TWI287659B - Multi-domain vertical alignment liquid crystal display panel, thin film transistor array, and methods of fabricating the same - Google Patents

Multi-domain vertical alignment liquid crystal display panel, thin film transistor array, and methods of fabricating the same Download PDF

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TWI287659B TW094129055A TW94129055A TWI287659B TW I287659 B TWI287659 B TW I287659B TW 094129055 A TW094129055 A TW 094129055A TW 94129055 A TW94129055 A TW 94129055A TW I287659 B TWI287659 B TW I287659B
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Description

I287^X,oc/y 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示面板、主動元件陣列基板及 其製作方法，且特別是有關於一種多域垂直配向型液晶 顯示面板、薄膜電晶體陣列基板及其製作方法。 【先前技術】 現有的液晶顯示器多朝向高亮度、高對比、大面 積顯示與廣視角的趨勢發展，其中為了改善液晶顯示 器的視角，已有多種廣視角技術被提出。目前較常見 的廣視角液晶顯示器例如有多域垂直配向式 (Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)液晶顯示 器、共平面轉換式（In-Plane Switching, IPS)液晶顯示 器以及邊緣電場轉換式（Fringe Field Switching, FFS) 液晶顯示器等等。就多域垂直配向式液晶顯示器而 言，其例如是在畫素電極上形成多個條狀狹縫（slit)， 並在相對之彩色濾光陣列基板上配置多個條狀突起 物（protrusion)，以藉由狹縫與突起物的搭配，使得液 晶層内的液晶分子呈現多方向的傾倒，而達到廣視角 顯示的效果。 請參考圖1所示，為習知一種多域垂直排列型液 晶顯示裝置中其中之一晝素的上視示意圖。如圖1 所示，一基板（未纟會示）上係配置有掃描配線102、資 料配線104、薄膜電晶體120以及畫素電極112。其 中薄膜電晶體120係包括有閘極106、通道層108以 及源極/汲極ll〇a/l 10b，且閘極106係與掃描配線102 ⑧ 1287微— 電性連接，源極ll〇a係舆資料配線1〇4電性連接， 而汲極ii〇b係透過接觸窗116而與晝素電極112 性連接。 圭特別是，為了增加液晶顯示器之視角，通常會在 =素電極112中形成多數個條狀狹縫114，且在具有 Ϊ ί f光層之另一基板(未繪示)上配置多數個條狀 起物118。如此藉由條狀狹縫114與條狀凸起物118 =己，可以使得配置於兩基板之間的液晶分子呈現 =的傾倒，進而達到增進液晶顯示器之視角範圍 由美上f之多域垂直排列型液晶顯示器可以藉 與凸起物的設計增加其視角範圍，而 ?有不錯之左右及上下的視角表 的顯示畫面下，正視成斜讳疋#甲間5周 ...6, ^祝次斜視此液晶顯示裝置時，仍會 =偏的現象’而此現象對於液 品質有很大的影響。請參考圖2所示，為習知之= 垂直排列型液晶顯示裝置其施加鱼二 的關係圖’其中曲線汉為 ％、、透先羊之間 線Q為斜視60度時之ν_τ守之V-T curve ’而曲 知:在低驅動電壓的操作狀況下時，::關:二t可 光率還大，二= 二生:】先的現象，也會有偏白的情形。 