CN1456940A - 光刻装置、器件制造方法及其制得的器件 - Google Patents

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Abstract

光刻投射装置1具有至少两个基底保持器WT1、WT2，包括减小由两基底保持器间差异引起成像差异的影响的装置。装置1包括内部的或外部的用于识别基底和将其与各自的一个基底保持器相联系的装置。从而，该装置确保在适当的基底保持器上加工该基底或者对成像进行修正。在另一个实施方案中，基底与各自的一个基底保持器相联系并且始终用该基底保持器加工而无需另外的识别步骤。

Description

光刻装置、器件制造方法 及其制得的器件
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑图案化装置的支撑结构，所述图案化装置用于根据所需的图案对投射光束进行图案化；
用于保持基底的基底保持器；
用于将已图案化的光束投射到基底的靶部上的投射系统。
背景技术
这里使用的术语“图案化装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种图案化装置的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已定址的反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到无地址的反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行图案化。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，图案化装置可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
■程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的图案化装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案化装置可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含整个网格的相邻靶部，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行图案化的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底保持器来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底保持器的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底保持器(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
发明者已研究了二级式光刻装置的性能，并确定在同一机构不同级的操作步骤中对单个基底成像可能会有性能问题。例如，发明者已经确定重迭误差的一个因素是级间误差。在实验中，即使级间匹配非常精确，这种误差因素也被确定为在1-10nm的数量级。随着对重叠特性的要求不断增加，消除甚至几纳米的误差都非常有价值。
发明内容
本发明的一个目的是使用双级式光刻装置改善光刻过程中的成像特性。
依照本发明在开始段中说明的光刻装置实现上述及其他发明目的，其特征在于，所述装置还包括控制成像的装置，这样，当在其上已成像有第一图案的基底上成像第二图案时，减小两基底保持器间差异的影响。
通过补偿基底保持器间的差异，本发明的装置可以实现成像特性的改善。发明者已经可以实现几个纳米的重迭特性的改善。如果可能制造具有这种水平的级间重迭特性的级，也将会非常昂贵。因此，本发明可以改善性能而不增加工程和制造支出。
控制成像的装置可以包括例如，用于确保利用两个基底保持器中的同一基底保持器使其上已经成像有第一图案的基底能成像第二图案的装置。也就是，对于每一个基底，关键过程的步骤将在同一级上进行。
或者，控制成像的装置可以包括例如，调整成像以补偿两基底保持器间差异的装置。
根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括如下步骤：
提供至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投射射束；
利用图案化装置使该投射射束在横截面上具有图案；
在辐射敏感材料层的靶部上投射该带有图案的辐射投射射束；
提供第一和第二基底保持器以在成像过程中保持基底，其特征在于，通过对第二图案在包含有第一图案的基底上的成像进行控制，减小两基底保持器间差异的影响。
