TWI270936B - Silicon-rich nickel-silicide ohmic contacts for SiC semiconductor devices - Google Patents

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Description

1270936 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於形成於碳化石夕中之半導體裝置，且特定古 之係關於至碳切之改良歐姆接點及形成該改良歐姆接點 之方法。 【先前技術】 “與石夕及其他更普通之半導體材料相比，碳化石夕基材用於 •半導體目的具有許多優點。其中包括寬帶隙、高飽和漂移 速度、向熱傳導及高崩潰電壓。碳化石夕η輕射”，物理 上非吊堅固且在溫度極高時仍保持穩定。此等屬性使得碳 化石夕尤其適合於功率半導體裝置。 衆所周知，歐姆接點在幾乎所有半導體裝置中均為基本 料元素。歐姆接點之目的是在將—偏壓施加至該接料 提[無阻電流至一半導體材料。一歐姆接點是在i希望使 :之限制内(且其可能由怪定電阻表示)具有線性：對稱電 籲流電塵關係的介面。本文在對術語歐姆接點之習知理解意 義上使用該術語。 ^ 對碳化碎之習知歐姆接點通f由金屬独合物形成，其 ::化錄是普遍且期望的選擇。一般而言，已觀察到由與 奴谷易反應之金屬形成的歐姆接點可對碳化矽形成之有利 的歐姆接點。此等金屬包括Ni、c〇、w、 上 1、Lr、〜[〇 及'然而，矽化物趨於產生"界面處複雜的冶金術"(美國 ^利弟5,442,2GG號之第3卷第64_65行）。該，2叫利描述 在碳化石夕表面與接點金屬之間使用犧牲石夕層作為化學計量 103113.doc 1270936 限制元素，其後進行相對高溫（9〇〇°〇1050°C)之退火，以 產生歐姆特性。 其他研究者已經嘗試了化學計量NiSi，但是僅有6H SiC 成功，4H SiC則否，見Deeb等人在Appl. Phys· Lett.之第84 卷弟 7期（2004)第 1117-19 頁之 A Low Temperature Route To Thermodynamically Stable Ohmic Contacts To n-type 6H-sic。然而其他人已經嘗試在化學計量Nisi2之後進行高溫 退火，見Nakamura等人在 Materials Science Forum，第 389-393(2002)卷第 889_92 頁之 NiSi2 Ohmic Contact to n_ type 4H-SiC。 此外，目前之矽化鎳接點趨於要求在顯示歐姆特性之前 處理（”退火”）溫度高於80(rc(有時理想溫度高達1〇5(rc)。 此等退火溫度一般導致接點内之空隙空間、接點内及鄰近 接點之碳區域、鎳與矽的不需要之組合、增寬金屬碳化矽 界面及界面形態變粗綠。 接下來’此等問題又導致表面粗糖、在接點中及周圍之 擴散路徑、及接點自碳化矽之潛在分層（p〇tentiai deiamination)。此等項目在使任何隨後沈積之層一致方面 導致問題且亦趨向於更容易地促使在裝置及其周圍環境之 間發生不需要的化學反應’通常係與空氣(氧氣)或水分反 應。此等潛在問題當然會由於高溫及環境挑戰情況而加 劇，此使得碳化石夕成為第一吸引人的候選材料。 當然’一些研究者指出，當在更極端操作條件下使用或 測試以碳化石夕為基礎的裝置時，例如接點劣化及引線接合 103113.doc 1270936 失敗之其歐姆接點之劣化（而不是siC的劣化）成為限制因 素。見Cole等人在2002年12月2-5日的第23屆Army Science
Conference上的 Enhanced Performance And Reliability Of Sic High Power Switch Components: An Enabling
