JPH08334888A - マスクパターンデータ検査装置、及びマスクパターンデータ最適設計装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】所望するデバイス構造を得るためのマスクパタ
ーンの検図、及びマスクパターンの最適設計方法および
装置を提供する。 【構成】設計パターンデータをマスクパターンファイル
ｆ２から処理手段ｓ12で読み込み，投影像計算，その後
の加工プロセスのシミュレーション等を行ってデバイス
の加工後平面形状を処理手段１で予測し、処理手段ｓ２
で、パターンの許容面積範囲，パターンの許容寸法範
囲，パターン間の許容距離範囲、及び層間のパターンの
合わせ余裕等で表現された所望するデバイスの構造のデ
ータからなるデバイス構造ルールファイル１のルールを
用いてルール違反個所を抽出し、ルール違反個所の表示
を処理手段ｓ３で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等におけ
るマスクパターンデータ検査装置、及びマスクパターン
最適設計装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路等で要求されるパ
ターンは微細になり、形成に用いられる光リソグラフィ
技術の解像限界寸法に近くなっている。このため、設計
者が所望する形状をマスクパターンとした場合であって
も、投影像形状と大きく異なることが多くなっている。

【０００３】このような状況下で、光リソグラフィ装置
で得られるマスクパターン投影像（もしくはレジスト形
状）を設計者が入力したマスクパターン形状に近付ける
ようにマスクパターンを変形して最適化する手法が最近
盛んに研究されている。例えば、文献プロシーディング
ズ オブ エスピーアイイー ２１９７巻 ２７８頁(P
roc of SPIE (San Jose) Optical／Lase Microlithgrap
y VII (１９９４)vol.２１９７ p.２７８)にあるよう
に、パターン端の角度や対向長等の条件付きの補正ルー
ルのデータベースを用い、設計マスクパターンを補正す
る手法が記載されている。

【０００４】また、上記予稿集の３４８頁には、入力パ
ターンから加工されるレジスト形状を予測し、予測した
レジスト形状が入力パターンに近くなるように入力パタ
ーンを最適化する手法が記載されている。

【０００５】さらに、マスクパターンデータの検図で
は、産業図書 ＭＯＳ ＬＳＩ設計入門（昭和５９年）
のｐ．２１２〜２１４にあるように、従来、設計された
パターンデータについて幾何学的設計ルールを満たして
いるか否かを検図していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記、Proc of SPIE
(San Jose）の二つの文献に記載されているいずれの従
来技術も、設計者が入力したマスクパターンに忠実な投
影像もしくはレジスト形状を得るように補正を行ってい
る。しかし、形成されるデバイスでは、設計されたマス
クパターンに忠実である必要のない部分もある。

【０００７】例えば図２に示すように、投影光学装置の
解像限界付近の寸法幅で設計されたゲートパターン１１
と、拡散パターン１０を考える。ここで、デバイス機能
上重要となるのは、拡散パターン１０とゲートパターン
１１が重なる部分のチャネル長１２とチャネル幅１３、
及びゲートパターン１１が拡散パターン１０を二分して
いること、すなわち、拡散パターン１０端から出るゲー
トパターン１１の長さ１４である。ゲートパターン寸法
が解像限界付近のために端の角部１５の形状が丸くなっ
てしまうことが考えられるが、デバイス機能上は角部１
５を直角とする必要はない。

【０００８】ところが、従来技術のように入力マスクパ
ターン形状を理想形状として補正を行った場合には、図
３に示すように、角部に余分なパターン１６を発生させ
てしまう。このようなデバイス構造上問題のない部分を
補正する手法は、時間がかかるばかりでなく、さらにこ
のような重要でない部分の形状の最適化のために重要な
部分が犠牲になる可能性がある。

【０００９】また、マスクパターンデータの検図では、
設計パターンデータの幾何学的設計ルールでの検図を行
っている。これは、マスクパターンと前記マスクパター
ンから得られる投影像の輪郭とがほぼ同じ形になる寸法
領域で有効であった。しかし、解像限界近くの寸法では
マスクパターン形状と投影像が大きく異なる場合があ
る。このため、設計パターンデータでの検図結果が、形
成されるデバイスに有効でない場合がある。

