TWI267937B - A heating system - Google Patents
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Description
1267937 五、發明說明（1) [發明所屬的技術領域] 本發明係有關於加熱裝置。 [習知技術] ，半導體製造裝置上’可以藉由熱CVD等，由石夕烧氣 體（Si lane gas)等的原料氣體，來製造半導體薄膜，並具^ 備了為了將作為基板之晶圓（wafer)加熱之陶究加熱号W。 此陶莞加熱器，係眾所周知的稱為2區域加熱器。在2區域 加熱器上，於陶瓷基體中埋設了由高融點金屬而成的;周 側電阻發熱體和外周側電阻發熱體，而別個之電流導入^ 子’被各自連接至這些電阻發熱體，並藉由各自獨1立地 ^ ^ f至各電阻抗發熱體，來獨立地控制内周侧電阻發埶 體和外周側電阻發熱體。 ”、、 ，特開平5_3261 1 2號公報上，藉由高融點金 形(pattern) ’來構錢莞加熱器等而成
=路疊：電路圖形之折縫或折疊部分上，和A 例如在將半導體晶圓加熱之用途上， =熱面全體之溫度，在使用條件；：： ;：致： 面全體’要求滿足±5t以下之嚴格之規格' “跨加熱 [發明所欲解決的課題] 例如，在製造陶瓷加執 來供給電力…溫至目桿：J時於：部的電阻發熱體 知/皿度時，能夠得到目標的 1267937 五 發明說明（2) C是 旦將此陶瓷加熱器安裝在實際的& = amber) ’加熱面之溫度分佈即變化 的和為了將此陶兗加埶裝在實 k艾化破所謂 觸面的面籍、拉她”、、抑文衣你員丨不的燃熱室之器具之拉 蜩由的面積、接觸面的形狀、器具之 二接 狀與埶容量、•缺為6 , .、，、合里、燃熱室的形 之氣心壓,=内面之熱反射與熱吸收、燃熱室G 乱骽之礼壓和流動之多數的複雜因素，所力士 π外 因為如此的理由，即使在將陶、 及右。 :前’已獲得加熱面之均熱性熱室 室之後，大多無法得到目：之=2器
= 熱器安裝在燃熱室之後，“對W '、、、體巧電力，來調解使加熱面之溫度分佈變小。發 但疋’如此的調節有實際的 少對於電阻發熱體之電力供給量二減 分佈’而陶竞加熱器設置後之加熱面之溫度 的2區域加勃^變小^反過來亦有變大的情況。上述之所謂 周之平均严产V//吏加a熱面之外圍•分之平均溫度或内 孤又k化上，疋有效的。但是在陶瓷加熱器設置 後’大多只在加孰5|之一而L , al r, 上，產生冷』（cold spot)或 .、、、點（hot spot)，所以無法有效地來解決。 :亦”著將陶竞加熱器分割為多數的區4 大電力供給量二至熱體二在tbf況下，藉由增 夠見到可以將冷點消去。 ^ .，、、體’而月匕 但是’本發明者進-步檢討，明顯判斷實際上如此的
1267937 五、發明說明（3) 控制，有其困難 這些部分下面之 區域之電阻發熱 佈，不只根據來 板之形狀、尺寸 氣體之流動等之 大電力供給量至 以來消除其冷點 熱體之熱量，被 分佈之平衡，而 升。加熱面之平 有必要減低至對 但是在此情況下 使消去一個冷點 之差，大多反倒 本發明之課 將被加熱物加孰 w #、、、 成本來減低將加 度分佈。 。因為 電阻發 體之發 自各電 、熱容 多數之 對應之 。但是 傳達至 產生了 均溫度 應其他 ’卻成 ，加熱 變寬了 題，在 之加熱 熱裝置 加熱面之各部 熱體之發熱量 熱之影響。