TWI254838B - Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

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1254838 玫、發明說明： 技術領域 本發明有關一微影投影裝置包括： -一用於供應一投影光束之輕射光系统· _ -用於支^出圖案構件之支撐結:，該定出圖案構件 根據一偏好圖案將該投影束圖案化； -一用於支撐一基材之基材支撐架；及 --投影系統，用於將該有圖案的光束投影至該基材的， 目標部份& 先前技術 應將在此所使用的術語"定出圖案構件"廣義解釋成"可 用於使一進入輻射光束的橫斷面具有圖案的構件,，，對應於 ” 一將在基材的目標部份内產生的圖案，，；在此情況也可使 用S術沿兀閥。一般而言，該圖案將對應至在該目標部 伤所產生的一兀件的一特別功能層，例如一積體電路或其 Έ：兀件（參考如下）。此定出圖案構件的實例包括： _ 一遮罩。微影蝕刻相當熟悉遮罩的觀念，且遮罩類型包 括諸如二進位、交互相位移、衰減相位移及各種混合遮 罩頦型。根據在該遮罩上的圖案，將此一遮罩置於輻射 光束下會造成選擇性穿透（在為一穿透性遮罩的情況下） 或碰撞至該遮罩的輻射光的反射（在為一反射性遮罩的 情況下 >。在為一遮罩的情況下，該支撐結構一般為—遥， 罩檯，確保該遮罩可保持在該進入輻射光束内一偏好的 部位，並可依需要隨該光束移動。 84685 -6 - 1254838 ——可程式化鏡面陣列。此一元件之 定矣^ ^ p'例為一矩陣式可 表囬，具$ —黏彈性控制層和— 置障厶Μ苴士広 反射衣面。此一裝 且L· α的基本原理為（例如）該反 將入射古^ a i f生衣吗的定址區域會 、射“射成繞射光，而未定 成非繞射光。使用—適當的遽光器，能之入射先反* € fe非境射光而只留下繞射光；以 it It F-^ ^ ^ ^ 该光束會根 、衣囬的疋址圖案而變成具有圖安一 可長式化鏡面陣列之替代且# , 把/目、她例採數個微小鏡面 的矩·陣.列，可透過施加一 ^ 口的E域化電場，戋藉由 使用壓電制動構件，將每一個 / 打母貧1间個別傾斜約一轴向。 再次，孩鏡面為矩陣式可定址的， 、，办t —、 以致於已足址鏡面能 厂人未疋址鏡面不同的方向反射— 、、、 町進入的輻射光束；以 此方式，該反射光束根據該矩陣式 , 于八」疋址鏡面的足址圖 案而被圖案化。使用適合的電 — J私卞構件可執行所需的矩-陣 在上d，兄中，琢定出圖案構件可包括一或多 個可程式化鏡面陣列。從例如，美國專利us 5,296 89i 號和US 5,523,1 93號，及pCT專利應用則則咖和㈣ 9δ/33_中可搜集戦多有Μ鏡面陣列的資説’在此以 引：的万式併入本文中。在為-可程式化鏡面陣列的情 況下’該支彳f結構可具體實現為―框架或檯，例如，可 依需要而採固定式或可移動式。 一可程式化液晶顯示器（LCD)_陣列。此一架構之—實例: 在美國專利US 5,229,872號中已說明，纟此以引用的方 式併入本文中。如上述，在此實例中的該支撐結構可具 84685 1254838 體貫現為一框架或檯，例如，可依需要而採固定式或可 移動式。 為簡化起見’本文的剩餘部份在某些情況可很明確地指 向包括一遮罩和遮罩檯等的各種實例；然而，應以較廣義 的万式來看待在這些實例中所討論的前述該定出圖案構件 的一般原則。 娀於投影裝置可用於，例如，積體電路（1C)的製造方面。 在此貝例中，该定出圖案構件可產生一電路圖案，對應 該積_體電路的—個別層，並且此圖案可被映像至位於一已 塗裝一層感光材料（光阻劑）的基材（矽晶圓）的目標部份（例 如包括一或多個晶粒)。總言之，-單-晶圓將包括一整個 j數個目標部份的網路，制標部份經由該投影系統以 、广個的万式連續地被照射。在目前的裝置中，可依位 、〜罩軚上的—遮罩所採用的圖案來區分二不同類型的 機為。，影投影裝置中有―類型，係透過將該整個遮罩圖 t次曝光於該目標部份上來照射每一目標部份；此—裝 曰0步進态。