TWI255564B - Light emitting device and its manufacturing method - Google Patents
Light emitting device and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI255564B TWI255564B TW091132564A TW91132564A TWI255564B TW I255564 B TWI255564 B TW I255564B TW 091132564 A TW091132564 A TW 091132564A TW 91132564 A TW91132564 A TW 91132564A TW I255564 B TWI255564 B TW I255564B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light extraction
- emitting
- emitting element
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 339
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 118
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910004743 OSxS 1 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 45
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017706 MgZn Inorganic materials 0.000 description 1
- USZGMDQWECZTIQ-UHFFFAOYSA-N [Mg](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound [Mg](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 USZGMDQWECZTIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CVXBEEMKQHEXEN-UHFFFAOYSA-N carbaryl Chemical compound C1=CC=C2C(OC(=O)NC)=CC=CC2=C1 CVXBEEMKQHEXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005286 carbaryl Drugs 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
1255564 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於發光元件及其製造方法。 【先前技術】 在發光二極體和半導體雷射等之發光元件，於以活性 層和包覆層而構成之發光層部，產生何種程度之發光，係 成爲重要性能之標準。接著，設計具有例如封入且注入載 體之功能的包覆層等，係設計成使對來自活性層之發光呈 透明（具有較相當於發光波長之光子能爲寬之帶隙能量 (band gap energy))，採用以該包覆層來夾住活性層之雙異 質（double hetero)構造。藉由使擴大活性層和包覆層之帶隙 能量差，來提高內部量子效率，結果，提高發光元件之發 光效率。 另一方面，在發光元件，除了內部量子效率之提升外 ，外部量子效率（對光之發光元件外部之取出效率：以下 ，亦僅稱爲光取出效率）之提升係亦極爲重要。在考慮這 樣往外部之光取出效率時，異種材料間之折射率之差異係 成爲問題。在活性層之折射率爲h而包覆層之折射率爲n2 時，由活性層入射至包覆層之光之全反射之臨界角度Θ c係 成爲： 6> Sin·1 ( ih/nj · · · ( 1) 即，在異種材料間之折射率之差異越大’則在異種材料間 之界面之全反射之臨界角度變得越小，例如在上述情形下 1255564 ’活性層之折射率ηι和包覆層之折射率以間之差異越大， 則由活性層所產生之光，係越容易在和包覆層之界面上進 行全反射’使光取出效率降低。即使是在由包覆層至外部 環境氣氛中之光行進，也可以說是會有同樣的情形。 在圖8A和圖8B，就由於全反射所造成之光取出效率 之降低進行說明。例如在結晶內部和外部環境氣氛（空氣 )間之界面之全反射之臨界角度爲0 c的情形下，入射至該 界面之入射角度小於0 c之光，係如圖8A所示，透過界面 而被取出至外部（空氣中）。另一方面，入射角度大於<9c 之光，係如圖8B所示，在界面被全反射而無法取出至發光 元件之外部。 爲了抑制這樣由於全反射所造成之光取出效率之降低 ，因此，進行以下之作法：藉由在元件表面施以微細加工 ，擴大表面積，來減少全反射之光量，或是使包覆層等之 活性層以外之層厚度變厚，以增加由側面之光取出量，提 高光取出效率。但是，在該方法中，有導致製程線之增加 或增加所消耗之材料，以致於會有成爲成本增加之要因的 問題。 【發明內容】 本發明之目的，係提供光取出效率良好之發光元件及 其製造方法。 爲了解決上述課題，本發明之發光元件，其特徵在於 :發光層部係以氧化物半導體而構成，在該發光層部之至 1255564 少一側一側具有光取出層，其係以氧化物而構成，且對由 活性層所取出之光之主要發光波長之折射率係小於前述發 光層部。 藉由上述，比起發光層部直接地曝露在外部環境氣氛 ，更能緩和由於全反射所造成之光取出效率之減少。