀釋劑）之 N甲基2吡咯烷酮。絕緣材料22A包含無機絕緣物之二氧 化矽之奈米粒子及溶媒。絕緣材料22A內含之二氧化矽之 奈米粒子ΐ平均粒徑約爲10nm。絕緣材料22A中之溶媒（ # 稀釋劑）爲水。 後述之中間材料31A(圖6(c))、41A(圖8(c))、51A(圖 10(c))、61A(圖 12(c))、71A(圖 14(c))、81A(圖 16(c))亦分 別爲「液狀材料」。 具體言之爲，中間材料31A爲包含聚醯亞胺前驅體、 溶媒之N甲基2吡咯烷酮、銀之奈米粒子、及分散銀奈米 粒子之分散劑的「液狀材料」。又，中間材料4 1A爲包含 平均粒徑約l〇nm之二氧化矽奈米粒子、溶媒（稀釋劑）、銀 ® 之奈米粒子、及分散銀奈米粒子之分散劑的「液狀材料」 〇 又，中間材料51A爲包含聚醯亞胺前驅體、溶媒之n 甲基2吡咯烷酮、及平均粒徑約50nm之二氧化矽奈米粒子 的「液狀材料」。又，中間材料6 1A爲包含平均粒徑約 10nm之二氧化矽奈米粒子、溶媒（稀釋劑）、及平均粒徑約 50nm之二氧化矽奈米粒子的「液狀材料」。 中間材料71A爲包含聚醯亞胺前驅體、及溶媒之n甲 基2吡咯烷酮的「液狀材料」。本實施形態中，中間材料 -16- (14) 1288589 71A相同於絕緣材料21A。中間材料81A爲包含平均粒徑約 10nm之二氧化矽奈米粒子、及溶媒（稀釋劑）的「液狀材料 」。本實施形態中，中間材料81A相同於絕緣材料22A。 以下說明層形成方法。本實施形態之層形成方法爲配 線基板之製造方法之一部分。 (F1，絕緣層） Φ 首先，於底基板la上設置絕緣層21。具體言之爲，如 圖6 (a)所示，使底基板la位於噴出裝置11A之載置台106上 。如此則，噴出裝置11 A依據第1位元對映資料於底基板la 上形成絕緣材料層21B。於此，絕緣材料層21B構成爲大 略覆蓋底基板la之一方面之全面的形狀，亦即絕緣材料層 21B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 ^ 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料21A之液 滴。於此，絕緣材料21A爲包含聚醯亞胺前驅體及溶媒之 液狀材料。噴出之絕緣材料21A之液滴被著彈於底基板la 之被噴出部。藉由絕緣材料21A之液滴著彈於被噴出部， 可於底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層21B。 形成絕緣材料層21B之後，使絕緣材料層21B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。-藉由加熱絕緣材料層21B而硬化絕緣材料層21B之聚醯 -17- (15) 1288589 亞胺前驅體獲得聚醯亞胺層。如圖6(b)所示，該活化結果 可於底基板la上獲得絕緣層21 (聚醯亞胺層）。 (F2，中間層/導電層） 形成絕緣層21後，形成互相具有相同形狀之中間層31 及導電層91。於此，導電層91被積層於中間層31上。 具體言之爲，如圖6(c)所示，使設有絕緣層21之底基 ^ 板la位於噴出裝置11A之載置台106上。如此則，噴出裝置 12 A依據第2位元對映資料於絕緣層21上形成中間材料層 31B 〇 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118 噴出中間材料31A之液滴。於此，中間材料31A爲包含聚 醯亞胺前驅體、溶媒及平均粒徑約l〇nm之銀微粒子的液 W 狀材料。噴出之中間材料31A之液滴被著彈於絕緣層21之 被噴出部。藉由中間材料31A之液滴著彈於被噴出部，如 圖6(d)所示，可於絕緣層21之被噴出部上獲得中間材料層 31B。 如圖7(d)所示，本實施形態之導電圖型40爲應設置導 電配線之圖型。導電配線可藉由本實施形態之導電層91( 圖7(c))實現。又，如圖7(d)所示，導電圖型40由互相連接 之電極部分40A及配線部分40B構成。電極部分40A爲電氣 且物理性接合於其他半導體元件之電極焊墊的部分。 -18- (16) 1288589 形成中間材料層31B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層91B。於此目的下，底基板la連同保護中 間材料層31B之間隔件被捲饒於捲軸W 1。之後，底基板la 連同捲軸W1被設於包含噴出裝置13A之層形成裝置。又 ，本實施形態中，不使用加熱裝置12B，引，中間材料層 31B未完成硬化。但是，形成中間材料層31B後馬上照射i 線等之ϋ V光亦可。 • 具體言之爲，如圖7(a)所示，使設有中間材料層31Β 之底基板la位於噴出裝置13Α之載置台1〇6上。如此則，噴 出裝置13A依據第3位元對映資料於中間材料層31B上形成 導電性材料層91B〇 更具體言之爲，首先，噴出裝置13 A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118 噴出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液 ® 滴被著彈於中間材料層31B。藉由導電性材料91A之液滴 著彈於中間材料層31B，如圖7(b)所示，可於中間材料層 3 1B上獲得導電性材料層91B。 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層31B與導 電性材料層9 1B活化。