TWI278504B - New compound capable of being used in organic layer of organic light emitting device - Google Patents

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TWI278504B
TWI278504B TW093133398A TW93133398A TWI278504B TW I278504 B TWI278504 B TW I278504B TW 093133398 A TW093133398 A TW 093133398A TW 93133398 A TW93133398 A TW 93133398A TW I278504 B TWI278504 B TW I278504B
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Description

1278504 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於能夠被使用於有機發光元件之有機物 層中之新穎化合物，及利用其之有機發光元件。 【先前技術】 通常有機發光現象係指利用有機物質來將電能轉·換為 光能之現象。具體上，係有機物質位於正極與負極之間時， 在二電極之間施加電壓時，正極有正電洞、負極有電子注入 有機物層。所注入之正電洞與電子會合時形成激子 (exciton)，該激子再次掉落到底能量狀態時會發光。 前述有機物層通常為了提升有機發光元件之效率和安 全性，係分別以不同的物質構成之多層構造來形成居多，為 了得到高發光效率，二電極所提供之正電洞和電子的注入量 必須相似。但是在一有機物質内之正電洞和電子之移動度的 差距大。因此，藉由各自分別形成正孔輸送層、發光層以及 電子輸送層，正電洞和電子可以有效地在發光層進行傳達， 可以使正電洞和電子之密度均衡、提高發光效率。 使用如前述之有機發光元件之發光材料可以區分為來 自〜激發狀態之螢光材料、以及來自三重激發因素之磷 光材料。又，依照發光色可以區分為藍色、綠色、紅色發光 材料、以及為了更能顯現然優良天然色所必要的黃色及橙色 發光材料。構成發光層之有機物質會因某些因素而改變從有 機發光元件所發出光的顏色，利用各自發出紅色光、綠色光 1278504 以及藍色光之有機物質，可以顯現完全顏色（full color)。 為了藉由色純度之增加以及能量轉移來增加發光效率 而常使用基質/摻雜劑系。該原理係若在發光層混合少量能 量區域間隙比形成發光之基質小的摻雜劑時，從基質發生之 激子會被輸送至摻雜劑而發出效率高的光。因為此時基質的 波長會往接近摻雜劑波長移動，依照所利用摻雜劑之種類可 以得到希望波長的光。 發光物質當中，紅色發光材料在本質上能量效率較 低，有在高濃度時因為通過7Γ電子（pi-electrons)之分子間的 相互作用會擴大而有引起發光衰減（quenching)效果、以及因 為廣闊發光範圍所引起的色純度下降等之缺點。以往如此紅 色發光材料之缺點被指出係完全顏色（full color)有機發光 元件之實用化上的最大問題點。因為前述之問題點，目前所 使用之方法係從單獨使用紅色發光材料改為如前所述之利 用從基質物質轉移能量至屬於摻雜劑之紅色發光物質，來改 善效率及色純度。 但是，但是基質/摻雜系之發光元件，會有基質發光、 或是在高電壓發生摻雜劑捕獲（trapping)而造成色純度 (color purity)下降之傾向。如此現象會導致自基質轉移能量 變差。 H am ad a 等人之文獻[Applied Phys. Lett. 75、 1682(1999)]，係製造在發光層含有2種以上摻雜劑之有機電 場發光元件，可以解決如前述發光效率及色純度之改善問題 之報告。但是，在元件之實際生產上，同時進行蒸鍍基質物 1278504 質和2種摻雜劑質係非常不容易之步驟。而且，使用1種摻 雜劑或是使用2種以上的摻雜劑都會增加電流密度而使光波 長往橙色帶移動。 因此，在該技術領域一直要求開發一種發光效率和色 純度高之發光物質。 【發明内容】 本發明者希望藉由分子設計可以提供一種能夠解決分 子間相互作用所發生問題之發光材料。因此，藉由導入來自 樟腦醌（camphorquinone)、以立體性大的環烷基作為主要發 光部分之嘧吩说啡分子骨架，又，在前述來自樟腦醌 (camphorquinone)之環烷基中導入取代基（Rg)來形成具有對 掌性（chirality)碳之環烷基，藉由例如光學鏡像異構物之非 對稱化合物來製造前述發光材料。在光學鏡像異構物或是消 旋體在有機物層中導入前述發光材料，可以最大限度地減少 化合物等之間的相互作用。結果，藉由減少化合物等之間的 相互作用使發光衰減效果減小，能夠提供可以有效率地發出 色純度高的發光色、而且使用於有機發光元件時可以提升元 件的壽命、效率、熱安全性以及能夠低電壓進行驅動之化合 物。 本發明係提供下述式（1)之化合物。 1278504 [化學式1]
R2 在前式1， R〇係C1-6之低碳數烷基，
Ri及R2係相同或是不同，選自由氫，芳香族化合物 及其衍生物，五員或六員之雜環芳香族化合物及其衍生物， C1〜20之脂肪族碳氫化合物及其衍生物；含有被ci〜2〇之脂 肪族碳氫化合物及其衍生物取代或是未被取代之ci〜2〇烷 基胺，選自由被C1〜2〇之脂肪族碳氫化合物、芳香族化合 物、雜芳香族化合物、以及此等之衍生物組成群中i種以上 =基取代或是未被取代之含# C1〜2G烧基之芳燒基胺基，被 芳香族化合物、雜芳香族化合物及其衍生物取代或是未被取 代之芳基胺，以及被芳香族化合物、雜芳香族化合物及其衍 生物取代或是未被取代之矽或是硼化合物所組成群中；或= R1及R2可以形成稠合環(fused Hng);或是線形連結ri及 R2以聚合物之形式來形成式1化合物。 又，本發明提供前述式k化合物用於有機發光 之有機物層。 卞 以下詳細說明本發明。 本發明係提供前述式1之化合物。 前述式1之化合物係發光物質’特別是可以使用作為 6 1278504 、’彔色、只色、撥色或是紅色發光物質，可以使用於有機發光 元件作為發光基質或是摻雜劑。 月J述式1之化合物係藉由遂吩〃比味骨架之吸光或發光 而決疋主要波長。 本發明係如前述式丨所例示，其特徵為，噻吩[3,4_b]说 啡構造係藉由與立體性大之樟腦醌（camph〇rquin〇ne)化合物 進行縮合來直接連結環烷基。 因為藉由與立體性大之樟腦腿（camph〇rqUin〇ne)化合 物縮合而導入之環烷基，係立體性比較大的球形烷基，所以 可以增加化合物的熔點和玻璃轉移溫度，可以堅固分子構造 而具有高量子效率，使分子構造增大（bulky)時，可以減少因 為色純度下降（起因於受到立體性妨礙而引起發光衰減 (quenching)效果及廣闊發光範圍）等分子間的相互作用所發 生之副作用而提高分子本身的特性。又，式1之化合物藉由 在分子内導入前述立體性大的環烷基，可以抑制基質間的分 子間的相互作用，可以提升作為摻雜劑之機能。 又’立體性大之環燒基具有藉由吡啡骨架來推動收集 電子之任務，藉由與取代物R丨及R2之互相作用可以使發光 領域多樣化。