即， 藉由在發光層部之外側，形成折射率僅些微小於該發光層 部的光取出層，來縮小外部環境氣氛（例如空氣：折射率 大約1)或發光元件之保護膜（例如環氧樹脂：折射率大約 1.5)和發光元件界面間之折射率之差，使發光元件界面之 全反射之臨界角度0 c變大，結果，使更多之光，被取出至 發光元件外部。 一般確認MgxZn^O型氧化物（以下，亦稱爲MgZnO 型氧化物）或等之氧化物，其折射率小。例如在 MgZnO型氧化物，於MgO混晶比X爲0.15時，折射率係大 約1.9〜2左右，於MgO混晶比X爲0.6時，折射率係減少 至大約1.8左右爲止。此外，在MgO和Si02，折射率係分 別降低至大約L7和1.5左右爲止。但是，如習知所開發的 ，在發光層部使用AlGaAs系、GaAsP系、AlGalnP系和 InGaN系等之嫌氧存在之材料的發光元件，於其製造過程 中，在形成上述氧化物來作爲光取出層時，發光層部係曝 露在高溫且氧化性環境氣氛中，導致發光層部之破壞或功 能降低。因此，在這些系統之發光元件，並不容易使用上 述低折射率之氧化物，作爲光取出層。但是，發光層部以 氧化物半導體而構成之本發明之發光元件，係不必擔心發 1255564 光層部之破壞和功能降低，並且，可以藉由上述折射率小 之氧化物，來形成光取出層。 此外，發光層部，其活性層係能至少以含有Zn之氧化 物半導體而構成，包覆層係能以MgxZiihO (但是1 )型氧化物半導體而構成。可以藉由這樣構造，來產生主 要發光波長大約280〜570mm之光，可以進行由紫外線區域 至綠色區域爲止之發光。特別是在能夠進行由紫外線區域 至綠色區域之發光的發光元件，要求更加地提高發光效率 ，因此，本發明能適當地採用。此外，形成包覆層之 MgZnO型氧化物半導體之折射率係設成例如大約1.8〜2。 如前述般，例如在以MgO或Si02來構成光取出層的情形下 ，其折射率係分別爲大約1.7及大約1.5，因此，以折射率 大於MgO或Si02之MgZnO型氧化物半導體來構成包覆層 〇 此外，光取出層之對由活性層所取出之光之主要發光 波長之折射率，係可以大於發光元件之保護膜之折射率。 在發光元件之周圍形成用以保護該發光元件本體之保護膜 的情形並不少。因此，在該情形下，爲了抑制光取出層和 保護膜間之界面之全反射，因此，以具有大於保護膜之折 射率的氧化物來形成光取出層。 進而，爲了更進一步地發揮本發明之效果，因此，光 取出層係可以積層折射率不同之複數層而構成者，構成光 取出層之各層，係可以形成越靠近光取出層之最表面側， 折射率變得越小。藉此，在光取出層之各層境界，形成折 1255564 射率逐漸變化之形態，而能抑制由於形成光取出層所造成 之各層間之折射率之大幅度變化，結果，提高光取出效率 0 此外，在以MgZiiO型氧化物半導體而構成包覆層的情 形下，光取出層係能以MgO混晶比X大於包覆層之 MgxZn^O型氧化物層而構成。在MgZnO型氧化物，有隨 著MgO混晶比X之增大而使折射率減少之傾向。因此，可 以藉由上述構成，來實現折射率小於包覆層之光取出層。 具體而言，光取出層係可以採用其最表面形成MgO層者。 在MgZnO型氧化物中，如果將混晶比X最大之MgO層使 用在光取出層最表面的話，則在以MgZnO型氧化物半導體 而構成包覆層的情形下，容易實現本發明之構成。此外， 當然也可以僅以MgO層來構成光取出層。 此外，光取出層也能夠以Si02層爲主體而構成。Si〇2 之折射率係大約1.5，可以適合使用作爲光取出層。此外， 在使用例如環氧樹脂（折射率：大約1.5)來作爲發光元件 之保護膜的情形下，由於使發光元件本身和保護膜間之折 射率之差變小，因此，能抑制在光取出層和保護膜之界面 之全反射。 在以上述氧化物來構成光取出層的情形下，可以採用 以下之本發明之發光元件之製造方法。即，該方法，其特 徵在於：在以氧化物半導體而構成之發光層部之表面上， 形成含有MgxZn^O (但是OSxS 1)型氧化物層或Si〇2層 之任一種之光取出層。本發明之發光元件，由於其發光層 1255564 部係以氧化物半導體而構成，因此，在發光層部以氧化物 以外之材料而構成之其他發光元件變得困難情況下，可以 形成由氧化物所構成之光取出層。此外，發光元件之發光 層部，其活性層係能以至少含有Zn之氧化物半導體而構成 ，包覆層係能以MgxZn^O (但是1)型氧化物半導 體而構成。進而，在形成上述光取出層的情形下，該光取 出層係可以在氧化性環境氣氛中形成，即使是在高溫下， 接觸到氧化性環境氣氛，也不會破壞包覆層等之發光層部 。因此，能夠容易進行由氧化物所構成之光取出層之形成 。此外，由於包覆層係以MgZnO型氧化物半導體而構成， 因此，亦可在同一反應爐內，形成由氧化物所構成之光取 出層，可以期待達到製程之簡化。 【實施方式】 以下使用圖式，就用以實施本發明之較佳形態進行說 明。 圖1係表示本發明之發光元件之一構成例之截面槪念 圖。該發光元件1〇〇，係在發光層部9之第1表面10上， 形成第1電極8。此外，在第1表面10並無形成第1電極 8之區域上，形成光取出層7。發光層部9係具有：例如藉 由以MgxZnnO型氧化物半導體而構成之活性層5、以及同 樣以MgxZni_x〇型氧化物半導體而構成之P型包覆層6和η 型包覆層3 (以下、也總稱兩者而稱爲包覆層6、3 )所構 成之雙異質構造。 10 1255564 在本實施形態，構成活性層5之MgZiiO型氧化物半導 體之MgO混晶比X係可以爲0。即，能以Zn〇而構成。此 外，在本發明中，發光層部9係能以MgZnO型氧化物以外 之氧化物半導體而構成，例如能以ZnCdO型氧化物而構成 。此外，也可以採用該ZnCdO型氧化物和MgZnO型氧化物. 