TWI276490B

TWI276490B - Electrolytic processing device, substrate processing apparatus having such an electrolytic processing device, and electrolytic processing device

Info

Publication number: TWI276490B
Application number: TW092106579A
Authority: TW
Inventors: Osamu Nabeya; Masayuki Kumekawa; Hozumi Yasuda; Itsuki Kobata; Takeshi Iizumi
Original assignee: Ebara Corp
Priority date: 2002-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2007-03-21
Also published as: CN1656257A; KR20040104545A; EP1489204A4; WO2003080898A1; TW200305470A; CN100507092C; EP1489204A1; JPWO2003080898A1

Description

1276490 五、發明說明（1) ~一" "~" —-- 【發明所屬之技術領域】本發明係有關電解加工裝置及電解加工方法，有關用來對丰1匕/、疋 T + v體θ曰®寻之基板表面所形成之導電性材料 = ’或用來去除附著於基板表面之雜質之電解加工 " 電解加工方法者。又本發明係有關電解加工裝置中以保持作為被加工物之基板之基板保持部者。再者本發明係有關具備有上述電解加工裝置之基板處理裝置者。【先前技術】近年’就用以於半導體晶圓等之基板上形成電路之配線材料而言’有顯著傾向使用電阻低且電子遷移（electro -mi grat ion)耐性高之銅（Cu)代替鋁或鋁合金。此種銅配線一般為以將銅填埋於設在基板表面之微細凹部内部而形成。形成上述銅配線之方法有化學氣相成長法（CVD)，濺鍵（Sputter ing)及電鍍等方法，然均為對基板之大致全部表面形成銅膜，然後以化學機械研磨（CMP)將不要的銅去除。第1 A至1 C圖表示上述銅配線基板w之一製造例之步驟順序，首先如第1 A圖所示，於形成有半導體元件之半導體基材1上之導電層1 a上堆積由S i 0形成之氧化膜及低一 k (1 ow-k)材膜等的絕緣膜2，在該絕緣膜2内部用微影-姓刻 (1 i thograph e tch i ng)技術形成接觸孔3及配線用的溝4。藉由濺鍍及CVD等方法於該等之上形成由TaN等構成的阻擋 (barrier)膜5，更在其上形成作為電鍍之供電層的種子 (seed)層 7。

314550.ptd 第12頁 1276490 五、發明說明（2) 其次如第1 B圖所示，在基板w表面施以鍍以體基材丨之接觸孔3及溝枘充填銅，並在絕緣膜2上堆+積ζ 膜6。之後以化學機械研磨（CMp)去除絕緣膜2上之极阻擔膜5,以使填充在接觸孔3及配線用之溝4内銅膜= 表面與絕緣膜2的表面成為大致相同的平面。藉此，形成^ 如第1 C圖所示由銅膜6所構成的配線。 >拉ί外近來在所有機益之構成元件方面正朝微細化且咼精度化進展’一般加工製作已進入次微米領$，而加工法本身對於材料特性的影響也將日益增大。下，如習知之機械加工，工且 ^ /Xj 並去除之加工方法中，4因力=物進行物理性破壞缺陷而使被加工物的特：劣化。=皮加工物上產生很多之特性而進行加工便成問；&因此如何能夠不損及材料作為解決上述問題的手與研磨及電解加工、電解研磨而$ ^之特殊加工法有化學知之物理性加工而以產生介風^ ^ 4加工方法係對應於習加工。因此不致發生因塑性^ /合解反應的方式進行去除位等之缺陷，而能夠不而引起之加工變質層及轉工。 ^ 上述材料之特性而進行加近年，就在半導體基板上裔（capacitor )之際之|托从 /成使用有強電介質之電容其氧化物正以後起之勢鳴起 τθ ，鉑之類的金屬乃至因此可望成為實現性高其中釘（R u )之成膜性良好，〜何科。在此，成膜乃至附著於電形成部以外之基板周緣部

1276490 五、發明說明（3) 及背面之釕為多餘之物，若未去除可能在之後基板的運送、保管及各種處理步驟中成為交叉污染（cross c ο n t a m i n a t i ο η)的原因，而導致例如電介質之性能降低。因而，對釕膜之成膜步驟及對釕膜進行某些處理之後，還必須將該等完全去除。再者，例如使用釕作為電容器之電極材料之情形，則必須要有用以去除成膜於電路形成部之釕膜之一部分之製程。若使用CMP工程來進行，則CMP製程一般需要較複雜的操作，且控制也較複雜，當然時間也較長。並且，不僅需要充分進行研磨後基板之洗淨，而且有漿料及洗淨液之廢液處理之負荷大等問題。因此，迫切需要省略CMP本身、或減輕該負荷。又，今後絕緣膜也會變成電介率較小之 1 〇 w - k材，該1 〇 w - k材強度較弱而將無法忍受C Μ Ρ所施加之壓力。因而，期望能有不會對基板施加如CMΡ所施加之過大壓力，而可進行平坦化之製程。另外，也發表有如化學機械電解研磨之類，在電鍍的同時以CMP去除之製程，然於電鍍成長面施加機械加工，會促使電鍍之異常成長而引起膜質上之問題。上述之電解加工或電解研磨，係藉由被加工物與電解液（NaC卜NaN03、HF、HC1、HN〇3、NaOH等之水溶液）之電化學性相互作用而進行力口工。因而，只要使用含有上述電解質之電解液，就無法避免由其電解液污染被加工物。又，半導體裝置之製造過程中，加工1 〇w_b^等脆弱的材料時，會因材料之屈曲等導致破壞，因此CMP等之加

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，=加高的面壓，而無法充功望使用銅及低電介質之材用上述之脆弱材料時上述問不須施加面壓於基板與加工與加工電極接觸之際產生面電解加工中亦須避免於基板五、發明說明（4) 工中，無法於暴板及研磨面之分發揮研磨性能。尤其，近來料作為基板之配線材料，而使題將更加明顯。電解加工中，電極之間，但有可能在使基板壓而破壞半導體裝置。因此，上施加高負荷。電化學性加工中，作為反應種之離子係利用加工電極及供電電極與被加工物之間產生之電場而移動至被加工物表面。因而，有阻礙離子之移動之阻礙物產生時會影響加工之相同性及均一性。此處，阻礙物可例舉有被加工^ ^ 面上在加工過程中因被加工物與離子之電化學性反應而產生之加工生成物、因離子交換體與被加工物之相對運動而產生之來自離子交換體之游離物、以及因副反應而生成於被加工物及電極表面之氣泡（氣體）。由於該等之阻礙物^ 在於電極與被加工物之間，因此將妨礙離子移動，而影^ 加工量之相同化及均一化。尤其氣泡為在被加工物表=^ 成凹痕（p i t )之主要原因。【發明内容】本身導物本發明係有鑑於上述之習知技術之問題點而研創者，發明之第一目的係在於提供一種可省略例如cmp處理本，或可盡量減低CMP處理之負荷而進行設於基板表面之 :性材料的平坦化加工’及可將附著於基板等之被加工表面之附著物去除（洗淨）之電解加工裝置及電解加工方

‘、發明說明⑸ '及裝配有該電解能約i本發明之第二目及電μ f壞形成於基板部：解加工裝置，以及之2外本發明之第三 t ^，可有效地去除包解力口工方法。 •，解決如上述之問交換；：地配置有具有近前，之複數電極構件以月電極構件之離子 ^ Η前述電極部 ::述電極構件之離子i 換體三以及離子交換容一第2圖及第3圖係顯示使女裝在加工電極電電極1 6之離子交換體面，並藉由電源丨7施加間，從流體供給部1 9供及供電電極1 6與被加工安裝於加工電極1 4之離 1 0之表面，並使供電電電源1 7施加電壓於加工及锴加工裝置之基板處理裝置。的係在於提供一種加工脆弱材料時之裝置而進行加工之電解加工方法使用於該電解加工裝置之基板保持目的係在於提供一種於電化學性加必然會產生的氣泡之電解加工裝置題點’本發明之電解加工裝置係具電極與覆蓋前述電極的表面之離子之電極部；使被加工物可接觸或接父換體地保持被加工物之保持部；笔極構件之電極連接之電源，其中換體具有表面平滑性優良之離子交量大之離子交換體。不本發明之加工原理，第2圖係顯 14之離子交換體i2a，及安裝在供 1 2魄觸或接近被加工物1 〇的表電壓於加工電極1 4及供電電極1 6之給超純水等的流體1 8至加工電極1 4 物1 0之間之狀態。第3圖係顯示使子交換體1 2a接觸或接近被加工物極1 6直接接觸被加工物1 〇，而藉由電極1 4與供電電極1 6之間，從流體

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第16頁 1276490 五、發明說明（6) ~- 供給部1 9供給超純水等的流體丨8至加工電極丨4與被加工物 1 0之間之狀態。 ' 使用如超純水之液體本身電阻值大的液體時，最好使離子交換體1 2a「接觸」被加工物丨〇的表面，藉由如上述使離子交換體1 2 a接觸被加工物丨〇的表面，可減低電阻，且施加電壓也變小、消耗電力亦減低。因而，本發明加工中的「接觸」係例如對被加工物施以物理性能量（應力），因此並非為「推壓」。 ~ 第的流體 24，並之流體 1 0之與之氫氧與氫氧解於超純水等被加工 2圖及第3圖中 1 8中之水分子藉由被加工物 1 8的流通將生加工電極1 4相化物離子2 2的化物離子2 2反純水等之流體的流體1 8的流物1 0之表面層 ’以離子交 2 〇分解為氫 1 0與加工電成之氫氧化面對的表面禮、度提向而應。由反應 1 8中，並由通而從被加的去除加工換體12a, 12b將超純水等氧化物離子2 2與氫離子極1 4間的電場及超純水等物離子2 2供給至被加工物 ’於此將被加工物1 〇附近使被加工物1 0之原子1 0 a 所生成之反應物質2 6係溶沿著被加工物1 0表面之超工物1 0去除。藉此，進行如上述、，本加工法係與被加工物純粹以電化學性性相 # I 1進仃被加工物之去除加工，而與CMP之類由研磨構件〜被加工物之物理性相互作用及與研磨液中之化學種之车性相互作用之混合之加工其加工原理不同。本方法中，對被加工物1 〇之與加工電極i 4相面對之部位進行加L，因此使加工電極丨4移動而可將被加工物丨〇之表面加工成預期

3l4550.ptd 第17頁 1276490 五、發明說明（？）之表面形狀。相互5 ΐ而Ϊ f明之電解加工裝置係僅藉由因電化學性性而與CMP之，生之溶解反應進行被加工物之去除加工，因與研磨液/之由研磨構件與被加工物之物理性相互作用及原理不同。化學種之學性相互作用之混合之加工其加工例如前述所例ί，可不損及材料之特性而進行加工，對於有物理性相互牛之low—k材之機械性強度小的材料也可沒工裝置，也因=用地進行加工。又，相較於一般之電解加純水，更好θ二解液使用5 0 0# s/cm以下之液體，最好是污染，並且^超純水，因此可大幅減低對被加工物表面之此：t工後廢液之處理也變得容易。體與離子交Ϊ i ΐ大ΐ ϋ ί表面平滑性優良之離子交換之離子交換脚拖離子父換體，可以離子交換容量大子交換體的短處。里】之表面千α性優良之離 &述電極部給流體至前述』：；；；構件之電極的内部最好形成有供 ^疋雕子父換體之貫通孔。亦可使相鄰之前试與陽極交互連接。構件之電極與前述電源之陰極本發明之另一電解加工、，有電極與覆蓋前述電極的心係八備.亚列地配置有具件之電極部η吏被加工===換=複數電極構子交換體地保持被加工物：接ί”！極構件之離極構件之電極連接之電源：持與則述氣極部之各電 '、乂及用以供給流體至前述被加

1276490 五、發明說明（8) 11物與前述電極構件之離六藉由上述之構成，可將純 ^ 、體之間之流體供給喷嘴。至被加工物與電極構件之^超純水等之流體喷射而供給前述流體供給噴=換體之間。向之被加工物之被加工面:朝向與耵述電極構件相對上述之構成，可朝向與電前述流體之喷射口。藉由工面，亦即被加工物與離相對向之被加工物之被加或超純水等之流體，二;^體之接觸部分而噴射純水前述流體供給噴嘴之古=供給至被加工面全域。交換體之高度低。藉由上較前述電極構件之離子構件之離子交換體接觸之際，，在使被加工物與電極工物接觸。 * σ不使流體供給喷嘴與被加 j ^ ^ : f雜電解加工裝置係具備具有電極盘覆#前述？mr離子交換體之電極構件，並在前述電:二件設置·使被加工物與前诚雷代姐、你月』述电極構時，在預定推壓量以上之狀態中，用：：=接觸 mnr前述被加工物之實質成一疋之接觸寬度限制部。你：啊見没丨艮制藉由上述之構成，可將被加工換體之實質的接觸寬度維持成一被加工面與離子交工。此處，推壓量係指：從祕:可達成均一的加狀態算起之被加工物的推；被加工物接觸之交換體與被加工物接觸之部=觸寬度則指：離子 •直的方向上的寬度。又，；質=極構件之長度方向貝貝的接觸寬度一定係指：不

3l455〇.ptd 第19頁 1276490 五、發明說明（9) 包含因被加化，而接觸動之該等之前述接之表面側或利用貼附於被加工物之子交換體之前述接所構成。藉件’即使被的寬度維持好將前述不地形成。使緣薄膜的厚有離子交換形成之離子影響。工物表面之寬度不會g] 間距離的％觸寬度限帝j 背面側之絕離子交換n 推壓量變匕接觸寬度維觸寬度限制由上述之構加工物之推一定，而可具離子交換用上述絕緣度多少會影能力之部分交換體作為微細凹凸而隨著被加工化以及裝置部係由例如緣薄膜所構表面側或背 ’也可將被持一定，而部亦可由不成，利用不壓量變化，達成均一的能力之構件薄膜以構成響前述接觸與不具離子接觸寬度限產生之接觸物與加工電的振動等而貼附在前述成。藉由上面側之絕緣加工物之被可達成均一具離子交換具離子交換亦可將進行加工。此種與前述離子接觸寬度限寬度，而使交換能力之制部時，將寬度的變極之相對運變化。離子交換體述之構成，薄膜，即使加工面與離的力口工〇能力之構件能力之構加工之部分情形中，最交換體一體制部時，絕用將前述具部分一體地消除上述之所構2述，，見度限制部可由設於前述離子交換體之凸部即使被加工物之成，利用設於離子交換體之凸部，盥雛；^ ϋ I里變化’也可將被加工物之被加工面 :綠子父換體之接觸寬度維持成一定，而可達成均一的加本發明之較佳實施形態係並列地配置複數之前述電極

1276490 五、發明說明（10) 構件，並將相鄰之前述帝極交互連接。稱件之电極與電源之陰極與陽本發明之另一電解加工裝置部之供t電極及加1電 7接觸或接近W述電極述電極部之各供電1彳5二:保=被加卫物之保持部；與前述電極部與被加=連接之電源；以及使前前述供電電極及加工電極之内:^:驅動機構’並在該供；^極及加工電極表面之貫通乂成用以供給流體至置供“ i ί:才:ί桎由；分別以相同形狀且等間隔地配率相等，可更確實：供·：：:吏供電電極與加工電極之比物與加工電極及供電電：間此處’由於被加工極與供電電極之間的電阻小之；p:車:互相相鄰之加工電子移動於被加工物與加：：離，因此可使離在前述供電電極與前述加，間。供給流體至前述被加工物與前述：取好:己置有用以電電極間充滿液體。此與加工電極及供解液。使用純水或超純水、電本么明之另一電解加工裝有供電電極與加工電極之電極部 '使：^地並列配置近前述電極部之供電電極及加工恭二，物可接觸或接持部；與前述電極部之各供電電=也保持被加工物之保罨电極及加工電極連接之電第21頁 314550.ptd 1276490 五、發明說明源；使前構；以及工物之間在前具備離子本發搬出入部述電解加裝置具備表面之離工物可接工物之保電極連接滑性優良體。本發基板搬出與前述電加工裝置之電極部板之基板電源；以驅動機構形成有用 (11) — ---- ~ 述電極部與被加工物之間產生相對運動之驅動機用以將流體供給至該供電電極及加工電極與被加之液體供給部。述供電電極及前述加工電極與被加工物之間最好交換體。明之基板處理裝置係具備：搬出/入基板之基板，电解加工裝置；以及在前述基板搬出入部與前工裝置之間搬送基板之搬送裝置，前述電解加工 i y)亚列地h配置有具有電極與覆蓋前述電極的 :換體之複數電極構件之電極部；⑴)使被加 2接近：述電極構件之離子交換體地保持被加持4，以及（m)與前述電極部之各電極構件之述電極構件之離子交換體具有表面平之離子交換體；以及離子交換容量大之離子交：明之另一基板處理步署总θ 入部；電解加：匕搬出/入基板之解加工裝置之珂述基板搬出入部 ;稷加工電極與複數供電電極保持部；（un盘义、+Λ 電極部地保持基及使前述電極連接之 ’並在前述供電電極及前述加動之以供給流體至該供電電極及加“：：；：：；

3l4550.ptd 第22頁 1276490 五、發明說明（12) 通孔。本發明基板搬出入與前述電解如工裝置具笔電極之電保持基板之連接之電源運動之驅動部之間之加本發明之方法中， 11之寬度比離子交換體觸寬度維持冲目對運動而本發明極的表面之地接觸。本發明加工電極， 1物之供電述加工電極電極與前述之另一部；電加工裝備：（極部；基板保 ;以及機構；工液供之電解使前述前述被之用於一定之加工該之一較前述離之另一將電壓電極之或前述被加工基板處理裝置係具備：搬出/入基板之解加工裝置；以及在前述基板搬出入部置之間搬送基板之搬送裝置，前述電解 i )並列地配置有複數加工電極與複數供 (i i )使基板可接觸或接近前述電極部地持部；（i i i )與前述各電極構件之電極 (i v )使鈾述電極部與基板之間產生相對以及（v )用以供給加工液至基板與電極給機構。加工方法係於電解加工被加工物的表面被加工物與電極的表面配置有離子交換加工物窄之加工電極接觸，並在將前述加工之部分與前述被加工物之 :f，使前述加工電極與前述被：工物被加工物的表面。少使露出於前述加工電子又換體之全寬度與前述被加工物實質電解加工方法係使被加工施加在前述加工電極與供電J =接近間’並將流體供給至前述被加 5電電極之至少一方之間，與前運動而形成沿著-方向之往復：

第23頁 1276490 五、發明說明（13) 對運動作為第一工電極以前述第一方向之加工量一方向相對運動的表面。根據該電解物朝一方向往復加工物與加工電向之加對運動物之一方一方向相加工量之本發具有電極構件。藉而可減小的構成移相對運動一相歸運分佈中產作為第二加工方法相對運動極進行第工量分佈之第不均，而可均相明之一與覆蓋此，可裝置之動機構較佳實施前述電極減少加工覆蓋面積 ’因此可，並且使前诚動所致之在=工物與前述加生的間距t : : 加工物之前述相對運動，：f ° f離、，在前述力ϋ工前述被加工物 ’除了進行你丄 ^ ^ α 便加工電極與被加工目_運動之外，藉由使被二相對運動所致之在沿著被加工產生之間距之整數倍距離之在對運動，可消除加工電極而產生地加工被加工物全面。形態係前述加工電極並列地配置的表面之離子交換體之複數電極電極與被加工物之相對移動量， (footprint)。此外，由於簡單達成裝置之成本降低。亦可變化前述第一相對運動之速度。此外亦可以往復運動進行前述第二相對運動，或以玎使談第·二相對運動中的往復運動之移動距離分別於往路與復路為不同。本發明之一較佳實施形態係反覆前述第二相對運動，以前述第二相對運動之往前述一方向之運動為單位變化前述被加工物之前述第二相對運動之方向。藉此，即使加工電極之加工率多少有不均，亦可將該不均均等地分散於被加工物上，並可抵銷全體之加工不均一。

314550.ptd 第24頁 1276490 五、發明說明（14) 本發明之另一電解加工方法係使被加工物接觸或接近加工電極，將電壓施加在前述加工電極與供電至前述被加工物之供電電極之間，將流體供給至前述被加工物與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間，使前述加工電極與前述被加工物相對運動作為第一相對運動，並且使前述加工電極與前述被加工物之間反覆朝一方向之相對運動作為第二相對運動，其間以前述第二相對運動之往前述一方向之運動為單位變化前述被加工物之前述第二相對運動之方向，而加工前述被加工物的表面。本發明之一較佳實施形態係藉由使前述被加工物旋轉預定角度，使前述被加工物之前述第二相對運動之方向變化。此時，反覆前述預定角度之旋轉，至前述被加工物之電解加工終了為止至少將前述被加工物旋轉一次。本發明之一較佳實施形態係以前述第二相對運動之往前述一方向之運動為單位變化前述被加工物相對於前述加工電極之前述第二相對運動之位置。藉此，即使依加工電極之位置之不同加工率多少有不均，亦可將該不均均等地分散在被加工物上，而可抵銷全體之加工不均一。本發明之一較佳實施形態係前述第二相對運動中不旋轉前述被加工物。在電解加工中使施加於前述加工電極與前述供電電極之間之電壓及/或電流變化。如上述，藉由在電解加工中使施加於加工電極與供電電極之間之電壓及/或電流變化，可適當地控制加工率，以使被加工物上之膜厚達成目