在—替代裝置中-一般稱為一 =和掃描裝置初特定參考方向⑽”掃描”方向）之投影 =下’透過逐步掃描該遮罩圖案的方式來照射每-目伊 亚μ料與此方向平行或反平行的該基 :;::r由物影系統將具有-倍率因子卜般而言‘ 二=基材又=架的速度V將為倍於掃描該遮罩檯速: :7 Γ us M46,792號中可搜集到更多有關” 几的貧訊，在此以引用的方式併人本文中。 ~以 84685 1254838 一在一製造過程中使用—微影投影裝置將-圖案(例如在 ^ .内）映像主-基材上，該基材至少有部份被一層感光 材料（光㈣）覆蓋。在此映像步驟之前，該基材可能經歷久 種程序，例如表層處理，光阻驗腾和-軟烤。曝光後 ，孩基材將接受其它程序，例如一曝光後烘烤（PEB)，顯影 更烤和映像特色的測里/檢驗。使用此程序陣列做為將 諸如積體電路等元件的個別層圖案化的基礎。然後此一具 有圖案的層將經歷各種製程，例如蝕刻、離子植入、金屬 化'氧化〇化學機械拋光等，種種程序的目的只是要完成 個別層。右需要數個層，則每一個新的層皆必須重覆該 整個程序或其變化。最後，在該基材（晶圓）上將會出現= 件陣列。紐採用一技術，例％切割或銀開，將這些元件 彼此分離，可從分離處將該個別元件裝設於一載體上，戈 連接至接腳等。可從，例如1 997年由麥格希爾出版公司 (McGraw HUl PubHshmg Co.)所出版，Peter ㈣ 所著之 ”微晶片製造：半導體製程實務”第三版，ISBN『〇7_〇6725q1 中獲得有關此製程的進一步資訊，在此以引用的方式併入 本文中。 為簡化起見，該投影系統在此後將被視為該"透鏡"·然 而，此術語應廣義解釋為包含各種類型的投影系統 勺括 諸如折射光學、反射光學及反折射系統。該輻射光系Z也 可包括根據任何用於偵測、塑形或控制放射光束的於5 / 的設計類型來運作的組成單元，並且此組成單元在 〜 文中也可集體或單獨視為-”透鏡'此外，該微 84685 1254838 為一具有二或多個基材* 、 支趣采（和/或二或多個遮罩檯）的麺 型。在此，，多重階段”元件由 τ 、 " 牛中，可平行使用1系額外的檯； 當正使用一或多個1仓衫 乂 ’、才复用於曝光時，在一或多個檯上執 行預備步驟。例如，名τ τ 在 '969,441 號和 W〇 9 8/4 0791 中即 敘述雙階段微影裝置， 农置在此以引用的方式併入本文中。 發明内容 _本：明者已研究雙階段微影裝置的效能，並且確定在相 同機态内不同階段所執行的步驟巾，要映像一單—基材可 能有效能土的問豸。例士口，本發明者已確定-覆蓋錯誤的 組成單元為一階段間的錯誤。在數個實驗中，即使對非常 精確配合的階段而t ’該錯誤組成單元確定差不多是m〇 奈米（nm)。隨著對覆蓋效能的要求提高’消除一即使幾奈 米的錯誤也可能具有極高的價值。 本發明的目標之一為：使用雙階段微影裝置來改良微影 製程的映對效能。 如本發明在開宗明義即已指出在一微影裝置内欲達成的 這些和其它目；^ ’其特徵在於該裝置包括用於控制映像之 構件，以致於當將一第二圖案映像至一已具有一第一圖案 映像於其上的基材時，能降低該二基材支撐架間差異的效 應。 考慮遠基材支樓架間的差異，如本發明之該裝置能達到 改良映像效能。本發明者已能達成改良數個奈米的覆蓋效: 能。要達到此種水準的階段到階段覆蓋效能，則其階段製 造成本將十分昂貴，假若此種製造最後真的可行的話。因 84685 -10 - 1254838 而’本發明無需額外工程和製造支出即能提升效能。 一用於控制映像的構件可包肖’例如，—構件，用於確保 _基材將且使用該：基材支撐架中相同的支撐架映像-第 圖木*基材已有一第一圖案映像於其上。亦即，對每 一基材而纟’將纟相同階段執行重要的加工步驟。 或者$ l制映彳象之該構件可包括例如用於調整映像 以說明1¾二基材支撐架間的差異之構件。 如本發明之一進—步觀點’提供一元件製造方法，包括 以下步零< -提供一基材，該基材至少部份為一層感光材料所覆蓋； -使用一輻射光系統提供一投影輻射光束； •使用足出圖案構件，讓該投影光束的橫切面具有一圖 案； -將該具有圖案的輻射光束投影至該層感光材料的目標 部份上； -在映像時’提供一第一和第二基材支撐架以支撐該基 材，特徵在於將一第二圖案的映像控制在一具有一第一圖 系的基材上，以減少該二基材支撐架間的差異效應。 