因此，本實施形態中，使底基板1 a 位於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層31B與導電 性材料層91B，而如圖7(c)所示，獲得互相密著之中間層 31與導電層91。又，如後述說明，中間層31由連接層32.、 緩衝層33、與連接層34構成。 -19- (17) 1288589 具體言之爲，藉由中間材料層3 1B與導電性材料層 9 1B之活化而進行中間材料層31B之聚醯亞胺前驅體之硬 化反應，由中間材料層31B產生緩衝層33。又，導電性材 料91A中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B 產生導電層91。與此同時，中間材料層31B表層之銀之微 粒子，與導電性材料層91B表層之銀之微粒子藉由互相之 燒結或融著，而於緩衝層33與導電層91間產生連接層32° • 結果，緩衝層33與導電層91介由連接層32成爲互相密著。 又，藉由上述活化，絕緣層21表層之聚醯亞胺，與中 間材料層31B另一方表層包含之聚醯亞胺前驅體發生結合 ，而於絕緣層21與緩衝層33間產生連接層34。結果，絕緣 層21與緩衝層33藉由連接層34呈現密著。又，絕緣層21包 含之聚醯亞胺，與上述活化產生之中間層31包含之聚醯亞 胺矽對應本發明之「絕緣樹脂」。 因此，中間層31可以密著於絕緣層21與導電層91。又 ^ ，中間層31包含聚醯亞胺與銀。亦即，中間層31，係包含 和絕緣層21包含之絕緣樹脂相同之絕緣樹脂之同時，包含 和導電層91包含之金屬相同之金屬。因此，中間層31之線 性膨脹係數値，成爲位於絕緣層21之線性膨脹係數値與導 電層91之線性膨脹係數値之間。因此，和無中間層31之情 況比較，絕緣層21熱膨脹時產生之應力變小，結果，相較 於無中間層31之情況，熱膨脹引起之導電層91之剝離變爲 更難。 如上述說明，本實施形態之中間材料3 1A包含絕緣樹 -20- (18) 1288589 脂之前驅體，而且藉由活化而由其前驅體產生之絕緣樹脂 ，係相同於構成底層絕緣層21之絕緣樹脂。但是，只要絕 緣層21包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數，與結果獲得之中 間層31包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數同等或近似，則即 使絕緣層21包含之絕緣樹脂，與中間層31包含之絕緣樹脂 不同時亦可。同樣地，只要中間層3 1包含之金屬之線性膨 脹係數，與導電層91包含之金屬之線性膨脹係數同等或近 • 似，即使中間層31包含之金屬，與導電層91包含之金屬不 同亦可。 (第2實施形態） 以下說明第2實施形態之製造方法。本實施形態之製 造方法，除取代絕緣材料21A與中間材料31A，改用絕緣 材料22A與中間材料41A以外，基本上均同第1實施形態之 製造方法。 (G1,絕緣層） 首先，於底基板la上設置無機絕緣物構成之絕緣層22 。具體言之爲，如圖8(a)所示，使底基板la位於噴出裝置 11A之載置台1〇6上。如此則，噴出裝置11A依據第1位元 對映資料於底基板la上形成絕緣材料層22B。於此，絕緣 材料層22B構成爲大略覆蓋底基板U之一方之面之全面的 形狀，亦即絕緣材料層22B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 -21 - (19) 1288589 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料22A之液 滴。於此，絕緣材料22A爲包含無機絕緣物及溶媒之液狀 材料。噴出之絕緣材料22A之液滴被著彈於底基板la之被 噴出部。藉由絕緣材料22A之液滴著彈於被噴出部，可於 底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層22B。 形成絕緣材料層22B之後，使絕緣材料層22B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。藉由加熱絕緣材料層22B使絕緣材料層22B之無機絕緣 物析出或融著。如圖8(b)所示，該活化結果可於底基板la 上獲得絕緣層22。 (G2，中間層/導電層） 形成絕緣層22後，形成均具有導電圖型40(圖7(d))之 形狀之中間層41及導電層91。於此，導電層91被積層於中 間層4 1上。 具體言之爲，如圖8(c)所示，使設有絕緣層22之底基 板la位於噴出裝置12A之載置台106上。如此則，噴出裝置 12A依據第2位元對映資料於絕緣層22上形成中間材料層 41B。 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板1 a之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴11 8 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118 -22- (20) 1288589 噴出中間材料41A之液滴。於此，中間材料41A爲包含無 機絕緣物、溶媒及平均粒徑約10nm之銀微粒子。噴出之 中間材料41A之液滴被著彈於絕緣層22之被噴出部。藉由 中間材料4 1A之液滴著彈於被噴出部，如圖8 ( d)所示，可 於絕緣層22之被噴出部上獲得中間材料層41B。 形成中間材料層41B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層91B。