之混晶。使用在活性層5之氧化物半導體係分別按照作爲 目的之發光波長，來適當選擇。藉由在活性層5，使用 MgZnO型氧化物半導體、ZnCdO型氧化物半導體或這些氧 化物半導體之混晶材料，能產生主要發光波長280〜570nm 之光。 此外，在本實施形態，於以MgZnO型氧化物半導體來 形成活性層5的情形下，設定在p型包覆層6和η型包覆 層3之MgO混晶比X大於在活性層5之MgO混晶比X，設 定包覆層6、3之帶隙能量大於活性層5之帶隙能量。藉此 ，來增大在活性層5之載體之封入效果，提高發光層部9 之內部量子效率。進而，由活性層5所產生之光，係不容 易被包覆層6、3所吸收，良好地維持光取出效率。此外， 在並無以MgZnO型氧化物半導體來形成活性層5的情形下 ，也可以同樣地調整包覆層6、3之MgO混晶比X，以使帶 隙能量大於活性層5。 在本實施形態中，作爲構成光取出層7之材料，係可 以採用例如MgO (氧化鎂）。藉由設定MgO對由上述活性 層5所取出之光之主要發光波長之折射率爲大約1.7，小於 P型包覆層6之折射率，而能適合使用MgO作爲光取出層 1255564 7。此外，亦能以例如Mg◦混晶比χ大於以MgZn〇型氧化 物半導體所形成之包覆層3、6的MgZnO型氧化物，來構 成光取出層7。在MgO混晶比χ變大時，則帶隙能量變大 ，並且，減少折射率，因此，變得適當。此外，可以設定 光取出層7之MgO混晶比χ，朝向光取出層7之最表面7, 側，呈連續或階段性地增加。藉此，來使越接近光取出層 之最表面7’側，則折射率變得越小，並且，帶隙能量變大 ，因此，即使由光透過性之觀點來看，亦無問題。 此外，在採用MgO作爲光取出層7的情形下，Mg〇係 絕緣體，因此，在該光取出層7上進一步形成第1電極8 時，於MgO和第1電極8間，無法得到良好之歐姆接觸， 無法對發光層部9，進行充分之通電。因此，第1電極8係 可以連接P型包覆層6之一部分來形成，而在形成第1電 極8之p型包覆層6之表面上，形成作爲光取出層7之 Mg〇層。此外，在光取出層7使用具有導電性之材料的情 形下，如果進行良好通電的話，則可以在光取出層7上， 進一步形成第1電極8，以便在p型包覆層6之表面上，形 成光取出層7。此時，也可以在光取出層7混入摻雜物，兼 用作爲電流擴散層。此外，作爲第1電極8，較佳係採用能 進行良好之通電並且接合性亦佳之金（Au)電極。 上述發光層部9之第2表面11，係透過Zn〇緩衝層2 來接合在基板1上。作爲基板1，係使用氧化鋁、氧化鎵、 氧化鎂、氧化鋅、銦錫氧化膜及玻璃等之氧化物。此外， 在η型包覆層3上之活性層5、p型包覆層6以及並無形成 12 1255564 光取出層7之η型包覆層開放面3’，形成第2電極4。作爲 第2電極4，係可以使用由銦錫氧化物（ΙΤΟ)等所構成之 透明導電膜。 以下，就上述發光元件100之製造方法進行說明。 在上述基板1上，使Ζη〇緩衝層2，進行外延生長， 接著，按照該η型MgxZn^O包覆層3 (層厚：例如50nm) 、MgxZn^O活性層5 (層厚：例如30nm )以及p型 MgxZrihO包覆層6 (層厚：例如50nm)之順序，進行外延 生長。這些層之形成係可以藉由習知之MOVPE ( Metal Organic Vapor Phase Epitaxy :金屬有機氣相外延生長）法或 MBE ( Molecular Beam Epitaxy ··分子束外延生長）法來進行 〇 作爲各層之主原料，係可以使用以下者。 •氧成分源氣體：可以使用氧氣，但是，在抑制和後面敘 述之有機金屬氣體間之過度反應之觀點來看的話，較佳係 以氧化性化合物氣體之形式來供應。具體而言，可以使用 N2〇、NO、N〇2、C〇、H2〇等。在本實施形態，係使用N2〇 (亞氧化氮）。 •Zn源（金屬成分源）氣體：二甲基鋅（DMZn)、二乙基 鋅（DEZn)等。 • Mg源（金屬成分源）氣體：雙[環戊二乙烯基]鎂（ Cp2Mg)等。 此外，作爲P型摻雜物氣體，係可以使用以下者。 • U源氣體：正丁基鋰等。 13 1255564 • Si源氣體：甲矽烷等之矽氫化物等。 •C源氣體：烴（例如含有1個以上之c之烷基等）。 • Se源氣體：硒化氫等。 此外，Al、Ga和In等之III族元素之1種或2種以上 ，係可以藉由與V族元素之N之共同添加，來發揮作爲良 好之P型摻雜物之功能。作爲摻雜物氣體，係可以使用以 下者。 •八1源氣體：三甲基鋁（丁1^八1)、三乙基鋁（丁£八1)等 〇 • Ga源氣體：三甲基鎵（TMGa)、三乙基鎵（TEGa)等 〇 •In源氣體：三甲基銦（TMIn)、三乙基銦（ΊΓΕΙη)等。 在一起使用金屬元素（Ga)和Ν作爲ρ型摻雜物的情 形下，於進行P型MgZnO包覆層之氣相生長時，一起供應 成爲N源之氣體及成爲Ga源之有機金屬氣體。例如在本實 施形態，形成即使採用作爲氧成分源之N20來作爲N源也 可以發揮功能之形態。 此外，在η型包覆層3，作爲η型摻雜物，係可以藉由 添加Al、Ga和In之1種或2種以上，來摻雜η型載體。 作爲摻雜物氣體，係可以使用相同於上述者。 如上述，在形成發光層部9後，爲了形成作爲光取出 層7之MgO層，因此，可以使用其他之反應爐，藉由氣相 生長法、堆積法或真空蒸鍍法等，來進行形成，但是，也 可以藉由形成發光層部9之相同反應爐，來連續地形成。 14 1255564 在藉由同一反應爐來連續地形成的狀態下，可以形成僅使 金屬成分源氣體中之Mg源氣體，流入反應爐內。藉此，則 省略將生長中之基板供應至其他製程之工作，因此，能夠 實現製程之簡化。 如上述，在一直到形成光取出層7爲止後，藉由光微 影製程，對形成該光取出層之最表面7’電極之部分，進行 圖案除去，在除去光取出層7之p型包覆層6之第1表面 側10，形成第1電極8而作爲電極。