該映像的控制可包括，例如，當基材被該二基材支撐架 之一所支撐時（第一圖案映像期間的位置），確保該第二圖案 被映像至該基材上。 在製造積體電路時，雖然可特別參考本文中對於根據本 發明足該裝置的使用，然而應清楚了解到此一裝置也有許 多其Έ：可能的應用。例*，在製造積體光學系統、用於磁 84685 -11 - 1254838 性域叾己憶體之壤引和偵測圖安· ^ ^ 、 /、 口次、液晶顯示面板、薄膜磁頭 及，、類似物時，均可採用本發 。，、立$ 一 + ^ 奴明。熟讀此#者應了解，在 ’代應用的情境中所使用的 , ]衝浯王光罩、Μ晶圓"或，，晶 在本文中應改用更普遍的術語”，分別為"遮罩,，、，,基 材和"目標部份。 在本文件中，使用該術語，、射光,,和"光束,,來包含所有類 型的電磁輕射光，包括紫外線赛射（例如波長為如，MS， 1 % ’ 1 57或丨26 nm)和EUV(極紫外線輻射，例如波長範圍在 >2〇nm)k以及粒子光束，例如離子束或電子束。 實施方式 圖1概要描述如本發明_ 44r ^ El ^ ,. Λ狩疋具體貫施例之微影投影裝 置1。該裝置包括： 孝田射光系統Ex，IL，用於供應一輻射光（例如υν、 DUV、EUV輕射光、冑子或離子）的投影光束。在一特別 貫例中，該輻射光系統也包括一輻射源la ; • 一第一物件檯（遮罩檯）MT，具有一支撐一遮罩級八 (例如一主光罩）的遮罩支撐架，並連接至第一定位構件，以 正確定位該遮罩相料項目PL的位置，—訊框肝支撑該第 一物件檯； • 一第二物件檯（基材支撐架）WT具有一基材支撐架，用 於支撐一基材w(例如一塗裝光阻劑的矽晶圓）；並連接至第 足K構件用於正確地定位該基材對項目p L的位置； • 一投影系統（”透鏡"）PL(例如一光學系統，例如一反折 射或折射系統、—鏡面陣列或一組場偏光鏡)用於將該遮罩 84685 -12 - 1254838 ΜΑ 被照射部份映像至該基材W的一目標部份c上（例士 包括一或多個晶粒）。 如在此所描述的，該裝置為一穿透性類型（亦即具有—穿 透性遮罩）。然而，一般而言，也可為一反射類型，例如（具 有反射遮罩）。或者，該裝置可採用另一種定出圖案構件 ’例如—如上述類型之可程式化鏡面陣列。該裝置整髀而 言受一基板BP支撐。 该來源la(例如一燈或雷射、在一電子加速器通路内所提 供的一波動器、一電漿來源或一電子或離子束來源）產生一 輪射光束。此光束直接亦或在具有搜索制約構件後，例如 一光束增強器Εχ，被饋入一照明系統（照明器）IL内。該解 明森IL可包括調整構件AM，用於設定該光束内強度分佈的 外部和/或内邵輻射範圍/程度（一般分別被視為σ外部和σ 内邵）。此外，它一般還包括各種其它元件，例如一積分器 IN和一聚光鏡c〇。以此法，撞擊在該遮罩μα上的光束ρΒ 其橫斷面具有一偏好的一致性和強度分佈。 關於圖1，應注意該來源LA可位於該微影投影裝置的外 殼内（例如通常為該來源LA係一水銀燈的情況下），但也可 遠離該微影投影裝置，該來源所產生的輻射光束被導入該 裝置（例如在適合的導向鏡的協助下）；後者的場景通常為該 來源LA係一準分子雷射的情況。本發明和申請專利範圍包 含這些場景。 該光束ΡΒ接著攔截被留在一遮罩檯ΜΤ上的遮罩ΜΑ。在 搜索該遮罩ΜΑ後，該光束ΡΒ穿透該透鏡PL，該透鏡將光 84685 -13 - 1254838 束叩聚焦於該基材w的目標部份c上。在該第二定位構件 (及干涉儀測量構件IF)的協助下，可正確地移動該某材支^ 架WT’例如以便在光束叩的通路内定位不同的目標邵份： 的位置。類似地，例如在從—遮罩庫中機械提取該遮罩Ma 俊’或在-掃描„ ’可使用該第„定位構件正確地定仿 該逖罩MA相對於該光束PB的通路的位置。總言之，將在— 長衝程模組（粗定位）和一短衝程模組（細定位）的協^下奮 ㈣物件檯町和町的移動，此二模組皆未明確於圖！内描 迎。.