TWI277103B - Capacitance controlling process - Google Patents

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TWI277103B
TWI277103B TW091109962A TW91109962A TWI277103B TW I277103 B TWI277103 B TW I277103B TW 091109962 A TW091109962 A TW 091109962A TW 91109962 A TW91109962 A TW 91109962A TW I277103 B TWI277103 B TW I277103B
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TW
Taiwan
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tubular
value
cable
insulating compound
capacitance
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TW091109962A
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Pierre-Yves Bonvin
Giancarlo Evangelisti
Philippe Gerhard
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Maillefer Sa
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Description

1277103 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種控制設置在電纜上之電被復之電容值 之方法’係藉由壓出和沉積電絕緣化合物於該電纜上而製成。 本發明亦係關於: -依照上述製法而運作之壓出線, -電纜’包括由壓出絕緣化合物於電纜上而形成之管狀被 復,且依照上述製法而控制該被復之電容值。 本發明更尤係贴於,但是並非唯一地,一種控制在金屬導 線上壓出發泡之絕緣化合物所成之被復的電容值之方法。 本發明為較佳地,但是並非唯一地,應用於對於由發泡材 料所成之被復之電容值的控制方法,該發泡材料壓出到金屬導 線上。 【先前技術】 美國專利第4585603號根據目標電容/直徑(c/D)同時受 許多相互關連的製程變數之影響之事實,而說明一般之電容/ 直徑(C/D)控制系統的策略。然該專利中並沒有揭示關於影樂 發 >包程度的實際效果,並因此而設計之控制策略❶尤其是,該 專利沒有提出如本發明所設計之突出的錐狀長度對於發泡程 度以及所得電容值和直徑的效果。其除了稍述於螺旋端的融化 壓力之外,並未討論或提到其他所產生的壓力。 日本專利公報特開平5-20944號係揭示利用在擠出物的 外側施加高於大氣壓的壓力而穩定發泡製程。如此作法一方面 有助於免除由於大氣狀況的改變而造成製造變化,另一方面亦 5 1277103 玎滅少氣艘從拚出物的表面漏失到大氣中。藉由流經位於壓力 室内部之冷卻作用而控制發泡製程(即,C/D)的有效程度(如其 文中所述之、、·····.可移動的冷卻水槽18移動到對應於發泡樹脂 之靜電容董····.·")。因此,其無法預期到能藉由氣體壓力而獲 得理想的控制C/D標稱值。再者,由其圓式所示導線包復製程 中,使用壓縮工具將熔化之塑膠施加到突出工具内部之導體 上,並退出該突出工具,該突出工具具有接近產品之最後尺寸 之直徑❶ 【發明内容】 本發明之主要目的,是要精確地控制設在電纜上之電被復 之電容值的方法。 欲達到此目的,本發明之標的事物,為一製程用來控制 由壓出頭中之絕緣化合物之壓出物於電纜上所形成之管狀被 復的電容值,以能夠改善管狀絕緣被復之電容值之方式,而將 發泡之作用劑引入到絕緣化合物中。 此製法之特徵在於: -以能夠獲得管狀絕緣被復之預定電容值之方式,使用預 定董的發泡作用劑,和 -為了準確地控制管狀絕緣被復之電容值,施用氣體壓力 於由壓出頭壓出之絕緣化合物表面之至少一部分, -以控制管狀絕緣被覆之電容值之方式,改變氣體壓力值❶ 本發明亦係關於依照上述製法而運作之麼出線。 