進而，在第2電極4 形成於η型包覆層開放面3’的情形下，藉由光微影等，來 除去一部分之光取出層7、ρ型包覆層6及活性層5之既定 部分，在露出之η型包覆層開放面3’，形成例如以ΙΊΌ等 所構成之第2電極4而作爲電極。在該情形下，可以藉由 在第1電極8施加正電壓，在第2電極4施加負電壓，來 通電至發光元件100。 此外，在本實施形態，雖就使用絕緣性基板1而將第2 電極4形成在η型包覆層開放面3’的情形進行描述，但是 ，在使用具有導電性之基板1 (例如氧化鋅（Ζη〇）等）的 情形下，就關於基板1之發光層部9而言，上述第2電極4 係可以形成在相反側之面。 此外，以上之本實施形態，雖以η型包覆層3、活性層 5和ρ型包覆層6之順序來形成，但是，也可以使η型包覆 層3和ρ型包覆層6之順序相反，在η型包覆層3之表面 形成光取出層7。 此外，在以MgZiiO型氧化物半導體來形成ρ型包覆層 15 1255564 6，並且以MgO混晶比x大於p型包覆層6之MgZnO型氧 化物層來形成光取出層7的情形下，如圖2所示’光取出 層7係可以形成使MgO混晶比X朝向光取出層7之最表面 7’側而呈連續或階段性地增加。結果，發光元件1〇〇之光 取出層7，係如圖3所示，以折射率不同之複數層來形成， 以越靠近光取出層7之最表面7’側，折射率變得越小的方 式來進行積層。藉此，能使P型包覆層6和光取出層7、光 取出層7之各層間、以及光取出層7和外部環境氣氛間之 各界面之相對折射率差變小，並且，抑制晶格不整合等。 上述光取出層7之形成，係可以在藉由上述MOVPE法所進 行之發光元件之製造方法中，於形成光取出層7時，藉由 呈連續或階段性地增加所供應之作爲Mg原料之Cp2Mg氣 體之載體氣體中之含有量。此外，由相同觀點來看，如圖4 所示，可以在P型包覆層6與光取出層17間，形成MgO 混晶比X設定在p型包覆層6與光取出層17間之中間値的 MgxZnhO型緩衝層12。 在越接近最表面7’側越使光取出層7之折射率變得越 小的情形下，作爲其他例子，係如圖5所示，光取出層7 可以含有MgO層14和Si02層13，在比MgO層14 (折射 率：大約1.7)更靠近光取出層7之最表面7,側，形成Si〇2 層13 (折射率：大約1.5)。藉此，使越接近光取出層7之 最表面7’側，折射率變得越小，本發明之效果係更進一步 地發揮。此外，在上述情形，光取出層7係能以Si02層13 作爲主體來形成。此外，作爲構成光取出層7之層，係可 16 1255564 以成爲在MgO層14與p型包覆層6間設置MgxZn^O層16 ，以越接近光取出層7之最表面7’越使該MgxZni_x〇層16 之MgO混晶比X越加增大的形態來設置。 此外，形成作爲光取出層7之MgO層14或31〇2層13 等之氧化物層，係可以藉由CVD法、PVD法等之氣相生長 法來形成。就關於CVD法而言，爲了形成發光層部9，係 採用適當之MOVPE法，但是，在形成發光層部9後，可以 連續地形成，因此，變得更加理想。此外，藉由PVD法， 可以例舉真空蒸鍍法、離子電鏟法和濺鍍法等。 此外，光取出層7係可以僅以Si02層來構成。在該情 形下，由於折射率係較MgO層爲小，因此，可以期待更加 提高光取出效率。此外，由不具有光學異向性之點、或製 造容易之點來看，Si02層係可以作爲非晶質Si02層。這種 非晶質3丨02層，係除了 CVD法之外，也可以藉由在旋轉塗 敷顆粒液後進行熱處理，來形成非晶質Si02層。此外 ，可以藉由在MOVPE爐內流動甲矽烷氣體和氧等之氧化性 氣體來形成，或是藉由在MBE處理室內之Si分子線與氧化 性氣體間之反應來形成，藉由脈衝雷射堆積法等來形成， 如果藉由這些方法的話，則具有能在形成發光層部9之生 長爐內，連續地形成光取出層7的優點。 此外，在本發明之發光元件，發光層部，其活性層係 能以至少含有Zn之氧化物半導體來構成，包覆層係能以銅 氧化物所構成氧化物半導體來構成。上述銅氧化物係可以 是例如SrCu202或CaCu202任一種。此外，上述銅氧化物係 17 1255564 也可以是例如CuA1〇2、0&(：11〇2或InCu〇2中之任一種。 (實施例） 以下，採用氧化鋅（Zn〇）作爲活性層5，採用MgZnO 型氧化物半導體作爲p型包覆層6,在藉由以外面作爲保護 月吴之樹脂來進行被覆的發光兀件1 〇〇，就光取出層7成爲·· (1) 並無形成（習知例） (2) 僅形成MgO層 的2種情形，比較光取出效率。表示就使用折射率大約1.5 左右者（例如環氧樹脂等）來作爲樹脂的狀態。此外，光 取出層7係形成在p型包覆層6之外側。此外，在本實施 例，假設各個界面形成爲平坦，假設由活性層5所產生之 光係完全按照斯奈爾（Snell)法則。 圖6A係就無形成光取出層7之情形（1)進行說明。 在MgO混晶比X爲0.15之p型包覆層6上連接後，塗敷樹 脂。在該情形下，藉由包覆層6 (折射率：大約1.87〜1.96 )和樹脂15 (折射率：大約1.5)之折射率之差，來決定 全反射之臨界角度’臨界角度0 c係按照公式（i )，來成 爲大約50〜52° 。此時，如圖6A所示，具有大於50〜52 。之入射角之光L1，係在包覆層6與樹脂15間，進行全反 射。另一方面，引起樹脂和空氣（折射率：1 )間之全反射 之臨界角度Θ c係爲大約42° 。從對該角度之樹脂朝向上 述包覆層6之光之折射角，係按照斯奈爾（Sneli)法則， 成爲大約58° 。但是，如上述，具有大於52°之入射角度 之光，係在包覆層6與樹脂間之界面，進行全反射，因此 18 1255564 ，在由活性層5透過包覆層6之光中，僅具有52°以內之 角度之透過光，可以取出至發光元件1〇〇之外部。