TWI252497B - Method for manufacturing ceramic green sheet and method for manufacturing electronic part using that ceramic green sheet - Google Patents

Description

1252497 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關一種製造電子零件，尤其是藉疊合陶瓷 層所形成的電子零件的方法，該電子零件可以所謂的多層 陶瓷電子零件爲範例。本發明也是有關一種製造用在上述 電子零件內的所謂陶瓷坯片的方法。本文所稱的多層電子 零件範例包括多層陶瓷電容器、多層陶瓷感應器、LC組 合零件，包括其內形成有電容器及感應器者、或EMC相 關零件。 【先前技術】 近年來，由於例如手機的電子裝置的普及化及小尺寸 設B+，因此該等電子裝置使用的電子零件的安裝密度必須 增大，且功效需改良。尤其是，各層因應小尺寸設計的需 求、厚度的減小、層數的增加、及一致化，係置於充當被 動元件的多層電子零件上，以符合上述需求。此外，可符 合該等需求的製造方法的改良也屬必要者。 揭示於日本專利公開案第200卜1 1 0662號及200卜 8 5 264號的所謂金屬一陶瓷組合式退火技藝，是一種可符 合上述需求的製造上述多層電子零件（例如其內部形成有 電極的多層陶瓷電容器）的習知方法。本文徑槪略的敘述 金屬一陶瓷組合式退火技藝。該技藝中，多數電極形成於 一所謂的陶瓷坯片上，同時，使用由一金屬粉末及一有機 黏結材料組成的電傳導濕黏土。 -5- 1252497 (2) 其後’多數其上形成有電極的簡單形陶瓷坯片被堆疊 成一陶瓷多層構件。完成時，該等電極將構成該多層電子 零件的內部電極。此外，該陶瓷多層構件沿其厚度方向被 擠壓，使得該等坯片相互緊密接觸。該多層構件被切割成 特定尺寸且加以分開，以接受退火。在所獲得的退火構件 的外表面上，緊密的形成有外部電極。如此，即可獲得一 多層電子零件。 近年來’由於對上述多層電子零件的厚度縮減及小尺 寸設計有更進一步的要求，因此，需對夾置於內部電極之 間，由陶瓷或類似物所製成的電介質層厚度加以進一步減 縮。因此，在進一步減縮構成陶瓷多層構件的陶瓷坯片厚 度的同時，需執行上述作業。因應上述需求，目前使用的 最薄陶瓷坯片的厚度約是2至3 // m。此外，印刷在陶瓷坯 片上的電極厚度約是1 . 5至2.0 // m。 陶瓷坯片及形成在其表面上的電極的厚度、電極的寬 度及圖樣形狀，是大致在其等形成時即決定的，因此，在 其等形成後是無法再添加一成形加工程序來修刨他們的。 該等電極及類似物習知上係藉由屏蔽印刷形成。屏蔽 印刷中，形成區厚度的差異是在土 1 〇至2 0之間，而可形成 的圖樣寬度的限値約是5 0 // m。如揭示於日本專利公開案 第2 002- 1 84 5 4 8號者，在由屏蔽印刷製成的片材表面上， 具有如網眼壓痕的不平坦度。因此，有必要提供新的製法 ，以改良厚度不均勻性及表面平坦度。 在所提供的解決方案中的其中一技藝中，具有所需厚 -6- (3) 1252497 度的片材或層，係藉由具有光敏性的陶瓷泥漿或具有光敏 性的電極濕黏土所形成，使得其等接受曝光及顯影程序， 以製造具有精準寬度及形狀的電極或類似物◦藉該方法， 與印刷程序相比較，可使圖樣寬度較薄，且圖樣形成的定 位精確度也可提升。然而，在待曝光層係由印刷程序所形 成的情形中，會有上述不平坦層表面的存在，且該不平坦 度既使是在施加一般的曝光及顯影程序後仍然不會改變。 雖然可在片材或層形成後，對其施加機械程序如擠壓 來減少不平坦度，但程序將因此而拉長，無法接受。另一 種可形成不具有不平坦度或具有減縮不平坦度的片材或層 的方法，是使用塗料器或旋轉塗料程序的方法。