然而-在為一晶圓步進器的情況下(對應於—步進和掃 描裝置），該遮罩檯MT可能僅連接至—短衝程起動器，或 可為固定式的。在映像期間，可使用主光罩對準記號％， M2和基材對準記號Ρι，&來對準該主光罩和基材。 所描逑的裝置可用於二不同模式中： 1.在步進模式中，該遮罩檯-丁本質上維持靜止，並且 一、整個遮罩映像一次投影（亦即一單-'，閃光Ί至-目標部 伤C上一後依忒χ和/或y方向移動基材支撐架WT，以便該 元束PB可照射一不同的目標部份匸； 2.在掃描模式中，本質上適用相同的場景，只除了一特 足目標邵份C未在一單一，，閃光，，内曝光。相反地，該遮罩檯 M丁可以一速度V依一特定方式移動（所謂的"掃描方向，，，例 如居y方向）以便使該投影光束PB掃描於一遮罩映像之上 ;同時地，該基材支撐架…丁同時·以v = Mvw速度向相同或:: 相反万向移動，其中M為該透鏡PL (一般，m = 1/4或1/5) 的大小。以此万式，可將一相當大的目標部份。曝光而無需 84685 1254838 對解析度妥協。 、圖2圖示一微影投影裝置Γ之特別具體實施例，具有如本 t明足一基材支撐架。應了解，與圖丨相較，某些系統已被 簡化，而其它則圖示額外的細節。該二基材支#架系統中 那些類似於圖1該裝置丨的零件則以相同的參考字元表示。 由於圖2所描述的該裝置包括二基材支撐架和二基材，這些 分別以下標的方式顯示為WT1，WT2*W丨，W:。 如圖2所示，該第一物件檯“丁被建構成可移動的，供上 逑掃杬之用。然而，其意圖和圖丨該單一階段裝置一樣，圖 2的該雙階段裝置也可在步進模式亦或在步進和掃描模式 中運作。 此外圖2該裝置尚包括_特徵化單元1〇，於其它基材％ 位於一映像部位14時，可用於在一特徵化部位12提供一基 材Wz特徵化。使用該特徵化單元丨〇於，例如，測量該基材 W2的各種特徵，例如區域不平坦和晶粒位置，並且使該基 材對準其個別的基材支撐架。透過於其它基材界2特徵化時 在基材W!上實現映像，可增加總產出率。 每一基材支撐架WTi，WTl皆圖示為具有個別的起動器} 6 和18，用於在該裝置運作期間移動基材支撐架。在一具體 貫施例中，該二起動器16和18在該映像部位和該特徵化部 位内移動該檯，並互動以將該基材支撐架從一個交遞至另 一個。在特徵化和映像二者期間，該基材仍維持在其個別， 的基材支撐架上，以便在映像期間該特徵化資訊仍維持有 效0 ^4685 -15 - 1254838 在—批製程中，將數個基材串聯導入該裝置内。一第一 基材，在該特徵化部位12被特徵化後，被移至該映像部 位1 4供晚像。在該第一基材w i的映像期間，一第二某材 在琢特徵化部位1 2被特徵化。此系列運作持續至—任音的 基材數目W,(未圖示）。 在整批皆被映像後，通常再做進一步加工。例如，該光 阻劑被顯影和蝕刻，然後，例如將該晶圓金屬化或施加介 電層至該晶圓上。其次，施加一層新的光阻劑，並且一第 二（我後續4圖案被映像至該基材上。若未特別注意，則可能 該第一基材^^會進入該裝置並在該第二基材支撐架I。上 執行。相同地，該第一基材^^^移至該映像位置14時，該第 一基材會進入該裝置並在該第一基材支撐架WT1執行。因 而，當被一不同的檯支撐時，每一基材最後將被特徵化並 加以映像，該檯與該第一映像製程期間支撐這些基材的檯 不同。 由於該二基材支撐架可能不會完全相像，在每一個特徵 化和映像製程中可能會導入某些程度的錯誤。整體而言， 這些錯誤會造成一第一和第二（或後續）映像製程間映像覆 蓋方面的錯誤。此外，在一傳統晶片製造製程中，可能要 映像20或更多層。是可能在一檯上映像這些層中的某些層 ，而在其它層上映像其它某些層，，可能無法保證任 何特別層將具有相對於任何其它特別層的最佳覆蓋。 如本龟明 < 一具體貫施例，該投影裝置〗，包括構件，用 於減少該二基材支撐架間的差異效應。在一特定具體實施 ^4685 -16 - 1254838 1列中，遠裝置包括構件，用於確保每一微影加工步驟中， 每一基材wn在該基材支撐架Wl或W2中一個別的支撐架上 加工。