TWI281030B - Fixture characteristic measurement device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device - Google Patents

Fixture characteristic measurement device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device Download PDF

Info

Publication number
TWI281030B
TWI281030B TW094119982A TW94119982A TWI281030B TW I281030 B TWI281030 B TW I281030B TW 094119982 A TW094119982 A TW 094119982A TW 94119982 A TW94119982 A TW 94119982A TW I281030 B TWI281030 B TW I281030B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
characteristic
fixture
reflection coefficient
measuring
signal line
Prior art date
Application number
TW094119982A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200604538A (en
Inventor
Masato Haruta
Hiroyuki Konno
Naoya Kimura
Yoshikazu Nakayama
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of TW200604538A publication Critical patent/TW200604538A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI281030B publication Critical patent/TWI281030B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/28Measuring attenuation, gain, phase shift or derived characteristics of electric four pole networks, i.e. two-port networks; Measuring transient response
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • G01R35/005Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

1281030 九、發明說明: c發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於一種用以測定在演算計測被測定物之 5 電路參數時所使用之夾具(fixture)的特性者。 L先前冬好U 發明背景 歷來,都會進行測定被測定物(DUT: Device Under Test) 之電路參數(諸如S參數)的程序(譬如專利文獻ι(日本專利 10 公開公報11-38054號))。 具體而言,由信號源經DUT而將信號傳送至接收部。 該信號係以接收部而加以接收。藉由測定以接收部而接收 之信號,可取得DUT之S參數及頻率特性。 此時,因信號源之測定系統與DUT之失配(mismatching) 15等而產生測定系統誤差。該測定系統誤差係起因於譬如Ed·· 電橋之方向性的誤差、起因於譬如Er:頻率追蹤(frequency tracking)之誤差、起因於譬如Es••源匹配(s〇rucematching)之 誤差。 此^可如專利文獻1所記載般修正誤差。此種修正稱 為校準_brati〇n)。概略說明校準。將校正套件_連接 於信號源’以實現開路(Gpen)、短路(sh⑽)、貞載⑽d)(標 準負載ZG)三紐ϋ。以電橋取得由此時之校正套件反射之 信號,並求得對應三種狀態之三齡參數。再由三齡參數 求得三種變數Ed、Er、Es。 20 1281030 再者,人們亦進行將DUT固定於夾具,並經 將DUT連接於測定系統(譬如網路分析器)。此時系、 (網路分析II)中之誤差可如前述地加以修正。又 …统 送線路特性良好時,由測定系統給予夹具之信號因2 5而僅有相位產生變化。因此,只要配 '、 度而修正相位即可。 贼路長 然而,將高頻信號給別1;了時,卻難以製造傳送_ 特性良好之夾具。因此,由測定系統給予夹具之信號因 夾具而產生損失。此時’若僅進行相位之修正,測定精確 10度將惡化。故,宜測定夹具之特性並更正確地進行校正。 因此,本發明之課題係在於測定於演算計測被測定物 之電路參數時所用之夾具的特性。 【發明内容】 發明概要 本發明之夾具特性測定裝置,係用以測量具有信號線 之夾具的夾具特性,該信號線係連接於一用以測量被測定 物及該被測定物之特性的測定裝置上;該夾具特性測定裝 置包§有,弟一反射係數測定機構,係於前述被測定物未 連接於前述信號線之開路狀態中,測量前述信號線之反射 係數者;第二反射係數測定機構,係於前述信號線全都接 地之短路狀態中,測量前述信號線之反射係數者;及夾具 特性導出機構,係依前述第一反射係數測定機構之測量結 果,以及第二反射係數測定機構之測量結果,而導出前述 夾具特性者。 