第25頁 314550.ptd 1276490 (15) 在電解藉由在當地控明之另加工電加工物配置於前述被加少一方之間之複至少一如上述子交換，可縮間的處具備分由如上進給機加工中使前述第二相對電解加工中使前述第二制加工率，以使被加工一電解加工裝置係具備極，供電至前述被加工使之接觸或接近前述加工物與前述加工電極或數離子交換體；以及供個而進行離子交換體之構成之電解加工裝置，體之交換，因此可以高短交換離子交換體之裝理量（throughput)。別對應前述複數之離子述之構成，可利用僅對構進行交換，因此可減 :可接物之供工電極前述供給前述交換之可以進速交換置之停五、發明說明標值。亦可如上述，化，可適標值。本發加工物之持前述被交換體之根據地進行離體。因而高單位時亦可機構。藉交換體之本。運動之速度變化。相對運動之速度變物上之膜厚達成目觸或接近被電電極；保之保持部；電電極之至複數之離子進給機構。給機構自動離子交換機時間而提交換體之前述進給應必須交換之離子低裝置之運轉成，發明之一較佳實施形態係不接觸或接近前述被加工物f離子交換體之交換週期，較接觸或接近前述被加工物之離子交換體之交換週期短。此時，最好藉由前述進給機構父換不接觸或接近前述被加工物之離子交換體。本發明之一較佳實施形態係前述複數之離子交換體

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較其他離五、發明說明（16) 中離子父換谷里大之離子交換體之交換週期子交換體之交換週期短。例如，近被加工物換體作為不有表面平滑工生成物之體來進行。離子交換體交換體短，平滑性之離換體，則可亦可於交換體之交換體，因此本發明加工物之加持前述被加配置於前述少一方之間之具有通水子交換體的構件層積於交換體之交使用具表面之離子交換接觸或接近性之離子交取入之大部因此，將取的交換週期而使用至摩子交換體，減低裝置之電解加工日寺換。藉此，可更加縮短之另一電解工電極；供· 工物使之接被加工物與之離子交換性的構件；交換之進給離子交換體換週期較具平滑性之離體，使用離被加工物之換體的離子分係由離子入加工生成，設定得較損界限而不且僅交換離運轉成本。進行利用前由於可不用裝置之停機加工裝置係電至前述被觸或接近前前述加工電體；層積於以及供給前機構。如上的表面而使有通水性之子交換體作子交換容量離子交換體交換容量較交換容量大物之離子交具有表面平須交換高價子交換容量述進給機構停止裝置而時間。具備：可接加工物之供述加工電極極或前述供前述離子交述離子交換述，可將具用。此時，構件之交換為接觸或接大之離子交時，由於具小’因此加之離子交換換各量大之滑性之離子之具有表面大之離子交之前述離子交換離子交觸或接近被電電極；保之保持部；電電極之至換體的表面體而進行離有通水性之最好使離子週期短。

1276490 一較佳設於前換體穿前述離極或前用以再裝置。之離子五、發明說明（17) 本發明之構件；以及介將前述離子交間的方式配置為前述加工電最好具備交換體之再生於電解加工中可縮短停機時本發明之工物之加工電保持前述被加部，且具備複數之電極係構如0 本發明之被加工物與前間。實施形述旋轉繞在前子交換述供電生利用藉由上交換體另一電解加工極；供電至前工物使之接觸數之前述加工成為與前述被一較佳實施形述加工電極或 J:具備旋轉自如之複數旋轉構件之間之複數介設構件， ;旋，件與前述介設構件之 ΐ朽1前述旋轉構件最好電極之至少一方。，述進給機構加以循環之離子处之構成，可自動地再生使用，因此可減低運轉成本，並且 ϋ係具備可接觸或接近被加述被加工物之供電電極；以及或接近前述加工電極之保持電極或前述供電電極，前述複加工物互相獨立且接近分離自態係將離子交換體配置於前述前述供電電極之至少一方之本發明之基板保持部係保持基板使以進行電解加工之基板保㈣，其特徵為且觸轉軸之凸緣部；以及可相對於前述凸緣部在|、成紅軸方向移動自如，且保持前述基板之夹 &疋轉幸之本發r另-電解加工裝置係具備力極; 基板之供电“!，保持前述基板使之與前述加工電極：觸

1276490 五、發明說明之基板保極之間之前述加工基板使之其中具備部在前述頭構件。電電極之用以供給加工電極本發極，將電由具有連板保持部别述基板此時，最或前述供本發前述夾頭第一壓力之基板與根據體之壓力此可將產 (18) 持部；將電壓施電源；以及使利電極相對運動之與加工電極接觸連結於旋轉轴之旋轉軸之軸方向此時，最好在前至少一方之間配流體至配置有前或前述供電電極明之另一電解加壓施加於前述加結於旋轉軸之凸保持基板，使前與前述加工電極好將離子交換體電電極之至少一明之一較佳實施構件之間之第一室而加壓該第一前述加工電極接如上述之構成， ’可任意地控制生於基板與加工加於前述加工電用前述基板保持驅動部，前述基以進行電解加工凸緣部；以及可移動自如，且保述基板與前述加置離子交換體。述離子交換體之之至少一方之間工方法係配置加工電極與前述供緣部與保持基板述基板與如述加相對運動而加工配置在前述基板方之間。形態係具備形成壓力室，藉由將壓力室，使保持觸。藉由調整供給至基板與加工電極電極之間之面壓極與前述供電電部保持之基板與板保持部係保持之基板保持部，相對於前述凸緣持前述基板之爽工電極或前述供此外，最好具備如述基板與前述〇工電極與供電電電電極之間，藉之失頭構件之基工電極接觸，使该基板的表面。與前述加工電極於前述凸緣部與流體供給至前述於前述夾頭構件第一壓力室之流接觸之壓力，因控制成較破壞半

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第29頁 1276490 五、發明說明（19) 導體裝置之壓力小’而可不破壞脆弱材料地進行加工。此處’最好以基板從加工電極或離子交換體接受之推壓力為 1 9· 6kPa( 2 0 0gf/cm2)以下、較 cm2)以下、更好是 6 8 6Pa(7gf/cm2、〇調整供給至第一壓力室之流體之壓力之加工。好是 6· 86kPa(70gf/ • lpsi)以下之方式，而以低負荷進行基板前述第一壓力室最好係件、以及連結前述凸緣部與成0 2前述凸緣部、前述夹頭構河述夹頭構件之彈性構件所形例轴承，軸傾斜旋轉力之距離距離大明，不件之彈重心將動，對之旋轉本預定重 β °根夾頭構如，在基板保精由該球面轴之方式構成時矩（moment)。而變大，因此時，會依條件使用上述之球性構件形成平變低又夾抗第一壓力室力矩會變小或發明之一較佳量之平衡錘，據如上述之構件，可調整作 ^ ^ ^ ^ 承使基板保持部，在凸緣部產生该旋轉力矩係比基板之被加工面的不同而無法安面軸承，而藉由衡架（gimbal )機頭構件可相對於内之流體之壓力消除。力實施形態係藉由调整前述基板姆成’猎由將適當用於基板之面壓 %予寻罕田i间全體以能相以球面軸承例於距球面與球面軸承定的加工。連結凸緣部構與第一壓凸緣部獨立而浮動，因於前述夾頭構件安裝前述加工電極之推壓重量之平衡錘安裝於 ’而可以簡單的構造對於旋轉為中心之轴承中心之中心之根據本發與夾頭構力室，且地上下此如上述

1276490 友、發明說明（20) 降低作用於基板之面壓以實現低荷重之加工更具備將前述夾頭構件朝下方推壓之氣缸。根據如上吨之構成，利用適當地控制氣缸，可調整將夾頭構件朝下 f推壓之力’亦即作用於基板之面壓，而可降低作用於基 $之面壓以實現低荷重之加工…卜，即使產生加工專之變更’亦可僅以控制氣缸之推壓力來對應。、本發明之一較佳實施形態係前述夾頭構;且備來占古 η述基板之連通孔之夾頭&;配置於前述夾頭方之^動，；以及形成於前述夾頭板與前述止動板之間之，一壓力至，精由從丽述第二壓力室吸引流體使該力室減壓，而使前述基板吸附於前述夾頭構件。/ 一 ^ 最好在前述凸緣部安裝有具有向方 :定環，前述夾頭構件設有與前述以出：之次起。如上述之構成，藉由夾頭構件之大=。卩扣合之之突出部，可限制爽頭構件朝下方之移^=二於固定環最好將具有通水性之構件配】：位置。電極或前述供電電極之至少一方之間乩基板與W述加工本發明之另一電解加工裝置俜 ί極與安裝於該電極的表面之加置有具有 C使被加工物可接觸前述電極 j *極構件之 ϊ被加卫物之保持部；“及與前述電n ΐ工構件地保 =極連接之電源，且在前述複數之電極槿=各電極構件之則述被加工物的表面接觸之接觸構件。之間配置有與此時’最好在前述接觸構件安裝〜另+知傷前述

314550.ptd 1276490 五、發明說明⑵） ' 被加工物表面之程度的彈性之材外’ ？述加工構件最好係離子交換體。成之、，友衝構件。此藉由上述之構成’使被加工物盥 (離子交換體）接觸時，被^ ^極構件之加工構件持。亦即，將被二二;由接觸構件所支換體）後，由於被加工物係接觸於接又加工構件(離子交即使要將被加工物再推壓，牛々上面，因此使被加工物與加工構件（離因接_觸構件接受其推壓力而化。如上述，根據it rv換體)之接觸面積不會變觸面積均一，因此可實現均一的加工。物傾斜且因接本發明之另一電解加工二被加工物之供電電·； η、具備加工電極；供電至接觸或接近前述加工電極另二2則述破加工物之基板使之將電壓施加於前述加工恭#，^供電電極之基板保持部；使利用前述基板保持部二掊=述供電電極之間之電源；極以及前述供電電極相對運則述被加工物與前述加工電述被加工物與前述加工電2動之驅動部；將流體供給至前供電電極之間之至少一方w=間，或前述被加工物與前述加工電極與前述被加工物=2體供給部；以及至少將前述電極與前述被加工物之間f之流體的流動，與前述供電壁。 θ之流體的流動部分地隔離之隔此時，最好將離子交加工電極或前述供電電極、配置於前述被加工物與前述好係由彈性體所構成。兮=至少一方之間，又前述隔壁最 ^ #性體可例舉不織布、發泡聚乙

314550.ptd 第32頁 1276490 五、發明說明（22) 細 PV A海綿、聚乙稀海綿或離子交換體等。一此外，最好再具備將流動於利用相互鄰接之前述隔壁 2離之領域之流體之流動分離成前述加工電極側或前述供黾龟極側之流動，與前述被加工物側之流動之第二隔壁。雨述流體係超純水、純水、電導度（換算為latm，25t：時，值以下相同）500// S/cm以下之液體或電解液。再者，最好具有用以吸引流動於利用互相鄰接之前述隔壁隔離之領域的流體之流體吸引部。精由如至少將流動被加工物之物之間之液此可有效地本發明之電極部；加工物之保源’且在前面接觸之接上述之構成，電性化學加工之電解加工之際，於主要產生氣泡（氣體）產生反應之供電電極與間之液體的流動，與流動於加工電極與被加工體的ML動σ卩刀地隔離，並獨立地控制流動，藉去除所產生之氣泡。之另電解加工裝置係具備配置有複數之電極 $被加工物可接觸乃至接近前述電極地保持被 :。卩，以及與丽述電極部之各之 =之電極之間配置有與前述被加工物的表觸構件。本發明之另冤解加極，將電壓施加於前述加工；：：：：加工電極與供電電被加工物接觸或接近前述加則，供電電極之間，使加工電極與被加工物之間之流=的^自隔壁纟少將前述與被加工物之間之流體的流動動，與前述供電電極工物與前述加工電極相對^ :=也隔離’並使前述被加 ^ 以加工前述被加工物的表

1276490____ 五、發明說明（23) 面。此時，最好將離子交換體配置於前述被加工物與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間。 :實施方式】以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。然而，以下的說明雖例示使用基板作為被加工物，並以電解加工裝置加工基板，但本發明當然亦可適用於基板以外。第4圖係本發明實施形態中的基板處理裝置之構成的俯視圖。如第4圖所示，該基板處理裝置係例如，如第1 b 圖所示具備：一對裝卸部（load/unload) 30，作為將收納有表面具有作為導電體膜（被加工物）之銅膜6之基板w之卡 £搬出/入之搬出入部；使基板W反轉之反轉機32;以及電解加工袭置3 4。該等機器係配置成一列，並與該等機器平订地配置有搬送機器人3 6以作為在該等機器之間搬送基板 1並^加^授受之搬送裝置。此外，利用電解加工裝置34進解加工之際，用以監視施加於將於後述之加工電極與電極之間之電壓或流通於該等之間之電流之監視部Μ 糸Μ裝卸部3 〇鄰接而配置。第5圖係顯示基板處理裝置内之電解加工裝置^之俯二’第6圖係第5圖之縱剖視圖。如第5圖及第6圖所示，之臂二工裝置34係具備：可上下動且可沿著水平面往復動以吸引\，垂設於臂40之自由端並使表面朝下（facedowI〇用架44呆持基板Γ基板保持部42;安裝有臂4〇之可動框 4 8。本每形狀=:極j 4 6，以及與電極部4 6連接之電源貝施形悲中，電極部46之大小係設定成較以基板保

第34頁 1276490 五、發明說明（24) 持部4 2保持之基板w的外徑大— 如第5圖及第6圖所示，圈之大小。下動用馬達50，而在該卜τ l可動框架44之上部設置有上向延伸之滾珠螺桿5 2。在滚用馬達5 0連結有朝上下方 40a，而成為臂4〇透過滾珠螺$螺桿52安裝有臂40之基部之驅動而上下動。又，二旱52隨著上下作動用馬達5 向延伸之滾珠螺桿54，成為ρ 4本身亦安裝於朝水平方可動框架44及臂40沿著水:=者往復動用馬達56之驅動而基板保持部4 2係連接於設=，=。馬達58，Ρ遠著該自轉用馬^ 40之自由端之自轉用外，如上述，臂4〇係成為而可旋轉（自轉）。此動’基板保持部42與臂40形成： = 水平方：往復水平方向往復動。體而成為可上下動及可朝 6。之St 下方設置有中空馬達6〇1在該中空馬達 iL在從該主軸62之中心偏心之位置設有驅動Ϊ :4”6係其中央藉由軸未圖示）而旋轉自如地= 、、口於上述驅動端64。另外，在電極部6〇與中空馬達6〇之於圓周方向設有三個以上之自轉防止機構。曰 ^第7A圖係顯示本實施形態之自轉防止機構之俯視圖，第7B圖係第7A圖之A-A線剖視圖。如第7A圖及第7B圖所示’在電極部46與中空馬達6〇之間其圓周方向設有三個以上（第7A圖中為四個）之自轉防止機構66。如第7腦所示，在中空馬達6 〇之上面與電極部4 6之下面相對應之位置，形成有在圓周方向等間隔之複數個凹部6 8，7 0，姐於該等凹

314550.ptd 第35頁 1276490 五、發明說明（25) 部6 8, 7 0分別裝設有軸承72, 74。僅偏離距離”e，，之兩個軸月豆7 6，7 8之一立而部匀別插入軸承7 2，7 4，而軸體7 6，7 8之另一端部係透過連結構件80相互連結。此處，相對於中空馬達6 0之主軸6 2之中心之驅動端6 4之偏心量也與上述之距離 n e”相同。因而，電極部46係隨著中空馬達6〇之驅動，進行以主軸62之中心與驅動端64之間的距離，，e”為半徑之不自轉的公轉運動，亦即所謂的渦形（scr〇u)運動（同動及旋轉之運動）。接著 AA +…M說明本實施形態中的電極部4ϋ。本實施形熊中扩开:46係具備複數之電極構件82。第8圖係顯示本% ^ ^恶=的電極部46之俯視圖，第9圖係第8圖之β_ 二圖二第Η圖為第9圖之部份放大圖。如第8圖及第9圖心複數ΐ=Π2具Ϊ G方Λ(參照第5圖及第8圖）延伸之底部84上電極構件82係並列配置於平板狀之離子交換Λ *極86;㉝積於電極86之上部之表面之以體地覆蓋電極86及離子交換體88的配置於電極I 交換膜）90。離子交換體90係透過、電極8 6兩側之保持板8 5安裝於電極8 6。此處，對離子交換體88, 90的要求為以下四點。 (1)加工生成物（包含氣體）之去除由於這會影響加工率之安定性、加工率分布。因此，最好是使用具「通水性」及「吸水性」之離子

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五、發明說明（26) 乂換體。此處「通水性」係指廣泛的透過性。亦材料本身不具通水性，也可藉由在該構件上開^即’即使水通過，而使之具有通水性。另一方面，r 1水及溝而使水會滲入材料之性質。 7性」係指 (2 )加工率之安定性為了達成加工率之安定性，最好是重疊複換材料，以確保離子交換能力。離子交 (3 )被加工面之平坦性（段差消除能力）交換體之加工表面之平為了確保被加工面之平坦性，最好是離子工面的表面平滑性良好。並且，越硬構件的加坦性（段差消除能力）越高。 (4 )哥命長關於機械性壽命最好考慮耐摩耗性高的離子六料。人換材此處，離子交換體8 8最好使用離子交換容詈古士交換髀。+〜同的離子又供體本貫施形態中，係以層積三片厚1 _之版^ ，布離；六 l嗎C不織 _ 子又換體）的多層構造作為離子交換體8 8，而使離父換體88所持總量之離子交換容量增加。藉由上述之構成I ΐ使因電解反應而產生的加工生成物（氧化物或離子不會蓄積該蓄積容量以上於離子交換體8 8内，確乂換體8 8内之加工生成物之形態都能在離子夺始、作用微、y, ^吳體的、乂艾化，而可防止加工生成物對加工速度及加工速声的分佈造成影響。此外，可確保可充分應付目樟 ^又加工量之離子交換容量。另外，離子交換體88其離子

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第37頁 1276490 五、發明說明（27) 交換容量高的話一片gp γ。又至乂與被加工物相面對之離子交換體9 of # Η 度高、且具有良好的表而亚％ ^ ^ _谀體9 0取好是硬声η 9_夕L f . “表面干滑性。本貫施形態中，使用戸度0.2龍之Naflon(杜邦公司之商標「〒使^用；係：剛性高•且壓縮彈性率低。 -硬度二」不易於加工構件形成如同有圖案的晶圓等， :微，因此容易選…僅：：表：外具有表面平滑性」係指表面凹凸小之：。：f。此子交換體•以接觸作為被加工物之有圖幸的：圓2 ’離 :丄因此容易選擇性地僅去除圖案之凸部。之：結合具有表面平滑性之雜工 > 上述，猎由離子交換體88,可9〇與離子交換容量大之少的離子交換體90之缺陷。又、""88補足離子交換容量較又，就離子交換體90而言，更好是使 :。由於使純水或超純水以通過離子交；良陽離子交換材料時為；之官能基（強酸性藉由水的流通去除與氣氧% 之加工生成物（包含氣體），可 )之反應所產生 f超，水！1流通變成必要，而就：水或超純水：：，純水吕，最好是相同且均一。如 , 之机通而通，可達成離子之供仏及Λ : 耩目同且均一的流 -性，進而達成加生成物之去除的㈣乂加工效率之相同性及均一性。 ] 上述之料交換體88,9G係由例如賦予陰離子交換

314550.ptd 第38頁 1276490 五、發明說明（28) 基或陽離子交換基之不織布具有強酸性陽離子交換基（墙成。陽離子交換體最好是以是具有弱酸性陽離子交換美^二（別11^〇1^))者，但亦可陰離子交換基最好是具有強i,H\(GarbGxyl))者。又，基）者，但亦可以是具有弱驗離子交換基（第4級敍 t 驗性陰離子交換基（第3級以下此處，賦予有強驗性陰離子交換基之不織布係藉由對纖維徑20至50/z m、空隙率約9〇%之聚烯烴（p〇iy〇iefi 之不織布照射r線後進行接枝（grapt)聚合之所謂放射線接枝聚合法導人接枝鏈，接著將導人之接枝鏈胺基化再導入第4級銨基加以製成。所導入之離子交換基之容量係由導入之接枝鏈的量決定。進行接枝聚合時使用例如丙烯 (acryl)酸、苯乙烯（styrene)、曱基丙基（methacryl)酸環氧丙基（qlycidyl)、以及苯乙烯磺酸鈉、氯甲基苯乙烯 (chloromethyl styrene)等之單體（m〇n〇mer)，藉由控制该專之單體濃度、反應溫度及反應時間而可控制聚合之接枝量。因而，接枝聚合後之重量對接枝聚合前之材料重量之比稱為接枝率，該接枝率最大可為5 〇〇 %，接枝聚合後所導入之離子交換基最大可為5meq/g。賦予有強酸性陽離子交換基之不織布係與前述賦予強驗性陰離子交換基之方法相同，對纖維徑2 〇至5 〇 // m、空隙率約9 0 %之聚烯烴製之不織布照射r線後進行接枝聚合之所謂放射線接枝聚合法導入接枝鏈，接著將導入之接枝鍵例如以加熱之硫酸處理再導入磺酸基加以製成。又，以

314550.ptd 第39頁 1276490 五、發明說明（29) 加熱的磷酸處理時可導入磷酸基。此 5 0 0%，接枝聚合後所導入之離子交=f，羊取大可為就離子交換體88,9 0之材料的材質\1大，可為5託(32。乙烯（polyethylene)、聚丙歸（1 。σ例舉有聚烴系高分子，或其他有機高等之聚稀不織布之外，可例舉有織布、薄板、多=形態而言’除維等。寻极夕孔質材、以及短纖此處’聚乙烯及聚丙烯係先斜好線(r線與電子線），藉此射(前照射)放射單體反應而可純聚纟。藉此，接者使之與之接枝鏈。另一方面，其他之右成均一性高、雜質少單體，並照射（同時照射）放射線（Λ'子Λ藉線由使紫之外含浸線），而可進行自由基聚合。此包子線备'外乎可適用於任何材料。雖均一性不足’但幾如上述，由於將離子交拖㈣基或陽離子交換基之不織布構3 由賦予陰離子交換解液等之液體可於不織布之=白工此純水或超純水、電不織布内部之具有水分解觸媒；用之：二而的移動而有效率的搬運至加工;^，、4水及電解液等之液體低電壓亦可獲得高電流。私之表面，因此即使施加此處，若離子交換體8 8 9 I#離子交換基之一方構成的話予陰離子交換基或乂的治’不僅可電解加工之被加工