本發明亦關於一種電纜,包括有由絕緣化合物之壓出物於 電纜上所製成之管狀被復,而該被復之電容值係依照上述製法 6 1277103 所控制。 【實施方式】 茲參照第1圖,可看到一條壓出線,該壓出線是用來為了 製成在電纜3上的絕緣化合物2的被復1。 此壓出線至少包括有主壓出器18,該主壓出器18包括有 壓出頭4,而該壓出頭4之功能是為了將發泡絕緣體放置在至 少電纜3之周困。 較佳地*但是不是唯一地,如此之壓出線包括: -抽線機14,該抽線機之功能是要減少該機器之入口和出 口之間電纜3之直徑(電纜銅直徑), -退火爐機15,該退火爐機15之功能是要軟化電纜3, -預加熱機16,該預加熱機16之功能是要加熱電纜3,以 為了增進絕緣化合物的附著力, -該主壓出器18,包括了該壓出頭4, -機動水槽20,用來停止發泡擴張, -熱水箱21,該熱水箱21為用於該機動水槽之水箱, -絞盤22,該絞盤22為線絞盤和電容測董器, -直徑裝置23,該直徑裝置23是一個直徑測董器, -離心力裝置24,該離心力裝置24為離心力測董器, -火花測試器裝置25,該火花測試器裝置25為絕緣故障 測董器, -舉起器26,其中該冷卻的絕源導醴最終捲線於捲軸上。 於此壓出線中有一個稱之為送料的裝置能夠用來替代二 個機器,即抽線機14和退火爐機15。於如此壓出線有一個冷 1277103 固定黏著器能夠放置於熱水箱21和絞盤22之間。 茲參照第2和3圖,可看到一個由壓出頭4中壓出之絕緣 化合物2之壓出物於電纜3上而形成之管狀被覆1。發泡作用 劑200以能改進管狀被覆1之電容值之方式,引入到絕緣化 合物2中。 管狀被覆1之電容值依於絕緣化合物2之電介質值而定。 當由使用發泡作用劑2 0 0而發泡成絕緣化合物時,則改變了絕 緣化合物之該電介質值,而該發泡作用劑200在壓出之前(用 化學方式形成發泡或用物理方式形成發泡),係先引入到絕緣 化合物中。例如,發泡作用劑200為氣體,即氮氣。最好,但 是不是唯一的,該壓出線包括連接到該主壓出器18之高壓氮 氣喷射單元。 亦可以使用一個選用之輔助壓出器17,以為了將第一表 皮絕緣層園繞在電纜3上而改進物理發泡附著力(並未使用化 學發泡,但是可選擇使用,此處所使用的是物理發泡)。 另外亦可以選用一個輔助壓出器18,以為了將第二表皮 絕緣層園繞在絕緣化合物上(例如,彩色之表皮)。 依照本發明之製程: -以能夠獲得對於管狀絕緣被復1預定之電容值C1之方 式,而使用預定數量之發泡作用劑200,和 -為了能精確地控制管狀絕緣被復1之電容值C1,應用氣 艎壓力於由壓出頭4所壓出之絕緣化合物2之表面100、101 之至少一部分, -以控制管狀絕緣被復1之電容值C1之方式,改變氣體壓 力110值。 8 1277103 於一個實施例中,計量大氣壓作為參考,應用於由壓出頭 4所壓出之絕緣化合物2之表面100、101之至少一部分之氣 鍾展力110,係為負壓。 於一個實施例中,計量大氣壓作為參考,應用於由壓出頭 4所壓出之絕緣化合物2之表面100、101之至少一部分之氣 體壓力110,係為正壓。 茲參照第2和3圖,可看到一個由壓出頭4中壓出之絕緣 化合物2之壓出物於電纜3上而形成之管狀被復1,該壓出頭 4具有具前表面6之喷嘴5,由此前表面6中延伸出·· -一個孔口 7,稱之為轴孔口 7,其形狀是為了可使電纜3 通過而製成被覆,以及, -環狀孔口 8,中心位於轴孔口 了,該環狀孔口 8本身欲用 來輸送絕緣化合物2之流體9,該絕緣化合物2材料用來製成 圓錐狀之壁10,而該圓錐狀之壁10繞著該電纜形成管狀被覆 1,係由組構成具有可測董之電容值C1之管狀被復1之方式, 包覆電规從喷嘴5之前表面6起一預定之距離❶ 包含有壓出頭4之主壓出器18,亦包括用來測董形成園 繞著電纜3之管狀絕緣被復1之電容值C1之裝置13。 值得注意的是: -為了施加負氣體壓力110於由壓出頭4所壓出之絕緣化 合物2之表面1〇〇、ι〇1之至少一部分,一低氣壓建立於包含 於圓錐狀之壁1〇之内之錐狀容積12,以及 -建立於包含於圓錐狀之壁10之内之錐狀容積12之低氣 壓之值,以能夠控制管狀絕緣被復1之電容值C1之方式而改 變。 1277103 值得注意的是: •吸氣裝置Π連接到喷嘴5並操作以便建立於包含於圓 錐狀之壁10之内之錐狀容積丨2之低氣壓,以及 •由該吸氣裝置11建立包含於圓錐狀之壁10之内之錐狀 容積12之低氣壓之值,以能夠控制該管狀絕緣被復1之電容 值C1之方式而改變,而該圓錐狀之壁1〇係透過由絕緣化合物 2製成的環狀孔口 8而形成。