成像控制可以包括例如，确保第二图案成像在基底上，同时该基底保持在两个基底保持器之中的在第一图案成像过程中保持基底的那个基底保持器上。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，其中：
图1表示本发明实施方案的光刻投射装置；
图2表示本发明实施方案的双级式光刻投射装置的示意图；
图3表示用于本发明实施方案的有序的基底组的示意图；
图4表示本发明实施方案的具有识别标志的晶片；
在图中相应的附图标记表示相应的部件。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如UV、DUV、EUV辐射，电子或离子)，在该具体的例子中该辐射系统包括辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接，该第一目标台由框架BF支撑；
第二目标台(基底保持器)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；
投射系统(“镜头”)PL(例如，如反折射或折射系统的光学系统，反射镜阵列或一套场偏转器)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如上所述，该装置是透射型的(即具有透射掩模)。但是该装置通常也可以例如是折射型的(具有折射掩模)。或者该装置可以采用其他类型的图案化装置，例如上述程控反射镜阵列类型。该装置作为一个整体由基盘BP支撑。
辐射源LA(例如灯或激光，由电子加速器提供的波动器，等离子源或电子、离子束源)产生辐射束。该光束直接或经过如扩束器Ex的调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当源是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过适当的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。经过掩模MA之后的光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底保持器WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可仅与短冲程执行装置连接，或者固定。在成像过程中，划线板和基底可以利用划线板对准记号M1、M2及基底对准记号P1、P2对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底保持器WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底保持器WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
图2表示本发明的具有两个基底保持器的光刻投射装置1’的一个具体实施方案。可以看出，该装置的某些系统相对于图1简化，而其它系统显示得更加详细。两个基底保持器中那些与图1的装置1相类似的部件用相同的参考符号标记。由于图2所示的装置包括两个基底保持器和两个基底，它们分别用下标WT1、WT2、W1和W2表示。
如图2所示，第一目标台MT设置成可移动的，用于如上所述的扫描。但是可以想到，如同图1的单级装置，图2的双级装置可以工作在步进模式或步进-扫描模式。
图2的装置还包括表征单元(characterization unit)10，该单元可以用来提供一个基底W2在表征位置的表征，与此同时另一个基底W1在成像位置14。表征单元10用于测量基底W2的各种特性，例如局部不平整度及死区(die location)，并且将基底与其各自的基底保持器对准。通过在基底W1上进行成像同时表征另一基底W2，可以提高总处理量。
每个基底保持器WT1、WT2有各自的致动器16、18用来在装置操作过程中移动基底保持器。在一个实施方案中，两个致动器16、18将目标台在成像位置和表征位置内移动，并相互作用以使基底保持器互不干涉。在表征及成像期间基底都保持在他们各自的基底保持器上，这样，在成像期间表征信息保持有效。
在基底组加工过程中，一些基底被连续引入到装置中。第一基底W1在表征位置12被表征后，移动到成像位置14成像。在第一基底W1成像期间，第二基底W2在表征位置12被表征。这一系列操作继续直到任意序号的基底Wn(图中没有示出)。
在整个基底组成像后，它们通常要进行进一步的加工。例如，抗蚀剂被显影并蚀刻，然后将例如金属化或电介质层涂敷在晶片上。接下来，涂敷新的抗蚀层并且将第二(或后续的)图案成像在基底上。如果不作特别的工作，第一基底W1有可能进入装置并置于第二基底保持器WT2上。同样，当第一基底W1移动到成像位置14时，第二基底可以进入装置并置于第一基底保持器WT1上。这样，每个基底将由和第一成像过程中的支撑台不同的支撑台，从而结束被表征及成像。