314550.ptd 第40頁 1276490 五、發明說明（30) 材料受到限制，並將容易因極性而產合具有陰離子交換基之陰離子交換俨’、貝。因此，可組之陽離子交換體，或賦予離子交換^具有陽離子交換基換基與陽離子交換基兩去六' 8，9 0本身陰離子交材料之範圍的同時，將不易產生雜質精此，可擴大被加工本貫施形態中，在相鄰之電極互連接有電源48之陰極與陽#。例如牛=極86上，交之電極86連接於電源48之陰極n為加工電極電極86連接於陽極。例如，加 ^成為供電電極86b之產生電解加工作用，因此連接於陰極極側極86a，連接於陽極之電極86成為供電電\極8成;加工電本實施形態中，加工雷托^ ^ 、電電極86b。如上述，配置。电極86a與供電電極86b並列而交互地依加工材料的T p·^ 讀為供電電極，：連：：=接：電源48之陰極之電極。亦即，若被加；°之电極8 6成為加工電極側會產生恭艇▲ t枓為例如銅、鉬或鐵之情形時，陰極86成為加：電拯因此連接於電源48之陰極之電極。另-方面，若被力=陽極之電極86成為供電電在陽極側產生電解::作：料為例如銘或石夕之情形時’會電極成為加4 ;:用車垃因此連接於電源，陽極之包極’而連接於陰極之電極8 6成為供電％極。％電性i化錫γ物或錮錫氧化物(ιτο)等之導 ^ a犄’在逛元被加工物後進行電解加工。 _

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1276490 五、發明說明（31) — —.一' —一·- :第5圖巾’連接於電源48之陽極成為、卜予〜元：J極之電極成為供電電極，以進行導電極，連以進 > 下* ’將先前成為供電電極之電極：為二化物之還氧化物還元時之極性使還元電極成工ϊγ反轉導此外，使被加工物成為陰極，使之盥.工笔極亦可。進行導電性氧化物之去除加工。'、♦電極相對向亦可胺> j述之例中，雖例示將作為形成於基板> % &、胃胰之銅膜6(參照第1Β圖板表面的導電體附著有不要的舒（Ru)膜也可用相同方、法基，板表面成膜乃至 :極’將連接於陰極之電極作為加？： =了膜成為加工（餘刻去除）。棧而可進行電解於第ΐ圖上所述、’Λ由/加工電極86a與供電電極8做互地設向垂直的方不白广虽部46之γ方向（與電極構件82之長度方置進行二：二：須在基“之導電體膜(被加工物)設施加於r ^ 而可加工基板全面。另外，藉由使衝&妈ΐ工86a與供電電極86b之間之電壓的正負以脈平：Ϊ電解生成物溶解’且利用加工之反覆多重，處，電極構件82之電極部86因電解反應所致之氧化驭洛出一般會成為問題。因此，電極之豆使：於電極之金屬或金屬化合物，不如使用碳:、比較：性的貝金屬、導電性氧化物或導電性陶瓷較好。以該貴金屬作為材料之電極來說可例舉於基礎電極材料使用鈦，並使

314550.ptd 第42頁 1276490 五、發明說明（32) 其表面以電鍍及被覆附著結進行保持安定化與強二m _iiridium) ’再以高溫燒賊度之處理者。陶害掣〇物質作為原料再經熱處理、~般以無機之氧化物、碳化物、气彳t二侍且以各種非金屬、金屬特性之製品。η亦為原料：可製作具有各種導致電極之電阻值增加v电性之陶瓷。電極氧化時會於利用翻等不易氧化之材：m壓上升，然如上述，由極表面，止因電極氣化物保護電形。 +之虱化而使V电性下降之情將,Λ第，所示，在電極部46之底部84内部形成有用以 92係透過純水供蛉；I； q ^ =被加工面之奴路92，該流路電極構件8二；；=接於純水供給源(未圖示）。在各水喷射至基板w盥電極H以=流路92所供給之純水或超純 ^^^ ^ . 複數部位設有用以鉬6 d鳴朝χ方向（芩照第8圖）之士 1而^ 朝向與電極構件82相對向之基板w之被加工面，亦即基板_離:板W之被或超純水之嘖射〇 QQ 、如吳骽90之接觸。卩分贺射鈍水水喷射噴嘴、> + /瓜路9 2内之純水或超純水係從該純射口98供給至基板w之被加工面全域。二之匕〇:所示 '純水喷射喷嘴歉高度係較電極構件82之離子ΐ拖體9〇之尚度低，即使使基板W接觸電極構 LI:子觸父換體9°之際’純水喷…^ 此外’在各電極構件82之電極86内部形成有從流路Μ

314550.ptd 第43頁 1276490 五、發明說明（33) 通過硪子父換體88之貫通孔丨00。藉由上述之構成，流路 9 2内之純水或超純水係通過貫通孔j 〇〇而供給至離子交換體8卜此處，純水係例如電導度為l〇" s/cm以下的水超純水係例如毛導度為〇. s/cm以下的水。藉由使用上述不έ电解貝之純水或超純水來進行電解加工，可以將附著、殘留在基板w表面之電解質等雜質去除。再者，由於因電2而溶解之銅離子等以離子交換反應立即捕捉至離子交換體88, 90’因此已溶解之銅離子等不會再次析出至基板W之其他部分，也不合姑氧儿 t个曰破氧化而成為微粒子而污染基板w 表面。此外，除了純水或知A U μ 7 ^ 一超、、、屯水外，也可使用電導度為5 0 0 // S / c m以下的液體，或任咅 :^ ^ ^ ^ _ 又仕思之電解液例如於純水或超純水中添加電解質之電解液。 f ^ ^ ^ ^ 精由使用電解液可減少電阻而減少消耗電力。以該電解液來鳍 ^ , τ…丄文木况，可使用例如NaCl或Na2S04 等之中性鹽、11(：1或H2S〇戽之舻 ^ , 2 4 、―个 θ ^ ^ ^ 仏涛之馱、再者可使用胺等之鹼等溶液，且可依被加工物之特批心％性適當選擇並使用。再者，除了純水或超绅k I W ;从七…水外，也可使用於純水或超純 c/ 阳成為電導度為50 0/z S/cm以下的，乘好疋50// S/cm以下，承丄 _ 、卜更好是〇· 1// S/cm以下（比電阻為1 0ΜΩ · cm以上）之液體。士 ^ ,^ . w ^ ., t. 士上述，精由於純水或超純水中添加界面活性劑，會在美t… ^ β ^ 暴板w與離子交換體88, 9 0之界面

形成具有防止球子移動之一样从4 W ^ ^ ^ //v ^ I的抑制作用之層，因此可以緩和離子父換（金屬之溶解）夕隹丄 ,^ 田I、鮮）之集中而可提高被加工面之平坦性。此處，界面活性劑潘声田丁 4礙度取好是在1〇〇ppm以下。然，

1276490 五、發明說明（34) 電導度之值太高的話電流效率會下降，且加工速度將變慢，而藉由使用具有5 0 0// S/cra以下，最好是50/z S/cm以下，更好是0· 1// S/cm以下之電導度之液體，可獲得預期之加工速度。接著’說明使用本實施形態中的基板處理裝置之基板處理（電解加工）。首先，將收納有例如第丨B圖所示之表面形成有作為導電體膜（被加工部）之銅膜6之基板W之卡匣設

置於裝卸部3 0，再由搬送機器人3 6從該卡匣將一塊基板W 取出。搬送機器人3 6係按照需要而將取出之基板w搬送至反轉機3 2，而使形成基板w之導電體膜（銅膜6 )之表面反轉成朝下。搬送機器人36係授受已反轉之基板w，並將該基板冗搬送至電解加工裝置34,再藉由基板保持部42吸附保持。使臂40移動而使保持著基板w之基板保持部42移動至電極 n 2 ί方之加工位置。其次，驅動上下動用馬達5 〇使美下降，使該基板保持部42所保持之基板w接觸土或接k也極部46之離子交換體9 0之表面。在誃動自轉用馬達58使基板w旋轉，同時 μ L ，驅極部勒“㈣。此時，從純水喷將純水或超純水噴射至基板w與電極構件賀射口 98 透過各電極部46之貫通孔1。。使離子交換體二此外，超純水。在本實施形態中，供給至離子、六1 a有純水或超純水係從各電極構件82之長度方=排:88之純水或 m ^ v %砟排出。 …、设，利用電源48施加預定電壓5 τ + 至加工電極86a與供

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第45頁 1276490 五、發明說明（35) 電電極f6b之間，藉由利用離子交換體88, 9 0所生成的氫離子或氯氧化物離子進行加工電極（陰極）8 6 a中之基板w表面之體膜（銅膜6 )之電解加工。另外，本實施形態中，於私解力:驅動往復用馬達5 6使臂4 0及基板保持部4 2於。…、第5圖及第9圖）移動。如上述，本實施形態命，電極部46作渦形運動，使基板w於 g 長度方向垂吉+丄， ^ % •辦1干8 Z之部46於盥電極^方向移動同日守進行加工，然而例如使電極基板W作'渦形運長度方向垂直之方向移動的同時使 9圖）之直進\運1 動亦可。又，進行朝Y方向（參照第5圖及第 86a與供電，以監視器部38監視施加於加工電極之狀態下進行i广…點士)即，在施加相同電壓（電流) 施加之電壓1合\解加工時，依材料~之不同流動之電流（所表面依序有θ產生差異。例如如弟1 1 A圖所示，監視對於加工時所與材料八成膜之基板麵該表面施加電解電流流動，L ί ?電流肖’電解加工材肖八的_間有-定的流會產生變;在進行至加工f同的材料Β之時點流動之電供電電極之n。同樣的’如第1 1 B圖所示，在加工電極斑加-定的電；施加的電壓於電解加工材料A的期間施加的電壓I，，但在進行至加工不同的材料B之時點戶1施較電解加：J生變化第=係例示電解加工#料B時電解加工#^料人時電流難以動之情形；第圖係^矛了料B時較電解加工材料A時電壓奋古 “ 曰增面之情形。

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314550.ptd 第47頁 1276490 五、發明說明（37) 工裝置中，係例如以2〇kPa以下之壓力使離子交換體9〇觸於基板W即可，而以！ 0kPa以下之壓力也可獲得充分加工效果。除本實施形態中，使基板W與電極構件82之離子交 90接觸並進行加工之情形，由於在電極部46之離子交換體 9 0與基板W之被加工面之接觸的範圍内進行加工因此必旦須按照基板W之推壓量（亦即，電極部4 6與基板w之間之離）調整離子交換體9 0與基板W之被加工面之接觸寬度。铁而，由於電極構件82呈長尺狀，因此要遍及長度方向之^ 長以高精密度調整電極部4 6與基板W之間之距離是有困難的。此外，加工中，電極部46係進行渦形運動，基板界係在Y方向（參照第5圖及第9圖）移動，因此隨著該等相對移動可變化上述距離。再者，根據各電極構件82之離子交換體9 0之安裝狀態，各離子交換體9 〇之高度產生不均，亦會發生相同的問題。如第1 2A圖所示，例如電極部46之上面與基板w之間之距離為h !(1 7 · 7mm )之情形時，離子交換體9 0與基板W之被加工面之接觸寬度成為Wi( = 4.4mm)，而如第12B圖所示，電極部46之上面與基板W之間之距離為h〆17. 5mm)之情形時，離子交換體90與基板W之被加工面之接觸寬度成為w2( = 5· 2mm )，接觸寬度產生很Λ的變化。電解加工係在離子交換體 9 〇與基板W之被加工面之接觸範圍内進行，因此如上述離子交換體9 0之使用於加工的部分之接觸寬度產生變化時有無法獲得均一的加工之虞。

314550.ptd 第48頁 1276490 五、發明說明（38) — ~— —~-〜_ 由上述之觀點來看，最好在換體90之使用於加工之J = j構件82設置將離子交定之接總* “ ！與基板w之接觸寬度限制為固接觸見度限制部。第1 3 A圖係表示具備如上述寬度限制部之本發明之另一每絲有々上这之接觸冰η ~力貝施开》恶之電解加工#要士认電極構件之咅I]視圖，第I楚、置中、 ^ .t . I ^弟13Β圖係弟HA圖之部份放大圖。本 Π二及第，寬度限制部係使用絕繼面有絕緣薄膜102，以形成僅使離子交換體9〇之卜頂: ^見度W3(例如4mm)之範圍露出離子交換體90。該絕緣薄膜丄〇2可以是電性絕緣物，例如可使用厚度〇1龍之膠巴帶象厚膜 ^ 使用如上述之電極構件8 2進行加工之情形時，以至少露出離子交換體90之寬度w炙部份與基板接觸之方式，將基板之推壓量設定在預定之推壓量以上。藉此，如第丨4a 圖所示’電極部46之上面與基板w之間之距離為h3(17. 7mm) 之情形時，電極構件82與基板w之被加工面之接觸寬度雖為w/= 4· 6mm) ’但離子交換體9〇實際上與基板w之被加工面接觸之寬度為w5〇 3 · 5mm )。又，如第1 4B圖所示，電極部4 6 之上面與基板W之間之距離為h 1 7 · 5 m m )之情形時，電極構件82與基板？之被加工面之接觸寬度雖為^( = 52111111)，但離子交換體9 0實際上與基板被加工面接觸之寬度係與第 14A圖所示之情形相同為W5(==3. 5mm)。因而，本實施形態中’即使基板W之推壓量變化，藉由貼附於離子交換體9 0 之表面之絕緣薄膜i 〇 2，可將基板界之被加工面與離子交換體9 0之接觸寬度維持成固定，而可實現均一的加工。

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1276490 五、發明說明（39) 然而，本實施形能φ 心中，雖以於離子交換體9 0之頂部以外之表面側貼附有絕緣薄膜m之例加以說明，但也可在離子交換體9 0之頂部以外夕北 , ,^ I月形V P艮制進仃離子交換之範圍，目此可望獲得相同的效果。弟15A圖係表示本蘇日日甘 ,^ ^ ^ ^ 、不^月其他貫施形態之電解加工裝置 ::每厂^剖視圖’第^圖係第^圖之部份放大 I 貝2 7t的電極構件8 2以接觸寬度限制部而言， /斤不'離子父換能力之構件。亦即，本實施形態中，如弟1 5A及第15B圖所千，触7 π Λ ^ 離子交換體9 0之頂部以外之部份 9 0 a不具有離子交換鈕七 _ /yT r 、犯力’僅離子交換體9 0之頂部之寬度w ^ 〇 9〇a> 〜糸列如在用鉛遮蔽未賦予離子交換能力之部份9〇a之狀恶下照^ T線，藉由進行接枝聚合可一體形成。入本實施形態中，以至少有離子交換能力之部份9〇13之 =面接觸基板之方式，將基板之推壓量設定在預定之推壓里以上。藉此，如第1 6 A圖所示，電極部4 6之上面與基板w 之間之距離為}^( 17· 7mm)之情形時，離子交換體90與基板w ^被加工面之接觸寬度雖為W8( = 4· 4mm)，但進行加工之部知（亦即具有離子交換能力之部份）之寬度為4咖）。此外’如第1 6 B圖所示，電極部4 6之上面與基板W之間之距離為he( 17· 5mm)之情形時，電極構件82與基板w之被加工面之，觸寬度雖為w 1G( = 5· 2mm)，但進行加工之部份（亦即具有離子交換能力之部份）之寬度與第16A圖所示相同為W9(Mmm

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第50頁 1276490 一------- ------- 五、發明說明（40) )。因而，本實施形態中，即使基板W之推壓量變化，M 不具離子交換能力之構件9 〇 a，可將進行加工之部分之# 度維持於固定，而可實現均一的加工。又，本實施形織中’可省去貼附如上述實施形態之絕緣薄膜1 〇 2之手續。再者’上述之實施形態中，貼附於離子交換體9 〇、之屺緣薄膜1 02之厚度對上述接觸寬度多少有影響，另外，在離子交換體9 0之背面側貼附絕緣薄膜J 〇 2之情形备，為電場對離子交換體90之表面之蔓延而對該表面之v均二少會產生不均之現象，然而在本實施形態中，使° = =具有離子交換能力之部份鳴與不具離子交 a 之離，交換體90,則可消除上述之影響。力9〇a 第1 7A圖係表示使用於本發明加工裝置中的電極構件之雛子六1 之/ 貝靶形悲之電解俜# _ + # + ^攝件之離子父換體之剖視圖，第你表不安裝有第17a圖丄 i圖份钭满岡 ,^ 、乂換體之電極構件之部仞斜視圖。本貫施形態中的電極之。Ρ 設有凸部作為接觸寬产牛82中於離子父換體圖所示，離子交換體9〇係頂部：17Α圖及弟”Β 上述之凸部9〇c係使用對庫於凸邱有見度Wl1之凸部9〇c。如藉由推出加工籬早^子應於凸4 9〇c之形狀的模具，而可推出加工離子交換體90而製作。本實施形態中，以至少離 ^ 面接觸基板之方式，將二換體90之凸部9〇c之全以上。萨此，其也/土板推壓量設定在預定之推壓量如第181所Λ從第_户斤示之位置向下方推壓，且如第=:?於離子交換體90之凸部，之表面，並弟職所⑼使向下推壓㈣

1276490 五、發明說明（41) = 面與基板#接觸，故接觸寬度一定。因而，本 i ^推〜壓旦鐵^由设於離子交換體90之凸部9〇c，即使基里又匕，也可將基板W之被加工面盥 9〇之接觸寬度維持於固$，而可實現均-的;^ 換體邱奸：制Γ ί :月形中，如第19圖所示，可在凸部9〇c之内由脾卜、f夕接Γ 構件104，例如氟樹脂等。藉由將上U之構件1 0 4插入離可提高離子交換體9〇之機械、- 。Oc之内部，示’亦可將凸部90c以沿著電極構件82之長度弟方= 間距，僅設置於離子交換體90之一部分。此、，可如第20B圖所示缩短、VL裟種〖月形中’亦方向之官声B士 " 考凸°卩9 0 c之電極構件8 2之長度方π之寬度日才，與第2 〇 a所示之雷搞^爐生超純水容易被供仏至被/Λ电極構件82相比，純水或足而產生之加心常。D φ ’可防止因純水或超純水不第2 1圖係表示本發明一之電極部之剖面圖，第22圖f二广％之電解加工裝置施形態之電極部46a俜盥前I 4 n回之部分放大圖。本實以直線狀延伸：二=相同，形成為矩形，具備有平板狀之底^ ΪΛ 〇〇，該等電極2 0 0係並列配置在十扳狀之底部84a上。本實絲拟能由 +』』。直你離子交換體。該等各電極、/二，電極200上面並沒有陽；1¾，此例由 ^冬2 0 0係父互連接於電源之陰極盥極，此例中，以連接於炫電極20 2a，連接於陽: = = f之陰極之電極2 0 0成為加工

314550.ptd 第52頁式形成。之電極2 0 0成為供電電極2 02b之方 1276490 五、發明說明（42) 如第22圖所示，在電極部46a之底部84a之内部，於被加工面形成有用以供給純水，較佳是超純水或電解液之流路2 0 4，該流路2 0 4係透過流體供給管2 0 6連接於流體供給源（未圖示）。在各電極2 0 0之兩側設置有用以將由流路2 0 4 所供給的純水或電解液等供給至基板W與電極2 0 〇之間之流體供給噴嘴2 0 8。該流體供給噴嘴2 0 8上設有沿著長度方向以預定間距設置於複數處之朝向基板W與電極2 0 〇之相對向部份乃至接觸部分喷射純水或電解液等之供給口 2 1 0。流路2 0 4内之純水或電解液等從該流體供給喷嘴2 0 8之供給口 2 1 0供給至基板W之被加工面全域。又，各電極2 0 0之内部形成有連通至流路2 0 4並貫通上下方向之貫通孔2 1 2。藉由上述之構成，流路2 0 4内之純水或電解液等係通過貫通孔2 1 2而供給至電極2 0 0與基板W之間。另外，在電極2 0 0與流體供給喷嘴2 0 8之間插設有保持板 214。如本實施形態所示，在電極2 0 0之表面不設置離子交換體亦可。根據該例子，由於並列設置有複數之電極 2 0 0，並從與被工面相對向之面使供電電極2 〇 2 b與加工電極2 0 2 a接近，藉此可容易地進行例如對基板上之導電膜 6 (參照第1 B圖）之供電。此外，由於分別以等間隔配置相同形狀之供電電極2 0 2 b與加工電極2 0 2 a，因此相對於基板之供電電極2 0 2 b與加工電極2 0 2 a之比率成為大致相等，因此供電部分不需集中在基板之多數部位，而具有可均一地供電至基板全面之優點。

