TWI278647B - Semiconductor device and testing method thereof - Google Patents

Description

1278647 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域] 本發明乃有關於具備液晶顯示器的驅動電路的半導體 裝置及其試驗方法，特別是有關於具有多數外部端子的半 導體裝置及試驗其輸出電壓的試驗方法。 【先前背景】

具備液晶顯示器的驅動電路（亦稱爲液晶驅動電路、 LCD驅動器）的半導體裝置乃從多數外部端子（輸出針腳 )輸出多段階（多階調）電壓而驅動液晶顯示器（液晶面 板）。 習知具備液晶驅動電路的半導體裝置的階調電壓試驗 乃藉由使用試驗機的電壓測定（模擬電壓測定）實行。

但近年隨著液晶顯示器的高精度化的半導體裝置的外 部端子的增加、以及隨著液晶顯示器的高階調度化，階調 電壓試驗所需要的時間增加，產生所謂有關該半導體裝置 (液晶驅動電路）的試驗和製造的成本增加的問題。 於日本特開2002 - 1 564 1 2號公報記載著，作爲達到 階調電壓試驗高速化的手段，檢測液晶驅動電路的外部端 子電壓和試驗機的基準電壓的差分電壓，試驗液晶驅動電 路的各外部端子的階調電壓的端子間誤差的技術。 【發明內容】 但記載於前述專利文獻1的技術有如下的問題。 -5- (2) 1278647 (1 )經由試驗機實行輸出電壓測定（模擬電壓測定 )的緣故，直到輸出電壓穩定爲止很花時間，試驗時間增 加。 (2 )隨著經由液晶顯示器之高階調化的階調電壓步 驟的微細化，輸出電壓的判定範圍變得非常窄的情形下， 必須將液晶驅動電路的外部端子電壓和試驗機的基準電壓 的差分電壓細分化，因此試驗時間增加。

(3 )爲了實現日本專利文獻1所記載的技術，對試 驗機而言，必須重新追加階調電壓測定電路，無法使用既 存的試驗機。 本發明目的乃在於解決如上述的問題，提供一縮短具 備液晶顯示器的驅動電路的半導體裝置的階調電壓試驗所 需要之時間的技術。並提供一能減低具備液晶顯示器的驅 動電路的半導體裝置的試驗•製造成本的技術。

本案所揭示的發明中，若簡單說明代表性發明的槪要 即如以下所述。 爲達成前述目的，具有利用本發明之液晶驅動電路的 半導體裝置乃於階調電壓試驗時輸出2値化的階調電壓試 驗信號爲其特徵。 例如屬於具有液晶驅動電路的半導體裝置，以在前述 半導體裝置的階調電壓試驗時，將以前述半導體裝置的階 調電壓生成電路生成的階調電壓和欲試驗前述階調電壓所 生成的比較電壓做比較，以前述試驗結果作爲2値電壓並 從前述半導體裝置的外部端子輸出爲其特徵的半導體裝置 -6- 1278647

而屬於具有液晶驅動電路的半導體裝置，前述液晶驅 動電路乃爲以具有：階調電壓生成電路、和接收以前述階 調電壓生成電路所生成的階調電壓，並選擇對應階調的階 調電壓的階調電壓選擇電路；於前述半導體裝置的階調電 壓試驗時，於前述階調電壓選擇電路中，將以前述階調電 壓生成電路所生成的階調電壓和欲試驗前述階調電壓所生 成的比較電壓做比較，以前述試驗結果作爲2値電壓並從 前述半導體裝置的外部端子輸出爲其特徵的半導體裝置。 而屬於具有液晶驅動電路的半導體裝置，前述液晶駆 動向路乃具有：階調電壓生成電路、和收取以前述階調電 壓生成電路所生成的階調電壓並選擇對應階調的階調電壓 的階調電壓選擇電路、和暫時保持有關以前述階調電壓選 擇電路所選擇的階調電壓的資訊，使前述階調電壓選擇電 路獲得前述保持的資訊的緩衝器；甚至前述階調電壓選擇 電路乃具有：基於前述緩衝器的輸出來選擇以前述階調電 壓生成電路所生成的階調電壓的選擇電路、和於前述半導 體裝置的階調電壓試驗時，將以前述選擇電路所選擇的階 調電壓與欲試驗前述階調電壓所生成的比較電壓做比較， 並放大該些電壓的差電壓，以前述比較的結果作爲2値電 壓從外部端子輸出的放大電路、和作爲輸入到前述放大電 路的資訊，選擇輸出前述比較電壓或前述放大電路之中任 一個的動作切換開關爲其特徵的半導體裝置。 而屬於具有液晶驅動電路的半導體裝置的試驗方法， (4) 1278647 係具備：於前述半導體裝置的階調電壓試驗時，將以前述 半導體裝置的階調電壓生成電路生成的階調電壓和欲試驗 前述階調電壓所生成的比較電壓做比較之步驟，及前述試 驗結果是使用從前述半導體裝置的外部端子輸出的2値電 壓，進行前述半導體裝置的階調電壓的試驗之步驟爲其特 徵的半導體裝置的試驗方法。

而屬於具有液晶驅動電路的半導體裝置的試驗方法， 係具備：將以前述階調電壓生成電路生成的階調電壓和欲 試驗前述階調電壓所生成的比較電壓利用前述階調電壓選 擇電路做比較之步驟，及前述試驗結果是使用從前述半導 體裝置輸出的2値電壓，進行前述半導體裝置的階調電壓 的試驗之步驟；前述液晶驅動電路乃具有：階調電壓生成 電路、和收取以前述階調電壓生成電路所生成的階調電壓 的階調電壓選擇電路爲其特徵的半導體裝置的試驗方法。

而更具備於前述階調電壓試驗時，前述半導體裝置的 外部端子和試驗機的比較器乃電性連接，使用從前述外部 端子輸出的2値電壓並以前述試驗機的比較器一倂做階調 試驗之步驟爲其特徵的半導體裝置的試驗方法。 若根據本發明，就能縮短具有液晶顯示器的驅動電路 (液晶驅動電路）的半導體裝置的階調電壓試驗時間。 並能減低具有液晶顯示器的驅動電路的半導體裝置的 試驗•製造成本。 【實施方式】 •8- (5) 1278647 以下將本發明實施形態依據圖面做詳細說明。再者， 於說明實施形態的所有圖中，於具有同一功能的構件附上 同一符號，其重複的說明予以省略。 第1圖乃爲表示有關本發明實施形態的液晶驅動電路 的半導體裝置構成之其中一例的圖。該半導體裝置的構成 例乃具備：閘極驅動器1、源極驅動器2、液晶驅動電壓 發生電路3、液晶面板5、MPU6等。 閘極驅動器1乃針對液晶面板5施加閘極信號。源極 驅動器2乃針對液晶面板5施加階調輸出電壓。液晶驅動 發生電路3乃產生液晶面板5的驅動電壓。液晶面板5乃 具有例如TFT被矩陣狀配置的構造，經由各畫素的保持電 容充電而控制亮度。MPU6乃控制閘極驅動器1及源極驅 動器2之動作的演算·處理。 具備於以下所述的本發明實施形態所說明的「液晶顯 示器的驅動電路（液晶驅動電路）的半導體裝置」乃具有 :(1 )以源極驅動器2所構成的情形、和（2 )具有閘極 驅動器1、源極驅動器2及液晶驅動電壓發生電路3所構 成的情形。 上述（2 )之構成的半導體裝置的情形，也有將包括 閘極驅動器1、源極驅動器2及液晶驅動電壓發生電路3 的部分稱爲液晶顯示控制器4。甚至也能附加於上述各部 包括MPU6作爲一個半導體裝置所構成。 上述（1 )之情形的構成的半導體裝置主要是用於驅 動大型液晶顯示器的情形等，上述（2 )之情形的構成的 -9 - (6) 1278647 半導體裝置乃用於例如驅動配備於攜帶電話機等的小型彩 色TFT液晶顯示器的情形等。 於第1圖中，液晶顯示控制器4乃連接於TFT被矩陣 狀配置的液晶面板5。而液晶顯示控制器4乃針對該液晶 面板5從閘極驅動器1施加選擇任意顯示線的閘極信號， 且針對該選擇的顯示線的各畫素從源極驅動器2施加階調 輸出電壓，藉此實行作爲目標的畫素的保持電容的充電而 控制各畫素的亮度。而液晶顯示控制器4乃連接於控制閘 極驅動器1及源極驅動器2之動作的演算·處理的MPU6 〇 針對具有利用本發明實施形態的液晶驅動電路的半導 體裝置及其試驗方法，以下邊參照第1圖〜第7圖邊依序 說明。 (實施形態1 ) 第2圖是表示具有本發明實施形態1的液晶驅動電路 的半導體裝置構成。第2圖乃表示本發明實施形態1，具 有液晶驅動電路的半導體裝置以源極驅動器所構成的形態 (對應前述（1 )的構成）。亦即，實施形態1的半導體 裝置的液晶驅動電路乃爲第1圖所示的源極驅動器2。 於第2圖中，該源極驅動器2乃爲具有：記憶經由外 部介面之資料的寫入或讀出的資料的顯示資料RAM 1 2、和 保持寫入到該顯示資料RAM 1 2之資料的線緩衝器1 3、和 生成特定位準的階調電壓的階調電壓生成電路1 6、和將以 -10- (7) 1278647 該階調電壓生成電路1 6所生成的特定階調電壓同時依照 保持於線緩衝器1 3的階調設定資料而輸出階調電壓的階 調電壓選擇電路1 4、和切換通常動作時及階調試驗時的動 作模式的試驗模式切換電路2 1所構成。 而第2圖中所示的S1〜Sn乃爲具有利用實施形態1 的半導體裝置的多數外部端子（輸出針腳），普通動作時 輸出階調電壓。而同圖中所示的VTEST乃爲設於欲階調 試驗時的階調電壓試驗所生成之比較電壓的輸入（施加） 的端子。試驗機3 5乃爲針對本半導體裝置施行階調試驗 的裝置，具備比較電壓設定部、複數比較器CMP1〜CMΡη 等，可電性連接於本半導體裝置的外部端子。 階調電壓選擇電路1 4乃以包括複數具有選擇電路1 8 、和放大電路2 0 '和動作切換開關1 9所構成的開關電路 1 5所構成。 再者，有關顯示資料RAM 1 2 ’不需要的情形也可省略 而構成半導體裝置° 該源極驅動器2乃於通常動作時’放大電路2 0的外 部端子與以“一 ”記號所示的反轉輸入端子連接的方式， 將動作切換開關1 9利用試驗模式切換電路2 1做控制。藉 此，放大電路2 0則成爲與緩衝電路同等的動作狀態’將 經由選擇電路1 8所選擇的階調電壓輸出到外部端子。 另一方面，該源極驅動器2乃於階調試驗時，圖未表 示的顯示控制器的外部介面、階調電壓選擇電路1 4 (開關 電路15 )的外部端子及VTEST端子分別連接於試驗機35 -11 - (8) 1278647 ，經由來自該試驗機3 5的試驗信號實行階調試驗。 具體上乃於階調試驗時（階調試驗模式、試驗模式） ，源極驅動器2以從試驗機3 5經由試驗模式切換電路2 1 連接VTEST端子及以放大電路20之“”記號所示的反 轉輸入端子的方式切換動作切換開關1 9。而於放大電路 20中，將經由選擇電路1 8所選擇的階調電壓和經由 VTEST端子所施力口的比較電壓做比較，並將1；匕較結果輸出 到外部端子。 通常由於放大電路20屬於高放大率，於階調試驗時 ，放大電路2 0乃放大階調電壓和比較電壓的差電壓，藉 此作爲外部端子電壓而輸出緩衝電路之正側（Η )或負側 (L )的電源電壓近傍的電壓値。 因而，於階調試驗時，從試驗機 3 5經由顯示資料 RAM12和線緩衝器13而設定任意階調資料，且於試驗機 35中將比較電壓施加於VTEST端子，源極驅動器2的輸 出電壓乃成爲特定2値電壓（「Η」或「L」）的任一個。 由於階調試驗信號的輸出屬於2値電壓，故能於有關複數 配設於試驗機35的比較器CMP1〜CMPn’同時試驗源極 驅動器2的複數外部端子（輸出針腳）的階調電壓。 第3圖乃表示設於上述階調電壓選擇電路1 4的複數 開關電路1 5之其中一構成例。於第3圖中，開關電路1 5 乃包括：以具有電晶體1 0 1 a〜1 0 1 i的放大電路2 0、電晶 體102a，102b以及電晶體l〇3a，l〇3b的透通開關所構成 的動作切換開關1 9、以及選擇以階調電壓生成電路1 6 ( -12- (9) 1278647 第3圖未表示）所生成的階調電壓的選擇電路1 8。而於開 關電路1 5乃分別連接：生成放大電路2 0動作而需要的電 壓位準的偏壓電壓生成電路1 0 5、以及試驗模式切換電路 2 1。該試驗模式切換電路2 1乃具備：欲將動作電壓高的 上述動作切換開關1 9以動作電壓比此還低的邏輯電路（ 例如內部邏輯電路，第3圖未表示）所控制之具有位準移 動功能的反轉閘極電路1 04a、和以動作切換開關i 9的動 作電壓（高電壓）所動作的反轉閘極電路1 〇4b。放大電路 2〇的外部端子VQUt乃連接於有關本發明的半導體裝置的 外部端子（第2圖所示的外部端子S 1〜S η的任一個）和 動作切換開關19的端子Α。而以通過端子VTEST (參照 第2圖）由試驗機3 5供給或參照第5圖由實施形態2所 後述的比較電壓生成電路22供給的電壓作爲比較電壓 Vccmp施加於動作切換開關19的端子B。 於以下說明第3圖所示的開關電路1 5的動作槪略。 以試驗模式切換電路2 1的邏輯狀態於其普通動作爲“ 0” ’以電晶體l〇2a，102b所構成的透通開關乃爲OFF狀態 ’以電晶體l〇3a，103b所構成的透通開關乃爲ON狀態。 藉此，放大電路20的外部端子VQUt乃通過動作切換開關 1 9連接於該放大電路20的反轉輸入的電晶體1 0 1 d (其閘 極）。其結果，放大電路20乃形成電壓放大率約爲1倍 的緩衝電路而動作，且等於以選擇電路1 8所選擇的階調 電壓的電壓會通過該放大電路20的外部端子V。^而從利 用上述本發明的半導體裝置的外部端子被輸出。 -13- (10) 1278647 另一方面，該半導體裝置的階調試驗時的期間，試驗 模式切換電路2 1的邏輯狀態爲“ 1 ” °藉此以電晶體1 0 2 a ，1 02b所構成的透通開關乃切換爲0N狀態，以電晶體 1 0 3 a，1 0 3 b所構成的透通開關乃切換爲〇 F F狀態，從試 驗機3 5和比較電壓生成電路22供給的上述比較電壓 VC()mp會通過動作切換開關19而施加於上述電晶體101 d 的閘極。其結果，放大電路2 0的電壓放大率乃試驗模式 切換電路2 1比普通動作時還高，換言之即作爲高放大率 之放大電路而動作。因而，放大電路20乃將以選擇電路 18所選擇的階調電壓和比較電壓Ve(3mp的差分（差電壓） 利用上述電壓放大率而放大，且該階調電壓的位準高於比 較電壓Ve()mp時，將放大電路20的電源電壓的另一方Vdd 或其近傍的電壓從其外部端子輸出。而上述階調電壓 的位準低於比較電壓Ve()mp時，放大電路20的電源電壓的 另一方Vss或其近傍的電壓則從放大電路2〇的外部端子 V〇ut被輸出。 以上針對開關電路1 5之一例參照第3圖做說明，有 關利用本發明的半導體裝置的實施，得知開關電路1 5或 其均等物並不限於上述的構成。例如將於第3圖作爲場效 型電晶體所舉例表示的電晶體101a〜1〇H，l〇2a，l〇2b， l〇3a，l〇3b的一部分或其全部，置換爲雙極型的電晶體亦 可（此時，上述的電晶體1 〇 1 d的閘極替換爲基極），亦 可將內裝於試驗模式切換電路2 1的上述邏輯電路，以與 動作切換開關同等或接近此的動作電壓產生動作的^ -14- (11) 1278647 式所構成。因而，得知連利用本發明的半導體裝置的試驗 方法或製造方法實施之際，當然亦不拘限於上述開關電路 1 5的構成。 其次，針對有關具有本發明實施形態的液晶驅動電路 的半導體裝置及其試驗方法的處理流程於第4圖示之。首 先，將源極驅動器2設定於前述的階調試驗模式（S2 )， 其次以選擇電路1 8選擇階調電壓Vx的方式，將階調設定 資料設定於線緩衝器13 ( S3 )。其次，從試驗機35將電 壓値爲（Vx — △ V )的比較電壓施加於VTEST端子（S4 ) ，針對源極驅動器2的外部端子電壓以試驗機3 5實行與 期待値的比較判定（S 5 )。 有關該輸出電壓判定，若源極驅動器2爲正常，放大 電路20的輸入端子間的電位差爲+ △ V，而於源極驅動器 2的外部端子電壓輸出相當於“ Η ”的電壓，此爲以試驗 機35與期待値比較判定（S5 —輸出電壓“ Η” )。輸出電 壓爲“ L ”時，對該外部端子的結果乃爲F ΑΙ L (否）（ S10 )。 其次，由試驗機3 5將電壓値爲（Vx + △ V )的比較 電壓施加於VTEST端子（S6)，針對源極驅動器2的外 部端子電壓以試驗機35實行與期待値的比較判定（S7 ) 〇 有關該輸出電壓判定，若源極驅動器2爲正常，放大 電路20的輸入端子間的電位差爲一 △ V，而於源極驅動器 2的外部端子電壓輸出相當於“ L ”的電壓，此爲以試驗 -15- (12) 1278647 機3 5與期待値比較判定（S7 -輸出電壓“一 L” ）。輸 出電壓爲“ H”時，對該外部端子的結果乃爲fai L (否 )(S10)。 通過S3〜S7的處理步驟，對於源極驅動器2在內部 所選擇的階調電壓Vx而言，比較電壓爲（Vx±A V )，試 驗階調電壓爲特定電壓範圍。若爲正常，對外部端子的結 果即爲PASS (良）（S9)。 更針對另一階調電壓値Vx ’實行試驗時，得知使用 其階調電壓値，同樣地重複S 3〜S 7的處理步驟即可（S 8 )。而在此爲了說明比較電壓雖爲（νχ±Δ V )，但不用 說當然能設定任意電壓範圍進行試驗。 而液晶顯示器乃相對藍輸入電壓上昇顯示亮度具有曲 線性上昇的特性，對此，以液晶驅動電路將階調電壓Vx 和階調設定値的關係設定於如第7圖所示的非線形特性的 情形，本實施形態中，可配合階調電壓Vx和階調設定値 的關係，使得針對所選擇的階調電壓Vx的△ V的大小配 合階調設定値而變化。亦即於第7圖中，以A或C所示的 領域，由於針對階調設定値的階調電壓Vx的變化（傾斜 )很大，故△ V也設的很粗大，以B所示的領域，由於針 對階調設定値的階調電壓Vx的變化（傾斜）小’故△ V 也設的很細。藉此，就能完成配合液晶顯示器之特性的階 調電壓試驗，提昇階調電壓試驗精度。 而第2圖乃表示有關本發明的階調試驗原理’爲了說 明以設置比較電壓輸入用的VTEST端子的構成爲圖示’ -16- (13) 1278647 但有關於此，例如亦可爲在階調試驗時與未使用的其它端 子切換使用的構成。 而在試驗機3 5內配設複數比較電壓設定部的構成， 還配設複數相當於VTEST端子的比較電壓輸入端子的構 成，就能藉此對每個複數開關電路1 5施加不同的比較電 壓，對每個開關電路（每個外部端子）進行階調電壓試驗 〇 例如於某一外部端子的群組施加（Vx + △ V )，對另 一外部端子的群組施加（Vx - △ V )的情形下，來自源極 驅動器2的輸出會使“ H”和“ L”混合。若應用這個，於 奇數編號的外部端子施加（Vx + △ V )，於偶數編號的外 部端子施加（Vx - △ V )的情形下，會從外部端子（若爲 正常）交互輸出“ H”和“ L” 。藉此就能進行外部端子間 的短路檢測，提昇階調試驗的可靠性。 而於某一外部端子的群組施加（Vx + △ V 1 )，於另 一外部端子的群組施加（Vx + △ V2 )，或於某一外部端 子的群組施加（Vx 1 + △ V )，於另一外部端子的群組施 加（V X 2 +△)等，也可爲施加不同之電壓値的比較電壓 的試驗方法及構成。 而本發明並不僅限於如上述的階調試驗，得知藉由階 調設定資料和比較電壓的組合’例如可應用於液晶顯示控 制器的功能試驗。 (實施形態2 ) -17- (14) 1278647 接著，具有本發明實施形態2 體裝置，則針對在顯示控制器的內 路時的構成及動作的其中一例做說I 發明貫施形態2 ’在源極驅動器內 路（圖中的比較電壓生成電路22) 〇 實施形態2的半導體裝置的液 1圖所不的源極驅動器2而應用。 包括該源極驅動器2的液晶顯 記憶經由外部介面之資料的寫入或 RAM 12、和保持寫入到該顯示資料 衝器1 3、和生成特定位準的階調電 1 6、和將以該階調電壓生成電路1 壓一同依照保持於線緩衝器1 3的 電壓的階調電壓選擇電路1 4、和普 切換動作模式的試驗模式切換電路 生成電路1 6所生成的階調電壓而 壓生成電路22所構成。 於階調電壓選擇電路1 4乃包ί: 電路20及動作切換開關1 9所構成ί 該源極驅動器2乃於普通動作 說明的實施形態的源極驅動器同等 源極驅動器2乃於階調試驗時切換 以比較電壓生成電路22所生成的 的液晶驅動電路的半導 部配置比較電壓生成電 明。第5圖乃爲表示本 部配設比較電壓生成電 的半導體裝置的構成圖 晶驅動電路例如針對第 示控制器4乃爲具有： 讀出的資料的顯示資料 RAM12的資料的線緩 壓的階調電壓生成電路 6所生成的特定階調電 階調設定資料輸出階調 通動作時及階調試驗時 2 1、和基於以階調電壓 生成比較電壓的比較電 S以選擇電路1 8、放大 I勺複數開關電路1 5。 時實行與參照第2圖所 的動作。另一方面，該 動作切換開關1 9並將 比較電壓施加於以放大 -18- (15) 1278647 電路2 0的“一，，記號所示的反轉輸入端子，於放大電路 20中，將經由選擇電路1 8所選擇的階調電壓和比較電壓 做比較，將比較結果輸出到外部端子。 通常由於放大電路20屬於高放大率，於階調試驗時 ，放大電路20乃放大階調電壓和比較電壓的差電壓’且 外部端子電壓會輸出緩衝電路之正側（Η )或負側（L )的 電源電壓近傍的電壓値。 因實施形態2可在源極驅動器2的電路內部生成階調 試驗的比較電壓，故能在電路內部相對式地實施階調試驗 ，更加縮短試驗時間。亦即，因實施形態2從如第1圖之 構成的半導體裝置外部施加比較電壓時所發生的比較電壓 上升不會產成問題，故能更加縮短試驗時間。 而爲了提昇源極驅動器2的階調電壓試驗精度，雖然 在第5圖未以圖示，但亦可爲將以源極驅動器2所生成的 比較電壓經由VTEST端子以試驗機35實行電壓測定的構 成。 其次，針對本實施形態2的半導體裝置的比較電壓生 成電路22的電路構成及動作之其中一例，使用第6圖做 說明。第6圖乃表示比較電壓生成電路22的詳細構成。 本實施形態2的比較電壓生成電路22乃由：將以階 調電壓生成電路1 6所生成的階調電壓一同針對各階調電 壓生成比較電壓的比較電壓電阻23、和將利用比較電壓電 阻2 3的各分壓電壓以放大率1倍而放大的複數緩衝電路 24、和切換緩衝電路24的輸出而作爲比較電壓而連接於 -19- (16) 1278647 階調電壓選擇電路14的複數開關25、和將階調設定資料 及比較電壓切換信號一同時實行複數開關25之ON/OFF 控制的解碼電路26所構成。

在屬於解碼電路2 6之控制輸入的階調設定資料設定 與設定在階調電壓選擇電路1 4的階調設定資料同一資料 ，如第6圖所示，在階調電壓爲（X )的情形下，基於比 較電壓切換信號而成爲比較電壓來輸出V ( X ) ± △ V的任 一個。於第6圖的下表整合比較電壓生成電路22的動作 。在此，比較電壓切換信號的1 / 0切換，乃於第4圖所 示的階調試驗的處理流程中，相當於S4或S6的比較電壓 設定之步驟。 雖然已在本發明中揭示及描述各種實施例，但可理解 的，本發明並不限於此，可爲熟知此技藝者加以各種變化 及修改，因此，本發明不拘限於所述及所揭示的範圍，而 欲涵蓋申請專利範圍所包含的各種變化及修改。

【圖式簡單說明】 第1圖乃爲表示具備本發明實施形態的液晶驅動電路 的半導體裝置（液晶控制器）之液晶面板； 第2圖乃爲表示具有本發明實施形態1的液晶驅動電 路的源極驅動器的構成圖； 第3圖乃爲表示設於本發明實施形態1的半導體裝置 的開關電路的構成例圖； 第4圖乃爲表示具有本發明實施形態的液晶驅動電路 -20- (17) 1278647 的半導體裝置的試驗方法的處理流程圖； 第5圖乃爲表示具有本發明實施形態2的液晶驅動電 路的源極驅動器的構成圖； 第6圖乃爲針對本發明實施形態2的半導體裝置的比 較電壓生成電路的電路構成及動作之其中一例所示的圖； 以及 第7圖乃爲表示本發明實施形態的階調電壓和階調之 關係的其中一例的圖。 【主要元件符號說明】 1 :閘極驅動器 2 :源極驅動器 3 :液晶驅動電壓發生電路 4 =液晶顯示控制器 5 :液晶面板

6 ： MPU 12 :顯示資料RAM 1 3 :線緩衝器 1 4 :階調電壓選擇電路 1 5 :開關電路 1 6 :階調電壓生成電路 1 8 :選擇電路 1 9 :動作切換開關 20 :放大電路 -21 - (18) . (18) .1278647 2 1 :試驗模式切換電路 22 :比較電壓生成電路 2 3 :比較電壓電阻 24 :緩衝電路 2 5 :開關 26 :解碼電路 CMP1〜CMPn :比較器 3 5 :試驗機 Φ 101a〜101i、 102a， 102b、 103a， 103b ：電晶體 10 4a，104b ：反轉閘極電路

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Claims (1)

1. (1) 1278647 十、申請專利範圍 1 . 一種半導體裝置，乃屬於具有液晶驅動電路的半 導體裝置，其特徵爲： 於前述半導體裝置的階調電壓試驗時，將以前述半導 體裝置的階調電壓生成電路生成的階調電壓和欲試驗前述 階調電壓所生成的比較電壓做比較，以前述試驗結果作爲 2値電壓並從前述半導體裝置的外部端子輸出。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的半導體裝置，其 中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲在前述半導體裝置的外 部所設定的電壓。 3. 如申請專利範圍第2項所記載的半導體裝置，其 中，具有欲輸入在前述半導體裝置的外部所設定的電壓的 端子。 4. 如申請專利範圍第2項所記載的半導體裝置，其 中，以前述半導體裝置的外部端子的任一個，作爲欲輸入 在前述半導體裝置之外部所設定的電壓的端子使用。 5. 如申請專利範圍第1項所記載的半導體裝置，其 中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲以形成在前述半導體裝 置之內部的比較電壓生成電路所生成的電壓。 6. 如申請專利範圍第5項所記載的半導體裝置，其 中，前述比較電壓生成電路乃具備電壓分壓手段，經由前 述電壓分壓手段將以前述階調電壓生成電路所生成的階調 電壓分壓而生成前述試驗電壓。 7. 如申請專利範圍第1項所記載的半導體裝置，其 -23- (2) 1278647 中，前述階調電壓的試驗乃爲使用比較前述階調電壓v x 與第一比較電壓（Vx +△ V )的結果以及比較前述階調電 壓Vx與第二比較電壓（Vx - △ V )的結果的兩者而實行 〇 8 .如申請專利範圍第1項所記載的半導體裝置’其 中，前述半導體裝置乃爲源極驅動器。 9.如申請專利範圍第8項所記載的半導體裝置’其 中，前述半導體裝置乃具有閘極驅動器及液晶驅動電壓發 生電路。 1 〇 . —種半導體裝置，乃屬於具有液晶驅動電路的半 導體裝置，其特徵爲： 前述液晶驅動電路乃具有：階調電壓生成電路、和接 收以前述階調電壓生成電路所生成的階調電壓，並選擇對 應階調的階調電壓的階調電壓選擇電路； 在前述半導體裝置的階調電壓試驗時，於前述階調電 壓選擇電路中，將以前述階調電壓生成電路所生成的階調 電壓和欲試驗前述階調電壓所生成的比較電壓做比較，以 前述試驗結果作爲2値電壓並從前述半導體裝置的外部端 子輸出。 11·如申請專利範圍第2項所記載的半導體裝置，其 中’前述階調電壓選擇電路乃具有複數開關電路，於前述 階調電壓試驗時，獲得第一開關電路和第二開關電路不同 的電壓値的比較電壓。 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項所記載的半導體裝置， •24- (3) 1278647 其中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲在前述半導體裝 外部所設定的電壓。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項所記載的半導體裝 其中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲以形成在前述半 裝置之內部的比較電壓生成電路所生成的電壓。 i 4 · 一種半導體裝置，乃屬於具有液晶驅動電路 導體裝置，其特徵爲： 前述液晶驅動電路乃具有：階調電壓生成電路、 取以前述階調電壓生成電路所生成的階調電壓並選擇 階調的階調電壓的階調電壓選擇電路、和暫時保持有 前述階調電壓選擇電路所選擇的階調電壓的資訊，使 階調電壓選擇電路獲得前述保持的資訊的緩衝器； 甚至前述階調電壓選擇電路乃具有：基於前述緩 的輸出來選擇以前述階調電壓生成電路所生成的階調 的選擇電路、 和於前述半導體裝置的階調電壓試驗時，將以前 擇電路所選擇的階調電壓和欲試驗前述階調電壓所生 比較電壓做比較，並放大該些電壓的差電壓，且以前 較結果作爲2値電壓從外部端子輸出的放大電路、 和作爲輸入到前述放大電路的資訊，選擇輸出前 較電壓或前述放大電路之中任一的動作切換開關。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所記載的半導體裝 其中，更具有連接於前述緩衝器，經由前述半導體裝 外部介面記憶保持前述緩衝器所獲得的資訊的記憶手j 置的 置， 導體 的半 和收 對應 關以 前述 衝器 電壓 述選 成的 述比 述比 置， 置的 -25- (4) 1278647 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項所記載的半導體裝置， 其中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲在前述半導體裝置的 外部所設定的電壓。 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項所記載的半導體裝置， 其中，前述階調電壓的試驗電壓乃爲以形成在前述半導體 裝置之內部的比較電壓生成電路所生成的電壓。 1 8 · —種半導體裝置之試驗方法，乃屬於具有液晶驅 動電路的半導體裝置之試驗方法，其特徵爲具備： 於前述半導體裝置的階調電壓試驗時，將以前述半導 體裝置的階調電壓生成電路生成的階調電壓和欲試驗前述 階調電壓所生成的比較電壓做比較之步驟， 及前述試驗結果是使用從前述半導體裝置的外部端子 輸出的2値電壓，進行前述半導體裝置的階調電壓的試驗 之步驟。 19·如申請專利範圍第1 8項所記載的半導體裝置之 試驗方法，其中更具備，於前述階調電壓試驗時，前述半 導體裝置的外部端子和試驗機的比較器乃電性連接，使用 從前述外部端子輸出的2値電壓並以前述試驗機的比較器 一倂做階調試驗之步驟。 2 0 · —種半導體裝置之試驗方法，乃屬於具有液晶驅 動電路的半導體裝置的試驗方法，其特徵爲： 具備： 將以前述階調電壓生成電路生成的階調電壓和欲試驗 前述階調電壓所生成的比較電壓利用前述階調電壓選擇電 -26- 1278647

   路做比較之步驟， 及前述試驗結果是使用從前述半導體裝置輸出的2値 電壓，進行前述半導體裝置的階調電壓的試驗之步驟； 前述液晶驅動電路乃具有：階調電壓生成電路、和收 取以前述階調電壓生成電路生成的階調電壓的階調電壓選 擇電路。 2 1·如申請專利範圍第20項所記載的半導體裝置之 試驗方法，其中更具備，於前述階調電壓試驗時，前述半 導體裝置的外部端子和試驗機的比較器乃電性連接，使用 從前述外部端子輸出的2値電壓並以前述試驗機的比較器 一倂做階調試驗之步驟。 -27- 1278647 第93131824號專利申請案 中文圖式修正頁 民國95年11月3日修正 第3圖

   1278647 第m °i^m 日修(更)正本 V(伏特)

   1278647 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第（2)圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 2 ： 源極驅動器 12 顯 示 資 料 RAM 13 線 緩 衝 器 14 階 =EEI δ周 電 壓 >ΒΒ 擇 電 路 15 開 關 電 路 16 階 調 電 壓 生 成 電 路 18 培 擇 電 路 19 動 作 切 換 開 關 20 放 大 電 路 2 1 試 驗 模 式 切 換 電 路 35 試 驗 機 64 巳 m 擇 電 路 Vx •階 調 電 壓 S 1 〜Sr L · 外 部 丄山 m 子 CMP 1 - -CMPn • 比 較 器 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯'示發明特徵的化學 式：