TWI275652B - Sputtering target and optical recording medium - Google Patents

Description

1275652 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種以丨賤鍵來形成薄膜之際，可進行直 流（DC)濺鍍、濺擊時之電弧少、可減低因此所產生之粒子 (粉塵）與結球、且能提昇量產性來得到高密度、品質變動 少之以硫化鋅為主成分之錢鍍輕，以及使用該革巴形成以硫 化鋅為主成分之相變型光碟保護膜的光記錄媒體。 【先前技術】 近年來’無須磁頭即可進行記錄、再生之高密度記錄 光碟技術被開發出，迅速地成為矚目的焦點。此光碟可分 為再生專用型、追記型、覆寫型之3種類，特別是追記型 或倀寫型所使用之相變方式受到矚目。4吏用相變型光碟進 行記錄、再生之原理簡單說明如下。 敎目艾光碟’係將基板上之記錄薄膜以雷射光照射來乂 :昇溫’在該記㈣膜之結構產生結晶學上之相變（非』 來進行資訊之記錄、再生，更具體地說係㈣ 再：間光學常數的變化導致之反射率的變化 上述相變係利用直 射來進行。此B± 、、、 數卵程度之雷射光的月 通過時，光：二 μπι的雷射光束以10m/s的編 間内必須進行上二點受光照射之時間為_，在此每 員進仃上述相變以及反射率的檢測。 ’在霄現上述結晶學上 夂亦即貫現非晶質與 1275652 、、口曰曰之相夂的日寸候’熔融與急冷不僅是在光碟之相變記錄 層、即使是在週邊的介電體保護層或铭合金之反射膜也會 被反覆賦予。 #有鑑於此種情況’相變光碟之Ge-Sb—Te系等之記錄 薄膜層的兩側係以硫化鋅—矽氧化物（ZnS · si〇2)系等之高 炼點介電體的保護層來挾持，進一步設置銘合金反射膜成 為四層結構。 田中反射層與保蠖層除了要求有增加非晶質部與結 晶部之吸收、反射率之差異大之光學功能以外，尚要求記 錄薄膜之耐濕性以及對於熱變形之防止功能，甚至是進行 記錄之際之熱條件控制的功能（參見雜誌「光學」Μ卷^ 號9〜15頁）。 如上所述，高熔點介電 卻所導致之熱反覆應力具有 響到反射膜或其他部位，且 有不致變質之強韌度。此意 任務。 體之保護層必須對於昇溫與冷 耐性，再者該等熱影響不致影 本身要薄，並呈現低反射率且 味著介電體保護層具有重要的 上述介電體保護層通常係以滅鑛法來形成。此賤鑛法 所使用之原理，係使得正電極與負電極所構成之㈣向， 在惰性氣體環境氣氛下在該等基板與乾之間施加高電壓來 產生電場，此時電離之電子與惰性氣體衝撞形成電漿，此 電衆中之陽離子會衝_負電極)表面將乾構成原子敲出 ’此飛出之電子會附著於對向之基板表面形成膜。 以往，上述保護層要求具有在可見光區之穿透性.、耐 1275652 熱性等，一般係使用ZnS—Si〇2等之陶瓷靶來進行濺鍍， 形成500〜2000A程度之薄膜。但是，該等材料由於體電阻 值高，所以無法藉由直流（DC)濺鍍裝置來長膜，通常係使 用高頻濺鍍（RF)裝置。 但是，高頻濺鍍（RF)裝置不但裝置本身昂貴，且敗錢 效率差，電力消耗量也大，控制複雜，長膜速度慢，缺點 甚多。又，為了提昇長膜速度而施加高電力的情況下，基 板溫度會上升，會發生聚碳酸酯製基板之變形，此為問題 所在。 ， 又，於上述硫化鋅一矽氧化物（Zns—Si〇2)靶所使用之 si〇2，通常係使用4N以上之高純度且平均粒徑為〇•卜2〇 之物，以700〜1 200°C燒結來製造。 但是，在此種溫度範圍下Si〇2本身之變形等不會發生 ，也不會與ZnS起反應，所以在2沾與Si〇2之間容易產生 工隙，又Si 〇2愈微細，該情形愈顯著，且ZnS之緻密化也 受到影響，故有靶密度下降之問題。 再者，於ZnS含有Si〇2之靶，利用濺鍍來長膜之際容 易發生電弧，此會導致濺鍍時發生粒子（粉塵）與結球，造 成長膜均一性以及品質之降低，且生產性也差，此為問題 所在。 做為以往之光碟保護膜已揭示者有以Zn〇、In2〇3或是 Ζη〇2中1種或2種以上為主成分，使其含有Α12〇3以及/或 是Ga2〇3達0.lwt%~20wt%、或使其含有Zr〇2以及/或是 Tl〇2達O.Olwt%〜5wt%而成之被膜均一性獲得提昇、擁有低 1275652 反射率、於可見光區之高穿透性之光碟保護膜（例如，參 見以下專利文獻1)。 > 又，已揭示了* ZnS—Si〇厂Zn0之三成分系材料所構 成之光碟保護膜形成用濺鍍靶（例如，參見以下專利文獻 再者，已揭示了一種含有擇自Nb2〇3、v2〇5、&心、 Sl〇2、P2〇5中至少1種之玻璃形成氧化物〇· 〇1〜2〇重量％以 及Α12〇3或Ga2030. 