TWI286731B

TWI286731B - Electro-optical panel and electronic device

Info

Publication number: TWI286731B
Application number: TW090130538A
Authority: TW
Inventors: Shin Fujita
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-12-14
Filing date: 2001-12-10
Publication date: 2007-09-11
Also published as: US20020101398A1; SG109482A1; JP2002244157A; CN1172282C; CN1359096A; JP3520417B2; US6753839B2; KR20020046989A; KR100496791B1

Description

1286731 A7 B7 五、發明説明（1) 【發明所屬之技術分野】本發明係關於一個像素具有2個電晶體元件之光電面板及使用此之電子機器。【先行技術】以往之液晶顯示面板係由元件基板、對向基板、被挾持於該些基板間之液晶所構成。然後，在元件基板之畫像顯示領域形成多數資料線、多數掃描線，於對應於該些交叉而配列成矩陣狀之各像素上，設置有薄膜電晶體（Thm Film Transistor:以下稱爲 TFT)。針對像素之電路構成提案有各種方式，其中之一種係組合P通道TFT和N通道TFT而予以使用之方式。第26 圖係表示相當於以往液晶裝置所使用之元件基板之一像素之電路的電路圖。於該圖中，資料線6連接著P通道 TFT1及N通道TFT2之源極電極，另外掃描線5a連接著 P通道TFT1之聞極電極；掃描線5b係連接著TFT2之閘極電極。再者，P通道TFT1及N通道TFT2之各汲極電極係被連接於像素電極3上，而且，N通道TFT2之汲極電極係連接於保持電容4。在此，形成有像素電極、被形成在對向基板之共通電極，及藉由液晶的液晶電容。在如此之像素構成中，被供給於資料線之畫像訊號，係當P通道TFT1及N通道丁FT2成爲〇N狀態之時，被寫入於液晶電容7和保持電容4。然後，當p通道TFT1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (.請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) U訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 J%.. -4- 1286731 kl B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2) 及N通道TFT2成爲〇FF狀態之時’則保持被寫入於液晶電容7和保持電容4之電壓。液晶因依照施加電壓而變化透過率，故可灰階顯示。在此，除了液晶電容之外，設置保持電容4係爲了防止因P通道TFT1及N通道TFT2之撕開漏泄而降低對液晶施加電壓，同時防止縱方向之串音。【本發明所欲解決之課題】然而，在上述像素構成中，對保持電容4寫入畫像訊號之路徑，在經由P通道TFT1之時和經由N通道 TFT2之時係不相同。即是，如第27圖及第28圖所示，經由P通道TFT1之時，則是經由像素電極3寫入畫像訊號於保持電容4，相對的，經由N通道TFT2之時，並不是經由像素電極3，而是直接寫入畫像訊號於保持電容4 〇第27圖係表示經由N通道TFT2而將畫像訊號寫入於保持電容4之時的等效電路之電路圖。於該些圖中， Ron係表示P通道TFT1及N通道TFT2之〇N電阻値， Rito係表示像素電極3之等效電阻値，HC係表示保持電容4之電容値。由此等圖可淸楚得知，經由N通道TFT2而於保持電容4寫入畫像信號時之時間常數爲「Ron · Ch」，另外，經由P通道TFT1而於保持電容4寫入畫像信號時之時間常數爲「（Ron · Rito) · Ch」，於此畫素電極8之等效電 L------L#i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •If f -- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3) 阻値R i t 〇，相較於〇η電阻値較爲大。因此，自Ρ通道TFT1寫入畫像訊號之時，比起自Ν 通道TFT2寫入畫像訊號之時，時間常數爲大。因此，保持電容4之電壓和畫像訊號之電壓之差爲大之時，經由ρ 通道TFT 1寫入之時，並無法充分寫入畫像訊號，有無法取得較大對比度的問題。尤其，在顯示高精細之畫像之時，雖然增加掃描線 5a、5b或資料線6條數，但是越增加掃描線5a、5b或資料線6條數，掃描線5a、5b或資料線6之選擇期間變的越短，故因時間常數之不同而引起之寫入不足成爲重要之問題。本發明係鑒於上述事情所創造出者，其目的爲提供可以有效發揮具有在1個像素使用2個電晶體元件之構成特徵的光電面板，及使用此之電子機器。【用以解決課題之手段】爲了達成上述目的，本發明之光電面板係具備有元件基板、對向基板及被挾持於上述元件基板和上述對向基板間之光電物質，其特徵爲：上述元件基板係具備有：構成多數對之掃描線；多數之資料線；對應於上述掃描線和上述資料線之交叉而被配置成矩陣狀，且各被配置在構成對之一方的上述掃描線和另一方的掃描線之間的像素電極；連接構成對之上述掃描線之一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極，並且連接上述像素電極和汲極電極的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286731 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1電晶體兀件；連接構成對之上述掃描線之另一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極，並且連接上述像素電極和汲極電極的第2電晶體元件；與上述第2電晶體元件之汲極電極連接的電容元件；和用以連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2電晶體元件之汲極電極的配線。若依據該發明，因具備有連接第1電晶體元件之汲極電極和第2電晶體元件之汲極電極的配線，故成爲以和像素電極不同之路徑，連接第1電晶體元件之汲極電極和第 2電晶體元件之汲極電極，因此，兩汲極電極間之等效電阻値因比起無設置配線之時爲小，故可以縮小經由第1電晶體元件而寫入訊號於保持電容之時的時間常數。經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製在此，上述配線之電阻値係比連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2電晶體之汲極電極的上述像素電極之等效電阻値小爲最佳。而且，以低電阻之觀點而言，使用像鋁或銀、鉻之高熔點材料而作爲配線爲最佳。依據如此地縮小配線之電阻値，可以更進一步地縮小經由第1 電晶體而寫入訊號於保持電容之時的時間常數。掃描線或資料線之選擇期間爲短之時，雖然有必要以短時間將被供給於資料線之畫像訊號寫入於保持電容，但是如上所述當設置有使汲極電極間短路之配線時，即可以縮小經由第1 電晶體而寫入畫像訊號於保持電容之時的時間常數。其結果，因可以在短時間內充分地將畫像訊號寫入於保持電容，故可以取得高對比度，而可顯示出之顏色鮮明本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1286731 A7 B7 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之畫像。再者，即使增加掃描線或資料線之條數而縮短選擇期間，因在這樣之選擇期間中，可以確實地將畫像訊號確實地寫入於保持電容之中，故可以以高品質顯示出高精細之畫像。而且，可以大幅度地降低因時間常數之差而引起的顯示不均勻。因對保持電容之寫入變的較易，故可以縮小供給於資料線之畫像訊號之訊號振幅。再者隨此，可以縮小掃描線訊號之振幅。依此，可以降低驅動電路之電源電壓，而可以降低消耗電力。再者，於上述對向基板上形成有共通電極和格子狀的黑矩陣，使上述配線與上述黑矩陣重疊地配置著亦可。因配線之部分光爲不透過，若單純地設置配線，則降低開口率，但是若依據像本發明般，使可以和黑矩陣重疊地配置配線，則可以無損耗開口率，縮小寫入時.之常數。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，本發明之光電面板係具備有元件基板、對向基板及被挾持於上述元件基板和上述對向基板間之光電物質，其特徵爲：上述元件基板係具備有：構成多數對之掃描線；多數之資料線；對應於上述掃描線和上述資料線之交叉而被配置成矩陣狀，且各被配置在構成對之一方的上述掃描線和另一方的掃描線之間的像素電極；連接構成對之上述掃描線之一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極的第1電晶體元件；連接構成對之上述掃描線之另一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極的第2電晶體元件；和用以連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】OX 297公釐） -8 ~ 1286731 A7 B7 五、發明説明（6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 述第2電晶體元件之汲極電極的配線，上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2電晶體元件之汲極電極中之任一方與上述像素電極連接著。若依據該發明，雖然第1電晶體元件和第2電晶體元件中之一方的汲極電極和像素電極連接，但是因另外設置有用以連接各汲極電極之配線，故可施加因應畫像訊號之電壓於像素電極。再者，汲極電極和像素電極之連接成爲僅有一處即可。在此，即使具備有與上述第2電晶體元件之汲極電極連接的電容元件亦可。此時，經由配線畫像訊號則被寫入於電容元件。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，於上述光電面板中，上述第1及第2電晶體元件係具備有由源極領域、閘極領域及汲極領域所組成之聚矽層，和形成於上述聚矽層上面的閘極絕緣膜，上述汲極電極係經由形成於上述閘極絕緣膜之第1觸孔而與上述汲極領域連接，上述像素電極和上述汲極電極係經由第2觸孔而被連接，上述配線之電阻値係比上述第1觸孔之等效電阻値或第2觸孔之等效電阻値小爲最佳。若依據該發明，藉由縮小配線之電阻値，可以更進一步縮小經由第1電晶體元件而將訊號寫入於保持電容之時的時間常數。再者，上述第1及第2電晶體元件係具備有由源極領域、閘極領域及汲極領域所組成之聚矽層，和形成於上述聚矽層上面的閘極絕緣膜，上述汲極電極係經由形成於上述閘極絕緣膜之第1觸孔而與上述汲極領域連接，上述像本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） -9- 1286731 A7 B7 五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 素電極和上述汲極電極係經由第2觸孔而被連接，於對向基板上形成有共通電極和格子狀的黑矩陣，上述第2觸孔係與上述黑矩陣重疊地被配置著爲最佳。因第2觸孔和光電物質接觸狀態與像素電極不同，故該領域係光電物質中所施加之電場的狀態與像素電極不同。但是，若依據本發明，第2觸孔因由黑矩陣所覆蓋，故可以從人的眼睛可以不易看出明亮度不同之該領域。再者，上述第1電晶體元件由P型之薄膜電晶體元件構成，第2電晶體元件由N型之薄膜電晶體構成者亦可。相反的，即使上述第1電晶體元件由N型之薄膜電晶體元件構成，上述第2電晶體元件由P型之薄膜電晶體構成者亦可。而且，上述電容元件係在接近於上述另一方掃描線而所形成之電容線，和上述第2電晶體元件之汲極領域之間被構成爲佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製爲了構成保持電容，雖然需要相向的2個電極，但是於該例中，一方電極因兼作第2電晶體元件之汲極領域，故無須設置用以連接一方電極和其電極和汲極領域的觸點。因此，可以簡化製造過程，同時可縮小用以設置保持量之面積而使提高開口率。於本發明中，上述像素電極係例如由透光性導電膜所構成。再者，於本發明中，上述像素電極係由透光性導電膜所構成，同時有一方之面側上位置著上述光電物質側，另本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 1286731 A7 B7 五、發明説明（8) 一方之面側上則具有用以反射入射光之反射層的情形，此時，上述配線相對於上述反射層係形成在與上述像素電極相反側上。與上述反射·層之上述像素電極相反側之空間雖然入射光不會透過，但是，依據於該空間設置配線，開口率不會下降，可以減少畫像訊號寫入之時間常數。在此，上述反射層之一部分上設置令光透過之開口部時，使上述配線不與上述開口部重疊地而予以配置爲最佳。開口部因係令光透過，故當於該領域設置配線時，則導致開口率下降，若依據本發明，開口率係不會下降。在本發明中，上述像素電極也有由光反射性導電膜所構成之情形。再者，本發明之光電面板，即使於上述元件基板上形成有順序選擇構成對之上述掃描線的掃描線驅動電路，和供給畫像訊號至上述各資料線之資料線驅動電路亦可。街著，有關本發明之電子機器的特徵係具備有上述之光電面板。例如，使用於視頻照相機之取景器、行動電話、筆記型電腦、視頻投影機等。【本發明之實施形態】以下，參照圖面針對本發明之實施形態予以說明。 (1 :液晶裝置之構成） (1 -1 :液晶裝置之全體構成）首先，以透過型之液晶裝置當作光電裝置之一例，予本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — U-----1---^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ---* 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1286731 A7 B7 五、發明説明（9) 以說明。第1圖係表示液晶裝置之電氣性構成的方塊圖。如該圖所示，液晶裝置係具備有液晶顯示面板1 〇〇、時機發生器200和畫像訊號處理電路300。再者，液晶裝置係在液晶顯示面板1 00之顯示面相反側上具備有背光（省略圖示），以液晶顯示面板1 〇〇調製來自背光的光源，使可自顯示面射出。時機發生器200係輸出在各部所使用之時機訊號（於後面說明）者。再者，畫像訊號處理電路300內部之相位展開電路302係當輸入一系統之畫像訊號VID時，則將此展開成N相位（圖中N = 6)之畫像訊號後並聯地予以輸出者，相當於將畫像訊號變換成N個並聯之訊號的串並聯變換電路。在此，將畫像訊號展開成N相位之理由，係依據後述之取樣電路，使作爲開關元件而發揮功能之 TFT的源極電極中之畫像訊號的施加時間增長，而可對資料線之配線電容充分確保寫入之時間。另一方面，放大•反轉電路304係被相位展開之畫像訊號中’使需要反轉者予以反轉後，適當的放大而作爲畫像VID1〜VID6並聯地供給於液晶顯示面板者。而且，針對是否反轉，一般而言，係依據資料訊號之施加方式i. 是否爲掃描線單位之極性反轉，2 ·是否爲資料訊號線單位之極性反轉’ 3·是否爲像素單位之極性反轉，4.是否爲畫面單位之極性反轉，而所決定，其反轉週期係設定成1水平掃描期間或是1垂直掃描期間。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1286731 A7 _______B7__ 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，對被相位展開之畫像訊號VID1〜VID6的液晶顯示面板1 00之供給時機，雖然在第1圖所示之液晶裝置中爲同時機，但是即使與像點時鐘脈衝同步而順序錯開亦可’此時若以後述之取樣電路順序取樣N相位之畫像訊號即可。 (1-2 :液晶顯示面板之構成）接著，針對液晶顯示面板1 00之槪略構成，參照第2 圖及第3圖予以說明。在此，第2圖係用以說明液晶顯示面板1 00之構成的斜視圖，第3圖係用以說明液晶顯示面板100之構造的一部分斷面圖。如該圖所示，液晶顯示面板1 00，係依據混入有間隔物之密封材料1 05而將形成有像素電極11 8等之玻璃或半導體等之元件基板1 〇 1，和形成有共通電極108等之玻璃等之透明對向基板1〇2保持一定間隙，使互相之電極形成面相向，而予以貼合，於該間隙中封入液晶106之構造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，元件基板1 0 1之對向面的密封材料1 05外側上，形成有後述之掃描線驅動電路130、取樣電路140及資料線電路1 50等之驅動電路群1 20。再者，在此形成外部連接電極（省略圖不）’使成爲可以輸出來自時機發生器 2 00及畫像訊號處理電路300的各種訊號。而且，對向基板102之共通電極108係依據被設置在與元件基板101貼合之4個角落中之至少1處的導通材料，以達到與自元件基板1 0 1之外部連接電極延伸的配線電氣性導通。 ^纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2]〇X 297公釐） " " -13- 1286731 Α7 Β7 五、發明説明（11) 除此，在對向基板102上，依液晶顯示面板100之用途，例如，第1，設置配列成帶狀、馬賽克狀，三角狀等之彩色濾光片。第2，於對向基板上，設置例如將鉻或鎳等之金屬材料，或碳、鈦等分散於光阻之黑樹脂等的黑矩陣。第3，於對向基板上，設置將光照射至液晶顯示面板 1 00的背光。尤其，在色光調製之用途時，係部形成彩色濾光片，而設置黑矩陣於對向基板1 〇 2上。除此之外，在元件基板1 0 1及對向基板1 02之對向面上，設置有被拋光處理成所規定方向之配向膜，另外，於其各背面上，貼合或持有間隙地各設置有對應配向方向之偏光板1 03、1 04。但是，若使用以微小粒子分散於高分子中之高分子分散型液晶來作爲液晶1 08的話，則不需要上述配向膜、偏光板，其結果，因提高光利用效率，故對高亮度化或低消耗電力化等之點，極爲有利。再弟1圖’針ϊϊί液晶顯不面板1 0 0之電氣性構成予以說明。在液晶顯示面板1 00之元件基板1 0 1，形成有畫像顯不領域Α。在此，沿著於圖中之X方向而平行地形成有多數配列的一對掃描線。以下之說明中，爲了區別一對掃描線，一方稱爲掃描線1 1 2 a，另一方則稱爲掃描線1 1 2 b 。再者，沿著與掃描線1 1 2 a、1 1 2 b正交之Y方向而平行地形成有多數.條（6n)之資料線]14。然後，該些掃描線1 12a、1 12b和資料線1 14所包圍之部分成爲一像素。因此，各像素係對應於掃描線1 1 2 a 、1 1 2b和資料線1 1 4之各交叉，而配列成矩陣狀。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 - 1286731 A7 B7 五、發明説明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，個像素係具備有P通道TFT1 16p、N通道 TFT1 16η、液晶電容LC、保持電容HC及配線L。P通道 TFT 1 16ρ之閘極電極係連接於掃描線1 12a，其源極電極係連接於資料線1 1 4，其汲極電極係連接於像素電極u 8。另外，N通道TFT116n之閘極電極係連接於掃描線112b ’其源極電極係連接於資料線Π 4，其汲極電極係連接於像素電極1 1 8。而且，保持電容HC之一端係連接於N通道TFT116n 之汲極電極，於保持電容HC之另一端，爲了使成爲與共通電極相同電位，而供給共通電極電壓Vcom。除此之外，配線L係用以連接P通道TFT 116p之汲極電極和N通道TFT 1 16η之汲極電極者。如此之像素構成中，在選擇該像素之期間中，供給L 電平之掃描線訊號於掃描線1 1 2a，供給Η電平之掃描訊號於掃描線1 1 2 b，供給畫像訊號於資料線1 1 4中。在該期間’ P通道TFT116p和N通道TFT116n則皆成爲〇N狀態’對液晶電容LC和保持電容HC寫入畫像訊號。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，驅動電路群1 2 0係由掃描線驅動電路1 3 0、取樣電路140及資料線驅動電路150所組成，形成於上述之元件基板101上者。該些之電路係使用與像素之TFT共同的製造過程以TFT所形成。依此，針對積體化或製造成本等的面而言，極爲有利。而且，於此例中，雖然分別說明資料線動電路1 5 0和取樣電路1 4 0，但是，即使將兩者當作一體，領會用以驅動資料線1 ] 4之資料線驅動電路本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1286731 A7 ___B7 五、發明説明（13) 當然亦可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，掃描線動電路130係具有移動暫存，根據來自時機發生益200之Y時鐘訊號YCK，或其反轉γ時鐘訊號Y C K B、Y傳送啓動脈衝D Y等，對各掃描線η 2順序輸出掃描線訊號 Yla、Ylb、Y2a、Y2b.....Yma > Ymb( 選擇訊號）者。另一方面，取樣電路1 4 0係以6條資料線1 14當作1 群’對屬於該些群之資料線1 1 4，隨著取樣訊號SR丨〜 SRn，各取樣畫像訊號VID1〜VID6而予以供給者。於取樣電路140上，由TFT所組成之開關141被設置於各資料線1 1 4之一各開關1 4 1之源極電極係被連接於供給畫像訊號VID1〜VID6中之任一者的訊號線，再者，各開關 141之汲極電極係連接於1條資料線1 14上。而且，被連接於屬於各群之資料線1 1 4的各開關1 4 1之閘極電極，係對應於該群而連接於供給取樣訊號SR1〜SRn之訊號線中之任一者。如上述般，畫像訊號VID1〜VID6因被同時供給，故依據取樣訊號S 1成爲同時被取樣。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，資料線驅動電路1 50係根據來自時機發生器 200之X時鐘訊號XCK、其反轉X時鐘訊號XCKB、X傳送啓動脈衝DX等，而順序輸出取樣訊號SR1〜SRn(選擇訊號）者。 (1-3 :像素之構成）接著，針對像素之構成予以說明。第4圖係表不像素本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16 - 1286731 Α7 Β7 五、發明説明（w) 之機械性構成的平面圖。第5圖係表示第4圖中之A-A’ 剖面的斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 掃描線112a、112b呈凸型（參照第4圖），各突出部成爲P通道TFT116p和N通道TFT116n的閘極電極。再者，在P通道TFT 1 16p中，高濃度雜質領域20中之源極領域23，係經由形成在觸孔CH1之源極電極25而與資料線1 14連接（參照第5圖）。另外，P通道TFT1 16p 之汲極領域21係經由觸孔CH2而與汲極電極24連接，而且，汲極電極24係經由形成在第2層間絕緣膜之觸孔 CH3而連接於像素電極118。P通道TFT 11 6p之高濃度雜質領域20係，藉由自聚矽膜上離子注入A1 (鋁）、B(硼）等之ΙΠ族元素的摻雜劑等，予以摻雜後而形成之。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製與P通道TFT1 16p相同，在N通道TFT1 16η中，高濃度雜質領域1 0中之汲極領域1 1，係經由形成在觸孔 CH4之源極電極15，而與資料線1 14連接。另外，Ν通道丁FT 1 16η之汲極領域13係經由觸孔CH5而與汲極電極16 連接，而且，汲極電極16係經由觸孔CH6而與像素電極 118連接。Ν通道TFT 11 6η之高濃度雜質領域10，係藉由自聚矽膜上離子注入Sb (銻）、As(砷）、Ρ(磷）等之V族元素之摻雜劑等，予以摻雜後而形成之。在此，針對P通道TFT 116p和N通道TFT 116η，依據使通道寬在Ρ通道TFT 11 6ρ變寬，或是使通道長在Ν通道TFT 1 16η變長，來調整雙方之I -V特性之均衡爲最佳本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -17- 1286731 A7 B7 五、發明説明（15) 再者，針對P通道TFT1 16p和N通道TFT1 16η，即使爲自調整構造、偏移閘極構造、LDD構造中之任一者亦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Pj 〇接著，電容線1 60係鄰近著掃描線1 1 2b而被配置。於N通道TFT 116η之高濃度雜質領域1〇中，接連於汲極領域1 3之一部分的領域1 4，係經由電容線而與電容線相向。而且，該領域1 4想像成汲極領域1 3之一部分亦可。保持電容HC係被形成在該重複領域上。如此接連於汲極領域13之一部分領域14因成爲保持電容HC，故Ν通道 TFT 1 16η之汲極電極16係與保持電容HC直接連接。電容元件雖然係依據相向之2個電極和被挾持於其間之介電體所構成，但是在該例中，因兼用一方之電極和汲極領域（一部分領域1 4)，故不需要另外設置一方電極，可以簡化液晶顯示面板1 00之構成及製造工程。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著配線L係將鋁、銀等之高熔點金屬當作材料者，連接Ρ通道丁FT1 16ρ之汲極電極24和Ν通道丁 FT116n 之汲極電極16。再者，汲極電極2 4及16係在第1層間絕緣膜32上形成觸孔CH2、CH5，在此依據配線鋁電極而形成之。即是，配線L係同時形成在與源極電極1 5、 2 5及汲極電極16、2 4相同層間者。而且，配線L也有具有依序自下層.疊層鈦層、鋁合金層、氮化鈦層等之複層構造之情形。再者，自對向基板1 02側觀看液晶顯示面板1 〇〇之時，配線L係被配置成與設置於此之格子狀的黑矩陣，一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） > 18- 1286731 A7 _ B7 五、發明説明（16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部分或全部重疊。黑矩陣係用以依據黑框包圔各像素，而使纖像鮮明顯示，但是該部分係不使光透過。另外，雖然配線L也不使光透過，但是依據配置成與黑矩陣一部分或全部重疊，可以防止開口率下降。然而，該例之像素電極1 18，係依據ITO(Indium Tin Oxide)等之透明導電膜而所構成。配線L因以高熔點金屬當作材料，故比起IT〇，每單位面積之電阻値極爲小。因此’依據配線L，可以使發生於Ρ通道TFT 11 6ρ之汲極電極24和保持電容HC之間的等效電阻値成爲極小。再者，用以連接汲極電極16及24和汲極領域13及 21連接的觸孔CH5及CH2，因最初連接於聚矽層1〇及20 ’故一般稱爲第1觸孔。再者，用以連接汲極電極16及 .24和像素電極〗丨8之觸孔CH6及CH3，一般是稱爲第2 觸孔。第1及第2觸孔因接觸不同種類之材料以求導通，故在接觸面電阻則變大。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製對此，配線L係以與汲極電極1 6及24相同製程作一體形成’而且，使用低電阻材料。因此，配線L之等效電阻値係比第1觸孔或第2觸孔之電阻値小。，在無設置配線L之時，雖然依據第2觸孔之等效電阻値，將畫像訊號寫入於保持電容HC之時的時間常數變大，但是依據設置配線L，可以縮小時間常數。第6圖係表示對應於第4圖所示之像素的等效電路之電路圖。於該圖中，連接點Ζ1〜Ζ6係各對應於上述之觸孔 CH1 〜CH6。本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19- 1286731 Α7 Β7 五、發明説明（π) (2 :液晶裝置之動作） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，針對液晶裝置之動作予以說明。第7圖係表示液晶裝置之動作的時序圖。如該圖所示，Υ傳送啓動脈衝 DY係將1場期間IF當作1週期之脈衝。掃描線驅動電路 130係與γ時鐘訊號YCK及反轉時鐘訊號YcKb同步順序移動Y傳送啓動脈衝DY後，而生成掃描線訊號γ 1 a、

Ylb、Y2a、Y2b.....Yma、Ymb。掃描線 Yla、Y2a、… 、Yma係被供給至各掃描線112a，另外，掃描線Y1 b、 Y2b.....Ymb係被供給至各掃描線112b。另外，X傳送啓動脈衝DX係將各掃描線訊號成爲主動之1水平掃描期間1 Η當作1週期之脈衝。資料線驅動電路150係與X時鐘訊號XCK及反轉X時鐘訊號XCKB 同步順序移動X傳送啓動脈衝後，而順序生成取樣訊號 SRI、 SR2、…、SRno 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製例如，假設將畫像訊號寫入於對應著與屬於第1號之掃描線1 1 2a、1 1 2b和第j號之區塊的資料線交叉的像素之情形。此時，掃描線訊號Y i a、Y i b成爲主動，該像素之P通道TFT1 16p和N通道TFT1 16η皆成爲〇N狀態。於該狀態、中’當令第j號之取樣訊號SRj成爲主動之時，對應於第j號之方塊的取樣開關141則成爲ON狀態，畫像訊號VID1〜VID6被供給至各資料線114，該像素之液晶電容LC和保持電容HC被寫入於畫像訊號。假設如以往技術之說明無設置第5圖所示之配線L，纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -20- 1286731 A7 B7 五、發明説明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 則對保持電容HC寫入畫像訊號則如同下述。首先，經由 N通道TFT116n之時，則成爲資料線114—源極電極15( 觸孔CH4)—源極領域11—通道領域12-汲極領域！3—保持電容的路徑。另外，經由P通道TFT Π 6p之時，則成爲資料線1 1 4 —源極電極2 5 (觸孔C Η 1)—源極領域2 3 —通道領域2 2 —汲極領域2 1 —汲極電極2 4 (觸孔C Η 2)—觸孔 CH3—像素電極118—觸孔CH6—汲極電極16(觸孔CH5) —汲極領域13-保持電容HC的路徑。即是，來自Ρ通道TFT1 16ρ之寫入路徑比來自Ν通道TFT1 16η之寫入路徑，僅長「汲極電極24(觸孔CH2) —觸孔CH3->i素電極118—觸孔CH6—汲極電極16(觸孑L C Η 5 )」。於該寫入路徑中，電阻値最大的係像素電極 118° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製對此，當設置如本實施形態之配線L時，雖然經由Ν 通道TFT 116η之時，係與上述之路徑相同，但是，在經由Ρ通道TFT116p之時，則係成資料線114—源極電極 25(觸孔CH1)—源極領域23—通道領域22—汲極領域21 —汲極電極2 4 (觸孔C Η 2)—配線L —汲極電極1 6 —汲極領域13—保持電容HC的路徑。即是，來自Ρ通道TFT 11 6ρ之寫入路徑，係比來自Ν 通道TFT 11 6η之寫入路徑，僅長「汲極電極24(觸孔CH2) —配線L —汲極電極1 6 (觸孔C Η 5)」。但是，針對配線L係使用像鋁或銀之低電阻材料。配線L之電阻値因如上所述比起像素電極1丨8之電阻値或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ 297公釐) " "~： "" -21- 1286731 A7 B7 五、發明説明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 觸點電阻値爲極小，故若依據本實施形態’可以大幅度地縮小經由P通道TFT 11 6p而寫入畫像訊號之時的時間常數。畫像訊號雖然有必要在資料線之選擇期間中寫入於保持電容HC中，但是，因可以大幅度地縮小時間常數，故即使縮短選擇期間之長度，亦可以將畫像訊號充分地寫入於保持電容H C中。因此，可以取得較大對比度，可顯示出顏色鮮明之畫像顯示。再者，增加資料線之條數或掃描線之條數，即使縮短選擇期間之長度，亦不會降低對比度，可以以高品質顯示出高精度之畫像。而且，當經由Ν通道TFT 116η寫入之時，因可以縮小與經由Ρ通道TFT 1 16ρ而寫入時的時間常數之差，故可大幅度地降低因時間常數而發生的顯示不均勻。除此之外，因較易對保持電容HC寫入，故可以縮小供給於資料線1 4之畫像訊號之訊號振幅。再者，隨此，縮小掃描線訊號Yla、Ylb、Y2b.....Yma、Ymb之振幅經濟部智慧財產局員工消費合作社印製，同時可以縮小取樣訊號SRI、SR2、…SRn之振幅。依此，可以降低放大·反轉電路3 0 4、掃描線驅動電路1 3 0 及資料線驅動電路1 50之電源電壓，進而可以降低消耗電力。 (3 :變形例）接著，針對本實施形態予以說明。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -22- 1286731 A7 B7 五、發明说明（ (3 -1 :其他像素之構成） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述之實施形態中，雖然鄰接於N通道TFT 116η 而設置電容線，在與Ν通道TFT 1 16η之汲極領域鄰接之領域和電容線之間，形成保持電容H C，但是本發明並非限定於此者，即使鄰接於Ρ通道TFT 11 6ρ而設置電容線，在此形成保持電容HC亦可。第8圖係表示像素之機械性構成之其他例的平面圖。弟9圖係表不第8圖中之Β·» f之剖面的斷面圖。如第8圖所示，電容線1 60係鄰近於掃描線1 1 2A而被配置著。然後，如第9圖所示，在P通道TFT 116p之高濃度雜質領域20中，接連於汲極領域2 1之一部分的領域 24，係經由閘極絕緣膜3 1而與電容線相向。藉由離子注入B(硼）等之]Π族元素之摻雜劑而摻雜於領域24中。保持電容HC則被形成於該重複領域上。P通道TFT 11 6p之汲極電極24係與保持電容HC連接。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，配線L係與上述實施形態相同，以鋁、銀等之高熔點金屬當作材料者，而連接P通道TFT 116p之汲極電極24和N通道TFT 116η之汲極電極16。即是，源極電極15、25、汲極電極16、24及配線L，係同時形成在同一層間者。因此，可以以低電阻連接Ν通道TFT 116η 之汲極電極1 6和保持電容H C。若依據該例，對保持電容HCT寫入畫像訊號則如同下述。首先，經由P通道TFT 1 16p之時，則成爲資料線1 14 —源極電極25(觸孔CH1)—源極領域23—通道領域22 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 1286731 A7 B7____ 五、發明説明（21) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 汲極領域21—保持電容HC之路徑。另外，經由N通道 TFT116n之時，則成爲資料線U4—源極電極15(觸孔CH1) —源極領域23 —通道領域22—汲極領域21—汲極電極 24(觸孔CH2)—觸孔CH3—像素電極118—觸孔CH6—汲極電極16(觸孔CH5)—汲極領域13—保持電容HC的路徑。即是，來自Ρ通道TFT1 16之寫入路徑中，相對於畫像訊號直接被寫入於保持電容HC，來自Ν通道TFT 1 16η 之寫入路徑，係經由配線L結晶寫入畫像訊號於保持電容HC中。然而，配線L因使用低電阻材料，故其低電阻比起像素電極1 1 8之電阻値爲極小。因此，於上述實施形態中，與經由P通道TFT 1 16p寫入之時相同，可以大幅度地縮小經由N通道TFT 116η而寫入畫像訊號之時的時間常數。其結果，即使於應用例，可以取得較大的對比度，可顯示出顏色鮮明之畫像。再者，即使增加資料線條數或掃描線條數，縮短選擇間之期間，亦不會降低對比度，可以已高品質顯示高精度之畫像。經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 (3-2 :反射型•半透過反射型之液晶裝置）於上述之實施形態中，雖然針對透過型之液晶裝置’ 但是，本發明並非限定於於此，可以適用於反射型之液晶裝置或半透過反射型之液晶裝置。第1 0圖表示反射型之液晶裝置中之像素之機械性構本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇>< 297公釐） 1286731 A7 _B7 五、發明説明（22) 成之一例的平面圖，第1 1圖係表示半透過反射型之液晶裝置中之像素之機械性構成之一例的平面圖。第1 2圖係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第10圖之C-C’之剖面及第11圖之D-D’之剖面的斷面圖〇首先，反射型之液晶裝置係在第2層間絕緣膜3 3之上形成用鋁或銀等當作材料之反射層1 1 9，而且，形成由 I TO膜（透明導電膜）所組成之像素電極1 1 8來覆蓋反射層 119。反射層119及像素電極118雖然在第11圖等之平面圖中省略，但是，但是如上述之實施形態，並不係平板狀，而持有凹凸。依此，將入射光亂反射，則可以得到相同的顯示光。在下層側中，以感光樹脂層形成規定之凹凸圖案之後，依據用上側層感光性樹脂層覆蓋其表面，可以形成如此之凹凸。爲了提高開口率，必須盡量擴大反射層119之面積。在此，於該例中，在反射層1 1 9之下側形成配線L。反射層1 1 9之下側雖然成爲入射光照射不到之空間，但是依據在如此之空間設置配線L，可以不會損失開口率，降低晝像訊號寫入於保持電容時的時間常數。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，半透過反射型之液晶裝置，係如第11圖所示於反射層1 19之一部分形成開口部1 19’。開口部119’係設置有用以使背光之光源予以透過。配線L因不使光透過，故假設當可以穿過開口部1 19’地形成配線L時，則降低了顯示光之利用效率。在此，在該例中，係避開開口部 1 1 9 ’而配置配線L。依此，可以不會損失開口率，降低晝 -25- 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公釐） 1286731 Α7 Β7 五、發明説明（23) 像訊號寫入於保持電容時的時間常數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 3圖係表示反射型之液晶裝置中，兼作反射板和像素電極時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第14 圖係表示第13圖之Cl-Cl’之剖面的斷面圖。全反射型之液晶裝置係如第1 3圖及第1 4圖所示，即使將以鋁或銀之光反射性導電膜形成在第2層間絕緣膜 3 3上的反射層1 1 9本身，當作像素電極使用亦可。再者，若對反射層1 1 9賦予凹凸，則可以使入射光亂反射，得到相同之顯示光。在如此之構成時，依據在反射層1 1 9下側設置配線L，則可以不會損失開口率，降低寫入畫像訊號於保持電容之時的時間常數。而且，在全反射型或半透過反射型之液晶裝置中，第 10圖至第14圖所示之中，雖然於像素電極1 18或反射層 1 1 9和資料線之間存在有間隙，但是像素電極之端部即使爲平面性地對資料線重疊之構成亦可。 (3-3 :觸孔之省略）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在上述之透過型、反射型或是半透過反射型之液晶裝置中，即使省略觸孔CH3或是CH6中之任一者亦可。第 1 5圖係表示反射型之液晶裝置中，省略觸孔CH3之時的像素之機械性構成之一例的平面圖，第1 6圖係表示第1 5 圖之Ε-Ε’之剖面的斷面圖。第17圖係表示對應於第15圖所示之像素構造的像素之等效電路的電路圖。觸孔CH3及CH6雖然係爲了將Ν通道TFT1 16η之汲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公瘦） 1286731 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（21 極電極16及P通道TFT 1 16P之汲極電極24連接於像素電極1 1 8，但是若各汲極電極1 6、24中之任一方被連接於像素電極，則可將像素訊號寫入於液晶電容LC。再者，觸孔CH3及CH6因與像素電極1 18形狀爲不同，故在形成該些之領域中，被施加於液晶於液晶之電場之狀態與像素電極118之領域不同。因此，形成觸孔CH3及CH6之領域，因必須以黑矩陣覆蓋隱藏，故降低了開口率。於該例中，因省略觸孔CH3，故可提高開口率。此時，當省略觸孔CH3時，N通道TFT 116η之汲極電極16，和Ρ通道TFT 1 16ρ之汲極電極24，則無經由像素電極1 18 而被連接。但是，汲極電極1 6及24因依據低電阻材料而所構成之配線L而連接，故即使省略觸孔CH3，寫入畫像訊號於保持電容HC之時的時間常數幾乎不會變大。第1 8圖係表示反射型之液晶裝置中之兼作反射板和像素電極，而且省略觸孔CH3之時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第19圖係表示第18圖之Ε-Ε’之剖面的斷面圖。全反射型之液晶裝置係如第1 8圖及第1 9圖所示，即使將以鋁或銀之光反射性導電膜形成在第2層間絕緣膜 33上的反射層119本身，當作像素電極使用亦可。再者，若對反射層1 1 9賦予凹凸，則可以使入射光亂反射，得到相同之顯示光。在如此之構成時，依據在反射層1 1 9下側設置配線L，則可以不會損失開口率，降低寫入畫像訊號於保持電容之時的時間常數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） >27- 1286731 Α7 Β7 五、發明説明（2¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在如此之構成時，若省略觸孔CH3，則也可以提高開口率。此時，雖然N通道TFT 116η之汲極電極16及P通道TFT 1 16ρ之汲極電極24，無經像素電極1 18被連接，但是，汲極電極1 6及24因依據低電阻材料而所構成之配線L而連接，故即使省略觸孔CH3，寫入畫像訊號寫入於保持電容HC時的時間常數幾乎不會變大。 (3 - 4 :觸孔及保持電容之省略）而且，在省略任一方的觸孔CH3或CH6之時，即使省略保持電容亦可。第20圖係表示反射型之液晶裝置中，省略觸孔CH 3和保持電容之時的像素之機械性構成之一例的平面圖，第21圖係表示第20圖F-F’之剖面的斷面圖。第22圖係表示對應於第20圖所示之像素構成之像素之等效電路的電路圖。於該例中，因吳保持電容HC，故無來自將像素訊號寫入於保持電容HC之點的優點。但是，因使用配線L連接汲極電極16及24，故可以省略任一方之觸孔CH3或 CH6。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如上述之形成觸孔CH3及CH6之領域中，可能被施加於液晶之電場與像素電極1 1 8不同，故雖然需要以黑矩陣覆蓋隱藏該領域，但是，於該例中，因省略觸孔CH3，故可提高開口率。 (4 :電子機器）本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -28- 1286731 A7 B7 五、發明説明（接著，針對上述之液晶裝置適用於各種電子機器之時，舉出幾個予以說明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔4 -1 :投影機〕首先，針對將該液晶顯示裝置作爲光閥使用之投影機說明。第2 3圖爲表示投影機之構成例的平面圖。如該圖所示，於投影機1100內部中’設置有鹵素燈等之白色光源所組成之燈元件11 02。自該燈元件11 02所射出之投射光，依據配置於內部之4片透鏡1 106及2片二向色鏡 1108而分離成RGB之3原色，射入於作爲對應於各原色之光閥的液晶面板1110R、1Π0Β及1110G。液晶面板1 1 10R、1 110B及1 1 10G之構成，係與上述液晶面板1 0 0相同，以由畫像訊號處理電路（省略圖示）所供給之R、G、B之原色訊號而各自驅動者。再者，依據該些液晶面板而調製之光，係自3方向射入於二向色稜鏡 1112。在該二向色稜鏡1112中，R及B之光折射成90度，另外，G之光則直線前進。因此，合成各色畫像之結果，經由投射透鏡1 1 1 4，將彩色畫像投影於螢幕等上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此，當注視於依據各液晶面板11 10R、1110、 1 110G所產生之顯示影像之時，則依據液晶面板1 10G所產生之顯示影像，則必須對依據液晶面板1110R、Π10Β 所產生之顯示影像呈左右反轉。而且，因依據二向色鏡1108，射入對應於R、G、B 之各原色的光，固無須設置彩色濾光片。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29- 1286731 A7 B7 五、發明説明（27) 〔4-2 :攜帶型電腦〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 接著，針對該液晶面板適用於攜帶型個人電腦之例予以說明。第24圖係表示該個人電腦之構成的斜視圖。於圖中，電腦1 200係由有由具有鍵盤1 202之主體部1 204，和液晶顯示元件1 206所構成。該液晶顯示元件1 206係依據在先前所述之液晶顯示面板1 〇〇之背面加裝背光而所構成。〔心3 :行動電話〕又，針對該液晶顯示面板1 00適用於行動電話之例，予以說明。第25圖係表示該行動電話之構成的斜視圖。於圖中，行動電話1 300具有多數之操作鈕1 302，同時有具有透過型之液晶面板1005者。該透過型之液晶面板 1005係依其所需在其前面設置前光。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，除了參照第23圖〜第25圖而說明的電子機器之外，可舉例還有具有液晶電視、取景型或螢幕直視型之視頻照相機、車用導航裝置、傳呼機、電子記事本、計算機、打字機、工作台、影像電話、POS中端、觸控面板之機器等。當然也可適用於該些各種電子機器上。【發明之效果】若依據以上說明之本發明的光電面板，因設置用以使第1電晶體元件和第2電晶體元件之各汲極電極短路的配本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -30- 1286731 A7 五、發明说明（2δ) 線，故可以減少寫入畫像訊號於保持電容之時的時間常數，故可以提高對比度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .【圖面之簡單說明】第1圖係表示與本發明有關之液晶裝置之全體構成的方塊圖。第2圖係用以說明液晶顯示面板之斜視圖。第3圖係用以說明液晶顯示面板之構造的一部分斷面圖。第4圖係表示同面板中之像素之機械性構成之一例的平面圖。第5圖表示第4圖中之AHj面之斷面圖。第6圖係表示對應於第4圖中所示之像素構造的像素之等效電路的電路圖。第7圖係表示同液晶裝置之動作的時序圖。第8圖係表示與應用例有關之像素之機械性構成之其他例的平面圖。第9圖係表示第8圖中之Β-Β’之剖面的斷面圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第1 0圖係表示反射型之液晶裝置中之像素之機械性構成之一例的平面圖。第11圖係表示半透過反射型之液晶裝置中之像素之機械性構成之一例的平面圖。第12圖係表示第1〇圖中之C-CT之剖面及第11圖中之D · D ’之剖面的斷面圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） • 31 - 1286731 A7 B7 五、發明説明（q 第1 3圖係表示反射型之液晶裝置中，兼作反射板和像素電極之時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第14圖係表示第13圖中之C卜C1’之剖面的斷面圖。第15圖係表示反射型之液晶裝置中，省略1個觸孔之時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第16圖係表示第15圖中之E-E’之剖面的斷面圖。第1 7圖係表不對應於第1 5圖所不之像素構造的像素之等效電路的電路圖。第18圖係表示反射型之液晶裝置中，兼作反射板和像素電極，而且省略1個觸孔之時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第19圖係表示第18圖之Ε1-ΕΓ之剖面的斷面圖。第20圖係表示反射型之液晶裝置中，省略觸孔CH3 和保持電容之時的像素之機械性構成之一例的平面圖。第21圖係表示第20圖中之F-F’之剖面的斷面圖。第22圖係表示對應於第20圖所示之像素構成之像素之等效電路的電路圖。第23圖係作爲適用同液晶裝置之電子機器之一例的視頻投影機之斷面圖。第24圖係作爲適用同液晶裝置之電子機器之一例的個人電腦之斜視圖。第25圖係作爲適用同液晶裝置之電子機器之一例的行動電話之斜視圖。第26圖係表示相當於使用於以往液晶裝置之元件基本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) l·訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ΙΓ · 1286731 【圖號說明】 112a、 112b 114 118 116p、1 1 6n L HC 160 、 160 150 A7 B7 五、發明説明（3 板之1像素的電路之電路圖。第27圖係表示同像素中，經由N通道TFT2而將畫像訊號寫入於保持電容之時的等效電路之電路圖。第28圖係表示同像素中，經由P通道TFT1而將畫像訊號寫入於保持電容之時的等效電路之電路圖。掃描線資料線像素電極 TFT(第1電晶體元件、第配線保持電容電容線資料線驅動電路電晶體兀件） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -33-

Claims

A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種光電面板，具備有元件基板、對向基板及被挾持於上述元件基板和上述對向基板間之光電物質，其特徵爲· 上述元件基板係具備有：構成多數對之掃描線；多數之資料線；對應於上述掃描線和上述資料線之交叉而被配置成矩陣狀，且各被配置在構成對之一方的上述掃描線和另一方的掃描線之間的像素電極；連接構成對之上述掃描線之一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極，並且連接上述像素電極和汲極電極的第1電晶體元件； ^ 連接構成對之上述掃描線之另一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極，並且連接上述像素電極和汲極電極的第2電晶體元件；與上述第2電晶體元件之汲極電極連接的電容元件；和用以連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2 電晶體元件之汲極電極的配線。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之光電面板，其中，上述配線之電阻値係比連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2電晶體之汲極電極的上述像素電極之等效電阻値小。 3.如申請專利範圍第1項所記載之光電面板，其中， (請先閲讀背面之注意事 4 項再填· 裝— ;寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34» 1286731 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍於上述對向基板上形成有共通電極和格子狀的黑矩陣，上述配線係與上述黑矩陣重疊地被配置著。 4. 一種光電面板，具備有元件基板、對向基板及被挾持於上述元件基板和上述對向基板間之光電物質，其特徵爲：上述元件基板係具備有：構成多數對之掃描線；多數之資料線；對應於上述掃描線和上述資料線之交叉而被配置成矩陣狀，且各被配置在構成對之一方的上述掃描線和另一方的掃描線之間的像素電極；連接構成對之上述掃描線之一方和閛極電極，且連接上述資料線和源極電極的第1電晶體元件；連接構成對之上述掃描線之另一方和閘極電極，且連接上述資料線和源極電極的第2電晶體元件；和用以連接上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2 電晶體元件之汲極電極的配線，上述第1電晶體元件之汲極電極和上述第2電晶體元件之汲極電極中之任一方與上述像素電極連接著。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載之光電面板，其中，具備有與上述第2電晶體元件之汲極電極連接的電容元件〇 6 ·如申請專利範圍第1項或第4項所記載之光電面板 ’其中’上述第1及第2電晶體元件係具備有由源極領域 (請先閲讀背面之注意事 —0 項再填. 裝— 寫本頁) 、π 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) M規格（2i〇x297公釐）-35 - 1286731 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍、閘極領域及汲極領域所組成之聚矽層，和形成於上述聚矽層上面的閘極絕緣膜，上述汲極電極係經由形成於上述閘極絕緣膜之第1觸孔而與上述汲極領域連接，上述像素電極和上述汲極電極係經由第2觸孔而被連接，上述配線之電阻値係比上述第1觸孔之等效電阻値或第2觸孔之等效電阻値小。 7.如申請專利範圍第4項所記載之光電面板，其中，上述第1及第2電晶體元件係具備有由源極領域' 閘極領域及汲極領域所組成之聚矽層，和形成於上述聚矽層上面的閘極絕緣膜， ’ 上述汲極電極係經由形成於上述閘極絕緣膜之第1觸孔而與上述汲極領域連接，上述像素電極和上述汲極電極係經由第2觸孔而被連接，於對向基板上形成有共通電極和格子狀的黑矩陣，上述第2觸孔係與上述黑矩陣重疊地被配置著。 8·如申請專利範圍第1項或第5項所記載之光電面板，其中，上述第1電晶體元件係由P型之薄膜電晶體元件所構成’第2電晶體元件係由N型之薄膜電晶體所構成〇 9 ·如申請專利範圍第1項或第5項所記載之光電面板，其中，上述第1電晶體元件係由N型之薄膜電晶體元本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36 - 1 ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • L-. 1286731 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍件所構成，第2電晶體元件係由P型之薄膜電晶體所構成〇 1 0.如申請專利範圍第8項所記載之光電面板，其中，上述電容元件係在接近於上述另一方掃描線而所形成之電容線，和上述第2電晶體元件之汲極領域之間被構成。 i 1.如申請專利範圍第9項所記載之光電面板，其中，上述電容元件係在接近於上述另一方掃描線而所形成之電容線，和上述第2電晶體元件之汲極領域之間被構成。 12.如申請專利範圍第1項或第4項所記載之光電面板，其中，上述像素電極係由透光性導電膜所構成。 1 3 ·如申請專利範圍第1項或第4項所記載之光電面板，其中，上述像素電極係由透光性導電膜所構成，同時一方之面側上位置著上述光電物質側，另一方之面側上則具有用以反射入射光之反射層，上述配線相對於上述反射層係形成在與上述像素電極相反側上。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所記載之光電面板，其中 ’於上述反射層之一部分上設置有令光透過之開口部，使上述配線不與上述開口部重疊地配置著。 1 5·如申請專利範圍第丨項或第4項所記載之光電面板’其中’上述像素電極係由光反射性導電膜所構成。 1 6·如申請專利範圍第1項或第4項所記載之光電面板’其中’於上述元件基板上形成有順序選擇構成對之上述掃描線的掃描線驅動電路，和供給畫像訊號至上述各資本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )以祕（21GX297公竣）.37- I ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1286731 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍料線之資料線驅動電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1·. ▼項再填· 裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 -