於此目的下，底基板la連同保護中 # 間材料層41B之間隔件被捲饒於捲軸W 1。之後，底基板la 連同捲軸W 1被設於包含噴出裝置13 A之層形成裝置。又 ，本實施形態中，不使用加熱裝置12B，因此，中間材料 層41B未完成硬化。 具體言之爲，如圖9(a)所示，使設有中間材料層41B 之底基板la位於噴出裝置13A之載置台106上。如此則，噴 出裝置13 A依據第3位元對映資料於中間材料層41B上形成 導電性材料層91B。 ^ 更具體言之爲，首先，噴出裝置13A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118 噴出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液 滴被著彈於中間材料層41B。藉由導電性材料91A之液滴 著彈於中間材料層41B，如圖9(b)所示，可於中間材料層 41B上獲得導電性材料層91B。 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層41B與導 電性材料層91B活化。因此，本實施形態中，使底基板la -23- (21) 1288589 iu於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層41B與導電 性材料層91B，而如圖9(c)所示，獲得互相密著之中間層 41與導電層91。又，如後述說明，中間層41由連接層u、 緩衝層43、與連接層44構成。 具體言之爲，藉由中間材料層413與導電性材料層 9 1B之活化而使中間材料層41B之無機絕緣物析出或融著 ，而由中間材料層41B產生緩衝層43。又，導電性材料 91A中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B產 生導電層91。與此同時，中間材料層413表層之銀之微粒 子，與導電性材料層91B表層之銀之微粒子藉由互相之燒 結或融著，而於緩衝層43與導電層91間產生連接層42。結 果，緩衝層43與導電層91介由連接層42成爲互相密著。 又，藉由上述活化，絕緣層22表層之無機絕緣物，與 中間材料層41B另一方表層包含之無機絕緣物發生結合， 而於絕緣層22與緩衝層43間產生連接層44。結果，絕緣層 22與緩衝層43藉由連接層44呈現互相密著。 因此，中間層41可以密著於絕緣層22與導電層91。又 ，中間層4 1包含無機絕緣物與銀。亦即，中間層4 1，係包 含和絕緣層22包含之無機絕緣物相同之無機絕緣物之同時 ，包含和導電層91包含之金屬相同之金屬。因此，中間層 41之線性膨脹係數値，成爲位於絕緣層22之線性膨脹係數 値與導電層9 1之線性膨脹係數値之間。因此，和無中間層 4 1之情況比較，絕緣層22熱膨脹時產生之應力變小。結果 ，相較於無中間層41之情況，熱膨脹引起之導電層91之剝 -24- (22) 1288589 離變爲更難。 如上述說明，本實施形態之中間材料41A包含和構成 絕緣層22之無機絕緣物相同之無機絕緣物。但是，只要絕 緣層22包含之無機絕緣物之線性膨脹係數，與結果獲得之 中間層41包含之無機絕緣物之線性膨脹係數同等或近似， 則即使絕緣層22包含之無機絕緣物，與中間層41包含之無 機絕緣物不同亦可。同樣地，只要中間層41包含之金屬之 ® 線性膨脹係數，與導電層9 1包含之金屬之線性膨脹係數同 等或近似，即使中間層4 1包含之金屬，與導電層9 1包含之 金屬不同亦可。 (第3實施形態） 以下說明第3實施形態之製造方法。本實施形態之製 造方法，除取代中間材料31A，改用中間材料51A以外， 基本上均同第1實施形態之製造方法。 (H1，絕緣層） 首先，於底基板1 a上設置絕緣樹脂構成之絕緣層2 1。 具體言之爲，如圖10 (a)所示，使底基板la位於噴出裝置 11八之載置台106上。如此則，噴出裝置11八依據第1位元 對映資料於底基板la上形成絕緣材料層21B。於此，絕緣 材料層21B構成爲大略覆蓋底基板ia之一方面之全面的形 狀，亦即絕緣材料層21B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 -25- (23) 1288589 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料21A之液 滴。於此，絕緣材料21A爲包含聚醯亞胺前驅體及溶媒之 液狀材料。噴出之絕緣材料21A之液滴被著彈於底基板la 之被噴出部。藉由絕緣材料21A之液滴著彈於被噴出部， 可於底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層21B。 形成絕緣材料層21B之後，使絕緣材料層21B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。藉由加熱絕緣材料層21B而硬化絕緣材料層21B之聚醯 亞胺前驅體獲得聚醯亞胺層。如圖10(b)所示，該活化結 果可於底基板la上獲得絕緣層21 (聚醯亞胺層）。 (H2，中間層/導電層） 形成絕緣層21後，形成均具有導電圖型40(圖7(d))之 形狀之中間層51及導電層91。於此，導電層91被積層於中 間層5 1上。 具體言之爲，如圖10(c)所示，使設有絕緣層21之底 基板la位於噴出裝置11 A之載置台106上。如此則，噴出裝 置12A依據第2位元對映資料於絕緣層21上形成中間材料 層 5 1B 〇 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118 -26 - (24) 1288589 噴出中間材料51A之液滴。