〇1〜20重量％，殘部為擇自Iri2〇3、Sn〇 /n〇中至少1種的氧化物之透錢形成用濺料（例如/ 茶見以下專利文獻3)。 專利文獻1 :日本專利特開2000_195101號公報 專利文獻2 :日本專利特開2〇〇卜〇11615號公報 專利文獻3:日本專利特開2〇〇〇_119〇62號公報 【發明内容】 本發明之目的在於得到一種以 P, . ^ / 现化鋅為主成分之濺鍍 罕巴U及使用該靶形成以硫化 ^^^ 年為成刀之相變型光碟保護 联的光自己錄媒體，所述之蹯枯 隊、、，μ之表鍍靶，利用濺鍍來形成薄膜之 'Τ、，可減少對基板加熱等之影 、 整出镇的瞪声π立 J進仃冋速長Μ，可調 4•出，專的膜厚，可減少濺擊丰 σ # 拏柃所產生之粒子（粉塵）與牡玟 以：質變動少並可提升量產性，且結 、、二 以上（特別是95%以上、甚至是娜以上）之高密度。 為了解決上述課題，本發 現若佶田m 不^月者、、二努力研究的結果，發 現右使用導電性氧化物以 a化物做為靶之添加成分， 1275652 可降低體電阻值而可進,f DC濺鍍，且不會損及做為保護 膜之特性，再者可減低濺擊時所產生之粒子與結球，可提 升膜厚均一性。 本發明基於上述見解，乃提供·· 1 ·種/賤錢革巴，其特徵在於··係以硫化辞為主成分， 且含有導電性氧化物與氮化物。 、2· 士上述1屺載之濺鍍靶，其中，濺鍍膜之折射率在 波長300〜700nm為2. 0〜2 6。 述1或2 5己載之濺鍍靶，其中，含有氮化物 U·lmol%〜40mol% 〇 遮4·如上述1或2記載之減鍍乾，其中，氮化物係使用 自鈦m紹、石夕、鎵、錯、錯、鉻、銳、給 、釩中至少1種之金屬氮化物。 5·如上述1 痞 色产儿从 一 n載之歲鍍靶，其中，導電性氧化物 與氮化物之總量以體積比計為2〇%以上。 俾擇6自.ΓΓ或2記載之濺鍍乾，丨中，導電性氧化物 係擇自銦、錫、鋅中至少] 一 種之元素的氧化物。 7 ·如上述1或2記载之备 、 戰之焱鍍靶，係進一步含有擇自矽 紹、叙、錯、鍺、線、4 b 至少1種之元素的氧化物。 8 ·如上述1或2記載之喻 錄此^ X之我鍍靶，其中，擇自矽、鋁、 叙、鍅、鍺、銻、鈮中至少 Φ w：备仏札 種之元素的氧化物相對於導 罨性軋化物以元素之重量 守 n 、 換开含有0· 01〜40%。 9·如上述1或2記載之 ^ 〆 成分^ ^ 1靶，係含有以氧化矽為主 又刀之玻璃形成氧化物，且 坏目鋁、硼、磷、鹼金屬、鹼 10 元素相對於氧化矽 以重量比計含有 土類金屬中至少〗種 0. 01%以上。 10·如上述9記载之濺鍍靶，其中， 對於總量以莫爾比換算係含有U卟，破螭形成氧化物相 n.如上述1或2記载之濺鍍靶，其 在之絕緣相或高電阻相之 、，靶整體中所存 丁弓、、、吉晶粒徑兔^ 1如上述1或2記裁之濺鍍乾，：中二：。 在之絕緣相或高電阻相係含Κ ε —中所存

氧化磷、鹼金屬氧化物、从虱化矽、氧化硼、 屬乳化物驗土類金屬氧化物中至少H •如上述1或2記載 上。 鑛乾’其相對密度為90%以 體電阻值為5 14·如上述！ $ 2記載之濺鍍靶，其中 X 1 (Γ2 Ω cm 以下。 述14 Λ载之濺鍍革巴，其中，革巴内之體電阻值 的變動相對於平均值在±20%以内。

16. —種光記錄媒體，係以濺鍍靶形成有以硫化鋅為主 成分之相變型光碟保護膜；其特徵在於：係以硫化鋅為主 成分，且含有導電性氧化物與氮化物。 17. 如上述16記載之光記錄媒體，其中，濺鍍膜之折 射率在波長300〜700nm為2. 0〜2. 6。 18 ·如上述16或17記載之光記錄媒體，其中，含有氮 化物 O.lmol%〜40mol%。 19·如上述16或17記載之光記錄媒體，其中，氮化物 係使用擇自鈦、鎢、鉬、鈕、鋁、石夕、鎵、鍺、锆、鉻、 11 1275652 銳、給、飢中至少1種之金屬氮化物。 20·如上述16或17記载之弁 氧化物與氮化物之總量以體 ° w ” 中，導電性 里M體積比計為20%以上。 "21·如上述16或17記栽之光記錄媒體，其中，導電性 氧化物係擇自銦、錫、铉φ 導電性 22…以：少1種之元素的氧化物。 .〇 〆17記栽之光記錄媒體 擇自石夕、銘、鎵、錯、鍺、磁 併、進步含有 化物。 錯錦、銳中至少1種之元素的氧 23:上述16或17記栽之光記錄媒體，其 m'n銳中至少[種 對於導電性氧化物以开 素的氣化物相 24·如上述1心:载^ 石夕為主成分之破璃形成氧化栽^光記遲錄媒體，係含有以氧化 屬、鹼土類金屬令至少 且自1呂、爛、磷、驗金 含有UU以上。 