TWI275180B - Method for fabricating organic thin film transistor and method for fabricating liquid crystal display device using the same - Google Patents

Description

1275180 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機薄膜電晶體之製造方法，尤其是關於 一種有機薄膜電晶體之製造方法以及其液晶顯示裝置之方 法，其係使用後曝光製程以形成一主動層。 【先前技術】 隨著聚乙炔（polyacetylene)的發展，由於有機半導體具有易 #於製成薄膜形、彈性、導電性和成本低等優點，其已被^躍地研 究。其中，此聚乙快係為表現半導體特性之—共輛有機聚合物。 並且，此有機半導體可應用在電子裝置和光學裝置中。 使用半導體聚合物的裝置中，_有機材料的有機薄膜電晶 體（OTFT) -直是眾多正在進行的研究焦點。一般地，有機薄: 電晶體與晶㈣膜電晶體（Si_TFT)具有她的結構，但有機薄 膜電晶體在半導體區域採用有機材料而不是矽。 Λ • 有機薄膜電晶體具有眾多優點，例如：其薄膜形成可利用大 .氣壓印刷製程綠代需要次大氣壓來形成現有的石夕_的電_ •助化學氣相沉積（PECVD)製程，可以使用塑膠基板的捲^製 ^ 程來進行，以及可實現低成本的電晶體。 I ^ 第1Α圖到第1Ε圖分別顯示習知技術之有機薄膜電晶體 (OTFT)的製造方法的截面圖。在第u圖中，f知之有機;膜 =晶體（OTFT)的製造方法，包括有準備一透明基板ig之步驟。、 心別疋’沉積-使第-金屬材料並湘微影製程圖案化以形成問 1275180 嶋彡她财—綱，咐 案的細目標層上塗佈光阻薄膜；—曝光製程，以在光阻薄膜上 配向先罩域過光轉射猶；—縣餘，關_ 阻薄膜的照射部分移除，而在_目標層上形成光阻圖案；_钱 刻製程，係㈣制紐_作為鮮而侧侧目標層來形成 -既定圖案；以及—_製程，以移除殘留在_上的光阻圖案。 牛例來》兄’ 金屬材料係為爛目標層，綱第—金屬材料形 成閘極11的圖案。 接著，使用電漿輔助化學氣相沉積法將氮化石夕（舰）或氧 夕（SiOx) /儿牙貝在具有閘極u的第一基板的整個表面，以形 閘極絕緣層13。 、、在第1B目中，在_絕緣層13的上表面沉積—低分子有機 ^料例如·並五苯（pentacene)，以在相應閘極U之閘極絕緣 鲁:的邛刀开"成一主動圖案15。由於光阻薄膜改變了並五苯的電 予4寸性’所以不能使用現有技術的微影製程。因此，係使用蔽隊 •遮罩來形成主動圖案I5。蔽陰遮罩具有-開口區域，以允許圖案 ，的形成，並且具有與傳統曝光製程使用的光罩不同的概念。舉例 來"兄，使用於傳統曝光製程的光罩分為光阻區域或透光區域，而 蔽陰遮罩則分為開口區域和閉合區域，以致於用於形成圖案的持 π堇透過開口區域而沈積，以形成與開口區域形狀相同的 。 妙 本 使用蔽蔭遮罩形成的圖案與使用普通光罩形成的圖案相比 6 1275180 其精度相當差。 如第1C騎示，沈積第二金屬材料在 案化以形成源極16和没極17。尤Α θ ^ 並且圖 微影勢采。岡垒/μ μ八民疋可同於閘極11 ’而利用 韻案化弟二金屬材料，以形成源極16和汲極17。 茶照弟1D圖，將無機_或有機_沈積在包括有源極^ 和汲極17的基板1〇的整個表面上 、 ’、 -,一 乂形成一鈍化薄膜18。並圖 茶化此鈍化溥膜18,以利用微影製