於此，中間材料51A爲包含聚 醯亞胺前驅體、溶媒及平均粒徑約5〇nm之二氧化矽粒子 的液狀材料。噴出之中間材料51A之液滴被著彈於絕緣層. 21之被噴出部。藉由中間材料51A之液滴著彈於被噴出部 ，如圖10(d)所示，可於絕緣層21之被噴出部上獲得中間 材料層51B。中間材料層51B於二氧化矽粒子表面因二氧 化矽粒子之存在而呈現約50nm之凹凸。 形成中間材料層51B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層91B。於此目的下，底基板la連同保護中 間材料層51B之間隔件被捲饒於捲軸W1。之後，底基板la 連同捲軸W 1被設於包含噴出裝置13 A之層形成裝置。又 ，本實施形態中，不使用加熱裝置12B，因此，中間材料 層51B未完成硬化。 具體言之爲，如圖11(a)所示，使設有中間材料層51B 之底基板la位於噴出裝置13A之載置台106上。如此則，噴 出裝置13 A依據第3位元對映資料於中間材料層51B上形成 導電性材料層9 1B。 更具體言之爲，首先，噴出裝置13A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118 噴出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液 滴被著彈於中間材料層51B。藉由導電性材料91A之液滴 著彈於中間材料層51B，如圖11(b)所示，可於中間材料層 51B上獲得導電性材料層91B。 -27· (25) 1288589 如上述說明，銀之微粒子之平均粒徑約爲l〇nm。亦 即，銀之微粒子之平均粒徑小於中間材料層5 1B表面凹凸 之尺寸。因此，導電性材料層91B中之銀之微粒子將進入 中間材料層51B表面之凹凸。 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層51B與導 電性材料層91B活化。因此，本實施形態中，使底基板la 位於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層51B與導電 • 性材料層91B，而如圖11(c)所示，獲得互相密著之中間層 51與導電層91。又，如後述說明，中間層51由連接層52、 緩衝層53、與連接層54構成。 具體言之爲，藉由中間材料層51B與導電性材料層 91B之活化而進行中間材料層51B之聚醯亞胺前驅體之硬 化反應，由中間材料層51B產生緩衝層53。又，導電性材 料91A中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B 產生導電層91。另外，於中間材料層51B表面之凹凸，因 ^ 爲導電性材料層91B中之銀之微粒子之進入，藉由所謂定 著效應而使中間層51與與導電層91成爲互相密著。 又，藉由上述活化，絕緣層21表層之聚醯亞胺，與中 間材料層51B另一方表層包含之聚醯亞胺前驅體發生結合 ，而於絕緣層21與緩衝層53間產生連接層54。結果，絕緣 層21與緩衝層53藉由連接層54呈現密著。又，絕緣層21包 含之聚醯亞胺，與上述活化產生之中間層51包含之聚醯亞 胺矽對應本發明之「絕緣樹脂」。 因此，中間層51可以密著於絕緣層21與導電層91。結 -28- (26) 1288589 果，和無中間層5 1之情況比較，導電層9 1之剝離變爲不容 易。 又，只要絕緣層21包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數， 與結果獲得之中間層51包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數同 等或近似，則即使絕緣層21包含之絕緣樹脂，與中間層5 1 包含之絕緣樹脂不同亦可。 •(第4實施形態） 以下說明第4實施形態之製造方法。本實施形態之製 造方法，除取代絕緣材料21A與中間材料31A，改用絕緣 材料22A與中間材料61A以外，基本上均同第1實施形態之 製造方法。 (11，絕緣層） 首先，於底基板la上設置無機絕緣物構成之絕緣層22 。具體言之爲，如圖12(a)所示，使底基板la位於噴出裝 W 置11A之載置台106上。如此則，噴出裝置11A依據第1位 元對映資料於底基板la上形成絕緣材料層22B。於此，絕 緣材料層2 2B構成爲大略覆蓋底基板la之一方之面之全面 的形狀，亦即絕緣材料層22B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料22A之液 滴。於此，絕緣材料22A爲包含無機絕緣物及溶媒之液狀 -29- (27) 088589 材料。噴出之絕緣材料22A之液滴被著彈於底基板la之被 噴出部。藉由絕緣材料22A之液滴著彈於被噴出部，可於 底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層22B。 形成絕緣材料層22B之後，使絕緣材料層22B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。藉由加熱絕緣材料層22B使絕緣材料層22B中之溶媒氣 化使無機絕緣物析出或融著。如圖12(b)所示，該活化結 ^ 果可於底基板la上獲得絕緣層22。 (12，中間層/導電層） 形成絕緣層22後，形成均具有導電圖型40(圖7(d))之 形狀之中間層61及導電層91。於此，導電層91被積層於中 間層6 1上。 