TWI250570B - Abrasive media and aqueous slurries for chemical mechanical polishing and planarization - Google Patents

Description

1^50570 案盤· 9〇i28(un 、發明說明（1) 本發明係指積體電路中間層， 鏡等之化學機械抛光與平面化所用的片，和光學透 尤指非球狀瘤塊形矽粒子，該等粒+告砮料和含水泥漿， 研磨料時，可發揮快速的材料移除率w作化學機械拋光的 無任何不可接受的溝槽和/或刮痕M。 ’而研磨出的表面並 鈉、氯、鋰和其它污染物之單分本^明亦指實質不含 穩定水分散體。該等泥漿尤其適於瘤塊形石夕粒子的 晶圓和中間層的化學機械平面化。、衣k + >體積體電路之 積體電路的製造包括一個提 供一片在其一邊呈右平f4真品基片的步驟，例如提 者於這平滑表面之上形成呈有導雷 飞中化銥日日0。接 種種不同展& f八有v電、絕緣或半導體性質的 面上米成製造 電路時，也需在一先前形成的層 常合類似結構 '然而，先前的表面形成通 面的地形變得高度不規則，留下隆起部，高 化凹：和其！；表面異常情形。結果，必須進行 體千面化，確保在後續的光刻（抑〇1〇11让〇叮叩^)作 適當的焦深，以及在製程的各階段期間去除任何異常與 表面缺陷。這種平面化一般是用化學機械拋光（CMp)達/、

第6頁 發明說明（2) 成。 化學機械拋光係以含有適當化學 泥聚進行。該等化學品會與待拋光的： = 水 it!多；：；由=::!的固體粒子予以研磨或磨 猶A却妒#月下，廷些粒子疋由矽構成。因此，有一種 -夂％氧化矽（fuffled si ! ica) ㊄ 來源。埶解蓋各於β山a a J 7日疋坆些粒子的主要 (Sic"f匕矽疋由矽烷化合物，例如四氯化矽 和4)一甲二，/石夕院⑽叫），尹取三氯石夕（CH3SlC"， 而產t由石=:(入 ，3)3)等，經熱解或燃』1匕 狀石夕粒子非常小，約在10到2〇奈米U化而產生的最終球 廷些非常小的粒子在熔融 也以這些最終粒子緊宓社人★、ρ不便承、，、°而熱解氧化矽 恢復。等這些非球狀；：；；=的；狀聚結塊形式予以 有致粒子直徑約為〗00奈到一種CMP泥漿中後，其 的期間’及其用於CMP時7狀^ =子用於製備分散體 卜進或掘入待抛光表面 ，生令人討厭的溝槽和刮痕。'，因而 t間層表面的刮痕及溝栌 2千面化後，留在積體電路 而斜後續層面的可靠性^ s變成瑕疵來源或污染所在 厭。 罪吐k成不良影響，所以十分令人討 另外，熱解氧化石夕的舉 下的粒子在CMP製程完成後牛;^掘入動作還會造成—些留 此，已拋光的表面難以^埋置於已抛光的表面内。因 月办，往往在清潔過程中需用強力 1250570*，__ - 案 5虎 90128040 五、發明說明（3)

的機械刷除。以記憶磁碟片A 到粒子污染，就可能產生讀/為:!；如果它的已抱光表面受 的CMP泥漿另有一個缺點：亦=吳。：熱解氧化石夕產生 忐，田而道站、P蔣人+ P夕粒子是由氯代石夕烧製 烕，因而導致泥漿含有微量的 萝i止h_牲S丨丨八A -斗两AA 、氣。氣化物可說是積體電路 衣k上％別令人纣厭的污染物。

為求致力克服與敎解曼A 生絮辇m ；解乳化矽粒子有關的刮痕、溝槽和 =寻問通’冒有人將球狀石夕粒子用於⑽泥浆中。該等 球狀粒子係以眾戶斤熟知的技術獲#，亦即讓一種含水的、 酸鈉或矽酸鉀溶液接受離子交換而產生超細的矽輪子7浐 後再以Oswalt催熱法，或以所謂的St〇ber製程利用矽酸= 酉旨的水解而長大。Stobert程已由St〇ber等人在「膠 介面科學期刊（Journal of Colloid and Interface ”