總 阻發熱體之發 量、及基板之 變數之相互作 冷點存在之區 在此情況下， 鄰接之區域， 熱點’並使加 一旦上升，為 區域之電阻發 為別的冷點產 面之最高溫度 〇 於藉由供給電 面之加熱裝置 設置在既定裝 分之溫 之影響 之，加 熱量， 周邊的用，來 域之電 來自冷 改變了 熱面之 了降低 熱體之 生的原 和加熱 度，不 ’亦受 熱面之 亦根據 溫度、 決定。 阻發熱 點下之^ 加熱面 平均溫 這平均 電力供 因。因 面之最 只受到 到其他 溫度分 陶瓷基 氣壓、 藉由增 體，可 電阻發 之溫度 度上 溫度， 給量， 而，即 低溫度 力來發熱，而具備了 上’能夠容易地以低 置上後之加熱面之溫 [用以解決課題的手段] 本發明為一種加熱裝置 熱’而具備了將被加熱物加 由供給電力，來發熱之補助
，包括：藉由供給電力來發 熱之加熱面之主加熱元件；藉 加熱元件；為了供給電力至主
1267937 五 -發明說明（4) ----- ---- 加熱兀件之主電源；為了供給電力至 一 電源；以及將對於主加熱元件和補助 σ熱元件之補助 量，各自獨立來控制之電源控制製置0 ^ =件之電力供給 電源控制裝置’使從補助電源被供給至補=在於：藉由 力之控制幅度，比由主電源被供給至=加熱元件之電 控制幅度小，來控制對補助加熱元件σ二凡件之電力之 制加熱面之溫度分佈。 电力供給量，以控 本發 將加熱面 到設置補 助加熱元 既定個別 在加熱面 加熱元件 在此 裝置設置 分開。假 消除冷點 結果使加 各主加熱 功能，所 相對 而各自獨 藉由從主 溫度大致 元件，並 力供給量 之加熱面 冷點之情 供給量增 是，使別 熱面之微 藉由增大 之前所述 溫度分佈 具有將對 較大的電 在對於主 制對各補 明者， 之平均 助加熱 件之電 場所後 上產生 之電力 重要的 後之加 設如果 ，則如 熱面之 元件， 以以比 於此， 立地控 電源供 保持在 藉由電 ，其目 之溫度 況下， 加，以 的補助 調整之 對主加 地，對 充分地 應之溫 力動作 加熱元 助加熱 目標值 源控制 的在於 分佈之 使至對 消去冷 力口熱元 功能， 熱元件 其他的 縮小有 度大致 的原因 件，設 元件之 王王加 。除此 裝置， 將加熱 微調。 應此冷 點。 件擔任 所以和 之電力 區域之 其困難 維持在 之外，亦 來控制對 裝置設置 因此，例 斑點之補 所謂的加 主加熱元 供給量， 影響變大 。這是因 平均溫度
置補助加熱元件 電力供給量之情2 下’主加熱元件在其區域上，擔任將加熱面之溫度大致維
1267937 五、發明說明（5) 持在目標溫度之功能，而補助加熱元 之rrf。：為如此的功能被分離，心區域之溫度 篁，和封主加熱元件之電力佴加熱元件 地小，而因對補助加熱元件之電力供给^置相比，非常 響’能夠成為最小限。因此，比較上可：他區域之熱影 易地微調整加熱面之溫度分佈。 用低成本，來容 控制使從補助雷％ si 制幅度，比由主電加熱元件之電力之控 ί 2以下之宗旨。由主電源所供給至主加：制幅 力之控制幅度，係電力之可能控制之上限和^件之電 大電力時之輸出指示幅度為函，力之積。額定最 :度細。如此地，在實際的加熱裝時之輪出指示 ί示可以控制之輪出指示幅度。例如，如果比來 為=，輸出指示幅度為0〜_，則電力控制幅疋電力 〇〜5KW。從補助電源被供給至補助 2 = 幅度，亦表示同樣的意思。 件之電力之控制 例如，如果補助電源之最大額定電力 示幅度為0〜議，則電力控制幅度為為0〜m。如=指 =電源之控制幅度，和在主電源之電力控制幅度相比， 非吊的小。藉由將藉如此的控制幅度小的補助電源之 :二藉控制幅度大的主電源之溫度控制作組合:、；
精度咼的控制。 J11F
7066-4986-PF(N);Ahddub.ptd 第10頁 1267937 五、發明說明（6) [發明的實施例] 如能夠達成本發明之目的目丨 从丄μ 一从*仏乃 < 目的，則不限定主加熱元件、補 助加熱兀件之各形態，而能夠以例表示以下之形態。 工主：熱元件和補助㈣元件為個別物胃之情況。 (B )加”、、裝置為一體之情況。 在(士）之情況下，不限定主加熱元件 之各形態。 具體地，以下為主加熱元件之較佳形萍。 « (A1)將電阻發熱體埋設在由絕緣體而^成的基板之内 部，來得到的加熱器（heat er) 〇 (Α2)將發熱體付著在由絕緣體而成的基板之表面， 來得到的加熱器。 (A3)使用由絕緣體而成的基板，作為加熱器。藉由 供給電力至此基板，而基板本身發熱。 曰 在（Α)之情況下，以下為補助加熱元件之較佳形萍。 (AU將電阻發熱體埋設在由絕緣體而成的基: 部，來得到的加熱器。 η (A 2)將發熱體付著在由絕緣體而成的基板之 來得到的加熱器。 土 &面’ (A3)使用由絕緣體而成的基板，作盔、# _ 久忭馮加熱器。藉Α 供給電力至此基板，而基板本身發熱。 猶田 (Α4)將電阻發熱體挾在絕緣體薄κ^ 加熱器。 #片之間，來得到的 在（Β)之情況下’為主加熱元件和補助加熱元件成為
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一體之加熱器。此時以下的形態來舉例。 田ΛΒ12 Λ由將作用成主加熱元件之電阻發熱體，和作 板之内部，來製作加熱器。 -體而成的基 (Β2)將作用成主加熱元件之電阻發熱體，埋設 絕緣體而成的基板之内部。在此基板之背面（和加熱面相 反側之主面）上，安裝作用成補助加熱元件之電阻發熱 體。 χ 在Al、Α2、Α4、B1、Β2上，絕緣體並不特別被限定， 但是以污染的觀點來看，較佳的是陶瓷，而特別的好的是 氧化鋁（alumina)、氮化鋁、氮化矽、氮化,（ρ_ΒΝ)、疋 化矽。 取 在Al、Α2、Α4、B1、Β2上，電阻發熱體之形態並不特 別地被限疋，而亦可以是線、箔、網狀物、線圈彈簧 (coil spring)狀物、平板狀物、絲帶（ribb〇n)狀物，薄 片（sheet)狀物。
在A1、A 2、A 4、B1、B 2上，並不特別地限定電阻發熱 體之材質’可以是金屬、導電性陶瓷。其具體的材質，較 佳的為由组（tantalum)、鶴（tungsten)、銦 (molybdenum)、白金、銶（rhenium)、铪（hafnium)而成的 群組所選出的純金屬，或是由钽、鎢、鉬、白金、鍊、於 而成的群組所選出的二種以上之金屬之合金。在基板由氮 化鋁來構成的情況下，電阻發熱體之材質最好是鉬和銦合 金。而亦能夠使用鎳鉻合金（ni chrome)線等周知的電阻發
1267937 五、發明說明（8) 熱體，或碳、TiN、TiC等之導電性材料。 在A2、B2的情況下，能夠在基板之表面上，藉由印刷 法，來形成電阻發熱體，能夠將為基體（bulk)之電阻發熱 體，接合在基板之表面上。而對於基板，能夠纏繞線狀、 絲帶狀、彈簧狀、線圈狀之電阻發熱體。 在A3的情況下’能夠將電阻發二體挾在一對之樹脂薄 片間。如此的樹脂薄片之材質，最好具有耐溫至加熱裝置 之上限溫度之耐熱性，而能夠舉例為聚亞醯胺 (po 1 y 1 m 1 de)樹脂、氟化物樹脂（特 「 Φ (Teflon)」登錄商標。 在A中，對於主加熱元件，不 定之方法，而能夠舉以下之例來表示。1 …、兀{固 件。⑴對於主加熱元件，以機械式來固定補助加熱元 (j)對於主加熱元件，將補助加熱元 此，者劑，但最好*财熱性樹脂（例 义疋 化物樹脂）。 ♦兑I妝Μ月日、亂 在較佳之實施例中，將複數補助加埶 ^ 加熱元件之周圍部分。而這在將加熱裝·置主 時’大多將構成加熱裝置之基板的周；疋 ； 裝置之周圍部上，有較多的熱傳導，= = = =熱 或熱點。因而’在主加熱元件之：冷點 熱面之溫度’而將補助加熱元件設置：2孰為：=° 部分，是有利的。 罝在主加熱70件之周圍
1267937 五、發明說明（9) 在較佳的實施例上，複數補助加熱元件，被配置在主 加熱元件之周圍部，而對於主加熱元件之中心略為旋 稱之位置上。在此旋轉對稱，係意味著對於主加熱元件^ =心，使補助加熱元件中之一個以既定角度旋轉，而重 ^相鄰之補助加熱元件之位置。如旋轉角度為18〇。 $ ::對稱’如為12〇。則為3次對稱，如為9〇。貝“4次董广 在較佳的實施例上，主加熱元件包括由陶瓷而成的旯 Ϊ啕t及被埋設在此基板内部的電阻發熱體。本發明，i ':加熱器之加熱面之溫度之微調整，特別有用。 及祐=ί ΐ的實鉍例上補助加熱元件包括絕緣體板、以 及被纏繞在絕緣體板之發熱體。 u 舉例為上述之材質〃 絕緣體板之材質，能夠 f較佳的實施例上，包括將基板與補助加孰元 械式地保持在層疊狀況之保持裝置。藉由使用 機 式固定裝置，在補助加熱元件與主加熱元件之界面的^械 了 熱應力（temperature stress)，而 & 私 1 曰加 損。 eSS)，而能夠防止陶瓷的破 在本發明中，將主加熱元件 此在較佳的實施例上，加熱面和 σ二70件層疊。因 行。藉此’能夠在加熱裝置中平均一‘：：:牛：互略為平 熱傳導。在此所謂的略為平行，係除了以二之 全平行之情況外，亦包括〇〜3度之範圍内。予之為完 本發明之加熱裝置之用途，並無特別地限定，而能夠
1267937 五、發明說明（10) ' 舉例為化學的氣相成長裝置、蝕刻（e t ch i ng)裝置、烘培 (baking)裝置、塗層用之烘固（curing)裝置。
以下，參照圖面，來更詳細地說明本發明之實施例。 第1圖’係模式地表示有關本發明之一個實施例之加熱裝 置25之區塊圖。在平面上見到主加熱元件3與補助加熱元 件4 °第2圖，係模式地表示第1圖之加熱裝置之區塊圖， 並以圖表示著主加熱元件3與補助加熱元件4之剖面圖。
在本例子中，主加熱元件3由圓板形狀之基板4而成。 此基^因為可有種種選擇，所以無圖示。能夠將電阻發熱 體埋設在基板4中，亦能夠將電阻發熱體付著在基板4之^ 面上。或是能夠使基板4本體作為電阻發熱體來動作^ 4a 為加熱面，4b為背面。7為主加熱元件3之周圍部，22為主 加熱70件3之内周部。周圍部7為圓環形狀。
在本例子中，周圍部7分為4個區域，各區域上各自設 $ 了補助加熱元件5A、5B、5C、5D。各補助加熱元件，被 設置在主加，元件4之背面4b上。4個補助加熱元件在圓周 方向相互連續著，而形成全體之圓環形狀之加熱元件。補 卜 …、元件，對於主加熱元件4之圓心0，被配置在4個之 方疋轉對稱之位置上。亦即如·將各補助加熱元件旋〇。， 即是相鄰元件之位置。 主加熱元件3之端子，透過電線8連接至主電源丨。補 j加熱π件之端子，被連接至電源控制裝置2。在本例子 中j電源控制裝置2被分為4個電源控制裝置2a、2b、2c、 2d如此地’各補助加熱元件5A、5B、5C、5D，各自透過
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被連接至各電源控制部2a、2b、 五、發明說明（11) 6d 電線6a 、 6b 2c 、 2d 〇 t J ^ ^ . n ^ 量，菸由夂雷75 &心 于各補助加熱元件之各電力供給 ^ 糟甶各電源控制部2a、2h、〇 〇 , ^ 加熱裝詈許署尨 2 c、2 d來控制。例如，名 產1' a點Γ b本’；周圍部7中補助加熱元件5A之區域上 ^ ^ 1 ^ .開始電力供給至對應之補助加熱元件5A， ::供給電力至其他的補助加熱元件5B、5。、5 此, 能夠以些微的消費電力，禮眚
加埶f ^ ^二冤力確實地湞去冷點，而且能夠使紫 加熟面之其他部分之影響為最小限。 供仏二广人效本?明之作法效果上，至補助加熱元件之電力 、…罝（合计值）之對於至主加熱元件之電力供給量之倍率 電至Λ?:熱元件之電力供給量(合計值W i主熱元件之 冤力供給1)，最好在1/1〇以下，在1/2〇以下又更好。 =地在使用600 t：以上的高溫之情況下，因為對主加熱元 牛之總電力供給量急遽地變大，所以希望為使之為1 Μ 〇 〇 以下。 補助加熱元件之個數，並無特別地限定。彳 、由处， 〜但疋，從迅 迷執行僅加熱面中一部分之溫度控制之觀點來看，補助加
熱元件之個數，最好是3個以上，4個以上又更好。4個以17 上又更好的理由為如以下所述。在半導體製造裝置之反靡 室上，大多有晶圓搬入用之閘閥（g a t e v a 1 v e)側和反麻^ 内之視覺辨認用之窗口，所以來自加熱元件之敌=平^ ^ 得容易變化。藉由設置4個以上之補助加熱元件…' τ ’能夠將
7066-4986-PF(N);Ahddub.ptd
1267937 五、發明說明（12) 閘閥或視覺辨認窗口側之區域加熱，反過來 視覺辨認用窗口之間之區域加熱。藉此， 坰j閥和 元件之溫度分佈，使晶圓面内之成膜均^H周整加熱 、但是，補助加熱元件之個數一旦過多，反過來 成本提高之主要因素。所以從所謂的削減成本的-看，補助加熱元件之個數最好在32個以下。各; 方式二時敎最好為12個以下。又在將各補助：埶在 疋件組合，來加熱控制時，即使為8個以下， ^ 良好的溫度分佈。 此约獲侍 例如，在設置複數補助加熱元件，而對各 3 ’來分配各控制區域之時’藉由使在各控制區域； :化’以能得到全體上之良好的溫度分佈 中，將基體分割為8個區域15Α〜15Η來控制 在：3圖 定的控制區域之電力變化之情況下1 鄰： =溫度之影響。因而在某個控制區域上，最 =’、能夠在控制區聰上，補助加熱裝置之輸 例 成為100%，則鄰接之控制區域H之補 示值細’而鄰接之控制區域B 指示值成為40%。 ”、、衣置之輸出 又能夠在控制區域1 5A之輪屮沪+说4 Λ 接之控制區域15Β、15Η各自為0%、；〇% : 〇二之時’鄰 之輸出指示值各自為權、二在^’「而，域15C、15。 顧，而區咖、15H之溫度過；成為 又❿度上升之時，因為區域
1267937 五、發明說明（13) 15C」5G之輸^主上升，亦料只單單對冷點部作補助加 二屮：t制到鄰接之補助區域有輸出’或再鄰接此區域有 产：、、、 所以此夠控制到加熱器面内緣方向之溫度斜 域加Π好：Ϊ :主加熱元件為2個區域加熱器，或3個區 域加熱益，而補助加熱元件之個數為4 8個。 且秘ί4圖、第5圖，係、有關於將第1W之加熱裝置25更加 =化之加熱裝置25A。第4圖係加熱裝置W之區塊圖。 圖=上以平面顯示著主加熱元件3A與補助加熱元件 圖係加熱裝置25A之區塊圖’而圖面顯示著主 …70件34與補助加熱元件5A〜5D之剖面圖。 埋言^ ί H主加熱70件3A由圓板形狀之基板4、和被 ^ 2 M ^之電阻發熱體11而成。電阻發熱體11可以 ^北面4 μ屬泊金屬黏著（PaSte)印刷電極。在基板4 月a ’例如設置了4個補助加熱元件5A〜5I)。 纏繞ί加Λ元件’由在圓弧狀上延伸之基板9、和被 之而点周圍上之電阻發熱體1〇而成。基板9由上述 ，特別好的是由雲母（mica)而成。電阻發敎 =2基板9-之表面上，捲曲成零錢狀，而形成二 線β 、*、查L加熱70件5Α之電阻發熱體10之兩端，透過電 體ι:ί兩端至J源控制部2a，補助加熱元件5β之電阻發熱 雷電線6b被連接至電源控制部2b， 5阻發熱體10之兩端，透過電線6c被連接至電 源控雜，補助加熱元侧之電阻發熱體10之兩端，！
1267937 五、發明說明（14) 過電線6d被連接至電源控制部2d。 在較佳的實施例上，設置了將基板與補 機械式地保持在層疊狀況之保持裝置。第6 加熱元件， 關於本實施例之圖。第6圖係概略地表示機枯二第7圖係有 圖、第5圖之加熱裝置25A，所得到的加熱* 地保持第4 圖。第7圖，係表示將加熱裝置12安裝在< 2之剖面 (curing)裝置之反應室内之剖面圖。 曰用之烘固 如第6圖所示地，加熱裝置12，係將加 持構件13來保持而獲得的裝置。在本例子，中、裝=25藉保 熱元件5A〜5D之背面側上，言史置了環狀絕緣體薄 :體薄片14之材質不被限定，由防止陶瓷之破裂片之觀點 看^熱性樹脂是特別好的。如此的耐熱性樹脂夠 例為聚亞醯胺樹脂、氟化物樹脂。 约牛 本例子之保持構件1 3，包括上侧之保持部丨3 =之保持部Ub。保持部13a保持基板4之加熱面4aj下 ，二保持部13b透過絕緣體薄片14，從背面側來保持補助 么、:件5A〜5D。如此地，在使絕緣體薄片14介於補助加 ::九和保持構件之間之情況下，可以用金屬來形成保 稱件1 3。 如第7圖上所示地，將加熱裝置12安裝在反應室18。 ^ 反2至18設置了開口 18a，在開口 18a之周圍，透過台座 2 〇 ’叹置了保持框丨9。在保持框丨9上，設置了加熱裝置 1 2。在將加熱裝置安裝在反應室丨8之狀態下，開口丨連 L至加熱哀置1 2之背面空間2 4，而各電線通過空間2 4與開
1267937 五、發明說明（15) *— - 口 1 8a，被連接至被設置在反應室丨8之外部上之主電源與 電源控制裝置。 〃
在加熱裝置1 2之加熱面4a上，設置了藉由塗抹器 (coater)塗抹後之晶圓1 7，而被加熱至既定溫度。在反應 至1 8 =的工間1 6，設置了流體導入孔1 5，如從流體導入孔 15之箭頭符號方向，將流體供給至晶圓17之表面，而藉著 加，裝置1 2，將晶圓1 7加熱，使其熱硬化。因此，獲得了 既定的膜特性。所謂的臈，能夠舉例為除了光阻臈：外， 還有低介電率（3以下）之層間絕緣膜（L〇w_K膜/例如 Si lk)、或電容材質（例如SBT)等。 在本發明中’電源控制裝置係控制對各補助加熱元令 ^，力供給量之裝置，擔任此功能之範圍，能夠轉用周矣 的電源控制裝置’而不限定電源控制裝置的種類。如之肯 :例子，沒有必要將其分開為對應各補助加 类 電源控制部。在此，對夂姑日Λ *為-μ 丁心後要 你此對各補助加熱兀件之電力供給量，倉丨 夠開-關控制。或者能夠將對i— 旦i錶a ^ ^ + 對各補助加熱兀件之電力供給 里，連續地控制在〇和最大值之間。 實施例 所-二敎，ί具體的實驗結果，作敘述。製造第6圖上 裝置，並將加熱裝置設置在第?圖上所示的塗 層用之烘固（curing)裝置之反應室。 使用陶瓷加熱器，竹么士 ^ t t陶f AAlfJ，π ^作為 熱兀件3A。構成此加熱器 之陶是為A1N ’而電阻發熱體由 熱面4a之直徑為320mm，加：力熱…八之加 …、裔ciA之厚度為4mm。將熱電偶
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(thermocouple)插入、埋設在基板4中。 補助加熱元件5A〜5D之基板9，藉由雲母來形 電阻發熱體10為鎳鉻合金（nichrome)線。保持構件Η， 不銹鋼來形成。絕緣體薄片14，藉由聚亞醯胺樹脂來形 成。補助加熱元件之外徑為300mm，内徑為22〇_，厚^ 1 mm 〇 又々 如此得到的加熱裝置12，被安裝在反應室18内，而對 主加熱元件3A來供給電力，以使藉以熱電偶之測定溫度成 為200 °C。此時之主電源之輸出為342·6瓦特。此時加"熱 面4a之溫度分佈，藉由RTD晶圓來觀測，而測到妁最高溫' 度和最低溫度之差時為5· 2 t。並全體之加熱面之内周部 之溫度變高，而周圍部之溫度變低。但是加熱面之周圍部 之溫度並不一定，周圍部之大約1/4程度之溫度，成為和 内周部同程度的高溫。 接著，使來自主電源之電力供給量降低，來供給電力 至被置在周圍部之補助加熱元件。但是不供給電力至對 應周圍部中之南溫區域之補助加熱元件。如此地，以熱電 偶之測定溫度成為200 °C。 在此狀態下，對主加熱元件之電力供給量為3 3 4. 2瓦 特，而對加熱元件之電力供給量合計為8· 5瓦特。如此 地，在此狀態下，測到的加熱面最高溫度和最低溫度之 差’能夠為1. 1 °c。 [發明效果]
7066-4986-PF(N);Ahddub.ptd 第21頁 1267937 五、發明說明（17) 如以上所說明的，根據本發明，在具備了藉由供給電 力來發熱，而將被加熱物加熱之加熱面之加熱裝置上，能 夠容易地以低成本來降低將加熱裝置設置在既定之裝置後 之加熱面之溫度分怖。
7066-4986-PF(N);Ahddub.ptd 第 22 頁 1267937 圖式簡單說明 執J 模式地表示有關本發明之一個實施例之加 #、、、衣置2 5之區塊圖，並平面地顯示主力σ埶元株q焱、:H h 熱元件5A-5D。 …凡件3與補助加 第2圖，係模式地表示第1圖之加熱裝置之區塊圖，而 顯不主加熱元件3與補助加熱元件5A-5D之剖面。 第3圖係表示控制區域之分割例之模式圖。 第4圖係表示係模式地表示有關本發明之 例之加熱裝置25Α之區塊圖，並平面地顯 埶= 與補助加熱元件5A-5D。 万"、、疋件Μ 第5圖係模式地表示第4圖之加熱裝置25α之區 而顯不主加熱元件^與補助加熱元件5A-5D之剖面。 第6圖係表示藉由保持構件13，來固定第/圖篦 之加熱裝置250斤得到的加熱裝置12之剖面圖。 圖 第7圖，係概略地表示將第6圖之加埶 應室1 8之狀態之剖面圖。 ”、、裝置1 2女裝在反 符號說明] 1主電源 3、3Α主加熱元件 4a加熱面 7周圍部 12、25、25A加熱裝置 1 4絕緣體薄片 17晶圓 2 電源控制裝置 4主加熱元件之基板 4b 背面 9補助加熱元件之基板 1 3保持構件 15 塗層 1 8加熱室 第23頁 7066-4986-PF(N);Ahddub.p t d 1267937 圖式簡單說明 2 2 内周部 2 a、2 b、2 c、2 d 電源控制部 1 1 基板4之内之電阻發熱體 5A、5B、5C、5D補助加熱元件 1 0 補助加熱元件之電阻發熱體 6a、6b、6c、6d、8 電力供給電線 _
7066-4986-PF(N);Ahddub.ptd 第24頁
Claims (1)
1267937 ----室號 91114405 六、申請專利範圍 1· 種加熱裝置，包括 、— …w 儿被加熱物係由加熱面所且侵又符； 複數個補助加熱元件，藉由供給電力，來發熱； 電源，為了供給電力至上述主加熱元件； 補助電源’為了供給電力至上述補助加熱元件之；以 煩請委” :源控制裝置，將對於上述主加熱元件和上 熱兀：之電力供給量，各自獨立來控制； 助加 其特徵在於： 匕、十n上述電源控制裝置，使從上述補助電源被供仏泛 ί;:助加熱元件之電力之控制幅度，比由上述主電= ，給至上述主加熱元件之電力之控制幅度小U電:原被 =助加熱元件之電力供給量’以控制上述加熱:之= ;原實質内容 j曰 修> 充 及 2.如申請專利範圍第1項所述的加熱裝 補助加熱元件，被層疊在上述主加熱元件之周圍、中上述 、3·如申請專利範圍第2項所述的加熱裝置，4上。 複數補助加熱元件，被配置在上述主加熱 /、中上述 而對於主加熱元件之中心略為旋轉對稱之位置=周圍部， 4.如申睛專利範圍第1項所述的加埶事 主加熱元件包括： …、、罝，其中上述 基板，由陶瓷而成；以及 毛熱體’被埋設在此基板之内部。
7066-4986-PFl(N).pt 第25頁 六、申請專利範圍 項所述 的加熱裝置，其尹上 述 5 ·如申請專利範圍第j 補助加熱元件包括： 絕緣體板；以及 發熱體，被纏繞在此 6. 如申料鄕岣3=“。 將上述基板及上述補助加執元所件述的/么裝上，/中包括 態之保持構件。 “、、兀件，機械式地保持在層疊狀 7. 如申請專利範圍第1項所述的加熱裝置，其中上述 補助加熱元件包括： 基板’由陶瓷而成；以及 之内部 發熱體’被埋設在此基板‘ η 甘士 μ、十、 〇 ，^ +，舳加熱裝置，其中上述 8. 如申請專利範圍第1項所體，而被埋設在由 主加熱元件和上述補助加熱元件成”、’ 陶兗而成的基板之内部。
7066-4986-PFl(N).ptc 第26頁
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