有鑑於此，本發明的目的 體陣列基板’其係藉由模層之厚 I287^wf.doc/y 度的結構，以增加液晶分子的傾倒方向，進而改盖色 偏或漏光等問題。 本發明的再一目的是提供一種多域垂直配向型液晶 顯示面板，其係藉由上述之薄膜電晶體陣列基板來提 供更多不同之單元間隙（CELL GAP)，使得液晶分子 具有更多的傾倒方向，進而改善色偏或漏光等問題。 本發明的又一目的是提供一種薄膜電晶體陣列基 板之製作方法，適於製作上述之薄膜電晶體陣列^ _ 板，用以液晶顯示面板内之液晶分子的傾倒方向，進 而改善色偏或漏光等問題。 本發明的另一目的是提供一種多域垂直配向型液晶 顯示面板之製作方法，適於製作上述之多域垂直配向型 液晶顯示面板，以增加液晶分子的傾倒方向，並可改 善色偏或漏光等問題。 基於上述或其他目的，本發明提出一種薄膜電晶體 陣列基板’其包括一基板、多個資料配線、多個掃描配線 + 及多個晝素結構。其中，資料配線與掃描配線係設置於基 板上，以定義出多個晝素區域，而晝素結構係分別配置於 晝素區域内，並電性連接至資料配線與掃描配線，以藉由 資料配線與掃描配線進行驅動。每個晝素結構包括一薄膜 電晶體、一晝素電極及一介電襯層，其中薄膜電晶體係配 置於基板上，且電性連接至資料配線與掃描配線。此外， 畫素電極係配置於薄膜電晶體上方，並電性連接至薄膜電 晶體，且晝素電極具有相互平行之多個主狹縫。另 Φ 7 1287659 15892twf.doc/y 並位於部份之晝素電極與 外，介電襯層係配置於基板上， 基板之間。 上述之主狹縫例如是對 在本發明的較佳實施例中 應於介電槪層之邊緣。 々在本毛明的較佳實施例中，每一介電襯層例如包含有 子槪層與一苐二子概層，且此第一子觀層與第二子 襯層具有不同之高度。 ^ 一 ,在本發明的較佳實施例中，此晝素電極更具有多個側 翼狹缝(fine slit)，係配置於主狹縫之兩側。 在本發明的較佳實施例中，各薄膜電晶體分別包括 閘極、閘絕緣層、通道層、源極/汲極與保護層。其 中閘極係配置於基板上，而閘絕緣層係配置於基板 上且後盍閘極。此外，通道層係配置於閘絕緣層上 對應於閘極之處，而源極/没極係配置於通道層之 上’並電性連接至其所對應之晝素電極。另外，保護 層係配置於基板上，並覆蓋通道層與源極/汲極。 在本發明的較佳實施例中，上述之閘絕緣層與保護 層例如更延伸至薄膜電晶體之外，以構成介電襯層。 本發明提出一種多域垂直配向型液晶顯示面板，其主 要包括上述之薄膜電晶體陣列基板、一對向基板與一液晶 層。其中，對向基板係對應於薄膜電晶體陣列基板配置， 而液晶層係配置於薄膜電晶體陣列基板與對向基板之間。 ^ 在本發明的較佳實施例中，上述之對向基板例如是一 彩色濾光基板。 I287ffi,〇c/y 夕在本發明的較佳實施例中，上述之對向基板例如包含 多個配向凸起物。此配向凸起物例如是呈條狀排列，且其 延伸方向係與主狹縫之延伸方向相互平行。 、本發明提出一種薄膜電晶體陣列基板之製作方法，此 5法係先提供-基板，此基板上劃分有多個晝素區域。接 :於此基板上形成一間極金屬層，並圖案化此間極金屬 二一以T各晝素區域内形成一閘極。之後，於此基板上形 閘絶緣層，且此閘絕緣層係覆蓋於閘極之上。接著， 旖閘、％緣層上對應於各閘極處分別形成一通道層。然 於基板上形成一源極/汲極金屬層，並圖案化此 接Ί極金屬層，以於各通道層上形成-源極/汲極。 诵ΐ思於此基板上形成一保護層，以覆蓋此源極/汲極及 板久圖案化此保護層及閘絕緣層，以於基 上开q — d區域㈣成—介電概層。之後’於基板 護居 的畫素電極。此晝素電極是通過保 素i極俘其所對應之源極/沒極’且有一部分的書 T电極係覆盍其所對應之介電襯層。 一 之製:η出二種多域垂直配向型液晶顯示面板 基板之t步:板’从形成-液晶層於基板與對向 曰@在上奴薄膜電㈣陣列絲與乡域垂直配向刑y 曰曰顯示面板的製作方法中 罝配向型液 圆木化此保護層及閘絕緣層 1287^2 ：wf.doc/y 的步驟，例如包括推 義一接觸窗，其係暴露7^^程’以於此保護層中定 晝素區域内形成介電。77之，原極/汲極，並且同時於各 緣層的步驟，例如更勺:此外’圖案化此保護層及閘絕 份之介電觀層。