於此技藝方面的一個技術人員能夠發現最適當的吸氣裝 置11以獲得所需的低氣壓。 這些技術特徵使得能夠控制設在電纜上電被復之電容 值,而不須改變化合物之成份。 本方法之特徵在於下列步驟·· -於壓出絕緣化合物2之壓出物於電纜3上之前,連接可 調整型之吸氣裝置11至喷嘴5,即為一個吸氣裝置,該吸氣 裝置之操作為可控制,以便產生所希望之低氣壓值,以及 -於壓出絕緣化合物2之壓出物於電纜3上期間,施行下 列之依序步驟:
•設定對於管狀絕緣被復1之目標電容值C2 , •對於該目標電容值C2設定上C2S和下C2I可允許值極 限, •測董形成園繞在電纜3上之管狀絕蝝被復丨之電容值 C1,並將該值與該目標電容值C2相比較,以及 •若偵測到離目標值C2之預定的偏差,則以能更正形成 在電纜3之周圍之管狀被復1之電容值C1之方式,改變圓錐 狀之壁10之内之錐狀容積12所建立的低氣壓之值,而該圓雔 10 l277l〇3 狀之壁10谇透過由絕緣化合物2製成之環狀孔口 8製成。 再參照圖式,可看出管狀被覆1係由壓出絕緣化合物2 之壓出物於直徑D1之電纜3上而製成,該直徑D1稱之為第一 直徑。 嗔嘴5具有前表面6,從裡面伸出來的有: -一個孔口 7,稱之為軸孔口 7,其形狀是為了可使電纜3 通過而形成被復,以及, -環狀孔口 8,中心位於軸孔口 7,該環狀孔口 8由内徑 D2所界定,稱之為第二直徑,要大於該電纜3之第一直徑D1, 而外徑D3,稱之為第三直徑,要大於該第二直徑D2,該環狀 孔口 8本身欲用來輸送絕緣化合物2之流逋9。 此絕緣化合物2製成圓錐狀之壁10形式,而該圓錐狀之 壁10以繞著第4直徑D4之該電纜形成管狀被復1,由此組構 成具有可測董之電容值C1之管狀被復1之方式,包復電纜從 嘖嘴5之前表面6起一預定之距離。 依照本發明之製程,藉由控制電纜3之速度而調整第四直 徑D4至預定值,以及藉由壓出絕緣化合物之壓出物於電纜3 上’而製成管狀被復1。 茲參照圖式,可看出絕緣化合物2以預定之線性速度,而 出現於環狀孔口 8,該預定之線性速度係依於使用於壓出頭4 上之壓出螺絲的旋轉速度而定。 舉例而言,藉由控制在包含了麼出頭4之麼出器18上之 壓出蠓絲之旋轉速度,而調整第四直徑D4至預定值,該絕緣 化合物2壓出於該壓出頭4。 電容值和直徑係關聯在一起,但是真空之修正對直徑有 11 1277103 效果,但是,其效果有限,幾乎對製程沒有影響。 【圓式簡單說明】 由閱讀下列之說明,和提出之非作為限制用之例子,並參 照所附圖式,將可以較佳地瞭解本發明。其中: 第1圖顯示一條壓出線,該壓出線可以依照本發明之製法 而運作。 第2圖為第1圖之壓出線中之壓出頭的部分縱剖面視圖。 第3圖為第2圖之壓出頭透視圖之部分視圖。
12 1277103 【主要元件符號說明】 1管狀被復 2絕緣化合物 3電纜 4壓出頭 5嗔嘴 6前表面 7孔〇 8環狀孔口 9流體 10圓錐狀之壁 11吸氣裝置 12錐狀容積 14抽線機 15退火爐機 16預加熱機 17輔助壓出器 18主壓出器 20機動水槽 21熱水箱 22絞盤 23直徑裝置 24離心力裝置 25火花測試器裝置 26舉起器 100、101表面 110氣體壓力 200發泡作用劑 Cl、C2、C2S、C2I電容值
Dl、D2、D3、D4 直徑 13

Claims (1)

1277103 十、申請年利範圍: 1· 一種用來控制管狀被覆(1)的電容值(C1)之方法,該管狀被 覆(1)係由從壓出頭(4)中壓出絕緣化合物(2)之壓出物於電 纜(3)上而形成,發泡作用剤(200)以能夠改善管狀絕緣被復 (1)之電容值(C1)之方式,而引入到絕緣化合物(2)中, 此方法之特徵在於: -以能夠獲得管狀絕緣被覆(1)之預定電容值(C1)之方 式,使用預定董的發泡作用劑(200); -為了準確地控制管狀絕緣被復(1)之電容值(C1),施用 氣體壓力(110)於由壓出頭(4)壓出之絕緣化合物(2)表面 (100、101)之至少一部分,其中,計董大氣壓作為參考,氣 體壓力(110)應用於由壓出頭(4)所壓出之絕緣化合物(2)之 