TWI269942B - Judging system, judging method, judging program of exposure apparatus, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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1269942 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置之製造技術，特別係關於可對 微影工序所使用之曝光裝置判定是否包含可適用作為製品 開展裝置群之特性之曝光裝置判定系統、曝光裝置判定方 法、曝光裝置判定程式及使用此等之半導體裝置之製造方 法。 【先前技術】 在半導體裝置之製造工序中，一般需執行微影工序。微 影工序所使用之曝光裝置之投影透鏡之像差之相異所引起 之光學系統誤差及照明光學系統之相異所引起之誤差係曝 光裝置固有之值，即使是同一機種，也可能因各曝光裝置 而有微妙差異。因此，以特定之曝光裝置用最適合化之新 製品之曝光條件曝光其他曝光裝置時，在元件圖案之形狀 上s產生因各曝光裝置·之光學系統誤差所引起之裝置間差 ，以致有時不能適用於新製品之開展（製品開展），因此，對 於欲執行製品開展之各曝光裝置，有必要判定是否包含可 適用作為製品開展裝置群之特性。 【發明所欲解決之問題】 以往之元件圖案之模擬由於在執行時，並未考慮到曝光 裝置 < 光學系統誤差，故不能對多數曝光裝置，判定是否 包含可適用作為新型製品之製品開展裝置群之特性。因 此，以往有必要依照光學的特性有微妙差異之各曝光裝置 设疋各其最週合之曝光條件，利用測定使用描績製品之元 86901 1269942 件圖案用之光罩（標線片）曝光後顯影所形成之圖案形狀，以 判定是否包含可適用作為製品開展裝置群之特性，故有開 展製品需要相當之時間與勞力之缺點。 有鑒於上述之問題，本發明之目的在於提供可迅速且容 易地判定多數曝光裝置是否包含可適用作為製品開展裝置 群之特性，判定可適用於製品開展之曝光裝置之曝光裝置 判足系統、曝光裝置判定方法、曝光裝置判定程式及使用 此等之半導體裝置之製造方法。 【發明内容】 【解決問題之手段】 為達成上述之目的，本發明之第丨特徵之要旨在於使用曝 光裝置判定系統，而該曝光裝置判定系統係包含··算出多 數曝光裝置相互之光學系統誤差之資訊之光學系統誤差資 訊算出手段、依據光學系統誤差之資訊，模擬各曝光裝置 所描續^之元件圖案之模擬手段、依據被模擬之元件圖案， 多數之各曝光裝置判定是否包含可適用作為製品開展裝置 群之特性之裝置判定手段。 依據本發明之第1特徵，可迅速且容易地判定多數曝光裝 置是否包含可適用作為製品開展裝置群之特性，故可適用 於製品開展。 本發明之第2特徵之要旨在於使用曝光裝置判定方法，而 該曝光裝置判定方法係包含··算出多數曝光裝置相互之光 學系統誤差之資訊之工序、依據光學系統誤差之資訊，模 擬各曝光裝置所描繪之元件圖案之工序、及依據模擬之元 86901 1269942 件圖案’就多數曝光裝置，分別判定是否包含可適用作為 製品開展裝置群之特性之工序。 依據本發明之第2特徵，可迅速且容易地判定多數曝光裝 置是否包含可適用作為製品開展裝置群之特性，故可適用 於製品開展。 本發明之第3特徵之要旨在於使用曝光裝置判定程式，而 该曝光裝置判定程式係使電腦執行下列指令者：算出多數 +光裝置相互之光學系統誤差之資訊之指令、依據資訊， 模&各曝光裝置所描繪之元件圖案之指令、及依據模擬之 兀件圖案，就多數曝光裝置，分別判定是否包含可適用作 為製品開展裝置群之特性之指令。 依據本务明之第3特徵，可迅速且容易地判定多數曝光裝 、匕έ可適用作為製品開展裝置群之特性，故可適用 於製品開展。 本I月之第4特徵之要旨在於使用半導體裝置之製

^ ·· (Α)決定工序，其係決定元件圖 工序’其係依據決定之設計圖製作 工序，其係利用下列步騾，分別判定 会可適用作為製品開展裝置群之特性 置相互I光學系統誤差之資訊之步驟 之資訊’模擬各曝光裝置所描繪之元 t㈣ϋ件圖帛’就多數曝光裝置 步騾；（D)曝光工序， 用作為製品開展裝置群之特性之 其係在被判疋可適用之曝光裝置使用 86901 1269942 夕數光罩之各光罩，藉以曝光半導體晶圓上之光阻膜者。 依據本毛明之第4特徵，可迅速且容易地判定多數曝光裝 置疋否包含可適用作為製品開展裝置群之特性，故可判定 ϋ c用杰製開展之曝光裝置。因此，就半導體裝置之製 以工序整體而了，可降低半導體裝置之製造成本，避免良 率之降低。 【實施方式】 、以下’參照圖式，說明本發明之實施形態。在圖式之記 載中，於同一或類似部分附以同一或類似之符號，但值得 留意 < 處在於圖式係以模式方式顯示。 (曝光裝置判定系統之構成） 本發明之實施形態之曝光裝置判定系統如圖丨所示，係由 本部1、經由通訊網路3連接於本部丨之多數工廠5a、5b、允 5n所構成。所謂通訊網路3係指網際網路或企業内部 網路等而言。 如圖2所7F，在本邵1設置有連接於通訊網路3之裝置判定 伺服器2。工廠5a具有分別連接於通訊網路3之多數曝光裝 置6a、6b、6C.....6n及測定裝置7a等。工廠5b、5c..... 5n與工廠5a同樣具有多數曝光裝置及測定裝置等。 裝置判足伺服器2係經由通訊網路3對設置於多數工廠 5a〜5η之多數曝光裝置及測定裝置等，執行以可擴充式標示 語T (XML)所描述之資訊等之交換，並加以管理之管理裝 置。以下，為簡化說明，說明有關裝置判定伺服器2執行= 置於第1工廠5a之多數曝光裝置6a〜6n及測定裝置八之資料 86901 1269942 <叉換之情形。裝置判定伺服器2如圖3所示，具有中央處 理控制裝置（CPU)IO、分別連接於CPU10之裝置判定程式記 fe、邯12、裝置管理資料庫13、光罩設計資訊資料庫14、輸 入裝置15、輸出裝置16、暫時記憶裝置17及通訊介面（通訊 I/F)18 等。 CPU10係執行本發明之實施形態之曝光裝置判定系統之 處理<裝置。CPU10具有光學系統誤差資訊算出手段1〇a、 模擬手段10b、裝置判定手段10c、曝光條件抽出手段i〇d、 危險圖案抽出手段10e、座標值抽出手段10f、座標系變換 手段1〇g、座標值發送手段l〇h、描繪危險圖案接收手段1〇i 描繪危險圖案確認手段10』、投影透鏡調整值算出手段1仳 、投影透鏡調整值發送手段1(H、光近接效應補正手段_ 、凡件圖案假想手段10n、代替圖案抽出手段10〇等。