部分的_7。 滅—接觸孔19而顯露出一 接著，如第1E圖所示，將透明導雷好 夺包材料，如氧化銦錫（ITO)， 沈積在具接㈣基板1G _個細上，並_化以形成透 過接觸孔19紐連接錄極17的晝素電極2G。械，可利用微 影製程圖案化透明導電材料，以形雜觸孔19。 然而’由於f知之錢_電晶_製造綠需要蔽隆遮罩 藉以形成主_案’ 降低了絲圖案的精度並提高了光罩的 使用次數。因而’致使製造效率和有機細電晶體的電學特性降 低。 【發明内容】 鑒於以上的問題，本發明的主要目的在於提供一種有機薄膜 電晶體（organic thin film transistor ; OTTT )之製造方法以及其液 晶嘁示裝置之製造方法，藉以大體上解決先前技術所存在之問題。 本lx明所揭i备之有機薄膜電晶體之製造方法，可形成精確的 1275180 圖案。 本餐明所揭路之有機薄膜電晶體之製造方法，具有省略蔽降 遮罩（shadowmask)之簡化製程，並且減少了光罩的總數。 本發明所揭露之有機_電雜之製造方法，可透過增加於 主動層與OTFT 簡之接瓶域，緖升⑽了的電學特 性。 口此為達上述目的’本發明所揭露之一種有機薄膜電晶體 1»的製造方法’包括有下列步t在—基板上形成—·;在具有 閘極的基板上形成-閘極絕緣層；_後曝光製程在閘極絕緣層 上形成-有齡_案；及在有触_ #上職祕和没極。 為達上述目的，本發明更揭露一種液晶顯示裝置的製造方 法^括有下列步驟··在—第—基板上形成—雜；在具有閉極 的第-基板上形成-閘極絕緣層；使用後曝光製程在閉極絕緣層 上職-錢絲在麵絲_上形成源極和没極；將 ❿此，第-餘與-第二基板貼合，並於二者間留有一既定間隙；及 在弟和弟一基板之間形成一液晶層。 < &外’本發明再揭露之—種有機薄膜電晶體，包括有：一閑 極，位於-第—基板上；一問極絕緣層，位於第一基板上且覆蓋 此閘極，·-有機主動層，位於閉極絕緣層上對朗極的位置；— 無機圖案，位於有機絲層上；及—源極和—祕，位於無機圖 案上’且與有機主動層電性連接。 1275180 有關本軸_與實作，錄合赋作最钟施 明如下。 【實施方式】 以下舉丨具體實齡im詳細翻本發明之内容，並以圖示作 為__。綱愤及之魏係參關式符號。 曰雕的制目至# π目^^轉本剌—實闕的有機薄膜電 3的衣造方法的截面圖，並且第3A圖至第3C圖係顯示於第2B 圖中之有機薄膜電晶體的主動層的形成方法的截面圖。如第則 士有機薄膜電晶體的製造方法，首先準備一第一透明基板 斗寸別的是，於其上沈積一第一導㊆ >, 形__。 W材抖，亚且將其圖案化以 一此第-導電材料可包括銅、鈦、路、链、鉬、妙紹合金中 :-、，,並^可使賴影製程圖案化此第—導電材料。微影製程包 —光阻；！财佈製程，以於欲形成_的侧目標層上塗佈一 光阻薄膜；—曝錄程，以在光阻_上配向光罩並透過光罩照 射光線’心製程，以使職影劑將触薄膜賴射部分移除， 刻目標層上形成光_案；—蝴製程，係以光阻圖案 罩，、__目標層來形成—既定齡以及-剝離製程， 以移除殘留在圖案上的光阻圖案。舉例來說，第—金屬材料係為 侧^標層，第-導電材料形成閘極111的圖案。’、，、 或者，第-導電材料可包括轉（Ag paste)，並可印刷在第 1275180 -基板110上以形成閘極m。由於印刷製程可在大氣壓下進行 因此其要比微影製程簡單，_可藉以提高產率。 r

在第-基板11G上形成閘極m之後，將—無機材料塗佈在 包括問極m的第-基板11G的整個表面上，以形成閘極絕緣層 113。此無機材料可包括氮化石夕（舰）薄膜或氧化石夕⑽x)薄 膜。然而’亦可財機材料代_紐料，錄佈在卜基板n〇 的整個表面上。於此，有機材料可包括聚⑽轉_ (剛或 議__ (ΡΜΜΛ)中之一，並且可將有機材料塗佈在 弟基板110上’以形成閘極絕緣層113。由於塗佈製程可在大氣 屢下進行科需個A线置，_得吨高產率。 ，亚圖案化以形成-主動層115和—無機圖案ιΐ5， 說’可利驗曝絲糊魏有機軸和 主動層115和無機圖案115，。复中， Λ 、刀1形成