但藉該塗 料程序獲得的層的表面上，會殘留刀片或類似物的痕跡， 且厚度的差異是在± 3至5 %之間，且在施加曝光及顯影程 序後仍然會殘留。因此，爲了製造具有改良特性的電子零 件，需對表面平坦度或厚度減縮的差異性加以改良。 在金屬濕黏土係藉屏蔽印刷或使用塗料器施加在基底 構件上以形成一電極層的情形中，電極邊緣部的下陷或邊 緣部平直度的惡化現象，會因例如金屬濕黏土的黏性等條 件而發生。此外，壞了或衰落的部分可在施加料漿時產生 ，而在組裝入一電子零件時，會造成短路或傳導失效。此 外，在減縮塗料厚度時，依據各種條件如黏性’可形成的 塗料厚度具有較低値。此外’難以沿厚度方向減少尺寸的 差異性達到小於數百分比（％ )的程度。當使用陶瓷泥發 來製造陶瓷坯片時，也有同樣情形。 以感應器構形的電子零件的情 一貫穿的電極或類似物。在該 穿電極的長度（或電極的厚度 明確。然而，目前電極的厚度 決定，而實際上是難以單純的 電極的厚度的，誠如日本專利 示者。 背景及問題而硏發的創作。本 造陶瓷坯片或電極層的方法， 改良的表面平坦度度或厚度均 該方法來減少多層陶瓷電子零 供具有改良電氣特性的電子零 發明提供一種利用曝光及顯影 ’包含以下步驟：將一包含具 敏材料連接至一構件的前側面 在曝光程序中的光的部分，該 該前側面係其上將形成有一片 特定圖型的步驟，然後從上述 光敏材料執行曝光程序，曝光 在上述構件表面一特定深度範 受曝光，及在該曝光程序後， 1252497 (4) 在陶瓷坯片係用以形成 形中，在某些情況下可形成 等情形中，需精確的控制貫 )，以使感應器的電氣特性 ，係依據陶瓷坯片的厚度來 依賴陶瓷坯片的厚度來控制 公開案第2003 -4 8 3 03號所揭 【發明內容】 本發明是基於上述技術 發明的一目的是提供一種製 其中陶瓷坯片或電極層具有 勻性。本發明另一目的是藉 件電氣特性的差異性，以提 件。 爲了解決上述問題，本 程序以製造陶瓷坯片的方法 有一獨特電氣特性粉末的光 上，該構件具有一可傳送用 光敏材料係對光敏感的，而 材的表面；將該光成形爲一 構件的背側，以該光照射該 程序用的曝光量係使得僅有 圍內的一部份的光敏材料接 1252497 (5) 在該光敏材料上執行顯影程序。 在上述片材製造方法中，最好是藉使該光通過設於上 述構件背側上的光罩，而成形爲一特定圖型。此外，上述 片材製造方法可另包含一步驟，即在將光敏材料連接至上 述構件的前側面上之前，先形成一光阻部分，其包含不會 將光傳送到上述構件前側面上的一特定區域的材料。此外 ’在上述片材製造方法中，上述特定深度可等於光阻部分 的厚度。 再者，上述片材製造方法中，可對上述構件施加一釋 放程序，以便利陶瓷坯片自上述構件的表面上釋放。此外 ，上述片材製造方法中，上述構件可具有一待自陶瓷坯片 卸下及移除的部分，及將構成一部分陶瓷坯片的部分。 爲了解決上述問題，依據本發明另一型態，本發明提 供一種製造多層電子零件的方法，包含：堆疊複數陶瓷坯 片的步驟，該等陶瓷坯片包含一依據前述任何一種製造方 法製成的陶瓷坯片，及沿該等堆疊陶瓷坯片的厚度方向對 其等施壓以形成一層壓構件的步驟。 依據本發明，藉一習知技藝，例如使用塗料器或屏蔽 印刷塗佈一光敏材料而構成的一層，經曝光及顯影加工， 使得其位置、形狀及厚度的精確度得以改良。更具體言之 ，可改良電極的形狀圖型，去除電極壞了或衰落部分，且 使電極表面平坦。因此，可減少例如電極之間的短路的暇 疵發生，即使是絕緣層很薄。因此，只需對習知大量生產 程序添加依據本發明的程序，即可製造一片材，可用以形 -9- (6) 1252497 成具有改良特性的多層電子零件。 此外’依據本發明，可同時控制圖型形狀及層的厚度 。因此，在形成具有一圖型或一貫穿孔等的層時，可以優 異的精確度，就形狀、厚度、或其他要素方面，對該層施 以成形作業或加工。