σ之變動等 86901 不均、光轴偏 可分別以定量 1269942 的值加以算出。照明光學系統之相干因素σ係以 =NAl/NA2表示之值，係表示照明光學系統之亮度之指標。 在此，NAi表示由光罩側所見之照明光學系統（聚光透鏡）之 透鏡數值孔徑ΝΑ，NA2表示由光罩側所見之縮小投影透鏡 之透鏡數值孔徑N A。相干因素σ愈大時，斜斜地入射於光 罩《光也愈增大，晶圓上之光對比也愈會發生變化。 杈擬手段10b係依據光學系統誤差之資訊、裝置品質管理 資訊（裝置QC資訊）、微影條件及電腦輔助設計（CAD)資料等 ，依照多數曝光裝置6a〜6n之各曝光裝置，模擬利用光罩之 曝光描繪在晶圓之表面上之元件圖案之模擬器。作為裝置 品質官理資訊，有各曝光裝置仏〜611之投影透鏡之數值孔徑 NA、照明光學系統之相干因素σ、輪帶比、焦點深度（焦點 值）等參數。作為微影條件，有依據裝置品質管理資訊等所 决定之各曝光裝置6a〜6η之曝光量（劑量）及光罩偏置量（偏 離光罩圖案之設計值之偏離量）等之參數。模擬之結果記憶 於元件圖案記憶部13 d。 裝置判定手段10c係依據記憶於元件圖案記憶部l3d之模 挺之、.’σ果，判足多數曝光裝置6&〜611之各曝光裝置是否包含 可週用作為製品開展裝置群之特性。具體而言，裝置判定 手段l〇c係分別判定模擬手段10b所模擬之元件圖案是否滿 足設計規格。而，將判定為滿足設計規格之曝光裝置，例 如曝光裝置6a〜6f判定為包含可適用作為製品開展裝置群 之特性。在此，所謂「設計規格」，係指元件各層之最小圖 案尺寸、最小空間尺寸及層間圖案之關係位置等之規定。 86901 -11 - 1269942 若滿足設計規格之基準值，即可形成希望之元件。又，設 计規格之基準值可依照新製品之設計方針適當地予以決定。 曝光條件抽出手段1 〇 d係依據記憶於元件圖案記憶部i 3 d 之模擬之結果及記憶於裝置品質管理資訊記憶部131之裝 置品質官理資訊等，分別抽出對應於各曝光裝置6a〜6n之元 件圖案最適當之曝光之光之強度及曝光時間等曝光條件。 所抽出之最適當之曝光條件被記憶於最適曝光條件記憶部 13 e ° 危險圖末抽出手段1 〇e係依據記憶於元件圖案記憶部1 之模擬之結果，從模擬之元件圖案中，抽㈣光餘裕度（微 影曝光範圍）小而無法獲得希望之形狀之圖案、或難以獲得 之圖案作為「危險圖案」。所抽出之危險圖案被記憶於危險 圖案記憶部13f。又，抽出作為危險圖案之基準值可依照新 製品之設計方針適當地予以決定。 厘標值抽出手段l〇f係由記憶於CAD資料記憶部⑷之 CAD資料抽出對應於危險圖案之光罩上之光罩圖案之座標 (以下稱「危險圖案座標值」座標系變換手段H)g係將座 標值抽出手段10f所抽出之危險圖案座標值變換成適合於 :靖示，測定裝置7a之座標系之值(以下稱「測定用座標 值」敎裝置域㈣形成於晶圓上之光阻膜之圖案之 形狀之裝置。例如，作為測定裝置7a，使用掃描型電子顧 f(顧）時，危險圖案座標值之座標系«換成掃描晶圓、 =標:而成為測定用座標值。測定用座標值被記： “疋压‘值§己憶部13h。圖3所示之座標值發送手段⑽ 86901 -12- 1269942 係將記憶於測定用座標值記憶部1处之座標值，經由通訊網 路3被發送至被通訊I/F1 8所連接之測定裝置7a。 描緣危險圖案接收手段1 〇i係經由通訊網路3接收依照各 曝光裝置6a〜6n將危險圖案投影於被曝光對象（光阻膜）而實 際描繪之光阻膜圖案（以下稱「描繪危險圖案」）之形狀之測 足結果。描緣危險圖案確認手段1 〇j係比較描緣危險圖案接 收手段10i所接收之光阻膜之描繪危險圖案之形狀與危險 圖案1己憶邵13f所記憶之危險圖案之形狀，確認描繪危險圖 案之形狀是否與危險圖案之形狀一致。 投影透鏡調整值算出手段10k係依據光學系統誤差資訊 异出手段1 Oa所算出之光學系統誤差之資訊，分別算出改善 投影在光阻膜上之元件圖案所需之曝光裝置6a〜6n之投影 透叙_整值。投影透鏡調整值發送手段1〇1係將投影透鏡調 正值算出手段1 Ok所算出之各投影透鏡之調整值，經由圖2 所π之通訊網路3發送至調整對應之各曝光裝置^、仙、6c .....6n之投影透鏡之光學系統誤差補正機構63a、63b、 63c、…、63η 〇 光近接效應補正手段1〇111係依據記憶於光近接效應補正 量記憶部13j之光近接效應補正（〇pc)量等，分別更新多數 曝光裝置6a〜6n之各光罩圖案之曝光量及光罩偏置量等之 參數，以施行光近接效應補正。所謂光近接效應補正係用 來補正互相接近之圖案之週邊部分之曝光條件偏離最適值 之光近接效應（ΟΡΕ)用之方法。 疋件圖案假想手段1〇η係用於模擬形狀異於模擬手段⑺匕 86901 -13- 1269942 出手段10〇係由元 所模擬之元件圖案之模擬器。代替圖案抽 中，抽出形狀異 ’以取代該危險 件圖丄假想手段1 〇 11所棱擬之假想元件圖案 於危險圖案，但具有同一機能之代替圖案 圖案。 另外，CPU10也具有裝置判定程式記憶部12、裝置管理 資料庫13、光罩設計資訊資料庫14、輸入裝置15、輸出裝 置16、暫時記憶裝置17及通訊I/F18、分別控制圖3所示之曝 光裝置6—定裝置7蜱之輸出入之控制手段(省略圖 示）。 又，CPU10所實現之機能，即：光學系統誤差資訊算出 手段i〇a、模擬手段勘、裝置判定手段1〇c、曝光條件抽出 手段i〇d、危險圖案抽出手段10e、座標值抽出手段i〇f、座 標系變換手段10g、座標值發送手段⑽、描緣危險圖案接 收手段10i、描繪危險圖案確認手段1〇j、投影透鏡調整值算 出手段10k、投影透鏡調整值發送手段1(H、光近接效應補 ^手段1〇m、元件圖案假想手段1〇n、代替圖案抽出手段1〇〇 寺也可考慮CPU負荷等因素而分散由多數電腦去實現。將 此等機能分散至多數電腦時，將電腦彼此構成可經由區域 網路（LAN)或電話線路等之通訊手段予以連接，以施行資訊 之輸出入。 裝置判定程式記憶部12記憶著(：1>111〇所執行之程式（程式 之詳細容後再述）°作為裝置判定程式記憶裝置12,例如可 使用半導體記憶體、磁碟、光碟、光磁碟及磁帶等可記錄 私·式炙記錄媒體。具體上，有軟碟、CD_R〇M(c⑽pad 86901 -14- 1269942

Disc-Read Only Memory :音碟唯讀記憶體）、M〇(Magneto