Sci.)」第26輯第62-69頁所刊出的「微米範圍之單分 球體的受控生長（Controlled Growth of Mon〇dispers\d silica Spheres in a Micron Range)」這篇文章中揭 示。 匕 雖然该等球狀粒子能減低使用熱解氧化石夕粒子所穿』成 之泥漿有關的刮痕與清潔問題，但對同等的粒子濃度= 言，這些泥漿的材料移除率卻顯著降低。當然，這^下列 事實有關，亦即滾動摩擦係數低於滑動摩擦係數，和化學 反應層之移除率是該層與研磨粒子之間摩擦力的一個函予 數。雖然在C Μ P泥聚中大幅增力tr球狀粒子的浪度可將之^種 降低的移除率改善到相當程度，但這卻必須付出材料成 本、清潔成本、和用過泥漿之處置成本均增加的代價。另

第8頁 凜號 90128040 1250570 修正

五、發明說明（4) 外，以矽酸鈉或矽酸鉀所製成的泥漿均含合一 /亏染物的驗性金屬，而它們正I制 ^二_ $黾作 的東西。 Ί正疋衣造積體電路時最不想要 本發明的CMP泥漿克服了那肽 :習卿泥聚遭遇的問題，其提：磨料 熱解氧化矽泥漿的移除率，但卻呈二广或優於 清潔力的改良，（i 〇與含有類似大小乃’ t lJ痕和增進 :粒：的CMP泥槳相比，材料移除率較高/、立二度之球？ 勺化學純度。本發明的粒早可用一播" 1 1 1 )較高 垸基石夕院，氨，水和醇的混合物或燒氧基 的比例，•子核化與生長的條件勿而二該等成分 =而非球狀。於生長過程中，將二個以上』=瘤塊 來、、、口、，即可形成單一粒子。 表狀日日核予以 當作研磨料時，該等粒子將滑動， 士待拖光的表面内，另因它們會犁進或掘 :，所以也比球狀粒子具有較高 的摩擦係數較 :用該等化學物與製程所能達到及伴持：：：。此外，因 化學純度。^子所製成的⑽泥浆具有以往無法達到的 層’記於f體電路的金屬與介電中間 形，和最大：：：：的粒子宜有至少5〇%的非球狀瘤塊 、泉丨生尺寸約在2〇到1〇〇〇奈米（nm

第9頁 所用的研磨料二；：：2:學機械拋光與平面化 準，包括這種研m寺：磨：的含水泥浆。以重量為 修正

曰曰 趣70案號， 五、發明說明（5) =子包括特徵在於經初始接觸後即持續生長的聚結 依本發明所構成的泥漿包括單分 子的含水泥漿，以重量為準，該等 曲=】形石夕粒 分散非球狀瘤塊㈣粒子的含水=亦 水泥漿適用於金屬和金屬/金屬間'千：使j 物玻璃的CMP。 Y間層以及虱化 文章以ΐ =式完全併入本案的前述由stober等人發表的 文早等人的美國第4,842,837號專利’頒給 Γ=Γ ί广二f國第4,⑽3, 369號專利，和頒給Anderson 的，姓弟’ ’ 9 3 〇號專利，均揭示出各種對水、醇和氨 的，=浴液添加燒氧基矽烷而產生單分散矽微球的製程， 以口種控制粒度分布的方法。然而，這些研究人員的教 示王都針對球狀;ε夕粒子的生產，而不是針對本發明的非球 狀瘤塊形（η 〇 d u 1 a r )石夕粒子。 對於在水和氨的醇溶液中添加烧氧基石夕烧，例如四嫁 氧基石夕烧而製備的石夕粒子，Α· Van Blaaderen，j. Van

Geest和A· Vrij等人曾研究過其形成與生長背後的機理。 研究結果刊載於1992年12月第2號第154卷「膠體與介面科 车 1 刊（Journal 〇f c〇ii〇id and Interface Science)」 j第1-50 1~頁，茲以參照方式將其全文併入本案。在該 篇報告的一節中’曾報告離子強度對粒子形成與聚集的影 響。足些研究人員也報告說，高濃度的氨，或像硝酸鋰之