因此，可提供一較佳的片材，用以製 造多層電子零件，而其形狀比藉習知方法而得的多層電子 零件的形狀理想者。更具體言之，可製造出具有圖型寬度 約爲3 Ο μ m，而厚度的差異是在± 2至3 %之間，或更低的 片材。 【實施方式】 下文將槪略敘述依據本發明的製造一使用於電子零件 製造程序中的片材（所謂的陶瓷坯片）的較佳具體實施例 方法。在此具體實施例中，由包含具有一所需電氣特性的 粉末的光敏材料製造的層首先形成於一基底構件表面上， 該基底構件表面可傳送用在一曝光程序中的光，例如紫外 光（下文將詳加敘述）。構成該層的光敏材料係對上述光 例如紫外光敏感者。其後，具有一特定圖型的光罩被設置 於基底構件的背側，且基底構件上的背側藉通過光罩的光 如紫外光來照射，以使光敏材料被曝光。其後，在經曝光 後的光敏材料上執行顯影程序，且將基底構件由光敏材料 上卸除。如此即獲得具有所需形狀及層的陶瓷坯片。 雖然用於本實施例的光敏材料係對例如紫外光的光敏 感，但使用的光並不侷限於紫外光，只要是使用的特定光 -10- (7) 1252497 及對該特定光敏感的材料均可組合利用。上述所需的特性 包括，例如電導率、電容率及電阻。將光敏材料連接至基 底構件的方法可以是，例如，塗佈或印刷，但該方法並不 侷限於上述兩者。基底構件的一範例是可透光的 ρ Ε τ薄 月旲。其上可施加釋放程序以便利形成於基底構件上的層釋 放的構件可充當基底構件使用。其上形成有複數光透射層 的構件可充當基底構件使用。雖然具有一特定圖型的上述 光罩最好是緊密接觸基底構件的背表面，但其也可依據曝 光條件或其他條件而與基底構件背表面成間隔配置。 在本實施例中，用於光敏層曝光程序的光係藉設於基 底構件背側的光罩組成圖型。然而，光罩的位置並不侷限 於基底構件的背側。可與光罩以同樣方式作用的光阻零件 也可設於基底構件本身上。此外，可與光罩以同樣方式作 用的光阻層也可設於基底構件背側表面。易言之，本發明 的效應也可藉在光敏材料的基底構件側設置一可將光圖型 化的結構而達成。此外，該圖型化的光可藉以一特定圖型 掃瞄雷射光束，或利用一區域光源如包含可圖型化的點矩 陣的LED面板來產生，以對光敏材料執行曝光程序。 (第一實施例） 圖1顯示依據本發明第一較佳具體實施例之層形成程 序。圖1顯示在該程序的各種階段中，沿厚度方向截取的 層或片材的橫截面結構。依據此實施例的方法旨在形成具 有特定厚度及形狀的電極層。在此實施例中，用以形成一 -11 - 1252497 (8) 電極層的光敏層6施加在由光透射薄膜（例如p £ τ薄膜） 製成的基底構件2及一光透射絕緣層所構成的構件上（步 驟1 )。其次，在步驟2中，具有所需圖型形成其上的光罩 8係設成緊岔、接觸基底構件2的背側表面，且由其背側施加 紫外光輻射，使該光敏材料6接受曝光程序。 本申請案的申請人發現在光敏材料6中，由光透射構 件（此例中是絕緣層4 )表面量測的處理部分的深度，可 藉控制在曝光時的紫外光強度、照射時間或其他因素來加 以控制。爲了確認曝光量對處理部分厚度的控制性，故以 各種方式改變條件：如陶瓷粉末在泥漿中的混和比率、粉 末的可分散性、粉末的平均顆粒直徑、粉末的投射率，且 量測各條件下的可曝光泥漿的厚度。 眾所周知者，當其內的陶瓷粉末或類似物及光敏黏結 劑相混合的材料被曝光時，由於陶瓷粉末或類似物的存在 ，故一般上光會發生擴散，使得暴露部分的邊緣模糊不淸 。本案申請人製備的混合物，其中具有不同平均顆粒直徑 ，分別爲 l.〇//m、0.8//m、0.6//m、04//m 及 0.2//m 的 陰性黏結劑及駄酸鋇（b a r i u m t i t a n a t e )粉末係以1 : 1的 體積比率相混合，且硏究顯影後輻射時間及殘留薄膜厚度 之間的關係。