TWI497158B - 邊緣電場切換型液晶顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Jong-Jyun Park
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Description

邊緣電場切換型液晶顯示器及其製造方法
本發明係關於增加孔徑比及內部反射率之邊緣電場切換型(Fringe-field-switching-mode,FFS-mode)液晶顯示器(Liquid crystal display,LCD)以及其製造方法，用以改善戶外能見度。
一般而言，FFS-mode LCD已被提議用來改善橫向電場切換型液晶顯示器(in-plane-switching(IPS)-mode LCD)之孔徑比及穿透率。
FFS-mode LCD可包括由透明傳導性物質形成之共通電極(或相對電極)及像素電極，相較於IPS-mode LCD而言，FFS-mode LCD增加了孔徑比及穿透率。並且，可控制的共通電極與像素電極間之距離係較上下層玻璃基板間之距離小，使得邊緣電場可以在共通電極與像素電極之間形成。因此，呈現在電極上的每個液晶(liquid crystal,LC)分子皆可被操控，進而改善穿透率。
習用的FFS-mode LCD已申請及註冊在例如：韓國專利號341123、855782及849599中。
上述韓國專利號855782揭示之FFS-mode LCD包含透明像素電極及配置在該透明共通電極上方之透明共通電極，兩者之間夾有一絕緣層。在FFS-mode LCD中，LC層被摩擦配向的方向在基於閘極線的方向上可在5度內，透明共通電極之其中一端可配置在資料線與透明像素電極之間，且透明共通電極與透明像素電極之間的距離可藉由以資料線為基礎的方式來控制，以改善資料線周圍之孔徑比及光穿透率。
此外，韓國專利號849599揭示之FFS-mode LCD，其中資料線、透明共通電極及資料線周圍的透明像素電極之寬度及排列皆被操控著，使得資料線周圍的LC得以用不同於像素區域中央之LC驅動模態的另一LC驅動模態來驅動。因此，在資料線上方形成的光屏蔽層可被移除，並可防止漏光。
韓國專利號855782及849599揭示之FFS-mode LCD可增加戶外能見度及孔徑比，並可達到低功率的操作。然而，在改善效能方面仍有某些問題尚未解決。
首先，由於光屏蔽層的減少或移除，用以對準上板及下板所需的邊限(margin)會減少，這會造成顏色的混合，並因此增加失敗率。根據韓國專利號849599，在資料線的階狀部分上(stepped portion)，摩擦程序可能會執行的不完全。由於不完全的摩擦，資料線的階狀部分可能發生漏光，尤其是相對於摩擦方向的資料線側。
因此，仍然需要發展新的FFS-mode LCD來解決上述問題。
本發明係關於具有新堆疊結構及設計之邊緣電場切換型液晶顯示器(FFS-mode LCD)。
並且，本發明之FFS-mode LCD係關於移除或減小在資料線上方形成的光屏蔽層，以改善孔徑比並降低功率消耗。
此外，本發明係關於一種傳導性反射區域儘量在傳送區域以外的區域(像是閘極線及資料線)上形成，以最大化反射區域的面積從而增加戶外能見度之FFS-mode LCD。
再者，本發明係關於一種將漏光及顏色混合減到最小以改善螢幕畫面品質之FFS-mode LCD。
根據本發明的一個態樣提供之邊緣電場切換型液晶顯示器(FFS-mode LCD)包含下層基板；上層基板；介於下層及上層基板之間的液晶(LC)層，其中各別的像素區域被閘極線及與該閘極線相互交錯的資料線界定在下層基板上；切換裝置，其包含汲極電極、源極電極、配置在閘極線與資料線間之每個交叉點的通道區域，FFS-mode LCD包含配置在閘極線及資料線整個區域上方之透明共通電極，該透明共通電極與該閘極線及該等資料線之間則包括有至少一第一夾層絕緣層；連接透明共通電極之傳導性反射結構，且該傳導性反射結構配置在含有一部分該轉換裝置之該等資料線及該閘極線的上方；以及配置在透明共通電極及傳導性反射結構上方的像素區域每一者內之透明像素電極並至少有第二夾層絕緣層介於其間，該透明像素電極包括複數個狹縫，並電連接至切換裝置之汲極電極。