或者，可在所有層間的覆蓋並非很重要的情況下控 币1J孩製程，以確保對每一個被決定為一需要尖峰效能的I，重 要/關鍵"層而言，每一基材Wn係在該基材支撐架中個別的 支撐架上 力口工。 種方式，其中該裝置可確保一特別基材能在一特別基 材支得架上加工，是包括一基材匣3 〇或其它儲存結構，如 圖〇戶斤不：’ t其中能儲存供加工用的複數個基材。該基材匣3 〇 依預疋的順序包括該基材，以致於，例如，該第一基材 Wi將優先被加工，並且該第二基材第二個被加工，一 直繼續到基材W „。應了解只要以已知方式維持該基材的順 序，每一基材總能配對至其各別的用於加工 。透過實例，❹可包括—連串要被加工基料3 W4’ W5... ’ Wn。然後每一奇數基材在該第一基材支撐 木WT丨上加工，而每一偶數基材在該第二基材支撐架w丁2 j加工°在後續的映像製程中’只要將該偶數和奇數基材 父，，’該適當的基材可配對至其個別的支擇架。就如同很 一〃、的不而使用一特別的儲存結構，而可採用各種維持 一已知基材順序的方法。 代替貫際碉換該基材，該微 可被程式化成能從一儲存位置 通當的基材，以維持該支撐架 中，可能較偏好讓一使用者事 影裝置之一或數個處理手臂 中依所需的任何順序選擇該. 和基材間的關係。在此實例 先指示將使用哪一個基材支 84685 -17 - 1254838 i堂怒以力口工每一甚私、、 。這可以成為該批定義的一部份或做 為啟…序勺份的方式來執行，透過例如一管理系 統，該系統可為—用於製造設備的電腦控制系統，包括-或多個移動足位及微影投影裝置和熱處理裝置。 通常在％光後循序加工基材。換句話說，該加工的每一 步驟疋以先進先出的方式運作，以致於後序加工該基材時 ，將依進入的相同順序^，，W3，w4，w5，. ，wn在曝 光後乂即進仃。在已知施加至一批基材的加工步驟是循序 的情況時4則可能不需上述之儲存結構。該基材的順序維 持冗整如綠循序加工的直接結果。該基材可能被送回至該 微影投影I置而無需被留在儲存内（亦即在加工後立即送 回）’或可旎被留在一傳統儲存結構内（前提為該儲存結構不 會改k： 3基材的順序）。當該基材被送回該微影投影裝置， 則需要將該第一基材傳送至該正確的基材支撐架WT。此前 提為所有後％的基材也會被送至該正確的基材支撐架WT 。可藉由數種方法來辨識該第一基材的正確基材支撐架。 例如’該微影投影裝置可被建構成能使每一批的第一基材 均在该第一基材支撐架W T !上加工。這將意味著每當一批 基材被送回該微影投影裝置，該批的第一基材將再度在該 - - .... ... … 第—基材支撐架WT i上加工。在一替代方法中，有關每一 批基材的資訊可能在一曝光之後被保留，然後於該批基材 被回傳至·該微影投影裝置時即被提取。該資訊可包括一批 辨識器和一用於該批基材的第一基材支撐架的記綠，並例 如可能被保留在該微影投影裝置。一旦完成，該管理系統 84685 -18 - J254838 1追縱該批的位置’並於該批基材被送回該微影投影裝置 a寺通知該微影投影裝置該批的識別。使用該批基材的識別 ，加上被保留在該微影投影裝置的資訊，以決定該批的第 _基材應被送至哪一個基材支撐架。在一進一步替代方法 中，由該管理系統保留該批辨識器和用於該批的第一基材 支撐架的一記錄’並於該批基材被送回該微影投影裝置時 ，該管理系統可能使用此資訊，以指示該微影投影裝置將 該第一基材傳送芏正確的基材支撐架。 · 在，迷本發明之數個具體實施例中，對順序有某種程度 的依賴，其中未更動傳送到該微影投影裝置的基材。可能 在某些情況下可改變該順序，例如在基材檢驗時若辨識出 一不良基材。在傳統微影加工中會移除一不良的基材，因 而改良該順序並使本發明該具體實施例無法正確運作。可 以數種方式解決此問題。例如，可將該不良的基材保留一在 該批内的原位置；亦即它如常被加工，並於完成所有微影 製程（亦即所有層已被曝光）時移除。或者，取出該不良的基 材亚以一虛假基材取代。在第三替代方法中，該基材仍可 以傳統万式移除，但對從該順序中移除哪—個基材保留一 。己餘。琢微影投影裝置以直接亦或透過來自該管理系統的 指令的方式使用此記錄，以據此改t使用該基材支標架的 ’、序在另一替代万法中，從該順序中移除來自一批的一 =時，可將剩餘的基材再重新❹，以便維持該基材和 i材支撐架間適當的關係。 