6 1281030 依前述構成的夾具特性測定裝置,可提供一種夾具特 性測定裝置,該裝置係用以測量具有信號線之夾具的夾具 特性,又,該信號線係連接於一用以測量被測定物及該被 測定物之特性的測定裝置上。 5 第一反射係數測定機構,係於被測定物未連接於信號 線之開路狀態中,測量信號線之反射係數。第二反射係數 測定機構,係於信號線全都接地之短路狀態中,測量信號 線之反射係數。夾具特性導出機構,係依第一反射係數測 定機構之測量結果,以及第二反射係數測定機構之測量結 10 果,而導出夾具特性。 又,本發明之夾具特性檢測定裝置中,夾具包含有: 基板,係表面上配置有被測定物及信號線,且被面配置有 接地電位部;及通孔,係於表面上開有一口,且連接於接 地電位部。 15 又,本發明之夾具特性測定裝置中,開路狀態係被測 定物未配置於夾具上之狀態。 又,本發明之夾具特性測定裝置中,短路狀態係將連 接於前述信號線及通孔之金屬化部分配置於表面上之狀 態。 20 又,本發明之夾具特性測定裝置中,夾具特性導出機 構,係將第一反射係數測定機構之測量結果及第二反射係 數測定機構之測量結果相乘所得數值的絕對值之二分之一 乘冪,作為夾具特性。 又,本發明之夾具特性測定裝置中,夾具特性導出機 7 1281030 構,係將前述第-反射係數測定機構之測量結果及第二反 射係數測定機構之測量結果相乘所得數值的絕對值之二分 之一乘冪,作為前述夾具特性。 X ’本發明亦可為-種網路分析器,係、包含_如前述 5之炎具特性測疋裝置,又,該網路分析器係依藉由該爽具 特I*生測疋衣置所導出的夾具特性而校正被測定物之測量社 果。 X,本發明亦可為-種物試驗裝置,係包含一如前 述之失具4寸|±測疋裝置,又,該半導體試驗裝置係依藉由 1〇該夾具特性測定裝置所導出的夾具特性而校正被測定物之 測量結果。 |發明之夾具特性敎方法,係用以測量具信號線之 《具的夾具特性,該該信I㈣連接於—用以測量被測定 物及該被測定物之特性的測定裝置上;該夹具特性測定方 15法包含有:第—反射係數測定步驟,係於被測定物未連接 • 力前述信號線之開路狀態中’測量信號線之反射係數;第 二反射係數測定步驟,係於信號線全都接地之短路狀態 2,測量信號線之反射係數;及夾具特性導出步驟,係依 前述第-反射係數測定步驟之測量結果,以及第二反射係 2〇數測定步驟之測量結果,而導出夹具特性。 本發明之程式,係用以讓電腦執行夹具特性測定處理 者,該夾具特性測定處理係用以測量具信號線之央具的央 具特性’而前述信號線係連接於_用以測量被測定物及該 破測定物之特性的測定裝置上;該程式包含有:第一反射 8 !281〇3〇 係數測定處理,係於被測定物未連接於信號線之開路狀能 'J里别述“號線之反射係數;第二反射係數測定處理 係於彳§號線全都接地之短路狀態中,測量信號線之反射係 及火具特性導出處理,係依第一反射係數測定處理之 5測量結果,以及第二反射係數測定處理之測量結果,而 出夾具特性。 本發明之記錄媒體,係可以一記錄有用以讓電腦執行 夾具特性測定處理之程式的電腦而加以讀取者,該失具特 性測定處理係用以測量具信號線之夾具的夾具特性, 10 '4.' ^ Ό 叫刖 a «唬線係連接於一用以測量被測定物及該被測定物之特 ^生的測疋裝置上;該程式包含有:第一反射係數測定處理, 係於被測定物未連接於前述信號線之開路狀態中,測量俨 號線之反射係數;第二反射係數測定處理,係於信號線全 都接地之短路狀態中,測量信號線之反射係數;及夾具特 15性導出處理,係依第一反射係數測定處理之測量結果,以 及第二反射係數測定處理之測量結果,而導出夾具特性。 圖式簡單說明 弟1圖係例示藉由具本發明實施態樣之夾具特性測定 裝置的網路分析器1 ’而測定固定於夾具3上之DUT2的特性 20 時,網路分析器1及DUT2之連接關係圖。 第2圖係夾具3之平面圖(第2(a)圖)、截面圖(第2(b)圖)。 弟3圖係用以例示開路狀態之夾具3的平面圖。 第4圖係用以例示短路狀態之夾具3的平面圖(第4(a) 圖)、截面圖(第4(b)圖)。 9 l28l〇3〇 第5圖係例示用以構成網路分析器丨之構造圖。 第6圖係用以例示夾具特性測定裝置6 〇之構造的區塊 圖。 第7圖係例示信號線七之反射特性的真值與信號線% 5之反射係數的SAAoPen、SAAshort的關係圖。 第8圖係信號線3 a之信號流向圖(signalfi〇 wdiagram)。 第9圖係用以例示本發明實施態樣之動作的流程圖。 • I[實施方式;j 較佳實施例之詳細說明 0 以下,筝照圖面說明本發明實施態樣。 第1圖係例示藉由具本發明實施態樣之夾具特性測定 裝置的網路分析器1,而測定固定於夾具(fixture)3上之 贿2的特性時,網路分析器1及謝2之連接關係圖。網路 分析器1係用以測sDUT2之特性的測定裝置。 DUT2係被測定物(DUT: Device Under Test)。DUTg • 絲於夾具3之表面上。夾具3之表面上配置有信號線3a、 3b、3c、3d’且連接於DUT2。網路分析器丨係具有埠、 皐A B c、D係用以傳送、接收信號者。埠a係連 妾;包、、見6a埠B係連接於電纜6b。璋匸係連接於電纔 2〇和係連接於6d。電纜_經連接器8a而連接於信號線3a。 M6b係經連接咖而連接於信號線3b。電纜_經連接 為8c而連接於信號線Sc。電_係經連接器別而連接於信 就線3d目此,仏號線3a、3b、3c、3d係與DUT2、網路分 析器1相連接。 