CN105206305A - 通过测试程序增加flash器件窗口的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法，包含：第1步，使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTP变化范围的测试；第2步，使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTE变化范围的测试；第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入某特定区间的芯片分入同一组；第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；第5步，重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTP变化范围的测试；第6步，重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTE变化范围的测试。本发明方法增加判断与调整步骤，提升flash器件窗口。

Description

通过测试程序增加flash器件窗口的方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域，特别是指一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法。
背景技术
目前存储器都普遍存在因为工艺差异或者漂移造成的flash器件的电压VT(VT包含VTE和VTP,VTE是指该flash单元为擦除状态时的存储管的电压VT,VTP是指该flash单元为编程状态时的存储管的电压VT)窗口漂移的现象，这种差异可以存在于一片晶圆内，一个批次内，甚至一个平台内。如图1所示，为同一个批次的多个不同晶圆芯片所对应的VTP/VTE分布图，那么该批次的flash窗口大小为：最差的VTP减去最差的VTE。
例如在SONOS为介质的存储器工艺平台中，由于同批次晶圆在生长ONO时分布在炉管的不同位置，因此导致了同批次的晶圆拥有不同的flash窗口，影响flash的整体窗口和良率。由于一个平台的测试条件是既定的，正常情况下不会因为平台内的某个晶圆flash器件VT窗口漂移而作调整。那么，为了兼顾平台内产品的正常的flash器件VT窗口漂移，平台设计时就要考虑到最差的情况，平台flash器件VT的窗口就会大大缩小，增加设计难度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法。
为解决上述问题，本发明所述的通过测试程序增加flash器件窗口的方法，包含如下的步骤：
第1步，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；
第2步，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；
第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；
第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值，使所有分组的芯片的VT值都向同一数值靠拢，分布收敛；
第5步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试；
第6步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。
进一步地，所述第3步中，测试程序根据设定的规则将每个芯片分别分入不同的区间分组，其分组规则为：
a,假设该平台的最佳VTE绝对值为X,某芯片的初始VTE绝对值为Y，而参考电流值每增加一个档位，VTE绝对值相应的增量为Z；
b,当(n+1)Z>(Y-X)>nZ时，将该芯片分入第n组；
c,对所有芯片分组完毕后，调整参考电流值的档位,如将第n组的参考电流-n个档位,这时Y≈X。
进一步地，所述第4步，flash器件的逻辑1与逻辑0必须通过对比参考电流实现，并且该参考电流能通过测试程序调整。
本发明所述的通过测试程序增加flash器件窗口的方法，对不同窗口的器件进行不同参考电流的补偿，优化flash产品因为工艺问题导致的窗口漂移的问题。
附图说明
图1是多个不同芯片所对应的VT分布示意图；
图2是本发明测试程序流程图；
图3是使用本发明方法得到的flash器件VT窗口。
具体实施方式
本发明所述的通过测试程序增加flash器件窗口的方法，包含如下的步骤：
第1步，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试。
第2步，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试。
第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；测试程序根据设定的规则将每个芯片分别分入不同的区间分组，其分组规则为：
a,假设该平台的最佳VTE绝对值为X,某芯片的初始VTE绝对值为Y，而参考电流值每增加一个档位，VTE绝对值相应的增量为Z；
b,当(n+1)Z>(Y-X)>nZ时，将该芯片分入第n组；
c,对所有芯片分组完毕后，调整参考电流值的档位,如将第n组的参考电流调低n个档位,这时Y≈X。
第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值，使所有分组的芯片的VT值都向同一数值靠拢，分布收敛。比如，在0.13μm节点的SONOS介质flash平台下，在正常测试VTE(擦除操作后的flash器件VT)后，增加判断语句，对VTE≥600mV的芯片做参考电流调整，Idac+4，即Idac提高4档。Idac指存储器芯片中参考电流的标志位，在其余外部环境一定的情况下，该标志位大小一定则参考电流一定。如果该标志位的大小发生变化，参考电流即跟随发生相应的变化。通常通过调整Idac数值的大小，来使参考电流大小发生相应的变化；对于VTE介于500mV和600mV之间的芯片做参考电流调整，Idac+2，即Idac提高2档；对于VTE≤500mV的芯片不做调整。这样所有的芯片最终的VTE都向500mV靠拢，分布收敛，flashVT窗口变大，如图3所示。flash器件的逻辑1与逻辑0必须通过对比参考电流实现，即在判断一个flash的单元所存储的数据是1还是0时，通过施加电压时读取该flash的电流，并将该电流与参考电流进行对比：如果该电流大于参考电流则判断为逻辑“1”或“0”；如果该电流小于参考电流则判断为逻辑“0”或“1”(具体是“1”还是“0”是根据不同的平台人为定义的)，并且该参考电流能通过测试程序调整。
第5步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试。
第6步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。
本发明在原有的flash器件VT测试后增加判断语句，如果该VT值介于某一个区间内，则对该芯片进行参考电流的调整或保持参考电流不变，程序可根据某个规则将每个芯片分别分入对应的组，并对各组的参考电流做不同的调整，使各组芯片的flash窗口趋于一致，从而增加flash的窗口。以0.13μm节点的SONOS平台所测得的数据，本发明方法使得flash器件的VT窗口提升了约0.1V。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法,其特征在于：包含如下的步骤：
第1步，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；
第2步，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；
第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；
第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值，使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；
第5步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试；
第6步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。
2.如权利要求1所述的一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于：所述第3步中，测试程序根据设定的规则将每个芯片分别分入不同的区间分组，其分组规则为：
a,假设该平台的最佳VTE绝对值为X,某芯片的初始VTE绝对值为Y，而参考电流值每增加一个档位，VTE绝对值相应的增量为Z；
b,当(n+1)Z>(Y-X)>nZ时，将该芯片分入第n组；
c,对所有芯片分组完毕后，调整参考电流值的档位,如将第n组的参考电流调低n个档位,这时Y≈X。
3.如权利要求1所述的一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于：所述第4步，flash器件的逻辑1与逻辑0必须通过对比参考电流实现，并且该参考电流能通过测试程序调整。
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