種70素㈣於氧切以重量比計 25·如上述 24 ϊ β己载之光記錄媒體，1 化物相對於總量以莫爾比換算係含有卜30、％。离形成氧 26.如上述】6 $ π記载之光記錄媒體，， 中所存在之絕緣相戋高 y' ，靶整體 下。 …電阻相之平均結晶粒徑為5… 27.如上述J6或J7記戴之光記錄媒體，苴 中所存在之絕緣相或高電阻相係含有:、化：整體 ㈣、氧化鱗、驗金屬氧化物、驗土 ：：：、氣 1種。 复屬乳化物中至少 12 1275652 δ己載之光§己錄媒體，其相對密度為 28·如上述16或17 Ο 〇 %以上。 體電阻

、29·如上述丨6或17記載之光記錄媒體，其中 值為5xl〇-2Qcm以下。 中’靶内之體電 ’其中，濺鍍膜 30.如上述29記載之光記錄媒體，其 阻值的變動相對於平均值在±20%以内。/、 31 ·如上述1 6或丨7記載之光記錄媒體 係以安定之非晶質狀態存在。 【實施方式】 、本發明之濺鍍靶，係以硫化鋅為主成分，且進一步含 有導電性氧化物與氮化物。藉此，可得到具備與通常所使 ZnS Si〇2為同荨之保護膜特性、且體電阻值在$ X 10 cm以下之濺鍍靶，可進行DC濺鍍。靶内之體電阻值 的變動相對於平均值在±2_内為佳。藉此，可形成特性 均一之以硫化鋅為主成分之相變型光碟保護膜。

土 Dc濺鍍相較於上述RF濺鍍，長膜速度快，濺鍍效率 佳，此為所具有之優異特徵。又，Dc濺鍍裝置之價袼便宜 ，控制容易，僅需少量之電力消耗量即可達成目的，此為 優點所在。 ' 濺錢膜之折射率在波長300〜700nm為2.0〜2.6、較件 係在波長380〜450nm為2. 0〜2· 6。藉由使得折射率較通常 之ZnS—Si〇2(2.0〜2.1)為大，可減薄保護膜本身之膜厚， 故可發揮生產性提昇、基板加熱防止效果。 13 1275652 是以，藉由使用本發明之濺鍍靶，可提升生產性、可 得到品質優異之材料、且能以低廉成本安定地製造出具備 光碟護膜之光記錄媒體，為顯著效果所在。 〃 中之金屬氮化物以含有〇·1ιη〇卜·。ι%為佳。 又，導電性氧化物與氮化物之總量為體積比之2〇%以上、 甚至是25%以上為佳。此乃由於，藉此可得到所需之導電 I4生，且可保持濺鍍膜之安定的非晶質性，且可維持本 身之特性之故。 η

氮化物含有量若未滿〇.lmol%則無法發揮添加效果 右超過40H1O1%則效果達飽和，且特性與以往之ZnS—si〇 膜差異極大，此為問題所在。更佳為。 又’導電性氧化物與氮化物之總量以體積比計若未谓 。，則無法有效地降低體電阻值’且非晶質安定性也差 :此為問題所在。再者，導電性氧化物與氮化物之總量的 上限值係定為70體積％。又，較佳笳 25〜35%。 / 杈佳之乾圍為以體積比計

氮化物方面係使用擇自鈦、鎢、翻、鈕、紹、矽、鎵 2、錯'絡、銳、給、叙中至少1種之金屬的氮化物。 精此，可調整導電性、折射率、熱傳導率、非晶質製。 又’導電性氧化物係擇自銦、錫、鋅之氧化物。再者 之：―步含有擇自紹、鎵、錯、鍺、錄、鈮令至少"重 = '氧化物。其含有量相對於導電性氧化物以元素之 里比換异以含有〇· 01〜40%為佳。 使含有氧化物之理由在於，讓價數與導電性氧化物不 14 1275652 同之氧化物固溶而吝斗 ^ 而產生不疋比性，藉此 洞，並可得到安定的非曰所α 曰加得導電子電 的非日曰貝性之故。此時尤以盥ZnS似 合前事先固溶氧化物為佳。 ^ 做混 又，相對於導電性氧化物以重量 ％ 〇· 〇1〜40%的愔汉 甘 換W扠疋為 下限值係為了獲得添加所 ，而上限值則是因盖# 胥之效果 對膜非晶質性之影響不再可予以,t、視之故。電性’ 再者，本發明之賤鑛輕中亦可含有氧化石夕。 化砍則可將朵風壯 有氣 j j將先予特性、熱傳導率、非 如:=2料程度，A其優點所在。冑㈠㈣整成與 右含有i切’料行錢缝 常放電之起點之缺點，~若使得擇自㉟成為異 、驗土類金屬中至少1種之玻璃形成氧化物相對= 以重量比計達UU以上，則可解決上述缺點，可== 特性、熱傳導率、非晶質性等調整成與ZnSK)同等= 度，此為添加氧化矽之效果所在。 私 又，此玻璃形成氧化物相對於總量以莫爾比換曾人 1〜30%為佳。其理由在於 、 叫同等程度之膜。u放電而可得到與如— 靶整體中所存在之絕緣相或高電阻相之平均結晶粒_ 以5“以下為佳，又起整體中所存在之絕緣相或高電阻 相以含有硫化鋅、氧化石夕、氧化蝴、氧化鱗、驗金屬氧化 物、驗土類金屬氧化物中至少、i種為佳。