第10頁

1250570 Qn _Μ 9012mn 五、發明說明（6) 類的離子鹽都可能導致球狀與非球狀結構的 獲得之非球狀粒子的百分比遠低於球狀粒子。縱’、、、所 在本毛月中，含有瘤塊形粒子的泥槳係以直徑 1 0 0 n m之鬆散石夕玫轉式折介,不七祕J於、、、勺 這些基本粒子或曰核予以Λ查稀膠態石夕溶膠製成。將 次曰曰核予 κ集，連粒或聚結成由二到六甚 更夕基本粒子組成的二次粒子。^ ^ ^ 、 斗、、去+ ^梗水結可用種種不同方 式達成，亦即pH (酸鹼值）的變更 溶膠的離子濃产，釦物；.曲降哲 孤服度變更， 合物的方式；=ίί。聚結後，便以積晴 气Α ^ 膠悲粒子長大，矽聚合物則是將一插桉 氧土夕烷，例如原矽酸四乙酯或 ς = 氧基烧基石夕院，例如甲取或乙取三乙；；：S曰；：種烧 二劑的情況下水解而製成。如11二二 = iey & Sons出版社所出版之「氧化 溶石夕’或石夕單體，#°-種諸如驗性氫氧 時立=劑^況下使其接觸時，靖會在接觸當 、-、。球體之間的頸部（neck)積附額外的 n二 為瘤塊形，而非原始晶核的球狀。 子的粒度係以球狀晶核的初始大小二”瘤？= 數 I聚合與積附聚結粒子上的烷氧美紡ρ^ ^ A p 基石夕燒的數量，溫度，以及其它參數而=烧或烧乳基烧 舉例來說，依本發明一較佳膏姽 備法如下： 5杈仏貝^例所構成之泥漿的製

第11頁 1250570 五、發明說明 案號 (7) 90128040 批次配方： A R (分析試劑）級氫氧化銨 2 5 0石旁 原石夕酸四乙酯（T E 0 S) 3 5 0石旁 純水（D I water )，添加TEOS前 100石旁 純水，添加T E 0 S後 1 2 5石旁 在一 1 0 0加侖連續擾拌的Pf aud 1 er反應器中進行水解 反應，並於3 1分鐘内完成，使溫度從3 〇。C升到β 〇。C。第二 二又添加水可在水解後立即，或延後一小時以上的時間為 之’以促進分散體的穩定性。

所獲得的含有約1 2重量百分比的單分散非球狀瘤塊形 石夕粒子的泥漿，先以真空蒸餾清除掉氨和醇，再用氫氧化 鉀和純水（DI water)調整到pH為11 · 〇，和固體含量為 1^3.4%的程度。因而獲得的泥漿具有超過65〇c的閃點。如果 故種泥漿即為意欲者，那麼也可用分析試劑（AR)級氳氧化 銨調整pH。另外，亦可使用無機酸類、有機酸類或經水解 而產生酸性p Η的材料將p Η調整到酸性。酸性泥漿可用於金 屬的化學機械拋光，而鹼性泥漿則可用於氧化物玻璃的化 學機械抛光。

、生產供化學機械拋光所用的泥漿時，該泥漿應具有意 奴的粒子直徑，較南的粒子濃度，同時粒子要保持在單分 散狀態。此舉當然是個合乎經濟效益的優點，因為裝運 縮泥漿可降低運輸成本。以重量為準，將醇減低到約 〇. 05%到5%的程度，使泥漿的閃點升高到可接受的水準。 清除掉的醇及氨可被回收及再生，因而降低加工廢棄物的 90128040 年 月 曰 提供一基 表面的石夕 導電、絕 時，也需 。然而， 規則，留 異常情形 刻（photo 各階段期 1250570 五、發明說明（8) 處置成本。 在兩迷範例中，係以連續 與長成瘤塊形粒子。然而，在 可從球狀晶核的含水稀溶膠開 一種將它們聚結，再添加烷氧 驗性催化劑，和醇（如需要時） 粒子。 積體電路的製造包括一個 供一片在其一邊具有平滑均勻 著於這平滑表面之上形成具有 種種不同層面。製造該等電路 =上形成導電線路或類似結構 常會使頂面的地形變得高度不 等的區域，凹槽和其它的表面 整體平面化，確保在後續的光 有適當的焦深，以及在製程的 表面缺陷。 、該等裝置的介電氧化物中 濟的有效速率予以平面化。是 構成的泥漿，以便較迅速盘人 面化，且不會在其内留下溝二 粒子。 9 修」 製程使晶核粒子形成，聚結 不違本發明精神之範圍内亦 始’以前述各種技術的其中 基矽烷或烷氧基烷基矽烷， 而使聚結的粒子長成瘤塊形 片的步驟，例如提 或坤化鎵晶圓。接 緣或半導體性質的 在一先前形成的層 先前的表面形成通 下隆起部，高低不 。結果，必須進行 lithography)作業 間去除任何異常與 間層十分硬，難以用合乎經 以，現已開發出依本發明所 乎經濟地將該等表面予以平 或/朱刮痕或南度的附著研磨 下表提供依本發明所盖 即含有單分散非球狀瘤塊形的比較，亦 子的泥漿，和幾種所含球