結果，經確認在殘留薄膜厚度爲數微米的情 形中，更具體言之，對粉末而言，在任何厚度約爲1 〇 // m 或更少的情形中，曝光時間及所得片材厚度之間係壬現線 性關係，且平均薄膜厚度値的差異是在± 0 · 5至2.0 %之間 ◦此外，爲了保持片材的平坦度，顆粒直徑最好是較小者 -12- (9) 1252497 。此乃取決於片材的厚度，且在較小厚度範圍中，顆粒直 徑是一重要因素。具體言之，在片材厚度係等於或小於5 〆m的情形中，較好是使用其平均顆粒直徑係等於或小於 〇 · 8 // m的鈦酸鋇粉末；而最好是等於或小於〇 . 2 # m的。 易言之，一平坦片材可藉使用包含平均顆粒直徑爲片材厚 度的五分之一或更低的粉末的泥漿而獲得。此外，一其表 面平坦度的程度（以算術平均粗糙度Ra而論）減縮的片 材，可藉使用包含平均顆粒直徑爲片材厚度的十二分之一 或更低的粉末的泥漿而獲得。在此，曝光時間可詮釋爲將 光強度倂入考慮的曝光量，而結果顯示曝光量及殘留薄膜 厚度之間係呈現線性關係。因此，在使用陶瓷粉末及光敏 黏結劑的情形中，當殘留薄膜的厚度（即電極的厚度）約 爲5.0 // m時，可使片材表面獲得精準的片材厚度及平坦 度。雖然所述的硏究係使用其光傳送特性較差的鈦酸鋇粉 末，吾人也針對其光傳送特性優異的所謂玻璃陶瓷粉末、 具有光吸收特質的肥力鐵粉末（ferrite powder )、及金屬 粉末做出硏究。結果顯示，雖然所需的曝光量不同，但是 這些粉末也顯示與鈦酸鋇粉末相同的特性。因此，在顯影 後之殘留薄膜厚度係藉調整曝光量來控制、同時使用其內 混合有金屬或陶瓷粉末及光敏黏結劑的泥漿的情形中，如 果所使用的粉末的平均顆粒直徑係小於1 . 0 M m，則表面粗 糙度可設計爲小，而可獲得一可減縮平均薄膜厚度差異的 控制程序。此外，除了上述試驗之外，經發現如果條件許 可的話，顯影後之殘留薄膜的厚度可控制在約5 0 # m或更 -13- 1252497 do) 小的範圍內。曝光程序後，即進行顯影程序，使得光敏層 6只有曝光、被處理的部分餘留，而其他部分被移除◦因 此’可獲得一具有特定形狀及厚度的電極1 〇，如步驟3所 示者。如下文將述及者，基底構件2係自由基底構件2、絕 緣層4及電極1 〇所構成的片材上移除，或是在其上形成有 一額外層後才自該片材上移除。基底構件自其上移除的片 材，然後被另一由相同或近似程序所製造的片材所層疊， 而在經歷各種程序後，構成一多層電子零件，例如電容器 〇 依據本實施例，可使被處理部分的表面平坦，同時可 控制被處理部分的厚度（或深度）。只要是基底構件2及 絕緣層4係可透光的，僅對習知塗料程序或屏蔽印刷程序 添加曝光程序及顯影程序，即可達成本實施例。 本實施例中，電極形狀或其他因素係由光罩圖型及受 控制的曝光量所決定，因此，光敏層可藉任何程序塗佈。 然而’爲了減少在顯影程序中的移除量，形成於絕緣層4 上的光敏層6的尺寸、形狀及厚度，最好是與待形成的電 極的尺寸、形狀及厚度相近。有鑑於此，可採用各種方法 ，包括屏蔽印刷程序、或使用一刀片的塗料程序來形成該 光敏層6。此實施例中，絕緣層4係形成於基底構件2上。 絕緣層4可由光敏材料製成，而可由基底構件2背側加以曝 光，以減少其厚度的差異性。此外，各種光透射層可取代 絕緣層4。 -14- 1252497 (11) (第二實施例） 圖2與圖1類似，顯示在各程序階段中沿層或片材厚度 方向截取得的橫截面結構◦下文將述及的其他圖式也將顯 示在各程序階段中片材的橫截面結構。此實施例中，一電 、 極1 0是直接形成於光透射基底構件2上。易言之，此實施 . 例相當於第一實施例中，省略了絕緣層4或相當於絕緣層4 的層的情形。 具體言之，用以形成電極層的光敏層6是首先塗佈在 鲁 由，例如P E T薄膜（步驟1 )製成的光透射基底構件2上 。其次，在步驟2中，其上形成有所需圖型的光罩8係設成 緊密接觸基底構件2的背側表面，且由其背側施加紫外光 輻射。曝光程序後’即進行顯影程序，使得光敏層6只有 曝光、被處理的部分餘留，而其他部分被移除。因此，可 獲得一具有特定形狀及厚度的電極丨〇，如步驟3所示者。 (第三實施例） Φ 依據本實施例的方法旨在當例如形成一電介質層時， 在形成一貫穿電極的同時可形成一貫穿孔。下文中，請參 考圖3有關層成形方法的實施例。首先，在步驟1中，具有 - 所需電氣特性的光敏層3係形成在一由例如p e τ薄膜製成 - 的光透射基底構件2上表面。其次，在步驟2中， 其上形成有所需圖型的光罩8，，係與基底構件2的背 側表面成緊密接觸設置，且由基底構件的背側，施加紫外 光如、射’以進行光敏層3的曝光。曝光程序後，即進行顯 - 15- 1252497 (12) 影程序’使得光敏層只有曝光、被處理的部分餘留，而與 穿透圖型部分8 a對應的未曝光部分被移除。因此，可形 成一具有貫穿孔4a的電介質層4。 依據本實施例，可使形成在基底構件上的電介質層4 的表面平坦，同時可藉控制步驟2中的曝光量而控制其厚 度。光敏層3的塗佈厚度可任意選擇，只要是其大於電介 質層厚度即可，而光敏層3厚度的平坦度及均勻度則沒有 要求。有鑑於此，可採用各種方法，包括屏蔽印刷程序或 使用一刀片的塗料程序來形成該光敏層3。雖然此實施例 中，光敏層3係直接的形成於基底構件2上，然而，也可預 先形成各種可透光的層。 (第四實施例） 圖4揭示第四實施例。此實施例中，在其中有一電極 層或類似物形成在一絕緣體部分內部的層中，一貫穿孔形 成於該絕緣體部分上。此情形中，電極層或類似物作用如 一光阻部分，不會傳送曝光程序所使用的光。此實施例中 ’由光透射基底構件2及形成於基底構件2表面上的電極層 1 〇所構成的片材是藉由，例如前述第二實施例的方法所製 造’而具有所需電氣特性的光敏層3係形成於該片材的頂 面上（步驟1)。其後，在步驟2中，具有一所需圖型形成 其上的光罩8，是緊密接觸基底構件的背側表面設置，且由 基底構件的背側，施加紫外光照射，以進行光敏層3的曝 光。曝光程序後，即進行顯影程序，使得光敏層與穿透圖 -16- 1252497 (13) 型部分8 a對應的未曝光部分被移除。因此，可形成一具 有貫穿孔4a的電介質層4。 依據本實施例，可使形成在基底構件上的電介質層4 的表面平坦，同時可藉控制步驟2中的曝光量而控制其厚 度。光敏層3的塗佈厚度可任意選擇，只要是其大於電介 質層厚度即可，而光敏層3厚度的平坦度及均勻度則沒有 要求。有鑑於此，可採用各種方法，包括屏蔽印刷程序或 使用一刀片的塗料程序來形成該光敏層3。雖然此實施例 中，光敏層3係直接的形成於基底構件2上，然而，也可預 先形成各種可透光的層。此外，雖然此實施例中，絕緣層 4的厚度是設計爲約等於電極層1 〇的厚度，然而依據片材 所需形狀，可藉控制曝光量來構成厚度的差異。 藉實施本實施例，藉簡易的使壞了或衰落的部分不被 曝光，即可將在光敏材料被施加至基底構件或類似物表面 上時產生的壞了或衰落的部分加以移除。此外，由於不需 將所施加的光敏材料層設計爲薄，故不會產生衰減部分。 此外，依據本發明，可藉控制曝光量而精確的控制餘留的 層的厚度。故可形成具有小於0.5 // m厚度的層，同時， 將厚度的差異減縮至小於± 2至3 %之間。此外，可使藉曝 光及顯影獲得的圖型形狀的邊緣部分變得比習知技藝所獲 得者較正方。因此，可使藉層疊該等片材而形成的電子零 件的電氣特性的差異小於一所需値。 (使用依據本發明的片材製造電子零件的程序範例） - 17- 1252497 (14) 下文將敘述使用依據本發明的上述片材形成方法製造 電子零件的程序。圖5至圖7顯示沿一片材或疊層片材的厚 度方向截取得，由側面觀察的橫截面結構。圖5及6顯示製 造多層陶瓷電容器程序的各種階段。圖7顯示製造多層陶 瓷感應器程序的各種階段。 圖5揭示其中使用藉本發明上述第二實施例製造的電 極層1 〇及一電介質層4 ’（所謂的陶瓷坯片）的製程。在此 製程中，首先製備複數各由一基底構件2及形成其上的一 電極層1 〇所構成的片材，及複數各由一基底構件2及形成 其上的一電介質層4 ’所構成的片材（步驟1 )。其後，在 步驟2中，基底層2由電極層10上卸除，且僅將電極層10移 至在基底構件2上的電介質層4 ’的頂面上。位在電介質層 4’的底面上的基底構件2，由其中電極層10是形成於電介 質層4 ’上的片材上進一步被移除。之後，將僅由電介質層 4 ’及電極層1 0所構成的特定數量的片材加以堆疊（步驟3 )° 一壓力沿厚度方向施加在該堆疊的片材上，使各片材 受壓而相互接觸。藉此壓擠程序，電極層1 〇侵入個別上及 下電介質層4’內。因此，即形成其中有複數電極層10存在 於電介質層4 ’內部的疊層構件。此種疊層構件被切割成一 特定尺寸及接受退火，以製造所需的多層陶瓷電容器。藉 使用依據本發明方法製造、其表面平坦度、形狀及厚度具 有減縮差異性的電極層1 〇，可製造出的多層陶瓷電容器， 其某些電氣特性的差異，與習知的多層陶瓷電容器的相較 -18- 1252497 (15) ，是較小的。

圖6揭示其中使用藉本發明上述第一實施例製造的絕 緣層（或電介質層）4及一電極層1 0的製程（步驟1 )。在 此製程中，如有需要，也可使用其中僅有電介質層4 ’形成 於基底構件2上的片材（步驟2 )。其後，在步驟3中，基 底構件2由片材上卸除，且將僅由電介質層4及電極層1 〇所 構成的特定數量的片材加以堆疊。其後，一壓力沿厚度方 向施加在該堆疊的片材上，使各片材受壓而相互接觸。藉 此壓擠程序，電極層10侵入個別上及下電介質層4內。因 此，即形成其中有複數電極層1 0存在於絕緣層4內部的疊 層構件，如步驟4所示。

此種疊層構件被切割成一特定尺寸及接受退火，以製 造所需的多層陶瓷電容器。藉使用依據本發明方法製造、 其表面平坦度優良、形狀精確及厚度差異精確的電極層1 〇 及絕緣層4，可製造出的多層陶瓷電容器，其某些電氣特 性的差異與習知的多層陶瓷電容器相較，是較小的。在此 情形中，由於絕緣層4的厚度均勻性較之圖5的情形優良， 故可製造出其電氣特性具有減縮差異性的多層陶瓷電容器 圖7揭示製造多層陶瓷感應器的程序的各種階段。圖7 所示的片材2 1是藉本發明第二實施例的方法製造。片材2 1 是由一基底構件2及一用以在其上形成貫穿電極10的電極 層1 0所構成。片材2 2也是藉第二實施例的方法製造。在片 材2 2中，一用以形成一圖型電極的電極1 〇乃形成於一基底 -19- 1252497 (16) 構件2上。片材2 3是依據第一實施例的方法製造。在片材 2 3中，一絕緣層4及用以形成一圖型電極的電極1 0乃形成 於一基底構件2上。片材24也是依據第一實施例的方法製 造。在片材2 4中，一絕緣層4及用以形成一貫穿電極的電 極乃形成於一基底構件2上。 片材2 5是藉一適當程序，以一電極材料1 0 ’塡充依據 第三實施例的方法製造的絕緣層4的一貫穿孔而形成。在 片材25中，絕緣層4及貫穿電極乃形成於一基底構件上。 片材26也是藉一適當程序，以一電極材料10’塡充依據第 三實施例的方法製造的絕緣層4的一圖型孔而形成。在片 材26中，絕緣層4及圖型電極乃形成於一基底構件2上。片 材2 7是利用一習知技藝製造，且其包含一絕緣層4。片材 2 8也是利用一習知技藝製造，且其包含一絕緣層4、一貫 穿電極及一圖型電極10。 在該等片材2 1 - 2 8的基底構件2被移除後，視需要選出 一部份的片材2 1 -28且加以堆疊，以形成所需的感應器圖 型（步驟2 )。之後，一壓力沿厚度方向施加在該等堆疊 的片材上，使片材受壓而相互接觸。藉此壓擠程序，電極 層1 〇侵入個別上及下絕緣層4內。因此，所形成的疊層構 件中，所需感應器圖型的連續電極層1 〇存在於絕緣層4內 部。 如此形成的疊層構件被切割成一特定尺寸及接受退火 ，以製造所需的多層陶瓷感應器。藉使用依據本發明方法 製造、其表面平坦度、形狀及厚度具有減縮差異性的電極 -20- 1252497 (17) 靥1 Ο，可製造出的多層陶瓷感應器，其某些電氣特性的差 異’與習知的多層陶瓷感應器相較，是較小的。由本發明 方法製造的圖型電極或其他零件的橫截面與藉習知方法獲 得者相較，具有較佳的正方形、故可實現有利的效應，例 如感應器可得與所需電阻値差異減縮的値、或DC電阻的 減縮。 【圖式簡單說明】 Φ 圖1係依據本發明第一較佳具體實施例之陶瓷坯片製 造程序的示意圖。 圖2是依據本發明第二較佳具體實施例之陶瓷坯片製 造程序的示意圖。 圖3是依據本發明第三較佳具體實施例之陶瓷坯片製 造程序的示意圖。 圖4是依據本發明第四較佳具體實施例之陶瓷坯片製 造程序的示意圖。 φ 圖5揭不利用依據本發明方法製造的陶瓷汪片來製造 多層陶瓷電容器的程序的示意圖。 圖6揭示利用依據本發明方法製造的陶瓷坯片來製造 ， 多層陶瓷電容器的程序的示意圖。 - 圖7揭不利用依據本發明方法製造的陶瓷坯片來製造 多層陶瓷感應器的程序的示意圖。 【主要元件符號說明】 -21 - 1252497 (18) 2 基底構件 3 光敏層 4 絕緣層/電介質層 4， 電介質層 4 a 貫穿孔 6 光敏層 8 光罩 8 5 光罩 8 a 穿透圖型部分 10 電極層 10, 電極材料 2 1 片材 22 片材 23 片材 24 片材 25 片材 26 片材 27 片材 28 片材

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Claims (1)

1252497 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種利用曝光及顯影程序以製造陶瓷坯片的方法， 包含以下步驟： 胃一包含具有一獨特電氣特性粉末的光敏材料連接至 一構件的前側面上，該構件具有一可傳送用在曝光程序中 的光的邰分’該光敏材料係對光敏感的，而該前側面係其 上將形成有一片材的表面； 將該光成形爲一特定圖型，然後從該構件的背側，以 該光照射該光敏材料執行該曝光程序，曝光程序用的曝光 量係使得僅有在該構件表面一特定深度範圍內的一部份的 光敏材料接受曝光，及 在該曝光程序後，在該光敏材料上執行顯影程序。 2 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中係藉使該光 通過設於該構件背側上的光罩，而成形爲該特定圖型。 3 .根據申請專利範圍第1項之方法，另包含在將光敏 材料連接至該構件的前側面上之前，先形成一光阻部分的 步驟，該光阻部分包含不會將光傳送到該構件前側面的一 特定區域的材料。 4 .根據申請專利範圍第3項之方法，其中該特定深度 等於光阻部分的厚度。 5.根據申請專利範圍第i項之方法，其中對該構件施 加一釋放程序，以便利該陶瓷坯片自該構件的表面上釋放 〇 6·根據申請專利範圍第1項之方法，其中該構件具有 -23- 1252497 (2) 一待自該陶瓷还片卸下及移除的部分，及將構成一部分陶 瓷坯片的部分。 7. —種製造多層陶瓷電子零件的方法，包含下列步驟 堆疊複數陶瓷坯片的步驟，該等陶瓷还片包含一依據 上述申5P3專利範圍第1 - 6項中任一項之_造方法製成的陶 瓷坯片，及 沿該等堆疊陶瓷坯片的厚度方向對其等施壓以形成一 層壓構件的步驟。

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