Opitical :磁光）)碟、卡帶及開式磁帶等。 裝置管理資料庫13具有記憶光學系統誤差之資訊之光學 系統誤差資訊記憶部13a、記憶微影條件之微影條件記憶部 13 b、記憶光近接效應特性資訊之光近接效應特性資訊記憶 部13c、記憶模擬手段l〇b之模擬結果之元件圖案記憶部i3d 、記憶最適於危險圖案之最適曝光條件之最適曝光條件記 子思部13 e、$己、危險圖案抽出手段1 〇 e所抽出之危險圖案之 危險圖案記憶部13f、記憶危險圖案座標值之座標值記憶部 13g、記憶測·定用座標值之測定用座標值記憶部13h、記憶 投影透鏡調整值之投影透鏡調整值記憶部l3i、記憶光近接 效應補正f之光近接效應補正量記憶部13 j、記憶假想元件 圖案之假想元件圖案記憶部13k、及記憶裝置品質管理資訊 之裝置口口貝管理貝訊呑己憶邵131等。又，光近接效應補正量 記憶部13 j所記憶之光近接效應補正量可由光罩設計時之 元件模擬等獲得。 光罩設計資訊資料庫14具有記憶設計光罩之際所使用之 CAD資料之CAD資料記憶部14a。暫時記憶裝置裝入讀寫 雙用記憶體（RAM)等。RAM記憶著CPU10在曝光裝置判定 程式等之程式執行中所利用之資訊等，具有利用作為作業 區域之資訊記憶體等之機能。輸入裝置15例如係由鍵盤、 滑鼠及音效裝置等所構成，輸出裝置16可使用液晶顯示器 (LCD)、CRT(陰極射線管）顯示器及印表機等。 如圖4所π，第1工廠5a之多數曝光裝置仏、讣、6c、… 86901 >15- 1269942 、6n係分別由連接於通訊網路3之通訊介面（通訊〗/F)6ia、 61b、61c.....61η、對裝置判定伺服器2執行資料之接收 發送之收發手段62a、62b、62c、…、62η由裝置判定伺服 器2接收訊號之光學系統誤差補正機構63a、63b、63c、… 、63η、利用光罩曝光之曝光部64a、46b、64c、…、64η等 所構成。曝光裝置6a〜6η可使用步進機或掃描器等縮小投影 曝光裝置等。 第1工廠5a之測定裝置7a係由連接於通訊網路3之通訊介 面（通訊I/F)71a、對裝置判定伺服器2經由通訊i/F71a接收測 定之指示資訊，並發送測定結果之收發手段72a、及測定連 接於收發手段72b之圖案之形狀等之測定部73 a等所構成。 作為測定裝置7a，例如有SEM或雷射顯微鏡等。 圖1及圖2所示之第2〜第η工廠5b〜5n係與第1工廠5a同樣 地具有多數曝光裝置（省略圖示）及測定裝置（省略圖示）等 。此多數曝光裝置係與曝光裝置6a〜6n同樣地分別具有通訊 I/F、收發手段、光學系統誤差補正機構、及曝光部等。又 ，測定裝置係與測定裝置7a同樣地具有通訊介面（ι/p)、收 發手段、及測定部等。 (曝光裝置判定系統之處理） 其次，依照圖5至圖7，說明發明之實施形態之曝光裝置 判定方法。為簡化起見，以圖i所示之第1工廠5&之多數曝 光裝置6a〜6n及測定裝置7a為例加以說明，但實際上在包含 第2工廠5b、第3工廠5c.....第η工廠5n之曝光裝置及測定 裝置之更多裝置群之整個系統當然也可執行同樣之處理。 86901 -16 - 1269942 (A) 在步驟S110，利用預定開展製品之多數曝光裝置 6a〜6η，使用具有像差測定用之測試圖案之光罩，將塗敷於-晶圓表面之光阻膜曝光後，顯影而在晶圓表面上分別形成 . 像差測定用之光阻膜之評估圖案。而，利用SEM等之測定 裝置7a，分別實際測定在各曝光裝置仏〜611實現之光阻膜之 評估圖案之形狀。其後，測定裝置7a之評估圖案之形狀之· 測足結果經由通訊網路3被發送至裝置判定伺服器2之光學_ 系統誤差資訊算出手段i 0a。 (B) 其次，在步驟812〇，利用以下之步驟（a)〜(句執行多數· 曝光裝置6a〜6η判定是否包含可適用作為製品開展裝置群 之特性之裝置判定處理： (a) 在步驟121，利用光學系統誤差資訊算出手段1〇a，依 據由測定裝置7a所接收之光阻膜之評估圖案之形狀之測定 結果，分別异出投影透鏡之像差之相異所引起之誤差資訊 及照明光學系統之相異所引起之誤差之資訊等，以作為多 數曝光裝置6a〜6n之相互照明光學系統誤差之資訊。投影透籲 鏡 < 像差之相異所引起之誤差可利用換算成查涅克係數加 以算出。又，照明光學系統之相異所引起之誤差之資訊可 定里的值加以算出，以作為照度不均、光軸偏移及照明光 學系統之相干因素σ之變動等之值。所算出之光學系統誤 差之資訊係被記憶於光學系統誤差資訊記憶部13a。 (b) 在步騾122，利用模擬手段10b，由光學系統誤差資訊 圮憶部13a、微影條件記憶部13b、裝置品質管理資訊記憶 邯13卜及CAD資料記憶部i4a，讀入光學系統誤差資訊、微 86901 -17- 1269942 〜條件、裝置品質管理資訊、及CAD資料等。作為裝置品 f里貝訊’項入各曝光裝置6a〜6n之投影透鏡之數值孔徑 A恥明光學系統之相干因素σ、輪帶比及焦點深度等。 讀人曝光量及光罩偏壓以作為微影條件，&，利用模擬手 段10b模擬在各曝光裝置6a〜6n所描繪之元件圖案。模擬結 果被輸出至元件圖案記憶部13d。 (c)在步驟S123，利用裝置判定手段心，依據記憶於元科 圖案記憶部13d之模擬結果，就多數曝光裝置6a〜6n，判定 疋否包s可適用作為製品開展裝置群之特性。具體上，係 分別判定模擬手段10b模擬之元件圖案是否滿足設計規格 。而，將判疋為滿足設計規格之曝光裝置，例如曝光裝置 6a〜6f判定為包含可適用作為製品開展裝置群之特性。使在 步驟S123,被裝置判定手段…判定包含可適用作為製品開 展裝置群《特性〈曝光裝置6a〜6f進人步驟§13()，以執行描

繪危險圖案確認處理。另一方面 使在多數曝光裝置6a〜6n 中，被判定不包含可適用作為製品開展裝置群之特性之曝 光裝置，例如曝光裝置6g〜6n進入步驟Sl5〇，以執行投影透 鏡調整處理。

⑷又’利用曝光條件抽出手段1Gd，依據記憶於元件圖案 記憶部13d之模擬結果及記憶於裝置品質管理資訊 131之裝置品質管理資訊，分別抽出最適合於對應於各曝光 裝置6g〜6η之元件圖案之曝光條件。所抽出之最適合之曝光 條件有曝光量及光軍偏置量等之參數。所抽出之最適合之 曝光條件被記憶於最適曝光條件記憶部1 3 e。 86901 -18- 1269942 (C)其次在步騾s 130，利用以下之步騾（a)〜(d)，針對被步 騾S120之裝置判定處理判定包含可適用作為製品開展裝置 群之特性之曝光裝置6a〜6f，執行確認描繪危險圖案之形狀 疋否與危險圖案之形狀一致之描緣危險圖案確認處理。 (a) 在步驟S13 1，利用圖3所示之危險圖案抽出手段1〇6依 據記憶於元件圖案記憶部13d之模擬結果，從所模擬之元件 圖案中抽出危險圖案，將其輸出至危險圖案記憶部丨3 f。 (b) 利用座標值抽出手段丨〇f，由記憶於cad資料記憶部 14a之CAD資料，抽出危險圖案座標值。