JP4290553B2 - 画像化装置 - Google Patents
画像化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4290553B2 JP4290553B2 JP2003548035A JP2003548035A JP4290553B2 JP 4290553 B2 JP4290553 B2 JP 4290553B2 JP 2003548035 A JP2003548035 A JP 2003548035A JP 2003548035 A JP2003548035 A JP 2003548035A JP 4290553 B2 JP4290553 B2 JP 4290553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- image
- radiation
- pattern
- patterning means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
投影放射ビームを供給するための放射システムと、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するプログラム可能パターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと
を備えた画像化装置に関する。
プログラム可能ミラー・アレイ:粘弾性制御層及び反射型表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの実施例の1つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(例えば)反射型表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、1つの軸の周りに個々に傾斜させることが可能である。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、プログラム可能パターン化手段は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、例えば、いずれも参照により本明細書に援用されている米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。
プログラム可能LCDアレイ:参照により本明細書に援用されている米国特許第5,229,872号に、このような構造の実施例の1つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、例えば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。
プログラム可能パターン化手段と基板テーブルの間に設けられた、パターン化されたビームの一部をわきへ逸らせるべく機能するビーム分割手段と、
パターン化されたビームの前記部分を解析するための画像検出手段と
をさらに備えたことを特徴とする、本発明による画像化装置によって達成される。
(a)少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
(b)放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
(c)投影ビームの断面に所望のパターンを付与するためのプログラム可能パターン化手段を使用するステップと、
(d)パターン化された放射ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含み、
ステップ(d)に先立って、あるいはステップ(d)を実行中に、
パターン化されたビームの一部がわきへ逸れて画像検出手段に導かれ、
前記画像検出手段を使用して、パターン化されたビームの前記部分が解析され、かつ、前記所望のパターンに対応するパターンを含有している領域の範囲が決定される
ことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
投影放射ビームPB(例えばUV放射若しくはEUV放射)を供給するための放射システムRS(この特定の実施例の場合、放射システムにはさらに放射源LAが含まれている)と、
パターン・ラスタライザ(パターン化手段をマトリックス処理するためのもの)に接続された、偏向手段DMを使用してビームPBが導かれるパターン化手段PM(例えばプログラム可能ミラー・アレイ若しくはこのようなアレイの集合)と、
アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための干渉測定及び位置決め手段IFに接続された、基板W(例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板テーブルWTと、
ビームPBを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折系、カタディオプトリック系若しくはカトプトリック系)と
を備えている。
図2は、本発明の第1の実施例による画像化装置の一部を示したもので、パターン化手段PMと基板Wの間に、投影ビームPBの一部PB’をわきへ逸らせ、かつ、画像検出手段IDに導くべく機能しているビーム分割手段BSが使用されている。ビーム分割手段BSは、図1に示す、異なる目的を果たしている偏向手段DMと混同してはならない。ビーム分割手段BSは、原理的には、アイテムPMとWの間の都合の良い任意のポイントに配置することができる。
図3は、図2に示す状況に対する代替実施例を示したものである。この代替実施例では、基準パターン化手段PM2(例えば、実施例1の場合と同じタイプ及びサイズのプログラム可能ミラー・アレイ)が、メイン・パターン化手段PM1(図2のアイテムPMに対応している)と同じパターン・ラスタライザPRに接続されている。ただし、基準パターン化手段PM2へのラスタ化信号は、最初にインバータINVを通過している。この場合、理論的には、メイン・パターン化手段PM1及び基準パターン化手段PM2は、同じパターンを生成することになるが、そのパターンは、互いにネガ(すなわち相補)をなしている。基準パターン化手段PM2によって生成されたパターン化ビームPB2は、ビーム分割手段BS中に結合され、最終的には画像検出手段IDに結合される。
図4は、図3に示す実施例の変形態様を示したものである。図4では、ビーム分割手段BSと検出器IDの間に基準パターン化手段PM2が置かれている。図に示すように、基準パターン化手段PM2は透過型であるが、図4に示す動作原理を逸脱することなく、基準パターン化手段PM2を反射型にすることもできる。
Claims (4)
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
前記投影ビームを、基板の目標部分に生成すべき所望のパターンに対応するパターンにパターン化するべく機能するプログラム可能パターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムとを備えた画像化装置において、該装置が、
前記プログラム可能パターン化手段と前記基板テーブルの間に設けられた、前記パターン化されたビームの一部をわきへ逸らせるべく機能するビーム分割手段と、
前記パターン化されたビームの前記部分を解析するための画像検出手段とをさらに備え、
前記画像検出手段が、前記プログラム可能パターン化手段によって生成される実際の画像と、基準パターン化手段によって生成される基準画像とを比較するべく具体化されたことを特徴とする画像化装置。 - 前記基準画像が前記実際の画像のネガであることを特徴とし、かつ、前記画像検出手段が、前記実際の画像と基準画像を加え合わせための手段若しくは控除するための手段を備えたことを特徴とする、請求項1に記載の画像化装置。
- 前記画像検出手段が、電荷結合デバイス、CMOS検出器、フォトダイオード及び光電子増倍管からなるグループから選択された検出デバイスを備えたことを特徴とする、請求項1または2に記載の画像化装置。