【００１０】本発明の課題は、設計マスクパターンをデ
バイス構造上重要な部分を抽出して最適化するように補
正することにある。また、本発明のもう一つの課題は形
成されるデバイス形状の予測結果を用いて検図を行うこ
とにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、所望する
デバイス構造の特徴を表すルール（デバイス構造ルー
ル）を満たすように設計パターンを補正する手段を導入
することにより達成される。

【００１２】また、上記のもう一つの課題は、形成され
るデバイス形状の予測結果が前記デバイス構造ルールを
満たすか否かの判断を行う検図手段を設けることにより
達成される。

【００１３】

【作用】設計マスクパターンで求めた予測デバイス構造
とデバイス構造ルールを用いてマスクパターンデータを
検図または最適化する場合の作用を、図１を用いて説明
する。

【００１４】デバイス構造ファイルｆ１には、所望する
デバイスの機能上必要なパターンの許容面積範囲，パタ
ーンの許容寸法範囲，パターン間の許容距離範囲、及び
層間のパターンの合わせ余裕で表現されたデバイス構造
ルールを格納する。

【００１５】デバイス構造予測手段ｓ１は、設計マスク
パターンデータファイルｆ２から読み込んだパターンデ
ータを用いて投影像計算またはその後の加工プロセスの
シミュレーション等を行ってデバイスの加工後平面形状
を予測する。マスクパターンデータの検証手段ｓ２で
は、設計マスクパターンデータではなく、予測デバイス
構造上でデバイス構造ルールファイルｆ１のルール違反
個所を抽出する。マスクパターンデータの検図を行う場
合では、抽出されたルール違反個所の表示（処理手段ｓ
３）を行って終了する。すなわち、本発明のマスクパタ
ーンデータ検査装置では、予測デバイス構造上で所望デ
バイス構造が得られるか否かのチェックを行う。

【００１６】マスクパターンの最適設計を行う場合は、
上記手順の違反個所の表示後、パターンデータの変形手
段ｓ４で予測デバイス構造上のルール違反個所とその近
傍に対応する設計マスクパターン上の部分を変形・補正
する。変形・補正したマスクパターンデータを用いて再
びデバイス構造の予測を行い、予測デバイス構造にデバ
イス構造ルール違反個所がなくなるまで、処理手段ｓ１
〜ｓ４を繰り返す。すなわち、本発明の最適設計装置で
は、初期の設計マスクパターン形状に忠実な投影像を得
られるようにマスクパターンデータを最適化するのでな
く、所望デバイス構造の機能をルール化したデバイス構
造ルールを満たす投影像を得られるようにマスクパター
ンデータを最適化する。

【００１７】

【実施例】

（実施例１）実施例１では、デバイス構造ルールを用い
て設計マスクパターンデータを検図する場合について、
図４に示す設計マスクパターン例と図１０に示すフロー
に従って述べる。

【００１８】図４に示すように拡散パターンｐＬ１,ｐ
Ｌ２，ゲートパターンｐＧ１,ｐＧ２，配線パターンｐ
Ｍ１，ｐＭ２，ｐＭ３，コンタクトパターンｐＣ１〜ｐ
Ｃ８を設計した。

【００１９】図４のマスクパターンを用いた場合に製造
されるデバイス構造を、投影像計算結果から得られる等
高線と、実際のパターン露光以降のプロセスでの寸法シ
フトデータとにより予測した。まず、処理手段ｓ５で拡
散層，ゲート層，配線層，コンタクト層の各層別々に投
影像計算を行い、投影像分布の強度０.３ の等高線形状
ｉＬ１，ｉＬ２，ｉＧ１，ｉＧ２，ｉＭ１〜ｉＭ３，ｉ
Ｃ１〜ｉＣ８を求めた（図７）。０.３ の強度を選んだ
理由は、ここで用いるレジストの性能や現像条件下で
は、レジストパターン形状が投影像光強度分布等高線の
０.３ のレベルで定義される形状とほぼ一致するからで
ある。