傳導性反射結構可重疊汲極電極邊緣區域之至少一部分。
透明像素電極的複數個狹縫可與閘極線形成一預定的角度，LC層被摩擦的方向實質上可平行於閘極線的方向。
為了電連接透明像素電極與切換裝置之汲極電極，傳導性反射結構可覆蓋除了切換裝置之汲極電極部分區域之外的切換裝置。
傳導性反射結構可覆蓋除了切換裝置之一部分汲極電極及通道區域之外的切換裝置。
根據本發明另一態樣提供之邊緣電場模態液晶顯示器(FFS-mode LCD)製造方法，該邊緣電場模態液晶顯示器包含下層基板；上層基板；介於下層及上層基板之間的液晶(LC)層，其中各別的像素區域被閘極線及相互交錯的資料線界定在下層基板上；切換裝置，其包含汲極電極、源極電極、以及配置在閘極線與資料線間之每個交叉點的通道區域，此方法包含：在下層基板上形成閘極線及閘極電極；在具有閘極線及閘極電極的下層基板上形成閘極絕緣層；在閘極絕緣層上形成包括汲極電極、源極電極及通道區域之切換裝置及形成位於閘極絕緣層上之資料線；除了轉換裝置之一部分具有至少一第一絕緣層介於其間之外，在包括切換裝置及資料線之整個組合結構上形成透明共通電極；在資料線、閘極線及切換裝置部分區域上方形成傳導性反射結構以電連接至透明共通電極；以及在包括至少有第二絕緣層介於其間之傳導性反射結構之組合結構上的像素區域之每一者內形成透明像素電極，透明像素電極包括複數個狹縫，並電連接至切換裝置之汲極電極。
本發明之示例性具體實施例將參照所附圖示詳細說明如下。雖本發明係搭配其示例性具體實施例來顯示與說明，熟習本技術者可察知，在不悖離本發明之精神與範疇下，可以做成各種修改。
根據本發明之示例性具體實施例之液晶顯示器(LCD)可包括下層基板、上層基板及介於下層及上層基板之間的液晶(LC)層，像素區域可被閘極線與相互交錯而形成之資料線界定在下層基板上，以施加電壓至LC層。
第1圖係根據本發明一示例性具體實施例在LCD下層基板上形成之一像素區域之平面圖。第2A圖至第2C圖係各別沿著第1圖線A-A'、線B-B'及線C-C'所繪之剖面圖。
參照第1圖及第2A圖至第2C圖，根據本具體實施例之FFS-mode LCD可包括排列在下層基板100上互相交錯之閘極線120及資料線150，以及作為切換裝置的薄膜電晶體(Thin-film transistor,TFT)，該薄膜電晶體可配置在閘極線120與資料線150間的交叉點。
透明共通電極170及透明像素電極200可配置在由閘極線120及資料線150界定之每個單位像素區域中，透明共通電極170及透明像素電極200具介於其間之夾層絕緣層190。透明像素電極200可為狹縫型電極，其包括朝向資料線150形成之複數個狹縫。雖然對於透明共通電極170的形狀沒有特別限制，透明共通電極170係可為平板形狀。
並且，傳導性反射結構180可配置在透明共通電極170上，並電連接透明共通電極170以改善反射率及孔徑比。
上層基板(未顯示)可在下層基板100上方形成，並與下層基板100間隔一段預定的距離。上層基板可包括彩色濾光片及保護膜，並與包括複數個LC分子介於其間之LC層一起連接下層基板100。
本具體實施例的主要特色係為透明共通電極170、透明像素電極200及傳導性反射結構180之排列。因此，不僅是透明共通電極170及透明像素電極200的形狀，堆疊結構及閘極線120、資料線150與夾層絕緣層160及190的排列都可適度最佳化，從而最能實現本發明之目的。
特別的是，透明共通電極170可能不會在每個單位像素區域內形成隔離型態，但是可在包括資料線150及閘極線120的整個區域上形成，除了切換裝置(TFT)(或汲極電極150a)之部分區域外(參照第3D圖)。亦即，透明共通電極170不會在切換裝置(或汲極電極150a)之部分區域(參照第3D圖)上形成，因為汲極電極150a部分區域隨後將電連接至透明像素電極200。
上述結構可有益於大尺寸LCD，因為當外部電壓經由透明共通電極170施加至每個單位像素區域時電阻會變小。在本具體實施例中，可操控透明共通電極170、透明像素電極200、閘極線120、資料線150與夾層絕緣層160及190之排列及堆疊位置，使得透明共通電極170可遍佈整個下層基板100而形成單一整體。