- (a)少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
(b)放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
(c)前記投影ビームの断面に、基板の目標部分に生成すべき所望のパターンに対応するパターンを付与するためのプログラム可能パターン化手段を使用するステップと、
(d)パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含むデバイス製造方法において、
ステップ(d)に先立って、あるいはステップ(d)を実行中に、
前記パターン化されたビームの一部がわきへ逸れて画像検出手段に導かれ、また、
前記画像検出手段を使用して、前記パターン化されたビームの前記部分が解析され、かつ、前記所望のパターンに対応するパターンを含有している領域の範囲が決定され、
前記画像検出手段が、前記プログラム可能パターン化手段によって生成される実際の画像と、基準パターン化手段によって生成される基準画像とを比較するべく具体化されていることを特徴とする、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01204567 | 2001-11-27 | ||
PCT/EP2002/013399 WO2003046662A1 (en) | 2001-11-27 | 2002-11-27 | Imaging apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005510860A JP2005510860A (ja) | 2005-04-21 |
JP2005510860A5 JP2005510860A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4290553B2 true JP4290553B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=8181314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003548035A Expired - Fee Related JP4290553B2 (ja) | 2001-11-27 | 2002-11-27 | 画像化装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7379579B2 (ja) |
EP (1) | EP1449032B1 (ja) |
JP (1) | JP4290553B2 (ja) |
KR (1) | KR100674245B1 (ja) |
CN (1) | CN1294455C (ja) |
DE (1) | DE60230663D1 (ja) |
WO (1) | WO2003046662A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1324138A3 (en) * | 2001-12-28 | 2007-12-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4929444B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2012-05-09 | 国立大学法人東北大学 | パターン描画装置および方法 |
US7177012B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403865B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | System and method for fault indication on a substrate in maskless applications |
US7233384B2 (en) * | 2005-06-13 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor |
KR20080103564A (ko) * | 2006-02-16 | 2008-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
WO2012136434A2 (en) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
DE102011076083A1 (de) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Projektionsdisplay und Verfahren zum Anzeigen eines Gesamtbildes für Projektionsfreiformflächen oder verkippte Projektionsflächen |
JP6676942B2 (ja) * | 2015-12-01 | 2020-04-08 | 株式会社ニコン | 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム |
TWI724642B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-04-11 | 墨子光電有限公司 | 微製像設備及其加工方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2049964A (en) | 1979-05-01 | 1980-12-31 | Agfa Gevaert Nv | Simultaneously projecting two images of a subject in register |
DE3406677A1 (de) * | 1984-02-24 | 1985-09-05 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Einrichtung zur kompensation der auswanderung eines laserstrahls |
JP2501436B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1996-05-29 | 富士通株式会社 | パタ−ンデ−タ検査装置 |
JP2796316B2 (ja) * | 1988-10-24 | 1998-09-10 | 株式会社日立製作所 | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 |
JPH03265815A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-26 | Kobe Steel Ltd | レーザビームによる描画装置 |
US5142132A (en) * | 1990-11-05 | 1992-08-25 | Litel Instruments | Adaptive optic wafer stepper illumination system |
WO1992011567A1 (en) * | 1990-12-21 | 1992-07-09 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for selectively varying the exposure of a photosensitive medium |
US5229889A (en) * | 1991-12-10 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Simple adaptive optical system |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP2710527B2 (ja) * | 1992-10-21 | 1998-02-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 周期性パターンの検査装置 |