藉此，可得到显 常放電抑制效果。 〃 15 1275652 再者，本發明可得到靶的相對密度達90%以上、甚至 疋95%以上之问始度物。藉此，可進一步減低濺鍍之際之 粒子（粉塵）與結球，品質變動少、並可提升量產性。 本發明之濺鍵革巴之製造方法，係將硫化辞等之原料粉 末做均一的混合，以熱壓或熱均壓在溫度8〇〇〜13〇〇它加熱 ，以面壓lOOkg/cra2以上之條件進行燒結。 . 藉此，可製造出燒結體之相對密度9〇%以上（進而達相 對密度95%以上）、以四端子法所測得之體電阻值為5χΐ〇_2 Ωμ以下之以硫化鋅為主成分之濺鍍靶。又，本說明書中 體電阻值係以相同測定法來測得。 本發明之以硫化鋅為主成分之濺鍍靶之密度的提昇， 由於可減少空孔使得結晶粒微細化，將靶之濺擊面做成均 平π，所以可減低錢鍍時之粒子與結球，再者挺壽命 變長，此為發明之顯著效果所在。 又，使用本發明之濺鍍靶所形成之濺鍍膜，展現出以 安定之非晶質形態存在（亦即，於3〇(rc以上之退火處理後 之膜中，以XRD波峰強度測定無法特定出結晶相）此種優 異之膜特性。 (實施例與比較例） 以下依據實施例與比較例做說明。又，本實施例僅為 · 發明之一例，本發明不因為這些實施例而受到限制。亦即 . ’本發明僅受申請專利範圍所限制，而包含了本發明所包 括之實施例以外的各種變形。 (實施例1) 16 1275652 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 ， 4Ν(99·99%)之導電性氧化物之氧化銦（^2^)粉2〇m〇1%、氮 化鈦（14?〇1〇111〇1%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/Cm2、溫度i〇0(rCi條件進行熱壓。藉此所得 … 之主體之相對密度為93%。又，體電阻值為2.5x1〇_3〇 , cm(表中以2·5Ε-3Ώ(：πι表示，以下同）。 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果Dc濺 鍍容易，可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 _ 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。 折射率為2 · 2，膜質為非晶質（退火後）。 又’折射率係波長405nm之測定值，測定樣品係製作 6吋大小之靶以Ar壓力05pa、Ar氣流1〇〇sccm、電力 1 0 00W的條件進行濺鍍，長出15〇〇埃厚度之薄膜（以下之 實施例與比較例係以同樣條件來實施）。 (實施例2) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅(ZnS)粉，添加純度_ 4Ν(99·99%)之導電性氧化物之氧化銦（In2〇3)粉3〇m〇1%、氮 化錯（Z r N ) 1 0 m ο 1 %做均一混合。 將泫混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 、 面壓200kg/cm2、溫度11〇(rc之條件進行熱壓。藉此所得 · 之主體之相對密度為90%。又，體電阻值為丨· 2 χ 1〇~3Ω cm ο 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果Dc濺 17 1275652 鍍容易，可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2.3,膜質為非晶質（退火後）。 (實施例3) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4Ν(99·99%)之導電性氧化物之氧化姻（⑽^粉2_。1%、氮 化鉻（以21〇1〇111〇1%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cra2、溫度丨⑽^七之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為98%。