以下， 以該角度作爲光取出角度。此外，在假設來自活性層表面 之發光作爲點光源時，如圖7所示，可以視爲在以光取出 角度52°作爲頂點角之圓錐狀而取出光。 圖6B係說明形成MgO層（折射率：大約1.7)來作爲 光取出層7之情形。MgO混晶比X爲0.15之p型包覆層6 與MgO層間之全反射之臨界角度Θ c係61〜67°左右， MgO層與樹脂間之全反射之臨界角度0 c係60°左右，因 此，比起並無形成光取出層7之情形（1)，能更大幅度地 增加臨界角度。另一方面，對大氣與樹脂間之全反射之臨 界角度大約42°之樹脂/MgO層間之折射角係大約50° ， 並且，對該角度之MgO層/p型包覆層6間之折射角係成 爲大約58° 。因此，在由活性層5所產生之光中，在包覆 層6具有58°以內之角度之透過光，係全部取出至發光元 件100之外部。相同於上述，在假設來自活性層5之發光 成爲點光源時，如圖7所示，可以視爲在以光取出角度58 °作爲頂點角之圓錐狀而取出光。此外’在該MgO層與 MgO混晶比X爲〇·15之p型包覆層6間插入MgO混晶比X 爲0.6左右之MgZnO型緩衝層（折射率：大約1.8)的情 形下，p型包覆層6和該緩衝層間之臨界角度0 c係還大幅 度地增加至64〜71° 。 在比較上述（〇和（2)情形時，比起（1)情形，（ 2)情形之光取出角度係還增加1〇·5% °此外，還得知圖7 19 1255564 所示之圓錐形底面之大小（光取出面積）也增大。在實際 上，活性層之光源並非點光源，而是二維平面，但是，如 果由空間變寬而對點光源進行積分的話，則會造成相同之 考慮，因此，和近似地進行敘述之看法，並無發生矛盾。 此外，在上述實施例，藉由樹脂來被覆發光元件100， 但是，也可以不形成樹脂，而以上述Si〇2層作爲保護膜， 以非晶質狀態來形成於MgO層上。非晶質Si02，其折射率 係1.5左右，因此，形成具有與藉由樹脂所被覆之發光元件 100同等程度之光取出效率。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1係表示本發明之發光元件之一例之截面槪念圖。 圖2係表不光取出層之一形態之截面示意圖。 圖3係表不光取出層之一形態之截面示意圖。 圖4係表示本發明之變化例之一例之截面示意圖。 圖5係表示與圖3之光取出層不同之一形態之截面示 意圖。 圖6 A係表示習知例中之光取出效率槪算之示意圖。 圖6B係表示實施例中之光取出效率槪算之示意圖。 匱1 7係表示實施例和習知例之光取出效率之差異之槪 念圖。 圖8A係就因全反射所造成之光取出效率之降低來進行 說明之第1槪念圖。 20 1255564 圖8B係同樣就因全反射所造成之光取出效率之降低來 進行說明之第2槪念圖。 (二）元件代表符號 0 c :臨界角度 L1 :光 1 :基板 2 : ZnO緩衝層 3 : η型包覆層 3 ’ ： η型包覆層開放面 4 :第2電極 5 :活性層 6 : ρ型包覆層 7 :光取出層 7’ ：光取出層之最表面 8 :第1電極 9 :發光層部 10 ··第1表面 11 :第2表面 12 : MgxZnhO型緩衝層 13 : Si〇2層 14 : Mg〇層 15 :樹脂 16 : MgxZni-xO 層 21 1255564 17 :光取出層 100 :發光元件
Claims (1)
1255564 拾、申請專利範圍 1. 一種發光元件，其特徵在於：發光層部係以氧化物半 導體而構成，在該發光層部之至少一側具有光取出層，其 係以氧化物而構成，並且對由活性層所取出之光之主要發 光波長之折射率係小於前述發光層部。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，前述發光 層部中，前述活性層係至少以含有Zn之氧化物半導體而構 成，包覆層係以MgxZn^O (但是OSxS 1)型氧化物半導 體而構成。 3. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，前述發光 層部，其前述活性層係至少以含有Zn之氧化物半導體而構 成，包覆層係以由銅氧化物所構成之氧化物半導體來構成 〇 4. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中，前述銅氧 化物係SrCu2〇2或CaCu202之任一種。 5. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中，前述銅氧 化物係CuA1〇2、GaCu〇2S InCu〇2中之任一種。 6. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，前述光取 出層之對由前述活性層所取出之光之主要發光波長之折射 率，係大於發光元件之保護膜之折射率。 7. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，前述光取 出層係積層折射率不同之複數層而構成者，構成前述光取 出層之各層，係形成越靠近前述光取出層之最表面側折射 率變得越小。 23 1255564 8. 如申請專利範圍第6項之發光元件，其中，前述光取 出層係積層折射率不同之複數層而構成者，構成前述光取 出層之各層，係形成越靠近前述光取出層之最表面側，折 射率變得越小。 9. 如申請專利範圍第2項之發光元件，其中，前述光取 出層係以MgO混晶比X大於前述包覆層之MgxZni_x〇型氧 化物層而構成。 10. 如申請專利範圍第9項之發光元件，其中，前述發 光層部之MgO混晶比X，係朝向該光取出層之最表面側， 呈連續或階段性地增加。 11. 如申請專利範圍第10項之發光元件，其中，前述光 取出層，其最表面係MgO層。 12. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之發光元件， 其中，前述光取出層係以Sih爲主體而構成。 13. 如申請專利範圍第7或8項之發光元件，其中，前 述光取出層係含有MgO層和8丨02層，在比MgO層更靠近 光取出層之最表面側，形成Si02層。 14. 如申請專利範圍第12項之發光元件，其中，前述光 取出層係含有MgO層和Si02層，且在比MgO層更靠近光 取出層之最表面側形成Si02層。 15. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，前述發 光層部係具有以MgxZni_x〇（但是0$χ€1)型氧化物半導 體而構成之包覆層，前述光取出層係以MgO混晶比X大於 前述包覆層之MgxZn^O型氧化物層而構成； 24 0 1255564 在前述包覆層和光取出層之間，形成使MgO混晶比x 設定在前述包覆層和前述光取出層間之中間値的MgxZn^0 型緩衝層。 16. —種發光元件之製造方法，其特徵在於：在以氧化 物半導體而構成之發光層部之表面上，形成含有MgxZn^O (但是OSxSl)型氧化物層或Si02層之任一種之光取出 層。 17. 如申請專利範圍第16項之發光元件之製造方法，其 中，前述發光層部中，活性層係以至少含有Zn之氧化物半 導體而構成，包覆層係以MgxZn^O (但是0Sx‘l)型氧 化物半導體而構成。 18. 如申請專利範圍第16或17項之發光元件之製造方 法，其中，前述光取出層係在氧化性ί哀境氣氛中形成。 拾壹、圖式 如次頁 25
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001366087A JP2003168822A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200300616A TW200300616A (en) | 2003-06-01 |
| TWI255564B true TWI255564B (en) | 2006-05-21 |
Family
ID=19176035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091132564A TWI255564B (en) | 2001-11-30 | 2002-11-05 | Light emitting device and its manufacturing method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7091526B2 (zh) |
| JP (1) | JP2003168822A (zh) |
| AU (1) | AU2002344620A1 (zh) |
| TW (1) | TWI255564B (zh) |
| WO (1) | WO2003049205A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI227529B (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | Kawasaki Masashi | Semiconductor device and display device using the same |
| JP2004296796A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
| JP4171492B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2008-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| TWI248691B (en) * | 2005-06-03 | 2006-02-01 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting diode and method of fabricating thereof |
| TWI271883B (en) * | 2005-08-04 | 2007-01-21 | Jung-Chieh Su | Light-emitting devices with high extraction efficiency |
| JP4476912B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2010-06-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US20070158661A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Rutgers, The State University Of New Jersey | ZnO nanostructure-based light emitting device |
| KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
| WO2008027896A2 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Moxtronics Inc. | Improved films and structures for metal oxide semiconductor light emitting devices and methods |