前述式1之化合物為了調節波段可以導入適當 長度之共耗結合（conjugation)，或是導入如烷基胺基、芳烷 基fe基、芳基胺基等給電子（electr〇n-d〇nating)性質強的取代 基來發光’特別是提供在紅色領域效率高且安定的物質。 本發明之又另外一特徵所在，係藉由在遠吩[3,4-b]毗 味構造中位於連結说啡之環烷基上的取代基（R〇)來導入對掌 1278504 對稱化式：之化合物能夠形成例如光學鏡像異構物之非 σ物’進而能夠形成消旋體。 在有機Π CM之低碳數烧基之外，式1之化合物若可以 :=光元件中藉由有機物層來達成—定機能時， 代基時亦屬於本發明之範疇。 全邱都1之化合物係⑻-異構物時或是（r)-異構物時， =都可以藉由顯現前述提及之式^子構造㈣徵來 =肖:：：以1對1之方式含有⑻異構物時和⑻-異構 ==應用在有機發光元件中時，和各自應用前述 —、fc較時，在效率方面可以大約提高10%。因此， 月J = 1化合物以⑻異構物時和（R)異構物之混合物例 ’…匕。物為佳。其為消旋化合物時，可以使光學鏡像異 化。物等之間的相互作為減少至最大限度可以解決 如發光衰減或是色純度下降之問題點。 在式 1
Rl和R2係為了調節式丨化合物發光時的波 段之取代基，以说1 破可以進行追加共軛結合之長度、或是進行 給電子之任務或县& 疋祖冤干（electron-withdrawing)之任務之取 代基所取代為佳。 屬於前述 A 1之中心骨架之嘧吩[3,4-b]毗啡構造係吸 引電子的部分。而
阳且’位於噻吩之2,5-位置之R1和R2以能 夠作為給電子的A J /刀來達成與前述拉電子的部分調和之任 務為佳。可以推彡 逆仃給電子任務之取代基的例子，有烷基胺 基、芳基胺基、名：关& ^人 方香族化合物等。此等富於電子，當接近拉 電子的部分時，且女认&兩 ，、有給與電子而安定化之共振構造。藉此， 1278504 分子整體的構造可以安定化。
前述式1的化合物中，在R 在R1或疋R2含有芳香族化合 物時，該芳香族化合物的種類、右 裡賴，又有特別限制。其理由如下。 在前述式 1，芳香族彳卜人— + 、化。物在元全平面上與噻吩環連 結時，共輕結合長度增加時可 彡 曰f τ以彺長波長移動。但是，芳香 族化合物係可以從與嘧吩吡哜骨架的平面構造脫離程度之 立體性大的多重環，例如係被取代或未被取代之萎 (naphthalene)、蔥（anthracene)、 ；£(perylene)、拓（pyrene)等 受到立體妨礙之芳香族化合物時，不容易往長波長移動因 此’發光波ί又無法脫離紅色波段。因此，本發明所含有之芳 香族化合物的種類不會影響到式！之化合物可否在可視光線 内發光。但是，芳香族化合物的種類附帶地對化合物之熔點 及昇華溫度有影響。 前述之原理不只是R1及R2係芳香族化合物時，亦可 以應用於含有其衍生物或是芳香族化合物之芳基胺或是芳 烧基胺（aralkylamine)基時。 另一方面，在前述式1含有燒基時，亦即R1或是Μ 為燒基、或是被烧基取代之取代物時，該烧基之長度沒有特 別的限制。化合物中所含有之烧基的長度，因為不會影響到 化合物之共軛結度長度，所以對化合物之波長及元件特性沒 有直接的影響，但是附帶地化合物應用於有機發光元件的方 法，例如會影響到真空蒸鍍法或是溶液塗佈法之應用。因 此，式1構造可以含有的烷基的長度沒有特別限制。 以下，詳細說明前述式1之取代基R1及R2。 1278504 前述式1中之R1及R2，可以舉出之前述芳香族化合 物的例子有苯基、聯苯基、三聯苯基（terphenyl)等單環式芳 香族環等及蕃基、蔥基（anthracenyl)、芘基（pyrenyl)、茈基 (Perylenyl)等多環式芳香族環等。 前述雜芳香族化合物之例子可以舉出的有嘧吩基、< 喃基、吼咯基、咪峻基、逢唾基、哼嗅基、哼二ϋ坐基、喊二 唑基、三唑基、毗啶基、嗒啡（pyridazyl)基、吡啡基、峻琳 基、異啥琳基。
前述C1〜2 0之脂肪族碳氫化合物係含有全部的直鍵月匕 肪族碳氫化合物及支鏈脂肪族碳氫化合物，此等之例子有甲 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁美、 三級丁基、戊基、己基等烷基·，具有如苯乙烯基之雙鍵之婦 基》以及具有如乙快基之參鍵之快基。 前述在被取代或是未被取代之烷基胺其 ^ ^ 巫、牙跪基胺 基、方基胺基及碎或是糊化合物所含有之关禾 方杳族化合物化合 物 物 脂肪族碳氫化合物、烷基等如前述所例示。 前述式1中之R1及R2之具體例為下逃 但不限於此等^ 工
所示之化合
10 1278504
11 1278504
在前述式， R3係芳香族碳氫化合物及此等之衍生物；五員環或六 員環所構成之雜芳香族化合物及其衍生物；C1〜20之脂肪族 碳氫化合物及此等之衍生物；或是C5〜2〇之環烷基。 X係芳香族碳氫化合物及其等之衍生物；五員環或六 員環所構成之雜芳香族化合物及其衍生物；C i〜20之脂肪族 碳氫化合物；C5〜20之環烷基或是氫、芳基胺基、芳烷基胺 基、烷基胺基、芳氧基、腈基、甲醯基、乙醯基、苄基、醯 胺基、酯基、苯乙烯基、乙炔基、烷氧基、芳氧基、烷基硫 氧（alkylthioxy)基、芳基（aryithi〇xy)基；可以形成稠合環 (fused ring) 〇 在前述R3及X之前述芳香族化合物的例子，係和前 述R1及R2所例示之芳香族化合物的例子相同。在前述R3 及X之前述雜芳香族化合物的例子，和前述r 1及r2所例 示之雜芳香族化合物的例子相同。 在前述R3及X之脂肪族碳氫化合物的例子，可以舉 蚤的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二 級丁基、三級丁基、正戊基、2 -乙基己基等C1〜2 0程度之直 鏈或是支鏈烷基。如此之烷基亦可以被取代，可以舉出的取 12 1278504 代基有芳基、烷氧基、硝基、腈基、齒原子等。 前述式1的化合物之具體例有下述式1 -1至1 -41所示 之化合物，但不限於此等。 [化學式1-1]
[化學式1-2]
[化學式1-3]
[化學式1-4] 13 1278504
[化學式1-5]
[化學式1-7]
[化學式1-8] 1278504
[化學式1-10]
[化學式1-11]
15 1278504 [化學式1-12]
[化學式1-13]
[化學式1-14]
16 1278504 [化學式1-16]
[化學式1-17]
17 1278504 [化學式1-19]
雜 18 1278504 [化學式1-22]
19 1278504 [化學式1-25]
[化學式1-26]
[化學式1-27]
[化學式1-28]
20 1278504 [化學式1-29]
[化學式1-31]
21 1278504 [化學式1-32]
[化學式1-33]
[化學式1-34]
22 1278504 [化學式1-36]
在前述式，η係2以上之整數。 [化學式1-38]
在前述式，η係2以上之整數。 23 1278504 y [化學式1-39] Ro
N N
在前述式，n係2以上之整數，R4及R5係各自或同 時選自由氫、C1〜20之直鏈或支鏈的脂肪族碳氫化合物； C 1〜2 0之直鏈或是支鏈的脂肪族碳氫化合物所構成之烷氧 基所組成群中，R4及R5亦可以形成環。 、[化學式1-40] 、，/
在前述式，η係2以上之整數 [化學式1-41]
N N
Ro
24 !2785〇4 在前述式，n係2以上之整數，R4及R5係各自或同時 選自由氫、C1〜20之直鏈或支鏈的脂肪族碳氫化合物；cl〜2〇 之直缝或是支鏈的脂肪族碳氫化合物所構成之烷氧基所組 成群中，R4及R5亦可以形成環。 在刖式1-37〜式1-41 ’ η之上限值以5〇為佳。 如前述式1-37及1-38化合物之高分子物質，可以利 用作為紅色發光物質，前述式1-39至K4]L之噻吩高分子物 質可以利用作為導電性高分子、電變色用物質。 通常，製造前述式1之化合物的方法如下，可以大致 分為2種類來進行說明。 第一種製造方法如下。 在二噚烷、四氫呋喃或是甲苯等有機溶劑以及如 K2C〇3或是Na/O3之驗的存在下，添加pd觸媒來使具有 R1取代物之硼酸（boronic acid)、具有R2取代物之硼酸及 2,5-二i化3,4-硝基噻吩進行結合。藉由Fe或是Sn來使如 此所得到之化合物中的硝基（NO2)還原成胺基（Njj2)。接著， 在乙醇、乙酸或是此等之混合溶液的存在下，使該化合物與 下述式3-1、3-2或疋3所示之樟腦酿（camph〇rqUin〇ne)反應 時，可以邊使水分子離去邊形成吡啡來製造式1之物質。 [化學式3-1] [化學式3-2] [化學式3]
25 1278504 前述製造方法可以用如下述之反應式來表示。 [反應式1 ]
R1B(OH)2 or R2B(OH)2 ->
R2 在前述反應式，X係鹵素。 第二種製造方法如下。 藉由如Br2或是NBS、Cl2或是NCS之鹵化劑，在3,4-二胺基噻吩之2,5-位置導入_素（X)。在乙醇、乙酸或是此 等之混合溶液的存在下，使所得到之2，5 -二鹵化-3，4 -二胺 基噻吩化合物與前述 3-1、3-2 或是 3所示之樟腦醌 (camphorquinone) 進行反應來製造雇吩 4 p片 (thianopyrazine)化合物。接著，在二卩？烧、四氫哇喃或是 曱苯等有機溶劑以及如 K2C03或是Na2C03之鹼的存在 下，添加P d觸媒來使所得到之噻吩毗啡化合物、具有R1 取代物之硼酸及具有R2取代物之硼酸進行結合，可以製 造前述式1之化合物。如此製造方法可以如下述反應式2 所示。 [反應式2]
在前述反應式，X係_素。 在前述製造方法，鹵素以溴（bromine)為佳。 前述式1 · 1至1 - 3 6之化合物可以利用前述2種類方法 26 1278504 中任一種來製造，但是如前述式I-37至1-39之化合物係 以利用第二種方法為佳。另一方面’刖述式1 - 4 0之高分子 化合物可以在前述方法中之第二種方法經過導入lS素之 步驟，或者不經過亦可以進行高分子合成。又，前述式丨-41 之高分子化合物可以利用前述2種類方法中任一種來製 造。 另一方面，前述式1-39、1-40及1-41之高分子物質可 以在合成單體（m〇n〇nier)後，藉由電聚合來製造如前述之鬲 分子。 前述之前述式1化合物的製造方法，在後述製造例將 更詳細地說明。 本發明提供一種有機發光元件’以依順序層疊之形態 含有第1電極、1層以上所構成之有機層及第2電極，其特 徵為，前述有機物層中至少1層係含有1種以上前述式1之 化合物。 本發明之有機發光元件所具有之構造，係含有基板、 正極、負極及位於正極與負極之間之1層以上有機物層。在 依照必要更將任務細 層可以達成許多任務 正極與負極之間存在之有機物層可以 分化而增加層的數目，相反地若是i 時，亦可以減少層的數目。 本發明之有機發光元件所呈有的 所八虿的構造，最好是能夠從 下面起含有基板、正極、正電洞層、不 層正電洞輪送層、發光層、 電子輸送層及負極。又，依照必要可 要了以在電子輸送層和發光 層之間另外夾有防止往正電洞之電 層（hole blocking layer) 有機發光元件之構造之例子如第 ......... 卞輸运層之正電洞抑制 至第 5圖所示，但 27 1278504 是未限定於此等。第i圖之例子顯示機物層被區分為4層， 第2圖之例子顯示發光層同時具有電子輸送層之任務和發光 層之任務。第3圖例示正電洞輸送層係同時具有正電洞注入 和正電洞輸送之任務，第4圖例示發光層係同時具有正電洞 注入層、正電洞輸送層、發光層之3種任務，在第5圖例示 發光層係同時具有正電洞注入層、正電洞輸送層之電子輸送 層、發光層之任務。 本發明之有機發光元件各自的層可以採用薄膜的形式 來形成’如此薄膜之形成係藉由各層所使用之物質，使用有 機發光元件之通常的製造方法來進行。例如可以利用 CVD(Chemical Vapor Deposition) ' EB(Electron Beam Vapor Deposition)、熱真空蒸鑛（thermal vapor deposition)、濺鍍 (sputtering)、在高真空（high vacuum)内進行熱真空蒸鍍 (thermal evaporation)、或是溶解在溶液後利用旋塗 (spin-coating) 、 輥 塗（roll-coating) 、 網 印 刷 (screen-printing)、浸塗(dip-coating) 、 刀塗佈(doctor blading)、喷墨印刷（inkjet printing)或是熱轉印法（thermal transfer)等方法來形成薄膜層。 前述式1之化合物可以使用於具有如前述構造之本發 明的有機發光元件作為發光材料，或者亦可以使用於幫助其 他摻雜劑發光之能量移動用發光基質或是摻雜劑。-前述式1 所示之化合物亦可以並用2種類以上，在不會損傷本發明性 的範圍内，前述式1之化合物亦可以與其他發光色素並用。 式1的化合物使用作為能量區域之間隙較基質小之摻 28 1278504 雜劑時，因為在基質所發生的激子被輸送至摻雜劑中，可以 發出效率高的光。又，式1之化合物具有導入立體性大的棒 腦酿·（camphorquinone)化合物之環烷基，特別是在環院基上 形成對掌性碳時，因為前述式1之發光材料可以形成消旋 體’可以減少分子之間的緊束（packing)現象而減少發光衰減 效果。 刚述式1之化合物使用作為摻雜劑時，可以在全體咬 是一部分層中摻雜含有該摻雜劑，可以在膜厚度方向均句推 雜，亦可以在膜厚度方向具有濃度分布。化合物之摻雜量相 對於基質材料，以1〇-3〜15重量％為佳，以〇.1〜1〇重量％為 更佳。 又，前述式1之化合物，除了如前述之發光特性以外， 可以在如正電洞注入、正電洞輸送、電子輸送或是電子注入 之有機發光元件之有機物層具有必要的其他特性。 在前述式1之化合物中，化合物1-1之HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital)值為 5.2eV。這與其他通常正電 洞傳送層之物質等所具有的HOMO值（5·1〜5.2eV)類似，因 為ITO之功函數（work function)為4.7eV，化合物可以 使用作為正電洞傳送層之物質。另一方面，可以預料夢由前 述式1之化合物可以增加共軛結合（conjugation)之長度、或 是形成高分子時會與屬於正電洞注入層物質之PED〇T具有 類似的HOMO值。另一方面，R1及R2被雜芳香族取代基、 特別是咪唑基、嚓唑基、噚唑基、吨啶基、吡啡基等取代時， 該等之HOMO變為接近5.7eV，此等之能量級位與屬於電子 29 1278504 傳il層之代表性的Alq3類似。以如此方式導人多種取代物 亦能夠轉換為具有卜型性質之物質。被苯基、蓁基等芳基取 代時曰I為在更短波長之橙色、黃色等能量區域間隙較大的 化合物’此等亦具有作為發光基質之作用。 最好在本發明之有機發光元件之發光層中含有前述式 1之化合物。在未另外形成發光層而使正電洞輸送層及/或是 電子輸送層兼具發光層之任務時，可以含有在正電洞輪送層 及/或是電子輸送層。 含有前述式1之化合物之有機發光元件可以提升壽 命、熱安全性等。藉由導入立體性大的環烷基，可以（1)增加 式1之化合物之熔點和玻璃轉移溫度而提升熱安全性，（2) 更發揮非晶形（amorphous)之特性，可以防止有發光元件動作 時發生之焦耳熱（Joule heat)所引起之結晶化導致元件的破 壞。 【實施方式】
為了有助於了解本發明’以下提出較佳製造例及實施 例。但是，下述之製造及實施例僅是為了更容易了解本發明 而提供，本發明並未限定在下述之製造例及實施例。 製造例1 式1_1之化合物的合成 1中間體之下述化合物的合成 30 1278504
在5〇〇m之燒瓶中加入17.2克（〇 ι莫耳A演化苯 克（0.24莫耳）蛾化苯、32克（〇8莫耳）氣氧化舒、〇〇4克 (0.04莫耳、0.4當夏）氣化銅⑴、以及〇 〇8克（〇⑽莫耳、〇 4
«I 當量）之1，10-啡琳，在^ 〇 C之氣軋環境下攪拌1 2小時。在 室溫使反應液沉降後，過滹去降 恩云除未溶解之固體鹽。使用甲苯 和蒸餾水進行2次萃取德，你，卢丄 後取传有機層並在減壓下去除甲苯 後，使用正己烷作為展開溶劑囍 W 由柱色譜來分離所得到有機 化合物。藉由少量的乙醇來你 &來使其沈澱後得到21克二苯基胺 基-4-漠苯（產率65%)。 1-2·中間體之下述化合物的合成
瓣 將17克（52.4毫莫耳彳箭、+、η , 、 、）引迷丨-1所製得之二苯基胺基-4- 溴苯溶解在200毫升四氫呋喃
* f在〜78 °C之氮氣環境下對 此極慢地加入三級丁基鉀（NB V uLl 52毫升、78.7毫莫耳、 2·5Μ戊烷溶液）。i小時後慢 欠丨又k地加入三曱基硼酸鹽（1 5 7毫 31 1278504 莫耳、1 8毫升）。3 0分鐘後去除冷卻容器在常溫下反應3小 時。反應結束後，添加IN HC1(100毫升），藉由乙醚萃取。 使用無水硫酸鎂對來使其乾燥、在減壓下濃縮後，加入醚進 行結晶化’過濾及乾燥得到9 · 8克二苯基4 -胺基苯硼酸（產 率 65%)。 [M + H] + 325 1 -3中間體之下述化合物的合成
將3克（9¾莫耳）2,5 -二漠-3,4 -二硝’基遠吩及8克（27.7 毫莫耳）前述1-2所製得之二苯基4-胺基苯硼酸溶解於5〇毫 升四氫呋喃（THF)中。將該混合物、55亳升之2M碳酸鉀 (K2C03)、以及肆（三苯基膦）鈀（〇)(pd(pph3)4、〇 Λ 克、〇 〇9 毫莫耳）加入250亳升之圓形燒瓶中、回流24小時。反應結 束後在常溫進行冷凍、去除四氫呋喃（THF)後，加入少量的 乙醉來過滤生成的固體’使用水及乙醇洗條後，在真空烘箱 乾燥。將前述固體加入乙酸乙酯中邊加熱邊攪拌，洗滌不純 物後過濾、乾燥，合成得到5克（7·6毫莫耳、產率：84%)之 2，5 -二（三苯基胺基）3,4 -二硝基噻吩。 [Μ + Η] + 660 1-4·下述iq化合物的合成 32 1278504
m 在40毫升四氫M(THF)、2Q毫升㈣H、ig毫升水 中加入5克(7.6毫莫耳)前述Μ所製得之2 5二(三苯基胺 基）3,4_二硝基峻吩，在此加人2.5克鐵粉末（Fe p〇wder)(44,7 毫莫耳、6當量)後，回流48小時。在室溫冷卻反應溫度後， 過濾未反應的Fe或是其鹽、Α站厭 、·^在減壓下從過濾液去除溶劑。 對此加入1〇〇毫升乙醇和50毫升水，進行授拌，得到硝基 已還原為胺基、2,5_位置被取代之未精製的3,4•二胺基喧吩 之固體化合物。 m 將0.5克（0.83亳莫耳）之箭冲 斗）之剛述所得到的化合物（未進一 步精製）、30亳升乙酸、0.14克（〇 宅美耳）（R)-樟腦醌 (campho咖臟e)，在12(rc授拌4M、時，形成固體 温中將其冷康，添加30毫升之乙醇並槐拌，過濾紅紫色的 固體。以乙醇洗滌後使其乾燥。以柱 色°曰（正己烷-THF:8/1) 將所仔之固體化合物精製後使用乙醇來 醉來使其沈澱，將其過濾 及乾紐製得0.5克（產率81%)前述式“丨之化合物。
熔點：239.9°C 33 1278504 !H NMR in CDC13 5 :8.15(d、2H)、8.02(d、2H)、 7.29(m、10H)、7.19(m、12H)、7.04(t、4H)、2.94((1、1H)、 2.25(m、1H)、2.00(t、1H)、1.52(d、2H)、1.36(s、3H)、l.ll(s、 3H)、0.74(s、3H) 吸收光譜：λ max 490nm (溶劑：2 x 10— 5M曱苯） 螢光光譜：λ max 641nm (激發波長492nm溶媒：2 χ 10_ 5M甲苯） [M + H] + 853 製造例2 式1-2之化合物的合成
在製造例1中除了使用消旋樟腦醌（camphorquinone)替 代1 - 4之（R)-樟腦醒（camphorquinone)以外’同樣實施前述製 造例1所述之方法，製得0.4克（產率67%)前述式1-2之化 合物。
熔點：255.3°C NMR in CDCh 5 :8.15(d、2H)、8.02(d、2H)、 7.29(m、10H)、7.19(m、12H)、7.04(t、4H)、2.94(d、1H)、 2.25(m、1H)、2.00(t、1H)、l,5 2(d、2H)、1.3 6(s、3H)、l.ll(s、 34 1278504 3H)、〇.74(s、3H) 吸收光譜··又max 49Onm (溶劑：2 χ 10一 5M曱笨） 螢光光譜：λ max 643nm (激發波長492nm溶媒：2 X 1〇-5M甲苯） [M + H] + 853 製造例3 式1-5之化合物的合成 3-1.中間體之下述式之化合物的合成
在26克（123宅莫耳）4->臭二級丁基苯、4.6克（4*9亳莫耳） 苯胺、7克（73毫莫耳、ι·5當量）三級丁氧基鈉、3〇3克（1 亳莫耳）Pd2(ba)、以及30.1克（1·5亳莫耳）P(t_Bu)中，加入 300亳升甲苯’在氮氣環境下回流1 〇小時。在室溫冷凍反應 液後’添加蒸顧水200毫升、攪拌。接著萃取曱苯層，使用 無水硫fee鎮將其乾燥後，過滤、在減壓下去除溶劑。使用正 己烷展開反應混合物藉由柱色譜進行精製，得到7 ·4克（2〇. 7 毫莫耳、產率：42%)之白色固體。 [M + H] + 358 3-2.中間體之下述式之化合物的合成 1278504
在100毫升1DMF中加入7.4克（2〇·7毫莫耳）前述3-1 所&成之化合物、授摔。在該反應溶液中加入克（2〇·7 毫莫耳）之NBS’在50 °C攪拌2小時後，注入2〇〇亳升蒸顧 水、攪拌。過濾所形成之固體，將其溶解在THF後，使用無 水硫酸鎂將其乾燥，在減壓下去除溶劑Thf，得到液體的反 應混合物，隨著時間經過反應混合物形成固體。對此加入5〇 亳升乙醇、攪拌後，洗滌不純物、過濾及乾燥，得到3 2克 (7·3亳莫耳、產率：35%)之期望的n，N，-三級丁基二苯基4-溴笨胺化合物。 m/z 43 6 3-3·中間體之下述化合物的合成
將3.2克（7.3亳莫耳）前述3_2所製得之化合物溶解在 80毫升THF中’在一 78°C之氮氣環境下對此極慢地加入8 36 1278504 亳升三級τ基卸…BuU、14毫莫耳、2 t4、i 7M戍烧溶 液)。1 "夺後k k地加入2 · 5亳升三曱基硼酸鹽(22毫莫耳、 3田量）3 G刀知後去除冷卻容器在常溫下反應3小時。反 應結束後，添力口 15〇亳升1NHC1&i〇〇毫升乙鍵，授摔工 小時後萃#使用無水硫對來使其乾燥、在減壓下去除 有機/合劑過濾所彳寸到之固體後，使用石油醚洗務後乾燥， 得到2克(5毫莫耳、產率:68%)之未精製的化合物。 3-4.中間體之下述化合物的合成
將在4毫升THF中溶解〇.6克（2毫莫耳）2,5_二^34 二硝基嘧吩所得到2克（5亳莫耳）前述3_3得到之化合物、’ 20毫升之2M碳酸鉀（κπο3)、以及肆（三苯基膦）鈀
(〇)(Pd(PPh3)4、（Μ克、〇·09毫莫耳）加入25〇亳升之圓形燒 回流24小時。反應結束後在常溫進行冷凍、去除J 瓶中 使用 &酸乙 到1.7 氫心南（THFm ’加入少量的乙醇。過濾生成的固體， 水及乙醇洗務後’在真空洪箱乾燥。將前述固體加入 醋中加熱及授拌後’洗滌不純物、過濾、乾燥，合成得 克（1.8毫莫耳、產率90%)之前述式之化合物 [M+H] + 885 37 1278504 3-5.下述1-5化合物的合成
在150毫升THF、5毫升EtOH、1〇毫弁★山 毛开水中加入1.7克 (1.8毫莫耳)前述3-4所製得之化合物，在此加入〇 6克鐵; 末（FeP〇Wder)(ll毫莫耳、6當量）後，回流48小時。在室； 冷卻反應溫度後，過渡未反應的Fe或是其鹽、在減壓下從 過濾液去除溶劑。過濾後以蒸餾水和正己烷洗滌後，得到： 有二胺基之被還原之未精製固體約1克。
將1克之前述所得到的化合物（未進一步精製）、3〇亳 升乙酸、0.28克（1.7亳莫耳）消旋樟腦醌（racemic camphorquinone)，在120〇c攪拌48小時。此時，形成固體。 在至温中將其冷/東’在反應物中添加3 〇毫升之乙醇並攪拌， 過濾紅紫色的固體，以乙醇洗滌後使其乾燥。以柱色譜（正 己烧-THF: 8/1)將所得之固體化合物精製後使用乙醇來使其 沈澱，將其過濾及乾燥製得〇·5克（產率81%)前述式1-5之 化合物。
熔點298°C !H NMR in CDC13 5 :8.1 l(d、2H)、7.98(d、2H)、 38 1278504 7_2 8(m、10H)、7.10(m、12H)、2.91(m、1H)、2.25(m、1H)、 2.00(t、1H)、1.52(d、2H)、1.36(s、3H)、1.0 9(s、3H)、0.72(s、 3H) 吸收光譜：λ max 500nm (溶劑：2 x 10一 5M甲苯） 螢光光譜·· λ max 652nm (激發波長500nm溶媒：2 x 1 0一 5M甲苯）
[M + H] + 955 製造例4 式1 - 6之化合物的合成 4-1.中間體之下述化合物的合成 o2n no2
將3·8克（1 1.4亳莫耳）2,5-二溴-3,4-二硝基噻吩、5克（29
亳莫耳、2·6當量）蓁2-硼酸、以及〇·〇5克（0.4莫耳％) Pd(PPh3)4，使用30毫升2Μ碳酸鉀（K2C03)溶液及50毫升 THF回流1 2小時後，使用製造1之1 -3相同方法進行反應， 得到4.2克（產率8 6%)之前述中間體化合物。 [M + H] + 427
39 1278504 使中間體化合物之4.2克（9.8亳莫耳）前述4-1所製得 之化合物與3.2克（58·8亳莫耳）Fe粉末，使用前述製造例1 中之1 -4相同方法進行反應，來合成二胺基噻吩。 接著除了使用〇 · 1 7克（1毫莫耳）消旋樟腦醌 (camphorquinone)替代 0.14 克（0.84 毫莫耳）（R)-樟腦醌 (camphorquinone)以外，同樣實施前述製造例1中之1-4所 述之方法，製得0.3克（產率60%)前述式1-6之化合物。
熔點：194.4°C lR NMR in CDC13 5 :8.8(s、2H)、8.64(s、2H)、 8.43(d、2H)、8.33(d、2H)、7.97(m、8H)、7.87(d、4H)、7.53(m、 8H)、3.05 (d、1H)、2.2 5(m、1H)、2.1 l(t、1H)、1.5 8(d、2H)、 1.46(s、3H) 、1.16(s、3H)、0.80(s、3H) 吸收光譜：λ max 450nm (溶劑：2 x 10_ 5M甲苯）
螢光光譜：又max 584nm (激發波長nm溶媒：2 X 10一 5M 甲苯）
[M + H] + 497 製造例5 式1-13之化合物的合成 5-1.中間體之下述化合物的合成
40 1278504 在500毫升之燒瓶中加入7 7克（〇 45莫耳）4-溴苯胺、 21.8克（0.1莫耳）3·碘甲苯、344克（〇·86莫耳、8.6當量）氫 氧化卸、0.18克（1.8毫莫耳、〇· 04當量）氯化銅⑴、以及〇36 克（1.8毫莫耳、〇·〇4當量）之ijo-啡啉（phenanthr〇Une),在 1 80 C之氮氣環境下攪拌！ 2小時。在室溫使反應液下降後， 過濾、去除未溶解之固體鹽。使用曱苯和蒸餾水進行2次萃取 後’取得有機層並在減壓下去除曱苯後，使用正己烷作為展 開溶劑藉由柱色譜來分離所得到有機化合物。藉由少量的乙 醇來使其沈澱後得到8克之3,3’-二甲基二苯基胺基-4-溴苯 (產率5 1 % )。 m/z 352 (M + ) 5-2.中間體之下述化合物的合成
應3小時。反應結束後，添加1N HQ (1〇〇毫 藉由乙醚萃取。使用無水硫酸鎂對來使其乾燥 ° 30分鐘後去除冷卻容器在 ’添加IN HC1 (1〇〇毫升）， 對來使其乾燥、在減壓下濃 41 12785〇4 縮後，加入崦進行結 化合物。 晶化，過濾及乾燥得到 1.8克（產率32%) [M + H] + 353 •3·中間體之下述化合物的合成
將〇· 5克（1.5毫莫耳）2,5-二溴-3,4-二硝基嘧吩及1.8克 (6毫莫耳）前述5-2所製得之硼酸溶解於30毫升四氫啖喃 (THF)中。將該混合物、20毫升之2莫耳濃度碳酸鉀（K2C03) 與以及肆（三苯基膦）鈀（〇)(pd(PPh3)4、0.1克、〇·〇9毫莫耳） 一起加入250毫升之圓形燒瓶中、回流24小時。反應結束 後在常溫進行冷；東、去除四氫咬喃（THF)後，加入少量的乙 醇來過濾生成的固體，使用水及乙醇洗滌後，在真空烘箱乾 燥。將前述固體加入乙酸乙酯中邊加熱邊攪拌，洗滌不純物 後過濾、乾燥，得到0.9克（1·2毫莫耳、產率：80%)之前述式 之化合物。 [Μ + Η] + 717 42 1278504 5-4.下述1-13化合物的合成
,八U y兄（i 2毫冥J
前述5-3所製得之化合物，A 加入〇·67克（12亳莫耳、1〇當 鐵粉末（Fe powder)後，回湳 • 机48小時。在室溫冷卻反應溫 後，過濾未反應的F e或是复臨 ,| 疋其鹽、在減壓下從過濾液去除 劑。加入少量的乙醇、過溏斗士、 愿生成的固體，以水及乙醇進朽 滌後，在真空烘箱乾燥得到約〇 τ4 0·8克未精製之固體。將〇 克該化合物與0·24克（1·4毫莫耳）樟腦醌 乙酸進行回流24小時後在
(camphorquinone)，使用 20 亳升
室溫將其冷卻。加入乙醇20亳升攪拌】小時後過濾。以柱 色譜（正己烧-乙酸乙S旨：8/1)精製後使用乙醇來使其沈殿，將 其過濾及乾燥製得0.37克（產率4〇%)前述式113之化合物。 熔點：207.9°C 咕 NMR in CDC13 δ : 8.1 3 (d、2H)、8 · 〇 ! (d、2H)、 7.17(m、8H)、6.98(m、8H)、6.87(m、4H)、2.93(d、1H)、 2.2 8 (m、1 3 H)、2 · 0 3 (q、1H )、1 · 5 2 (t、2 H )、i 3 5 (s、3 h )、 l_10(s、3H) 、0.73(s、3H) 43 1278504 吸收光譜：又max 499nm (溶劑：2 x 10一 5M甲苯） 螢光光譜：又max nm (激發波長nm溶媒：2 X 1〇 - 5M曱 [M + H] + 787 製造例6 式1-14之化合物的合成 6-1 ·中間體之下述化合物的合成 «»
將1克（4.5毫莫耳）2,5-二溴-3,心二硝基嗓吩、1·73克 (13.5毫莫耳、3當量）嗓吩2-硼酸、以及〇·〇5克（1莫耳％) (Pd(PPh3)4 (肆（三苯基膦）鈀（〇))，使用10亳升2MK2C03 溶液及20毫升 THF回流12小時後，使用製造1之1一3 相同方法進行精製，得到〇.4克（產率24.4%)之前述式化合 物0 _
使用前述製造例1中之1 -4相同方法，前述6-1所製得 之化合物與Fe粉末進行反應，來合成二胺基噻吩，將在乙 44 1278504 酸溶劑下使其與樟腦醌（camphorquinone)反應後之生成物， 使用柱色譜（n-HEX/EA:8/l)進行精製，製得〇·2克（收率：42%) 前述式1 -1 4之化合物。 熔點：Oil !H NMR in CDC13 ά :7.63(d、2H)、7.35(d、2H)、 7.12(t、2H)、3.00(d、1H)、2.47(m、1H)、2.06(m、1H)、1.53(d、 2H)、1.42(s、3H)、1.13(s、3H)、0.75(s、3H) 吸收光譜：λ max 485nm (溶劑：2 x 10_ 5M曱苯） 螢光光譜：λ max 630nm (激發波長481nm溶媒：2 x 10一 5M曱苯） [M + H] + 409 製造例7 式1-15之化合物的合成 7-1.中間體之下述化合物的合成
在8.4克（50毫莫耳）咔唑、16克（57亳莫耳、1.1當量）4_ 溴卜碘苯、6·4克（100亳莫耳、2當量）Cu、13.8克（100毫莫 耳、2 當量）K2C03、以及 0_〇5 克（1 毫莫耳）18-冠-6(18-Cr〇wn_6) 之混合物中，加入100亳升二氯苯，在氮氣環境下攪拌i 6 小時。在室溫使反應液下降後，過濾去除未溶解之固體鹽。 45 1278504 使用正己烷展開反應混合物藉由柱色譜來進行精製，得到 5·2克（16.1毫莫耳、產率32。/〇)。 m/z 322 (Μ十） 7·2·中間體之下述化合物的合成 〇
將5.2克（16.1毫莫耳）前述7-1所製得之化合物溶解在 8〇尾升THF中，在此，於—78〇c以極慢的速度添加13 7 亳升之三級丁基鋰（23.3毫莫耳、15當量17M戊烷溶液） 後。1小時後加入4·8毫升（46亳莫耳、3當量·）三曱基硼酸 鹽。30分鐘後去除冷卻容器在常溫下反應3小時。反應結束 後，添加30亳升之in HC1及乙醚100毫升，攪拌1小時後 萃取。使用無水硫酸鎂對來使其乾燥、過濾後在減壓下去除 有機溶劑。過濾所形成之固體後，使用石油醚進行洗滌後， 乾燥得到3·8克（5毫莫耳、產率75%)未精製的化合物。 [Μ + Η] + 323 46 1278504 7-3 ·中間體之下述化合物的合成
在1〇〇毫升之圓形燒瓶中加入1.5克（4 5亳莫耳）25_ 二溴3,4-二硝基喊吩、3克（10亳莫耳）前述7-2所得到之化 合物、20毫升之2M碳酸鉀（K2C03)、30毫升 THF、以及肆 (三苯基膦）鈀（〇)(Pd(PPh3)4、〇·1克、〇.〇9毫莫耳）、回流24 小時。反應結束後在常溫進行冷凍、去除四氫呋喃（THF)後’ 加入少量的乙醇來過濾生成的固體。使用水及乙醇洗蘇後’
-/irT 在真空烘箱乾燥。將前述固體加入乙酸乙酯中邊力”、、 蒼莫耳、產 拌，洗滌不純物後過濾、乾燥，得到1.2克（I·83 ®、
率：41%)之前述式之化合物。 [M + H] + 657 7-4·下述1-15化合物的合成
47 1278504 在150毫升THF、5亳升EtOH、以及l〇亳升水中加 入1·2克（1_83毫莫耳）前述7-3所製得之化合物，在此加入 0.6克（11毫莫耳、6當量）鐵粉末（Fe powder)後，回流48小 時。在室溫冷卻反應溫度後，過濾未反應的F e或是其鹽。 接著，在減壓下從過濾液去除溶劑。過濾後使用蒸餾水和正 己烷洗滌後得約1克未精製固體。
在2 0毫升乙酸中將1克如此得到之未精製、2，5 -位置 被取代之3,4-二胺基喳吩化合物和〇·17克（1毫莫耳）樟腦醒 (camphorquinone)以1 20°C攪拌48小時。在室溫將其冷凍後 在反應物中加入乙醇20毫升、攪拌。過濾紅紫色的固體使 用乙醇洗滌後使其乾燥。將所得到之固體化合物置使用石夕膠 吸附後，以柱色譜（正己烷/EA:8/1)精製。使用乙醇來使其沈 澱，將其過濾及乾燥製得0.1克（產率8 1 %)。
熔點336°C !H NMR in CDC13 δ :8.57(d、2H)、8.47(d、2H)、 8.20(d、4H)、7.50(m、16H)、3.08(d、1H)、2.32(m、1H)、 2.14(t、1H)、1.60(d、5H)、1.18(S、3H)、0.83(s、3H)
吸收光譜：λ max 450nm (溶劑：2 x 10 — 5M甲苯） 螢光光谱：Amax 582nm (激發波長446nm溶媒：2 χ i〇-5M曱苯） [M + H] + 727 以下提示在有機發光元件應用前述製造例所製得之化 合物之實施例。 實施例1 將薄膜塗佈有1000A厚度的lTO(indium Tin Oxide:氧 化銦錫）之玻璃基板放入溶解有洗條劑之蒸館水中，使用超 48 l2785〇4 9波進行洗滌。洗滌劑係使用Fisher co.之製品，蒸顧水係 使用Millipore co·製品之以過濾器過濾2次之蒸餾水。將塗 佈有ITO之基板使用蒸餾水洗滌30分鐘1次、每1〇分鐘超 音波洗滌一次重複二次。蒸餾水洗滌結束時順序地利用異丙 醇、丙酮、甲醇等溶劑進行超音波洗滌，使其乾燥後輸送至 電漿洗淨機。 利用氮電漿將前述基板洗淨5分鐘後將基板輸送至真 空蒸鍍器。
在ITO透明電極上以500A厚度熱真空蒸鍍下述式4 之六腈基六氮雜三鄰亞苯來形成正電洞注入層。 [化學式4]
在前述正電洞注入層上真空蒸鍍屬於正孔輸送物質之 下述式5的NPB(400A)來形成正電洞輸送層。 49 1278504 [化學式5]
NPB 在前述正電洞輸送層上，與屬於發光基質之下述式6-1 的Alq3同時以2%濃度混合蒸鍍前述製造例1所製成之式 1-1的化合物來形成300A厚度之發光層。 [化學式6-1]
在前述發光層上以200 A厚度真空蒸鍍作為電子注入及 輸送任務之下述式7的化合物而完成有機物層之薄膜形成。 50 1278504 [化學式7]
在前述電子注入及輸送層上依順序蒸鍍1 2人厚之氟化 链（LiF)和2 500入厚度之鋁來形成負極。在前述過程有機物 的蒸鑛速度維持為〇·3〜〇.8A/sec、氟化鋰的蒸鍍速度維持為 0.3A/sec、鋁的蒸鍍速度維持為i.5〜2.5A/sec。 在如前述所製成之有機發光元件流動1 〇〇niA/cm2之順 方向電流’結果形成6.47V之電場，此時以1931 CIE顏色 配置為基準時發光色相當x = 〇 512、y = 0.449，觀察到2386nit 免度的光譜。而且，以l〇〇mA/cm2的電流密度施加一定的直
流電流時’亮度降為初期亮度之5〇%以下所須要的時間（l〇 5) 為420小時。 實施例2 在形成發光層時除了使用下述式6之化合物作為發光 基質以外，使用和實施例1相同的方法來製造有機發光元件。 在如刖述所製成之有機發光元件流動l〇〇lnA/cm2之順 方向電流，結果形成5.60V之電場，此時以1931 CIE c〇1〇r coordinate為基準時發光色相當χ==〇 649、y=〇 337，觀察到 51 1278504 1891 nit亮度的光譜。而且，以loomA/cm2的電流密度施加 一定的直流電流時，亮度降為初期亮度之7 5 %以下所須要的 時間（L0.75)為1200小時。 [化學式6]
實施例3 在形成發光層時除了使用前述製造例2所製得1 -2之 化合物作為摻雜劑以外，使用和實施例1相同的方法來製造 有機發光元件。
在如前述所製成之有機發光元件流動100mA/cm2之順 方向電流，結果形成7.75V之電場，此時以1931 CIE顏色 配置為基準時發光色相當^ = 〇646、丫=〇351，觀察到1224114 亮度的光譜。而且，以1 〇0mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時’亮度降為初期亮度之7〇%以下所須要的時間（l〇 7) 為600小時〇 實施例4 在形成發光層時除了使用前述式6之化合物作為發光 基質、使用前述製造例2所製得之式1-2化合物作為摻雜劑 52 1278504 以外，使用和實施例1相同的方法來製造有機發光元件。 在如前述所製成之有機發光元件流動l〇〇mA/cm2之順 方向電流，結果形成6.22V之電場，此時以1931 CIE顏色 配置為基準時發光色相當χ=：0·653、y=0.345，觀察到I 888nit 壳度的光譜。而且，以lOOmA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時’亮度降為初期亮度之8〇%以下所須要的時間（l〇 8) 為6 0 0小時。 實施例5 在形成發光層時除了使用前述式6之化合物作為發光 基質、使用前述製造例3所製得之式1 - 5化合物作為摻雜劑 以外，使用和實施例1相同的方法來製造有機發光元件。 在如前述所製成之有機發光元件流動l〇〇inA/cm2之順 方向電流’結果形成6.38V之電場，此時以1931 CIE顏色 配置為基準時發光色相當x = 〇 667、y = 〇 331，觀察到875nit 冗度的光譜。而且，以l〇〇mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之95%以下所須要的時間（Lq 95) 為3 0 〇小時。 實施例6 在形成發光層時除了使用前述式6之化合物作為發光 基質、使用前述製造例4所製得之式1 -6化合物作為摻雜劑 以外’使用和實施例1相同的方法來製造有機發光元件。 在如W述所製成之有機發光元件流動i〇〇mA/cm2之順 方向電流，結果形成5.08V之電場，此時以193 1 CIE顏色 配置為基準時發光色相當χ = 〇·482、y = 〇.5〇5，觀察到3576nit 53 1278504 亮度的光譜。而且，以100m A/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之85%以下所須要的時間（L〇.85) 為50小時。 比較例1 在形成發光層時除了使用DCJTB作為摻雜劑以外，使 用和實施例1相同的方法來製造有機發光元件。 [DCJTB]
在如前述所製成之有機發光元件流動100mA/cm2之順 方向電流’結果形成9·02V之電場，此時以1 93 1 CIE 顏色 配置為基準時發光色相當χ = 0·616、y=〇 379，觀察到l〇37nit tc度的光譜。而且，以l〇〇mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之5〇%以下所須要的時間5) 為2 0 0小時。 比較例2 在形成發光層時除了使用前述式6的化合物作為發光 基質、使用DCJTB作為摻雜劑以外，使用和實施例i相同 的方法來製造有機發光元件。 在如前述所製成之有機發光元件流動1〇〇mA/cm2之順 54 !2785〇4 方向電流，結果形成5.48v之電場，此時以1 93 1 CIE顏色 配置為基準時發光色相當x = 〇 614、y=0.379,觀察到2958nit 亮度的光譜。而且，以l〇〇mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之5〇%以下所須要的時間（L〇.5) 為950小時。 比較例3 在形成發光層時除了未使摻雜劑以外’使用和實施例 1相同的方法來製造有機發光元件。 在如前述所製成之有機發光元件流動l〇〇mA/cm2之順 方向電流’結果形成5.70V之電場，此時以1931 CIE 顏色 配置為基準時發光色相當χ = 〇 331、γ=0·561，觀察到338 1nit 亮度的光譜。而且，以l〇〇mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之50%以下所須要的時間（L〇.5) 為400小時。 比較例4 在形成發光層時除了使用前述式6的化合物作為發光 基質、未使用摻雜劑以外，使用和實施例2相同的方法來製 造有機發光元件。 在如前述所製成之有機發光元件流動100mA/cm2之順 方向電流，結果形成5.35V之電場，此時以1931 CIE顏色 配置為基準時發光色相當x = 0.378、y=0.580，觀察到4134nit 亮度的光譜。而且，以100mA/cm2的電流密度施加一定的直 流電流時，亮度降為初期亮度之50%以下所須要的時間（L〇.5) 為750小時。 