如此3進行另一道光罩製程，以移除部 度之多個/二子襯層與多個形成具有不同高 列基板/原有之_層 下，藉由改變介電襯^之严二可在不增力曰口光罩數目的狀況 不同的單元間隙，二曰:又’以於液晶顯不面板内產生 而改善漏先或色偏等問題。 運 為讓本毛月之上述和其他 易懂，下文特舉較佳银#2 Λ 4丨炎“、、占月匕更明顯 明如下。佳則，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 刑、、/曰參二圖壯3 ’夕繪示為應用本發明之多域垂直排列 1液B0纟，、、不衣_置其施加電壓與透光率之間的 ::如二3:旦示：線A與曲線B分別表示由二種不同 之早几間隙所里測到之V_T curve，而曲 與曲線B混合後所得到之ν-τ _。本發明心 板内形成不同之單元間隙，以藉由此不同之單 補償，來縮小正視與斜視時之V-T curve間的差里， 改善漏光或色偏等問題。 〃 圖4A綠示為本發明之第一實施例之一種多域垂直 1287微·/y 配向型液晶顯示面板之薄膜電晶體陣列基板的局部俯視 圖，而圖4B繪示為圖4A之多域垂直配向型液晶顯示面板 沿A-A’及B-B’剖面線所繪示之剖面圖。 請同時參考圖4A及4B，多域垂直配向型液晶顯示面 板200主要係由薄膜電晶體陣列基板210、彩色濾、光基板 220以及液晶層230所構成。其中，此薄膜電晶體陣列基 板210與彩色濾、光基板220係相互平行地配置，而液晶層 230係由多個液晶分子232所構成，且是夾置於薄膜電晶 體陣列基板210與彩色濾光基板220之間。 薄膜電晶體陣列基板210主要包括基板211、數條掃 描配線212、數條資料配線213與數個晝素結構。掃描配 線212與資料配線213係設置於基板211上，以定義出呈 矩陣型式排列之畫素區域216。此外，畫素結構是分別配 置於這些畫素區域216内，並電性連接於掃描配線212與 資料配線213。 每個晝素結構包括薄膜電晶體214、晝素電極215及 介電襯層217。薄膜電晶體214係分別位於晝素區域216 内，並電性連接於掃描配線212與資料配線213，以藉由 掃描配線212與資料配線213進行驅動。每一薄膜電晶體 214包括閘極2141、閘絕緣層2142、通道層2143、源極 2144、汲極2145與保護層2146。其中，閘極2141係配置 於基板211之上，閘絕緣層2142係位於基板211之上，且 覆盍此閘極2141。此外，通道層2143係配置於閘絕緣層 2142之上，且對應於閘極2141之位置。源極2144與汲極 1287微-/y 2145是配置於通道層2143之上，且源極2144係電性連接 於資料配線213。在源極2144與汲極2145之上係設置有 保護層2146，以保護下方之閘極2141、閘絕緣層2142、 通道層2143、源極2144與汲極2145免於受潮或是結構受 損，而此保護層2146具有一接觸窗2146a，使位於晝素區 域216内之晝素電極215可透過此接觸窗2146a電性連接 至溥膜電晶體214之汲極2145。介電襯層217係配置於基 板211上，並位於部份之晝素電極215與基板211之間。 在本實施例中，介電襯層217例如是由延伸於薄膜電 晶體214之外的閘絕緣層2142與保護層2146所組成，而 形成此介電襯層217的方法例如是在保護層2146中形成接 觸窗2146a的同時，移除部份延伸於薄膜電晶體214之外 的閘絕緣層2142與保護層2146。此外，晝素電極215例 如具有數個相互平行之主狹縫2151，而每個主狹縫2151 係對應於介電襯層217之邊緣。 彩色濾光基板220與薄膜電晶體陣列基板21〇相互平 行，而液晶層230是由多個液晶分子232所組成，且係配 置於薄膜電晶體陣列基板210與彩色濾光基板220之間。 其中，彩色濾光基板220之表面配置有多個配向凸起物 222，其係與畫素電極215之主狹縫2151相搭配，以使液 晶分子呈現不同方向之傾倒。在本實施例中，配向凸起物 222例如是呈條狀，且其延伸方向係與主狹縫2151之延伸 方向相互平行。 