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子交換體以外等具有使離子五、發明說明（43) 在第2 1圖及第2 2圖之例子中，雖顯示未設置離體之丨月形’但在電極與被加工物之間設置離子交換之構件亦可。此時，就該構件來說，藉由使用海綿通液性之構件，可透過電極與被加工物之間之液體移動。另外’在電極與被加工物之間未設置離子交換體、之構件時，被加工物與電極之間之電阻則以較相鄰之外電極間之電阻要小之方式，設定被加工物與各電極間正負離以及相鄰之電極間距離，使離子之移動可在電極1巨工物之間進行而不在相鄰之電極間進行。藉此，電流成、° 優先地以供電電極—被加工物—加工電極之方式流動。為根據本實施形態之電解加工裝置，對基板W全面進行蝕刻去除成膜乃至附著之不必要的釕膜時，在加工電極 2 0 2 a以及供電電極2 〇 2 b與基板W之被加工部之釕膜之間，供給例如含有豳化物之電解液。然後，分別將電源之陽極連接於供電電極202b，將陰極連接於加工電極202a，藉此，使基板W之表面之釕膜形成陽極，使加工電極2 0 2 a形成陰極，並將電解液供給至基板W與加工電極2 0 2 a以及供電電極2 0 2 b之間而對與加工電極2 0 2 a相對面之部位進行蝕刻去除。就用以溶解齒化物之溶媒而言，可使用例如水或酒精類、乙腈（acetonitrile)、二甲基縮醛、二甲亞楓 (dimethylsulfoxide)等之有機溶媒。可根據加工之釕膜之用途、加工後所需之洗淨、表面狀態等適當選擇。有關

314550.ptd 第54頁 1276490 五、發明說明（44) 半導體製造所使用之基板，為了極力避免雜質之污染，最好使用純水，更好是使用超純水。又’ i化物係將其溶液作為電解液時利用電化學性相互作用進行釕膜之I虫刻加工，並且電解中所生成之化合物與釕反應，而反應物溶解於電解液中，或揮發後予以去除者皆可。電解液可使用例如，如HC 1、HBr、Η I之水溶液之鹵化氫酸；如 HC103、HBr03、ΗΙ〇3、HC10、HBrO、ΗΙ0之鹵氧基酸之水溶液；如NaC103、KC103、NaCIO、KC10之鹵氧基酸鹽之水✓谷液，以及如N a C 1、K C 1之中性鹽之水溶液。亦可根據加工後釕之使用用途與殘留物質之影響、釕之膜厚、釕之基礎膜之特性等適當選擇。 δ亥電解加工裝置中，與前述例子相同，透過基板保持部4 2 (參照第5圖及第6圖）使基板W接近乃至接觸於加工電極2 0 2 a以及供電電極202 b並使之旋轉，接著使電極部4 6 a 進行渦形運動，藉此，藉由電化學性反應進行釕膜之钱刻去除，同時藉由電解所生成之鹵化物與釕祺產生化學反應’而進行釕祺之蝕刻去除。加工後之表面係藉由由超純水供給噴嘴（未圖示）所供給之超純水加以洗淨。鹵化物之濃度係lmgns l〇g/l，最好是100mg/l至

314550.ptd 第55頁 1276490 五、發明說明（45) 速度。弟2 3圖係表示本發明之另一。施形態之電極部146具備以直線狀延伸之複數圖。本貫 182，該等電極構件182係” 數構件部184上。置於平板狀之底如第24圖所示，各電極構 ^覆蓋電極服表 (離子交換膜）19〇。離子交換體19〇係透過配置體之兩側之保持板185安裝於電極186。該離換雕1 186 以例如賦予有陰極交換基或陽極交換基之不；：：丄：系然後，在相鄰之電極構件182之電極186上六。 :源之陰極與陽極。例如，將電極(加工電極）有包源之陰極，將電極（供電電極）186b連接於 f於加工銅之情形日寺，由於在陰極側產生電解加3用；， J接於陰極之電極186成為加工電極186 乍用陽因此電極186成為供電電極186卜如上連接=阮極之工電極186a與供電電極186b並列地交互配中’加在電極部146之底部184之㈣，於，純水，較佳是超純水之流路192，面=用純水供給管194連接於純水供給源、(未 9f朽透過水τ射至基板w與電極構件182的離子交換體ΐ9〇\ϋ起純水嘴射噴嘴196。該純水噴射噴嘴196上設有沿著長度方向

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五、發明說明（46) 汉置於複數處之用以朝向與電極構件1 8 2相對向之基板w之被加工面，亦即基板W離子交換體1 9 0之接觸部分喷射純水或超純水之喷射口 1 9 8。流路1 9 2内之純水或超純水從該純水嘴射喷嘴1 9 6之喷射口 1 9 8供給至基板w之被加工面全域。此處’如第2 4圖所示，純水噴射喷嘴1 9 6之高度較電極2件182之離子交換體190之高度低，即使使基板w接觸於電極構件182之離子交換體19〇之際，純水噴射喷嘴196 亦Z會接觸於基板w之方式形成。此外，在各電極構件1 8 2 之:極1 8 6之内部形成有從流路1 9 2連通至離子交換體丨g 〇之貝通孔1 9 9。藉由上述之構成，流路i 9 2内之純水或超純水係通過貫通孔i 9 9而供給至離子交換體丨g 〇。其他之構成係14弟5圖乃至弟1 〇圖所示之例子相同。本實施形態中的基板處理裝置中，與前述相同，在使利用基板保持部42(參照第5圖及第6圖，以下相同）保持之基，w接觸或接近於電極部146之離子交換體19〇之表面之狀ί下，使電極部1 46進行渦形運動。該渦形運動係使加工電極1 8 6+a與基板f在γ方向（參照第2請，以下相同）相對運動’並藉由该渦形運動形成沿著Y方向之往復相對運 ^。與該渦形運動同時，使以基板保持部4 2保持之基板w J J方向移動預定距離，並在基板w與加工電極1 8 6 &之間進第一相對運動。此時，從純水噴射噴嘴1 Μ之喷射口工9 8 噴射純水或超純水至基板W與電極構件i 82之間，又，通過 ^電極部146=貫通孔199使純水或超純水包含於離子交換一 1 9 〇中。本貫施形態中，供給至離子交換體1 9 0之純水或

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第57頁 1276490 五、發明說明（47) 超純水係從各電極構件再去，i泰、仵1 82長度方向端部排出。曰电源施加預定電壓至加工雷朽1 S β η叙瓜+ 氧化物料，在力換Λ190所生成之氯離子或氣甩極（陰極）1 8 6 a進行美；w夕主導電體膜（銅膜6)之電解如T s从仃基板W之表面之 :r:…‘基=持部電解加工中係以監視器部3 8 (參照第4圖）監加工電極1 8 6 a與供電雷；1 8 β ^ ^ 加於 /、仏包包極186b之間之電壓、或流動於之…而檢測終點（加工終點）之方式與前述相同。、間電解加工終了後，切斷電源的連接，並停止電 146之渴形運動，再運送加工後之基板…至下一步驟。# 在此，考慮一個加工電極時，如第25A圖所示，電加工時，僅在基板W與加工電極22 0之表面之離子交換 2 3 0接觸或接近之範圍l進行加工。沿著由該加工電極2 所加工之基板W之Y方向（與加工電極2 2 〇之長度方向垂直方向）之每單位時間之加工量，係形成如第2 5B圖所示之八佈。如第25B圖所示，電場集中在加工電極22〇之端部刀 2 2 0a，因此加工電極22 0之端部22〇a附近之加工率比中附近2 2 0 b要高。六 —如上述，在一個加工電極22〇加工量產生不均，但在本貫施形態中，如上述，藉由使電極部i 4 6進行渦形運動，使基板W與加工電極1 8 6 a (參照第2 3圖）在γ方向往對運動（第一相對運動），可抑制該加工量之不均。第2%目

314550.ptd 第58頁 1276490 五、發明說明（48) ---—- _ 圖係顯示沿著進行渦形板W之Y方向之每單位日=，動（第一相對運動）之情形中的基示，雖然藉由渦形運二，加^量之圖表。如第25C圖所全地消除不均現象。。工里之不均減；’但並無法完 ^實施形態中1 了上述之渦形運動（卜’猎由在電解加卫中使以基板保持部撕保持之^^ 2 $方向移動預定距離，並在基板w與加工電極22〇之&間進行第二相對運動，可消除上述加工量之不均。亦即，如第 26A圖所示，僅進行渦形運動（第一相對運動）之情形，沿著基板W之Y方向加工量產生差異，相同形狀之加工量分布依間距P出現，而在電解加工中，驅動第5圖及第6圖所示之往復動用馬達5 6，使臂4 0及基板保持部4 2朝Y方向（參照第2 3圖）移動如第2 6 A圖所示之間距P之整數倍，在基板w與加工電極2 2 0之間進行第二相對運動。電解加工中同時進行如上述之第二相對運動與上述第一相對運動之情形，例如，移動間距P之一倍之情形，如第2 6 B圖所示之基板W上之點Q係僅加工相當於面積S &加工量，如第2 6 C圖所示之基板W上之點R係僅加工相當於面積S &加工量。在此，由於各加工量分布之形狀皆相等，因此該等面積S q、S R會相等，基板W上之點Q與點R中的加工量也會相等。如上述，藉由進行第一相對運動與第二相對運動可將基板W之全面均一地加工。此種情形，第二相對運動之移動速度最好固定。在此，反覆上述之第二相對運動，使基板W相對於加

314550.ptd 第59頁 1276490 五、發明說明（49) 工電極2 2 0在Y方向往復運動。此時，往路與復路之移動距離必須為上述之間距P之整數倍，然而往路之移動距離與復路之移動距離不一定要相等，也可以不相同。例如，可以使往路之移動距離為間距P的2倍，使復路之移動距離為間距P的一倍。如上述，藉由同時進行第一相對運動與第二相對運動可以使基板W之全面均一地加工，但實際之加工時，加工電極之長度方向中每單位面積之加工率會出現不均，或會依各加工電極而加工率不同，會有無法實現均一的加工之情形。如上述之情形，最好是進行如以下所示之第二相對運動。首先，如第2 7 A圖所示之狀態下，使基板W相對於加工電極2 2 0朝Y方向移動上述之間距P之整數倍。接著，驅動自轉用馬達5 8 (參照第5圖及第6圖），使基板W朝逆時針方向旋轉9 0度後，使基板W朝Y方向移動間距P之整數倍（參照第2 7B圖）。相同地，使基板W朝逆時針方向旋轉9 0度後，使基板W朝Y方向移動間距P之整數倍（參照第2 7C圖）。再使基板W朝逆時針方向旋轉9 0度後，使基板W朝Y方向移動間距P之整數倍（參照第2 7D圖）。如上述，使基板W的第二相對運動之方向在往路（往Y方向移動）與復路(往Y方向移動）產生變化，藉此即使加工電極之加工率多少有不均，可將該不均均等地分散於基板W上，而可使全體之加工的不均一互相抵銷。此種情形，如第27A圖至第27D圖所示，反覆預定角度

314550.ptd 第60頁 1276490 五、發明說明（50) 之旋轉，到基板之電解加工終了為止最好是基板^至少方走轉一圈。另外，在第27A圖至第27D圖所示之例子中，將^ 板W各旋轉9 〇度在四個方向進行第二相對運動，但、土 ,、）」匕限疋於此。例如，亦可將基板W各旋轉4 5度在八個方向進^ 第二柄對運動。此外，不在往路與復路變化基板w中的2 二相對運動之方向，而可依各往返運動進行變化。、另外，在第27A圖至第27D圖所示之例子中，說明，法Y !方向之移動）與復路（往Y方向之移動）變化基 ^ =二相對運動之方向之例，但如第28A圖至第28D圖、 ’、可使基板W在Y方向移動後，旋轉基板贩使之不 ^的位i，再次使基板M Y方向移動。如上述回到運動中的一方向（上述例中為γ方向）之運對第 2基反种的第二相對運動之方向變化，藉此可抵鎖為早： J形狀、電荷集中、因離子交換體之影響而產生的加工和偏如f 29圖之箭頭所示，在第二相對，與，路之間將基板w之位置朝加工電極22〇之長度方/ 具，在往路與復路變化相料力口1電極之第二相對運動 2方向之位置亦可。藉由上$，即使在加工電極22〇等Ιί:向加工率多少有不均之情形，也可在基板W上均 ;地：二該不肖，並可抵銷全體之加工不均一。此種情形 f在往路與復路變化相對於基板W中的加工電極22〇之相對運動之長度方向之位置，亦可以對第二相對運動中的一方向之運動為單位進行變化。又，如第3〇a圖及第

3H550.ptd 第61頁 1276490 五、發明說明（51) ~ -— 30B圖所示，第二相對運動中亦可使基板w之位置電極2 2 0之長度方向垂直的方向偏移。〃 σ工又’亦可依加工步驟（亦即，第二相對運動中，_動第一相對運動所產生之間距之整數倍之週期）變化施二於加工電極與供電電極之間之電壓及/或電流，以適當地控制加工率。例如，如第3 1 A圖及第3 1 B圖所示，亦可田在進二行隶後之步驟之時間TL中，例如使進行第2 7 D圖所示之步驟之時間中的施加電壓減小，使基板It之膜厚達到目^ · 值。或者，可使電流A?、原樣，而依加工步驟變化第二相對運動之速度（掃描速度）’而適當地控制加工率。、上述之實施形態中，說明了各電極構件1 82並列地等間距配置之例子，但如第32A圖所示，各電極構件i 82未以等間距配置之情形亦可適用本發明。此種情形中，僅進行第一相對運動所致之加工量分佈中的間距之整數倍之第二相對運動的話，可均一地加工基板W之全面。此外，如第 3 2 B圖所示’貼附有表面具有凹凸之離子交換體丨g 〇 &之平板狀之加工電極1 8 6 c也可適用本發明。上述之貫施形態中，雖說明了使電極部1 4 6進行洞形運動，一邊使基板W在與電極構件」82之長度方向垂直的^ 向移動一邊進行加工之例，但例如，亦可使基板w進行形運動而進行第一相對運動，使電極部146在與電極構件 182之長度方向垂直的方向移動而進行第二相對運動。 $、，J -相對運動係以具有固定軌道之循環運動成沿者一方向之往復相對^ ^ 攸伯對運動即可，例如除了上述之渴形

3]4550.ptd 1276490 五、發明說明（52) η开】在γ方向之直進往復運動或描繪橢圓、四方形、二角形4之多角形狀的執跡之循環運動亦可。外，二t ΐ極3時間變化電極部側之運動速度亦可。此 …動之軌道二動'變化運動速度。例如在 γ度’肖此以使電極不會相對於基板之某—點長時置之二1二=:頁不本發明之另一實施形態中的電解加工裝置之要口P之縱剖面圖。第 — 係使表面向下(面朝^下二：】3;所不，電解加工裝置234 保持部240 ;以及配w \備用以吸附保持基板W之基板 2 5 0。美板伴^ f置於基板保持部24 0之下方之電極部形成上％動自持二2:^ 機構進行渦形運動疋0又，利用未圖示之渦形運動述，本實施水平方向進行往復直線運動。如上構複雜且慣性U Κ 1基板保持部2 4味進行機單純且低速的往復；，並用電極部250來進行機構極部W之間之相對運動 π有效率地進行基板w與電圖及顯示第33圖之電極部25 0之斜視圖。如第33 之介設構件27〇 = °又於相鄰接之旋轉構件26 0之間以穿繞之方十要— 種類之離子交換體2 80, 29〇係式配置在該等旋轉構件26〇與介設構件27〇之

314550.ptd 第63頁 1276490 五、發明說明（53) 間。離子交換體有具有不同特性者，例如，表面平滑的離子交換膜係在半導體晶圓表面之銅之研磨加工等方面消除段差能力優良，但離子交換容量較小。又，由不織布構成之離子交換膜係消除段差能力小但離子交換容量較大。本實施形態中，藉由使用組合具有不同特性之兩種類之離子交換體2 8 0，2 9 0，可彌補彼此之缺陷。上側之離子交換體2 8 0係與被加工物相面對，因此比下側之離子交換體2 9 0硬度高、且具有良好的表面平滑性。本實施形態中，使用厚度0 . 2 m m之N a f i ο η (杜邦公司之商標）。此處，「硬度高」係指剛性高、且壓縮彈性率低。藉由使用硬度高的材質，不易於加工構件形成如有圖案的晶圓等之被力口工物表面之微細的凹凸，因此容易選擇性地僅去除圖案之凸部。此外，「具有表面平滑性」係指表面凹凸小之意。亦即，離子交換體難以接觸作為被加工物之有圖案的晶圓等之凹部，因此容易選擇性地僅去除圖案之凸部。就下側之離子交換體2 9 0而言，最好是使用離子交換容量大之離子交換體，本實施形態中，係以重疊三片厚 1 mm之C膜（不織布離子交換體）之多層構造作為離子交換體 2 9 0，以增加整體之離子交換容量。藉由使用如上述離子交換容量大之離子交換體，使電解反應所產生之加工生成物（氧化物或離子）不會蓄積該蓄積容量以上在離子交換體 2 9 0内，確保離子交換體2 9 0内所蓄積之加工生成物之形態都能在離子交換體的作用下變化，而可防止對加工速度及

314550.ptd 第64頁 1276490 五、發明說明（54) ' '~~~~--~~ - 加工速度的分佈造成影響。又，可確保可充分庫付被加工物之加工量之離子交換容量。另外，若離 =^ 290之離子交換容量大的話不須多層構造而+ 乂換^ 換體形成亦可。浪離子父如上述，本實施形態中，藉由組合具有表面離子交換體2 8 0與離子交換容量大之離子交換 α 過離子交換體2 9 0彌補離子交換體280之離子交換容量缺陷。亦即’利用離子交換交旦 > 、 ,τ , ^ 換谷里大之離子父換體2 9 0進行生成物之取入，基板从之加工係利用具離子…28°進行，藉此達成高精度且加工量：：:ΐ 丁〇又’就f側之離子交換體2 8 0而言，更好是使用通水 k ^者。藉由使純水或超純水以通過離子交換體2 8 〇之式流動’供給充分的水至促進水之解離反應之官能基 &強酸性陽離子交換材料為磺酸基）並增加水分子之解離里’透過水的流動去除因與氫氧化物（或OH自由基）之反應所產t之加工生成物（包含氣體），而可提高加工效率。因 ^ 系要、、屯水或超純水的流動，就純水或超純水之流動而最好是相同且均一。如上述，藉由相同且均一的流 $ ’可達成離子之供給及加工生成物之去除之相同性及均 =性’進而達成加工效率之相同性及均一性。另外，離子又換體2 8 0之素材本身即使無通水性，也可透過形成多孔使f流動（使之具通水性）。又，離子交換體2 8 〇缺乏通水座0守’最好是供給充足的水至離子交換體2 8 〇之兩面。

3l4550.ptd 第65頁 1276490 五、發明說明（55) ' 如上述之離子交換體28 0, 2 9 0係與前述相同，由例如賦予陰_子父換基或陽離子交換基之不織布所構成。此處’如第33圖及第34圖所示，電極部2 5 0具備有進給（feed)上側之離子交換體2 80並進行交換之上側進給機構3 8 0 ;以及進給下側之離子交換體2 9 〇並進行交換之下側進給機構3 9 0。上側進給機構38 0具備：捲繞有離子交換體 2 8 0之供給捲筒3 8 1 ;用以捲取捲繞在供給捲筒3 8 1之離子交換體280之捲取捲筒382;配置於供給捲筒381側之兩個小徑滾輪383, 384;以及配置於捲取捲筒382側之兩個小徑滾輪3 8 5，3 8 6。此外同樣地，下側進給機構3 9 〇具備··捲繞有離子交換體2 9 0之供給捲筒3 9 1 ;用以捲取捲繞在供給捲筒391之離子交換體2 9 0之捲取捲筒3 92 ;配置於供給捲筒 3 9 1側之兩個滾輪3 9 3，3 9 4 ;以及配置於捲取捲筒3 9 2側之兩個滾輪395, 396。捲繞在上側進給機構3 8 0之供給捲筒3 8 1之離子交換體 2 8 0係以經由滾輪3 8 3，3 8 4而穿繞於旋轉構件2 6 〇與介設構件2 7 0之間之方式通過，再經由滾輪3 8 5，3 8 6連接於捲取捲筒3 8 2。又，捲繞在下側進給機構3 9 〇之供給捲筒3 9丨之離子交換體2 9 0係以經由滾輪3 9 3，3 9 4而穿繞於旋轉構件2 6 0 與介設構件2 7 〇之間之方式通過，再經由滾輪3 9 5，3 9 6連接於捲取捲筒392。上側進給機構38 0之滾輪38 3, 384, 38 5, 3 8 6以及下側進給機構3 9 〇之滾輪3 9 3，3 9 4，3 9 5，3 9 6係分別旋轉自如地構成’分別賦予固定之張力至離子交換體2 8 0，2 9 0之方式構

3l4550.ptd 第66頁 1276490 五、發明說明（56) 成。在捲取捲筒382,3 92上分別連結有未圖示之馬達，藉由該等馬達之驅動旋轉捲取捲筒3 8 2，3 9 2，以分別捲取^ 繞在各供給捲筒381，391之離子交換體28 0, 2 9 0之方式形成。 v 一第35圖係第33圖之C-C線剖面圖，第36圖係第33圖不之旋轉構件26 0之放大剖面圖。如第35圖所示，旋職以旋轉自如的方式安裝在配置於旋轉構^ 、則之軋缸264之上端之軸承266,旋轉構件26〇係由氧缸264之驅動而上下動之方式形成。本實施形離中糟 =轉，件2 60係連接於電源（未圖示）之陰極而成為加工電可相Ϊ由上述之構成，加工電極（旋轉構件）260係構成ί 可相對於基板W接近及分離自如。苒攻為旋鏟Ϊ ί 36圖所*，在旋轉構件260之内部形成有延伸於 ^冓件260之軸方向（第34圖之χ方向）之孔、連接於未圖示之純水供給源。此外，I: t Γ 向之複數部位形成有從通水孔260a呈延伸之純水供认多丨9 β η κ & 王放射狀 Μ工^ b。旋轉構件2 6 0之上半部分#而φ 離子父換體2 9 0相互接觸，來Λ Λ μ u 丨刀表面與水，更好是夫Hie板认形成由純水供給孔260b將純 H t 起、，屯火权、、6至離子交換體2 9 0。在旋轉構# 之下方配置有接收由純水供給孔啦疋轉構件260 水之蓋體2 68，而形成純水每 /、π之純水或超純地供給至上方之離子六始^或起、、，屯水透過該蓋體268有效率 — 工力&雕千乂換體290。第3 7圖係第3 3圖所示之介設構如弟37圖所示，介設構件270係具備且有縱面圖。丨两/、有縱長之剖面形狀