1250570 案號 90128040 五、發明說明（9) 2粒子之平均有效直徑與瘤塊形粒子類似的泥漿。對積附 ，矽晶圓上的若干熱氧化物介電層進行化學機械拋光。、使 用一台Strasbaugh 6EC拋光機，IC 1 40 0_A1拋光墊 jad)，rpm (每分鐘轉速）為3〇的通心軸，rpm為的轉

ί^27。8「二^下向力，每分鐘125 “的泥漿進 '给率，和25〇C 至I27C的溫度，來確定材料移除率。在這圖表中，範 Ϊ號係列在左攔並包括-個「K」或「N」，據以辨別是否 曰添加虱乳化銨或氫氧化鉀來調整ρΗ。第二 浆之粒子時所用氨對原…乙醋的克分子比 不者係以每分鐘幾埃（angstr〇m)表示的介電率， ，四攔所示者係、以奈米（nm)表示的平均有效粒_；=。 弟五欄所不者係粒度分佈的變動係數。另固 含量，pH和主要粒子形態。 吧,，、貝不出固體 [丨 IL /TEOS 熱?氣祀尜# : 除 速幸(埃/分# 報手至裡 (nm) 丨f娜丨 齡）丨 图想含f (重 f百分比) ! 197Ν 3.17 1100 173 21.2 ^ 13.2 ! 157Ν 2.97 2D00 171 15.4 13.7 1S1K 2.97 2卩00 ............................................ 104 13.9 13.P 196Ν 丨 2.76 2750 ldO 18 0 13.1 L196K 丨 2.76 3090 157 19.1 13.7 ：194N 2.65 3187 167 18.9 13.4 230N 2.56 3761 158 2D.Q 13.9 133K 2.56 4000 …178 20.2 13.4 PH 丨甩S : 11.1 球狀 11.0 丨球狀丨 11.0 球狀 11.0 瘤塊形| 10.9 瘤塊形 11.0 廇塊形 1Q.8 瘤塊Φ 11.0 癍塊形；

如第一a及一b圖所示，197N批的粒子實質為球狀，因 此與，本發明所構成的那些相比，化學機械拋光的效力較 差。第二a及二b圖所示的粒子係取自丨8丨κ批，其實質為^

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1250570 I 案號 90128040 年月日 修正 * 五、發明說明（10) 狀，但含有少量的瘤塊形粒子。第三a及三b圖所示者係 1 5 7批的粒子，它們主要也是球狀，但含有一小部份的非 球狀粒子。第四a及四b圖所示者係1 9 6N批之球狀與非球狀 瘤塊形粒子的混合物。如第五a及五b圖所示，1 9 4批的粒 子多數為非球狀瘤塊形粒子，而第六圖所示者則是依本發

第15頁 明所構成之非球狀瘤塊形粒子的另一範例。最後，第七a 及七b圖所示者係1 3 3 K批的形態。 在製造積體電路時適於讓氧化物介電中間層平面化的 ^學！械拋光泥漿即為本發明的一實施例。‘等泥漿包 :種早分散非球狀瘤塊形矽粒子的水分散體，該等粒子 ，二均有效粒子直徑宜在100到30 0 nm之間。粒度分布宜 在到25%之間的變動係數，和以重量為準，約在 。之間的非球狀瘤塊形矽粒子濃度。該等泥漿得添