在—交替具體實施例中 每一基材上皆具有一辨識記號 咖85 -19- 1254838 。圖4圖示某些可用於辨識一基材的替代記號。所圖示的記 號並非全部，並可採用各種辨識記號。如圖4所示，可將一 條碼或另一個機器可1買取的碼4 0印在琢基材上。在該圖示 實例中，該碼4 0被印在一不會被使用的晶粒4 1上，因為該 晶粒將不會被完全映像。雖然可能因浪費基材而不被偏好 ，但也可使用一完整晶粒。該碼4 0可僅包括顯示此基材曾 被指派給哪一個基材支撐架的資訊，或可包括額外的資訊 ，例如一機器辨識器、一批號、一加工類型或任何其它可 能偏好與該基材產生關連的資訊。 該碼可為一基材辨識碼，被寫成一串用一適當的偵測器 和光學特徵辨識軟體可認識的字元。該偵測器可位於該微 影投影裝置之外，例如在一鄰接該裝置的軌跡内，該基材 辨識碼被決定，然後被傳送至該微影投影裝置，以便讓該 裝置選擇用於該基材的適當基材支撐架。該微影投影裝！ 使用保留在該裝置内的記錄選擇該適當的基材支撐架，該 記錄顯示該基材曾使用過哪一個基材支撐架。或者，該系 統管理員可能保留該必要的記錄，一旦接收到該基材辨識 碼，將決定適當的基材支撐架，並據此發布指令至該微影 投影裝置。 - — - ·" ·.….·- - 一碼的一替代位置係位於二晶粒42和44間的空間内。在 一傳統微影製程中，晶粒係由數條線分離，稱為切割線， 並未包拾該晶片被圖案化的部份。在該切割線的空間内， 有時會映像各種對準記號46供使用於控制該微影製程。如 前述，主要是想讓此空間可插入一碼40。 84685 -20 - 1254838 較偏好可用該微影投影裝置中一對準偵測器讀取的碼， 因為這些碼可讓有關該基材的資訊能在該微影投影裝置内 部決定’而非依賴來自，例如一移動軌跡或一系統管理者 的外部輸入。應了解在該微影投影裝置内可能會提供一適 合的專用偵測器（請進一步參考下文）。 在另一具體實施例中，該對準記號？！和p2皆以該辨識資 訊加密。例如，可改變該記號d間的距離以辨識該適當的基 材支得架。因而，對一距離山而言，該裝置可決定該基材 應在該第^基材支撐架WT!上加工，而對一不同距離心而言 ，該裝置則決定該基材應在該第二基材支撐架WT2上加工 。本發明者意圖做到該對準記號内位置改變的量在某些實 例中將受該機器的條件所限制。例如，某些機器中，該

柵距離，讓一基材與以一選自 基材支撐架產生關連。 84685 -21 - 1254838 對於使用加密在該基材上的辨識資訊的前逑具體膏施例 而言，該微影裝置1可合併適當的偵測構件。某些膏例包括_ 一單獨的條碼讀取系統、/視訊照相機、顯微鏡或該對淮 系統。該偵測系統可合併該裝置的其它零件，例如該映像 系統（例如，照明和/或投影系統），該特徵化單元丨0 (例如， 對準系統）；或併入在基材進入該微影裝置前檢驗該某材的 另一系統内。取決於所使用的辨識資訊類型，其它偵測構 件可能也適用。 應了％ d若已知在加工或儲存期間該基材的順序尚未被 改變，則僅需辨識該批的第一基材，後續的基材即會自動 使用咸適當的晶圓支撐架加工。類似地，若已用已知方法 改良該基材的順序，則需再辨識該批的第一基材。若完全 不知迢孩基材的順序，則必須個別辨識每一基材。 應了牌孩術語’已辨識I可意味著已決定每一基材的獨特 識別’或僅意味已決定每一基材的適當基材支撐架。 在一特疋具體實施例的運作中，選擇一任意基材用於 加工辨属所選擇的基材以決定哪一個才是該適當的基材 支撐架。其次， 樓架並加以力口工 用該特徵化單元 所辨識的基材可能被移至該適當的基材支 。在已安裝該基材於一支撐架上（例如當使 以辨識該基材）才做辨識的實例中，該基材 4能早已在正破沾 +丄#如 L , 、 9支杈架上。在此實例中，該基材不會被 移動，但會直接加工。 ：: 或者，可在其它基材支撐架上加工該所辨識出的基材， 亦·即ί 去夫田 1加工該基材的支撐架。