又，體電阻值為 〇 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果Dc濺 鍍容易，可得到具有優異特性之以高密度Zns為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2· 4，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例4) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4Ν(99· 99%)之氧化銦（In2〇3)粉 20mol% 、純度 4N(99. 99%)Si〇2 l〇m〇i%、氮化鈕（TaN)1〇m〇1%做均一混合 〇 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度1000它之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為91%。又，體電阻值為2.5xi〇-2QCm 18 1275652 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果DC濺 鍵容易’可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2· 1，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例5) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（zns)粉，添加純度 4Ν(99·99%)之 ITO(In203 -i〇wt%Sn02)粉 15mol%、純度 4N(99. 99%)Si02 5mol%、氮化鈦（了丨们2〇111〇1%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度nooti條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為90%。又，體電阻值為2·2χ10_2Ω(2πι 〇 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果DC濺 鍍容易’可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2 · 4，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例6) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4Ν(99·99%)之 ΙΤ0(Ιη203 — 1 0wt%SnO2)粉 20mol%、氮化銳 (NbN)lOmol%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度ll〇〇°c之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為95%。又，體電阻值為8.5Xl(T3QCm 19 1275652 々製作由該主體所構成之乾，實施減鍍試驗，結果DC濺 鍍今易可传到具有優異特性之以高密度為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍輕。折 射率為2· 3，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例7) 對於純度4N⑽.99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4N(99.99%)之 GZO(Zn〇 — 2wt%GM3)# 2()ra〇i%、氮化錯 (ZrN)l〇mol°/。做均一混合。 ° 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度11()()1之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為90%。又，體電阻值為15><1〇_3〇^ 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果賤 鍍容易’可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍輕。折 射率為2.4，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例8) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純户 4Ν(99·99%)之 GZO(ZnO — 2wt%Ga203 )粉 10m〇l%、氮化欽 (TiN)30mol%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度1100°C之條件進行熱壓。藉此戶斤得 之主體之相對密度為96%。又，體電阻值為3. 〇 X 1()-3Ω⑽ 20 1275652 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗 =谷易，可得到具有優⑽性之以高密度Zns果= =導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成 = 射率為2·4,膜質為非晶質（退火後）。 乾折 (實施例9) 、才；、屯度4Ν(99· 99°/。)之硫化鋅(ZnS)粉，添加純度 4N(99.99%)^ IZO(In2〇3-l〇wt°/〇ZnO)^ 20mol°/〇 > >fb ^ (Si3N4)5mol%做均一混合。 入 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓2GGkg/em2、溫度丨1^之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為92%。又，體電阻值為 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果濺 鍍谷易，可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2. 2，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例10) 對於純度4Ν(99· 99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4Ν(99· 99%)之氧化銦（In2〇3)粉 2〇m〇1%、矽酸玻璃（Si〇2 — 〇· 2wt%Al 203 — 〇· iwt%Na203) 1 0mol%、氮化鋁（AlN)5mol%做 均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/cm2、溫度l〇〇〇°c之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為91%。又，體電阻值為2· 3 X 10_2Ω cm 21 1275652 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果DC濺 鑛谷易’可得到具有優異特性之以高密度Zns為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2· 2，膜質為非晶質（退火後）。 (實施例11) 對於純度4Ν(99·99°/〇之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4N(99· 99%)之氧化銦（Ιη203 )粉 20mol°/。、矽酸玻璃（Si02 — 0. 2wt%Al 203 — 0. lwt%Na203) 1 0mol% 、氮化鍺鉻 (GeCrN)lOmol%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面C 200kg/cm、溫度1〇〇〇。〇之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為94%。又，體電阻值為丨· 2χ 1(Γ2Ω cm ο 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果Dc濺 鍍容易，可得到具有優異特性之以高密度ZnS為主成分之 含有導電性氧化物之相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶。折 射率為2· 3，膜質為非晶質（退火後）。 (比較例1) 對於純度4Ν(99·99%)之硫化辞（ZnS)粉，添加純度 4Ν(99· 99%)之氧化銦（In2〇3)粉l〇m〇l% 、氮化鈦 (TiN)0.05mol%做均一混合。 將该混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓200kg/Cm2、溫度丨丨㈧它之條件進行熱壓。藉此所得 22 1275652 之主體之相對密度為98%。又’體電阻值為2⑽⑽。 製作由該主體所構成之乾，實施㈣試驗，結果_ 鍍之際發生異常放電，因此造成了粒子（粉塵）與結球之择 力p如此般’比較们之條件不僅長膜均—性與品質不^ ，且生產性也有問題。 做為znS—In2〇3—TiN相變型光碟保護膜形成用滅鑛㉟-並非適切之物。折射率為2.2,膜質為晶質（退火後）。 (比較例2) 對於純度4ΓΚ99.99%)之硫化辞（ZnS)粉，添加純度* 4N(99.99%)之氧化銦（κι)粉i〇m〇i%、氮化鍅 (ZrN)0.01m〇i%做均一混合。 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓20〇kg/cm2、溫度u〇(rc之條件進行熱壓。藉此所得 之主體之相對密度為95%。又，體電阻值為1.4Ωαη。 製作由該主體所構成之靶，實施賤鍍試驗，結果DC濺 鑛之際發生異常放電，因此造成了粒子（粉塵）與結球之增 汝此:k，比較例1之條件不僅長膜均一性與品質不佳 ’且生產性也有問題。 、做為ZnS—In2〇3—ZrN相變型光碟保護膜形成用濺鍍靶 並非適切之物。折射率為2. 3，膜質為晶質（退火後）。 (比較例3) 對於純度4N( 99.99%)之硫化鋅（ZnS)粉，添加純度 4N(99. 99%)之氧化矽（si〇2)2〇m〇i%、氮化钽（TaN；)〇. 05m〇1% 做均一混合。 23 1275652 將該混合粉填充於石墨模具中，在真空環境氣氛中、 面壓2〇〇kg/cm2、溫度11()(rC2條件進行熱壓。藉1所得 之主體之相對密度為90%。又，體電阻值為1〇乂1〇2〇二 以上。 製作由該主體所構成之靶，實施濺鍍試驗，結果DC濺 鍍之際發生異常放電，因此造成了粒子(粉塵)與結球之： 加。如此般，比較例丨之條件不僅長膜均一性與品質不^ ，且生產性也有問題。 做為ZnS—ITO—Si02-TaN相變型光碟保護膜形成用 濺鍍靶並非適切之物。折射率為2,2，膜質為晶質（退火後 以上實施例卜U以及比較例卜3之組成與特性值係示 於表1。如以上實施例所示般，若以硫化鋅為主成分，且 含有導電性氧化物以及既定量之氮化物，則具有之效果為 •可降低體電阻值，使DC錢鍍成為可能， 護膜之特性，且可減低濺擊時所產生之粒子 均一性也可獲得提昇。 不損及做為保 或結球，膜厚 又，上述實施例1〜8雖顯示本發明之靶組成的代表例 ，為本發明所含其他靶組成也可得到同樣的結果。 相對於此，比較例丨〜3 ,雖添加有氮化物，惟由於添 加量不足造成體電阻值變高，濺鍍之際會發生異常放電， 從而導致粒子（粉塵）與結球之增加，且損及做為相變型光 碟保護膜之特性，此為問題所在。 由以上可知，本發明之以硫化鋅為主成分之濺鍍靶， 24 1275652 可極有效地形成相變型光碟保護膜。 實施財雖未❹L，㈣使含有擇 化鎵、氧化錯、氧化錯、氧化録、氧化銳中至 ： 化物的情況，也可得到同樣的結果。 之氧

化物 氧化物氮化物（％) mol% mnl% $鍍評價折射率 ^ Ωαη (退火後）

2. 5Ε-03 可 DC 2.2 實施例2 60 Ιη203 0 ZrN 30 10 貫施例3 80 Ιπ203 0 Cr2N 20 10 實施例4 60 ln203 純 Si02 TaN 20 10 10 實施例5 60 ITO 純 Si02 TiN 15 5 20 實施例6 70 ITO 0 NbN 20 10 實施例7 70 GZO 0 ZrN 20 10 實施例8 60 GZO 0 TiN 10 30 實施例9 75 IZO 0 Si3N4 20 5 實施例10 65 ln203 矽酸玻璃 AIN 20 10 5 實施例11 60 In2〇3 矽酸玻璃GeCrN 20 10 10 比較例1 89 ln203 0 TiN 10 0. 05 比較例2 88 ln203 0 ZrN 10 0.01 比較例3 68 ITO 純 Si02 TaN 10 20 0. 05 非晶質 90 1.2E-03 可DC 2.3 非晶質 98 1.4E-03 可DC 2.4 非晶質 91 2. 5E-02 可DC 2.1 非晶質 90 2. 2E-02 可DC 2.4 非晶質 95 8.5E-03 可DC 2.3 非晶質 90 1.5E-03 可DC 2.4 非晶質 96 3. 0E-03 可DC 2.4 非晶質 92 1.4E-03 可DC 2.2 非晶質 91 2.3E-02 可DC 2.2 非晶質 94 1.2E-02 可DC 2.3 非晶質 98 2. 0E-00 異常放電 2.2 晶質 95 1.4E-00 異常放電 2.3 晶質 90 >1.0E+02 異常放電 2.2 晶質