| WO2008045423A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Structured Materials Inc. | Self assembled controlled luminescent transparent conductive photonic crystals for light emitting devices |
| JP5151166B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US7989834B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-08-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8274091B1 (en) * | 2011-07-07 | 2012-09-25 | Yuan Ze University | Light emitting device with light extraction layer and fabricating method thereof |
| KR20130079873A (ko) * | 2012-01-03 | 2013-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 |
| JP6054426B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-12-27 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| KR102066620B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2020-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| KR20150039518A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| JP2017204642A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 株式会社Flosfia | 深紫外発光素子及びその製造方法 |
| CN112952025A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642388A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
| JP2770717B2 (ja) * | 1993-09-21 | 1998-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| DE69433926T2 (de) | 1993-04-28 | 2005-07-21 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung |
| JP2806423B2 (ja) | 1996-03-08 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 面発光型半導体素子 |
| US6057561A (en) | 1997-03-07 | 2000-05-02 | Japan Science And Technology Corporation | Optical semiconductor element |
| JP3380422B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2003-02-24 | 科学技術振興事業団 | Ｉｉ族−酸化物を含む光半導体素子 |
| JP2001036130A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Showa Denko Kk | 窓層を備えたＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード |
| WO2001008229A1 (fr) | 1999-07-26 | 2001-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO |
| JP4425376B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2010-03-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | シリコン基板を用いたＺｎＯ系化合物半導体発光素子およびその製法 |
| JP4298859B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2009-07-22 | 昭和電工株式会社 | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード |
| JP3398638B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2003-04-21 | 科学技術振興事業団 | 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-30 JP JP2001366087A patent/JP2003168822A/ja active Pending