由圖4A與4B可知··部份之晝素電極215是直接形成 I28765?wf,〇c/y 2U之上二部份的晝素電極215是形成於介電襯 g之上，使;f于薄膜電晶體陣列基板21〇上之區域工盘 區域π間具有-高度差，本發明即欲藉由此二個不同高戶、 之區域’喊生多個領域，崎小正視與斜視時之^ c_間的差異。更詳細地說，因區域j與區域π中具有 同的單元間隙hl與h2，而會在區域！與區域Π中產生不 同大^電場，使液晶產生不同的傾倒方向，進而達到自 我補彳員的效果，以改善色偏與漏光的現象。 上參考圖5所示，為薄膜電晶體陣列基板21〇之另一 種貫鉍祕。此薄膜電晶體陣職板2 条主狹縫2151的兩側均連接多條側翼狹^ 此I狹縫2151a將有助於增加多域垂 面板200之應答速度。 』主狀日日硕不 =參考® 6A所示，為本發明之第二實施例的一種 多二Ϊ配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部 線所緣製之剖面圖。 4/σ圖6Α中之c_c，剖面 八㈣此f二實施例之結構係與第—實施例相似，不過，1 Γ:21=二訂來的部份恰與第-實麵 反此弟一貝化例同樣疋猎由具有不同 h2的區域1與區域π來產生更多領域，以縮小正視盘钭視 時之v-τ curve間的差異。 ％』止視興斜視 =考圖7A所示，為本發明之第三實施例的一種 少域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部 份的局部俯視圖；圖7B所示，為沿圖7A中 線崎製之剖面圖。 之⑽剖面 y此第三實施例同樣是移除部份的介電襯層217， 後，再於基板211及部分介電襯層217上形成一書 = 215。此第三實施例與第一實施例不同之處在於··在佥辛| 目鄰，縫2151之間，僅有部份的“襯層 被蝕刻掉，以在兩相鄰主狹縫2151之間形成不 =間隙Μ與h2。因此，藉由此不同的單元間隙，二樣^ W加液晶之傾倒方向，進而達到自我補償的效果。 夕請參考圖8A所示，為本發明之第四實施例的_種 ^域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部 份的局部俯視圖；圖8B所示，為沿圖8A中之E_E，剖面線 f繪製之剖面圖。在本實施例中，介電襯層217包括不同 =度之第一子襯層2171及第二子襯層2172，其中藉由此 弟子襯層2171及第二子襯層2172可在多域垂直配向型 液晶顯示面板200内形成具有不同之單元間隙hl、與 h3的區域I、區域jj與區域皿，以提供更多個領域。 當然，除上述實施例之外，本發明例如更可於基板上 形成二種以上具有不同高度之子襯層，以使液晶產生更多 不同的傾倒方向。 請參考圖9A至9G所示，為本發明之第一至第三實 知例之薄膜電晶體陣列基板210的製作流程示意圖，其 製作流程說明如下。 首先，提供一基板211，此基板211上劃分有多個呈 1287柳 15892twf.doc/y 矩陣型式排列之畫素區域216(如圖4A所示）。接著，如圖 9A所示，於基板211之表面上全面性地形成一閘極金屬 層，並利用微影/蝕刻(Photolithography/Etching)製程將此閘 極金屬層圖案化，以於各畫素區域216(如圖4A所示）内形 成一閘極2141。之後，如圖9B所示，於基板211上形成 一閘絕緣層2142，且此閘絕緣層2142是覆蓋於閘極2141 之上，而此閘絕緣層2142可利用電漿化學氣相沈積法 ^ (Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition, PECVD) 等方式沉積於基板211之上。 接著，如圖9C所示，於閘絕緣層2142上對應 於閘極2141之處形成一通道層2143。然後，如圖 所示，於基板211上形成一源極/汲極金屬層，並利用 铋影/蝕刻製程將此源極/汲極金屬層圖案化，以於各通 道層2143上形成一源極2144與汲極2145。 之後，如圖所示，於基板211上形成一保護層 2146,以覆蓋此通道層2143、源極2144與汲極2145。 