JPH06250108A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 補償光学装置とこれを用いた天体望遠鏡,光データリンク,レーザ加工機 |
JPH088161A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 転写シミュレータ装置 |
AU1975197A (en) * | 1996-02-28 | 1997-10-01 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
JPH10177589A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | パターン比較検証装置、パターン比較検証方法およびパターン比較検証プログラムを記録した媒体 |
JP4159139B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2008-10-01 | リコーマイクロエレクトロニクス株式会社 | 光像形成装置、光加工装置並びに露光装置 |
SE519397C2 (sv) * | 1998-12-16 | 2003-02-25 | Micronic Laser Systems Ab | System och metod för mikrolitografiskt ritande av högprecisionsmönster |
JP3315658B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2002-08-19 | キヤノン株式会社 | 投影装置および露光装置 |
TWI282909B (en) * | 1999-12-23 | 2007-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device |
JP2001255664A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光方法 |
JP4364459B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2009-11-18 | 富士通株式会社 | 光信号交換器の制御装置および制御方法 |
JP2002367900A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Yaskawa Electric Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2005502914A (ja) * | 2001-09-12 | 2005-01-27 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Slmを用いて改善された方法と装置 |
-
2002
- 2002-11-27 US US10/496,630 patent/US7379579B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 KR KR1020047007941A patent/KR100674245B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-27 CN CNB028235606A patent/CN1294455C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 JP JP2003548035A patent/JP4290553B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 DE DE60230663T patent/DE60230663D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 WO PCT/EP2002/013399 patent/WO2003046662A1/en active Application Filing
- 2002-11-27 EP EP02790447A patent/EP1449032B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60230663D1 (de) | 2009-02-12 |
KR100674245B1 (ko) | 2007-01-25 |
CN1294455C (zh) | 2007-01-10 |
US7379579B2 (en) | 2008-05-27 |
JP2005510860A (ja) | 2005-04-21 |
CN1596387A (zh) | 2005-03-16 |
KR20040054804A (ko) | 2004-06-25 |
US20050062948A1 (en) | 2005-03-24 |
EP1449032B1 (en) | 2008-12-31 |
EP1449032A1 (en) | 2004-08-25 |
WO2003046662A1 (en) | 2003-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4342155B2 (ja) | 位置決めマークを備えた基板、マスクを設計する方法、コンピュータ・プログラム、位置決めマークを露光するマスク、およびデバイス製造方法 | |
TW529172B (en) | Imaging apparatus | |
JP4048151B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2008300821A (ja) | 露光方法、および電子デバイス製造方法 | |
JP4058405B2 (ja) | デバイス製造方法およびこの方法により製造したデバイス | |
JP4304169B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4141984B2 (ja) | リソグラフィック装置較正方法、整列方法、コンピュータ・プログラム、リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
JP2004343106A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス | |
JP4290553B2 (ja) | 画像化装置 | |
EP1698940B1 (en) | Exposure method and apparatus | |
US20050012916A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7081945B2 (en) | Device manufacturing method, device manufactured thereby and lithographic apparatus therefor | |
JP2023536576A (ja) | 粒子検査システムのスループットを改善するためのダブルスキャン・オプトメカニカル構成 | |
JP3583774B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP3913701B2 (ja) | デバイス製造法、その方法により製造されるデバイスおよびコンピュータ・プログラム | |
JP4658004B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
JP2005311378A (ja) | デバイス製造方法 | |
JP2004279403A (ja) | 基板位置合せ方法、コンピュータ・プログラム、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050527 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |