KR101417285B1 - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입 및 수송, 발광 물질 역할 등을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 출원은 2011년 6월 13일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2011-0056777호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.
본 명세서에서, 유기 전자 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자 소자이다.
유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-0027635호
본 발명자들은 신규한 구조를 갖는 화합물을 밝혀내었다. 또한, 상기 신규한 화합물을 이용하여 유기 전자 소자의 유기물층을 형성하는 경우 소자의 효율 상승, 구동 전압 하강 및 안정성 상승 등의 효과를 나타낼 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
이에 본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112012046626630-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X1은 N 또는 CR3이고, X2는 N 또는 CR4이고, X3은 N 또는 CR5이고, X4은 N 또는 CR6이고, Y1은 N 또는 CR7이고, Y2은 N 또는 CR8이고, Y3은 N 또는 CR9이고, Y4은 N 또는 CR10이고, X1 내지 X4와 Y1 내지 Y4 는 동시에 N은 아니며, R3 내지 R10은 각각 독립적으로 -(L)p-(Y)q 또는 하기 화학식 1A로 표시되고, 상기 R3 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 1A로 표시되며, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고, R3 내지 R10 중 인접하는 2 이상의 기는 단환식 또는 다환식의 고리를 형성할 수 있고,
[화학식 1A]
Figure 112012046626630-pat00002
L은 산소; 황; 치환 또는 비치환된 질소; 치환 또는 비치환된 인; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고;
R1 및 R2는 서로 연결되어 치환 또는 비치환의 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며, R1 및 R2가 고리를 형성하지 않는 경우, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C3∼C40의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6∼C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2∼C40의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2∼C60의 헤테로고리기이고,
R1, R2, 및 R1과 R2가 서로 연결되어 형성된 방향족 또는 헤테로 방향족의 단환식 및 다환식 고리는 각각 독립적으로, -(L)p-(Y)q 로 치환될 수 있으며,
L과 Y가 각각 2 이상 존재하는 경우 이들은 각각 독립적으로 서로 같거나 상이하고,
A는 각각 독립적으로 O, S 또는 Se 이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고;
Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
또한, 본 발명은 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 신규한 화합물은 다양한 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴아민기 등을 도입하여, 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층의 재료로서 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다.
도 1은 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 2는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 3은 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
도 4는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자 구조의 예시이다.
이하 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 신규한 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2가 연결되어 고리 1개를 형성한 경우는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112012046626630-pat00003
상기 화학식 2에 있어서,
X1 내지 X4, 및 Y1 내지 Y4는 상기 화학식 1에 정의한 바와 동일하며,
(N)n1에서 N은 질소원자를 의미하며, 질소원자가 벤젠고리 내의 탄소원자를 대신할 수 있음을 나타내고,
(N)n1에서 n1은 0 내지 6의 정수이며,
R11은 상기 화학식 1의 R3 내지 R10의 정의와 동일하고,
k1은 0 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2가 연결되어 고리 2개 이상의 다환식 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 3 또는 4로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112012046626630-pat00004
[화학식 4]
Figure 112012046626630-pat00005
상기 화학식 3 및 4에 있어서,
X1 내지 X4, 및 Y1 내지 Y4는 상기 화학식 1에 정의한 바와 동일하며,
(N)n1 및 (N)n2에서 N은 질소원자를 의미하며, 질소원자가 벤젠고리 내의 탄소원자를 대신할 수 있음을 나타내고,
(N)n1에서 n1은 0 내지 2의 정수이며,
(N)n2에서 n2는 0 내지 2의 정수이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 상기 화학식 1의 R3 내지 R10의 정의와 동일하고,
k1은 0 내지 4의 정수이고, k2는 0 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2가 고리를 형성하지 않는 경우, R1 및 R2는 R11 및 R12로 치환 또는 비치환된 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 질소(N) 원자를 포함하는 육각형의 헤테로방향족고리기일 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112012046626630-pat00006
상기 화학식 5에 있어서,
X1 내지 X4, 및 Y1 내지 Y4는 상기 화학식 1에 정의한 바와 동일하며,
(N)n1 및 (N)n2에서 N은 질소원자를 의미하며, 질소원자가 벤젠고리 내의 탄소원자를 대신할 수 있음을 나타내고,
(N)n1에서 n1은 0 내지 2의 정수이며,
(N)n2에서 n2는 0 내지 2의 정수이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서 정의한 R3 내지 R10의 정의와 동일하고,
k1은 0 내지 4의 정수이고, k2는 0 내지 4의 정수이다.
본 발명에 따른 화합물에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기들을 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다.
상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 12인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 12인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 연결된 알케닐기가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알키닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 12인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 에티닐기, 프로피닐기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 12의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 12인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는 오각형 또는 육각형 고리 내에 에테닐렌을 갖는 고리 화합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 12인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로 메톡시, 에톡시, 이소프로필옥시 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴옥시기는 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로 페닐옥시, 시클로헥실옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 알킬아민기는 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하고, 보다 구체적으로 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등을 들 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴아민기는 탄소수 5 내지 30인 것이 바람직하고. 보다 구체적으로 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸 아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나. 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 40인 것이 바람직하다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸벤 등을 들 수 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로아릴기는 이종 원자로 O, N, S 또는 P를 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 카바졸기, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 아크리딜기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012046626630-pat00007
상기 할로겐기로는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴렌기의 구체적인 예로는 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌닐기, 바이나프탈렌기, 안트라세닐렌기, 플루오레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페난트레닐렌기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로시클로알킬기로는 N, S 또는 O와 같은 이종원소를 포함하는 고리기를 들 수 있다.
또한, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 실릴기, 아릴알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
상기 화학식 1의 R1, R2, X1 내지 X4, Y1 내지 Y4, Ar1 내지 Ar3, 및 A는 추가의 치환기로 더 치환될 수 있고, 이들의 예로는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 실릴기, 아릴알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 니트릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure 112012046626630-pat00008
상기 화학식 6에 있어서,
Ar1 내지 Ar3, 및 A는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
m1은 0 내지 4의 정수이고, m2는 0 내지 4의 정수이며, 단 m1 및 m2가 동시에 0인 경우는 제외한다.
상기 화학식 1에서, 상기 Ar3은 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌기, 비나프탈렌기, 안트라센기, 플루오렌기, 크라이센기 및 페난트렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환 또는 비치환된 아릴렌기일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1에서, 상기 Ar3은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 아릴렌기일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012046626630-pat00009
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012046626630-pat00010
Figure 112012046626630-pat00011
Figure 112012046626630-pat00012
Figure 112012046626630-pat00013
Figure 112012046626630-pat00014
Figure 112012046626630-pat00015
이하, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법에 대하여 설명한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 축합반응, 스즈끼 결합 반응 등의 당 기술분야에 알려져 있는 일반적인 방법을 이용하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물들은 상기 화학식에 표시된 코어 구조에 다양한 치환체를 도입함으로써 유기 발광 소자에서 사용되는 유기물층으로 사용되기에 적합한 특성을 가질 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 어느 층에 사용해도 특성을 나타낼 수 있으나, 특히 다음과 같은 특성을 띨 수 있다.
치환 또는 비치환된 아릴아민기가 도입된 화합물들은 발광층, 정공 주입 및 정공 수송층 물질로 적합하며, N을 포함하는 헤테로고리기가 도입된 화합물들은 전자 주입, 전자 전달 층 및 홀 저지층 물질로 적합하다.
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물들의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드갭이 작은 성질에서부터 큰 성질을 갖는다.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질들은 HOMO를 따라 정공을 전달해 줄 수 있을 만큼의 에너지 준위를 갖게 하며, 발광층으로부터 LUMO를 따라 넘어오는 전자를 막아 줄 정도의 에너지 준위를 가질 수 있는 화합물이 될 수 있다. 특히, 본 화합물의 코어 구조는 전자에 안정적인 특성을 보여 소자의 수명 향상에 기여할 수 있다. 발광층 및 전자 수송층 물질에 사용되도록 치환체들을 도입하여 이루어진 유도체들은 다양한 아릴아민계 도펀트, 아릴계 도펀트, 금속을 함유한 도펀트 등에 적당한 에너지 밴드갭을 갖도록 제조가 가능하다.
또한, 상기 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물들은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기 전자 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 유기 전자 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 전자 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명의 유기 전자 소자에서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층, 및 전자 수송 및 전자 주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공 주입/정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 또는 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 도 4에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(105)에 포함될 수 있다.
도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.
도 3에는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송 및 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 상기 화학식 1의 화합물은 정공 주입/정공 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.
도 4에는 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송 및 발광층(105) 및 음극(107)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 전자 수송 및 발광층(105)에 포함될 수 있다.
본 발명의 유기 전자 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 수송층, 전자 수송 및 전자 주입을 동시에 하는 층, 또는 발광층 내에 포함되는 것이 보다 바람직하다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸화합물의), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)화합물의](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리화합물의 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
따라서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 제조예 1> 하기 화학식 1-1의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00016
Figure 112012046626630-pat00017
구조식 1-1A의 제조
2-브로모-4-클로로벤즈알데히드(11g, 50mmol)와 2-클로로 페닐보론산(7.8g, 50mmol)을 테트라하이드로퓨란(100ml)에 녹인 후 가열하여, 2M 탄산칼륨 수용액 100ml를 첨가하고 Pd(PPh3)4 (0.5g, 0.5mmol)을 넣고 12시간 교반하였다. 상온으로 낮춘 후 물층을 제거하고 유기층의 용매를 제거하여 갈색 오일의 구조식 1-1A(12g, 수율 96%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 251
구조식 1-1B의 제조
구조식 1-1A(12g, 48mmol)와 1,2-디아미노벤젠(6.2g, 57mmol)을 에탄올(200ml)에 녹인 후 Na2S2O5(10.9g, 57mmol)을 물(20ml)에 녹인 용액을 첨가한 후 6시간 동안 가열하면서 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 물(300ml)을 첨가한 후 생선된 고체를 여과하여 구조식 1-1B(14g, 수율 84%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 339
구조식 1-1C의 제조
구조식 1-1B(14g, 41mmol)와 NatBuO(4g, 41mmol)을 디메틸아세트아미드(200ml)에 녹인 후 가열하였다. 3시간 동안 교반 후 상온으로 냉각한 후 에탄올을 첨가한 후 생선된 고체를 여과하여 구조식 1-1C(12g, 수율 95%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 305
구조식 1-1D의 제조
구조식 1-1C(12g, 40mmol)와 비스(피나콜라토)디보론(12g, 47mmol), 포타슘아세테이트(12g, 118mmol)를 디옥산(150mL)에 녹인 후, 50℃로 온도를 올리고, Pd(DBA)2 (0.23g, 0.4mmol)와 P(Cy)3 (0.22g, 0.8mmol)를 첨가한 후 12시간 동안 가열 교반하였다. 반응 용액을 실온으로 냉각시킨 후, 증류수(100mL)를 가하고 메틸렌 클로라이드(100mL × 3)로 추출하였다. 유기층을 농축시키고 에탄올로 재결정하여 구조식 1-1D(14g, 수율 90%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 397
구조식 1-1E의 제조
디브로모벤젠(20g, 85mmol)을 테트라하이드로퓨란(100ml)에 녹인 후, -78℃로 냉각시켰다. n-BuLi(2.5M, 37ml, 93mmol)를 천천히 적가한 후 30분 동안 교반하였다. 클로로디페닐포스핀(17g, 76mmol)을 천천히 적가한 후 3시간 동안 교반한 후 상온으로 올린 후 물(100ml)를 가하고, 테트라하이드로퓨란으로 추출하였다. 유기층을 농축시키고 헥산으로 재결정하여 구조식 1-1E(20g, 수율 70%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 342
구조식 1-1F의 제조
구조식 1-1E(20g, 58mmol)을 트리클로로메탄(200ml)에 녹인 후, 과산화수소수(20ml)를 첨가한 후 12시간 교반하였다. MgSO4로 넣고 교반하여 물을 제거한 후 여과하여 농축시키고 헥산으로 재결정하여 구조식 1-1F(18g, 수율 85%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 358
화학식 1-1의 제조
구조식 1-1D(8.9g, 22.4mmol)와 구조식 1-1F(8g, 22.4mmol)를 테트라하이드로퓨란(200ml)에 가열하여 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액 100ml를 첨가하고 Pd(PPh3)4 (0.26g, 0.22mmol)을 넣고 12시간 교반하였다. 상온으로 낮춘 후 물층을 제거하고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 테트라하이드로퓨란과 아세톤으로 재결정하여 화학식 1-1(8g, 수율 65%)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 545
< 제조예 2> 하기 화학식 1-2의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00018
구조식 1-2A의 제조
1,4-디브로모벤젠 대신 2,6-디브로모나프탈렌을 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1E의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-2A를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 392
구조식 1-2B의 제조
구조식 1-1E 대신 구조식 1-2A를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1F의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-2B를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 408
화학식 1-2의 제조
구조식 1-1F 대신 구조식 1-2B를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-2를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 595
< 제조예 3> 하기 화학식 1-3의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00019
구조식 1-3A의 제조
구조식 1-1F(8g, 22.4mmol)와 4-히드록시페닐보론산(3.1g, 22.4mmol)을 테트라하이드로퓨란(200ml)에 가열하여 완전히 녹인 후, 2M 탄산칼륨 수용액 100ml를 첨가하고 Pd(PPh3)4 (0.26g, 0.22mmol)을 넣고 12시간 교반하였다. 상온으로 낮춘 후 유기층을 추출한 후, 용매를 날려 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 테트라하이드로퓨란과 헥산으로 재결정하여 구조식 1-3A(7g, 수율 84%)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 371
구조식 1-3B의 제조
구조식 1-3A(7g, 18.9mmol)를 아세토니트릴(200ml)에 녹인 후 퍼클로로부탄술포닐플로라이드(2.9g, 20.8mmol)와 2M 탄산칼륨 수용액 100ml를 첨가하고 가열한 후 12시간 교반하였다. 상온으로 낮춘 후 유기층을 추출한 후, 용매를 날려 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체는 클로로포름과 헥산으로 재결정하여 구조식 1-3B(9.5g, 수율 75%)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 653
화학식 1-3의 제조
구조식 1-1F 대신 구조식 1-3B를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-3을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 621
< 제조예 4> 하기 화학식 1-4의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00020
구조식 1-4A의 제조
구조식 1-1F 대신 구조식 1-2B를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-3A의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-4A를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 421
구조식 1-4B의 제조
구조식 1-3A 대신 구조식 1-4A를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-3B의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-4B를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 703
화학식 1-4의 제조
구조식 1-1F 대신 구조식 1-4B를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-4를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 671
< 제조예 5> 하기 화학식 1-5의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00021
구조식 1-5A의 제조
2-브로모-4-클로로벤즈알데히드 대신 2-브로모-5-클로로벤즈알데히드를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1A의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-5A를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 251
구조식 1-5B의 제조
구조식 1-1A 대신 구조식 1-5A를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1B의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-5B를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 339
구조식 1-5C의 제조
구조식 1-1B 대신 구조식 1-5B를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1C의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-5C를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 303
구조식 1-5D의 제조
구조식 1-1C 대신 구조식 1-5C를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1D의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-5D를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 395
화학식 1-5의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-5D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-5를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 545
< 제조예 6> 하기 화학식 1-6의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00022
화학식 1-6의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-5D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-2의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-6을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 595
< 제조예 7> 하기 화학식 1-7의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00023
화학식 1-7의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-5D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-3의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-7을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 621
< 제조예 8> 하기 화학식 1-8의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00024
화학식 1-8의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-5D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-4의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-8을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 671
< 제조예 9> 하기 화학식 1-9의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00025
구조식 1-9A의 제조
2-브로모-4-클로로벤즈알데히드 대신 2-브로모벤즈알데히드 2-클로로페닐보론산대신 2,4-디클로로페닐보론산을 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1A의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-9A를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 251
구조식 1-9B의 제조
구조식 1-1A 대신 구조식 1-9A를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1B의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-9B를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 339
구조식 1-9C의 제조
구조식 1-1B 대신 구조식 1-9B를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1C의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-9C를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 303
구조식 1-9D의 제조
구조식 1-1C 대신 구조식 1-9C를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1D의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-9D를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 395
화학식 1-9의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-9D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-9를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 545
< 제조예 10> 하기 화학식 1-10의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00026
화학식 1-10의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-9D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-2의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-10을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 595
< 제조예 11> 하기 화학식 1-11의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00027
화학식 1-11의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-9D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-3의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-11을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 621
< 제조예 12> 하기 화학식 1-12의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00028
화학식 1-12의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-9D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-4의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-12을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 671
< 제조예 13> 하기 화학식 1-13의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00029
구조식 1-13A의 제조
2-브로모-4-클로로벤즈알데히드 대신 2-브로모벤즈알데히드 2-클로로페닐보론산대신 2,5-디클로로페닐보론산을 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1A의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-13A를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 251
구조식 1-13B의 제조
구조식 1-1A 대신 구조식 1-13A를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1B의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-13B를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 339
구조식 1-13C의 제조
구조식 1-1B 대신 구조식 1-13B를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1C의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-13C를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 303
구조식 1-13D의 제조
구조식 1-1C 대신 구조식 1-13C를 사용한 것을 제외하고, 구조식 1-1D의 제조방법과 동일한 방법으로 구조식 1-13D를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 395
화학식 1-13의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-13D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-13를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 545
< 제조예 14> 하기 화학식 1-14의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00030
화학식 1-14의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-13D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-2의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-14를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 595
< 제조예 15> 하기 화학식 1-15의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00031
화학식 1-15의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-13D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-3의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-15을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 621
< 제조예 16> 하기 화학식 1-16의 화합물의 합성
Figure 112012046626630-pat00032
화학식 1-16의 제조
구조식 1-1D 대신 구조식 1-13D를 사용한 것을 제외하고, 화학식 1-4의 제조방법과 동일한 방법으로 화학식 1-16을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 671
< 실시예 1>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 피셔(Fischer Co.) 사의 제품을 사용하였으며, 증류수는 밀리포어(Millipore Co.) 사 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 NPB(400Å)를 진공 증착한 후 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 상기 제조예 1에서 합성한 화학식 1-1 화합물과 LiQ를 함께 (200Å)을 전자 주입 및 수송층으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 퀴놀레이트(LiQ)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기 전자 수송층의 비교예로 E1을 사용하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬퀴놀레이트는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다.
Figure 112012046626630-pat00033
< 실시예 2>
상기 실시예 1에서 전자 수송층으로 화학식 1-1 대신 화학식 1-5를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
< 실시예 3>
상기 실시예 1에서 전자 수송층으로 화학식 1-1 대신 화학식 1-7을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
< 실시예 4>
상기 실시예 1에서 전자 수송층으로 화학식 1-1 대신 화학식 1-8을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
< 비교예 1>
상기 실시예 1에서 전자 수송층으로 화학식 1-1 대신 E1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
상기 실시예와 같이 각각의 화합물을 전자 수송층 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112012046626630-pat00034
상기 결과와 같이, 본 발명에 따른 신규한 화합물은 다양한 치환기 등을 도입하여, 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층의 재료로서 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112014012530730-pat00035

    상기 화학식 1에 있어서,
    X1은 N 또는 CR3이고, X2는 N 또는 CR4이고, X3은 N 또는 CR5이고, X4은 N 또는 CR6이고, Y1은 N 또는 CR7이고, Y2은 N 또는 CR8이고, Y3은 N 또는 CR9이고, Y4은 N 또는 CR10이고, X1 내지 X4와 Y1 내지 Y4 는 동시에 N은 아니며, R3 내지 R10은 각각 독립적으로 -(L)p-(Y)q 또는 하기 화학식 1A로 표시되고, 상기 R3 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 1A로 표시되며, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,
    [화학식 1A]
    Figure 112014012530730-pat00036

    R1 및 R2는 서로 연결되어 치환 또는 비치환의 벤젠 고리를 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며, R1 및 R2가 고리를 형성하지 않는 경우, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C3∼C40의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6∼C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2∼C40의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2∼C60의 헤테로고리기이고,
    R1, R2, 및 R1과 R2가 서로 연결되어 형성된 벤젠 고리는 각각 독립적으로, -(L)p-(Y)q 로 치환될 수 있으며,
    L은 산소; 황; 치환 또는 비치환된 질소; 치환 또는 비치환된 인; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고;
    L과 Y가 각각 2 이상 존재하는 경우 이들은 각각 독립적으로 서로 같거나 상이하고,
    A는 각각 독립적으로 O, S 또는 Se 이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고;
    Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112014012530730-pat00053

    상기 화학식 2에 있어서,
    X1 내지 X4, 및 Y1 내지 Y4는 상기 화학식 1에 정의한 바와 동일하며,
    R11은 상기 화학식 1의 R3 내지 R10의 정의와 동일하고,
    k1은 0 내지 4의 정수이다.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    [화학식 5]
    Figure 112012046626630-pat00040

    상기 화학식 5에 있어서,
    X1 내지 X4, 및 Y1 내지 Y4는 상기 화학식 1에 정의한 바와 동일하며,
    (N)n1 및 (N)n2에서 N은 질소원자를 의미하며, 질소원자가 벤젠고리 내의 탄소원자를 대신할 수 있음을 나타내고,
    (N)n1에서 n1은 0 내지 2의 정수이며,
    (N)n2에서 n2는 0 내지 2의 정수이고,
    R11 및 R12는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서 정의한 R3 내지 R10의 정의와 동일하고,
    k1은 0 내지 4의 정수이고, k2는 0 내지 4의 정수이다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    [화학식 6]
    Figure 112012046626630-pat00041

    상기 화학식 6에 있어서,
    Ar1 내지 Ar3, 및 A는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
    m1은 0 내지 4의 정수이고, m2는 0 내지 4의 정수이며, 단 m1 및 m2가 동시에 0인 경우는 제외한다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar3은 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌기, 비나프탈렌기, 안트라센기, 플루오렌기, 크라이센기 및 페난트렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환 또는 비치환된 아릴렌기인 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar3은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 아릴렌기인 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure 112012046626630-pat00042
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure 112014012530730-pat00043

    Figure 112014012530730-pat00044

    Figure 112014012530730-pat00045

    Figure 112014012530730-pat00046

    Figure 112014012530730-pat00047

    Figure 112014012530730-pat00054