接著)如圖9F所示，進行一道光罩製程，以圖案化 此保護層2146及閘絕緣層2142，以於保護層2146 中定義出一接觸窗2146a，並於畫素區域216内定義 出介電襯層217之位置。此介電襯層217是由閘絕緣 層2142與保護層2146延伸於薄膜電晶體214之外的 部份所組成。 接著’如圖9G所示，於基板211上形成一電極 層，並將其圖案化，以於各晝素區域216内形成具有多 15 15892twf.doc/y ，相互平了之主狹縫犯丨的晝素電極犯。此晝素電極犯 j過保顧2146上之接觸窗21伽而電性連接至薄膜電 协二4 ，Μ 一部分的晝素電極犯肢直接形成 f基板211，上，以於薄膜電晶體陣列基板21G上形成二 固具有不同举几間隙之區域。其中，隨著介電概層217之
4置的不$便可形成如上述第一〜三實施例所述之薄膜 電晶體陣列基板210。 此外’在上述圖9F所示的步驟之後，更可再增加一 道光罩製程’以移除部份的介電襯層217。如此一來，如 圖10所示’便可於基板211上形成具有不同高度之多個第 -子襯層2171及第二子襯層2172。然後，在基板211上 形成晝素電極215 ’即可形成第四實施例所示之薄膜電晶 體陣列基板210。
叫i考圖11 ’其示為本發明之一種多域垂直配向型 液晶顯示面板的示意圖。當製作—多域垂直配向型液晶顯 示面板200時，即可再提供一對向基板24〇，例如是 彩色濾光基板，並形成一液晶層23〇於利用上述之薄膜 電晶體陣列基板210與此對向基板240之間，即可形成本 發明之第一貧施例至第四實施例中所揭露之多域垂直配向 型液晶顯示面板2GG。同樣地，此對向基板上例如配 置有多個配向凸起物222,以與晝素電極215之主狹縫刀幻 相搭配，而達到多域垂直配向的目的。 綜上所述，在本發明之薄膜電晶體陣列基板中，係於 I28Hy 圖案化閘絕緣層與保護層時，形成介電襯層。如此_來， 即y在不增加光罩數目的狀況下，藉由改變液晶顯示面板 之單元間隙，使液晶產生更多不同的傾倒方向，進而改盖 漏光或色偏等問題。 σ 雖;、本叙明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不麟本發 圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 Ιϋ圍當視後附之巾請專利範圍所界定者為準。 ，、 【圖式簡單說明】 圖1緣示為習知—種多域垂直排列型液晶顯 其中之-晝素的上視示意圖。才罝中 =.為習知之多域垂鋪列魏晶顯 加電屡與透光率之__圖。 圖3繪示為藉由二個不同高度之結構所量測 而得之
V-T 係圖晴e相互補償後所得之施加賴與透光率之間的關 圖4A綠示為本發明之第一實施例之一種多域 圖^液晶顯示面板之薄膜電晶體陣列基板的局部俯视 剖面Γ㈣為圖从中沿^，及站，剖面線崎示之 剖面^_為薄膜電晶體陣列基板之另—種實施態樣的 圖6A緣示為本發明之第二實施例之一種多域垂直 1287659 15892twf.doc/y 酉回己向型液晶顯示面板之薄膜電晶體陣列基板的局部俯視 示為圖6A中沿，一C，，線所緣示之剖面圖。 0 、、、曰示為本發明之弟二實施例之一種多 酉回己向型液晶顯示面板之薄膜電晶體陣列基板的局部^ 圖7；6繪示為圖7A中沿D-D，剖面線所繪示 圖8A續示為本發明之第四實施例的面圖。 配向型液晶_示面板其薄膜電晶體陣列 =域垂直 俯視圖。 奴4份的局部 圖 圖所示，為沿圖8A中之E_E，剖面線所 誇製之剖面 圖9A至9G繪示為本發明之第一實施例 體陣列基板之製作流程示意圖。 ，、溥膜電晶 圖W繪示為在基板上形成不同高度之第〜 第二子襯層之剖面圖。 襯層及 直配向型液晶顯示 圖丨1繪示為本發明之一種多域垂 面板的不意圖。 