CN102938258A - 半导体测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行16次测试，也不需采用编程语言进行选择，进一步的缩短了总的测试时间，同时使得测试操作变得更加简捷。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体测试方法。
背景技术
在半导体制程中，有半导体测试这一步骤，半导体测试的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。
Flash存储器作为一种常用器件，其也需要进行相应参数的检测，对于这种器件，其擦除电压（VEE）和编程电压（VEP）的测试方法包括：在计算器（register）中载入一组数据，例如可以是编程电压，通常可以为16个，位于计算器的16个档位中；并通过在该档位下的值时烧断存储器中相应的保险丝，来不断调整到合适的电压（该过程被称作trim），在此过程中需要用到精确测试单元（precision measure unit，PMU）来量测，接着采用相应的计算机预言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的一个测得的值作为最终结果。
在现有的测试方法中，采用PMU装置进行测试，然而，该方法包括多个测量时间段和在利用每一个档位测试之后进行转换的时间段，如此便使得每次测试的时间约在几百微秒的范围内，这个时间范围对测试而言，是比较长的，尤其是一组测量16次时，每个存储器的测试时间将达到几秒甚至十几秒。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体测试方法，改善现有的测试技术，缩短测试时间，从而提高测试效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；
将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。
可选的，对于所述的半导体测试方法，所述电参数为写入电压或擦除电压。
可选的，对于所述的半导体测试方法，所述第一基准、所述目标参数及所述第二基准成等差数列。
可选的，对于所述的半导体测试方法，所述预定值和所述电参数最多为16个。
本发明提供的半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行16次测试，也不需采用编程语言进行选择，进一步的缩短了总的测试时间，同时使得测试操作变得更加简捷。
附图说明
图1为本发明一实施例的半导体测试方法的流程图；
图2为本发明一实施例的半导体测试方法的过程示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明半导体测试方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，本发明附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1和图2，本发明实施例提供一种半导体测试方法，测试待测单元，例如存储器的电参数，所述电参数包括写入电压和擦除电压，首先，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数即目标电压的值，例如在某一存储器的擦除电压的测试中，目标电压的值为5Ｖ，所述第一基准VOH和第二基准VOL可以根据实际要求的不同，并结合生产经验进行设定，需要满足的是，所述目标参数需要小于所述第一基准VOH，且大于所述第二基准VOL，除非有特殊的要求，在一般情况下，所述第一基准VOH、所述目标参数及所述第二基准VOL成等差数列，其公差则为可接受的偏差，例如在该测试中，可接受偏差为0.1，则VOH为5+0.1=5.1，那么VOL为5-0.1＝4.9；
在通常的测试过程中，可将预定值标记为0x00、0x01……0x0f，共16个预定值，范围在3V~8V之间，且按升序或降序排列，在其他实施例中，也可以少于16个，例如可以是8个，将一个预定值赋予待测单元，在此优选为按序赋予，接着由测试机比较该预定值下存储器的擦除电压与所述第一基准VOH和第二基准VOL的关系，通常在大于第一基准VOH时为电平1，小于第二基准VOL是为电平0，所述测试机能够分辨出测试时存储器的擦除电压是电平1，电平0或者是位于二者之间，在二者接触时，可通过例如是传感器将结果直接在坐标中显示出，而所述坐标中则标出所述第一基准VOH、所述目标参数及所述第二基准VOL，以便能够直观的展现出三者的数值关系，若所述擦除电压在所述第一基准和第二基准之间，则认可该擦除电压并停止测试；
然而，在实际测试中，很难保证第一个擦除电压就满足要求，如图2中所示，第一个擦除电压为电平1，即大于5.1V，那么便将计算器中第二个预定值0x01赋予测试机，进行第二次测试，如此循环，在本实施例中，第四次测试的擦除电压落于VOH和VOL之间，那么该次擦除电压是符合要求，至此，便可停止测试，因为已经获得合格的值。
采用上述测试方法，每次测试所用时间极短，约在纳秒级别，且由于不使用PMU，能够大大的缩短单次测试的时间，而且总的测试次数通常小于16次，且不需要利用编程语言进行选择，这也进一步的缩短了所用时间，一个完整的测试过程仅需几百纳秒的时间，这要比现有的测试方法快得多。
考虑到实际情况，例如取值的规划和设备自身的情况，所述预定值最多为16个，若在经过16次循环后，依然不能够有一个电参数落在VOH和VOL之间，则应当停止测量并可判断此芯片trim失效，进而进行相应的处理，此乃业内常识，本申请将不做赘述。
上述实施例以擦除电压的测试为例对本发明进行了阐述，应当理解的是，图2中虽然有给出坐标轴的数据，但是本方法并不进行实际电参数的值的测量，仅是判断是电平1，电平0还是位于二者之间。此外，写入电压（或编程电压）及其他具有与现有技术中对擦除电压进行测试的方法相同或相似的测试对象皆可采用本发明的方法。
与现有技术相比，本发明提供的半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行16次测试，也不需采用编程语言进行选择，进一步的缩短了总的测试时间，同时使得测试操作变得更加简捷。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (4)
1.一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，其特征在于，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；
将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。
2.如权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述电参数为写入电压或擦除电压。
3.如权利要求2所述的半导体测试方法，其特征在于，所述第一基准、所述目标参数及所述第二基准成等差数列。
4.如权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述预定值和所述电参数最多为16个。
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103839596A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种嵌入式存储器修正的最优化方法 |
| CN104122871A (zh) * | 2014-07-29 | 2014-10-29 | 于兵 | 一种半导体测试数据实时监控系统及其方法 |
| CN105206305A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-30 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 通过测试程序增加flash器件窗口的方法 |
| CN110286312A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-09-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 电压修调方法 |
| CN112485626A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种功率器件质量等级分类方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1619328A (zh) * | 2003-11-07 | 2005-05-25 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体装置以及半导体装置的测试方法 |
| DE102006040821A1 (de) * | 2006-08-31 | 2008-03-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen von Ausgangssignalen einer integrierten Schaltung |
-
2012
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1619328A (zh) * | 2003-11-07 | 2005-05-25 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体装置以及半导体装置的测试方法 |
| DE102006040821A1 (de) * | 2006-08-31 | 2008-03-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen von Ausgangssignalen einer integrierten Schaltung |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103839596A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种嵌入式存储器修正的最优化方法 |
| CN104122871A (zh) * | 2014-07-29 | 2014-10-29 | 于兵 | 一种半导体测试数据实时监控系统及其方法 |
| CN104122871B (zh) * | 2014-07-29 | 2017-02-15 | 于兵 | 一种半导体测试数据实时监控方法 |
| CN105206305A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-30 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 通过测试程序增加flash器件窗口的方法 |
| CN105206305B (zh) * | 2015-09-22 | 2018-08-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 通过测试程序增加flash器件窗口的方法 |
| CN110286312A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-09-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 电压修调方法 |
| CN110286312B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-01-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 电压修调方法 |
| CN112485626A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种功率器件质量等级分类方法 |
| CN112485626B (zh) * | 2019-09-11 | 2022-05-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种功率器件质量等级分类方法 |
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