^ ^Τ在形成有機薄膜和Μ機薄膜 之後，可在錢薄膜上㈣光 4桃 吁肤接者，用光，昭射筮一其 110的後表面以形成光阻圖宰。也 _ 、 土板 口木也就疋呪，閘極m 113、有機薄膜、無機薄膜和光 # 、、、巴緣層 平联係形成在第一基n〇 -表面，而細照射在與第—表面相對— 勺弟 面，以形成光阻圖案。接著，利用 土反ιΐΌ的第二表 膜和有機_，115和~^料光秘刻無機薄 ^ 智15和無機圖案115,。 如第3Α圖所示，有機薄膜U5a和盔 “ …、機潯膜115’a相繼堆疊 1275180 在第-基板的第—表面_極 一低好有咖你邮 ==爾在第—基板仙上，或者係—了= 丙^胺（叫射繼編喻第-基板„0。 上 2®^b__115a’t^fto_125a 塗佈在 1 光阻Γ /如果將_膜125a顧塗佈在有機_收上， ΪΓ:Γ所含的濕氣將渗透到有機薄膜心中。而若有機 Ζ η域觸濕氣，其綱性就降低了。因此，可在有機薄膜 以提成無機薄膜115，a以防止有機薄膜此與濕氣接觸，藉 =產品可靠性。無機_ 115，a可包括—種無機材料，例如： '石夕⑽X)、氧切⑽χ)或氧化錫（i她则獅）。接 在域薄膜115、上堆疊光阻薄膜125a。 後透過第一基板11〇的第二表面照射光，如圖式中向上

引碩所不’叫光光阻薄膜125a。其巾，由於閘極in阻撞了光 線，因以提供了光罩的功能，因此致使光無法照射到光_膜政 對應於閘極111的部分。 如第3B圖所示，光阻圖案125形成在問極m的上側。尤盆 紅光阻_如部分光照後（如第3A圖所示），可使用顯影劑 私除光阻_ 125a的照射部分，以形成光關案125。 η如第3C圖所*，接續形成主動層115和無機圖案。尤其 可利用光阻圖案125作為光罩而侧有機薄膜η%和無機薄 11 1275180 膜115 a (如第3B圖所不）。儘管附圖未顯示，隨後可透過剝離製 私私除光阻圖案125。而且，亦可使用乾姓刻製程移除無機圖案 115’ ’又或者留在主動層U5上。 、再參考回第2C圖，在主動層115形成之後，將第二導電材料 沉積在具有絲層115之第—基板UG的整個表面上，並圖案化 以形成與主動層115相接觸的源極116和汲極ιΐ7。第二導電材料 可包括銅、H旦、紹、鉻、鈦和紹合金中的一種，並且可使用 微影製程圖案化，以形成源極116和汲極117。其中，第二導電材 枓可與第-導電材料相同。或者係，第二導電材料可包括一導電 聚合物材料，並且可塗佈或印刷在第一基板⑽上，以形成源極 116和没極117。由於塗佈或印刷製程可在大缝下進行，因狀 it微影製錢觸單，_得贿高產率。 ’、 如第2〇圖所示，一純化薄膜118形成在包括源極116和沒極 基板11G的整個表面上。此鈍化薄膜m可包括一無機 1才’列如：瓣（舰）切（叫，或是包括-有機 =领例^苯環丁烯（BCB)或者壓克力（邮）。而且可移除 。刀、化雜118 絲露部分汲極117的接觸孔⑽。此 :==微:製程而形成。其中，當使用有機材料以形成 製程㈣為簡下Γ她於使用無機材料的 弟E圖中晝素電極m形成在包括有鈍晝層出和接 1275180 fL119的第—基板11G的整個表面上。其中，晝素電極12〇可 透過接觸孔119與祕117 _接。此_極m可包括透 料電材料。此些透明導電材料可形成在第—基板⑽上並利用 微影製程而圖案化。再者，此透明導+ ¥电材枓可包括氧化銦錫（ITO) 或乳化鋅錫σζο)。或者係，可以聚合有機材料，例如··聚乙撲 二氧嗟吩（mx>T)，峨t錢細，由於其可在大氣磨下 進打其之相關製程，因而較為有利。 儘管附圖未顯示，接著，可將筮—宜 j將弟一基板U0與具有彩色濾光 片和共同電極的第二餘齡，並膽第—额⑽與第二基板 之間形成-液晶層，藉以形成液晶顯示裝置裝置。 第4圖係顯示利用第2A圖至第2E圖所示的製程卿成的液 晶顯不裳置的截關。在第4財，液晶顯示裝置包括第一 基板21G和第二基板跡其中，第-基板21〇包括有機薄膜電晶 體（OTFT)和晝素電極220。而此有機薄膜電晶體包括有閘極川、 問極絕緣層213、主動層215、無機圖案215,、源極216、祕π 和純化薄膜218，並且可读禍笛Ί A r-n » 卫且j迓過罘2Α圖至第2Ε圖所示的製造方法 而形成。 而且，第二基板230包括依次形成在其上的黑矩陣加、彩色 濾光片233和共同電極235。