二丨氫氧化物，例如氫氧化銨或氫氧化鉀，而把PH ‘::二Λ 2，但以調整為約1 0 · 5到11 · 5的範圍為宜。 l?〇〇Hi)b叙泥5而言以重量為準，泥漿中的鈉含量低於 PPb ’虱含量低於5 ppb，和鋰含量低叩匕。 它們：3 ^ 3 Ϊ電層的平面化引起一個獨特問胃，那就是 (全屬鑲；複混合材料。鎢襯套(通孔)和電鍍内嵌銅 和銅，以^ Ϊ所引起的問題就是要對具化學反應性的鶴 —氮化浐知//、各自所屬的堅硬但不具化學反應性的鈦/ 物；間ΐϋΐ:氮化鈕擴散阻隔層（即，金屬/金屬化合 的Θ=構）進行拋光，但卻不能過度拋光或侵蝕夾入 細二?、巴緣層，也不能拋光或磨凹（d i sh i ng )埋置的铯 另對阻隔層用=c:p，:二亦即對金屬用-次泥聚， ^ -人泥漿，結果生產力便因而減半。 合時，t:的非球狀瘤塊形矽研磨泥漿在與適當的化學結 ‘'、、、不出能迅速去除鎢和銅塗層，而且它們的獨特

修正 曰 五、發明說明（12) 除阻隔層材料十分有效，以致能用—次拋光步驟 凡成，务揮相當大的經濟效益。 單八：：：說，對於使用與前述相同之批次配方所製備的 :刀=㈣石夕粒子泥漿，先清除到氨含量约為3 〇%的程 二固2ί劑級醋酸予以酸化到抑為4的程度，並以純水 稀釋到6%的程度。接著把所獲得的泥漿用於- 化物中形成：C!MP丨’以便在LPC〇 (低遷化學氣相沉積）氧 物之門?，亚以鈦/ 一氮化鈦當作鎢與LPCVD氧化 :之間的阻隔層。以過氧化氫/泥漿/醋酸為ι :〗：…卜 1C二1 2氫添加到泥漿中當作鎢氧化劑，再以 二八於A拋光墊於Strasbaugh 6EC拋光機上進行CMP。在 化二里‘丨拋光期内’表面塗層便被清除到下方的LPCVD氧 均：产平面化速率為_埃/分鐘，晶圓範圍内的 氧化二::」5°/°。填充鎢及鈦/ 一氮化鈦的通孔則與lpcvd 低於8. 〇A 、 來冲异。因為拋光後表面粗糙度 - A ’所以不需布輪拋光或二次平面化。 瘤塊=:叙ί :中’係使用相同的批次配方來製備單分散 二曱酸氧泥聚，接著清除氣及乙醇，並以試劑級苯 人旦H :鉀和忒劑級硝酸予以酸化到PH為4的程度。固體 龍。以^公升的濃度添加試劑 會旦 、、p制劑來控制銅的表面侵触率。接著以7 5 濃度添加過氧化氮。所獲得的泥裝則用來平 ’、_種不同溝槽大小及圖案密度的150 mm鑲鋼 曰曰

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1250570 _ 五、發明說明（13) 圓。薄膜結構係由2 · 0微米的熱矽，5 〇 nm的PVD (物理氣 相沉積）鈕/ 一氮化鈕，和2· 3微米的pyD銅組成。使用 Cybec 390 0拋光機及Rodel IC 14〇〇 k凹槽拋光墊進行平 面化作業。所用的各拋光參數為2· 8 psi的下向力，86 fpm的速度，在25〇C到30。(：的溫度時為3 0 0 ml/mir^々泥漿流 動率。結果在持續1 8 0秒鐘的一個拋光步驟，便把所有的 銅及钽/ 一氮化鈕移除。銅磨凹的程度低於5〇 ，實質也 無矽侵蝕情事。計算出的銅及钽/ 一氮化鈕移除率分別為 70 0 0 到 80 0 0a /min*12,〇〇(^n4, 〇〇(]A/min。極為迅速的 鈕/ 一氮化鈕移除率，使得這可成為採用單一泥漿的一步 驟式拋光製程，因而與採用二種泥漿之二步驟式製程的習 甩技藝比較，大幅增進實用性。此泥漿配方的化學盥採用 不同研磨料之二步驟式製程所習用的那些相似，以致這差 異僅能歸因於瘤塊形矽研磨粒子的性能而已。 、上所舉貝；5也例僅用以說明本發明而已，非用以限制 本發明之範圍。舉凡不違本發明精神所從事的種種修改或 變化，倶屬本發明申請專利範圍。