55 1278504 表1] 實施例 比較例 基質 摻雜劑 (濃度％) 電壓 (V) 最大 發光 波長 ㈣ 外部量子效 率 (%)/亮度 (cd/m2) @ 100mA 壽命(小時） (LA)* 色座標 (x'y) 實施例1 Alq3 式 1-1(2%) 6.47 642 1.47/2386 420(L0.5) (0.512、0.449) 實施例2 式6 式 1-1(2%) 5.60 640 2.33/1891 1200(L0.75) (0.638、0.358) 實施例3 Alq3 式 1-2(2%) 7.75 642 1.08/1224 600(L0.7) (0.646、0.351) 實施例4 式6 式 1-2(2%) 6.22 640 2.46/1888 600(L0.8) (0.653 > 0.345) 實施例5 式6 式 1-5(2%) 6.38 650 1.70/875 300(L0.95) (0.667、0.331) 實施例6 式6 式 1-6(2%) 5.08 570 0.24/3576 50(L0.85) (0.482、0.505) 比較例1 Alq3 DCJTB(2°/〇) 9.02 615 0.94/1037 200(L0.5) (0.616、0.379) 比較例2 式6 DCJTB(2%) 5.48 610 2.03/2958 950(L0.5) (0.614、0.379) 比較例3 Alq3 無 5.70 535 1.0/3381 400(L0.5) (0.33 卜 0.561) 比較例4 式6 無 5.35 540 1.21/4134 750(L0.5) (0.378、0.580) (LA)*之意思為Axl 00%減少時所須要的期間 如前述表1所示，有機元件應用式1的化合物時，顯 示紅色的色純度優良而且可以降低電壓驅動而提高使用壽 命0 使用式1 - 6的化合物作為摻雜劑之實施例6，和使用本 發明的化合物作為摻雜劑使用之其他實施例比較時雖然效 56 I278504 率較差，但是認為此情況II ώ^ 精由使用適當的基質時亦可以提供 理想的有機發元件。 比較例5
在形成發光層時除了在；Ί ^ X 了于】隹式1-1的化合物以被二甲基取 代來替代環烷基之化合物作兔旅Μ %^ u 口初邗為摻雜劑以外，使用和實施例i 相同的方法來製造有機發光元件。
以被二甲基取代來替代前述環烷基之化合物會以平面 (flat)形態互相層疊而產生分子間相作用，導致效率減少。實 際上以2%濃度摻雜在Alq3之實驗結果，式1-：1的化合物和 以被一曱基取代來替代前述環烷基之化合物比較量子效率/ 冗度（Quantumn Efficiency/Luminance(cd/m2)之結果，在 l〇〇mA/cm2環烷基時為Los/mvcd/m2)，另一方面，二甲 基時為 0.19/61(cd/m2)。 本發明之式1的化合物可以放出橙色或是紅色的光， 特別是可以提供一種熱安定性優良之高效率發光物質。又， 在有機發光元件之發光基或是摻雜劑使用前述式1之化合物
時，可以提高有機發光元件的壽命、能夠以以低電壓進行驅 動。 在不悖離本發明之申請專利範圍之思想及領域，本發 明當可以進行各式各種的修正及變更。因此清楚地知道在本 發明申請專利範圍之等價意思及範圍内之全部變化，都屬於 本發明之權利範圍内。 57 1278504 【圖式簡單說明】 第1至5圖係可以利用本發明之通常有機發光元件構造之例 示剖面圖。 【主要元件符號說明】
1 基板 2 正極 3 正電洞注入層 4 正電洞輸送層 5 有機發光層 6 電子輸送層 7 負極
58

Claims (1)

1278504 第P號翻案% >月修正 年月日修(¾)正讀换頁| 9 —. ____ .丄…r 拾、申讀專利範圍： 1. 一種下述式1之化合物： [化學式1]
在前式1， _ R〇係C1-6之低碳數烷基， R1及R2係相同或是不同，選自由氫，芳香族化合物 及其衍生物，五員或六員之雜環芳香族化合物及其衍生物， C1〜20之脂肪族碳氫化合物及其衍生物，含有被C1〜20之脂 肪族碳氫化合物及其衍生物取代或是未被取代之cl〜2〇燒 基胺，選自由被C1〜20之脂肪族碳氫化合物、芳香族化合 物、雜芳香族化合物、以及此等之衍生物組成群中1種以上 之基取代或是未被取代之含有cl〜2〇烷基之芳烷基胺基，被 方香族化合物、雜芳香族化合物及其衍生物取代或是未被取 φ 代之芳基胺，以及被芳香族化合物、雜芳香族化合物及其衍 生物取代或是未被取代之矽或是硼化合物所組成群中，或是 及R2可以形成稠合環（fused ring);或是線形連結Ri及 、物之形式來形成式1化合物。 •如申凊專利範圍第丄項之化合物，其中前述式丄的化合物 59 1278504 係選自由下述式ι_ι至卜41之化合物組成群中： [化學式1-1]
[化學式1-2]
[化學式卜4]
60 1278504 >
[化學式1-5]
[化學式卜6]
[化學式1-7]
[化學式1-8] 61 1278504
[化學式l-io]
[化學式1-11]
[化學式1-12] 62 1278504
[化學式1-13]
[化學式1-14]
[化學式1-16] 63 1278504
[化學式1-17]
[化學式1-18]
[化學式1-19] 64 1278504
[化學式1-21]
[化學式1-22] 65 1278504
[化學式1-24]
[化學式1-25] 66 1278504
[化學式1-26]
[化學式1-27]
[化學式1-28]
67 1278504 [化學式1-29]
[化學式1-30]
[化學式1-31]
68 1278504 [化學式1-32]
[化學式1-33]
[化學式1-34]
[化學式1-35]
69 1278504 [化學式1-36]
在前述式，η係2以上之整數’ [化學式1-38]
在前述式，η係2以上之整數’ 70 1278504 [化學式1-39]
在前述式，η係2以上之整數，R4及R5係各自或同 時選自由氫、C1〜20之直鏈或支鏈的脂肪族碳氫化合物’ C1〜20之直鏈或是支鏈的脂肪族碳氫化合物所構成之烷氧基 所組成群中，R4及R5亦可以形成環， [化學式1-40]
在前述式，η係2以上之整數， [化學式1-41] ❿
71 1278504 在前述式，η係2以上之整數，R4及R5係各自或同時 選自由氨、C1〜20之直鏈或支鏈的脂肪族碳氫化合物；C1〜20 直鍵或疋支鏈的脂肪族碳氫化合物所構成之院氧基所組 成群中，R4及R5亦可以形成環。 3 ·如申請專利範圍第1項之化合物，其中前述式1之化合物 係使用在有機發光元件作為發光材料。 4· 一種用以製造如申請專利範圍第1項之化合物之方法，包 含： (a) 在鹼存在下，添加pd觸媒來使具有R1取代基之硼酸、 具有R2取代基之硼酸及2,5_二鹵化3,‘二硝基喳吩進行結 口之步驟’在此’R1&R2之定義與申請專利範圍第1項中 之R1及R2的定義相同； (b) 使前述（a)之步驟所得到之化合物中的硝基（n〇2)還原成 胺基（NH；2)之步驟；以及 (c) 使前述（b)之步驟所得到之化合物與樟腦醌 (camphorquinone)反應之步驟。 5· —種用以製造如申請專利範圍第1項之化合物之方法， 包含： (a) 在3,4-二胺基噻吩之2,5_位置導入_素之步驟； (b) 使在前述（a)之步驟所得到之化合物與樟腦醌 (camphorquinone)反應來製造噻吩毗啡化合物之步驟；以及 72 1278504 (C)使具有R1取代基之硼酸及具有R2取代基之硼酸與前述 (b)之步驟所得到之2,5-二鹵化喹吩毗啡，在鹼的存在下添加 Pd觸媒來進行結合之步驟，在此，R1及R2之定義與申請專 利範圍第1項中之R1及R2的定義相同。 6. —種有機發光元件，依順序層疊之方式含有第1電極、1 層以上所構成之有機層、以及第2電極，其特徵為，前述有 機物層中至少1層係含有1種以上申請專利範圍第1或第3 項中所述之前述式1之化合物。 7. 如申請專利範圍第6項之有機發光元件，其中前述式1之 化合物係選自由（R)-異構物或是（S)-異構物及此等之混合物 所組成群中之1種類。
73
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