在本具體實施例中，閘極線120、閘極絕緣層130、主動層(active layer，可形成通道區域140)及資料線150可在下層基板100上形成，透明共通電極170可在具有閘極線120、閘極絕緣層130、主動層及資料線150且有夾層絕緣層160介於其間之下層基板100之整個表面上形成。傳導性反射結構180可被形成來電連接透明共通電極170。夾層絕緣層190可在傳導性反射結構180上形成，且透明像素電極200可堆疊在其上。
上述結構可使LCD的孔徑比大幅增加。
同時，當透明像素電極200的複數個狹縫形成一預定的角度θ時，可以避免資料線150周圍的閘極線120漏光。如果LC層被摩擦的方向實質上與閘極線120的方向維持平行，則可將該預定的角度θ操控在1至15度的範圍內。
特別的是，角度θ的操控可考慮到LCD驅動期間測得的最大穿透率及電壓-穿透率(Voltage-transmittance,V-T)曲線的斜率。最好但並非必要，角度θ可維持在大約7度。
同時，在電連接至透明共通電極170之傳導性反射結構180可由具有高反射率的物質形成，像是鋁(Al)、鋁合金，例如鋁釹(Al-Nd)、鉬(Mo)、鉬合金，例如鉬鎢(Mo-W)、銀(Ag)、銀合金、鎢(W)及至少有其一之合金。傳導性反射結構180可在透明共通電極170上直接與透明共通電極170接觸，其可減小透明共通電極170的電阻，並在作為反射結構時預防漏光及顏色混合。
本具體實施例可不只是最佳化傳導性反射結構180的形狀，同時也最佳化傳導性反射結構180與其他結構亦即透明共通電極170、透明像素電極200、資料線150、閘極線120及汲極電極150a的排列關係，因而能夠最佳化孔徑比及反射率。
從LCD之上方看LCD時，提供之傳導性反射結構180可對射入資料線150及閘極線120上層部分的光增加其內部反射。因此，傳導性反射結構180可改善內部反射並增加孔徑比，從而提升戶外能見度。同時，光屏蔽區域不會在對應閘極線120及資料線150的上層基板部分上形成。換言之，沒有光屏蔽區域可在上層基板上形成，或者是，光屏蔽區域只會在與切換裝置對應的上層基板部分區域上形成。
傳導性反射結構180可具有每個單位像素區域的傳導性反射結構互相連結之結構。亦即，傳導性反射結構180可遍佈整個下層基板100而形成單一整體。更具體而言，在閘極線120及資料線150上方、以及在切換裝置剩下的區域上方而非沒有形成傳導性反射結構180之區域的上方，傳導性反射結構180可電連接透明共通電極170。根據本具體實施例，孔徑比、反射量及電阻取決於傳導性反射結構180與其他的結構，亦即透明共通電極170、透明像素電極200、資料線150、閘極線120及汲極電極150a的排列關係。
同時，上述傳導性反射結構180與其他結構的排列關係可適用於本具體實施例之堆疊結構。具體而言，透明共通電極170可在整個像素區域上形成。在此例中，透明共通電極170不會在切換裝置之部分區域上形成。傳導性反射結構180可形成來電連接至透明共通電極170，以及包括複數個狹縫的透明像素電極200可在有夾層絕緣層190介於其間的每個單位像素上形成。參照第4圖，傳導性反射結構180可在除了切換裝置的汲極電極150a部分區域之資料線150上方及閘極線120上方形成晶格型態。另外，參照第1圖，傳導性反射結構180可在除了汲極電極150a及切換裝置通道區域一部份之資料線150及閘極線120上方形成晶格型態。傳導性反射結構180的其他範例顯示在第6圖及第7圖中。
以下將更詳細說明傳導性反射結構180與資料線150、閘極線120及汲極電極150a的關係。參照第2B圖及第2C圖，傳導性反射結構180可設置成完整覆蓋資料線150及閘極線120，且部分重疊透明像素電極200(參照D4 及D5 )。距離D4 及D5 可預防兩個鄰近像素電極200之間產生之水平電場所造成的漏光。考慮到製程可行性(processibility)，D4 及D5 距離之每一者約可為0.1至5.0微米(μm)，更具體而言大約為0.5至2.0微米。