第18頁

第一 a及一 b圖係 的電子顯微照片，其 大致為球狀的石夕粒子 的拋光率； 分別以4 0, 0 0 0和80, 〇〇〇放大倍數掃目苗 顯示出可供用於化學機械拋光的那些 ，但其所產生的拋光率卻低於本發明 第二a及二b圖係分別以4 0，0 〇 〇和8 [ 的電子頭微照片，其顯示出在第二比較 狀矽粒子； ，0 0 0放大倍數掃 範例中所獲得的 瞄 球 第二a及二b圖係分別以4 ο，ο 〇 〇 的電子顯微照片，其顯示出依本發 非球狀瘤塊形矽粒子； 和8 0，〇 〇 〇放大倍數掃瞄 明第一實施例所產生之 弟四a及四b圖係βι丨Γ/ /1 π π π a <的電子顯微照片，其；和80’0 0 0放大倍數掃 非球狀瘤塊形㈣子^出依本發明第二實施例所產生

第五a及五b圖係分 的電子顯微照片，其顯 非球狀瘤塊形矽粒子； 別以40, 〇〇〇和8〇, 〇〇〇放大倍數掃猫 示出依本發明第三實施例所產生之 弟六a及六b圖係分 的電子顯微照片，其顯 非球狀瘤塊形矽粒子； 別以4 0，〇 〇 〇和8 〇，〇 〇 〇放大倍數掃目苗 示出依本發明第四實施例所產生: 的 非 第七a及七b圖係分 電子顯微照片，其顯 球狀瘤塊形矽粒子。 別以40, 〇〇〇和8〇, 〇〇〇放大倍數掃目结 示出依本發明第五實施例所產生^

Claims (1)

1. 遽號9ΓΠ⑽n/|n 1250570 修正 曰 六、申請專利範圍 1 · 一種非球狀矽粒子，其具有瘤塊形形態和大約2〇 到1 0 0 0奈米之間的最大線性尺寸，以供當作化學 的研磨料。 I尤 、 種了供用於化學機械抛光的研磨料，以粒子重 量為準’其包括至少50%的非球狀矽粒子，該等粒子具有 瘤塊形形態和大約20到1 0 0 0奈米之間的最大線性尺寸。 3·如申請專利範圍第2項所述之可供用於化學機械拋 光的研磨料’以粒子重量為準，其含有至少9 0 %的非球狀 石夕粒子’该等粒子具有瘤塊形形態和大約2 〇到丨〇 〇 〇奈米之 間的最大線性尺寸。 曰4·如申請專利範圍第1項所述之研磨料，其中粒子的 最大線性尺寸係在大約丨〇 〇到3 〇 〇奈米之間。 乂 5·如申請專利範圍第1項所述之研磨料，其生產方式 $將小於約1 〇 〇奈米的晶核予以聚結，再於一種烷氧矽烷 —種水、醇和鹼生催化劑的混合溶液中水解的整個期間 生長而成。 / 其中燒氧基 其中烷氧基 其中鹼性催 其中粒子有 6·如申請專利範圍第5項所述之研磨料 石夕燒是種原矽酸四乙酯。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之研磨料 石夕燒是種原矽酸四甲酷。 8 ·如申請專利範圍第5項所述之研磨料 化劑是種氫氧化銨。 ^ 9 ·如申請專利範圍第2項所述之研磨料 攻直#的變動係數約在丨5%和2 5%之間。

   第20貢 案號 90128040 六、申請專利範圍 1250570 车月日 .修正 ^ 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨料，其中以重 i為準’瘤塊形；5夕粒子含有低於〇 . 1 Q %的經。 曰11·如申請專利範圍第i項所述之研磨料，其中以重 1為準，瘤塊形矽粒子含有低於1 0 00 ppb的鈉和低於5 Ppb的氯。 、 12·如申請專利範圍第1項所述之研磨料，其中大多 數的非球狀瘤塊形矽粒子係以二個以上的晶核經聚結， 於聚結後進一步生長而形成。 13·如申請專利範圍第丨2項所述之研磨料，其包括最 大線性尺=約在10〇到3〇〇奈米之間的非球狀瘤塊形^粒μ 子，其中該等粒子大多數係以二到六個之間的晶核經聚 、、、口再於聚結後進一步生長而形成。 1 4 ·如申睛專利範圍第1項所述之研磨料，其中大多 =的非球狀瘤塊形矽粒子係以二到六個之間的晶核經 而形成。 1 5 · 一種可供用於化學機械拋光的含水泥漿，以重量 f準’其含有濃度約從0· 5%到50°/◦的微粒子研磨料，其中 j1粒子屬於如申請專利範圍第1項所述之單分散非球 狀瘤塊形；e夕粒子。 =·、如申請專利範圍第15項所述之泥漿，其中該泥漿 s白、球狀矽粒子數低於非球狀瘤塊形矽粒子數的1 /1 〇。 々申明專利範圍第1 5項所述之泥聚，其中以重量 ’石夕粒子的濃度約在3%到25%之間。 1 8 ’如申睛專利範圍第1 5項所述之泥漿，其中瘤塊形

   案號 9m2fuufl 年 月_a__«__；_ 六、申請專利範圍 矽粒子的平均有效直徑約在丨0 0到3 0 〇奈米之間。 19·如申請專利範圍第1 5項所述之泥漿，其中以重量 為準，該泥漿含有低於〇. 〇 1 %的鈉，低於0 · 0 1 %的氣，和低 於0 . 0 1 %的鋰。 2 0·如申請專利範圍第1 5項所述之泥漿，其中泥漿的 P Η (酸驗值）約在9到1 2之間。 21·如申請專利範圍第1 5項所述之泥漿，其中泥漿的 pH約在10· 5到1 1· 5之間。 2 2·如申請專利範圍第2 0項所述之泥衆’其含有一種 驗性氫氧化物。 2 3.如申睛專利範圍第2 0項所述之泥漿’其含有氫氧 化鉀。 2 4·如申請專利範圍第2 〇項所述之泥漿，其含有氫氧 化銨。 2 5·如申請專利範圍第2 〇項所述之泥漿，以重量為 準，其含有約0· 5%到5%的醇。 2 6· 一種氧化物玻璃進行化學機械拋光所用之泥漿， 該泥漿含有如申請專利範圍第2項所述之研磨料。 2 7· 一種金屬或金屬/金屬化合物中間層結構進行化 學機械拋光所用之泥漿，該泥漿結合有如申請專利範圍第 2項所述之研磨料。 28·如申請專利範圍第丨5項所述之泥漿，其中該泥漿 的pH已用一種從無機酸類，有機酸類，酸化母體 (precursor)及其混合物構成之群组中選用的材料而被調

   第22頁 τ?^〇570 丄厶/V7案號90128040_，年月 曰_ί±±_ 六、申請專利範圍 整到約2到6之間。 29. 如申請專利範圍第28項所述之泥漿，其包含從化 學氧化劑，化學絡合劑，化學純化劑，及其混合劑構成之 群組中選用的材料，致使泥漿適於金屬或金屬/金屬中間 層結構的化學機械拋光。 3 0. 如申請專利範圍第2 8項所述之泥漿，其中業已添 加化學物，致使泥漿適於銅和銅/组/ 一氮化组中間層結構 的化學機械拋光。 31. 如申請專利範圍第2 8項所述之泥漿，其中業已添 加化學物，致使泥漿適於鋁和鋁/鈦/ 一氮化鈦中間層結構 的化學機械拋光。 32. 如申請專利範圍第28項所述之泥漿，其中業已添 加化學物，致使泥漿適於鎢和鎢/鈦/ 一氮化鈦中間層結構 的化學機械拋光。

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