314550.ptd 第67頁 1276490 五'發明說明（57) 之軀幹2 7 2 ’以及配設於躯幹2 7 2之頂部之供電電極2 7 4。軀幹2 7 2係具有電化學性惰性且剛性之材質，例如，以工程塑膠之聚鱗鱗_ (PEEK)或聚苯硫醚（pps)、氟樹脂等所形成，，外，供電電極2 7 4係以軟質的導電體所形成。如第37圖所示，在軀幹m之内部形成有延伸於介設構件2 7 0之長度方向（第3個之χ方向）之通水孔272a，該通 i ΐ =2a係連接於未圖示之純水供給源。又，在沿著介設二之長+度方向之複數部位形成有從通水孔2 72a朝斜 ΐ !共給孔2?2b。如上述，形成由純水供給孔面。疋赵、、、屯水直接供給至基板W之被加工體、=意ίΐίί同：:吏用電導度5_ s/cm以下之液之電解液、以及於純水或m水或超純水添加有電解質來代替純水或超純水。—°、、、水添加有界面活性劑之液體本貫施形態中，加蕾源（未圖示）之陰極，介$ ^ ^ ^轉構件）26〇係連接於電連接於電源之陽極。例=，〇之頂部之供電電極274係側會產生電解加工作°阳口 =鋼之情形時，由於在陰極電極，而連接於陽極之帝極炎接於陰極之電極成為加工材料將加工電極（旋^ ”為供電電極。亦可按昭加工 % u u疋轉構件）2 6 叹…、加工電電極274連接於電源之陰極。連接於笔源之陽極，將供接著，針對使用本實處理（電解加工）加以明。首J中的基板處理裝置之基板百先’將如第1Β圖所示之形成

314550.ptd 第68頁 1276490 五、發明說明（58) 一 -- 有導電體膜（銅膜6)基板W，以基板w之表面朝下的方式，將表面形成有作為導電體膜（被加工部）之銅膜6之基^ w，運达至電解加工裝置2 3 4，並利用基板保持部2 4 〇吸附保持。然後，使利用基板保持部24〇保持之基板？接觸或接近電極部2 5 0之離子交換體28 0之表面。例如，將基板？推壓約0. 5·至離子交換體280之表面。以該狀態，使基板保持部240及基板W進行渦形運動，同時使電極部25〇在γ方向 (參照第34圖，與加工電極26〇之長度方向垂直的方向）進行往復直線運動。此時，從介設構件27〇之純水供給孔 272b將純水或超純水噴射至基板？與電極部25〇之間，又，通過加工電極26 0之純水供給孔26〇w吏純水或超純水包含於離子交換體290。然後，藉由利用電源將預定電壓施加在加工電極2 6 〇與供電，極274之間，藉由離子交換體28〇, 29〇所生成之氫離子或氫氧化物離子，對加工電極（陰極）2 6 〇進行基板〜之表面^導電體膜（銅膜6)之電解加工。此時，進行電解加 ^的範圍為基板w與離子交換體28 0 (加工電極26〇)接觸之範，（如上述，將基板w推壓約〇 · 5_至離子交換體2 8 〇表面時寬度為5 m m程度）。在電解加工中’以監視器部38(參照第4圖）監視施加於加工電極26 0與供電電極274之間之電壓，或者流動於其間之電流，來檢測終點（加工終點）係與前述相同。電解加工終了後，切斷電源之連接，並停止基板保持部240之渦形運動與電極部25〇之往復直線運動後，將加工

1276490 五、發明說明（59) 後之基板W運送至下一步驟。在此，持續如上述之電解加工，離子交換體之離子交換容量達到使用界限時，就必須交換離子交換體。一般，如上述之離子交換體之交換係大多以作業者之手動操作來進行。此種情形，在離子交換體之交換時必須停止裝置，裝置之停機時間（down time)也會增長。根據本實施形態中的電解加工裝置，可利用上述之進給機構3 8 0，3 9 0自動地進行離子交換體2 8 0，2 9 0之交換，因此可以高速交換離子交換體280, 290。因而，縮短離子交換體280, 29 0之交換之裝置的停機時間可提高單位時間的處理量 (throughput)。該離子交換體280, 29 0之交換最好是在電解加工時’亦即電解加工後’或一次加工與下一次加工之間之間隔（i n t e r v a 1 )中進行。又，本實施形態中的電解加工裝置係分別對應各離子交換體280, 29 0而具備進給機構380,390，由於可藉由僅對應須交換之離子交換體之進給機構進行交換，因此可減低裝置之運轉成本（running cost)。如本實施形態所示’接觸或接近基板W之離子交換體使用具有表面平滑性之離子交換體2 8 0，接觸或接近基板w 之離子交換體使用離子交換容量大之離子交換體2 9 〇之情形，由於具有表面平滑性之離子交換體2 8 0之離子交換容量小，加工生成物之取入之大部分可藉由下側之離子交換容量大的離子交換體2 9 0來進行。因此，使取入有加工生成物之離子交換體2 9 0之交換週期較具有表面平滑性之離

314550.ptd 第70頁 1276490 五、發明說明（60) 子交換體2 8 0短，不須交換具有表面平滑性之離子交換體 2 8 0而可使用至摩耗界限，僅交換取入有加工生成物之離子交換體2 9 0時，可減低裳置之運轉成本。如第38圖所示，本實施形態中的電解加工裝置234中僅父換離子交換體2 9 0之情形，係驅動氣紅2 6 4使加工電極 2 6 0移動至下方。然後，驅動連結於下側進給機構3 9 〇之捲取捲筒3 9 2之馬達，將預定量之下側之離子交換體2 9 〇捲取至捲取捲筒3 9 2，進行離子交換體2 9 0之交換。此處，上述之加工生成物之取入由於係僅在位於加工電極2 6 〇與基板w 之間之範圍進行，因此此時之捲取量係此範圍之離子交換體2 9 0被轉換’且已使用之離子交換體2 9 〇不會進入該範圍之量。如上述之構成，位於加工電極2 6 0與基板f之間之範圍之離子交換體2 9 0之交換終了後，如第3 9圖所示，從捲取捲筒3 9 2側之氣缸2 6 4順序驅動並使加工電極2 6 〇上升。這是由於同時使所有加工電極2 6 0上升時，離子交換體2 9 〇會勾住介設構件2 7 0之下端部之故。另外，先使中央部之加曰工電極2 6 0上升後’順序使其兩側之加工電極2 6 〇上升亦可。該情形中，捲取於捲取捲筒3 9 2之離子交換體2 9 〇之一部分會回到供給捲筒3 9 1側，因此最好事先將多數之離子交換體29 0捲取至捲取捲筒392。如上述，本實施形態之電解加工裝置中，使未接觸< 接近基板W之離子交換體2 9 0，亦即離子交換容量大之離3 交換體2 9 0之交換週期較接觸或接近基板W之離子交換體，

314550.ptd 第71頁 1276490 五、發明說明（61) 亦即具有表面平滑性之離子交換體2 8 0之交換週期短，不須交換具有高價之表面平滑性之離子交換體2 8 0而可使用至摩耗界限，僅交換取入有加工生成物之離子交換體 2 9 0，可減低裝置之運轉成本。又，亦可同時交換離子交換體2 8 0，2 9 0兩者。此種情形，如第4 0圖所示，驅動氣缸2 6 4並使加工電極2 6 0移動至下方。此時，驅動連結於上側進給機構3 8 0之捲取捲筒3 8 2 以及下側進給機構3 9 0之捲取捲筒3 9 2之馬達，分別將預定量之離子交換體280, 29 0捲取至捲取捲筒382, 392，並交換離子交換體280, 290° 再者，本實施形態中的電解加工裝置係在電解加工中亦可交換離子交換體。亦即’不下降加工電極2 6 〇 ’而驅動連結於上側進給機構3 8 0之捲取捲筒3 8 2及/或下側進給機構3 9 0之捲取捲筒3 9 2之馬達’藉此將離子父換體2 8 0及/ 或離子交換體29 0捲取至捲取捲筒382及/或捲取捲筒392，可交換離子交換體28 0及/或離子交換體2 9 0。如上述，本實施形能中的電解加工裝置234係由於可不用停止裝置交 :體，因此可更加縮短裝置之停機時間。 1:二發明之另-實施形態中的電解加工裝置之要部之縱Μ面圖。第41圖中，具有與上述第33圖至第40圖 = 形態中的構件或元件相同之作用或功能之構件或元件賦予相同之符號並省略一部分之說2 、隹 > 丄本實施形態中，進給下側之離子交換體並仃父換之下側進給機構49 0係具備：兩個捲筒491，492，配置於

1276490 五、發明說明（62) 捲筒4 9 1側之兩個滾輪4 9 3，4 9 4 ;配置於捲筒4 9 2側之兩個滾輪49 5, 496;以及配置於捲筒491，4 92之下方之四個滾輪 497a，497b，497c，497d。離子交換體29 0係以無端狀架設在捲筒 491、滾輪 493, 494, 495, 496、捲筒 492、滾輪 497 c 與滾輪4 9 7 d之間以及滾輪4 9 7 a與滾輪4 9 7 b之間，並形成在該等之間循環之方式。在電極部3 5 0之下方配置有用以再生離子交換體2 9之再生裝置3 0 0。例如，離子交換體2 9 0係使用賦予有陽離子父換基者以進行銅之電解加工時，加工終了後銅佔有多數之離子交換體（陽離子交換體）2 9〇之離子交換基，且進行下一加工時之加工效率變差。又，離子交換體2 9 〇係使用賦予有陰離子交換基者以進行銅之電解加工時，在離子交換體（陰+離子交換體）2 9 0之表面會生成銅之氧化物之微粒子並附著，且有污染下一處理基板之表面之虞。此種情形下’再生裝置3 〇〇係為再生離子交換體2 9 〇，並去除該等之缺點者。之再為2生裝置3 〇〇係具備：具有朝下方開口之凹部3 0 2 a f Q 4 .生宅極保持部3 0 2 ;配置於該凹部3 0 2 a之再生電極

’用以閉塞凹部3〇2a之下方開口端之隔壁3〇6 ;以及配置於隔劈 U &之下方之電極部3 0 8。在隔壁3 0 6與電極部3 0 8 持部30 要使再生之離子交換體29〇。在再生電極保从"丄之内部形成有由隔壁3 0 6區劃出之排出部3 1 0。此 ^ ^ 王包極保持部3 0 2分別形成有連通於該排出部310 入 Q Γ\ Ο fc 與液體出口 3〇2c。藉此，從液體入口 302b

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第73頁 1276490 五、發明說明（63) ' 將液體供給至排出部3 1 0内’且供給至該排出部3丨〇内之液體係形成充滿排出部310之内部將再生電極3〇2浸潰於該液體内’並朝一方向流經排出部310而從液體出口 3〇2c依序排出外部。隔壁3 0 6最好是不會妨礙從要使之再生之離子交換體 2 9 0去除之雜質離子之移動，並且可防止流動於排出口 3 i 〇之内部之隔壁30 6與再生電極30 4之間之液體（亦包含液體中之離子）透過至離子交換體29 0側。以具體例來說，離子父換體係可選擇性地透過陽離子或陰離子之一方，並且夢由使用膜狀之離子交換體，可防止流動於隔壁3〇6與再生曰電極3 0 4之間之液體進入離子交換體2 9 〇側，並可滿足上述本實施形態中，隔壁3 0 6係使用具有與要使之再生之離子交換體2 9 0相同之離子交換基之離子交換體。亦即，離子交換體2 9 0若使用具有陽離子交換基之陽離子交換體時，則隔壁（離子交換體）3 0 6使用陽離子交換體，而離^ 交換體2 9 0若使用具有陰離子交換基之陰離子交換體時，則隔壁（離子交換體）3 〇 6使用陰離子交換體。又’供給至排出部3 1 0内之液體最好為例如電解液，及藉由導電率高且不會因與從被處理離子交換體去除之離子反應而生成難溶性或不溶性化合物之液體。亦即，今、夜體係用以將從要使之再生之離子交換體2 9 〇移動並通過隔壁3 0 6之離子利用該液體之流動排出至系統外者，如此= 藉由供給誘電率高且與從被處理離子交換體去除之離子產

314550.ptd 第 74 頁 1276490

五、發明說明（64) 生反應不會產生不溶性化合物之液體，可降低該液體之# 阻而減少再生裝置3 0 0之消耗電力，並且可防止因與雜/ 離子反應生成不溶性之化合物（2次生成物）而附著在隔辟 3 0 6。該液體可依所排出之雜質離子之種類加以選擇，= 如再生使用於銅之電解研磨之離子交換體29〇時所使用液體可例舉濃度1 w t %以上之硫酸。再生電極3 0 4係連接於電源之一方之電極（例如陴極電極部3〇8係連接於電源之另一方之電極（例如=陽極）。例如，控制成：離子交換體290使用陽離子交換情形時，#生電極3 0 4成為陰極，離：子交換體之情形時，再生電極3〇4成為陽極之方式使。用陰離如上述’在再生電極304連接電源之一方之電極（陰極），在電極部3 0 8連接帝、、/i夕里七之电位C例如 ^ + 接私源之另一方之電極（例如陽才1 )在再生電極304與電極部308之間施加電壓。此時，形成將液體供給至嗖此之排出部31〇内，將、夜/、=^再//\極保持部3 0 2之内部 304浸潰於該液體中；=出：31°内並使再生電極岐〒’邊液體朝一方向流動於妯ψ邱q 而從液體出口 302c流出至外部。動於排出斗310内此犄再生電極3〇4則控制成與離子交換驴壁3 0 6 )之極性相及 * θ 吳體2 9 0 (及隔 30 6 )若使用陽離子交換^护形j ^離子交換體290(及隔壁極部3 0 8為陽極，而M、 >才、生電極3 〇 4為陰極且電離子交換體時，；隔壁3〇6)若使用陰極。如上述，使離.丄包極為陽極且電極部308為陰 4使雖子交換體2 90之離子朝再生電極304移

314550.ptd 1276490 五、發明說明（65) '^^ — 動，並通過隔壁3 0 6而導入排出部310,將移動至該排出立 3 1 0之離子利用供給至該排出部3 1 0内之液體之流動排出= 系統外’以進行離子交換體2 90之再生。此時，離子交換體2 9 〇使用陽離子交換體時取入至離子交換體2 9 〇之陽離子會通過隔壁3 0 6而移動至排出部3 1 0之内部，而使用陰離子交換體時取入至離子交換體29〇之陰離子會通過隔壁3〇 6而移動至排出部3 1 〇之内部，以再生離子交換體2 9 〇。如上述’由於隔壁3 0 6使用具有與要使之再生之離子父換體29 0相同之離子交換基之離子交換體，可防止離子交換體2 9 0中之雜質離子至隔壁（離子交換體）3 〇 6之内部之 =動受到隔壁（離子交換體）3 0 6造成之妨礙，並防止消耗電力之增加，並且阻止流動於隔璧3 0 6與再生電極3 〇 4之間之液體（亦包含液體中之離子）透過至離子交換體2 9 0側，可防止再生後之離子交換體2 9 〇之再污染。再者，由於在 P同壁3 0 6與再生電極3 0 4之間供給導電率50// S/cm以上且不會3與從離子交換體2 9 0去除之離子反應而生成難溶性或不〉谷性化合物之液體，可降低該液體之電阻並減少再生部之肖耗電力，並且可防止與雜質離子反應所生成之不溶性化合物（2次生成物）附著於隔壁3 〇 6且再生電極3 0 4與電極部3 0 8之間之電阻發生變化，而難以控制之情形。另外，除了 4純水或超純水，亦可使用電導度5 0 0 // S / c in以下之液體或電解液。如上述，根據本實施形態之電解加工裝置，由於可自動地再生電解加工所使用之離子爻換體2 9 0，因此可減低

1276490 五、發明說明（66) 運轉成本，同時可縮短停機時間。上述之貫施形態中，說明了層積2種類之離子交換體 2 8 0，2 9 0之例子，但除了上側之離子交換體2 8 〇亦可將具有通水性之構件，例如在PET材料上形成多數孔之薄膜等層積在下側之離子交換體2 9 0之表面來使用。該具有通水性之構件即使材料本身無通水性，可透過形成多孔而使水流動（使之具通水性）。又，具有通水性之構件最好是具有較下側之離子交換體2 9 0平滑的表面之構件。此種情形中，最好使離子交換體之交換週期較具有通水性之構件之交換 m。此外/上述之實施形態中，說明了將旋轉構件代5又”、、加工電極之例，但亦可將旋轉構件260設為供電電工狀ί 44=係模式地顯示本發明之另一實施形態之電解加且2 · 了面圖°如第42圖所示’電解加工裝置434 具備·可上下動且在水平太臂440之自由端且將表面朝方向搖動自如的臂440 ;垂設於持部442 ;配置於基板保持用以吸附保持基板¥之基板保 444;以及連接於電極部4寺/卩442之下方之圓板狀電極部結於搖動用馬達448之搖二▲之電源446。臂440係安裝在連 4 4 8之驅動而可在水平方由4 5 0之上端，伴隨搖動用馬達於朝上下方向延伸之滾殊搖動。又，該搖動軸4 5 0係連結 45 2之上下動用馬達454 f桿452,伴隨連結於滾珠螺桿方式。另外，將氣缸連結=動而可與臂440同時上下動之動使搖動軸45〇上下動亦w、搖動軸450，藉由該氣缸之驅

1276490 五、發明說明（67) 基板保持部4 4 2係透過旋轉軸4 5 8連接在作為使以基板保持部442保持之基板W與電極部444相對移動之第一驅動部之自轉用馬達4 5 6，隨著該自轉用馬達4 5 6之驅動而可旋轉（自轉）。又，如上述，臂4 4 〇係可上下動以及在水平方向搖動，而基板保持部442係與臂440形成一體而可上下動以及在水平方向搖動。在私極部4 4 4之下方設置有作為使基板峨電極部4 4 4 相對運動之第二驅動部之中空馬達46〇，在該中空馬達46〇之主軸46 2從該主軸462之中心偏心之位置設有驅動端電極部444係其中央透過軸承（未圖示）旋轉自如地連 =^上述驅動端464。又，在電極部444與中空馬達46〇之二，，周方向設有三個以上與前述第7圖所示者成之自轉防止機構。 4再邱配H i如第42圖所示’在中空馬達460之中空部之内 Ϊ H 為供給純水最好是超純水至電極部444之上面月水供給部之純水供給管482，而可從該 =成於電極部444之貫通孔(未圖示)將純二：：供給至電極部444之上面。 \忒超、、、屯水剖面Ϊ 示ί板保持部442及電極部444之縱 ♦搞“ 3圖所不，電極部444具備：圓板狀之加工 :以4及；L圍=加工電極484周圍之環狀供電電極緣體m。：：： =電極48慎供電電極486之環狀絕外供電雷炼4β 4之+上面係精由離子交換體40 0，此 ° 之上面係藉由離子交換體40 2分別加以覆蓋

1276490 五、發明說明（68) "' -— 而該等離子交換體4 0 0,4 0 2係隔著上述絕緣體488而相互分離。本實施形態中，雖將加卫電極484連接於 4 極，電極486連接於電源446之陽極，但依據加工：料係與丽述相同可使連接於電源446之陰極之電極嗖電電極，將連結於陽極之電極設為加工電極。第44圖係顯示基板保持部442之詳細縱剖面圖，第α 圖係第44圖之D-D線斷面圖，第46圖係第44圖之Ε Ε線圖。如第44圖所示，基板保持部442係具備：利用未圖示之螺栓固定在旋轉軸458之下端之大致圓盤狀之凸緣部 5 0 0;以及配置於凸緣部500之外周部之固定環（retainer ring)5^。在凸緣部5〇〇及固定環5〇2之内部所區劃成之空間内收容有：抵接於由基板保持部442所保持之半導體基板W之大致圓盤狀之夾頭板5 0 4 ;以及配置於夾頭板之上方之大致圓盤狀之止動板5 06。該等夾頭板5〇4及止動板 5 0 6係構成用以保持基板w之夾頭構件。在此，最好是由樹脂形成夾頭構件（夾頭板5 〇 4及止動板5 0 6 )，如上述，用輕量之樹脂形成夹頭構件本身時，基板之夾頭構件之自重將變輕，而能以低荷重進行加工，而能不破壞脆弱的材料地進行加工。就上述之樹脂而言有例如聚笨硫醚（PPS)樹脂。另外，不用樹脂形成夾頭構件，亦可利用例如铭陶究之陶莞板形成。如第44圖所示，在凸緣部5 0 0與止動板5〇6之間張設有由彈性膜構成之加壓片5 0 8 (彈性構件）。該加壓片5 〇 8之一

314550.ptd 第79頁 1276490 五、發明說明（69) 端係藉由安裝在凸緣部5 0 〇之下面之保持環5 〇〇 &所挾持，而另一端係由安裝在止動板5〇6之保持環5〇6a所挾持i 用凸緣部5 0 0、止動板5 0 6、以及加壓片5〇8而在凸緣〇之内部形成有第一壓力室510。另外，加壓片5〇8係橡膠（EPDM)、聚氨基曱酸能（p〇lyurethane)橡膠、等之強度及对久性優良之橡膠材料所形成。％ ^ 如第44圖及第45圖所示，在凸緣部5〇〇之上面設通於第一壓力室510之連接器512。藉由從該連接器512延伸之管51 4(參照第45圖）將流體供給至第一壓力室51 第-壓力室51〇加Μ ’或者從第一壓力室51〇吸引流體而使第一壓力室510減壓。因而’被加工物之基板w係可藉由供給至第一壓力室51 0之流體而用任意之壓力使之與離換體4 0 0，4 0 2接觸。又，在夾頭板5 0 4與止動板5 〇 6之間形成有第二壓力室 516。在夾頭板5〇4與止動板5〇6之間配置有⑽環518，由該⑽環518將第二壓力室516密封。夾頭板5〇4形成有曰盘第二壓力室51 6連通並朝下面開口之多數連通孔52〇。此外，如第44圖及第46圖所示，在止動板5〇6之上面設有連通於第二壓力室516之連接器5 22，而在凸緣部之下面設有連接於從連接器522延伸之管5 24之連接器 5 2 6。s亥連接器5 2 6係與設於凸緣部5 〇〇之上面之連接器5 2 8 相連通。藉由從該連接器5 2 8延伸之管53〇 (參照第45圖）將流，供給至第二壓力室5丨6而使第二壓力室5丨6加壓，或者從第二壓力室51 6吸引流體而使第二壓力室51 6減壓。亦

314550.ptd 第80頁 1276490 五、發明說明（70) 即，可利用真空將半導體基板W之上面吸附至夾頭板5 〇 4之下面，或者將加壓流體供給至半導體基板W之上面。該第二壓力室51 6係可與上述之第一壓力室510獨立地進行壓力之控制。如第4 4圖所示，在止動板5 0 6之外周部之下面安裝有配置於基板W之外周側之環狀導引環5 3 2。本實施形態中，在使基板W與離子交換體4 〇〇，40 2接觸之狀態下，旋轉基板 W ’同時使電極部4 4 4進行渴形運動時，導引環5 3 2之一部通常會位在供電電極4 8 6及加工電極4 8 4之上方。該導引環 5 3 2係由聚碳酸酯（p〇iyCarb〇nate)或聚三氟氯乙稀 (PCTFE)樹脂所形成。基板W係保持在由導引環5 32及夾頭板5 0 4所形成之凹部内，並控制成可朝水平方向偏移。 ^ 又’如第44圖所示，在凸緣部5 0 0之外周部形成有洗淨液路5 34。該洗淨液路534係連通至導引環5 32之外周面與固定環5 0 2之内周面之間的微小間隙G。在凸緣部5 〇〇之 ^面設有與洗淨液路534連通之連接器5 3 6，透過從該連接 3 5 3 6延伸之管538(參照第45圖）可將洗淨液（純水）供給至洗淨液路5 34及間隙G。在此’由於導引環5 3 2之外周面與固定環5 〇 2之内周面僅有微小的間隙G，因此形成止動板5〇6、導引環定产及夾頭板5 0 4等之夾頭構件可相對於凸緣部5 0 0及固、生衣0 2而在上下方向移動，且可浮動（f丨別以叫）之構 =斟f即，夾頭構件可在旋轉軸458之軸方向（上下方向）、固定在旋轉軸4 5 8之凸緣部5 〇〇而移動自如，可達成

31455〇.ptd 第81頁 1276490 五、發明說明（71) 所謂的浮動狀態。如第4 7圖所示，在固定環5 〇 2之下部設有向内方突出之突出部5 0 2a，在止動板5〇6之複數部位設有從其外周緣部朝外方突出之突起5〇6b。因而，藉由止動板5 0 6之突起5 0 6a扣合於固定環5〇2之突出部5〇23之上面，可將朝上述止動板5 0 6等之夾頭構件之下方之移動空限制在預定位置上。藉此，在非電解加工（研磨）時，止動板 5 0 6、導引環5 32、以及夾頭板5〇4等之夾頭構件可由固定壞5 0 2之突出部5 0 2 a力口以支持。接著，說明使用本實施形態中的基板處理裝置之基板處理（電解加工）。首先，將如第丨8圖所示之表面形成有作為導電體膜（被加工部6 )之銅膜6之基板W，以基板W之形成有導電體膜（銅膜6)之表面朝下，運送至電解加工裝置 4 3 4 ’並吸附保持在基板保持部4 4 2下。亦即，從基板保持部4 4 2内之第二壓力室5 1 6吸引流體，透過連通孔5 2 〇將半導體基板w真空吸附至夾頭板50 4之下面。然後，使臂44〇搖動而使保持有基板W之基板保持部4 4 2移動至電極部4 4 4 之正上方之加工位置。接著，驅動上下動用馬達454使基板保持部442下降，並使以該基板保持部442保持之基板w 接觸電極部444之離子交換體4〇〇, 40 2之表面。此種情形，基板保持部442係將基板W定位在與離子交換體4〇〇, 4〇2 觸之位置（或接觸前之位置）。在該狀態下，驅動自轉用焉達45 6 (第一驅動部）使基板w旋轉，同時驅動中空馬達 460 (第二驅動部）使電極部444進行渦形運動。此時，從帝極部444之貫通孔將純水或超純水供給至基板赎離子交^ 1276490 五、發明說明（72) 體4 0 0，4 0 2之間。然後，藉由電源4 4 6施加預定電壓在加工電極4 8 4與供電電極4 8 6之間，利用由離子交換體4 0 0，4 0 2所生成之氫# 子或氫氧化物離子，在加工電極（陰極）484中進行基板W之表面之導電體膜（銅膜6)之電解加工。此時，雖在與加工電極4 8 4相面對之部分進行加工，但可藉由相對移動基板W 與加工電極4 8 4而進行基板W全面之加工。加工中係將流體供給至第一壓力室5 1 〇在用任意之壓力將基板W推壓向離孑交換體4 0 〇，4 0 2。亦即’藉由供給至第一壓力室5 1 0之流體適當調整將半導體基板w接觸於離子交換體4 0 0，4 02之力以進行半導體基板W之電解加工。通常，從第二壓力室5 1 6吸引流體使基板W吸附於夾頭板5 0 4之下面並進行電解加工，但亦可將流體供給至弟二壓力室51 6易在將背壓施加至基板W的同時進行電解加工。如上述，加工中，止動板5 0 6係不與固定環5 0 2扣合，而凸緣部5 〇〇及固定環5 0 2可獨立動作’因此可浮動。亦即，藉由加壓片5 0 8之可撓性，以及形成於固定環5 0 2之内周面與導引環5 3 2之外周面之間之微小的間隙G ’可使保持有基板W之夾頭板5 〇 4能有某種程度之自由上下動。在此，雖在基板W之外周側設有導引環5 3 2，但若將導引環5 3 2之至少表面由導電性之材質形成的話，因導電性材料之部分會擴展，因此電流密度不會集中在基板W之邊緣部，因此可使基板全面之電流密度固定，並使基板W之全面之加工速度固定，而可安定地進行均一的加工。此種

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第83頁 1276490 五、發明說明（73) 情形中，導引璟以9 βu > 或金屬化合物之外，可¥電/分之材質除了一般的金屬性氧化物或導電唑1使，^、比較惰性之責金屬、導電引環5 3 2使用電化學性惰性之情形日^化予^惰性材質。導被加工，因此可、4 士、曾為導引環5 3 2不會體被覆至樹：；ΐ;:Γί 5 32之長壽命化。又，將導電或銀等之導電性物^例如以舶等不易氧化之材料 _用。上Λ 9材表面者亦可作為導引環銥附著…基之材？：5i2:!j刚錢金或被與強度之處理i:;面：，溫燒結’進行保持安定化機物質之原料卩卜^陶克製品—般可以熱處理無碳化物、氮化：ί:，以各種非金屬、金屬之氧化物、 A 物寺作為原料樂呈但其Ιΐ有具有導電性之陶曼。特性之製品，电解加工中’利用監視昭於加工電極484蛊供雷恭托4ββ+ „ :、、弟4圖）監視施加之電流係與前述相、同“極486之間之電壓、或流動於其間保持：1力:工終了後，切斷電源“6之連接，並停止基板持部°449 2之紋轉與電極部444之渦形運動，之後使基板保 q 上升，使臂4 4 0移動而將基板f交給搬送機器人 (參照第4圖）。將基板W交給搬送機器人3 6之際，將流體例如，壓縮空氮或氫與純水混合者）供給至第二壓力室 5 1 6從夾頭板5 〇 4之連通孔5 2 0喷射該流體以釋放半導體基板W。在此，雖於電解加工中將純水最好是超純水供給至基

314550.ptd 第84頁 1276490 一-—η 五、發明說明（74) 板w與離子交換體40 0,4〇2之間，但除了純 J ^ t ^ ^ 5〇〇, s/cm. τ ^ I；"； ^ ^解質之電解液，以及於純水或超純水添面屯水添寺之液體之點亦與前述相同。，面活性劑 2極部444之離子交換體40〇,4〇2係由例如 :::交換基之不織布所構成，又最好是使用通= 者作為離子交換體4 0 0，4 0 2係與前述相同。或良 ^根據本實施形態之電解處理裝置，可減少電解加工時施加於基板之荷重。亦即，使基板保持部442下降至美板w ，觸到離子交換體4 0 0, 4 0 2為止時，加工時施加於基二此荷重係為夾頭構件（夾頭板5 〇 4、止動板5 〇 6、導引環5 3 2 ) 之自重，與供給至第一壓力室5 1 0之流體之壓力之荷重之和。因而，藉由調整供給至第一壓力室5 1 〇之流體之壓力’可以高精度控制基板W與加工電極4 8 4接觸之壓力，因此可將產生於基板W與加工電極4 8 4之間之面壓控制在較破壞半導體裝置之壓力小，而能不破壞脆弱材料地加工基板0 又，根據本實施形態之電解加工裝置，由於無伴隨機械性研磨作用，因此不須如CMP要將基板W用力推壓。使用脆弱的材料作為基板W之配線材料時，基板W從加工電極 48 4或離子交換體400, 40 2接受之推壓力以成為19. 6 kPa ( 2 0 0gf/cm2)以下、最好是 6. 86kPa(70gf/cm2)以下、更好是6 8 6Pa(7gf/cm2、〇. lpsi )以下之方式，調整供給至第一壓力室5 1 0之流體之壓力以低荷重進行基板W之加工。

314550.ptd 第85頁 1276490 五、發明說明（75) 另外’在本實施形態中，基板w係直接吸附在夾頭板 5 0 4之下面，亦可在夾頭板5 〇 4與基板w之間設置由彈性體構成之支持片（backing sheet)來保持基板W。此外，本實施形態之電解處理裝置之基板保持部442並不限定於使用、純水或超純水之電解加工者，亦可適用於使用作為加工液之電解液。使用電解液作為加工液時，最好配置用以去除 =基板表面溶出之金屬離子之海綿狀之通液性構件而非配置離子交換體。 f 48圖係顯不本發明之另一實施形態中的電解加工裝置之電極部之剖面圖。如第48圖 =7娜與前述第5圖至第1〇圖所示之例;目同，且呈直線狀延伸之複數電極構件m，該#等有/ 極構：78 2係並列地以等間距配置於平板狀之底部雛。 -體ί 牛782係具備：連接於電源之電極以及 ;二/，極786的表面之離子交換體(離子交換膜） ?85^ 父換體790係透過配置於電極786兩側之仵持板二予於上極786。該離子交換體79。係與前述相同Ξ 如以：：陰離子交換基或陽離子交換基之不门：。本貫施形態中，在相鄰之電極構件782之命連接有電源之陰極與陽極。例如包二786父互連接於電源之陰極，將電極（供電電極私"工電極）78 6a 亦即，與前述相同，加工鋼時，合包連接於陽極。作用，因此連接於陰極之電極78:於陰極側·產生電解加工接於陽極之電極786成為供電 fi、σ =二極786a，連 ^極78 6b。如上述，本實施

1276490 五、發明說明（76) 形悲中’將加工電極7 8 6 a與供電電極7 8 6 b並列地交互配置。電極部7 4 6之底部7 8 4之内部形成有用以供給純水，更好是超純水至被加工面之流路7 9 2，該流路7 9 2係透過純水供給管7 94連接於純水供給管（未圖示）。在各電極構件782 之兩側設置有與基板W表面接觸之接觸構件7 9 6。該接觸構件7 9 6之内部形成有連通於流路792之連通孔7 9 6a，透過該連通孔7 9 6 a將純水或超純水供給至基板w與電極構件7 8 2之離子交換體7 9 0之間。此處，最好是基板w均一地接觸於所有電極構件了“之離子交換體7 9 0。上述之第42圖至第47圖所示之實施形能中的基板保持部442中，係形成藉由用以連結凸緣部盥= 頭構^之彈性構件構成平衡架（gimbal)機構，藉此基板W 會隨著電極的表面凹凸而均一地接觸於電極（離子交"換體）。」然而，如本實施形態所述，並列地配置具有彈性之離子父換體之情形，離子交換體不具有CMp之研磨面剛性，因此如第49A圖所示，基板w會透過電極構件8又盥基板W之相對運動或純水之供給而傾斜，並且不合 = 接觸離子交換體7 9 0。尤其，如第42圖至第47圖二示

Git基板保持部“2係調整供給至第一壓力室5、1〇之’流 " 力以控制基板全面與電極之接觸，因此配w古1齡之電極（離子交換體）之情形下難以控制基？所有之電極。 ]地接觸由上述觀點來看，本實施形態中，在各電極構件782

1276490 五、發明說明（77) $側設有接觸構件7 9 6。該接觸構件7 9 6之高度係設定成較電極構件782之離子交換體79 0之高度稍低。因而，使基板 W接觸電極構件782之離子交換體79 0時，基板W之表面係藉由接觸構件79 6加以支持。亦即，如第49β圖所示，將基板 ^推壓某種程度至離子交換體79 〇後，基板縣接觸接觸構件上面，因此要再推壓基板界時，其推壓力由接觸構 :/96接受，因此基板w與離子交換體79〇之接觸面積不合 G觸：二本實施形態中，可防止基板斜，且因為吏接觸面積均一，因此可達成均一的加工。 t第49B圖所示，最好在接觸構件79 6之上面安裝由具 j傷基板W表面之彈性材質所形成之緩衝構件、卜、〇〇dei ,各 9〇之貝通孔800。藉由如上诚令接 t，流路792内之純水或超純水係^之構子交換體7 9 0。、貝通孔8 〇〇供給至離另外’本例並不限定於使 > 者。例如，加工液使用電解液之電解加工之加工構件可使用柔軟的研磨势或“織二=ί 2極之表面下，上述接觸構件或基板保持j 了=者。該情形的。丨對獲传良好的加工是有用如上述構成之電解加工裝置中持部7 4 2保持之基板爾觸電極

j與上述相同，使以基部7 6 4之離子交換體7 9 0 板保

1276490 五、發明說明(78) 之表面，並使電極部74 6進彳f、、M y n ^ ^ 件7 9 6之連通孔79 6a將純水動。此時，從接觸構 ,φ 7〇〇^ pe v ^ ^ ^ 次起純水供給至基板W與電極構件7 8 2之間，又，通過各電極超純水包含於離子交換體7H4!之貫通孔8 0 0使純水或 1 a I ^ 本實施形態中，供給至離子乂換體7 9 0之純水或走g站）^ # a ^ # μ山^ %砘水係從各電極構件782之長度方 2 ΐ ϋ ϊ ，藉由電源將預定電壓施加於加工電極 ,電極78 6b之間，利用由離子交換體79 0所生成之虱或虱軋化物離子進行加工電極（陰極）786a中基板⑺之表面之導電體膜之電解加工。此處，使用並列地配置複數電極構件782之電極部？46 之情形’基板W之全面並不全接觸於電極7 8 6 (離子交換體 4 0 0，4 0 2 )’接觸面積變得比較小，因此相較於以基板^全面接觸之情形作用於基板狄之面壓變高，而無法實現理想的加工條件。以下參照第5 〇圖至第5 2圖說明用以解決上述之問題之基板保持部。另外，第5 0圖至第5 2圖中具有與第 4 2圖至弟4 7圖所示之實施形悲中的構件或元件相同之作用或功能之構件或元件賦予相同之符號，並省略其一部分之說明。第5 0圖係顯示本發明之另一實施形態中的基板保持部之縱剖面圖。第50圖所示之基板保持部442a中，加壓片 5 0 8 a (彈性構件）利用安裝在凸緣部5 〇〇之下面之保持環 5 0 0 a，5 0 0 b力u以挾持，該力口壓片5 0 8 a之中央部係利用保持環5 0 6 a安裝於止動板5 〇 6。亦即’本實施形態中，利用凸緣部5 0 0與加壓片5 0 8 a形成第一壓力室5 1 0 a。另外，在凸

314550.ptd 第89頁 1276490 五、發明說明（79) 緣部5 0 0之上面形成有通氣孔5 0 0 c，止動板5 0 6之上方空間開放至大氣壓。上述第一壓力室510a係與前述相同，連通於連接器 5 1 2，透過連接器5 1 2將流體供給至第一壓力室5 1 0 a，而可加壓第一壓力室5 1 0 a。本實施形態中，供給至第一壓力室 5 1 0 a之流體之壓力係僅施加於止動板5 0 6之保持環5 0 6 c (參知、弟5 0圖）之上面，推壓面積較弟4 0圖所示之基板保持部小，因此可減少施加於基板W之面壓，而實現低荷重之加工〇第5 1圖係顯示本發明之另一實施形態中的基板保持部之縱剖面圖。第51圖所示之基板保持部442b中，在止動板 5 0 6之上面安裝有預定重量之平衡錘（weight)41〇。該平衡錘410係配置在形成於凸緣部5 0 0之上面之開口 5 0 0d之内部’可與夾頭構件（夾頭板5 〇 4及止動板5 0 6 )同時上下動。另外，本實施形態中，未在凸緣部5 〇〇與止動板5 0 6之間形成壓力室’止動板5 0 6之上方空間開放至大氣壓。根據如上述之構成’藉由將適當重量之平衡錘41 〇安裝於夾頭構件，可調整作用於基板W之面壓，且透過簡易的構造可減少作用於基板W之面壓而可實現低荷重之加工° 第5 2圖係顯示本發明之另一實施形態中的基板保持部之縱剖面圖。第52圖所示之基板保持部442c中，在凸緣部 5 0 0之上面安裝有用以推壓夾頭構件（夾頭板5〇4及止動板 5 0 6 )之氣缸4 70。氣缸47 0之桿472係插通於形成在凸緣部

314550.ptd 第90頁 1276490 五、發明說明（80) ^ 5 0 0之桿孔5 0 〇 e，其前端抵接於止動板5 0 6之保持環5 〇 6 a。因而，透過氣缸4 7 0之驅動，桿4 7 2即推壓止動板5 0 6，而可使夾頭構件上下動。另外，本實施形態中，未在凸緣部 5 0 0與止動板5 0 6之間形成壓力室，止動板5 〇 6之上方空間開放至大氣壓。根據如上述構成之基板保持部442c，藉由適當地控制氣缸4 7 0 ’可調整夾頭構件推壓至下方之力，作用於基板之面壓，而可實現減少作用於基板w之面壓之低荷重之加工又產生加工參數等之變更時，上述第51圖所示之實，形態中=須變更平衡錘4丨〇之重量以對應，但本實施形5 怨中’僅藉由控制氣缸4 7 〇之推壓力即可對應上述之加工參數等之變更。第置之要大圖。使基板形狀之圖所示右動及該中空而進行電及朝上等間距 5 3圖係顯示本發明之另一實施形態中的電解加工部，剖面圖，第5 4圖係放大第5 3圖之要部之要部: 如第5 3圖所示，該電解加工裝置6 〇〇之上下具備： W表面朝下地吸附基板W之基板保持部6 0 2 ;以及矩電，部6 0 4。該基板保持部602係與前述第5圖及第，實施形態之基板保持部42相同構成為上下動、旋轉自如。電極部6 〇 4具備中空渦形馬達6 〇 6，藉属^/馬達β 〇 β之驅動，形成不進行自轉之圓運動，所=的渴形運動（同時移動及旋轉之運動）。極。卩6 〇 4具備呈直線狀延伸之複數電極構件6 〇 8 ; 方開口之容器610，複數之電極構件6〇8係並列地配置於容器6 1 0内。並且，位於該容器6 1 〇之上方

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第91頁 1276490 五、發明說明（81) 配置有用以供給超純水或純水部之液體供給喷嘴612。各電枝寺谨之/文j至該容器61〇之内之電泝之希杼fi 1 4，++ 極構件6 0 8具備連接於裝置内 <私原之包極6 1 4，電源之陰極盥電極6 1 4，亦即交互連接電源 ^ $ 連接於該各 p 1 A 得、之陰極於電極（加JL雷；1¾、 4a，連接陽極於電極（供電電極）6ι“。藉此，盥& 同，例如加工銅時，會在陰極側♦帝曰 /、則述相、击把irA 1 座^生笔加工作用’因it卜連接於陰極之電極6丨4成為加工帝托^卞用U此電極614成為供電電極614b。电°心連接於陽極之然^，如第5姻所詳示’連接於該陰極之加工電極 a’上部安裝有例如由不織布構成之離子交換體電極614&及離子交換體616祕以由構成為可 ‘斷液體的通過而僅使離子通過之離子交換膜所構成之一離子父換體618a一體地覆蓋。連接於陽極之供電電極 = 14b也大致相同，其上部安裝有例如由不織布構成之離父換體6 1 6b，該加工電極6丨4a及離子交換體6丨6b係以由成為可遮斷液體的通過而僅使離子通過之離子交換膜所成之第二離子交換體618b一體地覆蓋。藉此，由不織布構成之離子交換體616a，6161)中，通過設置在沿著電極之長度方向之預定位置之貫通孔（未圖示）之超純水或液體係於其内部自由地移動，而可容易地到達具有不織布内^ 之水分解觸媒作用之活性點，但該液體的流動會由離子交換膜構成之離子交換體6 1 8 a，6 1 8 b所遮斷，而該離子交換體6 1 8 a，6 1 8 b係構成下述之第二隔壁。在連接於電源之陰極之加工電極6 1 4a之兩側配置有—