接著，第一基板21〇和第二基板23〇 彼此貼合並於其間具有一間隔，而液晶層施卿成於第一基板 210和第二基板230之間。 1275180 儘官在第二基板23〇上之黑矩陣况、彩色滤光片2 ㈤35的形成方法於本文中並未詳述，但此黑矩陣231可= 機材料或金屬材料而製成，共同電極235可由導電材料，例如· :::錫_、氧化鋅錫⑽)或聚合導電材料(例如:同於 旦’、电極220的聚乙撐二氧噻吩(PEd〇t))而製成。 —儘_未赫，共_ 235和晝錢極咖亦可均形成 在:-基板训上。共同電極攻和晝素電極现在同—基板， 如弟-基板210,上的形成方式，可根據液晶層 水平驅動而改善視肖雜。 ^刀子的 用後根據本發明伽_機_晶體_τ)包括利 二Ά域社動層，藉以省略蔽紐罩的製程。而且， ^先前技術=可更精確的形成主動層。舉例來說，在先前技術 ―、係使•陰遮罩製成來形成有機主_案 '然而，受限於蔽 == 燕奴-_触麵，魅絲易與基板產 實於< 丨樣就無法精確的形成_。反之，在本發明的 广機御成在有機薄膜上，使用可形成精細圖案的 ^域程’並且閘極選擇性地阻擋了光線，以定義光阻圖案。 此—來，可更加精確的形成主動層。 曰圖至力5Ε_示根據本發明另—實施例之有機薄膜電 甲有機溥膜電晶體的主叙爲ΑΑττ^ 動層的形成方法的截面圖。如第5Α圖所 Ϊ275180 之 示，有機薄膜電晶體的製造方法包括有準備第一透明基板⑽ 步驟。其中’沉積第—導電材料並職化以形成間極州。 第-導電材料包括銅、鈦、鉻、紹、錮、姊銘合全中的一 種，並且可使職影製賴魏第—導電材料。此微影製程包括 :光_膜塗佈製程，以將欲形成圖案_刻目標層上塗佈一光 阻雜曝光餘，以在光_膜上綱光罩並透過光罩照射 ΊA ’喊用顯景彡娜光阻細的照射部分移除， 2在侧目縣上形成雜職；—綱製程，細光阻圖案 —乍為鮮，而對綱目標層進行钱刻，以形成一既定圖案；以及 —相製W移除殘留在_上的光阻圖案。舉例來說，此第 ^材料可糊目㈣，㈣糊第—導娜形成間 或者是，此第—導電材料可包括銀膠，並且可將此第一導電 ^刷在第-基板训上，以形成閘極3ιι。由於印刷製程可在 而二丁 θ此相較於微影製程，此印刷製程更為簡單，因 丁 A我產率〇 在勺弟勤反MO上形成閘極Mi之後，可將-無機材料塗佈 緣閘極Mi的第一基板训的整個表面上，以形成閑極絕 薄膜。铁…、機材料可包括氮化石夕（SiNx)薄膜或氧化石夕（si〇x) 310的敕Z亦可以有機材料代替無機材料，來塗佈在第一基板 、 面上於此’有機材料可包括聚乙烯啦略烷酮（pvp) 15 127518〇 和聚甲基丙_甲_ (ΡΜΜΛ)中之_，並且可將有機材料塗佈 在第-基板310上，以形成閘極絕緣層313。由於塗佈製程可在大 氣壓下進行而無需使用真空設備，因此得以提高產率。

在第5Β圖中，有機薄膜和無機薄膜係依次塗佈在閑極絕緣層 313上，並圖案化以形成主動層315和無機圖案315，。舉例來說， 可利用後曝絲程圖有機_和錢_，以分卿成主動 層315和無機圖案315,。在形成有機薄膜和無機薄膜形成之後， 可在無機薄膜上塗佈光阻薄膜。接著，照射第一基板細的後表 面’以形成光阻圖案。也就是說，閘極3U、閘極絕緣層313、有 機薄膜、無機薄膜和光阻薄膜形成在第—基板的第_表面， 而自與第-表面相對的第—基板31q的第二表面照射光以軸光 接著、，利用光阻圖案作為光罩，而進行有機薄膜和無機 ㈢ ）序口 機圖案315,。 #如第6A圖所示，有機薄膜取和無機薄膜肌相繼如 基板3K)的第-表面的閘極絕緣層313上。有機薄膜奶 2 一低分子有機材料，例如：並五苯（pentaeene)，其可透過沒 =而形綱-额· i，榻，侧，例如：如 胺（PAA)，其可透過塗佈法而形成在第-基板31〇上。 為了圖案化有機薄膜315a，需將光阻薄膜现塗佈在其上。 如果將光阻_ 325a直接塗佈在有機薄膜315a上，光阻 顺325a所含的濕氣將滲透到有機薄膜服中。而料機薄膜 丄275180 315a接觸濕氣，其電學 、^ 、一 包予％1±就降低了。因此，可在有機薄膜315a