  9. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1, 2, 4 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함하고, 상기 층들 중 1층 이상이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층, 및 전자 수송 및 전자 주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함하고, 상기 층들 중 1층 이상이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  13. 청구항 9에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
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CN (3) CN103597053B (ko)
WO (3) WO2012173369A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170036642A (ko) 2015-09-24 2017-04-03 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8754114B2 (en) 2010-12-22 2014-06-17 Incyte Corporation Substituted imidazopyridazines and benzimidazoles as inhibitors of FGFR3
US9972784B2 (en) 2011-06-13 2018-05-15 Lg Chem, Ltd. Compounds and organic electronic device using same
EP3822273B1 (en) 2012-06-13 2024-04-10 Incyte Holdings Corporation Substituted tricyclic compounds as fgfr inhibitors
WO2014026125A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Incyte Corporation Pyrazine derivatives as fgfr inhibitors
US9266892B2 (en) 2012-12-19 2016-02-23 Incyte Holdings Corporation Fused pyrazoles as FGFR inhibitors
SG10201708520YA (en) 2013-04-19 2017-12-28 Incyte Corp Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors
KR101644688B1 (ko) * 2013-04-29 2016-08-01 주식회사 엘지화학 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
CN103374040B (zh) * 2013-07-02 2016-01-06 华南理工大学 一类含有三芳基磷氧及氮杂环功能基团的醇溶性阴极缓冲层分子型材料及其合成方法与应用
KR101695063B1 (ko) * 2013-09-30 2017-01-10 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
EP2860782B1 (en) * 2013-10-09 2019-04-17 Novaled GmbH Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
ES2673573T3 (es) 2013-12-23 2018-06-22 Novaled Gmbh Material semiconductor con dopaje N que comprende una matriz de óxido de fosfina y un metal dopante
KR20160114032A (ko) * 2014-01-31 2016-10-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
WO2015115529A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
US10297757B2 (en) 2014-01-31 2019-05-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element and electronic device
KR101542714B1 (ko) 2014-04-04 2015-08-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101537500B1 (ko) * 2014-04-04 2015-07-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20150115622A (ko) 2014-04-04 2015-10-14 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP2963697B1 (en) 2014-06-30 2020-09-23 Novaled GmbH Electrically doped organic semiconducting material and organic light emitting device comprising it
KR101772746B1 (ko) * 2014-08-12 2017-08-30 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US10851105B2 (en) 2014-10-22 2020-12-01 Incyte Corporation Bicyclic heterocycles as FGFR4 inhibitors
KR102285381B1 (ko) 2014-10-22 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9951270B2 (en) * 2014-10-30 2018-04-24 Lg Chem, Ltd. Multicyclic compound and organic electronic device using the same
EP3214085B1 (en) * 2014-10-31 2020-01-29 Heesung Material Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting element using same
KR20160067034A (ko) * 2014-12-03 2016-06-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102369595B1 (ko) * 2014-12-08 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
EP3059776B1 (en) 2015-02-18 2021-03-31 Novaled GmbH Semiconducting material and naphtofuran matrix compound
MX2017010673A (es) 2015-02-20 2018-03-21 Incyte Corp Heterociclos biciclicos como inhibidores de receptores del factor de crecimiento fibroblastico (fgfr).
MA41551A (fr) 2015-02-20 2017-12-26 Incyte Corp Hétérocycles bicycliques utilisés en tant qu'inhibiteurs de fgfr4
WO2016134294A1 (en) 2015-02-20 2016-08-25 Incyte Corporation Bicyclic heterocycles as fgfr4 inhibitors
TWI609024B (zh) * 2015-03-05 2017-12-21 Lg 化學股份有限公司 雜環化合物及含有其的有機發光元件
WO2016140549A2 (ko) * 2015-03-05 2016-09-09 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN111312912B (zh) * 2015-03-16 2023-01-06 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR102364221B1 (ko) 2015-03-23 2022-02-18 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP3079179A1 (en) * 2015-04-08 2016-10-12 Novaled GmbH Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
KR101778446B1 (ko) * 2015-06-05 2017-09-14 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2016204453A1 (ko) * 2015-06-19 2016-12-22 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
EP3109915B1 (en) 2015-06-23 2021-07-21 Novaled GmbH Organic light emitting device comprising polar matrix and metal dopant
EP3109916B1 (en) 2015-06-23 2021-08-25 Novaled GmbH Organic light emitting device comprising polar matrix, metal dopant and silver cathode
EP3109919B1 (en) 2015-06-23 2021-06-23 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant
JP2018527740A (ja) 2015-06-23 2018-09-20 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 極性マトリクスおよび金属ドーパントを含んでいる有機発光デバイス
KR101883665B1 (ko) * 2015-09-03 2018-07-31 성균관대학교산학협력단 유기 발광 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102494453B1 (ko) * 2015-10-05 2023-02-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102458684B1 (ko) 2015-10-08 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102541452B1 (ko) * 2015-11-04 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP3171418A1 (en) * 2015-11-23 2017-05-24 Novaled GmbH Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds
CN105367603B (zh) * 2015-12-04 2017-03-22 河南省科学院化学研究所有限公司 一种基于蒽的双膦杂六元环有机电致发光化合物、合成方法及其应用
KR102547685B1 (ko) 2016-02-22 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP3232490B1 (en) 2016-04-12 2021-03-17 Novaled GmbH Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer
KR101947622B1 (ko) 2016-11-30 2019-02-14 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
AR111960A1 (es) 2017-05-26 2019-09-04 Incyte Corp Formas cristalinas de un inhibidor de fgfr y procesos para su preparación
KR102536248B1 (ko) 2017-06-21 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102415376B1 (ko) 2017-08-04 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102380125B1 (ko) * 2017-08-22 2022-03-29 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP7418323B2 (ja) 2017-08-24 2024-01-19 ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ， アズ リプレゼンテッド バイ ザ セクレタリー， デパートメント オブ ヘルス アンド ヒューマン サービシーズ 遠赤および近ｉｒ範囲におけるシアニンフルオロフォアの配座の束縛
KR102599414B1 (ko) * 2017-09-21 2023-11-08 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN111406060B (zh) * 2018-02-02 2023-02-03 株式会社Lg化学 杂环化合物和包含其的有机发光元件
CN112566912A (zh) 2018-05-04 2021-03-26 因赛特公司 Fgfr抑制剂的盐
CN112867716A (zh) 2018-05-04 2021-05-28 因赛特公司 Fgfr抑制剂的固体形式和其制备方法
KR20190141053A (ko) 2018-06-12 2019-12-23 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN109020969B (zh) * 2018-08-20 2020-04-21 浙江工业大学 咪唑类衍生物及其制备方法与应用
KR102254303B1 (ko) * 2018-09-11 2021-05-21 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN109384786B (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 浙江工业大学 基于咪唑的同分异构体发光分子及其制备方法与应用
WO2020185532A1 (en) 2019-03-08 2020-09-17 Incyte Corporation Methods of treating cancer with an fgfr inhibitor
WO2021007269A1 (en) 2019-07-09 2021-01-14 Incyte Corporation Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors
CN112239479B (zh) * 2019-07-17 2021-07-02 华中科技大学 一种有机光电材料、制备方法及其应用与相应器件
AU2020366006A1 (en) 2019-10-14 2022-04-21 Incyte Corporation Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors
US11566028B2 (en) 2019-10-16 2023-01-31 Incyte Corporation Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors
KR20220131900A (ko) 2019-12-04 2022-09-29 인사이트 코포레이션 Fgfr 억제제의 유도체
EP4069696A1 (en) 2019-12-04 2022-10-12 Incyte Corporation Tricyclic heterocycles as fgfr inhibitors
CN115340547A (zh) * 2021-05-15 2022-11-15 石家庄诚志永华显示材料有限公司 氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置
US11939331B2 (en) 2021-06-09 2024-03-26 Incyte Corporation Tricyclic heterocycles as FGFR inhibitors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
KR20110042127A (ko) * 2008-11-03 2011-04-22 주식회사 엘지화학 새로운 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4103442B2 (ja) * 2002-04-25 2008-06-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2004095221A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Toray Ind Inc 発光素子
JP4254231B2 (ja) * 2002-12-26 2009-04-15 東レ株式会社 発光素子用材料およびそれを用いた発光素子
KR100617457B1 (ko) * 2003-10-17 2006-09-01 주식회사 진웅산업 아릴포스핀 옥사이드 화합물 및 이를 이용한유기전계발광소자
US7147937B2 (en) * 2003-12-05 2006-12-12 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
DE102004008304A1 (de) * 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
TWI299053B (en) * 2004-09-24 2008-07-21 Lg Chemical Ltd New compound and organic light emitting device using the same (5)
KR100707482B1 (ko) * 2005-04-15 2007-04-13 주식회사 진웅산업 아릴 포스핀 옥사이드계 화합물, 아릴포스핀 설파이드계화합물 또는 아릴포스핀 셀레나이드계 화합물 및 이를이용한 유기전계발광소자
US7419728B2 (en) 2005-05-31 2008-09-02 Eastman Kodak Company Light-emitting device containing bis-phosphineoxide compound
JP2007109988A (ja) 2005-10-17 2007-04-26 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8053762B2 (en) 2005-12-13 2011-11-08 Lg Chem, Ltd. Imidazoquinazoline derivative, process for preparing the same, and organic electronic device using the same
KR100813676B1 (ko) 2006-03-20 2008-03-18 주식회사 진웅산업 새로운 전자주입층 물질 및 이를 포함하는유기전계발광소자
CN101516856B (zh) * 2006-09-14 2013-01-02 西巴控股有限公司 杂环桥联联苯及其在场致发光装置中的应用
KR100852987B1 (ko) 2007-04-03 2008-08-19 주식회사 진웅산업 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101812441B1 (ko) * 2008-02-12 2017-12-26 유디씨 아일랜드 리미티드 디벤조［ｆ,ｈ］퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물
WO2010062065A2 (ko) * 2008-11-03 2010-06-03 주식회사 엘지화학 새로운 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP5495578B2 (ja) * 2009-02-13 2014-05-21 ケミプロ化成株式会社 新規なトリアリールホスフィンオキシド誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101092170B1 (ko) * 2009-05-27 2011-12-13 단국대학교 산학협력단 카바졸계 포스핀 옥사이드 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP5674182B2 (ja) * 2009-06-01 2015-02-25 大電株式会社 有機電子輸送材料、有機電子材料形成用組成物及び有機電界発光素子
KR20110008784A (ko) * 2009-07-21 2011-01-27 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN102668156B (zh) 2009-08-18 2016-01-13 大电株式会社 有机电致发光元件及新型的醇可溶性磷光发光材料
TWI567075B (zh) * 2010-06-15 2017-01-21 國立清華大學 ６Ｈ－吲哚〔３，２－ｂ〕喹喔啉衍生物及其有機發光二極體
US9972784B2 (en) 2011-06-13 2018-05-15 Lg Chem, Ltd. Compounds and organic electronic device using same
CN103764789B (zh) * 2011-07-08 2016-05-25 株式会社Lg化学 新的化合物和使用该新的化合物的有机电子器件
EP2750214B1 (en) * 2011-10-05 2020-06-17 LG Chem, Ltd. Organic light-emitting device and method for manufacturing same
WO2013133224A1 (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 東レ株式会社 発光素子
KR101653212B1 (ko) * 2012-05-31 2016-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
KR20110042127A (ko) * 2008-11-03 2011-04-22 주식회사 엘지화학 새로운 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170036642A (ko) 2015-09-24 2017-04-03 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11730009B2 (en) 2015-09-24 2023-08-15 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting element comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2719742A4 (en) 2015-02-18
CN103619989A (zh) 2014-03-05
EP2719742A2 (en) 2014-04-16
JP5805862B2 (ja) 2015-11-10
US20140103325A1 (en) 2014-04-17
US20140138659A1 (en) 2014-05-22
US9543524B2 (en) 2017-01-10
CN103619989B (zh) 2016-09-14
WO2012173371A2 (ko) 2012-12-20
US8999530B2 (en) 2015-04-07
EP2719743B1 (en) 2018-08-01
EP2719741A4 (en) 2015-02-18
CN103597053B (zh) 2016-09-21
CN103608429A (zh) 2014-02-26
JP5808857B2 (ja) 2015-11-10
EP2719742B1 (en) 2016-04-27
KR20120138671A (ko) 2012-12-26
JP2014523876A (ja) 2014-09-18
WO2012173369A3 (ko) 2013-04-04
WO2012173371A3 (ko) 2013-04-04
CN103597053A (zh) 2014-02-19
KR20120138673A (ko) 2012-12-26
KR20120138672A (ko) 2012-12-26
US20140110694A1 (en) 2014-04-24
EP2719741B1 (en) 2016-04-13
EP2719743A2 (en) 2014-04-16
CN103608429B (zh) 2017-03-08
JP2014523875A (ja) 2014-09-18
EP2719743A4 (en) 2015-02-18
JP2014523877A (ja) 2014-09-18
US9972784B2 (en) 2018-05-15
WO2012173369A2 (ko) 2012-12-20
EP2719741A2 (en) 2014-04-16
WO2012173370A2 (ko) 2012-12-20
JP5922766B2 (ja) 2016-05-24
KR101412437B1 (ko) 2014-06-26
WO2012173370A3 (ko) 2013-04-04
KR101412246B1 (ko) 2014-06-25

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