【主要元件符號說明】 102 :掃描配線 104 ·•資料配線 106 :閘極 108 :通道層 ll〇a :源極 18 1287微w_ 110b :汲極 112 :畫素電極 114 :條狀狹縫 116 :接觸窗 118 :條狀凸起物 120 :薄膜電晶體 200 ··多域垂直配向型液晶顯不面板 210 :薄膜電晶體陣列基板 211 :基板 212 ··掃配線 213 ··資料配線 214 :薄膜電晶體 2141 :閘極 2142 :閘絕緣層 2143 :通道層 2144 :源極 2145 :汲極 2146 :保護層 2146a :接觸窗 2151 :主狹縫 2151a :侧翼狭缝 215 :像素電極 216 :晝素區域 217 :介電襯層 19 12876¾ twf.doc/y 2171 :第一子襯層 - 2172 :第二子襯層 220 :彩色濾光基板 222 :配向凸起物 230 :液晶層 232 :液晶分子 240 :對向基板 hi ··單元間隙 籲 h2:單元間隙 h3 :單元間隙
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Claims (1)

  1. I287659fdoc/y 十、申請專利範圍： 1. 一種薄膜電晶體陣列基板，包含： 一基板； 多數個資料配線及多數個掃描配線，設置於該基板 上，以定義出多數個晝素區域； 多數個晝素結構，配置於該些晝素區域内，並電性連 接至該些資料配線與該些掃描配線，以藉由該些資料配線 及該些掃描配線進行驅動，各該晝素結構包括： 一薄膜電晶體，電性連接至該些資料配線與該些 掃描配線； 一晝素電極，配置於該薄膜電晶體上方，並電性 連接至該薄膜電晶體，且該晝素電極具有多數個主狹 缝；以及 一介電襯層，配置於該基板上，並位於部份之該 晝素電極與該基板之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基 板，該些主狹縫係對應於該些介電襯層之邊緣。 3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中各該介電襯層包括一第一子襯層與一第二子襯 層，且該第一子襯層與該第二子襯層具有不同之高度。 4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中各該畫素電極更具有多數個侧翼狹縫，其係配置 於該些主狹缝之兩侧。 5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基 21 I287^w,doc/y 板，其中各該薄膜電晶體分別包括· 一閘極，配置於基板上； 一閘絕緣層，配置於該基板上，並覆蓋該閘極； 一通道層，配置於該閘絕緣層上對應於該閘極 處； 一源極/汲極，配置於該通道層上，並電性連接 至其所對應之該晝素電極；以及 一保護層，配置於該基板上，並覆蓋該通道層 與該源極/没極。 6. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中該閘絕緣層與該保護層更延伸至該薄膜電晶 體之外，以構成該介電襯層。 7. —種多域垂直配向型液晶顯示面板，包含： 一薄膜電晶體陣列基板，包括： 一基板； 多數個資料配線及多數個掃描配線，設置於該 基板上，以定義出多數個晝素區域； 多數個畫素結構，配置於該些畫素區域内，並 電性連接至該些資料配線與該些掃描配線，以藉由該些資 料配線及該些掃描配線進行驅動，各該畫素結構分別包括： 一薄膜電晶體，電性連接至該些資料配線 與該些掃描配線； 一畫素電極，配置於該薄膜電晶體上方， 並電性連接至該薄膜電晶體，且該晝素電極具有多數個 1287659 15892twf.doc/y 主狹縫；以及 一介電概層，^ 六貧y ι_ 份之該畫素電極與該基板之間·；置於祕板上，並位於部 置；以及 對向基板，係對應於該薄膜電晶體陣列基板配 -液晶層，係配置於該薄㈣晶體 向基板之間。 -士 專#j範圍第7項所述之多域垂直配向型液晶 J示面板A些主狹縫係對應於該些介電襯層之邊緣。 一 9.如申請專利範圍第7項所述之多域垂直配向型液晶 顯不面板，其中各該介電襯層包括一第一子襯層與一第二 子襯層，且該第一子襯層與該第二子襯層具有不同之高度。 10·如申請專利範圍第7項所述之多域垂直配向型液 晶顯示面板，其中各該晝素電極更具有多數個側翼狭縫， 其係配置於該些主狹縫之兩側。 11·如申請專利範圍第7項所述之多域垂直配向型液 晶顯示面板’其中各該些薄膜電晶體分別包括： 一閘極’配置於基板上； 一閘絕緣層，配置於該基板上，並覆蓋該閘極； 一通道層，配置於該閘絕緣層上對應於該閘極 處； 一源極/汲極，配置於該通道層上，並電性連接 至其所對應之該晝素電極；以及 一保護層，配置於該基板上，並覆蓋該通道層 1287微 _ 與該源極/沒極。 曰顯1㈣第11項所述之多域11直配向型液 日日顯不面板，其中該閘絕緣層與該保護層更延伸至該薄膜 電晶體之外，以構成該介電襯層。1曰狀伸至°亥賴 曰曰顯「:面板，其中該對向基板為—彩色遽光基板。 曰顯制第7销叙线《配向型液 m向基板上包含有多數個配向凸起物。 曰^面m咖第14销述之多魅直配向型液 面板，其中該些配向凸起物係呈條狀，且其延伸方 向係舁5亥些主狹縫之延伸方向相互平行。 广-種薄膜電晶體陣列基板之製作方法，包含： 域；提供-基板’其中該基板上係劃分有多數個晝素區 於該基板上形成-閘極金屬層，並圖案化該閘極金屬 与，以於各該畫素區域内形成一閘極； 些閘:該基板上形成一間絕緣層，且該閘絕緣層係覆蓋該 層；於該閉絕緣層上對應於該些閘極之多數個通道 該基板上形成—源極/汲極金屬層，並圖案化 =源極/汲極金屬層’以於各該通道層上形成-源極/沒 於該基板上形成-賴層，以覆蓋該些源極/沒極及 24 I287659£d〇c/y 該些通道層； 圖案化該保護層及該閘絕緣層，以於該基板上 之各該晝素區域内形成一介電襯層；以及 於該基板上形成一電極層，並將其圖案化，以 於各該晝素區域内形成-具有多數個主狹縫的晝素電 極，該晝素電極係通過該保護層而電性連接至其所&應之 ，極/汲極’且部分之該晝素電極係覆蓋其所對應之^ 電觀層。 17.如申請專利顧第16項所述之細電晶體陣列美 板之製作方法，其中圖案化該保護層及該閘絕緣層的^ 驟，包括進行-道光罩製程，以於該保護層中定義多數個 接觸窗，其係對應暴露出部分之各該源極/汲極，並且同時 於各該晝素區域内形成該介電襯層。 18·如申請專利範圍第ι6項所述之薄膜電晶體陣列基 板之製作方法，其中圖案化該保護層及該閘絕緣層的步 驟，更包括進行另一道光罩製程，以移除部份之該些介電 襯層，而於该基板上形成具有不同高度之多數個第一子襯 層與多數個第二子襯層。 · 19·一種多域垂直配向型液晶顯示面板之製作方 法，包含·· 提供一基板，其中該基板上係劃分有多數個晝素區 域； _ 於該基板上形成一閘極金屬層，並圖案化該閘極金屬 層’以於各該晝素區域内形成一閘極； f.doc/y f.doc/y
    於該基板上形成-閘絕緣層，且該問絕 些閘極； 於該閘絕緣層上形成對應於該些閘極之多數個 通道層； 於該基板上形成一源極/汲極金屬層，並圖案化 該源極/㈣金制’以於各該通道層上形成—源極/汲 極；
    於該基板上形成-保護層，以覆蓋該些源極/波極及 該些通道層； 二圖案化該保護層及該閘絕緣層，以於該基板上 之各該晝素區域内形成一介電襯層； 於該基板上形成一電極層，並將其圖案化，以 於各該晝素區域内形成一具有多數個主狹縫的晝素電 極，該晝素電極係通過該保護層而電性連接至其所對應之 該源極/汲極，且部分之該晝素電極係覆蓋其所對應之該介 電襯層；
    提供一對向基板；以及 形成一液晶層於該基板與該對向基板之間。 20·如申請專利範圍第19項所述之多域垂直配向型液 晶顯示面板之製作方法，其中圖案化該保護層及該閛絕緣 層的步驟，包括進行一道光罩製程，以於該保護層中定義 多數個接觸窗，其係對應暴露出部分之各該源極/汲極，並 且同時於各該畫素區域内形成該介電襯層。 21·如申請專利範圍第2〇項所述之多域垂直配向型液 26 1287659 15892twf.doc/y 晶顯示面板之製作方法，其中圖案化該保護層及該閘絕緣 層的步驟，更包括進行另一道光罩製程，以移除部份之該 些介電襯層，而於該基板上形成具有不同高度之多數個第 一子概層與多數個第二子襯層。
    27
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