由于两个基底保持器可能不完全一样，在每个表征及成像过程中将引入某种程度的误差。总的来说，这些误差将在第一和第二(或后续的)成像过程之间引起图像重迭误差。此外，在通常的芯片生产过程中，可能会有20或更多层成像。这些层中可能某些层在一个台上被成像而其它层在另一个台上被成像。因而，不可能保证任何特定的层相对于任何其它特定的层具有最佳重迭。
根据本发明的一个实施方案，投射装置1’包括减小两基底保持器间差异的影响的装置。在一个具体的实施方案中，该装置包括确保每个基底Wn在基底保持器W1或W2之一上完成每个光刻加工步骤。或者，在所有层之间的重迭不是至关重要的情况下，该加工可以被控制为对确定为是需要峰值性能的“关键”层的每个层来说确保每个基底Wn在各自的一个基底保持器上进行加工。
该装置可以确保特定基底在特定基底保持器上进行加工的一个方法是采用基底盒30，或如图3所示的存储大量待加工基底的其它存储结构。基底盒30按照预先确定的顺序容纳基底，从而例如第一基底W1总是第一个被加工，第二基底W2总是第二个被加工等等一直到基底Wn。可以理解，只要按照已知方式保持基底的顺序，每一个基底总是能够与它各自的基底保持器相匹配地进行加工。例如，该盒可以包括一系列待加工的基底W1、W2、W3、W4、W5……Wn。每个奇数基底在第一基底保持器WT1上加工，每个偶数基底在第二基底保持器WT2上加工。在后续的成像过程中，只要偶数和奇数基底是交替的，所需的基底就可以与它们各自的基底保持器相匹配。显然，并不需要使用特定的存储结构，而是采用各种保持基底已知顺序的方法。
作为按自然交替基底方式的替代，光刻装置的一个或多个操作臂可以被程控为按照保持保持器与基底之间的关系所需的任何顺序从存储位置中选择适当的基底。在这种情况下，最好让使用者事先识别哪个基底保持器用于加工每个基底。这可以通过例如管理系统来作为基底组定义的一部分或安装程序的一部分来执行，该管理系统可以是用于包括一个或多个带有磁道及热加工装置的光刻投射装置在内的制造设施的计算机控制系统。
通常是这样的情况，在曝光后，基底的加工是顺次进行的。换句话说，加工操作的每个步骤按照先进先出的方式操作，这样在加工之后，基底还将是处于与它们刚刚曝光之后同样的顺序W1、W2、W3、W4、W5……Wn。当已经知道应用于一组基底的加工步骤是顺次进行的时候，可能不需要上述存储机构。顺次加工的直接后果是基底的顺序保持原样。基底可以在(加工之后立刻)返回光刻投射装置而不保持在存储器中，或者可以保持在传统的存储结构中(前提是该存储结构没有改变基底顺序)。当基底返回光刻投射装置时，要求将第一基底传递到正确的基底保持器WT。只要这样做，所有后续的基底会传递到正确的基底保持器WT。通过许多方法可以识别第一基底正确的基底保持器。例如，光刻投射装置可以这样设置，每组的第一个基底在第一基底保持器WT1上加工。这意味着无论哪个基底组返回到光刻投射装置，这一基底组的第一个基底将再一次在第一基底保持器WT1上加工。在另一种方法中，在曝光后可以保留关于每个基底组的信息，然后当该基底组返回到光刻投射装置时提取。该信息可以包括基底组标识符连同用于该基底组的第一基底保持器的记录，并且可以例如保留在光刻投射装置上。管理系统可以追迹基底组的位置并在基底组返回光刻投射装置时通知光刻投射装置基底组的标识符。基底组的标识符用于与光刻投射装置保留的信息一同来确定基底组的第一个基底应传递到哪一个基底保持器。在又一个可选方法中，用于基底组的基底组标识符连同第一基底保持器的记录可以由管理系统保留，并且当基底组返回光刻投射装置时，管理系统可以利用这些信息指引光刻投射装置将第一个基底传递到正确的基底保持器上。
在上面描述的本发明的实施方案中，存在对基底传递到光刻投射装置的顺序不发生改变的某种依赖。可能有某些情况，基底的序列将改变，例如，如果在基底检查过程中识别出有缺陷的基底。在传统的光刻加工中将取出有缺陷的基底，由此改变排列顺序并妨碍本发明实施方案的正确实施。这个问题可以用许多方法解决。例如，有缺陷的基底可以保留在它在基底组中的位置中，与正常基底一样地被加工，并在光刻加工完成(即所有层完成曝光)后一次性地取出所有有缺陷的基底。或者，可以取出有缺陷的基底并由虚设的基底替代。第三种可选择的方法，基底可以用传统的方法取出，但是将保留基底已经从该序列中取出的记录。这个记录用于由光刻投射装置直接地或通过管理系统的指令来相应地修改所使用的基底保持器的排列顺序。此外的一个可选方法，当基底从基底组序列中取出，剩余的基底可以重新排列以保持基底与基底保持器间适当的关系。