在此實例中，對 84685 -22 - 1254838 $亥映像加以晚像承下 、 t i 以便減少該基材支撐架間的差異效 映像更正可#枉却4 a _ 二巧此藝者所了解的各種技巧。例如， 了能可以描述在—特定對基材支撐架間所觀察到的覆蓋問 〜=持效。亦即，可決定—組位置向量，若將該組向量施 並、 土材支彳牙木上所製造的一映像，將可能產生與在 其Έ：基材支撐架上所能製造出的相驗像。在可決定此一 關係的情況下，可故@ 文艮该映像過程以便減少該差異效應。- 在-具體實施例中’可將一向量圖或其它特徵上的差異資 t储存在該微影裝置的—記憶體内，並在加工該基材的後 績層時使用。 ^ 4木一貝冽中，基材支撐架間一基材支撐架的干涉儀鏡 两^其上所水載的基材間的位置關係是不同的。這可能源 ^位該鏡面的錯誤、定㈣支撐架（例如-突起檯）-抓取 分的錯誤、及其類似物。在此實例中，當一特定基材 被木在琢二不同的基材支撐架上時，將會查覺一位置上或 ^上的差兴。由於廷反映一相當一致的實體錯誤，因此 :、迥田的更正。類似地’若該二基材支撐架間有一相 从二平坦或倾斜，則將該映像操作做適當的程式化可成功 池減少覆蓋錯誤。 Τ然已敘述本發明與一具有二基材支撐架的微影裝置的 ::係’愿了解本發明也可應用於-具有任何數目基材支壤 木亦即任何除了 1以外的任何數目）的微影裝置。 雖在上面已敘述數個本發明特定具體實施例，應了解本 84685 -23 - 1254838 發明也可以所述以外的其他方式實現。該敘述並非意圖限 制本發明。 圖式簡單說明 現在將敘述本發明之數個具體實施例，僅透過實例，並 參考所附之概要圖，其中： 圖1描述如本發明一具體實施例之微影投影裝置； 圖2為如本發明一具體實施例之雙階段微影投影裝置的 概要圖； ~ .圖.3圖：示如本發明一具體實施例之可供使用的一批已排 序的基材概要圖；及 圖4圖示如本發明數個具體實施例之一具有辨識記號的 晶圓概要圖。 在該圖式中，對應的參考符號代表對應的零件。 圖式代表符號說明 1，r 微影投影裝置 10 一特徵化單元 12 一特徵化部位 14 一映像部位 16, 18 起動器 30 基材匣 40 機器可讀取的碼 41, 42, 44 晶粒 46 對準記號 84685 -24-

Claims (1)

1. 厂二ιυ/δ3ΐ就專利申請案m… 文申請專利範圍替換本(94年10月） 拾、申請專利範圍： 一種微影投影裝置，包括： 一輻射光系統，用於提供-投影輻射光束； -用於支撐定出圖案構件之支撐結構，該定出圖案構 件根據一偏好圖案將該投影光束圖案化； 支私一基材之第一基材支撐架； 一支撐一基材之第二基材支撐架； -投影系統，用於將該有圖案的光束投影至該基材的 一目標部份； 特徵在於該裝置尚包括用於控制映像之構件，以致於將 一第二圖案映像至-具有—第—圖案的基㈣，能減少 m二基材支撐架間的差異效應。 2. 3. 4. 如申請專利範圍第丨項之裝置，其中在使用期間，將複 數個基材中由該第-基材支撐架所支撐的—基材映像 ’而該複數個基材中的另一基材則為該第二基材支撐架 所支撐。 如申請專利範圍第⑷項之裝置，其中用於控制映像之 該構件包括構件，料確保—⑽將使用m才支撐 架中相同的該支撐架將第二圖案映像，其中該第一圖案 已映像於該基材上。 如申請專利範圍第！或2項之裝置，其中用於控制映像之 該構件包括用於調整該映像之構件，以說明該基材支撐 架間的差異。 尚包括用於檢驗一基 5 ·如申凊專利範圍第1或2项之裝置 84685-941004.DOC j254838 材之辨識構件，以便在映像前決定基材識別資訊。 6·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該辨識構件包括該 裝置之一對準系統。 1 ·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該辨識構件包括至 少一條碼讀取器、一機器視覺系統、一视訊照相機、一 顯微鏡及其組合中之一。 8·如申請專利範圍第丨或二項之裝置，尚包括構件，用於從 該微影投影裝置以外的一來源接收基材識別資訊。 9·如申請專利範圍第1或2項之裝置，尚包括儲存構件，被 建構成能將基材識別資訊與相關的基材支撐架資訊一 起儲存。 10.如申請專利範圍第5項之裝置，其中該基材識別資訊包 括有關一批基材中該第一基材的資訊。 η·如申請專利範圍第項之裝置，尚包括用於接收指令 之構件，將該第二圖案映像至該基材上時，該指令指= 必須使用哪-個基材支撐架；或指示如何調整該映:， 以說明該基材支撐架間的差異。 12 一種微影投影方法，包括以下步驟· 提供一至少部份被一層感光枯姐 〜尤材枓所覆蓋的基材，該基 材位於一微影裝置的一第一基材 丞何支撐架上，該微影裝f 具有至少第一和第二基材支撐架； 使用一輻射光系統提供一投影和射光束 使用定出圖案構件，使得該投止 又〜先束的橫斷面具有一 圖案； 84685-941004.DOC -2- 1254838 將該具有圖案的輻射光束投影至該層感光材料的/ 目標部份上，以映像一第一圖案； 其特徵在於： 將一第二圖案映像至該基材上；及 控制孩第二圖案的映像，以減少該二基材支撐架間的 差異效應。 13·如申請專利範圍第u項之方法，尚包括： 將一第一圖案和一第二圖案映像至由該第二基材支 撐架所支撐的一第二基材上； 控制該第二圖案至該第二基材上的映像，以減少該二 基材支撐架間的差異效應。 14 ·如申請專利範圍第12或13項之方法，其中該控制尚包括 確保於該基材被架在該第一基材支撐架上時，該第二圖 案仍能被映像至該基材上。 1 5·如申請專利範圍第12或13項之方法，其中該控制尚包括 映像該第二圖案前先檢查該基材的識別。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中使用該已檢查過的 識別，以決定該基材曾在哪一個基材支撐架上被映像 過〇 1 7.如申請專利範圍第16項之方法，其中在該決定之後，該 映像尚包括以下其中之一： 將該基材放置在之前曾在上面被映像過的該基材支 撑架上，及 調整該映像，以說明該第一和第二基材支撐架間的差 84685-941004.DOC -3 - I254838 異。 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 其中該檢查尚包括檢查 如申请專利範圍第15項之方法， 所儲存的識別資訊。 =申請專利範圍第15項之方法，其中該檢查尚包括決定 邊基材之前曾在該二基材支撐架中的哪一個支撐架上 被加工，並將该基材放在該基材支撐架上加工。 如申請專利範圍第15項之方法’其中該檢查尚包括檢查 在孩基材上的一實體辨識記號。 如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該實體辨識記號包 括至少-條碼，字母數字字元，—或多個符號及^ 合。 … 如申請專利範圍第20項之方法，其中該實體辨識記號包 括一對具有一預定距離的對準記號。 如申睛專利範圍第1 5項之方法，其中該確保尚包括將一 批要被加工的基材排序，以致於每一基材依序與一之前 霄在其上被加工過的個別的該基材支撐架相關連。 如申请專利範圍第14項之方法，其中該控制尚包括於該 基材被架在該第二基材支撐架上時，將該第二圖案映像 至該基材上；並調整該映像，以說明該第一和第二基材 支撐架間的差異。 如申請專利範圍第24項之方法，其中該調整係根據一組 儲存參數來執行，該參數描述該第一和第二基材支撐架 間的差異特徵。 一種決定一基材曾在複數個基材支撐架中的哪一個支 84685-941004.DOC -4 - 1254838 撐架上被映像過的方法，包括： 在該基材的一區域上映像至少一對對準記號，不包括 一微電路圖案，該對對準記號彼此間隔一距離，該距離 對應該複數個基材支撐架中一特別的支撐架； 在一後續的映像製程期間，測量該距離；及 將該距離與該複數個基材支撐架中一特別的基材支 撐架相關連。 2 7 · —種基材，包括： 至少一對對準特色，該對對準特色彼此間隔一距離， 該距離對應一複數個基材支撐架中一特別的支撐架，以 致於一旦檢驗該距離，該基材可能與該複數個基材支撐 架中該特別的一個支撐架相關連。 84685-941004.DOC 5-