表面(100、101)之至少一部分,該氣體壓力(110)係為負壓; 以及 -以控制管狀絕緣被覆(1)之電容值(C1)之方式,改變氣 體壓力(110)值; 其中該壓出頭(4)具有具前表面(6)之嘖嘴(5),由此前 表面(6)中延伸出: -一個孔口(7),稱之為轴孔口(7),其形狀是為了可使 電纜(3)通過而製成被覆,以及, -環狀孔口(8),中心位於軸孔口(7),該環狀孔口(8) 本身欲用來輸送絕緣化合物(2)之流醴(9),該絕緣化合物(2) 材料用來製成圓雄狀之壁(10),而該圓錐狀之壁(1〇)繞著該 電规形成管狀被復(1)’係由組構成具有可測董之電容值(C1) 之管狀被復(1)之方式’包復電觋從嘴嘴(5)之前表面(6)起 14 1277103 一預定之孚離,其中 為了施加負氣體壓力(110)於由壓出頭(4)所壓出之絕 緣化合物(2)之表面(100、101)之至少一部分,一低氣壓建 立於包含於圓錐狀之壁(10)之内之錐狀容積(12),以及 建立於包含於圓雜狀之壁(10)之内之錐狀容積(12)之 低氣壓之值,以能夠控制管狀絕緣被復(1)之電容值(cl)之 方式而改變。 2·如申請專利範園第1項之方法,該方法之特徵在於:計董大 氣壓作為參考’氣親壓力(110)應用於由愿出頭(4)所壓出之 絕緣化合物(2)之表面(100、101)之至少一部分,該氣體壓 力(丨10)係為正壓。 3·如申請專利範園第1項之方法,該方法之特徵在於: •吸氣裝置(11)連接到喷嘴(5)並操作以便建立於包含 於圓錐狀之壁(10)之内之錐狀容積(12)之低氣壓,以及 •由該吸氣裝置(11)建立包含於圓錐狀之壁(1〇)之内之 錐狀容積(12)之低氣壓之值,以能夠控制該管狀絕緣被復(1) 之電容值(C1)之方式而改變,而該圓錐狀之壁(1〇)係透過由 絕緣化合物(2)製成的環狀孔口(8)而形成。 4·如申請專利範園第3項之方法,該方法之特徵在於: -於壓出絕緣化合物(2)之壓出物於電纜(3)上之前,連 接可調整型之吸氣裝置(11)至喷嘴(5),以及 -於壓出絕緣化合物(2)之壓出物於電纜(3)上期間,施 行下列之依序步驊: •設定對於管狀絕緣被復(1)之目標電容值(C2), •對於該目標電容值(C2)設定上(C2S)和下(C2I)可允許 15 1277103 值極限,, •測董形成圍繞在電纜(3)上之管狀絕緣被復(1)之電容 值(C1),並將該值與該目標電容值(C2)相比較,以及 •若摘測到離目標值(C2)之預定的偏差,則以能更正 形成在電纜(3)之周圍之管狀被復(1)之電容值之方式,改變 圓錐狀之壁(10)之内之錐狀容積(12)所建立的低氣壓之 值,而該圆錐狀之壁(1〇)係透過由絕緣化合物(2)製成之環 狀孔口(8)製成。 5·如申請專利範園第1至4項中之任何一項之方法,該方法之 特徵在於藉由控制電纜(3)之速度而調整第四直徑(D4)至預 定值,以及藉由壓出絕緣化合物(2)之壓出物於電纜(3)上, 而製成管狀被復(1)。 6· —種壓出線,其特徵在於,該壓出線係依照申請專利範团第 1至4項中之任何一項之方法而運作。 7· —種電纜(3),包括管狀被復(1),該管狀被復(1)係由壓出 絕緣化合物(2)之壓出物於電纜(3)上而製成,以及該管狀被 復(1)之電容值(C1)係依照申請專利範園第1至4項中之任 何一項之方法而受控制。 16 1277103 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(2 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 1管狀被覆 2絕緣化合物 八、本案若有化學式時,請揭示最能顢示發明特徵的化學式: 3電纜 4壓出頭 5喷嘴 6前表面 7孔σ 8環狀孔口 9流體 10圓錐狀之壁 11吸氣裝置 12錐狀容積 100、101 表面 110氣體壓力 200發泡作用劑 Dl、D4直徑 Cl、C2 < C2S、C2I 電容值
TW091109962A 2001-06-19 2002-05-14 Capacitance controlling process TWI277103B (en)

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