具體言之爲，如圖12(c)所示，使設有絕緣層22之底 基板la位於噴出裝置12A之載置台106上。如此則，噴出裝 ^ 置12A依據第2位元對映資料於絕緣層22上形成中間材料 層 6 1 B 〇 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118 噴出中間材料61A之液滴。於此，中間材料61A爲包含無 機絕緣物、溶媒及平均粒徑約50nm之二氧化矽粒子。噴 出之中間材料61 A之液滴被著彈於絕緣層22之被噴出部。 藉由中間材料61A之液滴著彈於被噴出部，如圖12(d)所示 -30· (28) 1288589 ，可於絕緣層22之被噴出部上獲得中間材料層61B。於中 間材料層61B表面因爲二氧化矽粒子之存在而呈現約50nm 之凹凸。 形成中間材料層61B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層91B。於此目的下，底基板la連同保護中 間材料層61B之間隔件被捲饒於捲軸W1。之後，底基板la 連同捲軸W1被設於包含噴出裝置13A之層形成裝置。又 •，本實施形態中，不使用加熱裝置12B，因此，中間材料 層61B未完成硬化。 具體言之爲，如圖13(a)所示，使設有中間材料層61B 之底基板la位於噴出裝置13A之載置台106上。如此則，噴 出裝置13 A依據第3位元對映資料於中間材料層61B上形成 導電性材料層91B。 更具體言之爲，首先，噴出裝置13A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 ^ 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118 噴出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液 滴被著彈於中間材料層61B。藉由導電性材料91A之液滴 著彈於中間材料層61B,如圖13(b)所示，可於中間材料層 61B上獲得導電性材料層91B。 如上述說明，銀之微粒子之平均粒徑約爲l〇nm。亦 即，銀之微粒子之平均粒徑小於中間材料層61B表面凹凸 之尺寸。因此，導電性材料層91B中之銀之微粒子將進入 中間材料層61B表面之凹凸。 -31 - (29) 1288589 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層61B與導 電性材料層91B活化。因此，本實施形態中，使底基板la 位於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層61B與導電 性材料層91B，而如圖13(c)所示，獲得互相密著之中間層 61與導電層91。又，如後述說明，中間層61由連接層62、 緩衝層63、與連接層64構成。 具體言之爲，藉由中間材料層61B與導電性材料層 ® 9 1B之活化而使中間材料層61B之無機絕緣物析出或融著 ，而由中間材料層61B產生緩衝層43。又，導電性材料 9 1A中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B產 生導電層91。另外，藉由銀之微粒子之進入中間材料層 6 1B表面之凹凸之所謂定著效應而使中間層61與導電層91 成爲互相密著。 又，藉由上述活化，絕緣層22表層之無機絕緣物，與 中間材料層61B另一方表層包含之無機絕緣物發生結合， 零 而於絕緣層22與緩衝層63間產生連接層64。結果，絕緣層 22與緩衝層63藉由連接層64呈現互相密著。 因此，中間層61可以密著於絕緣層22與導電層91。結 果，和無中間層5 1之情況比較，導電層9 1之剝離變爲不容 易。 又，只要絕緣層22包含之無機絕緣物之線性膨脹係數 ，與結果獲得之中間層4 1包含之無機絕緣物之線性膨脹係 數同等或近似，則即使絕緣層22包含之無機絕緣物，與中 間層61包含之無機絕緣物不同亦可。 -32- (30) 1288589 (第5實施形態） 以下說明第5實施形態之製造方法。本實施形態之製 造方法，除取代中間材料31A改用中間材料71A，以及噴 出裝置12A與噴出裝置13A位於一對捲軸W 1之間以外，基 本上均同第1實施形態之製造方法。 (J1，絕緣層） 首先，於底基板la上設置絕緣樹脂構成之絕緣層21。 具體言之爲，如圖14(a)所示，使底基板la位於噴出裝置 11A之載置台1〇6上。如此則，噴出裝置11A依據第1位元 對映資料於底基板la上形成絕緣材料層21B。於此，絕緣 材料層21B構成爲大略覆蓋底基板la之一方面之全面的形 狀，亦即絕緣材料層21B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料21A之液 滴。於此，絕緣材料21A爲包含聚醯亞胺前驅體及溶媒之 液狀材料。噴出之絕緣材料21A之液滴被著彈於底基板la 之被噴出部。藉由絕緣材料21A之液滴著彈於被噴出部， 可於底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層21B。 形成絕緣材料層21B之後，使絕緣材料層21B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。藉由加熱絕緣材料層21B而硬化絕緣材料層21B之聚醯 -33- (31) 1288589 亞胺前驅體獲得聚醯亞胺層。如圖14(b)所示，該活化結 果可於底基板la上獲得絕緣層21(聚醯亞胺層）。 (J2,中間層/導電層） 形成絕緣層21後，形成均具有導電圖型40(圖7(d))之 形狀之中間層71及導電層91。於此，導電層91被積層於中 間層71上。 具體言之爲，如圖14(c)所示，使設有絕緣層21之底 基板la位於噴出裝置11 A之載置台106上。如此則，噴出裝 置12A依據第2位元對映資料於絕緣層21上形成中間材料 層 7 1 B 〇 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達特定圖型對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118噴 出中間材料71A之液滴。於此，中間材料71 A爲包含聚醯 亞胺前驅體及溶媒的液狀材料。噴出之中間材料71A之液 滴被著彈於絕緣層21之被噴出部。藉由中間材料71A之液 滴著彈於被噴出部，如圖14(d)所示，可於絕緣層21之被 噴出部上獲得中間材料層71B。又，本實施形態之中間材 料71A，除不包含銀之微粒子以外，均相同於第1實施形 態之中間材料31A。 形成中間材料層51B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層9 1 B。 具體言之爲，如圖15(a)所示，在中間材料層71B實質 -34- (32) 1288589 上喪失流動性之前，使設有中間材料層71B之底基板la位 於噴出裝置13A之載置台106上。如此則，噴出裝置13A依 據第3位元對映資料於中間材料層71B上形成導電性材料層 91B。又，本實施形態中，噴出裝置12A、與噴出裝置13A ，係於一對捲軸W1之間被串連連結。 更具體言之爲，首先，噴出裝置13A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 • 到達特定圖型對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118噴 出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液滴 被著彈於中間材料層71B。藉由導電性材料91A之液滴著 彈於中間材料層71B，如圖15(b)所示，可於中間材料層 71B上獲得導電性材料層91B。 於此，在中間材料層7 1 B實質上喪失流動性之前，來 自噴出裝置13 A之導電性材料91A著彈於中間材料層71B上 。引，如圖15(b)所示，於中間材料層71B表層出現混入有 ^ 來自導電性材料91A之銀之微粒子的混入層71B’。 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層71B與導 電性材料層91B活化。因此，本實施形態中，使底基板la 位於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層71B與導電 性材料層91B，而如圖15(c)所示，獲得互相密著之中間層 71與導電層91。又，如後述說明，中間層71由連接層72、 緩衝層73、與連接層74構成。 具體言之爲，藉由中間材料層71B與導電性材料層 91B之活化而進行中間材料層71B之聚醯亞胺前驅體之硬 -35- (33) 1288589 化反應，由中間材料層51B產生緩衝層53。又，導電性材 料91A中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B 產生導電層91。與此同時，中間材料層71B表層之銀之微 粒子，與導電性材料層91B表層之銀之微粒子藉由互相之 燒結或融著，而於緩衝層73與導電層91間產生連接層72。 結果，緩衝層73與導電層91介由連接層72成爲互相密著。 又，藉由上述活化，絕緣層21表層之聚醯亞胺，與中 間材料層71B另一方表層包含之聚醯亞胺前驅體發生結合 ，而於絕緣層21與緩衝層73間產生連接層74。結果，絕緣 層21與緩衝層73藉由連接層74呈現密著。又，絕緣層21包 含之聚醯亞胺，與上述活化產生之中間層71包含之聚醯亞 胺矽對應本發明之「絕緣樹脂」。 因此，中間層71可以密著於絕緣層21與導電層91。又 ，獲得之中間層71，係包含絕緣樹脂與由導電性材料層 91B混入之銀之微粒子。亦即，中間層71，係包含和絕緣 層21包含之絕緣樹脂相同之絕緣樹脂之同時，包含和導電 層91包含之金屬相同之金屬。因此，中間層71之線性膨脹 係數値，成爲位於絕緣層21之線性膨脹係數値與導電層91 之線性膨脹係數値之間。因此，和無中間層71之情況比較 ，絕緣層21熱膨脹時產生之應力變小，結果，相較於無中 間層71之情況，熱膨脹引起之導電層91之剝離變爲不容易 〇 又，只要絕緣層21包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數， 與結果獲得之中間層71包含之絕緣樹脂之線性膨脹係數同 -36- (34) 1288589 等或近似，則即使絕緣層21包含之絕緣樹脂，與中間層71 包含之絕緣樹脂不同亦可。 (第6實施形態） 以下說明第6實施形態之製造方法。本實施形態之製 造方法，除取代絕緣材料2 1A與中間材料3 1 A改用絕緣材 料22A與中間材料81A,以及噴出裝置12A與噴出裝置13A 位於一對捲軸W 1之間以外，基本上均同第1實施形態之製 造方法。 (K1,絕緣層） 首先，於底基板la上設置無機絕緣物構成之絕緣層22 。具體言之爲，如圖16(a)所示，使底基板la位於噴出裝 置11A之載置台106上。如此則，噴出裝置11A依據第1位 元對映資料於底基板la上形成絕緣材料層22B。