Technology For Electric Weapons And Propulsion
Systems。如上所述，在以碳化矽為基礎的裝置中，歐姆 接點應為"熱穩定的、組成惰性的、機械穩固的（且顯現）低 電阻π。 【發明内容】 在個^"樣中，本發明為至碳化矽之歐姆接點的方法， 其包含以下步驟：在—溫度時於—碳切表面上分別按比 例形成錄㈣之沈積膜，以使得該沈積膜中之㈣原子分 率大於鎳的原子分率’低於該溫度時，鎳與矽中之任一種 兀素將與碳切反應，·及在低溫熱處 一成之沈積膜，在該溫度時，形成…:::: 於鎳之原子分率的矽化鎳化合物 中 ^ t 彳一疋邊溫度低於鎳與矽 P任—種70素與碳切反應之溫度。作為-個額外優 ”、占，所得接點之歐姆特性可藉由執、、西 炎 強。 阿’皿退火步驟而增 之沈積膜，其包含在一 其中秒膜厚度與鎳膜厚 在另一態樣中，本發明為矽與鎳 碳化秒表面上之一鎳層及一矽層， 度的比率大約在1.81與3.65之間。 在另一態樣中， 層及在該碳化矽層 本發明為半導體結構 上之一顯示歐姆特性 ，其包含一碳化矽 的接點，該接點由 103113.doc 1270936 分子式為NiNxSix的組合物形成，其中〇5<χ<〇67。 在另-態樣中，本發明為半導體裝置，其含有在歐姆接 點上具有金屬層之歐姆接點結構。 本發明之前述目標及其他目標及優點及達成上述目桿及 優點之方式將在以下結合附圖所做之詳細描述中變得明 【實施方式】
本發明為製造至碳化梦之歐姆接點的—種方法，其解決 Μ良先前技術°該方法包含在—溫度時在-碳化石夕表^ 上沈積鎳與矽組成之膜’低於該溫度時，鎳與矽中之任一 種元細切）將與碳切反應，且錄與⑪分別按比例存 在以使得沈積膜中之㈣原子分率大㈣㈣子分率。& 組合物可稱為"富切”。該方法包含接著在—溫度時加執 錄與石夕之沈積膜’在該溫度時形成石夕之原子分率大於錄之 原子分率的㈣化合物，但是該溫度低於錄與石夕中之任一 種元素與碳化矽反應之溫度。 作I頟外優點，所得接點之歐姆特性可藉由執行下文 更充刀描述之第二較高溫度退火步驟而得以增強。 圖1及圖2為根據本發明之歐姆接點的STEM圖。接點在 圖1及^圖2中係垂直定向。自左至右，第一暗區域為空白 區，亮”層”為石夕化鎳之表面（樣本朝向觀察者輕微傾斜）， 下:層為石夕—化鎳之表體（在此層内存在表現犯似吉塊之小 )接著在石夕化鎳膜與碳化石夕表面之間有幾乎為零色 的非常薄的表面，且右面的大區域為碳化矽基材。 103113.doc 1270936 此處使用術語"石夕化鎳”來從廣義上識別由鎳與矽形成的 任何化合物或組合物且不限於犯81或Nisi2之化學計量姓 合。 、° 如此處所包括之圖3的相位圖所說明，本發明利用了 錄、石夕及石夕錄化合物的多個特性。參看圖3，應瞭解在低 於700 C B寺相位目㈤特性與在7〇〇〇c時相位目的特性幾乎完 王樣。換言之，因為矽化鎳系統之相位在與7〇(rc之 間一樣，所以低於70(TC時矽化鎳系統之組合物及相位可 參考圖3中的7〇〇°c線來理解。 因此，如圖3所說曰月，當石夕之重量百分率大於約32〇/〇(錄 之原子重量為58·7)時，其原子百分率(原子量=28•”將大於 〇(〇類似地，自約67%之石夕的原子百分率開始（適當地理 解為每一個鎳原子兩個石夕原子），元素將形成化合物 _2。此化合物富含矽而不必形成至碳化石夕之或紐多 型體之低電阻歐姆接點。 類似地’切之原子百分率低於科，錄與石夕之組合物 將形成歐姆接點，但是會導致在先前技術部分中提出的問 題。 因此’在較佳實施例中，本發明包含：形成大於5〇原子 百分率且稍小於約67原子百分率之石夕原子分率的沈積膜， 接著在低溫加熱步驟中加熱該沈積膜以形成大於5〇原子百 分率且不大於67原子百分率夕功；g 2 a + 尽丁曰刀半之矽原子分率的矽鎳化合物。
