CN104637541A - 存储器测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，找到最小擦除时间；并用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。减少擦除测试所需要的时间；分阶段测试所述被测存储器存储单元的存储数据电流，形成所述存储单元的电流分布图，当所述被测存储器存储单元的存储数据电流异常时，则测试失败，立即停止测试，技术人员可以通过所述电流分布图分析出测试失败的原因，可以在保障所述被测存储器的存储单元擦写性能准确性的同时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试失败的原因，提高测试效率，进而提高产能。
Description
技术领域
本发明涉及存储器领域，尤其是一种存储器测试方法。
背景技术
存储器是各种通信电子的主要存储部件，并广泛用于其它电子设备中。对半导体存储器的基本要求是高精度，大容量，低功耗、数据保存时间长，可以在无须附加电压的条件下实现逐字的擦和写。具有擦写方便、迅速的特点，因此得到了广泛的应用。
擦写性能(endurance)是存储器可靠性性能的重要指标之一。现有的存储器擦写性能的测试方法，是将测试对象(芯片chip或模块block)进行不断地擦写动作，直到擦写到客户要求规格的两倍次数或者一直擦写到失效，这样做虽然能准确反映产品的擦写性能，但是该方法最大的问题是耗时太长。如某存储器产品要求擦写性能保证1000K，假设每次擦写需要5ms，那在完整的测试擦写性能时，需要耗时5ms×1000K＝5000s，还不包括通信时间，编程时间、读取时间等，使得测试效率低下，影响产能。
现有技术中还可以通过缩紧测试规格来缩短测试时间，一般是通过设立一个较严的规格，使其大于实际使用规格来进行存储器擦写性能的测试，但是效果并不太好。因为存储器性能测试不仅与设计有关系，还跟工艺制造有很大关系，如果采用缩紧测试方法，在工艺变化时，不能正确判断问题所在，也就是说，当所述存储器擦写性能测试失败时，不能确定是所述存储器的设计问题还是工艺制造问题，而且有可能得出相反的结论，这就说明单凭缩紧测试规格虽然能节约测试时间，但是不能得到准确的擦写性能评价。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储器测试方法，以解决存储器测试中耗时长、效率低以及工艺发生变化时无法确定测试失败原因的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：
测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；
使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。
优选的，在上述的存储器测试方法中，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到所述最小擦除时间。
优选的，在上述的存储器测试方法中，所述二分法测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间包括以下步骤：
S11：设定一第一边界值和一第二边界值；
S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边界值为第二边界值；
S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间。
优选的，在上述的存储器测试方法中，所述第一边界值为零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。
优选的，在上述的存储器测试方法中，对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流包括以下步骤：
S21：对所述被测存储器进行擦除操作；
S22：对所述被测存储器进行编程操作；
S23：对所述被测存储器进行读操作；
S24：重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，并且在重复的过程中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流，直到达到所述被测存储器的规定擦写次数，或者所述存储数据电流异常。
优选的，在上述的存储器测试方法中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流具体为：分阶段测试所述被测存储器的读操作电流。
优选的，在上述的存储器测试方法中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流为：在所述被测存储器的规定擦写次数内，多次测试所述被测存储器的存储数据电流。
优选的，在上述的存储器测试方法中，所述编程操作为向所述被测存储器中写入数据。
优选的，在上述的存储器测试方法中，所述读操作为从所述被测存储器中读出数据，若读出数据与写入数据相同，则所述被测存储器工作正常。
优选的，在上述的存储器测试方法中，所述写入数据包括：00、01、10、11。
在本发明提供的存储器测试方法中，先测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间，在对所述被测存储器进行擦写性能的测试过程中，用所述最小擦除时间进行擦除，并且分阶段测试所述被测存储器存储单元的存储数据电流，形成所述存储单元的电流分布图，当所述被测存储器存储单元的存储数据电流异常时，则测试失败，立即停止测试，技术人员可以通过所述电流分布图分析出测试失败的原因，从而可以在保障所述被测存储器的存储单元擦写性能准确性的同时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试失败的原因，提高测试效率，进而提高产能。
附图说明
图1为本发明实施例中存储器测试方法的流程图；
图2为图1中S1的流程图；
图3为图1中S2的流程图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
如图1所示，本发明提供了一种存储器测试方法，包括以下步骤：
S1：测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到所述最小擦除时间。较佳的，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，可以快速准确地找到所述最小擦除时间。
具体的，如图2所示，包括以下步骤：
S11：设定一第一边界值和一第二边界值。
在本实施例中所述第一边界值为零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。所述擦写时间包括所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间和擦写性能测试时间。
S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边界值为所述第二边界值。
具体的，所述第一擦除时间＝(所述第一边界值+所述第二边界值)/2＝(0+擦写时间)/2＝擦写时间/2。也就是说，所述第一擦除时间将所述被测存储器的擦除测试时间平均分为两个区间：(0，擦写时间/2]和(擦写时间/2,擦写时间]，如果所述第一擦除时间擦除测试通过，就在(0，擦写时间/2]范围内继续测试，如果所述第一擦除时间擦除测试失败，就在(擦写时间/2,擦写时间]范围内继续测试，减小了所述被测存储器存储单元的擦除时间的范围，加快了所述被测存储器存储单元的擦除时间确定的速度，提高了测试效率，在量产时，提高了产能。
S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小的擦除时间。
具体的，若所述步骤S12擦除测试成功，即以所述第一擦除时间擦除测试成功，则所述第一区间被修正为(0，擦写时间/2]，然后重复所述步骤S12，此时，所述第一擦除时间＝(0+擦写时间/2)/2＝擦写时间/4，再进行所述步骤S13。若本次擦除测试也通过，则所述第一区间被修正为(0，擦写时间/4]；若本次擦除测试失败，则所述第一区间被修正为(擦写时间/4，擦写时间/2]，然后再次重复所述步骤S12和所述步骤S13，直到找到能使得所述被测存储器存储单元的擦除测试成功的最小擦除时间。
若所述步骤S12擦除测试失败，即以所述第一擦除时间擦除测试失败，则所述第一区间被修正为(擦写时间/2,擦写时间]，然后重复所述步骤S12，此时，所述第一擦除时间＝(擦写时间/2+擦写时间)/2＝(3擦写时间)/4，再进行本步骤S13。若本次擦除测试成功，则所述第一区间被修正为(擦写时间/2,(3擦写时间)/4]；若本次擦除测试失败，则所述第一区间被修正为((3擦写时间)/4,擦写时间]，然后再次重复所述步骤S12和所述步骤S13，直到找到能使得所述被测存储器存储单元的擦除测试成功的最小擦除时间。
S2：使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。
具体的，如图3所示，包括以下步骤：
S21：对所述被测存储器进行擦除操作。
S22：对所述被测存储器进行编程操作。
具体的，所述编程操作为向所述被测存储器中写入数据。进一步的，所述写入数据包括但不限于00、01、10、11，还包括特定数据或者客户要求测试的数据。
S23：对所述被测存储器进行读操作。
所述读操作为从所述被测存储器中读出数据，若读出数据与写入数据相同，则所述被测存储器工作正常。
S24：重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，并且在重复的过程中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流，直到达到所述被测存储器的规定擦写次数，或者所述存储数据电流异常。
具体的，当所述写入数据为00时，重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，直到达到所述被测存储器的规定擦写次数，或者检测到的所述存储数据电流异常。同样，当所述写入数据为01、10和11时也是采用和00时一样的处理步骤，在此不再赘述。
进一步的，在进行擦写性能测试的过程中，分阶段测试所述被测存储器存储数据电流为读操作电流。且在所述被测存储器的规定擦写次数内，多次测试所述被测存储器的存储数据电流。具体的，如果所述被测存储器的规定擦写次数为200K，那么可以根据需要，可以分别在进行第10次、第10K次、第100K次以及第200K次的擦写性能测试时，检测所述被测存储器存储单元的读操作电流，从而形成所述被测存储器存储单元的电流分布图，如果所述读操作电流出现异常，技术人员可以根据所述电流分布图看出是工艺问题还是设计问题。当然，在本发明的其他实施例中，还可以根据需要，技术人员可以自行设定检测所述读操作电流的次数和时间，这是本领域技术人员所熟知的，在此不再赘述。
同时，如果重复的次数还没有达到所述被测存储器的规定擦写次数，但是检测到的所述存储数据电流已经出现异常，就说明所述被测存储器的擦写性能测试失败，就可立即停止测试，无需再进行下去，节省了测试时间，提高了测试效率。例如，如果所述被测存储器的规定擦写次数为200K，当在重复到第100K次的时候，所检测的所述存储单元的读操作电流出现异常，则说明此次擦写性能测试失败，无需再重复下去。
综上，在本发明实施例提供的存储器测试方法中，先测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间，在对所述被测存储器进行擦写性能的测试过程中，用所述最小擦除时间进行擦除，并且分阶段测试所述被测存储器存储单元的存储数据电流，形成所述存储单元的电流分布图，当所述被测存储器存储单元的存储数据电流异常时，则测试失败，立即停止测试，技术人员可以通过所述电流分布图分析出测试失败的原因，从而可以在保障所述被测存储器的存储单元擦写性能准确性的同时，缩短擦写性能测试的时间，确定测试失败的原因，提高测试效率，进而提高产能。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到最小擦除时间；
使用所述最小擦除时间对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流。
2.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，采用二分法来测量所述被测存储器存储单元的扇区擦除时间，以找到所述最小擦除时间。
3.如权利要求2所述的存储器测试方法，其特征在于，所述二分法测量被测存储器存储单元的扇区擦除时间包括以下步骤：
S11：设定一第一边界值和一第二边界值；
S12：以一第一擦除时间进行擦除测试，所述第一擦除时间为一第一区间的中间值，所述第一区间的左边界值为所述第一边界值，所述第一区间的右边界值为第二边界值；
S13：若所述步骤S12擦除测试成功，则将所述第一区间的右边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小擦除时间；若所述步骤S12擦除测试失败，则将所述第一区间的左边界值修改为所述步骤S12中的擦除时间，然后重复所述步骤S12和步骤S13，直到找到最小擦除时间。
4.如权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，所述第一边界值为零，所述第二边界值为所述被测存储器的擦写时间。
5.如权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述被测存储器进行擦写性能的测试，且在测试过程中分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流包括以下步骤：
S21：对所述被测存储器进行擦除操作；
S22：对所述被测存储器进行编程操作；
S23：对所述被测存储器进行读操作；
S24：重复所述步骤S21、所述步骤S22以及所述步骤S23，并且在重复的过程中，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流，直到达到所述被测存储器的规定擦写次数，或者所述存储数据电流异常。
6.如权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流具体为：分阶段测试所述被测存储器的读操作电流。
7.如权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，分阶段测试所述被测存储器的存储数据电流为：在所述被测存储器的规定擦写次数内，多次测试所述被测存储器的存储数据电流。
8.如权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，所述编程操作为向所述被测存储器中写入数据。
9.如权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，所述读操作为从所述被测存储器中读出数据，若读出数据与写入数据相同，则所述被测存储器工作正常。
10.如权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，所述写入数据包括：00、01、10、11。
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