10 1281030 第2圖係夾具3之平面圖(第2(a)圖)、截面圖(第2(b)圖)。 又,第2⑻圖中,以虛線標示可配置而丁2之位置。夾具3 具基板32及通孔3H。 夾具3之基板32的表面32a上(參第2(b)圖),配置有 5 DUT2及化號線3&、3b、3c、3d,且通孔3H具-開口(參第 2(a)圖)。將^唬線3a之連接器以側的端部稱為1,DUT2側 的知部稱為2。將信號線%之連接側扑側的端部稱為3, DUT2側的端部稱為4。將信號線3c之連接器8c側的端部稱 為5 ’ DUT2側的端部稱為6。信號線乂之連接器如側的端部 10稱為7,DUT2側的端部稱為8。DUT2具有與端部2、4、6相 對應之四個埠。參照第2(b)圖,通孔3H在基板32之表面32a 上開口並貫通基板32,且與一配置在基板32之背面32b上的 接地電位部3G相連接。接地電位部3G係相當於所謂接地端 (GND)者’用以確保接地時之電位。 15 返回第1圖,網路分析器1輸出由部A、B、C、D中任一 者(譬如埠A)輸出之測定用信號。測定用信號經由電纜如並 透過連結裔8a而給至信號線3a。進而,測定用信號經由信 號線3a而給至DUT2。DUT2接收測定用信號,並輸出回應 js 3虎。回應"ia號通過仏s虎線3a、3b、3c、3d中任一者(鐾如 2〇信號線3b)。進而,回應信號透過連接器8b並經由電纜6b而 給至埠B。給予埠B之回應信號,係以網路分析器丨而加以 測定。如此,可藉由網路分析器丨而測定而丁2的特性。 此處,藉由網路分析器i而測出*DUT2所給予之信號 的資料上包含有:(1)因網路分析器!及電纜6a、6b、6c、6d 11 1281030 而產生之誤差(稱為「測定誤差」)、(2)因信號線μ、 3c、3d所產生之誤至(稱為「失具特性」卜此處,從往至今, 測定裝置誤差係可以習知之校正法而測得。本實施態樣 中’如何測得夾具特性即為特徵所在處。 5 為測定夾具特性,炎具3中需可實現開路狀態(參第3圖) 及短路狀態(參第4圖),且需測定各狀態中之信號線如、 3b ' 3c、3d的反射係數。 &第3圖係用以例不開路狀態之夾具3的平面圖。開路狀 MDUT2未連接於信號線3a、%、%、%之狀態。即,係 ίο完全未連接於信號線如之咖2側的端部2、信號線狀 DUT2側的端部4、信號線允之贿二側的端部6、信號線^ 之DUT2側的端部8之狀態。由於開路狀態係、未將配置 在夾/、3之基板32的表面32a上的狀態,因此可以譬如將 DUT2由夹具3取下而實現。 15 第4圖係用以例不短路狀態之夾具的平面圖(第4(a) 圖)截面圖(第4⑻圖)。短路狀態係信號線%、3b、3e、^ 王都接地的狀態。筝第4(勾圖,金屬化部%係與dut2相同 大小(面積)之金屬板。金屬化部3S係配置於表面,且連 接於H線3a、3b、3c、3d。再者,金屬化部3S覆蓋住通 2〇孔3H,亚連接於通孔3H(參第4(b)圖)。由於通孔3H係連接 於接地電位部3G,故金屬化部3S接地。因此,信號線3a、 3b、3c、3d全都接地。 弟5圖係用以例示網路分析器丨構造的區塊圖。惟,省 略夾具特性測定裝置。網路分析器收省略圖式之夾具特性 12 1281030 測定裝置外’並包含信號輸出部12、電橋13、開關Μ、内 部混合器16、接收器(Rch)18、電橋23、内部混合器26、接 收器(Ach)28、電橋33、内部混合器36、接收器(Bch)38、電 橋123、内部混合器126、接收器(Dch)128、電橋133、内部 5混合器136、接收器(cch)138。 信號輸出部12輸出測定用信號。電橋13將由信號輸出 部12輸出之測定用信號供給至内部混合器16及開關14。開 關14具有端子14a、14b、14c、14d、14e。端子14e連接於 電橋13 ’並由電橋13接收信號。端子14e連接於端子14a、 10 14b、14c、14d中任一者。内部混合器16將由電橋13所給予 的測定用信號與内部局部信號混合並輸出。接收器(Rch)18 測定由内部混合器16輸出之信號。譬如,測定信號之電力。 電橋23連接於端子14a,且將由信號輸出部12而經電橋 13及開關14所給予之測定用信號朝埠a輸出。進而,經由埠 15八而接收反射回來之測定用信號、以及由DUT2輸出之回應 信號’並將該等信號供給至内部混合器26。内部混合器26 將由電橋23所給予之信號與内部局部信號混合並輸出。接 收器(Ach)28測定由内部混合器26輸出之信號。譬如,測定 信號之電力。 20 電橋33連接於端子14b,且將由信號輸出部12而經電橋 13及開關14所給予之測定用信號朝埠B輸出。進而,經由埠 B而接收反射回來之測定用信號、以及由DUT2輸出之回應 信號,並將該等信號供給至内部混合器36。内部混合器36 將由電橋33所給予之信號與内部局部信號混合並輸出。接 13 1281030 收器(Bch)38測定由内部混合器36輸出之信號。譬如,測定 信號之電力。 電橋133連接於端子14c,且將由信號輸出部12而經電 橋13及開關14所給予之測定用信號朝埠C輸出。進而,經由 5 埠C而接收反射回來之測定用信號、以及由DUT2輸出之回 應信號,並將該等信號供給至内部混合器136。内部混合器 136將由電橋133所給予之信號與内部局部信號混合並輸 出。接收器(Cch)138測定由内部混合器136輸出之信號。譬 如,測定信號之電力。 10 電橋123連接於端子14d,且將由信號輸出部12而經電 橋13及開關14所給予之測定用信號朝埠D輸出。進而,經由 埠D而接收反射回來之測定用信號、以及由DUT2輸出之回 應信號,並將該等信號供給至内部混合器126。