於此，絕 緣材料層22B構成爲大略覆蓋底基板la之一方之面之全面 的形狀，亦即絕緣材料層22B爲所謂塗滿膜。 更具體言之爲，首先，噴出裝置11A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元（亦即X軸方向及Y軸方 向）變化。之後，在噴嘴118到達底基板la之被噴出部對應 之位置時，噴出裝置11A由噴嘴118噴出絕緣材料22 A之液 滴。於此，絕緣材料22A爲包含無機絕緣物及溶媒之液狀 材料。噴出之絕緣材料22A之液滴被著彈於底基板la之被 噴出部。藉由絕緣材料22A之液滴著彈於被噴出部，可於 -37- (35) 1288589 底基板la之被噴出部上獲得絕緣材料層22B。 形成絕緣材料層22B之後，使絕緣材料層22B活化。 因此，本實施形態中，使底基板la位於加熱裝置11B內部 。藉由加熱絕緣材料層22B使絕緣材料層22B中之溶媒氣 化，使無機絕緣物析出或融著。如圖16(b)所示，該活化 結果可於底基板la上獲得絕緣層22。 鲁 （K2，中間層/導電層） 形成絕緣層22後，形成均具有導電圖型40(圖7(d))之 形狀之中間層41及導電層91。於此，導電層91被積層於中 間層4 1上。 具體言之爲，如圖16(c)所示，使設有絕緣層22之底 基板la位於噴出裝置12A之載置台106上。如此則，噴出裝 置12A依據第2位元對映資料於絕緣層22上形成中間材料 層 8 1 B 〇 ❿ 更具體言之爲，首先，噴出裝置12A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達導電圖型40對應之位置時，噴出裝置12A由噴嘴118 噴出中間材料81A之液滴。於此，中間材料81A爲包含無 機絕緣物及溶媒。噴出之中間材料81 A之液滴被著彈於絕 緣層22之被噴出部。藉由中間材料81A之液滴著彈於被噴 出部，如圖16(d)所示，可於絕緣層22之被噴出部上獲得 中間材料層81B。又，本實施形態之中間材料81A係相同 於絕緣材料22A。 -38- (36) (36)1288589 形成中間材料層81B後，形成具有導電圖型40之形狀 的導電性材料層91B。 具體言之爲，如圖17(a)所示，在中間材料層81B實質 上喪失流動性之前，使設有中間材料層81B之底基板la位 於噴出裝置13A之載置台106上。如此則，噴出裝置13A依 據第3位元對映資料於中間材料層8 1B上形成導電性材料層 91B。又，本實施形態中，噴出裝置12A、與噴出裝置13A ，係於一對捲軸W 1之間被串連連結。 更具體言之爲，首先，噴出裝置13A使噴嘴118相對 於底基板la之相對位置以二次元變化。之後，在噴嘴118 到達特定圖型對應之位置時，噴出裝置13A由噴嘴118噴 出導電性材料91A之液滴。噴出之導電性材料91A之液滴 被著彈於中間材料層81B。藉由導電性材料91A之液滴著 彈於中間材料層81B，如圖17(b)所示，可於中間材料層 81B上獲得導電性材料層91B。 於此，在中間材料層81B實質上喪失流動性之前，來 自噴出裝置13 A之導電性材料91A著彈於中間材料層81B上 。因此，如圖1 7 ( b )所示，於中間材料層8 1 B表層出現混入 有來自導電性材料91A之銀之微粒子的混入層81B’。 形成導電性材料層91B之後，使中間材料層81B與導 電性材料層91B活化。因此，本實施形態中，使底基板la 位於加熱裝置13B內部。藉由加熱中間材料層81B與導電 性材料層91B，而如圖17(c)所示，獲得互相密著之中間層 81與導電層91。又，如後述說明，中間層81由連接層82、 -39- (37) 1288589 緩衝層83、與連接層84構成。 具體言之爲，藉由中間材料層81B與導電性材料層 91B之活化使中間材料層81B中之無機絕緣物析出或融著 ，由中間材料層81B產生緩衝層83。又，導電性材料91A 中之銀之微粒子燒結或融著而由導電性材料層91B產生導 電層9 1。與此同時，中間材料層8 1 B表層之銀之微粒子， 與導電性材料層91B表層之銀之微粒子藉由互相之燒結或 ^ 融著，而於緩衝層83與導電層91間產生連接層82。結果， 緩衝層83與導電層91介由連接層82成爲互相密著。 又，與此同時，絕緣層22表層之無機絕緣物，與中間 材料層81B另一方表層包含之無機絕緣物發生結合，而於 絕緣層22與緩衝層83間產生連接層84。結果，絕緣層22與 緩衝層83藉由連接層84呈現密著。 因此，中間層81可以密著於絕緣層22與導電層91。又 ，獲得之中間層8 1，係包含無機絕緣物與由導電性材料層 0 91B混入之銀之微粒子。亦即，中間層81，係包含和絕緣 層22包含之無機絕緣物相同之無機絕緣物之同時，包含和 導電層91包含之金屬相同之金屬。因此，中間層81之線性 膨脹係數値，成爲位於絕緣層22之線性膨脹係數値與導電 層91之線性膨脹係數値之間。因此，和無中間層81之情況 比較，絕緣層22熱膨脹時產生之應力變小，結果，相較於 無中間層81之情況，熱膨脹引起之導電層91之剝離變爲不 容易。 又，只要絕緣層22包含之無機絕緣物之線性膨脹係數 -40- (38) 1288589 ，與結果獲得之中間層81包含之無機絕緣物之線性膨脹係 數同等或近似，則即使絕緣層22包含之無機絕緣物，與中 間層81包含之無機絕緣物不同亦可。 如上述說明，依上述第1〜第6實施形態，使用液滴噴 出法可以製造具備不容易剝離之導電層的配線基板。配線 基板之一例爲液晶顯示裝置中連接液晶面板之基板。亦即 ，本實施形態之層形成方法適用液晶顯示裝置之製造。 又，本實施形態之層形成方法，不限於液晶顯示裝置 之製造，亦適用於各種光電裝置之製造。此處所謂「光電 裝置」不限於使用雙折射性變化、或旋光性變化，或光散 亂性變化等光學特性之變化（所謂光電效應）之裝置，而是 包含依據信號電壓之施加使光射出、透過或反射之裝置全 am 體。 具體言之爲，光電裝置爲包含液晶顯示裝置、EL顯 示裝置（電激發光顯示裝置）、電漿顯示裝置、使用表面 傳導型電子放出元件之顯示器（SED: Surf ace-Co n duct ion Electron-Emitter Display)及電場放出顯示器（FED : Field