在一个可选的实施方案中，每个基底上有一个识别记号。图4示出一些可选择的用于识别基底的标志。所示的标志并不是穷举，可以使用多种识别标志。如图4所示，可以在基底上印刷条形码或另一种可机读码40。在所示实例中，码40印刷在由于基底不用全部成像而没有用到的小片41上。可以使用全部小片，尽管这由于浪费基底而不是优选的。码40可以简单地包括指示基底应被分配到什么基底保持器的信息，或者可以包括附加信息，例如机器识别符、基底组号码、加工类型或其他需要与基底关联的信息。
码可以是写成一系列用适当的检测器和光学字符识别软件可以识别的字符的基底识别码。检测器可以位于光刻投射装置的外部，例如在邻近设备的磁道中，通过确定基底识别码，然后传递给光刻投射装置，让装置为该基底选择适当的基底保持器。光刻投射装置用保留在装置中指示哪个基底保持器先前用于该基底的记录来选择适当的基底保持器。或者，必要的信息可以由系统管理员保留，它在接收基底识别码时，确定适当的基底保持器并相应地向光刻投射装置发布指令。
另一个可选的码位置在小片42和44之间的空间。在典型的光刻加工中，用不包括芯片被图案化的区域的称之为划线的线来划分小片，。在划线的空间里，各种对准标志46往往被成像，用于控制光刻加工。可以想到，该空间可以用于插入如上描述的码40。
可以用光刻投射装置的对准检测器读取的码是有利的，因为它们允许在光刻投射装置中内部地确定有关基底的信息，而不是依靠从外部例如磁道或系统管理员输入。可以理解，在光刻投射装置内可以设置合适的专用检测器(详见下文)。
在另一实施方案中，用识别信息给对准标志P1、P2编码。例如，标志间的距离d可以变化，从而可以识别适当的基底保持器。这样，对于距离d1，装置可以确定该基底应当在第一基底保持器WT1上加工，对于不同的距离d2，该装置可以确定基底应当在第二基底保持器WT2上加工。发明人想到在对准标志中位置变化量在某些情况下由机器的需求所限制。例如，在某些机器中对准系统具有有限的“捕获范围”，在此范围内检测标志。因此，对于这样的系统，标志的移位应当小于捕获范围。此外，由于对准标志通常在位置上有一些变化并且检测位置往往有一些变化，标志应当可移位大于对准测量不确定度的期望水平。例如，移位可以在几微米(例如1-2μm)的范围内。
另外，其它对准特征可被用于识别晶片。例如，可以使用在单个对准标志的部分间的距离，或者一个对准标志特定部分与另一个对准标志相应部分之间的距离。例如，在对准标志采用光栅的情况下，可以改变栅距以允许将基底与从多个基底保持器中选择的特定基底保持器相关联。
前面的实施方案使用在基底上编码的识别信息，因而光刻投射装置1可以采用适当的检测装置。一些例子包括单独的条形码读取系统、摄像机、显微镜或对准系统。检测系统可以结合到装置的其它部分例如成像系统(例如照明和/或投射系统)、表征单元10(例如对准系统)或在基底进入光刻装置前检查基底的其他系统。根据使用的识别信息的类型，其它检测装置也可以是适合的。
可以理解，如果已知基底的排列顺序在加工或存储中没有改变，那么只需识别基底组的第一个基底，后续的基底将自动地用适当的晶片保持器来加工。类似地，如果基底的排列顺序按照已知的方法改变，那么同样只需识别基底组的第一个基底。如果基底的排列顺序是完全未知的，那么必须单独地识别每个基底。
术语“识别”可以理解为每个基底确定的独特的标识符，或简单地理解为给每个基底确定适当的基底保持器。
在特定实施方案的操作中，选择任意基底Wn进行加工。识别所选择的基底以确定适当的基底保持器。接下来，所识别的基底可以移动到适当的基底保持器并且被加工。在基底已经固定在保持器同时(例如使用表征单元识别基底时)已经被识别的情况下，基底可能已经在正确的保持器上。在这种情况下，基底不用移动，只需直接加工。
或者，被识别的基底在其它基底保持器上被加工，也就是以前没有加工这个基底的保持器上。在这种情况下，将图像校正应用到成像中以减小基底保持器间差异的影响。
图像校正可以包括该领域普通技术人员熟知的各种技术。例如，可以表征一对给定基底保持器间观测到的重迭问题。它可以是一套确定的位置矢量，如果将其应用于一个基底保持器上成像的图像，将产生与在另一个基底保持器上成像相同的图像。在可以确定这样的关系的情况下，可以改进成像过程以减小差异的影响。在一个实施方案中，矢量图或其它特征差异信息可以存储在光刻装置的存储器中并在后续基底层的加工中使用。
在某些情况下，基底保持器的干涉镜与置于其上的基底间的位置关系在基底保持器间是不同的。这可能导致反射镜的位置误差、保持器机械手部分的位置误差(例如微动台)或类似的误差。在这种情况下，当一个给定的基底保持在两个不同的基底保持器上时，将感受到定位或旋转差异。由于反应出的是相关一致的物理误差，可以应用适当的修正。类似地，如果两基底保持器间有相对的非平面度和倾斜度，适当的成像操作程序可以成功地减小重迭误差。
尽管本发明已经描述了涉及具有两个基底保持器的光刻装置，但是应当理解，本发明可以应用于具有任何数量基底保持器(例如除1以外的任何数量)的光刻装置。
以上已描述本发明的具体实施例，但应当理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施。本说明不作为本发明的限定。

Claims (28)

1.一种光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑图案化装置的支撑结构，所述图案化装置用于根据所需的图案对投射光束进行图案化；
用于保持基底的第一基底保持器；
用于保持基底的第二基底保持器；
用于将已图案化的光束投射到基底的靶部上的投射系统；
其特征在于，所述装置还包括控制成像装置，这样，当将第二图案成像到其上已经成像有第一图案的基底上时，减小了两基底保持器间差异的影响。
2.根据权利要求1的装置，其中在使用中，多个基底中的一个基底在由第一基底保持器保持的同时被成像，且多个基底中的另一基底由第二基底保持器保持。
3.根据前面任何一项权利要求的装置，其中控制成像装置包括确保其上已经成像有第一图案的基底会使用两个基底保持器中同一基底保持器来成像第二图案的装置。
4.根据前面任何一项权利要求的装置，其中控制成像装置包括调整成像以补偿两基底保持器间差异的装置。
5.根据前面任何一项权利要求的装置，还包括用于检查基底以在基底成像前确定基底识别信息的识别装置。
6.根据权利要求5的装置，其中识别装置包括装置对准系统。
7.根据权利要求5的装置，其中识别装置包括条形码读取器、机械视觉系统、摄像机、显微镜及它们的组合中的至少一个。
8.根据前面任何一项权利要求的装置，还包括从光刻投射装置的外部源接收基底识别信息的装置。
9.根据前面任何一项权利要求的装置，还包括用以存储基底识别信息连同与之相关联的基底保持器信息的存储装置。
10.根据权利要求5到9中任何一项的装置，其中基底识别信息包括关于基底组的第一个基底的信息。
11.根据前面任何一项权利要求的装置，还包括接收当第二图案成像在基底上时应使用哪一个基底保持器的指令或者如何调整成像以补偿两基底保持器间差异的指令的装置。
12.一种器件的制造方法，包括步骤：
在具有至少第一和第二基底保持器的光刻装置的第一基底保持器上提供一至少部分被辐射敏感材料层覆盖的基底；
利用辐射系统提供辐射投射射束；
利用图案化装置使该投射射束在横截面上具有图案；
在辐射敏感材料层的靶部上投射该带有图案的辐射投射射束，以使第一图案成像；
其特征在于：
将第二图案成像在基底上；并
控制第二图案的成像以减小两基底保持器间差异的影响。
13.根据权利要求12的方法，还包括：
将第一图案和第二图案成像到由第二基底保持器保持的第二基底上，
控制第二图案在第二基底上的成像以减小两基底保持器间差异的影响。
14.根据权利要求12或13的方法，其中控制还包括确保在基底由第一基底保持器保持时第二图案成像在该基底上。
15.根据权利要求12至14中任何一项的方法，其中控制还包括在第二图案成像之前检查基底的识别符。
16.根据权利要求15的方法，其中检查识别符用于确定基底先前在哪个基底保持器上成像。
17.根据权利要求16的方法，其中，在确定之后，成像还包括以下步骤之一：
将基底置于其先前成像所用的基底保持器上，及
调整成像以补偿第一和第二基底保持器间的差异。
18.根据权利要求15的方法，其中检查包括检查已存储的识别信息。
19.根据权利要求15的方法，其中检查还包括确定基底先前在两个基底保持器中的哪一个上被加工，以及在该基底保持器上加工基底。
20.根据权利要求15的方法，其中检查还包括检查基底上的物理识别标志。
21.根据权利要求20的方法，其中物理识别标志包括条形码、字母字符、一个或多个符号及它们的组合中的至少一种。
22.根据权利要求20的方法，其中物理识别标志包括具有预先确定的间距的一对对准标志。
23.根据权利要求15的方法，其中确认还包括排列要加工的基底组，以使得每个基底依次与各自先前加工所使用的一个基底保持器相关联。
24.根据权利要求14的方法，其中控制还包括当基底由第二基底保持器固定时将第二图案成像在基底上，以及调整成像以补偿第一和第二基底保持器间的差异。
25.根据权利要求24的方法，其中根据表征第一和第二基底保持器间差异的一系列所存储的参数进行调整。
26.根据权利要求12的方法生产的器件。
27.一种确定基底先前在多个基底保持器中的哪一个上成像的方法，包括：
将至少一对对准标志成像在基底不包含微电路图案的区域上，这对对准标志之间隔开一个距离，该距离与多个基底保持器中特定的一个相对应；
在后续的成像过程中，测量该距离；并
将该距离与多个基底保持器中特定的一个基底保持器相关联。
28.一种基底，包括：
至少一对对准特征，这对对准特征之间隔开一个距离，该距离与多个基底保持器中特定的一个相对应，从而通过检测该距离，该基底可以与多个基底保持器中特定的一个相联系。
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