内部混合器 126將由電橋123所給予之信號與内部局部信號混合並輸 15 出。接收器(Dch)128測定由内部混合器126輸出之信號。譬 如,測定信號之電力。 接收器(Rch)18、接收器(Ach)28、接收器(Bch)38、接 收器(Cch) 138及接收器(Dch) 128之測定結果,係傳送至省略 圖式之夾具特性測定裝置。 20 第6圖係用以例示夾具特性測定裝置(夾具特性測定裝 置)60的構造之區塊圖。夾具特性測定裝置60包含第一反射 係數測定部42a、44a、46a、48a,第二反射係數測定部42b、 44b、46b、48b,夾具特性導出部(夾具特性導出機構)50a、 50b 、 50c 、 50d 〇 14 1281030 第一反射係數測定部42a在開路狀態(參第3圖)中,接收 接收器(Rch)18及接收器(Ach)28之測定結果,並依該等測定 結果而求得信號線3a之反射係數(SAAopen)。 第二反射係數測定部42b在短路狀態(參第4圖)中,接收 5 接收器(Rch) 18及接收器(Ach)28之測定結果,並依該等測定 結果而求得信號線3a之反射係數(SAAshort)。 夾具特性導出部50a接收信號線3a之反射係數 SAAopen及SAAshort,並依該等結果而導出信號線3a之特 性(夾具特性)。信號線3a之特性(夾具特性)在未連接於 10 DUT2時,亦可為如下述者,即,入射於信號線3a之連接器 8 a側的端部1之信號經由DUT2側的端部而反射至端部1之 比率(反射特性)。 第7圖係用以例示信號線3a之反射特性的真值與信號 線3a之反射係數的SAAopen、SAAshort的關係圖。將低頻 15 率的信號給至信號線3a時,幾乎沒有因反射而引起之損 失。因此,由於給至信號線3a之信號的電力與藉由信號線 3a而反射之信號的電力幾乎相等,故反射特性幾乎為 〇[dB]。然而,將高頻率之信號給至信號線3a時,因反射而 引起之損失變大。因此,相較於給至信號線3a之信號的電 2〇 力’藉由"^號線3a而反射之信號的電力變小。故,隨著頻 率變高’反射特性將變得小於〇[dB]。即,隨著頻率變高, 反射特性之真植降低。 此處’信號線3a之反射係數SAAopen及SAAshort在反 覆地變得較反射特性之真值大或小時,係隨著頻率變高而 15 1281030 降低。SAAopen之相位係讓SAAshort之相位反轉者。因此, 信號線3a之特性(反射特性)=(SAAopenx(-SAAshort)1/2 (即,(SAAopen)X(-SAAshort)的二分之一乘冪)。又,在 SAAshort成上負數,係藉由相位的反轉,而將與SAAopen 5 相異之符號改為相同符號。因此,SAAopenx(-SAAshort) 係 SAAopenxSAAshort的絕對值。 第8圖係信號線3a之信號流向圖。信號3a之反射s參數 為理想狀態,即S11=S22=0。又,信號線3a之傳送S參數S21 w &S22相等。亦可將假設如前述狀態時之信號線%的傳送s 10 參數S21及S22作為信號線3a之特性(夾具特性),而導出夾具 特性導出部50a。由於S21 xS12=信號線3a之特性(反射特 性),故S21=S12=信號線3a之特性(反射特性)ι/2= (SAAopenx(-SAAshort)1/4(即,SAAopenx(-SAAshort)的四分 之一乘冪)。 15 又,夾具特性導出部50a亦可導出信號線3a之特性(反 射特性),進而依進號線3a之特性(反射特性)而導出信號線 ® 3a之傳itS參數S21及S22。 同樣地,第一反射係數測定部44a在開路狀態(參第3圖) 中,接收接收器(Rch)18及接收器(Bch)38之測定結果,並依 2〇 該等測定結果而求得信號線3b之反射係數(SBBopen)。第二 反射係數測定部44b在短路狀態(參第4圖)中,接收接收器 (Rch)18及接收器(Bch)38之測定結果,並依該等測定結果而 求得信號線3b之反射係數(SBBshort)。夾具特性導出部5〇b 接收信號線3b之反射係數SBBopen及SBBshort,並依該等结 16 1281030 果而導出信號線3b之特性(夾具特性)。信號線3b之特性(夾 具特性),係信號線3b之反射特性及信號線3b之傳送s參數 S43、S34中任一者。 同樣地,第一反射係數測定部46a在開路狀態(參第3圖) 5中,接收接收器(Rch)18及接收器(Cch)138之測定結果,並 依該等測定結果而求得信號線3c之反射係數(SCCopen)。第 二反射係數測定部46b在短路狀態(參第4圖)中,接收接收器 (Rch) 18及接收裔(Cch) 138之測定結果,並依該等測定結果 _ 而求得信號線3c之反射係數(scCshort)。夾具特性導出部 10 50c接收信號線3c之反射係數SCCopen及SCCshort,並依該 等結果而導出信號線3c之特性(夾具特性)。信號線3c之特性 (炎具特性)’係信號線3c之反射特性及信號線3c之傳送s參 數S65、S56中任一者。 同樣地,第一反射係數測定部48a在開路狀態(參第3圖) 15中,接收接收器(Rch)18及接收器(Dch)128之測定結果,並 依該等測定結果而求得信號線3d之反射係數(SDDopen)。第 ^ 二反射係數測定部48b在短路狀態(參第4圖)中,接收接收器 (Rch)18及接收器(Dch)128之測定結果,並依該等測定結果 而求得信號線3d之反射係數(SDDshort)。夾具特性導出部 • 20 50d接收信號線3d之反射係數SDDopen及SDDshort,並依該 等結果而導出信號線3d之特性(夾具特性)。信號線3d之特性 (夾具特性),係信號線3d之反射特性及信號線3d之傳送S參 數S87、S78中任一者。 其次,參照第9圖之流程圖說明本發明實施態樣之動 17 1281030 作0 首先’實現開路狀態(參第3圖),第一反射係數測定部 42a、44a、46a、48a測定此時之信號線3a、3b、3c、3d之反 射係數SAAopen、SBBopen、SCCopen、SDDopen(S12)。 5 接著,實現短路狀態(參第4圖),第二反射係數測定部 42b、44b、46b、48b測定此時之信號線3a、3b、3c、3d之 反射係數SAAshort、SBBshort、SCCshort、SDDshort(S14)。 且,夾具特性導出部50a、50b、50c、50d依反射係數 SAAopen、SBBopen、SCCopen、SDDopen,而導出信號線 10 3a、3b、3c、3d之特性(夾具特性)(S16)。譬如,導出信號 線3a ' 3b、3c、3d之傳送S參數S2卜 S12、S43、S34、S65、 S56、S87、S78 ° 最後,將DUT2安裝於夾具3上,測定DUT2的特性 (S22)。具體言之,網路分析器1由埠a、b、C、D中任一者 15輸出測定用信號,並經由夾具3而給至DUT2。DUT2接收測 定用信號,並輸出回應信號。網路分析器1由埠A、b、C、 D中任一者接收回應信號,並測定回應信號。譬如,測定回 應信號之電力。 此處,回應信號之測定結果上,包含(1)測定裝置誤差、 20 (2)夾具特性。此處,測定裝置誤差係可以習知之校正法而 加以測定。由於係習知技藝,故不特別說明該校正法。又, 可以4述方式測定夾具特性。此處,由回應信號之測定結 果,除去所測定出之(1)測定裝置誤差及(2)夾具特性。即, 校正測定結果。 18 1281030 再者,本實施態樣中,DUT2雖以四個埠為例而加以說 明,但不論DUT2之埠數大小,都可實現本發明實施態樣。 又,雖以網路分析器1具夾具特性測定裝置6〇為例而加以說 明,但替代網路分析器,半導體試驗裝置具夾具特性測定 5 裝置60時亦可實現本發明。 依本發明之實施態樣,可測定在演算計測DUT2之電路 爹數時所用之夾具3的夾具特性。譬如,可測定信號線3a、 3b、3c、3d之反射特性。或,可測定信號線3a、3b、3c、 3d之傳送S筝數S21、S12、S43、S34、S65、S56、S87、S78。 10 又,依本發明之實施態樣,測定夾具3之夾具特性時, 夹具3的狀態亦可實現開路狀態(參第3圖)及短路狀態(參第 4圖)。此係相較於下述比較例之場合,可減輕用以實現夾 具3之狀態所需的勞動力。 比較例中,仍是讓DUT2為開路狀態。相異點係在於取 15代DUT2,以無阻抗地直接連接(thru)任二個信號線。藉由 直接連結,可以各網路分析器丨測定二個信號線所產生之誤 差。依比較例,由於無阻抗地接連接二個信號線,如第1圖 所示DUT2為四個埠時,狀態可為4χ3/2=6種類,故若不實 現總计7種類之狀態,就無法測定信號線所產生之誤差。此 20相較於本务明貫施態樣,即,夾具3的狀態只要實現2種類 即可,所需的勞動力較大。 又’丽述實施態樣亦可以下述方式實現。具CPU、硬 碟、媒體(軟磁碟(fl〇PPy(登錄商標)disc)、CD-ROM等)讀取 裝置之電腦的媒體讀取裝置上,讀取紀錄有用以實現前述 19 1281030 各部份(譬如夾具特性測定裝置60)之程式的媒體,並安裝於 硬碟。此種方法亦可實現前述功能。 【圖式簡單說明】 第1圖係例示藉由具本發明實施態樣之夾具特性測定 5 裝置的網路分析器1,而測定固定於夾具3上之DUT2的特性 時,網路分析器1及DUT2之連接關係圖。 第2圖係夾具3之平面圖(第2(a)圖)、截面圖(第2(b)圖)。 第3圖係用以例示開路狀態之夾具3的平面圖。 • 第4圖係用以例示短路狀態之夾具3的平面圖(第4(a) 10 圖)、截面圖(第4(b)圖)。 第5圖係例示用以構成網路分析器1之構造圖。 第6圖係用以例示夾具特性測定裝置6 0之構造的區塊 -圖。 第7圖係例示信號線3a之反射特性的真值與信號線3a 15 之反射係數的SAAopen、SAAshort的關係圖。 第8圖係信號線3a之信號流向圖(signal flowdiagram)。 第9圖係用以例示本發明實施態樣之動作的流程圖。 20 1281030 【主要元件符號說明】 1.. .網路分析器
2.. .DUT 3.. .爽具 3H...通孔 35.. .金屬化部 3a、3b、3c、3d···信號線 6a、6b、6c、6d···電纔 8a、8b、8c、8d...連接器 12.. .信號輸出部 13…電橋 14…開關 16.. .内部混合器 18.. .接收器 23…電橋 26.. .内部混合器 32.. .基板 32a…表面 32b...背面 28.. .接收器 33.. .電橋 34.. .傳送S參數 36.. .内部混合器 38.. .接收器 42a、44a、46a、48a...第一反射 係數測定部 42b、44b、46b、48b··.第二反 射係數測定部 43.. .傳送S參數 50.. .夾具特性導出部 50a、50b、50c、50d...夾具特性 導出部 56.. .傳送S參數 60.. .夾具特性測定裝置 65.. .傳送S參數 78.. .傳送S參數 87.. .傳送S參數 123…電橋 126.. .内部混合器 128.. .接收器 133.. .電橋 136…内部混合器 138.. .接收器 A、B、C、D…埠 21

Claims (1)

1281030 ;子¥/月/εγ修(更)正本 十、申請專利範圍: 第94119982號申明案申睛專利範圍替換本95年1:1月日修正 1. 一種夾具特性測定裝置,係用以測定具有信號線之夾具 的夾具特性,且該信號線係連接於用以測定被測定物及 5 該被測定物之特性的測定裝置上者, 而該夾具特性測定裝置包含有: 第一反射係數測定機構,係於前述被測定物未連接 於前述信號線之開路狀態中,測定前述信號線之反射係 數者; 10 第二反射係數測定機構,係於前述信號線全都接地 之短路狀態中,測定前述信號線之反射係數者;及 夾具特性導出機構,係依前述第_反射係數測定機 構之測定結果及前述第二反射係數測定機構之測定結 果,導出前述夾具特性者。 15 2·如申請專利範圍第1項之夾具特性檢測定裝置,其中前 述夾具包含有: 基板,係表面上配置有前述被測定物及前述信銳 線,且背面配置有接地電位部;及 通孔,係於前述表面上開口,且連接於前述接地電 20 位部。 3.如申請專利範圍第2項之夾具特性測定裝置,其中前述 開路狀恶係被測定物未配置於前述夾具上之狀態。 4·如申睛專利範圍第2項之夾具特性測定裝置,其中前述 紐路狀態係將連接於前述信號線及前述通孔之金屬化 22 1281030 部分配置於前述表面上之狀態。 5.如申請專利範圍第1項之夾具特性測定裝置,其中前述 夾具特性導出機構,係將前述第一反射係數測定機構之 測定結果及前述第二反射係數測定機構之測定結果相 5 乘所得數值的絕對值之二分之一乘冪,作為前述夾具特 性。
10 15
20 6.如申請專利範圍第1項之夾具特性測定裝置,其中前述 夾具特性導出機構,係將前述第一反射係數測定機構之 測定結果及前述第二反射係數測定機構之測定結果相 乘所得數值的絕對值之二分之一乘冪,作為前述夾具特 性。 7. —種網路分析器,係包含如申請專利範圍第1至6項中任 一項之夾具特性測定裝置, 又,該網路分析器係依藉由該夾具特性測定裝置所 導出的夾具特性來校正前述被測定物之測定結果者。 8. —種半導體試驗裝置,係包含如申請專利範圍第1至6 項中任一項之夾具特性測定裝置, 又,該半導體試驗裝置係依藉由該夾具特性測定裝 置所導出的夾具特性來校正前述被測定物之測定結果 者。 9. 一種夾具特性測定方法,係用以測定具信號線之夾具的 夾具特性,且該信號線係連接於用以測定被測定物及該 被測定物之特性的測定裝置上, 而該夾具特性測定方法包含有: 23 1281030
〜 ..........·ι -' '….…....…〜| 第-反射係數测定步驟,係於前〜 於前述信號線之狀態中’測定前述信銳=定物未連接 第二反射係數测定步驟,係於前^=反射係數; 之短路狀態中 、唬線全都接地 夹I特U 係數;及 又/、特性導出步驟,係依前述第〜 驟之測定結 驟之㈣結果及前述第二反射係_=係數測定步 果,導出前述夾具特性。
20 10·-種電腦可讀取之記錄媒體, 腦執行失具特性測定處理之程式的電腦^用取= :::特性測定處理係用以測定具信 …而别杜號線係連接於用以測定被測定物及該 被測定物之特性的測定裝置上, 又’該程式可在電腦上執行以下處理: 第一反射係數測定處理,係於前述被測定物未連接 於别述信號線之狀態中,測定前述信號線之反射係數; 第二反射係數測定處理,係於前述信號線全都接地 之短路狀態中,測定前述信號線之反射係數;及 失具特性導出處理,係依前述第一反射係數測定處 理之測定結果及前述第二反射係數測定處理之測定結 果’而導出前述夾具特性。 24 1281030 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 1.. .網路分細氣 2.. .DUT 3.. .夾具 3a、3b、3c、3d···信號線 6a、6b、6c、6d···電參覽 8a、8b、8c、8d...連接器 A、B、C、D…埠
八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
TW094119982A 2004-06-28 2005-06-16 Fixture characteristic measurement device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device TWI281030B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004190259 2004-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200604538A TW200604538A (en) 2006-02-01
TWI281030B true TWI281030B (en) 2007-05-11

Family

ID=35781717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094119982A TWI281030B (en) 2004-06-28 2005-06-16 Fixture characteristic measurement device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7511508B2 (zh)
JP (1) JP3959103B2 (zh)
CN (1) CN100495046C (zh)
DE (1) DE112005001501T5 (zh)
TW (1) TWI281030B (zh)
WO (1) WO2006001234A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5242881B2 (ja) * 2004-02-23 2013-07-24 ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー ネットワークアナライザ、ネットワーク解析方法、プログラムおよび記録媒体
WO2007057944A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Advantest Corporation 電子部品試験装置及び電子部品試験装置へのパフォーマンスボードの装着方法
US7863916B2 (en) * 2005-11-17 2011-01-04 Advantest Corporation Device mounted apparatus, test head, and electronic device test system
TW200817688A (en) * 2006-08-30 2008-04-16 Advantest Corp Element judging device, method, program, recording medium and measuring device
TWI392878B (zh) * 2009-06-05 2013-04-11 Univ Nat Sun Yat Sen 高頻特性量測校正基板及使用其之向量網路分析儀校正程序
US8860431B2 (en) * 2010-06-07 2014-10-14 Mayo Foundation For Medical Education And Research Application of open and/or short structures to bisect de-embedding
US9470729B2 (en) * 2011-04-08 2016-10-18 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Transmission line parameter determination
TWI470256B (zh) * 2012-08-09 2015-01-21 Nat Univ Kaohsiung Method of manufacturing standard impedance substrate
CN104515907B (zh) * 2013-09-30 2017-09-22 上海霍莱沃电子系统技术股份有限公司 一种散射参数测试系统及其实现方法
US9086376B1 (en) * 2014-01-15 2015-07-21 Keysight Technologies, Inc. Automatic fixture removal using one-port measurement
CN105974301A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 成绎半导体技术(上海)有限公司 芯片测试系统
CN109900983B (zh) * 2019-02-26 2020-07-07 北京航空航天大学 一种高频变压器寄生参数的测量装置
WO2020230326A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 三菱電機株式会社 Trl校正装置及びtrl検査方法
TW202115413A (zh) * 2019-09-30 2021-04-16 日商愛德萬測試股份有限公司 維護裝置、維護方法及記錄有維護程式之記錄媒體
CN117452185A (zh) * 2023-10-31 2024-01-26 海光信息技术(成都)有限公司 芯片连接器高频电气特性测试装置及方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5467021A (en) * 1993-05-24 1995-11-14 Atn Microwave, Inc. Calibration method and apparatus
JPH0815348A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Fujitsu Ltd 電磁気障害対策部品のsパラメータ測定方法及びsパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のsパラメータ測定に使用される測定治具
JP4124841B2 (ja) * 1997-07-18 2008-07-23 株式会社アドバンテスト ネットワーク・アナライザ、高周波周波数特性測定装置および誤差要因測定方法
JP2001153904A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Advantest Corp ネットワークアナライザ、ネットワーク解析方法および記録媒体
US6643597B1 (en) * 2001-08-24 2003-11-04 Agilent Technologies, Inc. Calibrating a test system using unknown standards
JP3610937B2 (ja) * 2001-09-07 2005-01-19 株式会社村田製作所 ネットワークアナライザ、およびこのネットワークアナライザによる測定方法、並びにこのネットワークアナライザを備える部品選別装置
US7302351B2 (en) * 2002-11-27 2007-11-27 Advantest Corporation Power supply device, method, program, recording medium, network analyzer, and spectrum analyzer
US6838885B2 (en) * 2003-03-05 2005-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of correcting measurement error and electronic component characteristic measurement apparatus
US7034548B2 (en) * 2003-04-11 2006-04-25 Agilent Technologies, Inc. Balanced device characterization including test system calibration

Also Published As

Publication number Publication date
CN100495046C (zh) 2009-06-03
DE112005001501T5 (de) 2007-05-16
US20070222455A1 (en) 2007-09-27
US7511508B2 (en) 2009-03-31
TW200604538A (en) 2006-02-01
WO2006001234A1 (ja) 2006-01-05
JPWO2006001234A1 (ja) 2008-04-17
JP3959103B2 (ja) 2007-08-15
CN1977174A (zh) 2007-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI281030B (en) Fixture characteristic measurement device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device
US7053627B2 (en) Impedance standard substrate and method for calibrating vector network analyzer
US9709654B2 (en) Signal measurement systems and methods
US6541993B2 (en) Transistor device testing employing virtual device fixturing
US7107170B2 (en) Multiport network analyzer calibration employing reciprocity of a device
US7064555B2 (en) Network analyzer calibration employing reciprocity of a device
US20080191712A1 (en) System, Device, and Method for Embedded S-Parameter Measurement
KR101152046B1 (ko) 측정오차의 보정방법 및 전자부품특성 측정장치
CN107345986B (zh) 一种去嵌入方式的阻抗测试方法
JPWO2008146622A1 (ja) 電子機器のノイズ測定方法
JP2006208060A (ja) 伝送遅延評価システムおよび伝送遅延評価方法
US10001521B1 (en) Transistor test fixture with integrated couplers and method
JP4124841B2 (ja) ネットワーク・アナライザ、高周波周波数特性測定装置および誤差要因測定方法
US7113879B2 (en) Using vector network analyzer for aligning of time domain data
CN100422752C (zh) 误差因子获取器件
CN115856748A (zh) 一种用于芯片测试的直接校准方法及装置
CN116165411A (zh) 电场探头的校准方法、装置和系统
KR100840923B1 (ko) 커넥팅 엘리먼트 특성 측정 장치, 방법, 프로그램, 기록 매체 및 네트워크 애널라이저, 반도체 시험 장치
JP4775575B2 (ja) 測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置
JP2007057416A (ja) 測定誤差の補正方法
JP2004301824A (ja) 測定誤差の補正方法
Mekhannikov A Family of Computerized UHF Power and Voltage Meters
JPH0726782U (ja) 高周波デバイス測定用テストフィクスチャ
JP2010127817A (ja) 高周波測定方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees