JPH0815348A - 電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定方法及びｓパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定に使用される測定治具 - Google Patents
電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定方法及びｓパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定に使用される測定治具Info
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- JPH0815348A JPH0815348A JP14654294A JP14654294A JPH0815348A JP H0815348 A JPH0815348 A JP H0815348A JP 14654294 A JP14654294 A JP 14654294A JP 14654294 A JP14654294 A JP 14654294A JP H0815348 A JPH0815348 A JP H0815348A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ネットワークアナライザで得られるＳパラメ
ータに簡単な補正演算を施すことにより、小型の測定治
具を使用できるようにすること。 【構成】 誘電体製基板１１と導体製グランド面１２と
ＥＭＩ対策部品２が電気的に接続される第１及び第２の
導体製マイクロストリップライン１３，１４と、マイク
ロストリップライン１３，１４にそれぞれ電気的に接続
された第１及び第２の同軸コネクタ１６，１７とを有す
る測定治具１と、同軸コネクタ１６，１７にそれぞれ接
続された第１及び第２の同軸ケーブル３，４と、同軸ケ
ーブル３，４がそれぞれ接続されることによりＥＭＩ対
策部品２についての４つのＳパラメータを測定するネッ
トワークアナライザ５と、Ｓパラメータについて所定の
補正演算を施して新ＳパラメータをＥＭＩ対策部品２の
ためのＳパラメータとして求める新Ｓパラメータ演算手
段６とをそなえる。
ータに簡単な補正演算を施すことにより、小型の測定治
具を使用できるようにすること。 【構成】 誘電体製基板１１と導体製グランド面１２と
ＥＭＩ対策部品２が電気的に接続される第１及び第２の
導体製マイクロストリップライン１３，１４と、マイク
ロストリップライン１３，１４にそれぞれ電気的に接続
された第１及び第２の同軸コネクタ１６，１７とを有す
る測定治具１と、同軸コネクタ１６，１７にそれぞれ接
続された第１及び第２の同軸ケーブル３，４と、同軸ケ
ーブル３，４がそれぞれ接続されることによりＥＭＩ対
策部品２についての４つのＳパラメータを測定するネッ
トワークアナライザ５と、Ｓパラメータについて所定の
補正演算を施して新ＳパラメータをＥＭＩ対策部品２の
ためのＳパラメータとして求める新Ｓパラメータ演算手
段６とをそなえる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁気障害対策部品
（ＥＭＩ対策部品）のＳ（Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）パラ
メータ測定方法及びＳパラメータ測定装置並びにＥＭＩ
対策部品のＳパラメータ測定に使用される測定治具に関
する。近年、電子機器や電波環境が複雑化するにつれ
て、電磁気障害対策（ＥＭＩ対策）の重要性が増してき
ている。
（ＥＭＩ対策部品）のＳ（Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）パラ
メータ測定方法及びＳパラメータ測定装置並びにＥＭＩ
対策部品のＳパラメータ測定に使用される測定治具に関
する。近年、電子機器や電波環境が複雑化するにつれ
て、電磁気障害対策（ＥＭＩ対策）の重要性が増してき
ている。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子装置において、ＥＭＩ対
策を考えるときに、ＳＰＩＣＥパラメータと呼ばれる集
中定数近似モデルを用いる手法が提案されている。しか
しながら、近年は、電子装置を動作させるクロックの高
速化により、数ＧＨｚ程度の周波数帯域のＥＭＩ対策が
必要になってきているため、上記のような手法では、正
確なＥＭＩ対策を施すことができない。すなわち、上記
のような集中定数近似モデルを用いる手法では、対応周
波数がせいぜい１０ＭＨｚ程度までであるからである。
策を考えるときに、ＳＰＩＣＥパラメータと呼ばれる集
中定数近似モデルを用いる手法が提案されている。しか
しながら、近年は、電子装置を動作させるクロックの高
速化により、数ＧＨｚ程度の周波数帯域のＥＭＩ対策が
必要になってきているため、上記のような手法では、正
確なＥＭＩ対策を施すことができない。すなわち、上記
のような集中定数近似モデルを用いる手法では、対応周
波数がせいぜい１０ＭＨｚ程度までであるからである。
【０００３】また、他の手法として、ＭＩＬ（ミリタリ
スタンダート）による測定手法がある。これによれば、
ＥＭＩ対策部品の減衰特性を比較することにより、振幅
のみを測定するようになっている。しかし、かかる手法
では、振幅のみを対象としているので、ＥＭＩ対策部品
についての完全解析（振幅と位相の両方の解析）が行な
えず、やはり正確なＥＭＩ対策を施すことができない。
スタンダート）による測定手法がある。これによれば、
ＥＭＩ対策部品の減衰特性を比較することにより、振幅
のみを測定するようになっている。しかし、かかる手法
では、振幅のみを対象としているので、ＥＭＩ対策部品
についての完全解析（振幅と位相の両方の解析）が行な
えず、やはり正確なＥＭＩ対策を施すことができない。
【０００４】ところで、従来より、マイクロ波帯域（１
０ＧＨｚ程度）でのＥＭＩ対策に関して、Ｓパラメータ
を用いる手法がある。ここで、Ｓパラメータとは、入出
力の入射電圧（又は入射電流）と反射電圧（又は入射電
流）とを測定し、その比率で表示したものである。かか
るＳパラメータの測定は、従来、ネットワークアナライ
ザと呼ばれる公知の装置にて行なわれる。
０ＧＨｚ程度）でのＥＭＩ対策に関して、Ｓパラメータ
を用いる手法がある。ここで、Ｓパラメータとは、入出
力の入射電圧（又は入射電流）と反射電圧（又は入射電
流）とを測定し、その比率で表示したものである。かか
るＳパラメータの測定は、従来、ネットワークアナライ
ザと呼ばれる公知の装置にて行なわれる。
【０００５】このＳパラメータを用いると、簡単な表現
で、回路の完全解析（振幅と位相の両方の解析）が行な
えるほか、その測定機器（ネットワークアナライザ）も
充実している。
で、回路の完全解析（振幅と位相の両方の解析）が行な
えるほか、その測定機器（ネットワークアナライザ）も
充実している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、数ＧＨｚ程度
の周波数帯域のＥＭＩ対策部品についてのＳパラメータ
をネットワークアナライザで正確に測定しようすると、
ＥＭＩ対策部品用の測定治具が必要になり、しかも、そ
の治具は数ＧＨｚ程度の周波数帯域に相当する波長（例
えば１０ｍ程度）以上の長さを必要とすることから、非
常に大型な治具を必要とすることになる。
の周波数帯域のＥＭＩ対策部品についてのＳパラメータ
をネットワークアナライザで正確に測定しようすると、
ＥＭＩ対策部品用の測定治具が必要になり、しかも、そ
の治具は数ＧＨｚ程度の周波数帯域に相当する波長（例
えば１０ｍ程度）以上の長さを必要とすることから、非
常に大型な治具を必要とすることになる。
【０００７】これでは、コスト高を招くほか、取り扱い
に手間取り、非現実的である。本発明は、このような課
題に鑑み創案されたもので、ネットワークアナライザで
得られるＳパラメータに簡単な補正演算を施すことによ
り、小型の測定治具を使用できるようにした、電磁気障
害対策部品のＳパラメータ測定方法及びＳパラメータ測
定装置を提供することを目的とするとともに、このよう
な電磁気障害対策部品のＳパラメータ測定に使用される
小型で安価な測定治具をも提供することを目的とする。
に手間取り、非現実的である。本発明は、このような課
題に鑑み創案されたもので、ネットワークアナライザで
得られるＳパラメータに簡単な補正演算を施すことによ
り、小型の測定治具を使用できるようにした、電磁気障
害対策部品のＳパラメータ測定方法及びＳパラメータ測
定装置を提供することを目的とするとともに、このよう
な電磁気障害対策部品のＳパラメータ測定に使用される
小型で安価な測定治具をも提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の電磁
気障害対策部品のＳパラメータ測定方法（請求項１）
は、次のステップをとる。 （１）誘電体製基板と、該基板の下面に形成された導体
製グランド面と、該基板の上面に形成され所要の位相定
数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相互にその
一端部が対向するようにして設けられた第１及び第２の
導体製マイクロストリップラインとをそなえるととも
に、上記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラ
インの他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第
２の同軸コネクタをそなえてなる測定治具を用意するス
テップ。
気障害対策部品のＳパラメータ測定方法（請求項１）
は、次のステップをとる。 （１）誘電体製基板と、該基板の下面に形成された導体
製グランド面と、該基板の上面に形成され所要の位相定
数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相互にその
一端部が対向するようにして設けられた第１及び第２の
導体製マイクロストリップラインとをそなえるととも
に、上記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラ
インの他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第
２の同軸コネクタをそなえてなる測定治具を用意するス
テップ。
【０００９】（２）該測定治具における上記の第１及び
第２の導体製マイクロストリップラインの対向する一端
部に、数ＧＨｚ程度までの周波数帯域で使用される電磁
気障害対策部品の一端子と他端子とをそれぞれ電気的に
接続するステップ。 （３）上記の第１及び第２の同軸コネクタに、対応する
同軸コネクタの接続端面まで校正された第１及び第２の
同軸ケーブルの一端部をそれぞれ接続するとともに、上
記の第１及び第２の同軸ケーブルの他端部をネットワー
クアナライザにおける第１及び第２のＳパラメータ検出
部品接続用コネクタに接続するステップ。
第２の導体製マイクロストリップラインの対向する一端
部に、数ＧＨｚ程度までの周波数帯域で使用される電磁
気障害対策部品の一端子と他端子とをそれぞれ電気的に
接続するステップ。 （３）上記の第１及び第２の同軸コネクタに、対応する
同軸コネクタの接続端面まで校正された第１及び第２の
同軸ケーブルの一端部をそれぞれ接続するとともに、上
記の第１及び第２の同軸ケーブルの他端部をネットワー
クアナライザにおける第１及び第２のＳパラメータ検出
部品接続用コネクタに接続するステップ。
【００１０】（４）該ネットワークアナライザを用い
て、該電磁気障害対策部品についての４つのＳパラメー
タＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定するステッ
プ。 （５）測定された４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，
Ｓ１２，Ｓ２２について、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、この演算の結果得られた新Ｓパラメ
ータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁
気障害対策部品のためのＳパラメータとして求めるステ
ップ。
て、該電磁気障害対策部品についての４つのＳパラメー
タＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定するステッ
プ。 （５）測定された４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，
Ｓ１２，Ｓ２２について、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、この演算の結果得られた新Ｓパラメ
ータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁
気障害対策部品のためのＳパラメータとして求めるステ
ップ。
【００１１】なお、本発明の電磁気障害対策部品のＳパ
ラメータ測定方法では、該基板の長さＬ並びに上記の第
１及び第２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ
１及びＬ２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部品の使
用周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定されてい
る（請求項２）。また、本発明の電磁気障害対策部品の
Ｓパラメータ測定装置（請求項３）は、誘電体製基板
と、該基板の下面に形成された導体製グランド面と、該
基板の上面に形成され所要の位相定数Ｋｅを持ち長さが
それぞれＬ１及びＬ２で相互にその一端部が対向するよ
うにして設けられ該対向する一端部に数ＧＨｚ程度まで
の周波数帯域で使用される電磁気障害対策部品の一端子
と他端子とがそれぞれ電気的に接続される第１及び第２
の導体製マイクロストリップラインとをそなえるととも
に、上記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラ
インの他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第
２の同軸コネクタをそなえてなる測定治具と、上記の第
１及び第２の同軸コネクタにそれぞれ一端部を接続され
対応する同軸コネクタの接続端面まで校正された第１及
び第２の同軸ケーブルと、上記の第１及び第２の同軸ケ
ーブルの他端部をそれぞれその第１及び第２のＳパラメ
ータ検出部品接続用コネクタに接続されることにより、
該電磁気障害対策部品についての４つのＳパラメータＳ
１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定するネットワーク
アナライザと、該ネットワークアナライザで測定された
４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２に
ついて、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、これらの新ＳパラメータＳ１１′，
Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁気障害対策部品
のためのＳパラメータとして求める新Ｓパラメータ演算
手段とをそなえて構成されたことを特徴としている。
ラメータ測定方法では、該基板の長さＬ並びに上記の第
１及び第２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ
１及びＬ２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部品の使
用周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定されてい
る（請求項２）。また、本発明の電磁気障害対策部品の
Ｓパラメータ測定装置（請求項３）は、誘電体製基板
と、該基板の下面に形成された導体製グランド面と、該
基板の上面に形成され所要の位相定数Ｋｅを持ち長さが
それぞれＬ１及びＬ２で相互にその一端部が対向するよ
うにして設けられ該対向する一端部に数ＧＨｚ程度まで
の周波数帯域で使用される電磁気障害対策部品の一端子
と他端子とがそれぞれ電気的に接続される第１及び第２
の導体製マイクロストリップラインとをそなえるととも
に、上記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラ
インの他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第
２の同軸コネクタをそなえてなる測定治具と、上記の第
１及び第２の同軸コネクタにそれぞれ一端部を接続され
対応する同軸コネクタの接続端面まで校正された第１及
び第２の同軸ケーブルと、上記の第１及び第２の同軸ケ
ーブルの他端部をそれぞれその第１及び第２のＳパラメ
ータ検出部品接続用コネクタに接続されることにより、
該電磁気障害対策部品についての４つのＳパラメータＳ
１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定するネットワーク
アナライザと、該ネットワークアナライザで測定された
４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２に
ついて、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、これらの新ＳパラメータＳ１１′，
Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁気障害対策部品
のためのＳパラメータとして求める新Ｓパラメータ演算
手段とをそなえて構成されたことを特徴としている。
【００１２】なお、本発明の電磁気障害対策部品のＳパ
ラメータ測定装置においても、該基板の長さＬ並びに上
記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラインの
長さＬ１及びＬ２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部
品の使用周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定さ
れている（請求項４）。また、本発明の電磁気障害対策
部品のＳパラメータ測定に使用される測定治具（請求項
５）は、誘電体製基板と、該基板の下面に形成された導
体製グランド面と、該基板の上面に形成され所要の位相
定数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相互にそ
の一端部が対向するようにして設けられ該対向する一端
部に数ＧＨｚ程度までの周波数帯域で使用される電磁気
障害対策部品の一端子と他端子とがそれぞれ電気的に接
続される第１及び第２の導体製マイクロストリップライ
ンと、上記の第１及び第２のマイクロストリップライン
の他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の
同軸コネクタとをそなえて構成されたことを特徴として
いる。
ラメータ測定装置においても、該基板の長さＬ並びに上
記の第１及び第２の導体製マイクロストリップラインの
長さＬ１及びＬ２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部
品の使用周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定さ
れている（請求項４）。また、本発明の電磁気障害対策
部品のＳパラメータ測定に使用される測定治具（請求項
５）は、誘電体製基板と、該基板の下面に形成された導
体製グランド面と、該基板の上面に形成され所要の位相
定数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相互にそ
の一端部が対向するようにして設けられ該対向する一端
部に数ＧＨｚ程度までの周波数帯域で使用される電磁気
障害対策部品の一端子と他端子とがそれぞれ電気的に接
続される第１及び第２の導体製マイクロストリップライ
ンと、上記の第１及び第２のマイクロストリップライン
の他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の
同軸コネクタとをそなえて構成されたことを特徴として
いる。
【００１３】なお、本発明の電磁気障害対策部品のＳパ
ラメータ測定に使用される測定治具においても、該基板
の長さ並びに上記の第１及び第２の導体製マイクロスト
リップラインの長さＬ１及びＬ２の和が、それぞれ該電
磁気障害対策部品の使用周波数帯域に相当する波長に比
べ小さく設定されている（請求項６）。
ラメータ測定に使用される測定治具においても、該基板
の長さ並びに上記の第１及び第２の導体製マイクロスト
リップラインの長さＬ１及びＬ２の和が、それぞれ該電
磁気障害対策部品の使用周波数帯域に相当する波長に比
べ小さく設定されている（請求項６）。
【００１４】
【作用】上述の本発明（請求項１，３）では、誘電体製
基板，第１及び第２の導体製マイクロストリップライ
ン，第１及び第２の同軸コネクタをそなえてなる測定治
具（請求項５にかかるもの）を用意し、この測定治具に
おける第１及び第２の導体製マイクロストリップライン
の対向する一端部に、電磁気障害対策部品の一端子と他
端子とをそれぞれ電気的に接続するとともに、第１及び
第２の同軸コネクタに、対応する同軸コネクタの接続端
面まで校正された第１及び第２の同軸ケーブルの一端部
をそれぞれ接続し、更に上記の第１及び第２の同軸ケー
ブルの他端部をネットワークアナライザにおける第１及
び第２のＳパラメータ検出部品接続用コネクタに接続し
たあと、ネットワークアナライザを用いて、電磁気障害
対策部品についての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２
１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定する。
基板，第１及び第２の導体製マイクロストリップライ
ン，第１及び第２の同軸コネクタをそなえてなる測定治
具（請求項５にかかるもの）を用意し、この測定治具に
おける第１及び第２の導体製マイクロストリップライン
の対向する一端部に、電磁気障害対策部品の一端子と他
端子とをそれぞれ電気的に接続するとともに、第１及び
第２の同軸コネクタに、対応する同軸コネクタの接続端
面まで校正された第１及び第２の同軸ケーブルの一端部
をそれぞれ接続し、更に上記の第１及び第２の同軸ケー
ブルの他端部をネットワークアナライザにおける第１及
び第２のＳパラメータ検出部品接続用コネクタに接続し
たあと、ネットワークアナライザを用いて、電磁気障害
対策部品についての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２
１，Ｓ１２，Ｓ２２を測定する。
【００１５】その後は、新Ｓパラメータ演算手段にて、
測定された４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１
２，Ｓ２２について、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、この演算の結果得られた新Ｓパラメ
ータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁
気障害対策部品のためのＳパラメータとして求める。
測定された４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１
２，Ｓ２２について、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、この演算の結果得られた新Ｓパラメ
ータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁
気障害対策部品のためのＳパラメータとして求める。
【００１６】なお、このとき、基板の長さＬ並びに第１
及び第２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ１
及びＬ２の和は、それぞれ該電磁気障害対策部品の使用
周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定されたもの
が使用される（請求項２，４，６）。
及び第２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ１
及びＬ２の和は、それぞれ該電磁気障害対策部品の使用
周波数帯域に相当する波長に比べ小さく設定されたもの
が使用される（請求項２，４，６）。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の一実施例としてのＥＭＩ対策部品
のＳパラメータ測定方法を実施するための装置を示す全
体構成図であり、図２〜４はその測定治具を示すもの
で、図２はその模式的平面図、図３はその模式的断面
図、図４はその模式的端面図である。
する。図１は本発明の一実施例としてのＥＭＩ対策部品
のＳパラメータ測定方法を実施するための装置を示す全
体構成図であり、図２〜４はその測定治具を示すもの
で、図２はその模式的平面図、図３はその模式的断面
図、図４はその模式的端面図である。
【００１８】さて、本装置は、図１に示すように、ま
ず、測定治具１をそなえている。この測定治具１は、図
１〜４に示すように、誘電体製の板状基板１１をそなえ
ており、この基板１１の下面には、金属箔からなる導体
製グランド面１２が形成されている。また、基板１１の
上面には、相互にその一端部が対向するようにして設け
られた第１及び第２の導体製マイクロストリップライン
１３，１４が形成されている。ここで、第１及び第２の
マイクロストリップライン１３，１４は、それぞれ金属
箔からなり、且つ、所要の特性インピーダンスＺｃ及び
位相定数Ｋｅを持ち、長さがそれぞれＬ１及びＬ２であ
る、２本のプリントパターンとして構成されている。
ず、測定治具１をそなえている。この測定治具１は、図
１〜４に示すように、誘電体製の板状基板１１をそなえ
ており、この基板１１の下面には、金属箔からなる導体
製グランド面１２が形成されている。また、基板１１の
上面には、相互にその一端部が対向するようにして設け
られた第１及び第２の導体製マイクロストリップライン
１３，１４が形成されている。ここで、第１及び第２の
マイクロストリップライン１３，１４は、それぞれ金属
箔からなり、且つ、所要の特性インピーダンスＺｃ及び
位相定数Ｋｅを持ち、長さがそれぞれＬ１及びＬ２であ
る、２本のプリントパターンとして構成されている。
【００１９】そして、第１及び第２のマイクロストリッ
プライン１３，１４の対向する各一端部には、数ＧＨｚ
程度までの周波数帯域〔好ましくは、直流（ＤＣ）付近
から１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕で使用されるＥＭ
Ｉ対策部品（電磁気障害対策部品）としてのＥＭＩ対策
用フィルタ２の一端子と他端子とがそれぞれ電気的に接
続されるようになっている。
プライン１３，１４の対向する各一端部には、数ＧＨｚ
程度までの周波数帯域〔好ましくは、直流（ＤＣ）付近
から１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕で使用されるＥＭ
Ｉ対策部品（電磁気障害対策部品）としてのＥＭＩ対策
用フィルタ２の一端子と他端子とがそれぞれ電気的に接
続されるようになっている。
【００２０】なお、ＥＭＩ対策用フィルタ２は、インダ
クタンス成分（コイル）とコンダクタンス成分（静電容
量）とをそなえた３端子あるいは２端子の素子として構
成されるが、図１においては、３端子のＥＭＩ対策用フ
ィルタ２が示されている。ここで、ＥＭＩ対策用フィル
タ２の一例を示すと、図９（ａ），（ｂ）のようにな
る。図９（ａ）に示すものはディスクタイプフェライト
ビーズ無しのものであり、図９（ｂ）に示すものはディ
スクタイプフェライトビーズ付きのものである。そし
て、この場合、ＥＭＩ対策用フィルタ２の第３の端子
は、スルーホール１５を介して、基板１１の下面の導体
製グランド面１２に電気的に接続されている。
クタンス成分（コイル）とコンダクタンス成分（静電容
量）とをそなえた３端子あるいは２端子の素子として構
成されるが、図１においては、３端子のＥＭＩ対策用フ
ィルタ２が示されている。ここで、ＥＭＩ対策用フィル
タ２の一例を示すと、図９（ａ），（ｂ）のようにな
る。図９（ａ）に示すものはディスクタイプフェライト
ビーズ無しのものであり、図９（ｂ）に示すものはディ
スクタイプフェライトビーズ付きのものである。そし
て、この場合、ＥＭＩ対策用フィルタ２の第３の端子
は、スルーホール１５を介して、基板１１の下面の導体
製グランド面１２に電気的に接続されている。
【００２１】さらに、第１及び第２のマイクロストリッ
プライン１３，１４の他端部には、それぞれ第１及び第
２の同軸コネクタ１６，１７が電気的に接続されてい
る。なお、基板１１の長さＬ並びに第１及び第２のマイ
クロストリップライン１３，１４の長さＬ１及びＬ２の
和は、それぞれＥＭＩ対策用フィルタ２の使用周波数帯
域に相当する波長（使用周波数を１ＧＨｚとすると、波
長は１０ｍ）に比べ小さく設定されている。具体的に
は、基板１１は５〜６ｃｍ四方の大きさに構成され、各
マイクロストリップライン１３，１４の長さＬ１，Ｌ２
は２〜３ｃｍ程度に設定される。これにより、この測定
治具１は、随分小型のものとして構成されることがわか
る。したがって、製作コストも安くできる。
プライン１３，１４の他端部には、それぞれ第１及び第
２の同軸コネクタ１６，１７が電気的に接続されてい
る。なお、基板１１の長さＬ並びに第１及び第２のマイ
クロストリップライン１３，１４の長さＬ１及びＬ２の
和は、それぞれＥＭＩ対策用フィルタ２の使用周波数帯
域に相当する波長（使用周波数を１ＧＨｚとすると、波
長は１０ｍ）に比べ小さく設定されている。具体的に
は、基板１１は５〜６ｃｍ四方の大きさに構成され、各
マイクロストリップライン１３，１４の長さＬ１，Ｌ２
は２〜３ｃｍ程度に設定される。これにより、この測定
治具１は、随分小型のものとして構成されることがわか
る。したがって、製作コストも安くできる。
【００２２】ところで、ＥＭＩ対策用フィルタ２を実装
された上記の測定治具１に、第１及び第２の同軸ケーブ
ル３，４を介して、市販されている公知のネットワーク
アナライザ５が接続される。すなわち、測定治具１にお
ける第１及び第２の同軸コネクタ１６，１７に、それぞ
れ対応する同軸コネクタ１６，１７の接続端面まで校正
された第１及び第２の同軸ケーブル３，４の一端部が接
続されるとともに、これらの第１及び第２の同軸ケーブ
ル３，４の他端部が、それぞれネットワークアナライザ
５の第１及び第２のＳパラメータ検出部品接続用コネク
タとしてのポート１コネクタ５１，ポート２コネクタ５
２に接続されているのである。
された上記の測定治具１に、第１及び第２の同軸ケーブ
ル３，４を介して、市販されている公知のネットワーク
アナライザ５が接続される。すなわち、測定治具１にお
ける第１及び第２の同軸コネクタ１６，１７に、それぞ
れ対応する同軸コネクタ１６，１７の接続端面まで校正
された第１及び第２の同軸ケーブル３，４の一端部が接
続されるとともに、これらの第１及び第２の同軸ケーブ
ル３，４の他端部が、それぞれネットワークアナライザ
５の第１及び第２のＳパラメータ検出部品接続用コネク
タとしてのポート１コネクタ５１，ポート２コネクタ５
２に接続されているのである。
【００２３】このように接続してから、ネットワークア
ナライザ５を作動すれば、ＥＭＩ対策用フィルタ２につ
いての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ
２２が測定される。なお、これらの４つのＳパラメータ
Ｓ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２の位相関係を表す波形
図の一例を示すと、図６のようになる。
ナライザ５を作動すれば、ＥＭＩ対策用フィルタ２につ
いての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ
２２が測定される。なお、これらの４つのＳパラメータ
Ｓ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２の位相関係を表す波形
図の一例を示すと、図６のようになる。
【００２４】さらに、ネットワークアナライザ５の測定
結果取り出しポートには、パソコン等の演算装置（新Ｓ
パラメータ演算手段）６が接続されており、この演算装
置６では、ネットワークアナライザ５で測定された４つ
のＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２につい
て、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） ・・（１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 ・・（２） Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 ・・（３） Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） ・・（４） なる演算を施して、これらの補正後の新ＳパラメータＳ
１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′をＥＭＩ対策用
フィルタ２のためのＳパラメータとして求めることが行
なわれるようになっている。
結果取り出しポートには、パソコン等の演算装置（新Ｓ
パラメータ演算手段）６が接続されており、この演算装
置６では、ネットワークアナライザ５で測定された４つ
のＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２につい
て、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） ・・（１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 ・・（２） Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 ・・（３） Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） ・・（４） なる演算を施して、これらの補正後の新ＳパラメータＳ
１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′をＥＭＩ対策用
フィルタ２のためのＳパラメータとして求めることが行
なわれるようになっている。
【００２５】なお、これらの４つの新ＳパラメータＳ１
１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′の位相関係を表す
波形図の一例を図６に対応させて示すと、図７のように
なる。また、補正前後のＳパラメータ（例えばＳ２１，
Ｓ２１′）の位相関係を比較して示すと、図８のように
なる。
１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′の位相関係を表す
波形図の一例を図６に対応させて示すと、図７のように
なる。また、補正前後のＳパラメータ（例えばＳ２１，
Ｓ２１′）の位相関係を比較して示すと、図８のように
なる。
【００２６】このようにして、図１〜４に示すような測
定治具１及び同軸ケーブル２，３，ネットワークアナラ
イザ５からなる測定系を用いて、ＥＭＩ対策用フィルタ
２についての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１
２，Ｓ２２を測定したあと（図５のステップＡ１）、演
算装置６にて、測定された４つのＳパラメータＳ１１，
Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２について、上記（１）〜（４）
式の演算を施して（図５のステップＡ２）、この演算の
結果得られた新ＳパラメータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１
２′，Ｓ２２′をＥＭＩ対策用フィルタ２のためのＳパ
ラメータとして求めることが行なわれる（図５のステッ
プＡ３）ので、次のような効果ないし利点が得られる。
定治具１及び同軸ケーブル２，３，ネットワークアナラ
イザ５からなる測定系を用いて、ＥＭＩ対策用フィルタ
２についての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１
２，Ｓ２２を測定したあと（図５のステップＡ１）、演
算装置６にて、測定された４つのＳパラメータＳ１１，
Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２について、上記（１）〜（４）
式の演算を施して（図５のステップＡ２）、この演算の
結果得られた新ＳパラメータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１
２′，Ｓ２２′をＥＭＩ対策用フィルタ２のためのＳパ
ラメータとして求めることが行なわれる（図５のステッ
プＡ３）ので、次のような効果ないし利点が得られる。
【００２７】（１）小型で構造の簡単な測定治具を使用
できるので、測定手順を簡単にすることができ、これに
より、誰でもＳパラメータを精度よく測定できる。 （２）数ＧＨｚ程度までの周波数帯域〔特に、直流（Ｄ
Ｃ）付近から１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕の範囲内
では、材料による伝送損失がほとんどなく、理想的な伝
送線路であると考えられ、又かかる周波数帯域において
は、コネクタやフィルタの取付け部分の漂遊容量や寄生
インダクタンスもほとんどないので、このような数ＧＨ
ｚ程度までの周波数帯域〔特に、直流（ＤＣ）付近から
１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕で十分な測定精度（測
定誤差１％以内）を実現することができる。なお、ＥＭ
Ｉの理論解析を行なう場合、誤差の主要因はＩＣやＬＳ
Ｉであり、この誤差は最大１０〜２０％にも及ぶため、
測定誤差が１％以内であれば、全く問題はない。
できるので、測定手順を簡単にすることができ、これに
より、誰でもＳパラメータを精度よく測定できる。 （２）数ＧＨｚ程度までの周波数帯域〔特に、直流（Ｄ
Ｃ）付近から１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕の範囲内
では、材料による伝送損失がほとんどなく、理想的な伝
送線路であると考えられ、又かかる周波数帯域において
は、コネクタやフィルタの取付け部分の漂遊容量や寄生
インダクタンスもほとんどないので、このような数ＧＨ
ｚ程度までの周波数帯域〔特に、直流（ＤＣ）付近から
１ＧＨｚ程度までの周波数帯域〕で十分な測定精度（測
定誤差１％以内）を実現することができる。なお、ＥＭ
Ｉの理論解析を行なう場合、誤差の主要因はＩＣやＬＳ
Ｉであり、この誤差は最大１０〜２０％にも及ぶため、
測定誤差が１％以内であれば、全く問題はない。
【００２８】（３）ＥＭＩ対策用フィルタ２のＳパラメ
ータを精度よく然も定量的に測定できるので、図１０に
示すように、計測値と計算値との一致度が高くなり、こ
れにより、放射ノイズを精度良く予測できるほか、波形
解析も精度よく行なうことができ、更には、ＥＭＩ対策
用フィルタ２のＳパラメータの規格統一化も容易に行な
える。
ータを精度よく然も定量的に測定できるので、図１０に
示すように、計測値と計算値との一致度が高くなり、こ
れにより、放射ノイズを精度良く予測できるほか、波形
解析も精度よく行なうことができ、更には、ＥＭＩ対策
用フィルタ２のＳパラメータの規格統一化も容易に行な
える。
【００２９】（４）マイクロ波帯域での校正治具は校正
を正確に行なうために複雑な機構になっているが、数Ｇ
ｚ程度の周波数帯域では、校正をあまり意識しなくても
良く、これにより測定治具１の構造を簡単にすることが
でき、従って、測定治具１の小型化も容易に行なうこと
ができ、製作コストも安くできる。 （５）上記の（１）〜（４）により、ＥＭＩ対策用フィ
ルタ２のＳパラメータからＥＭＩ対策部品の諸元を１回
の測定で確定することができるので、ＥＭＩ関連費用を
削減できる。すなわち、従来必要としていた多数回にわ
たるオープンサイト使用量，回路変更費用，装置の改造
費用等に伴う費用を削減できるのである。
を正確に行なうために複雑な機構になっているが、数Ｇ
ｚ程度の周波数帯域では、校正をあまり意識しなくても
良く、これにより測定治具１の構造を簡単にすることが
でき、従って、測定治具１の小型化も容易に行なうこと
ができ、製作コストも安くできる。 （５）上記の（１）〜（４）により、ＥＭＩ対策用フィ
ルタ２のＳパラメータからＥＭＩ対策部品の諸元を１回
の測定で確定することができるので、ＥＭＩ関連費用を
削減できる。すなわち、従来必要としていた多数回にわ
たるオープンサイト使用量，回路変更費用，装置の改造
費用等に伴う費用を削減できるのである。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の電磁気障
害対策部品のＳパラメータ測定方法及び装置（請求項１
〜４）によれば、測定手順が簡単であるため、誰でもＳ
パラメータを精度よく測定できるとともに、数ＧＨｚ程
度までの周波数帯域で十分な測定精度を実現でき、更に
はＥＭＩ対策部材のＳパラメータを精度よく然も定量的
に測定できるので、放射ノイズを精度良く予測できるほ
か、波形解析も精度よく行なうことができ、これによ
り、ＥＭＩ関連費用の削減を図ることができ、更にＥＭ
Ｉ対策部材のＳパラメータの規格統一化も容易に行なえ
る利点もある。
害対策部品のＳパラメータ測定方法及び装置（請求項１
〜４）によれば、測定手順が簡単であるため、誰でもＳ
パラメータを精度よく測定できるとともに、数ＧＨｚ程
度までの周波数帯域で十分な測定精度を実現でき、更に
はＥＭＩ対策部材のＳパラメータを精度よく然も定量的
に測定できるので、放射ノイズを精度良く予測できるほ
か、波形解析も精度よく行なうことができ、これによ
り、ＥＭＩ関連費用の削減を図ることができ、更にＥＭ
Ｉ対策部材のＳパラメータの規格統一化も容易に行なえ
る利点もある。
【００３１】また、本発明の電磁気障害対策部品のＳパ
ラメータ測定に使用される測定治具（請求項５，６）に
よれば、簡素な構成でしかも小型化も容易にはかること
がてでき、したがって、製作コストも安くできるという
利点がある。
ラメータ測定に使用される測定治具（請求項５，６）に
よれば、簡素な構成でしかも小型化も容易にはかること
がてでき、したがって、製作コストも安くできるという
利点がある。
【図１】本発明の一実施例としてのＥＭＩ対策部品のＳ
パラメータ測定方法を実施するための装置を示す全体構
成図である。
パラメータ測定方法を実施するための装置を示す全体構
成図である。
【図２】測定治具の模式的平面図である。
【図３】測定治具の模式的断面図である。
【図４】測定治具の模式的端面図である。
【図５】本発明の一実施例としてのＥＭＩ対策部品のＳ
パラメータ測定方法を説明するためのフローチャートで
ある。
パラメータ測定方法を説明するためのフローチャートで
ある。
【図６】補正前のＳパラメータの位相関係を示す波形図
である。
である。
【図７】補正後のＳパラメータの位相関係を示す波形図
である。
である。
【図８】補正前後のＳパラメータの位相関係を比較して
示す波形図である。
示す波形図である。
【図９】（ａ），（ｂ）はＥＭＩ対策用フィルタの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例の計算値精度を説明する図
である。
である。
１ 測定治具 ２ ＥＭＩ対策部品としてのＥＭＩ対策用フィルタ ３，４ 同軸ケーブル ５ ネットワークアナライザ ６ 演算装置（新Ｓパラメータ演算手段） １１ 板状基板 １２ グランド面 １３，１４ マイクロストリップライン １５ スルーホール １６，１７ 同軸コネクタ ５１ ポート１コネクタ（Ｓパラメータ検出部品接続用
コネクタ） ５２ ポート２コネクタ（Ｓパラメータ検出部品接続用
コネクタ）
コネクタ） ５２ ポート２コネクタ（Ｓパラメータ検出部品接続用
コネクタ）
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体製基板と、該基板の下面に形成さ
れた導体製グランド面と、該基板の上面に形成され所要
の位相定数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相
互にその一端部が対向するようにして設けられた第１及
び第２の導体製マイクロストリップラインとをそなえる
とともに、上記の第１及び第２の導体製マイクロストリ
ップラインの他端部にそれぞれ電気的に接続された第１
及び第２の同軸コネクタをそなえてなる測定治具を用意
し、 該測定治具における上記の第１及び第２の導体製マイク
ロストリップラインの対向する一端部に、数ＧＨｚ程度
までの周波数帯域で使用される電磁気障害対策部品の一
端子と他端子とをそれぞれ電気的に接続するとともに、 上記の第１及び第２の同軸コネクタに、対応する同軸コ
ネクタの接続端面まで校正された第１及び第２の同軸ケ
ーブルの一端部をそれぞれ接続し、 更に上記の第１及び第２の同軸ケーブルの他端部をネッ
トワークアナライザにおける第１及び第２のＳパラメー
タ検出部品接続用コネクタに接続したあと、 該ネットワークアナライザを用いて、該電磁気障害対策
部品についての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ
１２，Ｓ２２を測定し、 その後、測定された４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２
１，Ｓ１２，Ｓ２２について、ｊを虚数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、この演算の結果得られた新Ｓパラメ
ータＳ１１′，Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁
気障害対策部品のためのＳパラメータとして求めること
を特徴とする、電磁気障害対策部品のＳパラメータ測定
方法。 - 【請求項２】 該基板の長さＬ並びに上記の第１及び第
２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ１及びＬ
２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部品の使用周波数
帯域に相当する波長に比べ小さく設定されていることを
特徴とする請求項１記載の電磁気障害対策部品のＳパラ
メータ測定方法。 - 【請求項３】 誘電体製基板と、該基板の下面に形成さ
れた導体製グランド面と、該基板の上面に形成され所要
の位相定数Ｋｅを持ち長さがそれぞれＬ１及びＬ２で相
互にその一端部が対向するようにして設けられ該対向す
る一端部に数ＧＨｚ程度までの周波数帯域で使用される
電磁気障害対策部品の一端子と他端子とがそれぞれ電気
的に接続される第１及び第２の導体製マイクロストリッ
プラインとをそなえるとともに、上記の第１及び第２の
導体製マイクロストリップラインの他端部にそれぞれ電
気的に接続された第１及び第２の同軸コネクタをそなえ
てなる測定治具と、 上記の第１及び第２の同軸コネクタにそれぞれ一端部を
接続され対応する同軸コネクタの接続端面まで校正され
た第１及び第２の同軸ケーブルと、 上記の第１及び第２の同軸ケーブルの他端部をそれぞれ
その第１及び第２のＳパラメータ検出部品接続用コネク
タに接続されることにより、該電磁気障害対策部品につ
いての４つのＳパラメータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ
２２を測定するネットワークアナライザと、 該ネットワークアナライザで測定された４つのＳパラメ
ータＳ１１，Ｓ２１，Ｓ１２，Ｓ２２について、ｊを虚
数単位として、 Ｓ１１′＝Ｓ１１×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ１） Ｓ２１′＝Ｓ２１×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ１２′＝Ｓ１２×ｅｘｐ〔ｊ×Ｋｅ×（Ｌ１＋Ｌ２）〕 Ｓ２２′＝Ｓ２２×ｅｘｐ（ｊ×２×Ｋｅ×Ｌ２） なる演算を施して、これらの新ＳパラメータＳ１１′，
Ｓ２１′，Ｓ１２′，Ｓ２２′を該電磁気障害対策部品
のためのＳパラメータとして求める新Ｓパラメータ演算
手段とをそなえて構成されたことを特徴とする、電磁気
障害対策部品のＳパラメータ測定装置。 - 【請求項４】 該基板の長さＬ並びに上記の第１及び第
２の導体製マイクロストリップラインの長さＬ１及びＬ
２の和が、それぞれ該電磁気障害対策部品の使用周波数
帯域に相当する波長に比べ小さく設定されていることを
特徴とする請求項３記載の電磁気障害対策部品のＳパラ
メータ測定装置。 - 【請求項５】 誘電体製基板と、 該基板の下面に形成された導体製グランド面と、 該基板の上面に形成され所要の位相定数Ｋｅを持ち長さ
がそれぞれＬ１及びＬ２で相互にその一端部が対向する
ようにして設けられ該対向する一端部に数ＧＨｚ程度ま
での周波数帯域で使用される電磁気障害対策部品の一端
子と他端子とがそれぞれ電気的に接続される第１及び第
２の導体製マイクロストリップラインと、 上記の第１及び第２の導体製マイクロストリップライン
の他端部にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の
同軸コネクタとをそなえて構成されたことを特徴とす
る、電磁気障害対策部品のＳパラメータ測定に使用され
る測定治具。 - 【請求項６】 該基板の長さ並びに上記の第１及び第２
の導体製マイクロストリップラインの長さＬ１及びＬ２
の和が、それぞれ該電磁気障害対策部品の使用周波数帯
域に相当する波長に比べ小さく設定されていることを特
徴とする請求項５記載の電磁気障害対策部品のＳパラメ
ータ測定に使用される測定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654294A JPH0815348A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定方法及びｓパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定に使用される測定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654294A JPH0815348A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定方法及びｓパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定に使用される測定治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815348A true JPH0815348A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15410014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654294A Withdrawn JPH0815348A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定方法及びｓパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のｓパラメータ測定に使用される測定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815348A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697749B2 (en) | 2001-12-10 | 2004-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Correction method of measurement errors, quality checking method for electronic components, and characteristic measuring system of electronic components |
| US6876935B2 (en) | 2002-09-24 | 2005-04-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for correcting measurement error, method of determining quality of electronic component, and device for measuring characteristic of electronic component |
| WO2006001234A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Advantest Corporation | フィクスチャ特性測定装置、方法、プログラム、記録媒体およびネットワークアナライザ、半導体試験装置 |
| WO2007090490A1 (de) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Prüfsystem für einen schaltungsträger |
| KR100840923B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 커넥팅 엘리먼트 특성 측정 장치, 방법, 프로그램, 기록 매체 및 네트워크 애널라이저, 반도체 시험 장치 |
| CN113960510A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-21 | 北京环境特性研究所 | 一种同轴环形材料电磁参数测试座、测试系统测试方法 |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP14654294A patent/JPH0815348A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6697749B2 (en) | 2001-12-10 | 2004-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Correction method of measurement errors, quality checking method for electronic components, and characteristic measuring system of electronic components |
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| WO2006001234A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Advantest Corporation | フィクスチャ特性測定装置、方法、プログラム、記録媒体およびネットワークアナライザ、半導体試験装置 |
| KR100840923B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 커넥팅 엘리먼트 특성 측정 장치, 방법, 프로그램, 기록 매체 및 네트워크 애널라이저, 반도체 시험 장치 |
| US7511508B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-03-31 | Advantest Corporation | Fixture characteristic measuring device, method, program, recording medium, network analyzer, and semiconductor test device |
| WO2007090490A1 (de) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Prüfsystem für einen schaltungsträger |
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