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第92頁 1276490 五、發明說明（82) 對液體吸引噴嘴6 2 0，該液體吸引嗔長度方向延伸之流體流通路6 2 〇 a，並之内部設有沿著預定位置設有朝上面開口且連通於沿著長度方向之吸引孔6 2 0b。再者，如第53H ' *豆’爪通路6 2 0a之液體成為連通於液體排出路6 2 ]，γ★ μ，夜脰通路6 2 0 a形部。攸5亥液體排出路621排出外然後’加工電極614a與一對之由一對分支棒622而一體化，並挾持體吸引噴嘴62 0係藉固定於底部6 2 6。另一方面，供带命f 一對之嵌入板624而離子交換體6 1 8b覆蓋之狀態下，％电亟61 4b係在其表面由並固定於底部6 2 6。用對保持板6 2 8挾持另外，離子交換體換基或1%離子交換基之離子交換基之陰離子交交換體，或對離子交換基與陽離子交換基之雙言，與前述相同可例舉 polyolefin)系高分子極構件6 0 8之電極6 1 4之於電極之金屬或金屬化貝金屬、導電性氧化物然後，在各液體吸安裝有例如由具有彈性 6 3 0。該隔壁6 3 〇之壁厚 1 6 a，6 1 6 b係例如由賦予陰離子交 =織布所構成，但亦可組合具有陰、體與具有陽離子交換基之陽離子體616a，61 6b本身賦予陰離子交換，之父換基，又，就素材之材質而聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴或其他有機高分子。此外，就電材料而言，與前述相同除廣泛使用合物，最好是使用碳、比較惰性的或導電性陶瓷。弓丨喷嘴6 2 0之上面遍及其長度方向之連續氣孔多孔體構成之隔壁係設定成，使以基板保持部602保

314550.ptd 第93頁 1276490 五、發明說明（83) ' ' 〜--- 持之基板w接觸乃至接近電極構件6〇8之離子 6 1 8 b，且在對該基板W進行電解加工之陪、a ’ 面會壓接至以基板保持部6 0 2所保持之基板w之厚度。此’進行電解加工之際，在電極部60換基板保予持又部二之間並列地形成有以隔壁6 3 0隔離，且形成於加工電極6丨4 a 與基板W之間之流路6 3 2;以及形成於供電電極614b與基板之間之流路6 3 4 ’並且成為形成於加工電極6 1 4 a與基板w之間之流路6 3 2係為作為以離子交換膜構成之第二隔壁之離子交換體6 1 8 a隔離成兩個流路6 3 2 a，6 3 2 b，而形成於供電電極6 1 4 b與基板W之間之流路6 3 4係為作為以離子交換膜構成之第二隔壁之離子交換體61 8 b隔離成兩個流路634a， 634b。然後，沿著該等流路6 3 2，6 3 4而流動之流體係藉由驅動連接於液體排出路6 2 1之吸引泵，通過隔壁6 3 0的内部後，通過液體吸引孔6 2 0 b、流體流通路6 2 0 a以及液體排出路621而排出外部。另外，如上述，隔壁6 3 0若使用連續氣孔多孔體時，無法完全地隔離（遮斷）液體之流動而形成部分的隔離，然而液體之隔離並不須完全地隔離（遮斷）液體，只要某種程度妨礙液體之流動即可。具有構成該隔壁6 3 0之彈性之連續氣孔多孔體可例舉聚氨基甲酸酯海綿，但亦可以不織布、發泡聚氨甲基酸酯、PVA海綿或離子交換體構成。本實施形態中，容器6 1 0之内部係以從液體供給喷嘴6 1 2戶斤供給之超純水或純水等之液體充滿，另一方面，在從設於

314550.ptd 第94頁 1276490 五、發明說明（84) 電極6 1 4之貫通孔（未圖示）將超純水或純水等之液體供給至由配置在加工電極6 1 4 a及供電電極6 1 4 b之上部之不織布所構成之離子交換體616a，616 b之狀態下，進行電解加工。在容器6 1 0之外側設有用以排出溢出該容器6 1 0之外周壁610a之液體之溢出（overf low)路6 3 6，溢出外周壁610a 之液體係藉由溢出路6 3 6進入排液桶（未圖示）。該電解加工時，藉由驅動連接於液體排出路6 2 1之吸引泵’可使沿著形成於加工電極6 1 4 a與基板w之間之流路 6 3 2，與形成於供電電極6Hb與基板之間之流路634流動之流體排出外部，藉此，電化學性加工之電解加工之際，至將〃IL動於主要產生氣泡（氣體）反應之供電電極6 1 4b與基板W之間^之液體的流動’與流動於加工電極6 1 4a與基板¥之 =j液體的流動部分地隔離，並獨立地控制流動，藉此，可有效地去除所*丄产七 71產生之氣泡。如上述，όις 酸酯海綿構虑^謂多極棒電極系係使用於例如由聚氨甲基之隔壁6 3 0，隔離形成於加工電極6 1 4 a與基枚W之間之流敗p 流路634之产形32,與形成於供電電極6l4b與基板之間之是因為兩個%/因，凹痕（PU)之產生量約可減少1位數。這達被加工物夺2 : 〇)利用隔壁遮斷供電電極側之氣泡到流路（流路斷面1;以及⑴利用隔壁可限制加工電極側之流速。積減少），藉此增加加工電極側之超純水之弟5 5圖係晨貞 630a係使用例如示電極部6 0 4之變形例，該例子中隔壁橡膠製等之彈性體，且不具通液性者，並

1276490 五、發明說明（85) 且，液體吸引喷嘴6 2 0係使用具有朝隔壁6 3 0 a之兩側開口之兩個液體吸引孔6 2 0 c者。其他之構成係與前述之例相同。根據該例子，可完全地隔離形成於加工電極6 1 4a與基板W之間之流路6 3 2，與形成於供電電極6 1 4 b與基板之間之流路6 3 4。另外，雖未圖示，除了配置於加工電極兩側之一對液體吸引喷嘴之一方之外，使用設在沿著長度方向之預定位置之液體供給孔之液體供給喷嘴，而同時進行由液體供給喷嘴之液體之供給以及由液體吸引喷嘴之液體之吸引，藉此，可更確實地控制沿著形成於加工電極6 1 4 a與基板W之間之流路6 3 2而流動之液體，與沿著形成於供電電極6 1 4b 與基板之間之流路6 3 4而流動之液體之流動，而可減少越過隔壁而流動至相鄰接之空間之流體的量。此外，亦可將配置於加工電極兩側之喷嘴之兩方作為液體供給喷嘴，藉由推押出沿著電極之液體流動而形成。此時，也以液體充滿容器6 1 0之内部，在浸潰基板之狀態下進行加工，因此可從液體供給喷嘴6 1 2供給加工液。又，前述之實施形態中，例示於電極上裝設離子交換體，但使用於電極之形狀或加工之液體並未限定。只要在相鄰之電極之間設置接觸構件7 9 6或隔壁6 3 0即可。亦即，電極之形狀並不限定為棒狀，可選擇複數電極能與被加工物相對向之任意形狀。亦可於電極上安裝離子交換體以外之通液性洗滌（scrub)構件。又，藉由使接觸構件或隔壁較電極面高，且以被加工物與電極不會直接接觸之方式，

314550.ptd 第96頁 1276490 五、發明說明可使電極也最好有〇根據供給至第接觸加工產生之面制，能不此外量之平衡壓，而能荷重之加再者氣缸470, 用於基板重之加工缸之推壓此外某種程度觸構件之加工。再者效地去除氣泡所導 (86) 之表面露出。即使電極表面未裝設離子交換體，區隔被加工物與電極之間之流體的流動之第二隔前述第42圖至第47圖所示之實施形態，藉由調整一壓力室5 1 0之流體之壓力，可任意地控制基板電極之壓力，因此可以將基板與加工電極之間所壓抑制成較破壞半導體裝置之壓力小之方式控破壞脆弱材料地加工基板。，根據第5 1圖所示之實施形態，藉由將適當的重錘4 1 0安裝於夾頭構件，可調整作用於基板之面透過簡易的構造降低作用於基板之面壓而實現低工〇，根據第5 2圖所示之實施形態，藉由適當地控制可調整將夾頭構件朝下方推壓之力，亦即，作之面壓，而可降低作用於基板之面壓而實現低荷。又，產生加工參數等之變更時，僅藉由控制氣力即可對應加工參數等之變更。，根據如第4 8圖所示之實施形態，將被加工物以推壓至離子交換體後，由於被加工物係接觸於接上面，因此接觸面積變得均一，而可實現均一的，根據如第5 3圖至第5 5圖所示之實施形態，可有主要於供電電極中產生的氣泡’錯此可防止產生致之被加工面表面之凹痕產生。

第97頁 314550.ptd 1276490 五、發明說明（87) 如上述，根據本發明，可防止對基板等之被加工物賦予物理性缺陷而損害被加工物之特性，且藉由電化學性作用可實施電解加工等代替例如CMP，藉此，可省略CMP處理，或減少CMP處理之負荷，以及可去除（洗淨）附著於基板等被加工物之表面之附著物。而且，僅使用純水或超純水亦可加工基板，藉此，消除基板之表面附著或殘留電解質等多餘的雜質，不僅可簡化去除加工後之洗淨步驟，且可減少廢液處理之負荷。到此說明了本發明之實施形態，但本發明並未限定於上述之實施形態，只要是在其技術思想範圍内皆可以各種不同形態加以實施。產業上之利用可能性本發明係有關使用於用以加工形成於半導體晶圓等之基板表面之導電性材料，或去除附著於基板表面之雜質之電解加工裝置及電解加工方法者。

314550.ptd 第98頁 1276490 圖式簡單說明【圖式簡單說明】第1 A圖至第1 C圖係以步驟順序顯示銅配線基板之一製造例之圖。第2圖係用以說明使皆安裝有離子交換體之加工電極及供電電極接近基板（被加工物），並將純水或電導度5 0 0 // S/cm以下之流體供給至加工電極及供電電極與基板（被加工物）之間時之本發明之電解加工原理之圖。

第3圖係用以說明僅於加工電極安裝離子交換體，並將流體供給至加工電極與基板（被加工物）之間時之本發明之電解加工原理之圖。第4圖係顯示本發明之實施形態中的基板處理裝置之構成的俯視圖。第5圖係顯示具備第4圖所示之基板處理裝置之本發明之實施形態中的電解加工裝置之俯視圖。第6圖係第5圖之縱剖面圖。第7A圖係顯示第5圖之電解加工裝置中的自轉防止機構之俯視圖。第7B圖係第7A圖之A-A線剖面圖。第8圖係顯示第5圖之電解加工裝置中的電極部之俯視

圖。第9圖係第8圖之B-B線剖面圖。第1 0圖係第9圖之部分放大圖。第1 1 A圖係顯示對有不同材料於其上成膜之基板的表面施以電解加工時所流通之電流與時間的關係之圖表。

314550.ptd 第99頁 1276490 圖式簡單說明第1 1 B圖係顯示對有不同材料於其上成膜之基板的表面施以電解加工時所施加之電壓與時間的關係之圖表。第1 2 A圖及第1 2 B圖係顯示本發明之實施形態之電解加工裝置中的基板之推壓量各不同時之電極部的狀態之圖。第1 3 A圖係顯示本發明之實施形態之電解加工裝置中的電極構件之剖面圖。第13B圖係第13A圖之部分放大圖。第14A圖及第14B圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板之推壓量各不同時之電極部的狀態之圖。第1 5 A圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的電極構件之剖面圖。第1 5 B圖係第1 5 A圖之部分放大圖。第1 6 A圖及第1 6 B圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板之推壓量各不同時之電極部的狀態之圖。第1 7 A圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的電極構件所使用之離子交換體之部分斜視圖。第1 7B圖係顯示第1 7A圖所示之離子交換體的部分斜視圖。第1 8 A圖至第1 8 C圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板之推壓量各不同時之電極部的狀態之圖。第1 9圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置

314550.ptd 第100頁 1276490 圖式簡單說明中的離子交換體之變形例之縱剖面圖。第2 0 A圖及第2 0 B圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的電極構件之變形例之部分斜視圖。第2 1圖係本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的電極部之剖面圖（相當於第9圖之圖）。第2 2圖係第21圖之部分放大圖。第2 3圖係本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的電極部之剖面圖（相當於第9圖之圖）。第24圖係第23圖之部分放大圖。第2 5 A圖係加工電極之部分剖面圖。第2 5 B圖係由第2 5 A圖所示之加工電極加工之基板之每單位時間之加工量之圖表。第2 5 C圖係顯示在第2 5 B圖所示之狀態使加工電極進行渦形運動時之加工量之圖表。第26A圖至第26C圖係用以說明本發明之電解加工方法之原理之圖。第2 7 A圖至第2 7 D圖係用以說明本發明之另一實施形態的電解加工方法之說明圖。第28A圖至第28D圖係用以說明本發明之另一實施形態的電解加工方法之圖。第2 9圖係用以說明本發明之另一實施形態的電解加工方法之圖。第3 0 A圖及第3 0 B圖係用以說明本發明之另一實施形態的電解加工方法之圖。

314550.ptd 第101頁 1276490 圖式簡單說明第3 1 A圖係顯示電解加工中施加於加工電極與供電電極之間之電流之圖表。第3 1 B圖係顯示施加第3 1 A圖所示之電流時之基板上的膜厚之圖表。第3 2 A圖及第3 2 B圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中各不同之加工電極之縱剖面圖。第3 3圖係顯示本發明之另一實施形態中的電解加工裝置之要部之縱剖面圖。第3 4圖係顯示第3 3圖之電極部之斜視圖。第35圖係第33圖之C-C線剖面圖。第3 6圖係第3 3圖所示之旋轉構件（加工電極）之放大剖面圖。第3 7圖係第3 3圖所示之介設構件之放大圖。第3 8圖係顯示第3 3圖之電極部中交換一方之離子交換體時的狀態之圖。第3 9圖係顯示第3 3圖之電極部中交換一方之離子交換體時的狀態之圖。第4 0圖係顯示第3 3圖之電極部中交換兩方之離子交換體時的狀態之圖。第4 1圖係顯示本發明之另一實施形態中的電解加工裝置之要部之縱剖面圖。第4 2圖係模式地顯示本發明之另一實施形態中的電解加工裝置之縱剖面圖。第4 3圖係模式地顯示第4 2圖之電解加工裝置中的基板

314550.ptd 第102頁 1276490 圖式簡單說明保持部及電極部之縱剖面圖。第4 4圖係顯示第4 2圖之電解加工裝置中的基板保持部的詳細構成之縱剖面圖。第45圖係第44圖之D-D線剖面圖。第4 6圖係第44圖之E-E線剖面圖。第4 7圖係第44圖之部分放大圖。第4 8圖係顯示本發明之另一實施形態之電解處理裝置中的電極部之縱剖面圖。第4 9 A圖係用以說明未設置接觸構件時之電解加工裝置之作用之模式圖。第4 9 B圖係用以說明設有接觸構件時之電解加工裝置之作用之模式圖。第5 0圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板保持部之縱剖面圖。第5 1圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板保持部之縱剖面圖。第5 2圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置中的基板保持部之縱剖面圖。第5 3圖係顯示本發明之另一實施形態之電解加工裝置之要部之縱剖面圖。第5 4圖係放大第5 3圖之一部分而顯示之要部放大圖。第5 5圖係顯示電極部之變形例之相當於第5 4圖之圖。 1 半導體基材 la 導電層

314550.ptd 第103頁 1276490

圖式簡單說明 2 絕緣膜 3 接鱗孔 4 溝 5 阻擋膜 6 銅膜（導電膜） 7 種子層 10 被加工物 10a 原子 12a、 12b、 88、 90、 190、 190a、 230 ^ 2 8 0 > 290、 400、 402> 616a、 616b、 618a 、618b、 790 離子交換體 14、 86a、 186a、 186c、 2 0 2a ^ 2 2 0 ^ 484、 614a、 786a 加工電極 16> 86b、 186b、 202b、 2 74 ^ 486 、614b 、78 6b 供電 17^ 4 8、4 4 6電源 18 流體 19 流體供給部 20 水分子 22 氫氧化物離子 24 氫離子 26 反應物質 30 裝卸部 32 反轉機 34、 234、 434、 600 電解加工裝置 36 搬送機器人 38 監視器部 40、 440臂 4 0a 基部 42、 240、 442、 442a、 442b、 742 基板保持部 44 可動框架 46〜 46a、 146、 250、 308、 444、 6 04、 746 電極部 50 > 454上下動用馬達 52> 54^ 452 滾珠螺桿 56 往復用馬達 58^ 456 白轉用馬達 60^ 46 0中空馬達 62^ 462 主孕由 1276490 圖式簡單說明 6 4、4 6 4驅動端 6 8、7 0 凹處 7 6、7 8 軸體 82^ 182^ 608^ 782 84、 84a、 184、 626、 784 8 5、6 2 8保持板 86、 186、 200、 614、 786 90a、 90b 部分 92、 192、 204、 632、 632a、 634、 634a、 634b、 792 94、1 94、48 2、794 9 6、1 9 6純水噴射喷嘴 100、199、212、800 貫通孔 1 8 5、2 1 4保持板 2 0 8 流體供給喷嘴 2 2 0 a端部 2 6 0 旋轉構件 2 6 0 b、2 7 2 b純水供給孔 264、470 氣紅 2 7 0 介設構件 3 0 0 再生裝置 3 0 2a凹部 3 0 2 c液體出口 306' 630' 630a 隔壁 66 ΊΙ、自轉防止機構 7 4、2 6 6轴承 80 連結構件電極構件底部電極 90c 凹部 63 2b、流路純水供給管 98' 1 9 8喷射口 102 絕緣薄膜 206 流體供給管 210 供給口 2 2 0b 中央附近 2 6 0a 、2 7 2 a通水孔 262 軸 268 蓋體 272 軀幹 302 再生電極保持部 3 0 2b 液體入口 304 再生電極 310 排出部

第105頁 314550.ptd 1276490 圖式簡單說明 3 8 0 上側進給機構 3 8 2、3 9 2捲取捲筒 3 8 3、384 ^ 3 8 5 ^ 3 8 6、3 9 3、 396、 493、 494、 495、 496、 497c、 487d 3 9 0、4 9 0下側進給機構 448 搖動用馬達 4 5 8 旋轉軸 4 8 8 絕緣體 5 0 0 凸緣部 500d 開口 5 0 2 固定環 5 0 4 夾頭板 5 0 6b突起 508、 508a加壓片 512、 522、 526、 528、 536 514、 524、 530、 538 管 518 0形環 5 3 2 導引環 6 0 6 中空渦形馬達 6 1 2 液體供給嘴嘴 6 2 0 a流體流通路 621 液體排出路 6 2 4 散入板 3 8 1、3 9 1供給捲筒 394、 395、 497a、 497b、滾輪 410 平衡錘 450 搖動軸 472 桿 49卜 4 9 2捲筒 5 0 0a、 5⑼a保持環 5 0 0 e 桿孔 5 0 2a 突出部 506 止動板 5 0 6c 保持環支持部 510^ 5 1 0a第一壓力室連接器 516 第二壓力室 5 2 0 ^ 7 9 6 a連通孔 534 洗淨液路 610 容器 620 液體吸引噴嘴 6 2 0b、 6 2 0 c液體吸引孔 622 分支棒 796 接觸構件

314550.ptd 第106頁 1276490 圖式簡單說明 798 緩衝構件 A、B 材料 G 間隙 P 間距 R、 Q 點 W 基板 lililll 第107頁 314550.ptd

Claims

广峰,興％_^ 案就 92106570^

1276490 六、申請專利範圍 -種電解加工裝置，其係具備並列地配置有呈士兩> t _ 離子交換體之複數電=與=蓋前述電極的表面之炎数包極構件之電極部；使被加工物可，旅靜岫粗姓、士上接觸或接近前述電極構件之齙工^ 換體地保持被加工物之保持部；以牛之雄子父與前述電極部之i · 其中各電極構件之電極連接之電源， :述電極構件之離子交換體良之離子交換體、以 > 表面平滑性優體。 u及離子父換容量大之離子交換" 2.如申請專利範圍第丨項之電解加工極部之各電極構件之電極内部彤 /、中，前述電離子交換體之貫通孔。 ^成有L ^流體至前述如：請專利範圍帛1項之電解加工裝置… 之則述電極構件之電極置其中，將相鄰陽極。接至别述電源之陰極與 4. 一種電解加工裝置，其係具備·· 並列地配置有具有電極與覆蓋前離子交換體之複數雷朽M 包極的表面之、 1双兔極構件之電極部； < 使被加工物可接觸戎 A 換體地保持被加工物之保持笔極構件之離子交與前述電極部之各電以及再仟之冤極連接之電源；供給流體至益、+、、^ 被加工物與前述電極構件之離子