抽出之危險圖案座 標值被記憶於座標值記憶部13g。又，危險圖案座標值係 CAD座標系之值。在步驟Si32，利用座標系變換手段1〇g將 被元憶於座標值記憶部13g之危險圖案座標值之座標系變 換成適合於測定裝置乃之座標系，並將其記憶於測定用座 標值記憶部13h，以作為測定用座標值。其次，利用座標值 發运手段i〇h，將記憶於測定用座標值記憶部13h之測定用 座私值經由通訊I/F1 8、圖2所示之通訊網路3發送至測定裝 置7a。 0)其次，利用曝光裝置6a〜6f，在各曝光裝置6&〜6^，以 最適之曝光條件將危險圖案投影，將晶圓上之被曝光對象( 光阻膜）曝光後，顯影而形成光阻膜之描繪危險圖案。又， 也可以光阻膜為光罩選擇地蝕刻其下層之薄膜，而利用下 層之薄膜圖案作為描繪危險圖案。但，在以下之說明中， 係針對使用光阻膜圖像作為騎危險随之情形予以說明 。而，在#驟8133中，將形成描繪危險圖案之晶圓安置於 86901 -19- 1269942 測定裝47a’其後，利用測定裝置7&，以接收自座標值發 送手段H)h之測定用座標值作為測定位s，實際測定描績危 險圖案之形狀。描繪危險圖案之形狀之測定結果被收發手 段72a經通訊網路3發送至描繪危險圖案接收手段1⑴。 ⑷利用縣危險圖案確認手段1()j，比較騎危險圖案接 收手段10i所接收之描緣危險圖案之形狀、與記憶於危險圖 案記憶部13f之危險圖案之形狀，並在各曝光裝置，確 認描繪危險圖案之形狀、與危險圖案之形狀是否一致。使 在步驟S134 ’確認料之危險圖案之形狀與危險圖案之形 狀一致之曝·光裝置，例如曝光裝置以〜以進入步驟si4〇，將 其適用作為製品開展裝置群m對於在步驟S134 因光學系祕差之f彡料生之偏料導致料之危險圖案 <形狀與危險圖案之形狀不—致之曝光裝置，例如曝光裝 置6d〜6f，則進人圖7所示之步驟S15()，以執行投 整處理。 (D)在步騾S150，利用以下之步騾S151&S152，執行分別 碉整曝光裝置6d〜6n之投影透鏡之投影透鏡調整處理。首先 j在步驟S151，利用投影透鏡調整值算出手段1〇k，依據光 學系統誤差資訊記憶部13a所記憶之光學系統誤差資訊等 在各曝光裝置6d〜6n算出改善投影在光阻膜上之元件圖案 所需之投影透鏡調整值。在步驟8152，利用投影透鏡調整 值叙送手段101將投影透鏡碉整值經由通訊網路3分別發送 至對應之曝光裝置6d〜6n之光學系統誤差補正機構63d〜63n 。光學系統誤差補正機構63d〜63n依據所接收之投影透鏡調 86901 -20- 1269942 整值分別調整曝光裝置6d〜6n之投影透鏡。 (E) 在步驟S160,對調整投影透鏡後之曝光裝置6〇1〜611再 施行裝置判定處理。在步騾S161，利用模擬手段1〇1^，依據 光學系統誤差資訊記憶部13a所記憶之光學系統誤差資訊 及投影透鏡調整值記憶部13i所記憶之投影透鏡調整值等 模擬在调整投影透鏡後之曝光裝置〜6n所描纟會之元件圖 案。模擬結果被輸出至元件圖案記憶部13 d，以更新模擬結 果。在步·驟S162,利用裝置判定手段1〇c，依據元件圖案記 憶邵13d所記憶之模擬結果，在調整投影透鏡後之曝光裝置 6d〜6n判定元件圖案是否滿足設計規格。而，依據此判定來 判疋各曝光裝置6d〜6n是否包含可適用作為製品開展裝置 群之特性。使在步驟S162，判定在曝光裝置“〜如中包含該 特性之曝光裝置’例如曝光裝置6d〜6i進入步驟s 170，以施 行描繪危險圖案確認處理。另一方面，對於判定不包含該 特性之曝光裝置，例如曝光裝置幻〜6n，則進入步驟g丨。 (F) 在步騾S170，利用以下之步騾8171至S174，對調整投 影透鏡後之曝光裝置6d〜6i，再施行描繪危險圖案確認處理 。在步驟S171，利用危險圖案抽出手段1〇e，依據元件圖案 記憶部13d所記憶之模擬結果等，由所模擬之元件圖案，抽 出危險圖案。又，利用座標值抽出手段1〇f抽出危險圖案座 払值。在步驟S172，利用座標系變換手段丨〇g將危險圖案座 標值之座標系變換成適合於測定裝置％之座標系而成為測 疋用座標系。利用座標值發送手段10h將其發送至測定裝置 7a。在步驟S173 ’利用測定裝置7a，以測定用座標系作為 86901 21 1269942 測足位置’利用調整投影透鏡後之曝光裝置6d〜6i，將危險 圖業投影在被曝光對象，以測定實際描繪之描繪危險圖案 之形狀。此與步驟S113相比，不同之點在於使用調整投影 透鏡後之曝光裝置6d〜6i。測定裝置7a之描續^危險圖案之形 狀^測足結果經由通訊網路3被發送至描繪危險圖案接收 手段1〇1。利用描繪危險圖案確認手段1〇j比較危險圖案記憶 邛13f所圯之危險圖案之形狀、與描繪危險圖案接收手段 1〇1所接收之描繪危險圖案之形狀，確認描繪危險圖案之形 狀與危險圖案之形狀是否一致。在步騾s丨74，使曝光裝置 6i中爲、會被確遇與危險圖案之形狀一致之描緣危險圖 案之开/狀之曝光裝置，例如曝光裝置6(1〜6[進入步驟81训而 被適用作為製品開展裝置群。另一方面，描繪不一致之描 繪危險圖案 < 形狀之曝光裝置，例如曝光裝置6g〜6n則進入 步驟S180。 (G)在步驟si80，施行執行曝光裝置6g〜6n之光近接效應 補正之光近接效應補正處理。利用光近接效應補正手段1 ，依據光近接效應補正量記憶部13j所記憶之光近接效應補 正量，更新最適曝光條件記憶部13e所記憶之曝光條件中之 曝光量及光罩偏置量等參數，施行光近接效應補正，藉以 改善描繪危險圖案之形狀。又，也可補正曝光裝置以〜611之 投影透鏡之數值孔徑NA及照明光學系統之相干因素σ等。 (Η)在步驟S190,利用以下之步騾S191&S192，再施行描 繪危險圖案確認處理。首先，利用曝光裝置6g〜6n&光近接 效應補正後之曝光條件，將晶圓上之光阻膜顯影後，曝光 86901 -22- 1269942 而形成元件圖案。而，在步騾S191，利用測定裝置7a等實 際測定形成之元件圖案中之描繪危險圖案之形狀。利用描 繪危險圖案確認手段1 Oj確認描繪危險圖案之形狀是否與 危險圖案之形狀一致。在步驟S 192，使曝光裝置gg〜6n中， 描输被確認與危險圖案之形狀一致之描績危險圖案之形狀 之曝光裝置5例如曝光裝置6g〜6i進入步驟S140而被適用作 為製品開展裝置群。另一方面，描繪與危險圖案之形狀不 一致之描繪危險圖案之形狀之曝光裝置，例如曝光裝置 6j〜6n則進入步驟S210。 (I) 在步驟S210 ’對光罩執行光近接效應補正。即，訂貨 並製造具有分別適合於曝光裝置6j〜6η之光近接效應補正 里而.