TWI281722B - Method and apparatus for embedded process control framework in tool systems - Google Patents

Description

1281722 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 五、發明說明（1 ) [發明之背景] 1.發明之頜减 本發明係關於-般的半導體製造，以及更特別地，是 關於利用裝入製程控制於工具機系統之方法和裝置。 1·相關技術之撫球 裝ie工業的科技爆炸導致許多新的和創新的製程。今 日的製程’特別是半導體的製程，需要很多重要的步驟。 這些製程的步驟通常是必須的，因此，需要許多維持適當 製程控制的精密輸入。 製造半導體的裝置需要許多不同的製程步驟從半導體 原材料製造封裝半導體裝置。此各種的製程，從初步產生 半導體材料 '將半導體晶體切割成獨立的晶圓、製造階段 (钱刻、摻雜、離子植入、或其類似階段）、至完成裝置之 封裝和最後的測試，每一階段都不相同以及其特色為製程 可於具有不同控制體系之不同製造地點進行。 衫響半導體裝置製造的因素為由於製造工具機初始階 段的影響、製造室的記憶體影響、以及首次晶圓的影響之 製造問題所導致晶圓和晶圓之間的變異。製程步驟中此類 不良影響因素之一為光學蝕刻覆蓋（ph〇t〇mh〇graphy overlay)製程。覆蓋為半導體製造之光學蝕刻區中的許多重 要步驟之一。覆蓋控制涉及在半導體裝置表面兩個連續模 式層之間定位偏移（misalignnient)的測量。通常，減少定位 偏移的誤差對確保半導體裝置之多層是否連接和有正常功 能是非常重要的。由於科技設備使半導體裝置的臨界尺寸 裝 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1281722 B7 五、發明說明（2 ) 日益因此使減少定位偏移的誤差更形重要。 通= > 目别光學蝕刻工程每個月分析覆蓋誤差數次。 —覆^誤差刀析之結果以人工方式更新暴露工具機的設 :、方法伴隨著許多的問題包括每個月祗能更新暴 露工具機的設定數次。此外，目前暴露工具機的更新仍以 人工的方式進行。 訂 通吊在許多晶圓的半導體製造工具機上進行一組製 程步驟’稱為暴露工具機或步進器（stepper)。此製造工具 機矛製L架構或製程模式網路相連通。此製造工具機通常 連接至設備的介面。此設備介面連接至連接步進器之機器 介面’因此完成該步進器和該製造架構之間的連通。此機 器介面通常可為一個先進製程控制（Apc)系統的一部份。 此先進製程控制啟動控制過蓉 以Mm# 為自動擁取需要資料 以執灯製每製程之軟體程式。以人工方式定期修正控制該 i 製造過程之輸入參數。當需要更精密之製造過程時，則需 要以更自動和省時的改良方法來檢查輸入控制該製造過程 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之參數。此外’晶圓和晶圓之間的製造差異會造成半導體 裝置之品質的不一致。 雖然目前的控制系統提供一些較粗趟的製程控制，但 是本工業仍缺乏有效率之較精密的製程控制方法。目 控制系統通常負責多個製造部門。但是這些控制系 無法使製程之品質進入更深入的層次。 本發明可直接克服上述一種或以上的問題，或至少 減低其影響。

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五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 [發明之概述] 在本發明之一態樣中，提供一種 裝入製程控制的方法。其至少可處理 反應對半導體裝置之製程進行裝入製 於此裝入製程控制的程序進行半導體 在本發明之另一態樣中，提供一 造工具機系統的裝置。本發明之裝置 及至少有一個與該電腦介接之製造工 具機系統包括能從電腦系統接收命令 以及藉該製造工具機系統進行製程之 [圖示之簡單說明] 可配合下列附圖之描述瞭解本發 相同之編號，其中： 第1圖為顯示製程控制系統之一 第2圖為顯示根據本發明裝置之 第3圖為第2圖實施例中之製造 描述； 第4圖為第3圖中裝入製程控制 詳細描述； 第5圖為顯示根據本發明方法之 第6圖為流程圖，更詳細說明第 程序之進行步驟；以及 第7圖為流程圖，說明針對偵測 參數的方法。 於製造工具機系統中 一種半導體裝置。其 程控制的程序。反應 裝置其後的製程。 種將製程控制裝入製 包括：電腦系統、以 具機系統，此製造工 之裝入製程控制系統 控制。 明’其相似之元件有 個實施例； 一個實施例； 工具機系統的更詳細 器之一個實施例的更 流程圖； 5圖中裴入製程控制 出之誤差修正其控 制 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 91931 1281722 A7 ------- B7 ---- 五、發明說明（4 ) 本發明可進行各種形式的体 ^ ^ ^ 卜 幻修正和改變，藉圖中之範例 說明特定之實施例於此加以詳纟今 v _ . _ . 叶、、、田說明。然而，必須瞭解本 發明並不僅侷限於此揭示之转宁真/ j 1“ Μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) < W疋形式的實施例。相反的， 本發明可涵蓋所有的修正、灼笪札 丄& β等物、以及在本發明所附申 請範圍之精神和範圍内的任何改變。 [元件符號說明] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 105 半導體產品 110 製程工具機A 112 製程工具機B 115 第一個機器介面 117 第二個機器介面 120 線路 130 電腦系統 140 製造模組 145 量測資料處理裝置 150 量測工具機 155、 ‘ 170線路 160 回饋/前饋控制器 210 第一個製造工具機系統 220 第二個製造工具機系統 230 第N個製造工具機系統 310 裝入製程控制器 320 製造工具機 410 量測資料取得裝置 [較佳實施例之詳細說明] 本發明之實施例說明如 下。 必須說明，此專利說明蚩 * 曰 中並未列舉本發明全部之特徵。 事實上仍有許多其它之實 施例 ’但是，特定之實施例必須符合廠商之特定要求，例 如必須付合系統有關和商業有關之限制，故實施例之間有 很大的差異。此外，依此發展出之實施例可能非常複雜而 且費時，但是必然為熟知本領域之技藝者所勝任。 半導體的製造涉及許多嚴謹的製程。半導體裝置需要 多次經由多種半導體製程工具機的處理。晶圓和晶圓之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 4 91931 1281722 A7 五、發明說明（5 ) 的差異會造成半導體裝置之品質 貝旧个蚁。製程步驟中此 類不良影響因素之一為光學蚀刻覆蓋製程。覆蓋製程為丰 導體製造中的許多重要步驟之一。 ·、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ W別疋，覆蓋製程涉及 製造過程中在兩層半導體裝W q 曰干等體裝置之間的定位偏移測量。覆蓋 製程的改良可實質上加強半導辦制 观干导體製程的品質和效率。本發 明提供不同晶圓和晶圓之間的一播白 阅心间的種自動校正誤差的方法。 半導體裝置在製造環蟥中南丨田i夕Μ 衣每衣力兄中利用許多輸入控制參數而加 以處理。現在參照第1圖，銳明太 口況明本發明之一個具體實施例。 在一個具體實施例中，利用嬙政】1Λ 扪用線路120上之多個控制輸入信 號在製程工具機110、112上知丁兮主道胁女 Ζ上加工該半導體產品105，例如 半導體晶圓。在此實施例中，此線路120上之控制輸入信 號從電腦系統130經由機器介面115、117而傳送至製程工 具機110、112。在此具體實施例中，該第一 面n5、n?放置於製程工具機11〇、112之外 個實施例中，該第一和第二機器介面115、117放置於製程 工具機110、112之内部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 在此實施例中，電腦系統130在線路12〇上傳送控制 輸入信號至第一和第二機器介面115、117。該電腦系統13〇 應用製造模組140在線路12〇上產生控制輸入信號。在此 實施例中，該製造模組含有一工作程序，決定在線路丨2 〇 上傳送之多個控制輸入參數。 在此實施例中，製造模組140定義製程劇本和輸入控 制而執行特定的製造程序。在線路12〇上提供製程工具機 A110之控制輸入信號由第一機器介面115接收和處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 91931 1281722 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 五、發明說明（ 線路120上提供製程工具機B112之控制輸入信號由第二 機器介面117接收和處理。利用於半導體製造程序之製程 工具機110、112的實例為步進器、掃描器、步進掃描工具 機、和餘刻製程工具機。在此實施例中，該製程工具機A110 和製程工具機BU2為光學蝕刻製程工具機，例如步進器。 由製程工具機110、112加工之一個或以上之半導體晶 圓通常送至量測：£具機150以取得量測資料。在此實施例 中，該量測工具機1 50為一個散射量測資料取得工具機' 或一個散射計（scatterometer)。來自量測工具機15〇之資料 經由量測資料處理裝置145之處理和整理。在此實施例 中，該量測資料處理裝置145相關該量測資料與特定製造 批次的已處理半導體晶圓。在此實施例中，該量測資料處 理裝置145整合入該電腦系統13〇内。在此實施例中，該 量測資料處理裝置145為裝入該電腦系統13〇之電腦軟體 程式，其中該電腦系統130整合入先進製程控制（Apc)之 架構内。 來自量測資料處理裝置145之製程量測資料，在此實 施例中為散射量測資料，被傳送至在線路i 55上之回饋/ 則饋控制器160。在此實施例中，該回饋/前饋控制器工 處理該散射量測資料並產生本領域之技藝中已知的回饋和 前饋調整資料。如下述之回饋和前饋調整資料經由線路 170傳送至該電腦系統130。此電腦系統13〇利用該回饋和 前饋調整資料修正在製造模組丨4〇内之資料，其可導致在 線路120上之控制輸入參數的適當改變。在此實施例中， ------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1281722 A7 五、發明說明（7 ) 該回饋/前饋控制器160整合入電腦系統13〇内。在此實施 例中，該回饋/前饋控制器160為裝入該電腦系統13〇之電 腦軟體程式。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 修正在線路120上之控制輸入信號的許多基礎之一為 在加工之半導體晶圓上進行之量測測定，例如散射量測測 疋。使用此量測測定來進行控制輸入信號之回饋修正和一 刖饋修正。通常，線路12〇上之控制輸入信號的回饋修正 為在光學#刻過程中進行，例如利用照射劑量來修正線寬 度以及利用曝光焦點修正來調整線之輪廓。線路12〇上之 控制輸入信號的回饋修正亦可於蝕刻過程中進行，例如利 用餘刻配方修正來調整蝕刻線的形狀。 線路120上之控制輸入信號的前饋修正可用來進行半 導體晶圓上其後之製程的校正。線路12〇上之控制輸入信 號的前饋修正可用於間隔層沉積的製程中，其可利用散射 測量技術調整精確形成於半導體晶圓上之有效線寬度。在 此實施例中，在間隔層沉積程序中，散射測量之測定可用 來調整可能影響間隔層寬度的沉積時間，其依次會影響半 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 導體晶圓上追縱器的有效線寬度。此外，散射測量之測定 可用來測量離子植入之參數以及在其後之離子植入過程中 調整離子植入之劑量。 本文中例如步進器加工之製造過程，線路12〇上之控 制輸入用來操作該製程工具機110，其包括χ_翻譯信號、 y-翻譯信號、X-擴充晶圓級信號、^擴充晶圓級信號、標 線（reticle)放大信號、以及標線旋轉信號。通常，曝光工 本紙張尺度綱巾關家標準(CNS)A4規格（210 x 297公爱） 7 91931 1281722 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 中會處理晶圓表面上一個特定曝光過程之錯誤標線放大 L號以及標線旋轉信號。本發明之主要特徵之一為使用一 種分析外部變化之後能在線路120上更新其控制輸入信號 的方法。 當製程工具機110的加工步驟結束時，如第丨圖之方 塊12〇中，檢查站會檢測在製程工具機11〇中已加工之半 導體晶圓。此類檢查站之一為KLA檢查站。來自該檢查站 之作業的一組資料為之前曝光過程導致的配準不良 bi_gistratlon)數量之定量測量。在此實施例中該配準 不良數量和加卫過程中發生在兩層半導體晶圓之間的定位 偏移有關。在此實施例中，該配準不良數量之發生可能歸 因於控制輸入至特定的曝光過程。控制輸入通常會因半導 體晶圓上操作曝光工具機時而影響加工步驟的準確度。此 控制輸入信號會影響加工之半導體晶圓的標線放大和位 置可利用控制輸入之修正來改善該應用於曝光工具機中 之加工步驟的性能。在此實施例中，根據外部變化對被加 工之半導體裝置的影響來修正在線路12〇上之控制輸入信 號。本發明提供一種方法和_種裝置以進行如上冑之製程 控制’其中該製程控制系統為裝入製造工具機系統中。 現在轉而看第2圖，為根據本發明實施例之裝置的說 明。此電腦系、统130為第-個製造工具機系統21〇、第二 個製造工具機系統22〇、卩帛N個製造工具機系統_之 間的介面。在此實施例中，獨立之製程控制系統整合或裝 入個別之第一至第N個製造工具機系統21〇、22〇、23〇之

表紙張尺度綱中關家鮮（CNS)A4祕⑵G 91931 · I I I--I I JeT- I I I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S, 1281722

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A7 五、發明說明（10 ) 詳細描述。在此實施例 ^ J Ύ裝入襄程控制器3 10包括量測 =取得裝置41〇、量測資料處理裝置145、回饋/反饋控 益160、以及製造模組14〇。在此實施例中，該量測資料 取得裝置410為量測工且播〗〇， 具機150,其能在晶圓至晶圓的基 礎上取得量測資料。量測f料處理裝置145處理和整理來 自量測資料取得裝置410之資料。在此實施例中，該量測 貝枓處理裝置U5將量測資料應用於處理 圓上。 此量測資料取得裝置41〇為回饋/反饋控制器WO的介 面。來自量測資料處理裝置145之經處理的量測資料被傳 送至回饋/反饋控制器160。在此實施例中，該回饋/反饋控 制器160 4理該經處理的量測資料並產生本領域之技获中 已知的回饋/反饋調整資料。裝入製程控制器㈣利用:回 饋/反饋調整資料在製造模組14G中進行修正，其會導致控 ^製造工具機32〇之操作的控制輸入參數產生適當的改 變。 通常，控制輸入信號的回饋修正為在光學餘刻過程中 進行，例如利用照射劑量來修正線寬度以及利用曝光焦點 修正來調整線之輪廓。控制輸入信號的回饋修正亦可 刻過程中進行，例如利用蚀刻工作程序修正來調整钱刻線 的形狀。線路120上之控制輸入信號的回饋修正亦可於餘 刻過程中進行，例如利用姓刻配方修正來調整儀刻線的妒 狀。控制輪入信號的前饋修正可用來進行半導體晶圓上其 後之製程的校正。線路120上之控制輸入信號的前饋修： 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐 ------------裝·-------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1281722 五、發明說明（u 可用於間隔層沉積的缴 精被π 4、 襄程中，其可利用散射測量技術調整 猾確形成於半導齅曰圓， 體日日圓上之有效線寬度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一實施例中，在曰圓门 制器31〇處理其取得^圓阳圓的基礎上以裝入製程控 侍的里測貧料、經處理之取得的量測資 秋、生之回饋和反饋資料、以及修正之控制輸入參數；' 該製程亦可按批來進行處理。