314550(修正本).ptc 第108頁 1276490 _案號 92106579 六、申請專利範圍交換體之間之流體供給喷嘴。 5. 如申請專利範圍第4項之電解加工裝置，其中，前述流體供給噴嘴具有朝與前述電極構件相對向的被加工物的被加工面喷射前述流體之噴射口。 6. 如申請專利範圍第4項之電解加工裝置，其中，前述流體供給噴嘴之高度係較前述電極構件之離子交換體之高度低。 7. 如申請專利範圍第4項之電解加工裝置，其中，前述電極部之各電極構件之電極内部形成有供給流體至前述離子交換體之貫通孔。 8. 如申請專利範圍第4項之電解加工裝置，其中，將相鄰之前述電極構件之電極交互連接至前述電源之陰極與陽極。 9. 一種電解加工裝置，其係具備：具有電極與覆蓋前述電極的表面之離子交換體，其中，前述電極構件設有：使被加工物與前述電極構件之離子交換體接觸時，在預定推壓量以上之狀態中，將前述離子交換體之用於加工的部分與前述被加工物之實質的接觸寬度限制成一定之接觸寬度限制部。 1 0 .如申請專利範圍第9項之電解加工裝置，其中，前述接觸寬度限制部係由貼附在前述離子交換體之表面側或背面側之絕緣薄膜所構成。 1 1.如申請專利範圍第9項之電解加工裝置，其中，前述接

314550(修正本）· ptc 第109頁 1276490 _ 案號92106579 气十年灰月日修正_ 六、申請專利範圍觸寬度限制部係由不具離子交換能力之構件所構成。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之電解加工裝置，其中，前述不具離子交換能力之構件係與前述離子交換體一體地形成。 1 3 .如申請專利範圍第9項之電解加工裝置，其中，前述接觸寬度限制部係由設於前述離子交換體之凸部所構成。 1 4 .如申請專利範圍第9項之電解加工裝置，其中，並列地配置有複數之前述電極構件。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之電解加工裝置，其中，將相鄰之前述電極構件之電極交互連接至前述電源之陰極與陽極。 1 6 . —種電解加工裝置，其係具備：配置有複數供電電極與複數加工電極之電極部；使被加工物可接觸或接近前述電極部之供電電極及加工電極地保持被加工物之保持部；與前述電極部之各供電電極及加工電極連接之電源；以及可使前述電極部與被加工物之間產生相對運動之驅動機構，其中，在前述供電電極及加工電極之内部分別形成有供給流體至該供電電極及加工電極的表面之貫通孔。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之電解加工裝置，其中，在前述供電電極與前述加工電極之間配置有供給流體至前

314550(修正本).ptc 第110頁年分月(曰修正 1276490 _案號 92106579 六、申請專利範圍述被加工物與前述供電電極以及前述加工電極之間之流體供給喷嘴。 1 8 . —種電解加工裝置，其係具備：交互地並列配置有供電電極與加工電極之電極部; 使被加工物可接觸或接近前述電極部之供電電極及加工電極地保持被加工物之保持部；與前述電極部之各供電電極及加工電極連接之電源；可使前述電極部與被加工物之間產生相對運動之驅動機構；以及將流體供給至該供電電極及加工電極與被加工物之間之液體供給部。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之電解加工裝置，其中，在前述供電電極及前述加工電極與被加工物之間具備離子交換體。 2 0 . —種基板處理裝置，其係具備：搬出/入基板之基板搬出入部；電解加工裝置；以及在前述基板搬出入部與前述電解加工裝置之間搬送基板之搬送裝置，其中，前述電解加工裝置具備： (i )並列地配置有具有電極與覆蓋前述電極的表面之離子交換體之複數電極構件之電極部；

314550(修正本）.ptc 第111頁 1276490 上 ^,^92106579

六、申請專利範圍 (i i )使被加工物可接觸子交換體地保持# I % $ y ι月j迩电極構件之離广· . u于被加工物之保持部；以及 (1 1 1 乂、珂述電極部之源，其中，％ 4傅幵之冤極連接之電前述電極構件之離子之離子交換體、以及離/ f ^曰'有表面平滑性優良 21 ‘一種基板處理襞置，其係具備：又換體。搬出/入基板之基板搬出入部；電解加工裝置；以及在丽述基板搬出入部與前述電解加工_ 送基板之搬送裝置，其中，衣置之間搬前述電解加工裝置具備： (i)配置有複數加工電極與複數供電電極之電極 op ，之基板可接觸或接近前述電極部地保持基板 J Η 與前述各電極構件之電極連接之電源；以及 (IV)可使珂述電極部與基板之間產生相驅動機構，其中，、在前述供電電極及加工電極之内部分別形成有供給流體至該供電電極及加工電極的表面之貫通孔。 2 2 · —種基板處理裝置，其係具備：搬出/入基板之基板搬出入部；電解加工裝置；以及

1276490 案號 92106579 、申請專利範圍在前述基板搬出入部與前述雷龄丄 %外加工裝班送基板之搬送裝置，其中，衣置前述電解加工裝置具備： (1 )並列地配置有複數加工電極電極部；〜數供電電極之 (i i)使基板可接觸或接近前述電極之基板保持部； °卩地保持基板 (1 1 i )與別述各電極構件之電極連 (iv)可使前述電極部與基板之電源；以及驅動機構；以及相對運動之 (V)供給加工液至基板與電極部機構。间之加工液供給 23·—種電解加工方之方法中， /、在电解加工被加工物的表面之宽声」ί^被加工物與電極的表面配置有離子丄她之寬度比珂述被加罝有離子父換體在將前述離子交二電極接觸’ 實質的接觸寬度維持二定分；！述被表面。物相對運動而加工該被加工物之 24.如申請專利範圍使露出於前述加工雷：：：解加工方法’纟中，至少寬度與前述祐λ冤極的表面之前述離子交換體之全 I-種電解力V:力;：物實質地接觸。乃冼，其係：

第113頁 1276490 __案號六'申請專利範圍使被加將電壓物之供電電將流體述供電電極使前述沿著一方向使前述被加所致之在沿產生的間距為第二相對 2 6 ·如申請專利前述第一相 2 7 ·如申請專利加工電極係的表面之離 28·如申請專利往復運動進. 2 9·如申請專利第二相對運: 路各不相同 3 0 ·如申請專利」進行前述第_ 往前述一方r 修正 92106579 工物接f或接近加工電極，施加在前述加工命極之間，书極與供電至前述被加工供給至前述被力口之至少一方之S工物與前述加工電極或前加工電極與前述之往復相斟運動、σ工物相對運動而形成工物與前述加 2為第一相對運動，並且著被加工物之t電極以前述第一相對運動之整數倍矩離則，二方向之加工量分佈中運動，而加i <、、珂述一方向相對運動作範圍第2 5項之別迷被加工物的表面。對運動之逮度電解加工方法，其中，變化範圍第25項^雷由並列地配置：：工方法，其中’前述子交換體之雜 /、有電極與覆蓋前述電才範圍第25項之數電極構件所構成。 D 行前述第二相工方法…，藉由範圍第28項之:動。動中的往返運=工方法，其中，前述。之和動距離’係往路與復 Γ色圍第28項之 ” 二相對運動，耸Ϊ加工方法，其中，反覆与之運動為軍^ 以前述第二相對運動之早位變化前述被加工物之^ 1276490 _^^21〇65^ 六、申請專利範圍第二相對運動之方向。 31 ·如申請專利範圍第25項之電加工中使施加於前述加工電電壓及/或電流變化。 3 2 ·如申請專利範圍第2 5項之電加工中使前述第二相對運動 33·一種電解加工方法，其係：使被加工物接觸或接近將電壓施加在前述加工物之供電電極之間，將流體供給至前述被加述供電電極之至少一方之間使前述加工電極與前述一相對運動，並且使前述加間反覆朝一方向之相對運動以前述第二相對運動之往前化鈾述被加工物之前述第二前述被加工物的表面。 34·如申請專利範圍第33項之電述第一相對運動之速度變化 3 5 .如申請專利範圍第3 3項之電使前述被加工物旋轉預定角述第二相對運動之方向變化 36.如申請專利範圍第35項之電

解加工方法 7〆无，其中，電解極與前述供雷Φ # 於玉電極之間之解加工方法，其中，之速度變化。電解加工電極，電極與供電至前述被加工物與前述加工電極或前被加工物相對運動工電極與前述被加=第相對運動，工其間位變解加工方法，其中，述一方向之運動運動之方向，為單解加工方法，其中，度’使前述被加工物〇解加工方法，其中，使前碡由之前反覆

3]4550(修正本）.ptc 第115頁 1276490 年灰月μ曰修正 _案號 92106579 六、申請專利範圍前述預定角度之旋轉，至前述被加工物之電解加工終了為止至少旋轉一次。 3 7 .如申請專利範圍第3 3項之電解加工方法，其中，以前述第二相對運動之往前述一方向之運動為單位變化前述被加工物相對於前述加工電極之前述第二相對運動之位置。 3 8 .如申請專利範圍第3 3項之電解加工方法，其中，前述第二相對運動中不旋轉前述被加工物。 3 9 .如申請專利範圍第3 3項之電解加工方法，其中，電解

加工中使施加於前述加工電極與前述供電電極之間之電壓及/或電流變化。 4 0 .如申請專利範圍第3 3項之電解加工方法，其中，電解加工中使前述第二相對運動之速度變化。 4 1. 一種電解加工裝置，其係具備：可接觸或接近被加工物之加工電極；供電至前述被加工物之供電電極；保持前述被加工物使之接觸或接近前述加工電極之保持部，

配置於前述被加工物與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間之複數離子交換體；以及供給前述複數之離子交換體之至少一個而進行離子交換體的交換之進給機構。 4 2 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，具備分別對應前述複數之離子交換體之前述進給機構。

314550(修正本).ptc 第116頁 1276490 _案號 92106579 六、申請專利範圍卩斗年分月曰修正 4 3 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，不接觸或接近前述被加工物之離子交換體之交換週期，較接觸或接近前述被加工物之離子交換體之交換週期短。 4 4 .如申請專利範圍第4 3項之電解加工裝置，其中，藉由前述進給機構交換不接觸或接近前述被加工物之離子交換體。

4 5 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，前述複數之離子交換體中，離子交換容量大之離子交換體之交換週期，較其他離子交換體之交換週期短。 4 6 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，於電解加工時進行利用前述進給機構之前述離子交換體之交換。 4 7 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，具備：旋轉自如之複數旋轉構件、以及介設於前述旋轉構件之間之複數介設構件，且以將前述離子交換體穿繞在前述旋轉構件與前述介設構件之間的方式配置前述離子交換體。

4 8 .如申請專利範圍第4 7項之電解加工裝置，其中，前述旋轉構件為前述加工電極或前述供電電極之至少一方。 4 9 .如申請專利範圍第4 1項之電解加工裝置，其中，更具備用以再生利用前述進給機構加以循環之離子交換體之再生裝置。

314550(修正本）.ptc 第117頁 1276490 y、、申請專利範圍 50.~種電解加可接觸彳共電至保持前之保持部；配置於電極之至少 I積於件；以及供給前進給機構。 51·如申請專利離子交換體才奐週期短。 52·如申請專利備：旋轉自構件之間之且以前介設構件之 53·如申請專利旋轉構件為方。 5 4 ·如申請專利備用以再生電極性之構交換之 ’前述 4牛之交，具述旋轉與前述的 92106579 工裝置，其係具備·· 或接近被加工物之加工電極；前述被加工物之供電電極；述被加工物使之接觸或接近前述加前述被加工物與前述加工電極或前述一方之間之離子交換體；八$ 前述離子交換體的表面之具有通水述離子交換體而進行離子交換體範圍第5 0項之電解加工裝置，其中之父換週期較具有前述通水性之構範圍第5 0項之電解加工裝置，其如之複數旋轉構件1及介設ς 複數介設構件，述離子交換體穿繞在前述間的方式配置前述離子交捡=構件範圍第50項之電觥+ 換體。包_加工》w ^ 鈾述加工電極或W ，、中飞則述供電電極之至範圍第5 0項之電解加工利用前述進給機椹 t置’其中構加以循環之離子 ’前述少一

314550(修正本）ptc 1276490 -^^^121〇6579_ 修正六、申請專利範圍之再生裝置。 55·—種電解加工裝置，其係具備： I，觸或接近被加工物之加工電極，· ^f W述被加工物之供電電極；以及 +仅f ί寺則述被加工物使之接觸或接近前述 1示部，、+、…ΐ具備複數之前述加工電極或前述供電 t ^ ^之包極係構成為與前述被加工物互相近分離自如。 56·如申請專利範圍第55項之電解加工裝置，其子交換體配置於前述被加工物與前述加工雷供電電極之至少一方之間。 ^ 5 7.y種基板保持部，其係保持基板使之與加工以進行電解加工之基板保持部，其係具備：連結於旋轉轴之凸緣部；以及可相對於前述凸緣部在前述旋轉軸之轴自如’且保持前述基板之夾頭構件。 58·如申=專利範圍第57項之基板保持部，其中成於雨述凸緣部與前述夾頭構件之間之第一藉由將流體供給至前述第一壓力室而加壓力室，使保持於前述夾頭構件之 = 極接觸。双一月，j 5 9.如申請，利範圍第58項之基板保持部，其中一壓力室係由前述凸緣部、前述失頭構件、加工電極電極，浩獨立且接中，將離極或前述電極接觸方向移動 ’具備形壓力室，壓該第一逃加工電，前述第以及連結

314550(修正本）· ptc 第119頁 1276490 ^^^^tE_921Q6579 六、申請專利範圍力述凸緣部與前述 · $申請專利範圍第前述夾頭構件安裝對前述加工電極之 6 1 ·如申請專利範圍第將前述夾頭構件朝 •如申晴專利範圍第頌構件係具備形成板；配置於前述夾述夾頭板與前述止且精由從前述室減壓，而使前述 63·如申請專利範圍第緣部安裝有具有向前述夾頭構件突起。 6 4 · 一種電解加工裝置加工電極；供電至基板之保持前述基板部；修正失頭構件 5 7項之基預定重量推壓力。 5 7項之基下方推壓 5 7項之基有連通至頭板上方動板之間第二壓力基板吸附 5 7項之基内方突出設有與前之彈性構件所板保持部，其之平衡錘，調形成。中，藉由於整前述基板板保持之氣板保持前述基之止動之第二室吸引於前述板保持之突出述固定其係具備部’其中，更具備部，其板之連板；以壓力室流體使夾頭構部，其部之固環之突中，前述夾通孔之夹頭及形成於前 5 該第二壓力件。中，前述凸定環，出部扣合之供電電極；使之接觸前述加工電極之基板保持將電壓施加於前述加之電源；以及工電極與前述供電電極之間便利用前述基，队•小何节丨）1示

1276490

六、申請專利範圍極相對運動之驅動前述基板保持以進行電解加工之軸之凸緣部；以及軸之軸方向移動自 6 5·如申請專利範圍第子交換體配置於前電極之至少一方之 6 6 ·如申請專利範圍第將流體供給至配置述加工電極或前述給部。 6 7 ·如申請專利範圍第有通水性之構件配述供電電極之至少 68·—種電解加工方法配置加工電極將電壓施加於間，藉由具有連結頭構件之基板保持使前述基板與前述加工電極相對 6 9 ·如申請專利範圍第修正部，其部係保基板保可相對如，且 6 4項之述基板間。 6 5項之有前述供電電中持基板持部，於前述保持前電解加與前述使之與加工電極接觸其中具備連結於旋轉凸緣部而在前述旋轉述基板之夾頭構件。工裝置，其中，將離加工電極或前述供電電解加離子交極之至少一方之間之流體供工裝置，其中，具備換體之前述基板與前 6 4項之電解加置於前述基板一方之間。，其係：與供電電極，前述加工電極於旋轉軸之凸部保持基板，前述加工電極運動而加工該 6 8項之電解加工裝置，其中，將具與前述加工電極或前與前述供電電極之緣部與保持基板之夾接觸’使前述基板與基板的表面。工方法，其中，藉由

314550(修正本）.ptc 第121頁 1276490 _案號92106579 料年分月上^日修正_ 六、申請專利範圍將流體供給至形成於前述基板保持部之凸緣部與夾頭構件之間之第一壓力室而加壓該第一壓力室，而使前述基板與前述加工電極接觸。 7 0 .如申請專利範圍第6 8項之電解加工方法，其中，將離子交換體配置於前述基板與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間。 7 1.如申請專利範圍第6 9項之電解加工方法，其中，以前述基板之推壓力成為6 . 8 6 kPa以下之方式，控制供給至前述第一壓力室之流體之壓力。 7 2 . —種電解加工裝置，其係具備：並列地配置有具有電極與安裝於該電極的表面之加工構件之複數電極構件之電極部；使被加工物可接觸前述電極構件之加工構件地保持被加工物之保持部，以及與前述電極部之各電極構件之電極連接之電源，在前述複數之電極構件之間配置有與前述被加工物的表面接觸之接觸構件。 7 3 .如申請專利範圍第7 2項之電解加工裝置，其中，在前述接觸構件安裝有由具有不損傷被加工物表面之程度的彈性之材質所形成之緩衝構件。 7 4.如申請專利範圍第72項之電解加工裝置，其中，前述加工構件係離子交換體。 7 5 . —種電解加工裝置，其係具備：加工電極；

314550(修正本）.ptc 第122頁修正 1276490 _案號 92106579 六、申請專利範圍供電至被加工物之供電電極；保持基板使之接觸或接近前述加工電極及前述供電電極之基板保持部；將電壓施加於前述加工電極與前述供電電極之間之電源，使利用前述基板保持部保持之前述基板與前述加工電極及前述供電電極相對運動之驅動部；將流體供給至前述基板與前述加工電極之間，或前述基板與前述供電電極之間之至少一方之流體供給部；以及至少將前述加工電極與前述基板之間之流體的流動，與前述供電電極與前述基板之間之流體的流動部分地隔離之隔壁。 7 6 .如申請專利範圍第7 5項之電解加工裝置，其中，將離子交換體配置於前述基板與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間。 7 7 .如申請專利範圍第7 5項之電解加工裝置，其中，前述隔壁係由彈性體所構成。 7 8 .如申請專利範圍第7 7項之電解加工裝置，其中，前述彈性體係由不織布、發泡聚乙烯、PVA海綿、聚乙烯海綿或離子交換體所構成。 7 9 .如申請專利範圍第7 5項之電解加工裝置，其中，更具備將流動於利用相互鄰接之前述隔壁而隔離之領域之流體之流動分離成前述加工電極側或前述供電電極側

314550(修正本).ptc 第123頁父今年友月[曰修正 1276490 _案號 92106579 六、申請專利範圍之流動，與前述基板側之流動之第二隔壁。 8 0 .如申請專利範圍第7 5項之電解加工裝置，其中，前述流體係超純水、純水、電導度5 0 0// S/cm以下之液體或電解液。 8 1.如申請專利範圍第7 5項之電解加工裝置，其中，具有用以吸引流動於利用互相鄰接之前述隔壁隔離之領域之流體之流體吸引部。 8 2 . —種電解加工裝置，其係具備：配置有複數之電極之電極部；使被加工物可接觸乃至接近前述電極地保持被加工物之保持部；以及與前述電極部之各電極連接之電源，在前述複數之電極之間配置有與前述被加工物之表面接觸之接觸構件。 8 3 . —種電解加工方法，其係：配置加工電極與供電電極，將電壓施加於前述加工電極與前述供電電極之間，使被加工物接觸或接近前述加工電極，藉由隔壁至少將前述加工電極與被加工物之間之流體的流動，與前述供電電極與被加工物之間之流體的流動部分地隔離，並使前述被加工物與前述加工電極相對運動，而加工前述被加工物之表面。 8 4.如申請專利範圍第8 3項之電解加工方法，其中，將離

314550(修正本）.ptc 第124頁 1276490 修正案號 92106579 六、申請專利範圍子交換體配置於前述被加工物與前述加工電極或前述供電電極之至少一方之間。 Β· 314550(修正本）.ptc 第125頁 1276490 保持部及電解一旮明名本發明揾银_你-^. 理之物本發明提供一種電解，或可盡晋诘柄裝置，可痛略例如CMP處導電性材料的平挺处理^負荷而進行設置於基板表面表面之附著物去除(洗；)者及可將附著於基板等被加工其係具備：並列地配置有離子交換體之複數電極構件1電=極與覆1電極表面之觸或接近電極構件之離子交換=2使被加工物接持部；以及與電極部之各雪j的方式保持被加工物之保中電極構件之離子交換體ϊ有m，極連接之電源，其體·以月麴工> & 、體/、有表面平滑性優良的離子交換體，以及離子父換容量大的離子交換體。本案代表圖··第9圖 4 6 電極部 84 底部 86b 供電電極 82 電極構件 8 6a 加工電極 9 4 純水供給管 PR0CESSING DEVICE，SUBSTRATE PR0CESSING ρρπγ^Ϊμγ η^!ϊρΛδυ〇Η AN ELECTR0LYTIC PROCESSING device, and electrolytic rKULtoollNlj DIlVICE) An electrolytic processing device is provided to omit the CMP treatment itself or to reduce the load of the CMP treatment as much as possible while processing a conductive material provided on a surface of a substrate to be flat， and to be used to remove the deposits stuck on the surface of an object to be machined, such as a the surface. The electrolytic processing device

314550修正版.ptc 第8頁 1276490

保持ηι 方』f明名稱:電解加工^ 處理裝置、基板 100貫通孔 9 6 純水噴射噴嘴 W 基板六、英文發明摘要（發明名稱：ELECTROLYTIC PROCESSING DEVICE，SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING SUCH AN ELECTROLYTIC PROCESSING DEVICE, AND ELECTROLYTIC PROCESSING DEVICE) comprises an electrode part comprising a plurality of electrode members deposited in parallel, each of which has an electrode and an i on exchanger covering the electrode, a holding part for holding the object to be processed in such a way that the object can touch or approach the i on exchangers of the electrode members freely, and a power supply connected with the electrode of each electrode

314550修正版.ptc 第9頁