交更光罩上之光罩圖案尺寸之「光近接效應補正光罩」 光近接效應補正光罩既可向外邵Ί丁貨由受訂單位製造， 也可在各工廠5a〜5η等製造。而後，將新製造之光近接效應 補正光罩裝定於曝光裝置6」·〜6ιι。 (J) 在步驟S220，利用以下之步驟S221&S222再實行描繪 危險圖案確認處理，首先，利用使用曝光裝置6】〜6^之光近 接效應補正光罩之曝光後，顯影而形成元件圖案。利用測 足裝置7a等實際測定形成之元件圖案中之料危險圖案之 形狀。在步騾S221，利用描繪危險圖案確認手段l〇j等確認 描緣危險圖|之形狀是否與危險圖案之形狀一致。在步驟 S222，使曝光裝置6」〜611中，描繪被確認與危險圖案之形^ 「致之描績危險圖案之形狀之曝光裝置，例如曝光裝置 6J〜61進入步騾S140而被適用作為分別裝定適合之光近接效 86901 -23- 1269942 應補正光罩之際之製品開展裝置群。另一方面，描績與危 險圖案之形狀不-致之騎危險圖案之形狀之曝光裝置，· 例如曝光裝置6m〜6n則進入步驟S23〇。 ' (K)在步驟S23〇，利用以下之步驟s23 i及⑶2，施行檢討 光罩又计規則本身之變更之代替圖案採用處理。 利用元件圖案假想手段1 On，模擬異於模擬手段_ b所模各疋之元件圖案之多數假想元件圖案。在步驟⑵2，， 利用代替圖案抽出手段1〇〇，抽出在步驟s22〇中形狀異於血 描績危險圖案不-致之危險圖案但具有同—機能之圖案，，、· 以作為「代替圖業」。所抽出之代替圖案被記憶於假想元件 圖案1己憶邵13k。例如，在步驟S220中，2條線之描緣危險. 圖末形狀與危險圖案不一致時，利用代替圖案抽出手段 抽出具有與此2條線之危險圖案同樣機能3條線之圖案等， 以作為代替圖案。而，利用電子束（EB)曝光裝置等之圖案 產生咨等，採用所抽出之代替圖案以取代2條線之危險圖案 ，而製作形狀異於初期光罩，但具有同一機能之「代替光籲 罩」。代替光罩既可在工廠5&〜511等製作，也可在受訂單位 製作。而後，返回步驟Sl2〇之裝置判定處理步騾，對分別 裝疋適合之代替光罩之曝光裝置6111〜611，重複執行作為製品 開展裝置之裝置判定處理、描繪危險圖案確認處理、…之 連串 <處理。進入步驟S140時，裝定適合之代替光罩之 曝光裝置，例如曝光裝置6111可適用作為製品開展裝置群。 另一万面，對於再度進入S142之曝光裝置，例如曝光裝置 6n，則再度重複施行代替圖案之採用處理、裝置判定處理 86901 -24 - 1269942 >依據本發明之實施形態之曝光裝置判定方法，<迅速且 令易地，.'充判疋光學的特性之微妙差異之多數（複數）曝光 裝置6a 6η疋否包含可適用作&製品開展裝置群之特性，故 可適用於製品開展（大量生產）。 又’利用任意時間及處理之重複次數，完成此曝光裝置 判足工序，在该時點被判定不能適用之曝光裝置，例如曝 光裝置6η也可列為不適用作為製品開展裝置群。 (投影透鏡之調整處理例〇 以下，步驟S150說明投影透鏡調整處理之一例。首先， 光罩具有描繪圖8所示之第丨圖案21之光罩圖案，顯示調整 曝光裝置6a<情形。第i圖案21係由互相同一形狀之左側圖 案21L、右側圖案siRi〗組所構成。2個圖案21；L、21R分別 具有互相相同尺寸之像寬wl、w2及像高hl、h2，被分別配 置於互相離開間隔r之位置。在步騾S121，利用光學系統誤 差資訊算出手段l〇a，算出對圖9所示之查涅克係數之第i圖 案21之敏感度，以作為光學系統誤差資訊。圖9之橫軸表示 查涅克係數，縱軸表示第1圖案之敏感度。如圖9所示，第J 圖案21對查涅克多項式中，表示波面像差之查涅克係數之 第7項（Z7)、第14項（Z14)及第23項（Z23)敏感。 利用投影透鏡調整值算出手段10]^，依據光學系統誤差之 資訊，算出可降低對應於查涅克係數之第7項、第14项及第 23項之像差之投影透鏡調整值。而，利用投影透鏡調整值 發送手段101將投影透鏡調整值發送至圖1所示之曝光裝置 86901 -25- 1269942 6a之光學系統誤差補正機構63a。光學系統誤差補正機構 63a依據所接收之投影透鏡調整值，調整曝光裝置6a之投影 透鏡。 圖10之橫軸表示查涅克係數，縱軸表示調整前之投影透 鏡之像差。圖11之橫軸表示查涅克係數，縱軸表示調整後 之投影透鏡之像差。如圖10及圖11所示，可降低對應於查 涅克係數之投影透鏡之像差。圖12之橫軸表示狹縫像高， 縱軸表示調整投影透鏡前後之曝光裝置所描繪之第1圖案 21之曝光狹缝内之左右差。第1圖案21之曝光狹縫内之像寬 wl、w2之左右差在投影透鏡調整前（菱形符號）最大值dl有 20 nm程度，在投影透鏡調整後（四角形符號）最大值d2降低 至10 nm程度。 (投影透鏡之調整處理例2) 其次，說明投影透鏡調整處理之另一例。光罩具有形成 第2圖案之光罩圖案，說明調整曝光裝置6b之情形。第2圖 案係由圖13(a)所示之孤立之縱向圖案22a、與圖13(b)所示之 相同於縱向圖案22a之形狀而互相直交之橫向圖案22b之1 組所構成。縱向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之像高h4 之尺寸互相相同。又，縱向圖案22a之像高h3及橫向圖案22b 之像寬w4之尺寸互相相同，為0.2 μπι程度。利用光學系統 誤差資訊算出手段10a，如圖14所示，算出各縱向圖案22a 之狹缝像高（橫向圖案22b之狹縫像寬）之投影透鏡之波面像 差。圖14之橫軸係表示縱向圖案22a之狹缝像高（橫向圖案 22b之狹缝像寬），縱軸係表示在投影透鏡調整前之投影透 86901 -26- 1269942 鏡之波面像差。如圖14所示，第2圖案22a、22b顯然對對應 於查涅克係數之第9項（Z9)與第12項（Z12)之交互作用因子 (Z9XZ12)之投影透鏡之像差敏感。 利用投影透鏡調整值算出手段l〇k，例如算出最適當地選 定之查涅克係數之第9項（Z9)與第12項（Z12)之比率之光學 系統誤差值，以作為投影透鏡調整值。而，利用投影透鏡 ^ 調整值發送手段101將所算出之投影透鏡調整值發送至圖1 ， 所示之曝光裝置6a之光學系統誤差補正機構63b。光學系統 誤差補正機構63b依據所接收之投影透鏡調整值，調整投影 透鏡。 圖15之橫軸係表示縱向圖案22a之狹缝像高（橫向圖案 - 22b之狹缝像寬），縱軸係表示在投影透鏡調整後之投影透 鏡之波面像差。如投影透鏡調整圖15所示，可降低投影透 鏡之像差。圖16之橫軸係表示縱向圖案22a之狹缝像高（橫向 圖案22b之狹缝像寬），縱軸係表示在投影透鏡調整前之縱 向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之像高h4之尺寸。圖17 φ 之橫軸係表示縱向圖案22a之狹缝像高（橫向圖案22b之狹缝 像寬），縱軸係表示在投影透鏡調整後之曝光裝置6b所描繪 之縱向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之像高h4之尺寸。 縱向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之像高h4之尺寸差如 圖16所示，在投影透鏡調整前最大值d3為20 nm程度，在經 過投影透鏡調整後，如圖17所示，最大值d4降低至5 nm程 度。圖18之橫軸係表示縱向圖案22a之狹缝像高（橫向圖案 22b之狹缝像寬），縱軸係表示在投影透鏡調整後，再調整 86901 -27- 1269942 照明不均時之曝光裝置6b所描繪之縱向圖案22a之像寬w3 及橫向圖案22b之像高h4之尺寸。如圖18所示，在投影透鏡 調整後，再調整照明不均時，縱向圖案22a之像寬w3及橫向 圖案22b之像高h4之尺寸差可進一步降低。又，投影透鏡調 整值係依據各新製品之設計方針加以決定，並無特別限定。 (半導體裝置之製造方法） 其次，參照圖19說明使用上述曝光裝置判定系統、曝光 裝置判定方法、曝光裝置判定程式之半導體裝置（LSI)之製 造方法。 本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法如圖19所示 ，係由步驟S100之設計工序、步驟S200之光罩製造及曝光 裝置判定工序、及步騾S300之晶片製造工序所構成。步驟 S200之光罩製造及曝光裝置判定工序除了光罩製造工序之 外，尚包含使用本發明之實施形態之曝光裝置判定系統、 曝光裝置判定方法、曝光裝置判定程式之曝光裝置判定工 序。步騾S300之晶片製造工序係由步驟S31〇之在矽晶圓上 形成％體電路之前工序（晶圓製程）、步驟S32〇之由切割至檢 查為止之後工序（裝配工序）所構成。以下，說明各工序之詳 細内容。 (A) 首先，在步驟81〇〇,實施製程光罩模擬。且由製程光 罩模擬之結果與輸人至各電極之電流及電壓之各值施行元 件模k利用此元件模擬所得之電的特性施行lsi之電路模 擬’以決定電路設計圖。 (B) 另方面，在步驟S110，利用預定使用於微影工序之 86901 -28- 1269942 多數曝光裝置，例如使用於圖2所示之曝光裝置6a〜6n，利 用具有像差測定用之測試圖案之光罩，將晶圓表面所塗敷 . 之光阻膜曝光後，顯影而在晶圓表面上分別形成像差測定 -用之光阻膜之評估圖案。而，利用SEM等之測定裝置&， 分別貫際測定在各曝光裝置6a〜6n實現之光阻膜之評估圖 案4形狀。其後，測定裝置7a之評估圖案之形狀之測定結 - 果經由通訊網路3被發送至判定伺服器2之光學系統誤差資 .· 訊算出手段10a。 (C)在步騾S200，利用以下之步騾（…〜(句執行光罩製造之參 及曝光裝置判定工序： Ο)首先，依據步驟si〇〇之設計工序所決定之電路設計圖 等之表面圖案，利用CAD系統，分別決定分別對應於半導 體晶片之各層、及内部構造之光罩之圖案資料（描繪光罩資 料）。再利用此光罩之圖案資料，利用電子束（EB)曝光裝置 等<圖案產生器，在石英玻璃等光罩基板上描繪對應於各 工序之光罩圖案，以製作光罩。 (b)其次，利用圖3所示之光學系統誤差資訊算出手段ι〇& ’使用步驟siio所得之測定結果算出多數曝光裝置6a〜6n< 相互炙光學系統誤差之資訊。而，利用模擬手段1〇b，依據 异出4光學系統誤差之資訊，模擬各曝光裝置所描繪之元 件圖案（參照圖5之步騾Si22)。利用裝置判定手段i〇c，依據 模铋< 70件圖案，複數的曝光裝置6a〜6n判定是否包含可適 用作為製品開展裝置群之特性。將被判定有包含可適用作 為製品開展裝置群之特性之曝光裝置，例如曝光裝置6a〜6e 86901 -29 - 1269942 使用於步騾S313a及S3l3b之微影工序。 (c) 另一方面，對被判定不包含可適用作為製品開展裝置 . 群之特性 < 曝光裝置64〜611，施行投影透鏡調整處理⑽6之_ 步知S 1 50)及光近接效應補正處理（圖7之步驟後，重複 判足是否包含可適用作為製品開展裝置群之特性，將被判 足有包3可適用作為製品開展裝置群之特性之曝光裝置，· 例如曝光裝置6d〜6f使用於步騾S313a&S313b之微影工序。·· (d) 另一方面，對經過投影透鏡調整及光近接效應補正後 仍被判定不能開展製品之曝光裝置6g〜6n，有光近接效應補_ 正光罩及採用代替圖案之代替光罩之製作要求時，分別製 作合週 < 光近接效應補正光罩及代替光罩（參照圖7之步驟 一)’、後對裝走光近接效應補正光罩及代替光罩之曝 光衣置6d 6n ’以圖5至圖7之流程所示之步驟判定是否包含 可通用作為製品開展裝置群之特性。將被判定有包含可適 用之特性之曝光裝置，❹曝光裝置6d〜6η使用於步驟 S313a及S313b之微影工序。 (D)其次，在步驟831〇&之前端工序（基板工序）中，重複實 v稣S3 11a之氧化工序、步驟8312&光阻膜塗敷工序、步 驟S3i3a之光微影工序、步驟削&之離子注人工序、及步 驟S315a之熱處理工序等。在步驟⑶〜中，利用在步驟8擔 用圖案產生器製作之光罩、及被裝置判定手段⑽判定可適 用作為製品開展裝置群之曝光裝置，例如曝光裝置&〜 ^進及反覆万式將半導體晶圓上之光阻膜曝光，並形成 圖衣。也可使用取代光罩而裝定代替光罩或光近接效應補 86901 -30- 1269942 正光罩之曝光裝置6g〜6n。當—連串之工序結束時，進入步 驟 S3 10b。 7 ,戊)，次/在步驟S3i〇b，執行對基板表面施行配線處理_ 之後端工序（表面配線工序）。在後端工序中，重複實施步驟 S311b<CVD工序、步騾S312b之光阻膜塗敷工序、步驟 S313b之光微影工序、步驟S314b之蝕刻工序、步騾μ〗％ · 之金屬沉積工序等。在步驟S313bt，利用在步驟s細用圖·· 案產生器製作之光罩、及被裝置判定手段1〇〇判定可適用作 為製品開展裝置群之曝光裝置，例如曝域t6a〜6f加以曝. 光，形成由光阻膜構成之蝕刻光罩。也可使用取代光罩而 裝疋光近接效應補正光罩或代替光罩之曝光裝置6g〜6n。當 一連率之工序結束時，進入步驟S32〇。 (F)田夕層配線構造完成，前工序完畢時，在步騾Μ， 利用鑽石刀片等切割裝置，分割成特定之晶片大小。而後 ’被安裝於金屬4陶资等封裝材津牛，以金線連接晶片上之 私極塾與導線架之導線後，實施樹脂封裝等所需之封裝裝 配之工序。 擊 ⑹在步驟S400，、經過有關半導體裝置之性能•機能之特 性檢查、導線形狀•尺寸狀態、可靠性試驗等特定之檢查’ 後，半導體裝置即告完成。在步驟85〇〇，對經過以上工序 2 =半導體裝置施以保護用包裝，使其免於受到水分、靜 電等之侵入後，即可順利出貨。 依據本發明之實施㈣之半導體裝置之製造方法，可在 步既8313&及83133之微影工序中迅速地選擇可開展製品之 86901 -31- 1269942 曝光裝置6a〜6n，故可避免良率之降低’降低生產成本，並 在短時間達成量產。 (曝光裝置判定程式） — 其次，說明本發明之實施形態之曝光裝置判定程式之執 行指令之詳細内容。 本發明之實施形態之曝光裝置判定程式係包含：（A)分別 《 算出多數曝光裝置6a〜6n之相互之光學系統誤差之資訊之 .· 指令；（B)依據分別記憶於光學系統誤差資訊記憶部13&、 微影條件記憶部l3b、裝置品質管理資訊記憶部13卜及CAD · 記憶邵14a之光學系統誤差資訊、微影條件、裝置品質管理 貧訊及CAD資料，模擬多數曝光裝置以〜611所描繪之元件圖 案I指令；（C)依據模擬手段10b模擬之元件圖案，就多數 曝光裝置6a〜6n，分別判定是否包含可適用作為製品開展裝 置群之特性之指令；（D)抽出最適合於模擬手段丨仙模擬之 兀件圖案之曝光條件之指令；（E)從模擬手段1〇b模擬之元 件圖案中抽出危險圖案之指令；（F)&CAD記憶部14a所記憶 · 4CAD資料中抽出危險圖案座標值之指令；（⑺將危險圖案 抽出手段10e抽出之危險圖案座標值變換成測定用座標值 之指令；（H)將座標變換手段1〇g所求得之測定用座標值， 經由通訊網路3發送至被通訊χ / F丨8連接之測定裝置7 &之指 令，·（Ι)經由通訊網路3接收測定裝置7a所測定之描繪危險圖 案之形狀之測定結果之指令；（J)比較描緣危險圖案接收手 段i〇i所接收之料危險W案之㈣與危險圖#記憶部13f 所記憶之危險圖案之形&，確認描繪危險圖案之形狀是否 86901 -32- 1269942 疋否與危險圖案之形狀一致之指令；依據光學系統誤差 資訊算出手段10a所算出之光學系統誤差之資訊，分別算出 曝光裝置6a〜6n之投影透鏡調整值之指令；將投影透鏡調 整值算出手段l〇k所算出之投影透鏡之調整值，經由圖2所 不义通訊網路3發送至對應之各曝光裝置6a、6b、6c..... 6n之光學系統誤差補正機構63a、63b、63c、…、63η之指 令，（Μ)依據危險圖案之形狀及光近接效應補正量執行光近 接效應補正之指令；（Ν)模擬形狀異於模擬手段1 〇b模擬之 元件圖案之多數假想元件圖案之指令；（〇)由假想元件圖案 中抽出形狀異於危險圖案，但具有同一機能之圖案，以作 為代替圖案之指令等。 以上之曝光裝置判定程式可記憶於裝置判定程式記憶部 12等之電腦可讀取式記憶媒體中。將此記憶媒體讀入圖3所 π CPU10等電腦系統，利用執行曝光裝置判定程式而控制 電腦時，即可實現上述之曝光裝置判定系統。 (其他實施形態） 如上所述，本發明雖透過實施形態加以記載，但本發明 不應受到構成在此所揭示之一部分之論述及圖式所限制。 同業業者顯然可由此揭示中獲悉種種代替之實施形態、實 施例及判定技術。 在已述之本發明之實施形態中，雖提及第丨〜第η(多數）工 廠5a〜5η，但連接於通訊網路3之工廠數並無特別限定，且 設置於各工廠5a〜5η之曝光裝置數及配置關係也無特別限 足。另外，设置於各工廠5a〜5η之測定裝置數及配置關係也 86901 -33- 1269942 無特別限定。 又在本發明之實施形態中，裝置判定伺服器2雖設置於 本部1，但只要連接於通訊網路3，其設置場所並無特別限 疋，例如設置於第i工廠5a或第2工廠5b内等均無妨。 如此，本發明當然包含在此未及記載之各種實施形態等 口此本發明之技術的範圍僅由上述之說明，依據妥當 义申請專利範圍之發明特定事項加以決定。 【發明之效果】 如上所述，依據本發明，可提供可迅速且容易地判定多 數曝光裝置是否包含可適用作為製品開展裝置群之特性， 並判疋可適用於製品開展之曝光裝置之曝光裝置判定系 統、曝光裝置判定方法、曝光裝置判定程式及使用此等之 半導體裝置之製造方法。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態之曝光裝置判定系統之構 成之區塊圖（其一）。 圖2係表示本發明之實施形態之曝光裝置判定系統之構 成之區塊圖（其二）。 圖3係表示本發明之實施形態之曝光裝置判定系統之裝 置判定伺服器2之構成之區塊圖。 圖4係表示本發明之實施形態之曝光裝置判定系統之第1 工廠之構成之區塊圖。 圖5係說明本發明之實施形態之曝光裝置判定方法之流 程圖（其一）。 86901 -34- 1269942 之曝光裝置判定方法之流 之曝光裝置判定方法之流 圖6係說明本發明之實施形態 程圖（其二）。 圖7係說明本發明之實施形態 考呈圖（其三）。 1之弟1圖案之平面圖。 調整例1之查涅克係數之第 圖8係表示投影透鏡之調整例1之第 圖9係表示對應於投影透鏡之調整 1圖案之敏感度之圖。 固1 〇係表示對應於投影透鏡之調整例1之查涅克係數之 碉整前之投影透鏡之像差之圖。 圖11係表示對應於投影透鏡之調整例丨之查涅克係數之 "周整後之投影透鏡之像差之圖。 圖12係表示投影透鏡之調整例丨之投影透鏡之調整前（菱 形）及調整後（四角）之曝光裝置所描繪之第1圖案之左右差 之圖。 圖13(a)(b)係表示投影透鏡之調整例2之第2圖案之平面 圖。 圖14係表示投影透鏡之調整例2之投影透鏡之調整前之 曝光裝置所描繪之第2圖案之Z9、Z12像高（像寬）之圖。 圖15係表示投影透鏡之調整例2之投影透鏡之調整後之 曝光裝置所描繪之第2圖案之Z9、Z12像高（像寬）之圖。 圖16係表示投影透鏡之調整例2之投影透鏡之調整前之 曝光裝置所描繪之縱向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之 像高h4之尺寸（CD)之圖。 圖17係表示投影透鏡之調整例2之投影透鏡之調整後之 86901 -35- 1269942 曝光裝置所描繪之縱向圖案22a之像寬w3及橫向圖案22b之 像高h4之尺寸（CD)之圖。 圖18係表示投影透鏡之調整例2之投影透鏡之調整後，再 调整照明不均時之曝光裝置所描繪之縱向圖案22a之像寬 w3及橫向圖案22b之像高h4之尺寸（CD)之圖。 圖19係說明本發明之實施形態之半導體裝置之製造工序 之流程圖。 【圖式代表符號說明】 1 本部 2裝置判走伺服器 3通訊網路 5a〜5n(第1〜第n)工廠 6a〜6n曝光裝置 7a測定裝置 1 〇中央處理控制裝置（cpu) 1 Oa光學系統誤差資訊算出手段 l〇b模擬手段 l〇c裝置判定手段 1 〇d曝光條件抽出手段 l〇e危險圖案抽出手段 1 of座標值抽出手段 l〇g座標系變換手段 1 Oh座標值發送手段 l〇i描繪危險圖案接收手段 86901 1269942 10 j描繪危險圖案確認手段 l〇k投影透鏡調整值算出手段 101投影透鏡調整值發送手段 10m光近接效應補正手段 10η元件圖案假想手段 10〇代替圖案抽出手段 12裝置判定程式記憶部 13裝置管理資料庫 13 a光學系統誤差資訊記憶部 13b微影條件記憶部 13c光近接效應特性資訊記憶部 13d元件圖案記憶部 13e最適曝光條件記憶部 13f危險圖案記憶部 13g座標值記憶部 13h測定用座標值記憶部 13i投影透鏡調整值記憶部 13j光近接效應補正量記憶部 13k假想元件圖案記憶部 131裝置品質管理資訊記憶部 14光罩設計資訊資料庫 14a CAD記憶部 15輸入裝置 16輸出裝置 -37- 86901 1269942 17暫時記憶裝置 18通訊介面（通訊I/F) 21第1圖案 21L第1圖案（左側） 21R第1圖案（右側） 22a第2圖案（縱向） 22b第2圖案（橫向） 61a〜61η通訊介面（通訊I/F) 62a〜62η收發手段 63a〜63η光學系統誤差補正機構 6 4 a〜6 4η曝光部 71通訊介面（通訊I/F) 72收發手段 73測定部 wl〜w4像寬 hi〜h4像高 r空間寬 dl、d2左右差（左右差之最大值） d3〜d5尺寸差（尺寸差之最大值） -38- 86901

Claims (1)

1269^4^21376號專利申請案 請專利範圍替換本(95年4月） ·::「一 一 -…一 、 g ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ \ * .........〆〜,,.·.,. *....., „—Μ—„,,_ ,·.....· 1 · 一種曝光裝置判定系統，其特徵在於具備： 光學系統誤差資訊算出手段，其係算出多數曝光裝置 相互之光學系統誤差資訊者； 杈擬手段，其係依據前述資訊，模擬各前述曝光裝置 所描繪之元件圖案者；及 裝置判定手段，其係依據前述被模擬之元件圖案，對 於前述多數曝光裝置之各個判定是否具有可適用作為 製品開展裝置群之特性者。 2.如申請專利範圍第！項之曝光裝置判定系統，其中進一步 具備： 危險圖案抽出手段，其係從前述被模擬之元件圖案中 ’抽出前述多數曝光裝置各個曝光裕度小之圖案作為危 險圖案者；及 4描繪危險圖案確認手段，其係在前述各曝光裝置比較 則述危險圖案之形狀及將前述危㉟圖案投影於被曝光 對象而實際描繪之描繪危險圖案之形狀者。 3·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置判定系統，其中進一步 具備··投影透鏡調整值算出手段，其係依據前述資訊， 依照前述各曝光裝置算出投影透鏡之調整值者。 4· 2申請專利範圍第2項之曝光裝置判H统，其中進一步 ' 光予近接效應補正手段，其係依據前述危險圖案 之形狀’執行光學近接效應補正者。 5·如申請專利範圍第2項之曝光裝置判定系統，其中進一步 86901-950425.doc J269942 具備： 元件圖木假想手段，其係模擬前述元件圖案與形狀不 同之多數假想元件圖案者；及 代曰圖案抽出手段，其係從前述假想元件圖案中，抽 出前述危險圖案與形狀不同且具有同一機能之代替圖 案者。 6.如申請專利範圍第2項之曝光裝置判定系統，其中 前述資訊係前述多數曝光裝置之前述投影透鏡之像 羞（相異所引起之誤差及照明光學系統之相異所引起 之誤差之資訊。 7· /種曝光裝置判定方法，其特徵在於具備： 算出多數曝光裝置相互之光學系統誤差資訊之工序； 依據前述資訊，模擬前述各曝光裝置所描緣之元件圖 案之工序；及 依據則述被模擬之元件圖案，對於前述多數曝光裝置 之各個判足是否具有可適用作為製品開展裝置群之特 性之工序。 8.如申請專利範團第7項之曝光裝置判定方法，其中進一步 具備： 前述被模擬之元件圖案中，抽出曝光裕度小之圖案作 為危險圖案之工序； 在則述各曝光裝置將前述危險圖案投影於被曝光對 象而描 '會，以取得描緣危險圖案之工序； 測足前述描緣危險圖案之形狀之工序；及 86901-950425.doc 1^69942 比較前述危險圖案 & 狀之工序 形狀與則述描繪危險圖案之形 如申睛專利範圍第7 曝先裝置判疋方法，其中進-步 、備·依據前述資訊，依昭 於、、 依…、則述各曝光裝置算出投影透 氣< _整值之工序。 •如申请專利範圍第8項之暖 目 、 不男 < 曝先裝置判定方法，其中進一步 /、備·依據前述危降圖安 a v ^ ^ 則述各曝光裝置補正光學近 接效應之工序。 u·如中請專利範圍第8項之曝光裝置判定方法，其中進一步 包含： 、模擬則述元件圖案與形狀不同之多數假想元件圖案 之工序，及 從則述假想TG件圖案中，抽出前述危險圖案與形狀不 同且具有同一機能之代替圖案之工序。 I2·如申請專利範園第7項之曝光裝置判定方法，其中 削述S訊係前述多數曝光裝置之前述投影透鏡之像 差之相異所引起之誤差及照明光學系統之相異所引起 之誤差之資訊。 13. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有一曝光裝置判定 程式，該程式之特徵在於使電腦執行下列指令： 算出多數曝光裝置相互之光學系統誤差資訊之指令； 依據前述資訊，模擬各前述曝光裝置所描繪之元件圖 案之指令；及 依據前述被模擬之元件圖案，對於前述多數曝光裝置 86901-950425.doc _3. 1269942 之各個判定是否具有可適用作 性之指令。 開展裝置群之特 14. -種半導體裝置之製造方法，其特徵在於 決定元件圖案之佈局之工序； 、/、请· 依據前述被決定之佈局製作多數光罩之工序； 按照下列步驟·算出多數曝 .致曝先裳置相互之光學系統誤 爰資訊之步.驟；依據前述資 1 ’挺擬前述各曝光裝置所 描繪之元件圖案之步驟；依 蘇則述被模擬之元件圖案， 對於前述多數曝光裝置之各個判定是否具有可適用作 為u展裳置群《特性之步驟；就前述多數曝光裝置 ’分別判定是否具有可適用作為製品開展裝置群之特性 之工序；及 、在被判定為具有前料性之曝光裝置使用前述多數 光罩之各個’使半導體晶圓上之光阻膜曝光之工序。 86901-950425.doc