Uj膜3b a ’以防止有機薄膜3ΐ5&與濕氣接觸，藉以 、產°口可祕。無機薄膜315，a可包括-種無機材料，例如：氮 ㈣（斷）、氧化石夕（Si〇x)或氧化錫（indiumoxide)。接著， 在媒機薄膜315，a上堆疊光阻薄膜取。 这—此後彡過第-基板31Q的第二表面照射光，如圖式中向上 =所不:以曝光光阻薄膜孤。其中，由於閘極311阻擋了光 二口以提供了光罩的功能，因此致使光無法照射到光阻薄膜325a 對應於閘極311的部分。 你如第6B圖所示，將第一光阻圖案奶形成在閘極的上 」尤/、是在光阻薄膜325a部分光照後（如第6A圖所示），可使 用顯影劑移除光阻薄膜325a的照射部分，以形成第一光阻 325 〇 ' 、如第6C圖所示’主動層315和第—無機圖案315，，係依次形 成:尤其是可透過第一光阻圖案325作為光罩爛有機薄膜服 和！機薄膜315，a (如第6B圖所示）。 於第6D圖中，將一第二光阻圖案335形成在包括主動層315 和^第-無機圖案化”的第一基板灿上。其中，在形成主動層315 和第一無機圖案315，，之後，可使用灰化製程移除部分第—光阻圖 案^5 (如第6C _示）。舉例來說，灰化製程可燒盡光阻材料， M露出第一無機圖案315”的側邊。當燒盡第一光阻圖案325的表 1275180 穿 y私除弟—光阻圖案的側邊和表面’並且由於其側邊被 夕、士:恭路出部分的第—無機圖案315”，並減少其厚度。 如第6E圖所示，接續形成無機圖案315，。概，可以第二光 戶3°5作為光罩而綱第—無機酸315，，的暴露部分（如第 Θ八）如此來，即暴露出主動層315的側邊和部分上表 面而且，儘管附圖未顯示，接著可使用剝離製程將第二光阻圖 案335移除。 、”生再参考回第5C圖’在主動層315形成之後，將第二導電材料 4在包括主動層S1S之第—基板·的整個表面上，並圖案化 、/成.、主動層315相接觸的源極316和没極317。其中，由於暴 路出主動層的部分上表面，因此可增加主動層阳和源極娜 316、317之間的接觸表面，藉以提高產生之有機薄膜電晶體的電 此第一‘電材料可包括銅、鈦、鉻、@、鉬、组和紹合金中 之一 ’並且可使利用微影製程而圖案化，以形成源極316和没極 3一 17首。，中，第二導電材料可與第—導電材料相同。或者是，此第 二導電材料可包括一導電聚合物材料，並且可塗佈或印刷在第一 基板310上，以形成源極316和及極317。由於塗佈製程或印刷製 程可在大氣壓下進行’因此其與微影製程相比來得更為簡單，因 而得以提高產率。 在第5D圖中，一鈍化薄膜318形成在包括源極316和汲極 18 1275180 奶的第-基板3〗0的整個表面上。此—鈍化薄膜3i8可包括一並 機材料，例如：氮化石夕⑽X)、氧化石夕（Si0x)，或是包括一有 機材枓，例如··苯環丁婦（BCB)或錢力（卿）。而且可移除 部分鈍化薄膜318，以形成暴露部分沒極爪的接觸孔训。此接 2训可透過微影製程而形成。其中，當使用有機材料以形成 2膜3料’賴魄蝴撕，输使用無機村 料的製程來說更單，因而得以提高產率。 如第犯圖所示，一晝素電極320形成在包括鈍晝層別和接 觸孔319的第一基板的整個表面上。其中，晝素電極料 過接觸孔319無極317電性相連。此晝素電極320可包括-透 明導電材料。此透明導電材料可形成在第一基板31〇上，並使用 微影製程而圖案化。再者，此透明導電材料可包括氧化姻錫_ 或=鋅錫αζ0)。或者是，可以聚合有機材料，例如：聚乙撐 =吩（ΡΕ^Τ)，來製梅咖％，由於其可在大氣壓下 進行/、之相關製程，因而較為有利。 二：賴示，隨後可將第一基板31。與具有糊光片 和/电和々弟一基板貼合，並且於第一基板训與第二基板之 間形成-液晶層，藉以形成液晶顯示裝置。 土 於是，根據本發明的實施例，源極和汲極接觸主動層的上表 以叫的側面。如此一來，由於移除了無機圖 术細爾咖晴咖，W增加主動層 1275180 315與源極/汲極316、317之間的接觸區域。 第7圖係顯示利用第5A圖至第5E圖所示的製程所形成之液 晶顯示裝置的截面圖。在第7圖中，液晶顯示裝置包括第一 基板和第：基板獨。其中，第—基板包括有機薄膜電晶 體（OTFT)和晝素電極42〇。而此有機薄膜電晶體包括有間極川、 間極絕緣層413、主動層415、無機圖案415,、源極416、沒極奶 和鈍化薄膜418，並且其可透過第5A圖至第$圖所 法而形成。 而且，第二基板430包括依次形成在其上的黑矩陣431、梦色 濾'光片433和共同電極435。接著务基板和第二基板· 彼此貼合並於其間具有一間隔，而液晶層物則形成於第一基板 410和第二基板430之間。 +儘管在第二基板43〇上之黑矩陣似、彩色濾光片叫共同 _ 435的形成方法於本文中並未詳述，但此黑矩陣431可由有 機材料或金娜嘛，綱㈣爾爾，例如. =銦錫⑽）、氧糊_槪帽軸如：同於 旦素電極420的聚乙擇二氧嗟吩（pED〇T))製成。 、 儘管關未顯示，共_極极和晝素電極42 在第—基板 如第一基板410,上的形成太泞 土板’ 曰八心m 工’可根據水平驅動液晶層440的液 曰日刀子的水平驅動而改善視角特性。 1275180 於是，根據本發明實施例之有機薄膜電晶體（〇即的制、生 方^热f使用祕鮮來形成麵_電晶體的絲層，= 可簡化製程。而且，於根據本發 、…士、 、月只_的有機薄膜電晶體的夢 二淨備’，代蔽_罩’而將~無__成在有機薄膜二 = 膜在無機薄膜上’並利用後曝光製程在開極的 膜# 植81案。隨後’細先帽案作為先罩進行有機薄 胺和恶枝溥臈的蝕刻，以形成精確的主動層。 . 2且’_據本發明實施例的有機_電晶體的製造方法 和汲極讀，先_無機__面，以暴露出 夢以:。因此，增加主動層與源極"及極之間的接觸區域， 錯以k咼有機溥膜電晶體的特性。 制=卜/於係制後曝光製程形成主動職，因此可減少於 的使用次數。而且，-般來說，由於蔽_的價格 低成本並提高產率。 4她電晶體的製造方法可降 中二ί ::艮據本發明貫施例的有機薄膜電晶體的製造方法 r體二’或鈍化薄膜可在大氣壓下使顧 I體透過塗佈或印刷方法而形成， -步提高了產率。 ^利用沉積設備，因此進 ^官附，未顯示’根據本發明實施例的薄膜電晶體的製造方 去可運用临使物電晶體的任何裝置，並非僅限制於液晶 1275180 顯示裝置裝置。 雖然本她前述之較佳實糊露如上，然其並非 广明’任何熟習相像技藝者，在不脫離本 : 本明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 罘1A圖至帛1E _顯示 (⑽υ的製造方法的截面圖。 以版毛日曰體 罘2Α圖至第2Ε圖係顯示根據本發明一實施 晶體的製造方法的截面圖。 賴·电 圖至第3C圖係顯示於第2β圖中有機薄 動層的形成方法的截面圖。 第^係顯示利用第2Α圖至第2Ε圖所示的製程所 曰日絲員不裝置的截面圖。 曰圖至第犯係顯示根據本發明另一實施例之有機薄膜電 曰曰體的製造方法的截面圖。 第6Α圖至第6Ε圖係顯示於第5β圖中有機薄膜電晶體的主 S的形成方法的截面圖。 曰^壯^系、、頁不利用第5Α圖至第5Ε圖所示的製程所形成之液 日日頒不裝置的戴面圖。 【主要元件符號說明】 1275180

10 透明基板 15 主動圖案 η、in、21卜 3n、411 閘極 13、113、213、313、413 閘極絕緣層 16、116、216、316、416 源極 17、117、217、317、417 汲極 18、118、218、318、418 鈍化薄膜 19、119、319 接觸孔 20、120、220、320、420 晝素電極 115、215、315、415 主動層 115,、215,、315,、315”、415, 無機圖案 115a、315 a 有機薄膜 115，a、315，a 無機薄膜 125、325、335 光阻圖案 125a、325a 光阻薄膜 200、400 液晶顯不裝置 110、210、310 第一基板 230、430 第二基板 231、431 黑矩陣 233 、 433 彩色濾光片 235 、 435 共同電極 1275180 液晶層 240 、 440

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Claims (1)

1. Ϊ275180 十、申請專利範圍： h —種有機薄膜電晶體之製造方法，包括下列步驟； 在一基板上形成一閘極； 在包括閘極之基板上形成一閘極絕緣層； 使用一後曝光製程在閘極絕緣層上形成一有機主動圖 案；及 在有機主動圖案上形成一源極和一汲極。

   Z如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，其 中形成一有機主動圖案之步驟更包括下列步驟： 在酿絕緣層上堆疊-有機製和_無機薄膜； 在無機薄膜上塗佈一光阻薄膜； 透縣板之-後表面照射—光絲曝光光阻薄膜； 顯影曝光之光阻薄膜，以形成一光阻圖案在對應問極之一 區域；及 使用光阻圖案作為一光罩來餘刻有機薄膜和無機薄膜。 申二專利域第2項所述之有機_電晶體之製造方法，其 ^受-有機薄膜之步驟包括下列步驟：在問極絕緣層上沉積 1丙烯酰胺和並五苯中之一。 如申請專利範圍第2項所述 中堆疊-無機薄膜之步驟包 化石夕、氧切和氧化銦中之-。驟.在有機_上沉積氮 如申請專_第1項所述之有機__之製造方法’其 4. 1275180 中形成一有機主動圖案之步驟包括下列步驟·· 在間極絕緣層上堆疊一有機薄膜和一無機薄膜，· 在無機薄膜上塗佈一光阻薄膜； 透過基板之-後表面照射—光線來曝光光阻薄膜· 顯影曝光之光阻薄膜，以形成—第—光阻圖案在對應間極 之一區域； 使用第-光阻圖案作為-光罩隸刻有機薄膜和無 腰， -移除第—光阻圖案之—部分，以形成-第二光阻圖案，复 中弟-光阻_暴露出已侧之無機_之複數個部分；及 之暴賴，來_已_之無機薄膜 6. 圍第5項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，其 且有械薄膜之步驟包括下列步n ·/ 聚两烯醜胺和並五苯中之一。驟·在間極絕緣層上沉積 7. 利範圍第5項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，其 且减_之步驟包括下 s切、氧化梦和氧化_之_。 在有枝職上此積鼠 園第1項所述之有機薄膜電晶㈣造方法，其 ^成閘極之步驟包括下列步驟·· 沉積一金屬材料，·及 1275180 使用一微影製程圖案化金屬材料。 9.如申請專利範圍第工項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，呈 中形成-閑極之步驟包括下列步顿：在基板上印刷一銀膠。 1〇·如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，其 中形成絕緣層之步驟包括下咐驟··在基板 機材料。 ^ ^ H.如申請專利範圍第K)項所述之有機_晶體之製造方法， ^中問極絕緣層之錢材料包括：聚冰峨_ (PW)和 聚曱基丙烯酸曱酯（PMMA)中之一。 12=申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體之製造方法，苴 ^成-雜和-錄之倾包括下雕驟：在錢主動圖幸 上印刷或塗佈一導電聚合物。 13·如申請專利範圍第〗項所述 中更包括下列步驟：耗_電晶體之製造方法，其 :祕鄉之基_輸增—純化薄膜； 部分=化賴上形成一接觸孔，其中接觸孔暴露出沒極之一 在純化薄膜上形成一晝素極 與沒極電性連接。-中晝素電極透過接觸孔 R如申請專纖_13項所 其中糊膜包括-有機材料。有❹膜—製造方法， 27 1275180 15.=Γ:=【:4項所述之有機薄_體之製造， 、有機材料包括笨環了稀（BCB)和壓克力中之 ——' 〇 16·如申請專利範圍笫 其中書薄膜電晶體之製造方法’ 旦京$極包括_有機材料。 17·==專利範圍第16項所述之有機_電晶體之製造方法， 18 If電極之麵材料包括聚乙撐二氧麵（㈣⑽。 •一種液晶顯林置之製造方法，包括有下列步驟： 在一第一基板上形成一閘極； 在0括閘極之第一基板上形成-閘極絕緣層； 2-後曝賴程在雜絕緣層上形成—有齡動圖案； 在麵主動圖案上形成一源極和—沒極； 之門2基板與—第二基板貼合，且於第—基板與第二絲 之間具有一間隔；及 19如由在第—和第二基板間之間隔中形成-液晶層。 .中开f利範圍第18項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其 形成一有機絲_之步驟包括下列步驟： 在閘極、％緣層上堆疊—有機細和—無機薄膜； 在無械薄膜上塗佈一光阻薄膜； f過乐—基板之—後表面照射—光線來曝光光阻薄膜，· _影曝光之光_膜，以形成—雜_在對應雜之一 28 區域上；及 ^申=!1#料-綠咖崎紗無機薄膜。 中^^^所紅峨响繼方法，其 聚丙_胺和並五笨中之—驟.在閑極絕緣層上沉積 21.如申請專利範圍第18 、厅这之液曰曰絲貝不裝置之製造方法，其 成—有機主動圖案之步驟包括下列步驟： 在閑極絕緣層上堆疊—有機_和-無機薄膜； 在無機薄膜上塗佈一光阻薄膜； =昂基板之-後表面照射—光線來曝光維薄膜； 、〜、光之光阻薄膜，以形成_第_光阻_在對應閘極 之一區域； 使用光阻圖案作為—光罩耗刻有機薄膜和無機薄 > 私除第-光阻圖案之—部分，以形成_第二光阻圖案，其 中弟二光阻_暴露此_之無機_之複數個部分；及 曰使用第二光_案作為—光罩來_已#刻之無機薄膜 之暴露之部分。 22.如申請專利翻第21項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其 中堆疊—有機薄膜之步驟包括下列步，驟：在·絕緣層上沉積 聚丙婦酰胺（PAA)和並五苯中之一。 29 1275180 23·如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其 中更包括下列步驟： 在包括源極和汲極之第一基板之整個表面上形成一鈍化 薄膜； 在鈍化薄膜上形成一接觸孔，其中接觸孔暴露出汲極之一 部分；及 在鈍化薄膜上形成一晝素電極，其中晝素電極透過接觸孔 與汲極電性連接。 24·如申清專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其 中更包括下列步驟： 在弟一基板上形成一黑矩陣； 在黑矩陣上形成一彩色濾光結構；及 在彩色濾光結構上形成一共同電極。 25· —種有機薄膜電晶體，包括有·· 一閘極，位於一第一基板上； -閘極絕緣層，位於第-基板上且覆蓋間極； 一有機主動層，位於對應閘極之閘極絕緣層上； 一無機圖案，位於有機主動層上；及 -源極和-汲極，位於無機圖案上，且與有機錢層電性 連接。 26.如申請專利細第25項所述之有機薄膜電晶體，其中無機圖 30 1275180 案具有一表面，且表面小於有機主動層。 27. 如申請專利範圍第25項所述之有機薄膜電晶體，其中源極接 觸有機主動層之上表面之〆部分，並且沒極接觸有機主動層之 上表面之另一部分。 28. 如申明專利範g[第25項所述之有機薄膜電晶體，其中有機主 動層包括聚丙稀醜胺（PAA)和並五苯中之一。 29. -種液晶顯示裝置’具有—第—基板，且第―基板具有如申請 專利範圍第25項所述之有機薄膜電晶體，液晶顯示裝置包括： -第二基板’與第—基板貼合；及 -液晶層，形成於第—和第二基板之間。

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