如說明實例，在半導 體晶圓的薄臈沉積製裎中甘制屯此 償晨程中，其製造模組可指定工作程序而 _ 私之/儿積步驟以達到100埃（Angstrom)厚度的薄臈 I、積在處理半導體晶圓之後如果取得的資料巾發現其1 〇 ^積步驟產生1〇5埃厚度的薄膜沉積，則其回饋/反饋 控制器160會在處理下一個半導體晶圓之前修正在製造模 内之工作程序。該製造模組140内之工作程序能使 其沉積步驟的時間修正至98秒而在處理下一個半導體晶 圓時使其薄臈沉積厚度達到料。在此實施例中，其裝 入製程控制器310為先進製程控制架構。 現在轉而看第5圖，為根據本發明方法之一個實施例 之流程圖的說明。如第5圖之方塊510所述，該製造工具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 機系統210至少處理一個半導體晶圓。如第5圖之方塊52〇 所述，在至少一個半導體晶圓被處理之後，開始進行裝入 製程控制程序。此裝入製程控制程序之更詳細的流程圖說 明於第6圖。 現在轉而看第6圖，如方塊610所述，在一晶圓至晶 圓的基礎上取得其量測資料。在此實施例中，在裝入製程 控制器310内之量測資料取得裝置41〇取得該量測資料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

H 91931 1281722 A7 B7 五、發明說明（I2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一旦取得此量測資料之後，如第6圖之方塊620所述，即 開始進行該量測資料之處理並將其應用於準備處理之相關 半導體晶圓。在此實施例中，該取得之量測資料是由裝入 製程控制器310内之量測資料處理裝置145來進行處理。 如第6圖之方塊630所述，於是利用此處理後之測量 資料產生回饋和前饋資料以供其後之半導體晶圓的處理。 在此實施例中，在裝入製程控制器3 1 〇内之回饋/前饋控制 器160產生該回饋和前饋資料。如第6圖之方塊64〇所述， 該回饋/前饋資料開始進行其後之半導體晶圓製程的控 制。在此實施例中，藉適當修正控制該製造工具機32〇之 操作的控制輸入參數，以製造模組執行該回饋/前饋資料之 進行。在此實施例中，藉檢查回饋和前饋資料所界定之製 造錯誤來修正該控制輸入參數，其說明於第7圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現在轉而看第7圖’如方塊710所述，取得並分析被 回饋和前饋資料所界定之製造錯誤資料。從本領域之技藝 内已知的多種方法之一取得該錯誤資料。一旦取得此錯誤 資料’如第7圖之方塊720所述，測定該錯誤資料是否在 靜區（deadband)内。方塊720中所述之步驟執行判定錯誤 是否已明顯足以使控制製造工具機320之控制輸入參數產 生改變。為了界定該靜區，從例如檢查站之產品分析站（未 顯不）取得之錯誤資料和預設之參數臨界值做比較。在此實 施例中，該靜區含一範圍之錯誤值結合控制輸入信號集中 緊鄰於一組對應之預設標的值，其通常可阻斷控制器之動 作。如果任何一種從產品分析站取得之錯誤小於其對應之 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)a4規格（210 x 297公釐） 12 91931 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1281722 五、發明說明（13 預設臨界值，則 ^ 、、特疋之錯誤被視為在該靜區内。該靜區 .^ , 為防止控制其製造工具機320之控制輸入 參數改變所> 導的過夕控制動作而造成半導體製造程序的 過度緊繃。 如方塊72〇中所+，$〜 所不 虽元成一測定而靜區内發現有對 ή控制輸入>[5號之錯誤時，如第7圖之方塊謂所述， 〜略該特疋的錯誤。因此，當預設靜區内發現有對應於控 希i輸L號之錯誤值時，不使用該特定之錯誤來更新其對 應之控制輸入信號。在此實施例中，如第7圖之方塊740 所述，當該預設靜區内測定出有錯誤資料時，針對該特定 錯誤貝料不會改變其控制參數。如第7圖之方塊740所述， 於疋再取得並分析新的錯誤資料。在此實施例中，重覆上 述之步驟以取得新的錯誤資料。 如方塊720中所示，當完成一測定而靜區内未發現有 對應於控制輸入信號之錯誤時，如第7圖之方塊75〇所述， 則更進一步之程序例如修正該控制輸入參數以補償該錯 誤。利用對應控制輸入信號之錯誤值以更新控制其後製造 過程步驟之製造工具機320的控制輸入參數。 完成第6圖和第7圖中所述之步驟實質上即完成第5 圖之方塊520中所述的裝入製程控制程序之步驟。轉而回 顧第5圖’ 一旦完成裝入製程控制程序，如第5圖之方塊 530所述，則開始進行其後之半導體晶圓的製程。本發明 之原理可應用於其匕類型的製造和製程控制裝置。 本發明之原理可應用於先進製程控制（APC)架構中。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 13 91931 1281722 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明提供一種方法和一種裝置，其可如整合入一製造工 具機系統210、220、230内之裝入製程控制架構來執行此 先進製程控制架構。此先進製程控制為一較佳之平么，並 以其執行本發明之覆蓋控制策略。在一些實施例中，該先 進製程控制可為工廠導向之軟體系統，因此，本發明的控 制策略實質上可應用於工廠層次上任何半導體之製造工^ 機。此先進製程控制架構亦可進行遙控和監控製程之性 能。此外，藉利用此先進製程控制架構可使資料貯存比局 部趨動更具方便性、更具彈性以及更低成本。由於可寫入 所需要的軟體程式而使其具有很大的彈性，故此先進製程 控制平台可有更精密的控制類型。 以本發明配置此控制策略於先進製程控制架構上時需 要許多的軟體程式。除了在先進製程控制架構内的軟體程 式之外，每一具控制系統内的半導體製造工具機寫有一套 電腦程式。當控制系統内的半導體製造工具機開始進半導 體的製造加工時’通常會喚出該套電腦程式以啟動其製程 控制器，例如覆蓋控制器，所需的動作。此控制方法通常 被界疋在此套軟體下進行。此套軟體的發展在控制系統的 發展上佔非常重要的部份。本發明的原理可應用於其它類 型之製造架構中。 上述揭示之特定實施例僅供說明之用，本發明可利用 本領域所熟知之技藝以不同但相同原理之方法加以修飾以 供說明。此外，此處所示之詳細結構或設計除了下述專利 申明範圍内所述之外並無任何的限制。因此，上述揭示之 --------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 14 91931 1281722 A7 _B7_ 五、發明說明（Μ ) 特定實施例可加以改變或修正，並且全部之改變均視為包 含於本發明之範圍和精神内。於是，將其說明於下述之專 利申請範圍内以受專利之保護。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 15 91931

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工福利委員會印製

   換頁1 1. 15 ! a 1 陳曰!t 第90124634號專利申請案 申請專利範圍修正本 (92年1月15曰 1 · 一種方法，包括： 處理至少一種半導體裝置； 反應該半導體裝置之該製程而執行裝入製程控制 程序’該裝入製程控制包括根據相關於該處理之半導 體之量測資料而執行反饋和前饋修正至少其中之一· 以及 ’、 ， 反應該裝入製程控制程序而執行其後 置的製程。 ^ 2·如申請專利範圍第！項之方法，其中處理至少一種半 導體裝置進一步包括處理半導體晶圓。 3‘Π=圍！2項之方法，其中處理半導體晶圓 進-步包括在料導體晶圓上執行光學崎 4·如申請專利範圍第1項之方 制程序進-步包括： 中執行裝入製程控 取得量測資料； 處理該取得之量測資料； 利用該處理之量測資料 及 座生口饋和前饋資料；以 在利用該回饋和前饋資料控^ _ 個控制輸入參數上執行回_ ί之至— ,L ^ 仃口饋和珂饋控制。 1 ·如申請專利範圍第4項之方法，复 目贿鮮（cnS) +取得量測資料進 97 a ) 91931 頁 12

   乂包括取得散射量測資料。 其中取得量測資料進 其中取得量測資料進 其中處理該取得之量 •:申請專利範圍第4項之方法 V匕括取彳于臨界尺寸資料。 •:申請專利範圍第1項之方法 一步包括取得配準不良之資料 •如申請專利範圍第1項之方法 測資粗％ 止A π ,W *土咏砜得之量 署’進-乂包括將該取得之量測資料應 裝置之相關製程。 涂體 .如申請專利範圍第1項之方法， 乂 U m ^ . ± 八中產生回饋和則饋資 資ί 學餘刻製程中產生用來修正焦距之 】〇t:請專利範圍第1項之方法，其中產生回饋和前饋 、广進步包括產生能用來修正間隔層沉積製程之 料。 兵 11 ~ •一種用指令編碼之電腦可讀取程式儲存裝置，當用電 腦執行時，可施行一種方法，包括： \ 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 處理至少一種半導體裝置； 反應該半導體裝置之該製程而執行裝入製程控制 程序 4裝入製程控制包括根據相關於該處理之半導 體之量測資料而執行反饋和前饋更正至少其中之一； 以及 反應該裝入製程控制程序而執行其後之半導體裝 置的製程。 12 · —種裝置，包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x297公釐） 91931

   電腦系統；以及 製造！1機：以該電腦為介面之製造工具機系統，該 包括能夠從該電腦系統接收命令之裝 行之製造製程。 J由遠製造工具機系統所執 13_如申請專利範圍第12項之萝署 ^ ^ % ^ 貝之裝置，其中該裝入製裎控制 糸統為先進製程控制系統（Apc)。 如申請專利範圍第12項 … 統進一步包括： 其中該製造工具機系 機器介面； 以電耦合至該機器介面 ^ ^ 教艳工具機；以及 麵曰至該機器介面和該製诰 制哭呤姑„ 衣以工具機之裝入製程控 制时，该裝入製程控制器能利 工且撬、# >制 玄機益介面對該製造 工具機進订製程控制。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 15:::專利範圍第14項之裝置，其中該機器介面能從 ?-個該電腦系統和該裝入製程控制器接 料，以及利用該控制資料控制該製造工具機。 貝 16·如申請專利範圍第μ項之裝 :。 光學姓刻工具機。 …製造工具機為 其中該製造工具機 其中該製造工具機 17. 如申請專利範圍第14項之裝置 蝕刻工具機。 18. 如申請專利範圍第14項之裝置 處理薄膜沉積之工具機。 其中該裝入製程控 91931 19·如申請專利範圍第14項之裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規袼（210 X297公爱）— 1Τ 两_ 12

   器更進一步包括： 裝置能從該製造工具機取得量测資料之量測資料取得 耦合至該量測資料取得裝置之量測資料處理裝 置’該量測資料處理裝置能替 資料； <埋在罝此正理和處理該取得之量洌 輕合至該量測資料處理裝置之回饋/前饋控制器， 相饋/前饋控制器能產生回饋和前饋調整資料；以及 輕合至該回饋/前饋控制器之製造模組，該製造模 組能利用該產生之回饋和前饋調整資料對控制該製造 工具機之操作的至少一個控制輪入參數進行修正。 2〇·如申請專利範圍第]9頊之梦罟 r 固弟]9員之裝置，其中該量測資料取得 裝置為ΐ測工具機。 21·如申請專利範圍第20項之裝置，其中該量測工具機 散射量測工具機。 “ 22·如申請專利範圍第20項之裝置’纟中該量測工具機能 在半導體晶圓上測量臨界尺寸。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 23· —種裝置，包括： 能處理至少一種半導體裝置之機構； 能反應該半導體裝置之該製程而執行裝入製程控 制程序之機構；以及 能反應該裝入製程控制程序用來施行其後之半導 體裝置製程之機構。 91931