【００２０】次に、ファイルｆ３の各層の加工後の寸法
シフト量分だけ、図７の投影像等高線を拡大・縮小し、
予測デバイス構造とした。その結果、図２０のような予
測デバイス構造ｄＬ１，ｄＬ２，ｄＧ１，ｄＧ２，ｄＭ
１〜ｄＭ３，ｄＣ１〜ｄＣ８を得た。ここで、図２０の
予測拡散パターンｄＬ１，ｄＬ２が図７の投影像拡散パ
ターンｉＬ１，ｉＬ２より外に広がっているのは、ファ
イルｆ３にある拡散層の寸法シフト量が横方向不純物拡
散幅に対応して大きいためである。図２０の予測デバイ
ス構造を用い、デバイス構造ルールに基づいたチェック
を行った。

【００２１】デバイス構造ルールは、以下に示すような
単層ルール及び層間ルールの項目の値がファイルｆ１に
入っていた。

【００２２】１．単層ルール （１−１）拡散パターン間の最小間隔（図５（ａ）の領
域２１） （１−２）ゲートパターンのチャネル長の許容値範囲
(図５（ｂ）の領域２２) （１−３）ゲートパターン間の最小間隔（図５（ｃ）の
領域２３） （１−４）配線パターンの幅の許容値範囲（図５（ｄ）
の領域２４） （１−５）配線パターン間の最小間隔（図５（ｅ）の領
域２５） （１−６）異なるソース・ドレインにつながるコンタク
トパターンの最小間隔（図５（ｆ）の領域２６） （１−７）同じソース・ドレインにつながるコンタクト
パターンの合計面積 ２．層間ルール （２−１）拡散パターン端から出るゲートパターンの合
わせ余裕寸法の最小値（図６（ａ）の領域２７） （２−２）拡散パターンとコンタクトパターンの合わせ
余裕の最小間隔（図６（ｂ）の領域２８） （２−３）配線パターンとコンタクトパターンの合わせ
余裕の最小間隔（図６（ｃ）の領域２９） （２−４）ゲートパターンとコンタクトパターンの合わ
せ余裕の最小間隔（図６（ｄ）の領域３０） ここで、デバイス構造予測時に加工プロセスの寸法シフ
ト量は考慮しているので、層間ルールの合わせ余裕寸法
はリソグラフィ装置の合わせ精度となる。

【００２３】このルールによる予測デバイス構造（図２
０）のルールチェックを行った結果、以下に示す違反個
所を見出した。

【００２４】拡散層については、拡散工程での不純物横
方向拡散のため予測拡散パターンｄＬ１，ｄＬ２が設計
拡散パターンｐＬ１，ｐＬ２より大きく広がるので、予
測拡散パターンｄＬ１とｄＬ２の中央部３１で露光装置
の収差等を考慮した時に必要な余裕のルール（１−１）
に違反している（図８（ａ））。

【００２５】予測ゲートパターンｄＧ１やｄＧ２のチャ
ネル領域における幅は拡散層端部で細りが出ており、ゲ
ート幅の許容値ルール（１−２）をはずれていた（図８
(ｂ)の３２）。図４における設計マスクパターンでは、
ゲートパターンｐＧ１とpG2間隔は、デバイス構造ルー
ル（１−３）よりも狭い間隔で設計されていた。しか
し、予測ゲートパターンｄＧ１，ｄＧ２では、ルールを
満たしているので、ルール違反個所として抽出しなかっ
た。

【００２６】予測配線パターンｄＭ１，ｄＭ２，ｄＭ３
については、いずれも幅の許容値範囲ルール（１−４）
を満たし、パターン間相互の最小間隔ルール（１−５）
にも違反していなかった。

【００２７】予測コンタクトパターンｄＣ１〜ｄＣ８で
は、異なるソース・ドレインにつながるコンタクトパタ
ーンの最小間隔ルール（１−６）を満たしていた。同じ
配線につながるコンタクトパターンの最小間隔はデバイ
ス構造ルールにないので、図２０で設計パターンよりも
接近してた予測コンタクトパターンとなっているがルー
ル違反個所として抽出しなかった。但し、それぞれの同
じソース・ドレインにつながるコンタクトの合計面積
（ｄＣ１とｄＣ２の合計面積，ｄＣ３とｄＣ４の合計面
積，ｄＣ５とｄＣ６の合計面積，ｄＣ７とｄＣ８の合計
面積）が面積許容値ルール（１−７）を外れて小さくな
っており、違反個所として抽出した。

【００２８】次に、層間のルールチェックを行った。予
測拡散パターンｄＬ１，ｄＬ２と予測ゲートパターンｄ
Ｇ１，ｄＧ２の合わせ余裕寸法ルール（２−１）のチェ
ックを行った。図９（ａ）３３に示すように、露光装置
の合わせずれが生じた場合に拡散層のソース・ドレイン
がつながる可能性があるので、層間ルールチェックで抽
出された。

【００２９】予測拡散パターンｄＬ１，ｄＬ２と予測コ
ンタクトパターンｄＣ１〜ｄＣ８の合わせ余裕は最小間
隔ルール（２−２）を満たしていた。

【００３０】予測配線パターンｄＭ１，ｄＭ２，ｄＭ３
と予測コンタクトパターンｄＣ１〜ｄＣ８までの最小間
隔は、図９（ｂ）３４の領域で合わせ余裕ルール（２−
３）に違反していた。また、図９（ｂ）３５の領域で
は、合わせ余裕（２−３）の値より２割以上余裕があっ
たので、余裕個所として抽出した。

【００３１】また、予測ゲートパターンｄＧ１，ｄＧ２
と予測コンタクトパターンｄＣ１〜ｄＣ８の最小間隔は
合わせ余裕ルール（２−４）を満たしていた。

【００３２】以上のチェック結果を、処理手段ｓ９によ
り、図１８のように （１）設計パターンｐＣ１〜ｐＣ８，ｐＧ１，ｐＧ２，
ｐＬ１，ｐＬ２，ｐＭ１〜ｐＭ３ （２）予測デバイス構造ｄＣ１〜ｄＣ８，ｄＧ１，ｄＧ
２，ｄＬ１，ｄＬ２，ｄＭ１〜ｄＭ３ （３）予測デバイス構造のデバイス構造ルール違反個所
３６ （４）予測デバイス構造の余裕個所３７ を同時に表示した。また、図２３のように、予測デバイ
ス構造のデバイス構造ルール違反個所に対応する設計マ
スクパターン上の点を×、余裕個所に対応する点を○と
して、設計マスクパターンｐＣ１〜ｐＣ８，ｐＧ１，ｐ
Ｇ２，ｐＬ１，ｐＬ２，ｐＭ１〜ｐＭ３と同時に表示し
た。

【００３３】設計マスクパターンデータを用いたパター
ンルールチェックの代わりに予測デバイス構造を用いた
デバイス構造ルールチェックを行ったことにより、デバ
イス性能や回路性能に影響する部分のパターンの検図が
行えた。

【００３４】図１８，図２３の表示を参考にして、抽出
されたルール違反個所がデバイス構造ルールを満たすよ
うに、人手でマスクパターンデータの修正を行った。こ
こで、得られた修正後のマスクパターンを用いてデバイ
スを作成した所、所望のデバイスを得ることができた。

【００３５】（実施例２）実施例２では、実施例１と同
様の予測パターンによる検図を広い領域を対象に行う場
合について、図１９に示すフローで行った。

【００３６】実施例１では、デバイス形状の予測を投影
像計算と寸法シフト量分の拡大・縮小により求めたが、
チップ全体のパターンを対象とすると膨大な時間がかか
る。

【００３７】そこで、予めいくつかの寸法のパターンを
抽出し（図１９の処理手段ｓ１０）、その投影像計算を
行って予測レジスト形状ファイルｆ４に登録しておき、
このファイルｆ４を参照して広領域のパターンのレジス
ト形状を予測した。さらに、各加工工程における寸法シ
フト量はデバイス構造ルールファイルｆ１中の各層／各
層間ルールに含め、予測されたレジストパターン形状を
ファイルｆ１のルールを用いて検図した。

【００３８】まず、設計マスクパターンから、投影像形
状が設計値から大きくかけ離れた結果となる寸法領域の
パターンを抜き出した。すなわち、用いた光学装置の解
像限界寸法が０.４μｍ、設計パターンからかけ離れた
結果となる寸法が０.７μｍだったので、以下のような
パターンを抽出した。

【００３９】（１）長短辺ともに０.７μｍ以下の寸法
のパターンで、周囲の０.４μｍ以下の範囲内に他のパ
ターンがない場合（図１１（ａ),（ｂ）） （２）短辺が０.７μｍ以下、長辺が０.７μｍ以上の寸
法のパターンで、周囲の０.４μｍ以下の範囲内に他の
パターンがない場合（図１２（ａ)，(ｂ）) （３）長短辺ともに０.７μｍ以下の寸法のパターン同
志が０.４μｍ以下の距離で隣接している場合（図１３
（ａ),（ｂ）） （４）長短辺ともに０.７μｍ以下の寸法のパターン
が、０.４μｍ以下の距離で、短辺が０.７μｍ以下、長
辺が０.７μｍ以上の寸法のパターンと隣接している場
合（図１４（ａ),（ｂ),（ｃ）） （５）長短辺ともに０.７μｍ以下の寸法のパターン
が、０.４μｍ以下の距離で、長短辺とも０.７μｍ以上
の寸法のパターンと隣接している場合（図１５（ａ),
（ｂ）） （６）短辺が０.７μｍ以下、長辺が０.７μｍ以上の寸
法のパターン同志が、互いに０.４μｍ以下の距離で隣
接している場合(図１６(ａ),（ｂ),（ｃ）) （７）長短辺ともに０.７μｍ以上の寸法のパターン同
志が０.４μｍ以下の距離で隣接している場合（図１
７） 以上の場合のパターンを抽出して投影像計算を行い、光
強度０.３ の等高線を予測レジスト形状ファイルｆ４に
登録した（処理手段ｓ５）。

【００４０】次に、全チップのパターンのデバイス構造
予測手段ｓ１１で、チップ全体等の広い領域にあるパタ
ーンについてテーブルを参照して予測レジスト形状を求
めた。ファイルｆ４に登録された以外のパターンについ
ては、設計マスクパターンをそのままレジスト形状とし
た。求められた予測レジスト形状について、実施例１と
同様に、デバイス構造ルールファイルｆ１の単層ルール
及び層間ルールのチェックを行った（処理手段ｓ２）。
但し、ここで用いたデバイス構造ルールには、リソグラ
フィ工程後の加工による寸法シフト量を加味したルール
値が格納されている。

【００４１】デバイス構造ルールによる検図の結果、層
間ルールに違反して、拡散パターン端から出るゲートパ
ターンの合わせ余裕が足らないトランジスタを指摘する
ことができ、違反個所の表示手段ｓ３で表示することが
できた。

【００４２】違反個所の表示を参考にしながら、指摘個
所のマスクパターンの修正を人手で行い、得られたマス
クパターンを用いてチップを作成した所、所望の機能の
デバイスを得ることができた。

【００４３】（実施例３）実施例３では、予測デバイス
構造形状がデバイス構造ルールを満たすように設計マス
クパターンデータを最適化する場合について述べる。

【００４４】実施例１の予測デバイス形状を用いたマス
クパターンデータの検図でルール違反としてチェックさ
れた個所について、図２１のフローで最適化を行った。

【００４５】実施例１と同じ処理手段ｓ１２，ｓ１，ｓ
２，ｓ３で求められた予測デバイス構造のルール違反個
所について、対応する設計パターン上の個所の抽出を処
理手段ｓ１３で行う。例えば図２２のように、予測デバ
イス構造上のルール違反個所を表す点列５１〜５５，点
列６２〜６５，点列５５〜６２，点列５５・６６・６２
に対して、最も近い設計パターン上の線分７０・７１，
線分７４・７５，線分７１・７２・７３・７４，線分７
１・７４を求める。さらに、この線分付近の光強度に影
響する範囲８０をとり、この範囲８０内の設計パターン
の座標７６〜７９を加えて、点７０〜７９を設計変更範
囲とする。

【００４６】点７０〜７９の座標もしくは点７０〜７９
の表す線分上に新たに置いた点の座標を動かし、設計パ
ターン形状を変形する（図２１の処理手段ｓ１４）。変
更したマスクパターンで、処理手段ｓ１，ｓ２，ｓ３，
ｓ１３，ｓ１４をルール違反個所がなくなるまで繰り返
す。

【００４７】その結果、デバイス構造ルールを満たすマ
スクパターンを自動的に得ることができ、これを用いて
作成したデバイスは所望の機能を満たしていた。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、設計マスクパターンか
らかけ離れた投影像となるような微細なパターン寸法領
域でも、所望するデバイス構造を得るためのマスクパタ
ーンの検図が行える。また、マスクパターンの最適化で
は、所望デバイス構造上重要な部分を中心に最適化する
ので、最適化処理時間が短くて済む。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の概要を示すフローチャー
ト。

【図２】拡散パターンとゲートパターンの説明図。

【図３】角部の形状を従来方法による最適化を行ったゲ
ートパターンの説明図。

【図４】実施例１で用いた設計マスクパターンの説明
図。

【図５】単層ルールの説明をするマスクパターンの説明
図。

【図６】層間ルールの説明をするマスクパターンの説明
図。

【図７】実施例１で用いた投影像光強度分布の値が０.
３である等高線形状の平面図。

【図８】単層ルールチェック結果の説明図。

【図９】層間ルールチェック結果の説明図。

【図１０】実施例１のフローチャート。

【図１１】長短辺ともに０.７μｍ 以下の寸法のパター
ンで、周囲の０.４μｍ 以下の範囲内に他のパターンが
ない場合の説明図。

【図１２】短辺が０.７μｍ 以下、長辺が０.７μｍ 以
上の寸法のパターンで、周囲の０.４μｍ 以下の範囲内
に他のパターンがない場合の説明図。

【図１３】長短辺ともに０.７μｍ 以下の寸法のパター
ン同志が０.４μｍ 以下の距離で隣接している場合の説
明図。

【図１４】長短辺ともに０.７μｍ 以下の寸法のパター
ンが、０.４μｍ 以下の距離で、短辺が０.７μｍ 以
下、長辺が０.７μｍ 以上の寸法のパターンと隣接して
いる場合の説明図。

【図１５】長短辺ともに０.７μｍ 以下の寸法のパター
ンが、０.４μｍ 以下の距離で、長短辺とも０.７μｍ
以上の寸法のパターンと隣接している場合の説明図。

【図１６】短辺が０.７μｍ 以下、長辺が０.７μｍ 以
上の寸法のパターン同志が、互いに０.４μｍ 以下の距
離で隣接している場合の説明図。

【図１７】長短辺ともに０.７μｍ 以上の寸法のパター
ン同士が０.４μｍ 以下の距離で隣接している場合の説
明図。

【図１８】設計マスクパターン，予測デバイス構造，ル
ール違反個所，余裕個所を同時に表示した説明図。

【図１９】本発明の実施例２のフローチャート。

【図２０】実施例１の予測デバイス構造の説明図。

【図２１】本発明の実施例３のフローチャート。

【図２２】予測デバイス形状上のルール違反個所に対応
する設計パターン上の点の求め方の説明図。

【図２３】設計マスクパターン，ルール違反個所，余裕
個所，違反／余裕個所の設計マスクパターン上の対応す
る点を同時に表示した説明図。

【符号の説明】

ｆ１…デバイス構造ルールファイル、ｆ２…マスクパタ
ーンファイル、ｓ１〜ｓ４…処理手段。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 昇雄 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 田中 稔彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 茂庭 昌弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所望のデバイスを得るために設計されたマ
   スクパターンデータの検査において、設計マスクパター
   ンデータを読み込む手段と、前記マスクパターンから得
   られるデバイス構造の予測手段と、所望するデバイス構
   造のルールを読み込む手段と、前記デバイス構造が前記
   デバイス構造ルールを満たしているか否かを検査する手
   段と、前記検査結果の表示手段とを備えたことを特徴と
   するマスクパターンデータ検査装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の前記デバイス構造ルール
   は、パターンの許容面積範囲，パターン間の許容距離範
   囲，パターンの許容寸法範囲，層間のパターンの合わせ
   余裕で表現されたマスクパターンデータ検査装置。
3. 【請求項３】請求項１に記載の前記表示手段は、設計マ
   スクパターン，予測デバイス構造形状，予測デバイス構
   造のデバイス構造ルール違反個所，予測デバイス構造上
   である値を上回ってデバイス構造ルールを満たしている
   余裕個所，予測デバイス構造中の違反・余裕個所に相当
   する設計マスクパターン上の部分のうちの複数を同時に
   表示するマスクパターンデータ検査装置。
4. 【請求項４】請求項１に記載の前記デバイス構造予測手
   段は、エネルギ線照射によって形成される潜像計算，現
   像後レジスト形状シミュレーション，レジスト現像後の
   加工プロセスシミュレーション，レジストの現像時の寸
   法シフト分の拡大・縮小計算，レジスト現像後の加工プ
   ロセス時の寸法シフト分の拡大・縮小計算のいずれか、
   あるいは複数の組合せであるマスクパターンデータ検査
   装置。
5. 【請求項５】請求項４に記載の前記エネルギ線照射によ
   って形成される潜像計算は、投影露光計算であるマスク
   パターンデータ検査装置。
6. 【請求項６】請求項２に記載の前記層間のパターンの合
   わせ余裕は、リソグラフィ装置の合わせ精度の値、また
   は、リソグラフィ装置の合わせ精度とリソグラフィ工程
   後の加工プロセスでの加工ばらつき寸法を加味した値の
   いずれかであるマスクパターンデータ検査装置。
7. 【請求項７】所望のデバイスを得るために設計されたマ
   スクパターンデータの最適化において、設計マスクパタ
   ーンデータを読み込む手段と、前記マスクパターン形状
   から得られるデバイス構造の予測手段と、所望するデバ
   イス構造のルールを読み込む手段と、前記予測デバイス
   構造が前記デバイス構造ルールを満たしているか否かを
   検査する手段と、前記検査結果で指摘された予測デバイ
   ス構造上のデバイス構造ルールを満たしていない部分が
   ルールを満たすように前記設計マスクパターンデータを
   最適化する手段を備えたことを特徴とするマスクパター
   ン最適設計装置。
8. 【請求項８】請求項１または請求項７の少なくとも一つ
   の装置を用いて設計した半導体デバイス。
9. 【請求項９】所望のデバイスを得るために設計されたマ
   スクパターンデータの検査において、設計マスクパター
   ンデータを読み込む工程と、前記マスクパターンから得
   られるデバイス構造の予測工程と、所望するデバイス構
   造のルールを読み込む工程と、前記予測デバイス構造が
   前記デバイス構造ルールを満たしているか否かを検査す
   る工程と、前記検査結果を表示する工程を備えたことを
   特徴とするマスクパターンデータ検査方法。
10. 【請求項１０】所望のデバイスを得るために設計された
    マスクパターンデータの最適化において、設計マスクパ
    ターンデータを読み込む工程と、前記マスクパターン形
    状から得られるデバイス構造の予測工程と、所望するデ
    バイス構造のルールを読み込む工程と、前記予測デバイ
    ス構造が前記デバイス構造ルールを満たしているか否か
    を検査する工程と、前記検査結果で指摘された予測デバ
    イス構造上のデバイス構造ルールを満たしていない部分
    がルールを満たすように前記設計マスクパターンデータ
    を最適化する工程を備えたことを特徴とするマスクパタ
    ーン最適設計方法。
11. 【請求項１１】請求項９または請求項１０の少なくとも
    一つの方法を用いて設計した半導体デバイス。