-
2002
- 2002-11-01 WO PCT/JP2002/011425 patent/WO2003049205A1/ja active Application Filing
- 2002-11-01 AU AU2002344620A patent/AU2002344620A1/en not_active Abandoned
- 2002-11-05 TW TW091132564A patent/TWI255564B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-05-25 US US10/852,256 patent/US7091526B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003049205A1 (fr) | 2003-06-12 |
| US20040211969A1 (en) | 2004-10-28 |
| TW200300616A (en) | 2003-06-01 |
| US7091526B2 (en) | 2006-08-15 |
| JP2003168822A (ja) | 2003-06-13 |
| AU2002344620A1 (en) | 2003-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI255564B (en) | Light emitting device and its manufacturing method | |
| US7968903B2 (en) | Light emitting device | |
| JP5095848B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| TW200402896A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP7228176B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| US20090278150A1 (en) | Method for forming metal electrode, method for manufacturing semiconductor light emitting elements and nitride based compound semiconductor light emitting elements | |
| TW201133931A (en) | Light emitting device | |
| US8659039B2 (en) | Semiconductor light emitting diode | |
| US8269242B2 (en) | Semiconductor light emitting device having surface plasmon layer | |
| TWI606606B (zh) | 氮化物半導體多層膜反射鏡及使用其之發光元件 | |
| JP2013123057A (ja) | 発光素子パッケージ | |
| US20130210178A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
| JP2014528178A (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法および対応するオプトエレクトロニクス半導体チップ | |
| JP5933075B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2006040998A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子用エピタキシャルウェハ | |
| WO2013066088A1 (ko) | 투명 박막, 이를 포함하는 발광 소자와 이들의 제조 방법 | |
| JP4998701B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光ダイオード | |
| JP5900400B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2008066591A (ja) | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP2004281445A (ja) | 積層型発光ダイオード素子 | |
| JP2001291896A (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN109166953B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| JP3991193B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2012069684A (ja) | 発光素子 | |
| KR101672321B1 (ko) | 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |