CN107845589A - 加热基座以及半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

一种加热基座以及半导体加工设备，所述加热基座包括：基座，所述基座用于承载晶圆；多个加热元件，所述多个加热元件分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座热耦合，其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件；温度控制器，所述温度控制器与所述多个加热元件连接，并分别控制所述多个加热元件中每一个加热元件的温度。本发明方案可以对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，从而更精细地降低晶圆表面各圆环区域内形成的薄膜厚度差异。

Description

加热基座以及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种加热基座以及半导体加工设备。
背景技术
在半导体技术中，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是重要的一项工艺。
在CVD成膜过程中，晶圆通常会受到反应气体、腔体压力、加热温度、射频功率以及加热时间的综合影响。即使这五种参数都在工艺需求的标准范围内，实际生成的CVD薄膜仍然存在厚度不均匀的情况。然而，同时对上述五种参数进行微调，导致调整方式过于复杂。
虽然在现有技术中，存在通过控制加热温度这一单一参数对CVD薄膜的厚度进行调整的方法，由于现有的加热基座(Heater)的加热结构单一，加热区域的可控性有限，难以对同一晶圆的不同区域进行细致地加热控制。
亟需一种对同一晶圆的不同区域进行细致地加热控制的加热基座。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种加热基座以及半导体加工设备，可以对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，从而更精细地降低晶圆表面各圆环区域内形成的薄膜厚度差异。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种加热基座，包括：基座，所述基座用于承载晶圆；多个加热元件，所述多个加热元件分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座热耦合，其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件；温度控制器，所述温度控制器与所述多个加热元件连接，并分别控制所述多个加热元件中每一个加热元件的温度。
可选的，所述加热元件为点状加热元件、块状加热元件或者段状加热元件。
可选的，所述点状加热元件或块状加热元件包括灯泡或电热丝。
可选的，所述段状加热元件包括电热丝段。
可选的，所述加热基座还包括：热隔离层，所述热隔离层位于所述基座中，所述多个加热元件放置在所述热隔离层的表面。
可选的，所述热隔离层的表面具有多个凸起部和多个凹陷部，所述多个加热元件分别位于各个凹陷部内，并且由所述凸起部隔离。
可选的，所述凸起部的高度高于所述加热元件的高度。
可选的，所述热隔离层的材料包括陶瓷材料。
可选的，所述加热基座用于化学气相沉积工艺。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体加工设备，包括加热腔室，在所述加热腔室内设置有加热基座，用于承载晶圆，并对所述晶圆进行加热，其特征在于，所述加热基座为上述的加热基座。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
在本发明实施例中，提供一种加热基座，包括：基座，所述基座用于承载晶圆；多个加热元件，所述多个加热元件分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座热耦合，其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件；温度控制器，所述温度控制器与所述多个加热元件连接，并分别控制所述多个加热元件中每一个加热元件的温度。采用上述方案，通过设置分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上的多个加热元件，以及与所述多个加热元件连接的温度控制器，可以提高加热温度的区域可控性，有助于实现对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，相比于现有技术中同一圆环区域内仅设置同一个加热元件，在每个圆环区域可以分别控制加热元件以获得不同温度，从而更精细地降低晶圆表面各圆环区域内形成的薄膜厚度差异，提高薄膜的均匀性。
进一步，通过设置位于所述基座中，表面具有多个凸起部和多个凹陷部的热隔离层，并且所述多个加热元件由所述凸起部隔离，可以使得相邻的加热元件之间由于隔离因素而避免放出的热量发生交流或影响，有助于进一步地实现对同一晶圆的不同区域进行更细致地加热控制。
附图说明
图1是现有技术中一种加热基座的结构示意图；
图2是现有技术中一种加热基座的加热元件的分布示意图；
图3是现有技术中另一种加热基座的加热元件的分布示意图；
图4是本发明实施例中一种加热基座的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例中一种加热基座的加热元件的分布示意图；
图6是本发明实施例中另一种加热基座的加热元件的分布示意图；
图7是本发明实施例中又一种加热基座的剖面结构示意图。
具体实施方式
在现有技术中，通过控制加热温度这一单一参数对CVD薄膜的厚度进行调整时，由于现有的加热基座的加热结构单一，加热区域的可控性有限,难以对同一晶圆的不同区域进行细致地加热控制。
结合参照图1和图2，图1是现有技术中一种加热基座的结构示意图，图2是现有技术中一种加热基座的加热元件的分布示意图。
所述加热基座100为整体加热型基座，用于对承载的晶圆进行整体加热，不能调节区域温度。所述加热基座100的加热元件101如图2所示，可以视为分布在整个加热基座100的表面，对整个加热基座100进行均匀加热。
由于加热基座100的加热结构单一，加热元件101的可控性有限，难以对同一晶圆的不同区域进行细致地加热控制，也即难以补偿反应气体、腔体压力、射频功率、加热时间等各参数产生的综合影响。
在现有技术中，还存在着另一种加热基座，其加热元件102的分布可以参照图3，同一圆环区域内设置为同一个加热元件，不同圆环之间可以采用相同的加热元件，还可以采用不同的加热元件。
具体地，加热元件102在以所述加热基座的中心为圆心的多个圆环区域上分别进行加热，其中，同一圆环区域的温度可以相同，不同圆环之间的温度可以相同，也可以不同。
本发明的发明人经过研究发现，在现有的CVD工艺中，基于反应物的热分解反应及其他化学反应对加热基座温度的精度要求很高，容易发生在同一圆环的不同位置，CVD膜的厚度相差较大的情况。而在现有的多种加热基座中，同一圆环区域内均设置为同一个加热元件，难以满足需求。
在本发明实施例中，提供一种加热基座，包括：基座，所述基座用于承载晶圆；多个加热元件，所述多个加热元件分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座热耦合，其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件；温度控制器，所述温度控制器与所述多个加热元件连接，并分别控制所述多个加热元件中每一个加热元件的温度。采用上述方案，通过设置分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上的多个加热元件，以及与所述多个加热元件连接的温度控制器，可以提高加热温度的区域可控性，有助于实现对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，相比于现有技术中同一圆环区域内仅设置同一个加热元件，在每个圆环区域可以分别控制加热元件以获得不同温度，从而更精细地降低晶圆表面各圆环区域内形成的薄膜厚度差异,提高薄膜的均匀性。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图4，图4是本发明实施例中一种加热基座的剖面结构示意图，所述加热基座可以包括基座200、多个加热元件220、热隔离层210和温度控制器(图未示)。
其中，所述基座200可以用于承载晶圆230，所述多个加热元件220可以分布于以所述基座200的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座200热耦合。所述温度控制器与所述多个加热元件220连接，并分别控制所述多个加热元件220中每一个加热元件220的温度。
具体地，所述加热元件220可以位于基座200的外部(例如在基座200的顶部以上或底部以下)，以直接地或者通过基座200间接地向基座200承载的晶圆230进行加热。或者，所述加热元件220也可以位于基座200的内部(也即图4所示的例子)，以向基座200承载的晶圆230进行加热。
其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件220。可以参照图5示出的本发明实施例的一种具体实施方式，图5是本发明实施例中一种加热基座的加热元件的分布示意图。
所述加热基座的加热元件221可以在以所述基座201的中心为圆心的多个圆环区域上呈点状分布，也即所述加热元件221为点状加热元件或者块状加热元件。其中，每一圆环区域上的多个加热元件221可以均匀分布，也可以采用其他方式分布。点状加热元件指的是平面形状为圆形的加热元件，其半径可以是任何适当的数值；块状加热元件指的是平面形状为非圆形(例如正方形、菱形或者其他任意形状)的加热元件，其在各个方向上的尺寸的差值小于等于预设阈值。相比于现有技术中的环状加热元件，点状加热元件或块状加热元件放出的热量比较集中，采用温度控制器分别控制，可以实现对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，从而更精细地降低晶圆表面各区域形成的薄膜厚度差异,提高薄膜的均匀性。
进一步地，所述点状加热元件或块状加热元件包括灯泡或电热丝，可以通过控制灯泡或电热丝的加热功率，增加或减少加热能量，进一步实现对晶圆230更为精细的加热控制。
参照图6示出的本发明实施例的另一种具体实施方式，图6是本发明实施例中另一种加热基座的加热元件的分布示意图。
所述加热基座的加热元件222可以在以所述基座202的中心为圆心的多个圆环区域上呈段状分布，也即所述加热元件221为段状加热元件。其中，段状加热元件指的是平面形状为条带形(例如为圆弧状的条带形)，其在一个方向上的尺寸与其他方向上的尺寸的差值大于预设阈值。相比于现有技术中的环状加热元件，段状加热元件放出的热量比较集中，可以限制加热区域为比较小的区域，采用温度控制器分别控制，可以实现对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，从而更精细地降低晶圆表面各区域形成的薄膜厚度差异,提高薄膜的均匀性。
进一步地，所述段状加热元件包括电热丝段，可以根据控制电热丝段的加热功率，增加或减少加热能量，进一步实现对晶圆各个位置更为精细的加热控制。
在本发明实施例中，通过设置分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上的多个加热元件，以及与所述多个加热元件连接的温度控制器，可以提高加热温度的区域可控性，有助于实现对晶圆上同一圆环的不同区域进行更细致地加热控制，相比于现有技术中同一圆环区域内仅设置同一个加热元件，在每个圆环区域可以分别控制加热元件以获得不同温度，从而更精细地降低晶圆表面各区域形成的薄膜厚度差异，提高薄膜的均匀性。
继续参照图4，所述加热基座还包括热隔离层210，所述热隔离层210可以位于所述基座200中，所述多个加热元件220放置在所述热隔离层210的表面。
具体地，所述热隔离层210可以用于隔离加热元件220的热量，加热元件220放置在所述热隔离层210的表面有助于使加热元件220放出的热量向上流动至晶圆230，还可以避免操作者触碰基座200时受到热伤害。
参照图7，图7是本发明实施例中又一种加热基座的剖面结构示意图。所述加热基座可以包括基座300、多个加热元件320、热隔离层310和温度控制器(图未示)。
其中，所述基座300可以用于承载晶圆330，所述多个加热元件320可以分布于以所述基座300的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座300热耦合。所述温度控制器与所述多个加热元件320连接，并分别控制所述多个加热元件320中每一个加热元件320的温度。
具体地，所述热隔离层310的表面可以具有多个凸起部和多个凹陷部，所述多个加热元件320分别位于各个凹陷部内，并且由所述凸起部隔离。
在本发明实施例中，所述多个加热元件320由所述热隔离层310的凸起部隔离，可以使得相邻的加热元件320之间由于隔离而避免放出的热量发生交流或影响，有助于进一步地实现对同一晶圆330的不同区域进行更细致地加热控制。
进一步地，所述凸起部的高度可以高于所述加热元件320的高度，有助于使加热元件320周围被凸起部半封闭式的包围，使加热元件320放出的热量更加具有向上的方向性，更集中地流动至晶圆330端，从而采用较少的能量即可实现更好的加热效果。
具体地，所述热隔离层310的材料可以与所述基座300的材料相同或者不同，例如可以包括陶瓷材料。
更进一步地，所述加热基座可以用于化学气相沉积工艺，还可以用于其他受到包括加热温度在内的多个参数的综合影响，以致生成的薄膜存在厚度不均匀的工艺。
进一步地，在本发明实施例中，还可以提供一种半导体加工设备，所述半导体加工设备可以包括加热腔室，在所述加热腔室内设置有图4至图7示出的任意一种加热基座，用于承载晶圆，并对所述晶圆进行加热。其中，所述半导体加工设备可以是各种类型的设备，尤其而言，可以是CVD设备。
采用上述方案，所述半导体加工设备可以提高加热温度的区域可控性，有助于实现对同一晶圆的不同区域进行更细致地加热控制，通过在每个圆环区域可以分别控制加热元件以获得不同温度，从而更精细地降低晶圆表面各区域CVD薄膜厚度差异，提高CVD薄膜的均匀性。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种加热基座，其特征在于，包括：
基座，所述基座用于承载晶圆；
多个加热元件，所述多个加热元件分布于以所述基座的中心为圆心的多个圆环区域上并与所述基座热耦合，其中，每一圆环区域上设置有至少两个加热元件；
温度控制器，所述温度控制器与所述多个加热元件连接，并分别控制所述多个加热元件中每一个加热元件的温度。
2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述加热元件为点状加热元件、块状加热元件或者段状加热元件。
3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述点状加热元件或块状加热元件包括灯泡或电热丝。
4.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述段状加热元件包括电热丝段。
5.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，还包括：
热隔离层，所述热隔离层位于所述基座中，所述多个加热元件放置在所述热隔离层的表面。
6.根据权利要求5所述的加热基座，其特征在于，所述热隔离层的表面具有多个凸起部和多个凹陷部，所述多个加热元件分别位于各个凹陷部内，并且由所述凸起部隔离。
7.根据权利要求6所述的加热基座，其特征在于，所述凸起部的高度高于所述加热元件的高度。
8.根据权利要求6所述的加热基座，其特征在于，所述热隔离层的材料包括陶瓷材料。
9.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述加热基座用于化学气相沉积工艺。
10.一种半导体加工设备，包括加热腔室，在所述加热腔室内设置有加热基座，用于承载晶圆，并对所述晶圆进行加热，其特征在于，所述加热基座为权利要求1至9任一项所述的加热基座。
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