同時，傳導性反射結構180可被形成以包括或覆蓋資料線150及閘極線120來適當調整反射率及穿透率，並預防由於資料線150及閘極線120階狀差異之摩擦方向而在資料線150及閘極線120附近發生之漏光及顏色混合。
同時，傳導性反射結構180可重疊汲極電極150a邊緣區域之至少一部分。在放大的第1圖中，參數(reference characters) D1 、D2 及D3 代表傳導性反射結構180重疊汲極電極150a邊緣區域之距離。考慮到製程可行性，距離D1 、D2 及D3 之每一者可皆在0.5至5微米的範圍內。如第1圖所示，傳導性反射結構180可藉由距離D1 、D2 及D3 部分重疊汲極電極150a邊緣區域來預防由於製程期間之階狀差異造成的漏光。然而，傳導性反射結構180也可不重疊汲極電極150a邊緣區域，其他修改的示例性具體實施例於之後將參照第6圖及第7圖來說明。
本發明人確認由於施加於部分閘極線120內之不穩定摩擦製程而造成漏光的例子，閘極線120內之部分區域係包括平行閘極線120方向之切換裝置中汲極電極150a的區域R。傳導性反射結構180部分重疊閘極線120邊緣區域後可以解決漏光的問題。
以下將參照第1圖、第2A圖至第2C圖及第3A圖至第3G圖說明根據本發明一示例性具體實施例製造FFS-mode LCD之方法。
首先參照第3A圖，高傳導性不透明金屬可沉積(deposited)在下層基板100上，並藉由圖案化(patterned)形成閘極線120。
參照第3B圖，閘極絕緣層130可沉積來覆蓋閘極線120，非晶矽(amorphous silicon,a-Si)層及n型(n+)非晶矽層隨後可沉積在閘極絕緣層130上，並藉由圖案化形成通道區域140。
參照第3C圖，金屬層可沉積在通道區域140上，並藉由圖案化形成資料線150、源極電極150c及汲極電極150a，且第一夾層絕緣層160可沉積在其上。
參照第3D圖，透明傳導層可沉積並藉由圖案化形成透明共通電極170。在此例中，透明共通電極170如上述可遍佈整個下層基板100而形成單一整體。另外，透明共通電極170可在每個單位像素區域內形成隔離型態。
參照第3E圖，高反射性金屬可沉積並藉由圖案化形成傳導性反射結構180。傳導性反射結構180可使各別的單位像素區域互相連接。該高反射性金屬根據金屬電阻可沉積至大約100埃()至7000埃()的厚度，並藉由圖案化形成傳導性反射結構180。
參照第3F圖，第二個夾層絕緣層190可在透明共通電極170及傳導性反射結構180上形成，且接觸孔CN可形成來露出部分汲極電極150a。其後，透明傳導層可沉積在夾層絕緣層190上。
參照第3G圖，透明傳導層可藉由圖案化形成狹縫型透明像素電極200。此時，汲極電極150a可電連接至透明像素電極200。
同時，雖然未顯示，光屏蔽區域可能在上層基板上形成。根據本具體實施例，光屏蔽區域可只在對應切換裝置的部分上層基板上來形成，或者完全無光屏蔽區域。與習用的LCD相較，習用的LCD之光屏蔽區域甚至會在閘極線及資料線上形成，在本具體實施例中，在對應資料線150及/或閘極線120的部分上層基板上甚至沒有光屏蔽區域的形成。吾人並可明顯地了解到光屏蔽區域之面積縮小可使孔徑比增加。
第4圖係根據本發明另一示例性具體實施例在LCD下層基板上形成之一像素區域之平面圖。第5A圖係沿著第4圖線A-A'所繪之剖面圖，第5B圖係例示根據本發明另一示例性具體實施例在LCD製造方法中形成傳導性反射結構之製程平面圖。
為了簡潔起見，將主要說明第4圖具體實施例與第1圖具體實施例之間的差異。第4圖具體實施例與第1圖具體實施例主要的不同處在於傳導性反射結構180的面積。
參照第4圖、第5A圖及第5B圖，傳導性反射結構180可覆蓋除了切換裝置之汲極電極150a以外的通道區域140，且可在資料線150及閘極線120上方形成晶格型態。
根據本具體實施例，甚至可藉由在通道區域140上方形成傳導性反射結構180，反射區域即可更加擴大，且完全沒有光屏蔽層在上層基板上形成。換言之，與第1圖具體實施例相較，光屏蔽層形成的區域可更加地縮小。並且，不使用光屏蔽層可更有益於第四圖所示之具體實施例。
第6圖及第7圖係根據本發明其他示例性具體實施例在LCD下層基板上形成之像素區域平面圖。
為了簡潔起見，主要將說明第6圖及第7圖具體實施例與第1圖及第4圖具體實施例之間的差異。第6圖及第7圖具體實施例與第1圖及第4圖實施例各別的主要不同處在於傳導性反射結構180的面積。
具體而言，第6圖具體實施例與第1圖具體實施例的不同處可在於第6圖的傳導性反射結構180只在汲極電極150a之邊緣區域上形成。
同樣地，第7圖具體實施例與第4圖具體實施例的不同處在於第7圖的傳導性反射結構180只在汲極電極150a之邊緣區域上形成。
第6圖及第7圖具體實施例的設置相較於第1圖及第4圖具體實施例可更有效改善孔徑比。這是因為孔徑比會隨著傳導性反射結構180面積的縮小而增加。然而，即使在第6圖及第7圖具體實施例中，鄰近閘極線之切換裝置的汲極區域可被傳導性反射結構重疊以有效預防上述漏光的發生。
根據本發明，透明共通電極、透明像素電極及傳導性反射結構與資料線、閘極線及汲極電極的排列可最佳化，從而改善孔徑比及反射率。
並且，本發明可以移除或最小化在資料線上方形成的光屏蔽層以改善孔徑比並降低功率消耗。
此外，傳導性反射結構可在傳送區域以外的區域(像是閘極線及資料線)上形成以最大化反射區域從而改善戶外能見度。
再者，根據本發明，漏光及顏色混合可減到最小從而改善螢幕畫面的品質。
熟習本技術者可察知，在不悖離本發明之精神與範疇下，上述本發明之示例性具體實施例可以做到各種修改。因此，本發明欲覆蓋這些落在所附申請專利範圍及其同義內容範疇中之所有修改。
100．．．下層基板
120．．．閘極線
130．．．閘極絕緣層
140．．．通道區域
150．．．資料線
150c．．．源極電極
150a．．．汲極電極
160、190．．．夾層絕緣層
170．．．透明共通電極
180．．．傳導性反射結構
200．．．透明像素電極
CN．．．接觸孔
D1 、D2 、D3 、D4 、D5 ．．．距離
R．．．區域
A-A'、B-B'、C-C'．．．剖面線
第1圖係根據本發明一示例性具體實施例在液晶顯示器(LCD)之下層基板上形成之一像素區域之平面圖；
第2A圖至第2C圖係各別沿著第1圖線A-A'、線B-B'及線C-C'所繪之剖面圖；
第3A圖至第3G圖係例示根據本發明一示例性具體實施例製造LCD之方法平面圖；
第4圖係根據本發明另一示例性具體實施例在LCD下層基板上形成之一像素區域之平面圖；
第5A圖係沿著第4圖線A-A'所繪之剖面圖；
第5B圖係例示根據本發明另一示例性具體實施例在LCD製造方法中形成傳導性反射結構之製程平面圖；以及
第6圖及第7圖係根據本發明其他示例性具體實施例在LCD下層基板上形成之像素區域之平面圖。
170．．．透明共通電極
180．．．傳導性反射結構
200．．．透明像素電極
CN．．．接觸孔
R．．．區域
D1 、D2 、D3 ．．．距離
A-A'、B-B'、C-C'．．．剖面線

Claims (16)

  1. 一種邊緣電場切換型液晶顯示器(FFS-mode LCD)，其包含：一下層基板、一上層基板、介於該下層及上層基板之間的一液晶(LC)層，其中各別的像素區域被一閘極線及與該閘極線相互交錯的複數資料線界定在該下層基板上、及一切換裝置，其包括一汲極電極、一源極電極及配置在該閘極線與該等資料線間之每個交叉點上的一通道區域，該邊緣電場切換型液晶顯示器更包含：一透明共通電極，其配置在具有該閘極線及該等資料線的整個區域的上方，與該閘極線及該等資料線之間則包括有至少一第一夾層絕緣層；一傳導性反射結構，其電連接至該透明共通電極，且該傳導性反射結構配置在含有一部分該切換裝置之該等資料線及該閘極線的上方；以及一透明像素電極，其配置在每一像素區域內且位於該透明共通電極及該傳導性反射結構的上方並具有至少一第二夾層絕緣層介於其間，該透明像素電極包括複數個狹縫，並電連接至該切換裝置之該汲極電極。
  2. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中該傳導性反射結構設置成覆蓋該閘極線及該等資料線。