用於低溫步驟之較倍力σ献、、W # % + A 一 乂孙心权住加熱/皿度約在2〇〇t與50(TC之間。 在高於約500°C之溫度時，鋅或石夕式 綠$夕或兩者皆將開始與碳化 103113.doc -10· 1270936 矽反應。如上所述，本發明試圖避免上述所引起之問題。 類似地然對加熱溫度沒有王里論上的下限M旦是低於約 200 C時反應進行得非常緩慢’且因此對於實料製造目 的而言形成了實際下限。 在其軏仏A鉍例中，該方法進一步包含以下步驟：將矽 化鎳沈積退火至一溫度，該温度高於加熱沈積膜之溫度且 處於相位圖之不存在自由碳的區域内。一般而言，高溫可 製造較低電阻接點。因Λ，在較佳實施例中，退火溫度盡 可能局’❻是因為發明者已發現可能先前未發現及不必要 的相位改變約在875t；時開始發生，且因為在此等溫度時 可用資源不能控制溫度之小增加或量測，所以通常退火温 度約為850°C。 ，為了區別這裏描述的兩個步驟，形成沈積膜之步驟稱為 ’’加熱”步驟且表示較低溫度加熱處理。將化合物退火之步
驟稱為退火步驟且表示較高溫度處理。兩步驟之間的差 異亦將自上下文中明白。 、併入§含矽沈積之目的將藉由圖4進一步加以說明，圖4 為850 c時矽-鎳_碳系統之三重相位圖。 正如彼等熟習三重相位圖者所瞭解，所標記之每個頂點 均表不该種TL素之1〇〇%組合物。橫穿過三角形之線稱為 連線且該等連線界定兩個相位共同存在之部分，其中組 。物係標記在連線之末端。沿該等連線沒有其他組合物或 口物出現。或者，整個圖内之連線亦界定個別三重相位 圖。因此，由矽、NiSi2及Sic所界定之左下方三角形界定 103113.doc 1270936 該三種名且人你 ' 一種或多種可存在之區域，但是在此區域 内不存在自由々鱼今、&丄& — 田鱗或自由碳。對於由NiSi2、NiSi及SiC所界 疋之二角形亦同樣。 圖之田含石夕區域中不存在自由碳表示本發明之一個特 疋優點。具t + 、a之’可看出在矽具有高於鎳之原子百分率 桌/奴系統内的所有情況下（亦於850°C時），均不存在 由反因此，因為本發明之方法的第一步驟為形成富含 组 从 山、:，所以在850艺時將此富含矽組合物退火可排 除厌猎由消除碳，本發明消除了基於碳或關於碳的與碳 化石夕上之更容羽A人 隙） 白知孟屬矽化物關聯之若干問題（例如空
發明之方法可應用於若干實用置換。該方法可包括以 ^、、將反化矽摻雜為足夠量之p型或η型以幫助降低電 :且。：高摻：濃度可有利地降低接點之電阻且在沈積鎳與 石夕之步驟之前’目前較佳濃度約為每立方厘米（em.3)1019， 且之後在碳化矽表面上沈積鎳與矽。 一 〇力干方式執打添加錄與石夕以形成沈積膜之步驟。在 中’該步驟包含基於材料之密度分別按成比例厚 ::子八：層及一矽層，以在沈積膜中製造所要的較大的 率約在^。在較佳實施例中，♦層厚度與錄層厚度之比 率、、々在1.81比1與3 65比1之間。 式’形成沈積膜之步驟可包含按各自成比例厚 較大原子八夕層’以在沈積膜中製造石夕之 “刀率。在此情況下’石夕層之總厚度與鎳層之總厚 103】 I3.doc -12- !27〇936 度之比率應仍約在1.81:1與3.65:1之間。 在此等方法之每一者中，較佳先將矽層添加至碳化矽表 面’其後將錄層施加於石夕層上。 在另一選擇中，可藉由按所要的鎳與矽之比例在碳化矽 表面上濺射沈積矽化鎳層而形成沈積膜。 歐姆接點最常形成於碳化矽之塊狀單晶體或碳化矽之磊 晶層，但是亦可添加至任何其他適當的碳化矽表面。類似 地，矽鎳系統之本質為其較佳與具有411或6Η多型體之碳 化矽一起使用。至4H Sic之接點的實例在本文之實驗部分 中加以陳述。 在另-實施例中，本發明為包含在碳切表面上之一錄 層及-石夕層之沈積膜，其中石夕膜厚度與錄膜厚度之比率約 在1.81:1與3.6H之間。反過來，此實施例亦可包含複數個 石夕層及複數個錄層（包含替代層），其中石夕膜層之總厚度與 鎳膜層之總厚度的比率約在1_81··1與3·65··1之間。 圖5為沈積膜之圖解說明（未按比例繪出），其包括 1〇、一矽層11、及一鎳層12。 ’、 如在方法實施财，可在摻雜碳切表面進行沈積且較 梦層在碳切表面上㈣層在㈣在此結構實施例 佳選自由：：：Τ包含一蟲晶層或—塊狀單晶體且同樣較 、自由奴化矽之4Η及6fi多型體組成之群。 戶^二㈣中’本發明為半導體結構’其包含一碳化石夕 層及在该奴化矽層上顯示歐姆特性之接點，該 式為Uix(其中。·5 <χ<〇.67)之組合物形成。在二較：· 1031I3.doc 1270936 施例中，接點分子式為NimSim。 圖ό說明此貫施例（亦未按比例繪出），其具有碳化石夕 10、歐姆接點13及在鄰近歐姆接點丨3之碳化矽丨〇中之一交 互作用區14。交互作用區14表示矽鎳組合物占優之區域， 因此最小化或消除了石墨之形成。 在此貫施例中’歐姆接點亦較佳形成於具有4Η或6Η多 型體之碳化矽且最通常形成於碳化矽之一磊晶層或一塊狀 • 單晶體。如以上所述及在實驗部分中之進一步描述，本發 明製造用於ρ型及η型碳化石夕的歐姆特性。 接著，在另一態樣中，本發明可因此包含一半導體裝 置，其包括本文所描述之通常具有一金屬化連接之歐姆接 點。如此處所使用（其與本技術一致），術語”金屬化，，係指 用於連接歐姆接點且因此連接裝置至其他裝置及電路之方 法及所得結構。金屬化之代表態樣在此技術中已為熟知且
在 2002 年 INSPEC 弟 134-135 頁的 Zetterling，PROCESS φ TECHNOLOGY F0R SILICON CARBIDE DEVICES 中加以討論。 因為在半導體裝置中幾乎普遍存在歐姆接點，所以此等 裝置之清單將只會模糊而不會突出本發明，且因此熟習此 項技術者將瞭解，無論何時歐姆接點形成於碳化矽，本發 明均提供用於此目的之優點。 實驗 首先藉由摻雜碳化矽材料為P型或n型來製備所要歐姆接 點之區域，較佳載體濃度為至少約lxl〇I5 cm·3而上述之 1〇19 cnT3更佳。藉由使用標準光刻技術可圖案化所要歐姆 103113.doc -14- 1270936 接點區域。薄矽膜接著以任何形態沈積於植入區域之表面 上。薄鎳膜接著沈積於矽膜上以使得矽膜厚度與鎳膜厚度 之比率約在1.81: 1與3.65·· 1之間。在初始加熱（2〇〇t至 500 C之低溫加熱處理）之後，此膜厚度比率範圍將形成一 膜，該膜在所得均勻薄膜中具有原子分率約在〇5〇與約 0·67之間且較佳為〇·52的石夕。如在其他地方所述，亦可藉 由濺射沈積技術或不會對所得接點有另外不利影響之任何 _ 其他P VD或C VD技術而獲得此原子比率。 、力在200 C與500 C之間的溫度範圍足夠高以在石夕膜與鎳 膜之間提供顯著擴散，但是低於鎳或矽與碳化矽表面之間 發生顯著反應時之溫度。 根據矽鎳二元相位圖（圖3)，在此等條件下可由矽薄膜 與鎳薄膜之間的反應而生成富含矽之矽鎳化合物。此富含 石夕之矽鎳薄膜在摻雜碳化矽表面上顯現歐姆特徵。所得歐 姆接點之典型電阻率對於p型接點約為1〇-3 〇hm/cm2，且對 φ 於11型接點約為1〇-5 ohm/cm2，預期該典型電阻率適合許多 現在的及未來的電阻應用且因此除了沈積一金屬互接於所 要半導體裝置之金屬以外不需進一步處理接點。 較低電阻接點 可藉由在互連沈積之前進一步處理歐姆接點而形成較低 電阻（ΗΓ6 ohm/cm2)之歐姆接點。根據在850°C時之鎳-矽_ 碳相位圖（圖4)，在富含矽相位區不存在碳之平衡相位。因 此’藉由使富含矽之矽鎳膜與碳化矽基材在850。〇或接近 8 5 0 C時反應（高溫退火），應可排除平衡碳相位（諸如石 103113.doc -15 - 1270936 墨），藉此改良石夕接點之形態一致性。如上所述，圖6為說 明具有過量矽以最小化石墨形成之低電阻歐姆特性在交互 作用區14中矽鎳占優的示意圖。發明者已判定此特徵顯現 於在高於溫度範圍500°C至90(TC時執行退火步驟時，而當 L火μ度升向時接點電阻通常連續地降低。 由於-額外優點，且因為化學計量過切，所以避免了 錄積累之趨勢，因此進一步改良了所要石夕接點之形態一致 φ 性。所得接點與自更傳統方法形成的彼等接點相比相對地 平巧，且因此在裝置製造期間允許隨後沈積之材料層具有 更好一致性。此又達成改良之電場崩潰電阻、改良之裝置 品質、改良之裝置可靠性及更高製造良率。因為歐姆接點 為=多數半導體裝置之整體性部分，所以本發明廣泛應用 於幾乎每種在金屬與碳化矽磊晶或塊狀材料之間需要歐姆 接點的電子裝置。 根據本發明在4Η碳化矽材料上之富含矽之矽化鎳歐 •姆接點顯現3·4χ1(Γ6 Am/cm2之特定接點電阻，其具有丨·〜 1()之標準偏差及與傳輸線模型（TLM)之”R平方（r_ squared)’’擬合為 〇 99999。 根據本發明在4H碳化矽p型材料上之富含矽之矽化鎳歐 姆接點顯現2·4χ1〇·3 〇hm/cm2之特定接點電阻，其具有1〇>< 1〇 4之標準偏差及與TLM模型之”R平方，，擬合〇99985。 因此，至P型材料之接點比至n型材料之接點稍微更有電 阻性，但是在需要歐姆特徵之應用方面有用，但是不必降 低接點電阻。 103113.doc •16- 1270936 在圖式及說明中已陳述了本發 4知切之較佳實施例，且儘官 採用了特定術語，但是僅在一般性及描述性意義上且目的 不為限制’本發明之範疇在申請專利範圍中界定。 【圖式簡單說明】 圖1及圖2為根據本發明之歐姆接點的隧式掃描電子顯微 鏡（STEM)橫截面圖。 固3為起過7 〇 〇至15 0 0 C溫度範圍之録與石夕系統的相位 圖。 圖4為在85 0°C時之鎳（Ni)、矽（si)與碳（C)系統的三重相 位圖。 圖5為根據本發明之前接點結構的圖解橫截面圖。 圖6為根據本發明之歐姆接點結構的圖解橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10 碳化矽 11 秒層
12 錄層 13 歐姆接點 14 交互作用區 103113.doc -17-

Claims (1)

1270936 十、申請專利範圍： 1 · 一種製造碳化矽之歐姆接點之方法，其包含： 在-溫度下在-碳化石夕表面上按個別比例形成_錄與 矽之沈積膜，使得在該沈積膜中矽之原子分率大於鎳之 原子分率，在低於該溫度時，鎳與矽中之任一種元素將 與碳化矽反應；及 ： 加熱該鎳與矽之沈積膜至形成其中矽之原子分率大於 該鎳之原子分率的矽鎳化合物之溫度，但低於鎳與矽中 任一種元素與碳化矽反應之溫度。 2·如請求項丨之方法，其包含： 形成該沈積膜，其具有大於0·50且不大於約〇67之矽 原子分率；及 加熱該沈積膜以形成矽鎳化合物，其中矽之原子分率 大於〇·5〇且不大於約〇.67。 3.如請求項1之方法，其進一步包含： 將該矽鎳化合物退火至一溫度，該溫度高於該沈積膜 之該加熱溫度，且位在相位圖中不存在自由碳之區域 内。 士明求項1之方法，其中加熱該沈積膜之該步驟包含·· 加熱該沈積以形成一分子式為Nii〇cSix之化合物，其中 〇·5<χ<〇 67。 5·如明求項i之方法，其包含：約在2〇〇。〇與5〇〇它之間之温 度下加熱該沈積膜。 6_如巧求項3之方法，其包含：將該矽鎳化合物退火至約 103113.doc 1270936 4〇〇°C與85(rc之間之溫度。 士明求項1之方法，其中形成該沈積膜之該步驟包含： 按個別比例厚度沈積一鎳層及一矽層，以在該沈積膜中 產生較大之矽原子分率。 8· 月求項1之方法，其中形成該沈積膜之該步驟包含： 按個別比例厚度沈積複數層鎳層及複數層矽層，以在該 沈積膜中產生較大之矽原子分率。 月求項7或睛求項8之方法，其包含按介於約m與 3.=之間的矽層厚度對鎳層厚度比例來沈積鎳與矽。 口月求項7之方法’其包含在該碳化石夕表面上沈積該石夕 層且之後在該矽層上沈積該鎳層。 求員1之方法，其中形成該沈積膜之步驟包含按所 =的鎳與矽之比例在該碳化矽表面上濺射沈積一鎳 增0 如請求項上之方法，1 沈積膜。 …在摻雜妷化矽表面上形成該 I:::項二方法’其包含:在-碳化發表面上形成該 化石夕之石=切表面選自由碳切之塊狀單晶體及碳 Μ晶層所組成之群。 14·如請求们之方法，其包含在— 積膜，該碳化矽表面且右一 Α 表面上形成該沈 體組成之群的多型^ —選自由碳化石夕之職6Η多型 15. 一種矽與鎳之沈積膜，Α 層及-秒層，其中該石夕膜厂心在：碳化”面上之-錄 、子X對该鎳膜厚度之比率介於 103ll3.doc 1270936 約1.81與3.65之間。 16.如請求項15之石夕與鎳之沈積膜，其包含複數層石夕層及複 數層鎳層’其中該等矽膜層之該總體厚度與該等鎳膜声 之該總體厚度之比率介於約181與3 65之間。”、曰 1 7·如請求項i 5之矽與鎳 甘4人 少 果t沈積膜，其包含一經摻雜之碳化 石夕表面0 A如請求項15或請求項17之㈣錄之沈積膜，其中該第一 φ 石夕層在該碳化石夕表面上且該第一鎳層在該第-石夕層上 19.如請求項15之㈣錄之沈積膜，其中該碳切具^一選 自由碳化矽之4H及6H多型體所組成之群的多型體。、 2〇·如請求項15之石夕與録之沈積膜，其中該碳化石夕包含一蟲 晶層或一塊狀單晶體。 21 · —種半導體結構，其包含·· 一層碳化矽；及 在該碳化矽層上且顯示歐姆特性之—接點，該接點由 φ 分子式為州卜^匕之組合物形成，其中〇·5<χ<0 67。 22. 如請求項21之半導體結構，其中該接點具有分子式 Ni〇.48Si0 52 〇 23. 如請求項21之半導體結構，其中該碳切具有選自由碳 化矽之4H及6H多型體所組成之群之一多型體。 24. 如請求項21之半導體結構，其中該碳化石夕包含一蟲晶層 或一塊狀單晶體。 θ 25. 如請求項21之半導體結構，其中該碳切為ρ型或η型。 26. 如請求項21之半導體結構，其具有介於約1〇3心“2與 103113.doc 1270936 1(T5 ohm/cm2之間之電阻率。 27·如請求項21之半導體結構直 , 7 2 稱其具有介於約ΗΓ5 ohmW 與10 ohm/cm2之間之電阻率。 28.如請求項21之半導體結構，其進一步包含： 在s亥歐姆接點上之—金屬化層；及 該歐姆接點具有至少約1〇'hm/cm2之電阻率。 29·如請求項28之半導體結構，i中 傅具甲違&人姆接點具有介於約 10- ohm/cm2與 l(T6〇hm/cm2之間之電阻率。 30·如請求項21之半導體結構，其中·· 該接點為在-η型碳化石夕表面上之歐姆接點，該歐姆 接點具有介於約3x10-6 ohm/cm2與4xl〇-6 〇hm/cm2之間之 特定接點電阻。 31·如^求項30之半導體結構，其中該歐姆接點具有約34χ 1〇_6 ohm/cm2之特定接點電阻，標準偏差14χ1〇·7且對 TLM模型之R平方擬合0 99999。 _ 32·如請求項21之半導體結構，其中 δ亥接點為在一 ρ型碳化^夕表面上之一歐姆接點，該歐 姆接點具有介於約2xl(T3與3xl〇·3 ohm/cm2之間之特定接 點電阻。 33.如請求項32之半導體結構，其中該歐姆接點具有約2 4χ 1(T3 ohm/cm2之一特定接點電阻，標準偏差louo·4且對 1^]\1模型之11平方擬合〇.99985。 103113.doc
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