25 1275652

π〇為In2〇「1Gwt%s為，咖為znQ—⑼偷办，. IZO 為 ln203 — 1 Owt%ZnO 石夕酸玻璃為Si〇「〇.2wmi2〇3—〇士職2〇3 發明效i —本毛明之顯著效果為：藉由濺鍍形成薄膜之際，可進· 丁 C以鍍❿具有DC歲鍍之特徵一控制容易、長膜速度 快、錢鍍效率佳。 又，由於可提升折射率，所以使用此丨賤鍍靶可提升纟籲 產性’付到臈質為非晶質、安定、品質優良之材料，能以 氏廉成本安定地製造出具有光碟保護膜之光記錄媒體。此 亦為顯著效果所在。 、、再者，可製造-種以硫化鋅為主成分之賤鑛革巴，其可 減^賤擊時產生之粒子（粉塵）與結球，品質變動少、量產 得乂提昇且空孔少、結晶粒微細，體電阻值在5 χ丨〇 -2 Ω cm以下、具備相對密度9〇%以上之高密度。又可不損及 ”蔓膜之特性’使用該革巴來得到一種形成有以硫化辞為纟籲 成分之相變型光碟保護膜的光記錄媒體。此亦為顯著效果 所在。 26

Claims (1)

1275652 拾、申請專利範園: ^ 錄革巴，係以硫化辞為主成分，且含有導電性 乳化物與氮化物；其特徵在於: 〜性 含有擇自鈦、鎢、鉬、扣 t 、鈮、鈐、釦φ 、'-、鋁、矽、鎵、鍺、錯、鉻 以及擇自銦、錫…、，屬亂化物〇.1，1%〜40_%， 化物，導電性氧化1種之元素所構成之導電性氧 上。 人虱化物之總量以體積比計為20%以 2.如申請專利範圍第i項之濺 自矽、鋁、鎵、锊、# ,、， 係進一步含有擇 物 錯n中至少1種之元素的氧化 3·如申請專利範圍第"員之 銘、鎵、錯、鍺、銻、鈮中至少丨種之心中，擇自石夕、 於導電性氧化物以元素之重量比換 '素的氧化物相對 4:如申請專利範圍第"員之濺鍍靶：4。%。 為主成分之玻璃形成氧化物，且 ㈠有以氧化石夕 、鹼土類金屬中至少 、、硼、磷、鹼金屬 有〇屬以上。 素相對於氧化^重量比計含 氧化5物申請專利範圍帛4項之機錢乾，复中 目對於總量以莫爾比換算係含有] 坡璃形成 如申請專利範圍…之‘：。 ”一之絕緣相或高電阻相 -中’靶整體中 。 曰4經為5…下 萆巴整H 7.如申請專利範圍第"員之黔鍍靶，其中， 27 1275652 、、、巴、、彖相或高電阻相係含有硫化 ^ 硼、氧化磷、鹼全屬 、辛虱化矽、乳化 種。 孟屬虱化物、鹼土類金屬氧化物中至少} 8 ·如申凊專利範圍第丨項之濺 90%以上。 、’又乾’其相對密度為 9.如申請專利範圍第！項之濺鍍 為5xl〇-2Qcra以下。 八中’體電阻值 1〇.如申請專利範圍帛9項之濺鍍靶， 體电阻值的變動相對於平均值在±2G%以内。 《 η·—種光記錄媒體，係形成有含有導電性 化物之以硫化锫兔 虱匕物/、虱 於：含有擇自斜 相變型光碟保護臈；其特徵在 /擇自鈦、鹤、鈿、组、紹、石夕、鎵m 、鈮、銓、釩申$小， 苑4口絡 y 金氮化物 以及擇自銦、錫、鋅中 >(卜你，道命^ 種之兀素所構成之導電性氧 上。”性氧化物與氮化物之總量以體積比計為20%以 12.如申請專利範圍第n項之光記錄媒體，直中，減 鍍膜之折射率在波長300〜70 0⑽為2.0〜2.6。八 進1牛3人如ft專利範圍第11或12項之光記錄媒體，係 進…有擇自石夕、銘、鎵、錯、鍺、銻 之元素的氧化物。 乂 1種 中，自如/請專利範圍第11或12項之光記錄媒體，其 石銘、鎵、鍅、鍺、錄、錕中至少1種之元素 的氧化物相對於導電性氧化物以元素之重量比換算含有 28 1275652 0· (Π 〜40%。 1 5.如申請專利範圍第11或1 2項之光記錄媒體，係 含有以氧化矽為主成分之玻璃形成氧化物，且擇自鋁、硼 、石粦、驗金屬、驗土類金屬中至少1種元素相對於氧化石夕 以重量比計含有0· 01%以上。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之光記錄媒體，其中，玻 璃形成氧化物相對於總量以莫爾比換算係含有1〜30%。 1 7.如申請專利範圍第11或1 2項之光記錄媒體，其 中，濺鍍膜係以安定之非晶質狀態存在。 拾壹、圖式： 無 29