  3. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中，除了該切換裝置之該汲極電極的部分區域外，該傳導性反射結構覆蓋該切換裝置，且該傳導性反射結構在該閘極線及該等資料線上方形成晶格型態。
  4. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中，除了該切換裝置之該汲極電極及該通道區域外，該傳導性反射結構覆蓋該切換裝置，且該傳導性反射結構在該閘極線及該等資料線上方形成晶格型態。
  5. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中該傳導性反射結構重疊該汲極電極之邊緣區域的至少一部分。
  6. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中該傳導性反射結構重疊鄰近該閘極線之該透明像素電極的至少一部分。
  7. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中該傳導性反射結構重疊鄰近該等資料線之該透明像素電極的至少一部分。
  8. 如申請專利範圍第1項之邊緣電場切換型液晶顯示器，其中該透明像素電極的該等狹縫與該閘極線形成一預定的角度，且該液晶層被摩擦之方向實質上平行該閘極線的方向。
  9. 一種製造邊緣電場切換型液晶顯示器(FFS-mode LCD)之方法，該邊緣電場切換型液晶顯示器包含一下層基板、一上層基板、介於該下層及上層基板之間的一液晶(LC)層，其中各別的像素區域被一閘極線及與該閘極線相互交錯的複數資料線界定在該下層基板上、及一切換裝置，其包括一汲極電極、一源極電極及配置在該閘極線與該等資料線間之每個交叉點上的一通道區域，該方法包含： 在該下層基板上形成一閘極線及一閘極電極；在具有該閘極線及該閘極電極的該下層基板上形成一閘極絕緣層；在該閘極絕緣層上形成包括該汲極電極、該源極電極及該通道區域之該切換裝置及形成該等資料線；除了具有至少一第一絕緣層介於其間之該切換裝置外，在包括該切換裝置及該等資料線之該整個組合結構上形成一透明共通電極；一傳導性反射結構形成在該等資料線、該閘極線及該切換裝置的部分區域上方，以使該傳導性反射結構電連接至該透明共通電極；以及在包括至少有一第二絕緣層介於其間之該傳導性反射結構之該組合結構上的該像素區域之每一者內形成一透明像素電極，該透明像素電極包括複數個狹縫，並電連接至該切換裝置之該汲極電極。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該傳導性反射結構被形成來覆蓋該閘極線及該等資料線。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，除了該切換裝置之該汲極電極的部分區域外，該傳導性反射結構覆蓋該切換裝置，且該傳導性反射結構在該閘極線及該等資料線上方形成晶格型態。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，除了該汲極電極及該切換裝置之該通道區域的部分外，該傳導性反射結構覆蓋該切換裝置，且該傳導性反射結構在該閘極線及 該等資料線上方形成晶格型態。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該傳導性反射結構重疊該汲極電極邊緣區域的至少一部分。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該傳導性反射結構重疊鄰近該閘極線之該透明像素電極的至少一部分。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該傳導性反射結構重疊鄰近該等資料線之該透明像素電極的至少一部分。
  16. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該透明像素電極的該等狹縫與該閘極線形成一預定的角度，且該液晶層被摩擦之方向與該閘極線之方向係維持在一預定的角度。
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