Emission Display)之用語。 又，上述第1〜第6實施形態之層形成方法可適用各種 電子機器之製造方法。例如，本實施形態之製造方法可適 用圖18所示具備液晶顯示裝置520之析+500之製造方法， 或圖19所示具備液晶顯示裝置620之個人電腦600之製造方 法。 -41 - (39) 1288589 (變形例1) 上述第1〜第6實施形態係於具體言之爲，構成之底基 板la設置導電配線。但是取代該底基板la,改用陶瓷基板 、玻璃基板、環氧基板、玻璃環氧基板、或矽基板等亦可 獲得和上述實施形態相同之效果。又，使用矽基板時，噴 出導電性材料之前，於基板表面形成鈍化膜亦可。又，不 論使用何者基板或膜，如上述說明，來自噴嘴118之液狀 • 材料111之著彈而塗敷擴大之部分對應於「被噴出部」。 (變形例2) 於上述第1〜第6實施形態之導電性材料91A包含銀之 奈米粒子。但是，取代銀奈米粒子亦可改用其他金屬之奈 米粒子。其他金屬可爲例如金、白金、銅、Pd、Rh、〇 S、1111、111、鐵、錫、鋅、<：0、1^卜<：1、丁卜丁3、1^、 In之任一，或者使用2種以上組合之合金。但是，銀可於 W 較低溫還原，容易處理。關於此點，就使用液滴噴出法而 言，較好是使用包含銀之奈米粒子之導電性材料91A。 又，上述第1〜第4實施形態中，導電性材料91A亦可 取代金屬之奈米粒子而包含有機金屬化合物。所謂有機金 屬化合物爲加熱（亦即活化）分解而析出金屬之化合物。此 種有機金屬化合物可爲氯三乙膦金（I)、氯三甲膦金（I)、 氯化三苯基膦金（I)、銀（1)2，4-pentanedionato錯體、三甲 膦（六氟乙醯丙酮配位基）銀（I)錯體、銅⑴六氟 pentanedionato環辛二稀錯體等。 -42 - (40) 1288589 如上述說明，導電性材料91 A包含之金屬形態可爲以 奈米粒子爲代表之粒子形態，或有機金屬化合物等之化合 物形態。 (變形例3) 上述第1〜第6實施形態中，係使用液滴噴出法對被噴 出部塗敷或供給絕緣材料層、中間材料層、及導電性材料 ® 層，但是，亦可取代液滴噴出法，改用網版印刷法等之印 刷法塗敷或供給絕緣材料層、中間材料層、及導電性材料 層。 (變形例4) 第1〜第4實施形態說明之中間層31、41、51、61及導 電層91以1個層形成裝置形成亦可。具體言之爲，使用第5 實施形態及第6實施形態說明之層形成裝置（亦即，噴出裝 W 置12A、噴出裝置13 A以串接配置之層形成裝置）形成亦可 【圖式簡單說明】 圖1爲第1〜第6實施形態之層形成裝置之模式圖。 圖2爲第1〜第6實施形態之噴出裝置之模式圖。 圖3爲噴出裝置之噴頭部之模式圖。 圖4(a)〜（b)爲噴出裝置之噴頭之模式圖。 圖5爲噴出裝置之控制部之模式圖。 -43- (41) (41)1288589 圖6(a)〜（d)爲第1實施形態之製造方法之說明圖。 圖7(a)〜（d)爲第1實施形態之製造方法之說明圖。 圖8(a)〜（d)爲第2實施形態之製造方法之說明圖。 圖9(a)〜（c)爲第2實施形態之製造方法之說明圖。 圖10(a)〜（d)爲第3實施形態之製造方法之說明圖。 圖11(a)〜（c)爲第3實施形態之製造方法之說明圖。 圖12(a)〜（d)爲第4實施形態之製造方法之說明圖。 圖13(a)〜（c)爲第4實施形態之製造方法之說明圖。 圖14(a)〜（d)爲第5實施形態之製造方法之說明圖。 圖15(a)〜（c)爲第5實施形態之製造方法之說明圖。 圖16(a)〜（d)爲第6實施形態之製造方法之說明圖。 圖17(a)〜（c)爲第6實施形態之製造方法之說明圖。 圖18爲本實施形態之行動電話之模式圖。 圖19爲本實施形態之個人電腦之模式·圖。 【主要元件符號說明】 W 1 :捲軸 1 a :底基板 1〇 :層形成裝置 10A·· 11A: 12A: 13A:噴出裝置 10B : 11B : 12B : 13B :加熱裝置 21 :絕緣層 2 2 A ·絕緣材料 22B :絕緣材料層 • 44 - (42) 1288589 3 1 :中間層 31A :中間材料 3 1B :中間材料層 3 2 :連接層 3 3 :緩衝層 34 :連接層 40 :導電圖型 ® 40A :電極部分 40B :配線部分 41 :中間層 41A :中間材料 4 1B :中間材料層 4 2 :連接層 43 :緩衝層 4 4 :連接層 .5 1 :中間層 5 1A :中間材料 5 1B :中間材料層 5 3 :緩衝層 5 4 :連接層 6 1 :中間層 6 1A :中間材料 6 1B :中間材料層 6 3 :緩衝層 -45 - (43) (43)1288589 6 4 :連接層 71 :中間層 71A :中間材料 71B :中間材料層 7 1 B ’ ：混入層 7 2 :連接層 73 :緩衝層 74 :連接層 81 :中間層 8 1A :中間材料 8 1 B :中間材料層 8 1 B ’ ：混入層 82 :連接層 83 :緩衝層 84 :連接層 91 :導電層 9 1 A :導電性材料 91B :導電性材料層 -46-