TWI249180B - Gas discharge panel and manufacturing method therefor - Google Patents

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1249180 九、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域3 相關申請案之對照參考資料 本申請案是以2004年6月25曰申請之先前曰本專利申 5 請案第2004-187296為基礎，並主張優先權，該先前曰本申 請案之全部内容併入本案說明書中以供參考。 發明領域 本發明關於一種氣體放電面板，例如電漿顯示器 (PDP)。以及更特別地，本發明關於氣體放電面板的背面 10 基板。 相關技術之說明 最近已建立表面-放電型-PDP的製造方法，以及正進 行製造大螢幕PDP顯示裝置。然而，雖然已建立量產的方 15 法，仍需要降低成本的面板製造方法。 作為一降低加工成本的面板製造方法，已提出一種藉 由直接切割一玻璃基板，形成用於隔離氣體放電的肋部（間 壁）的方法（例如日本專利公開案第2000-348606號，以及 曰本專利公開案第2001-6537號）。在此方法中，省卻習知 20 步驟之低熔點玻璃的印刷步驟及烘烤步驟，以及不需要低 溶點玻璃的材料成本，所以可履行低成本的要求。然而， 在此方法中，傳統上在形成肋部前形成的位址電極，必須 在藉由直接切割玻璃基板形成肋部後形成。 【發明内容】 5 1249180 發明概要 在上述用於藉由直接切割一玻璃基板形成肋部之方法 的例子中，位址電極係形成在肋部之間的區域。然而，當 利用習知光顯影術及蝕刻步驟，在藉由直接切割該玻璃基 5板形成之肋部之間的區域形成電極時，總產率不佳。 產率不佳的理由為在基板上存在有肋部的凸起部分以 及肋部之間的凹下部分，其造成氣泡攫取於許多部件中， 或者當使用光顯影及蝕刻，以習知方法塗覆光阻劑時，光 阻劑在許多部件中被排斥。因此，造成切斷之缺陷機率增 1〇 高。 本發明之一目的為提供一種新穎技術以避免此一方法 的短處。 本發明的其他目的及優點將由下述說明澄清。 15 本發明之-方面為提供—種用於氣體放電面板之基板 的製造方法’該方法包含：在用於氣體放電面板之基板的 肋部形成區域，形成-自組裝單層；活化—部分之該自組 裝單層，以致於可黏附待作為電鑛催化劑的物f，藉由使 該待作為電娜化劑的物質黏附至該經活化部分，以形成 該電鍵催化劑；以及使用該電链催化劑，藉由無電電鑛法， 在該自組裝單層的部分的頂部形成—無電電鑛層。 本發明之另一方面為提供-種氣體放電面板，其包 含：-對面向彼此的基板’其中該對基板中之一者在面 向另一者之-側上具有肋部；—自組裝單層，其係形成在 具有該肋部之絲板的肋部形絲面上…部分之該自组 20 918〇 l〇 15 2〇 單層係經活化，以致於可黏附一待作為電鍍催化劑的物 、，藉由使該待作為電鍍催化劑的物質黏附至該經活化部 刀以形成該電鍍催化劑；以及一無電電鍍層，其係藉由 ^用該電鍍催化劑之無電電鍍法形成在該自組裝單層之該 P分的頂部；或者，提供一種氣體放電面板，其包含：一 對兩向彼此的基板，其中該對基板中之一者，在面向另一 者側上具有肋部；以及一自組裝單層，其具有聚矽氧 埝結構，一電鍍催化劑層，以及一無電電鍍層，該電鍍催 蜊層及無電電鍍層係依序形成於該肋部之間，該肋部係 仅在具有該肋部之該基板之該肋部形成表面上。 本發明之另一方面為一種氣體放電面板顯示裝置，其 I含〜對面向彼此的基板，其中該對基板中之一者，在面 者之側上具有肋部；以及一自組褒單層，其係形 戍在具有該肋部之該基板的肋部形成表面上，一部分之該 ^且裝單層係㈣化，以致於可祕—待料電鍍催化劑 、务負，藉由使该待作為電鍍催化劑的物質黏附至該經活 〜°卩分，以形成該電鍍催化劑；以及一無電電鍍層，其係 輳由使用該電鍍催化劑之無電電鍍法形成在該自組裝單層 ^邊部分的頂部；或者，提供一種氣體放電面板顯示裝置， "包含：一對面向彼此的基板，其中該對基板中之一者， ^向另-者之-側上具有肋部；以及具有聚♦氧燒結構 ^〜自組裝單層、一電鍍催化劑層，以及一無電電鍍層， 係依序形成於該肋部之間，該肋部係位在具有該肋部之該 基板之該肋部形成表面上。 7 1249180 精由此等方面，可提供-種新穎技術，其可用於氣體 放電面板之電極、氣體放電面板之基板、氣體放電面板， 及氣體放電面板顯示裝置。 在此等方面，較佳地，若可能的話，在形成該無電電 5鍍層後，使用該無電電鍍層作為一電極進行電解電鑛，以 供在該無電電鍍層上形成一電解電鑛層，或用於形成該自 組裝單層之化合物為有機石夕燒化合物，其可為分支的，且 具有可結合至該基板的表面的一基團，以及可被活化以致 於可黏附待作為電鍍催化劑的物質的一基團，或者，可結 10合至該基板之表面的該基團為一減，或可水解以形成經 基的基團，或可水解以形成録的基團為一齒素基團，或 可、…舌化以致成黏附待作為電鍍催化劑的物質的基團為苯 基及烧基中至少一者，或自組裝單層之該部分係經由光 罩，藉由UV射線照射而活化，以致於可黏附待作為電鍵 15催化劑的物質，或該電鍍催化劑為鈀催化劑，或該無電電 鍛層的厚度範圍A 〇·2至0 ，或該無電電鍵層及該電 解電鍍層的厚度總和範圍為2至4/zm，或肋部的高度範圍 為100至250，以及肋部之間的空隙範圍為至33〇 // m 〇 2〇 依此方式，本發明可提供一種新穎技術，其可應用於 使用於氣體放電面板的電極、氣體放電面板之基板、氣體 放電面板乂及氣體放電面板顯示裝置。亦可避免習知方 法的短處。 |：實施冷式】 12491s0 較佳實施例之詳細說明 現在將利用圖式及實施例描述本發明之具體例。此等 圖式、實施例及描述係用於證明本發明，且不構成本發明 之限制。毋用多言，其他具體例可包括於本發明的範圍内， 5只要此等具體例符合本發明的主要特徵。相同的元件符號 表示相同的組成元件。 第1圖為描述習知PDP之一例子的分解圖，以及第2 圖為其要截面圖。在第1圖及第2圖中，面板係由箭頭記 號的方向觀之。PDP 1具有一結構，其中前方基板2及背 1〇 部基板3面向彼此。在此實施例中，顯示電極4、介電層5 及用於保護電極的保護層6係依序地層合在前方基板2内 (位在面向背部基板3之一側），以及位址電極7及介電層 8係依序地層合在背部基板3内（面向前方基板2之一側）， 以及肋部9及螢光層10係形成在該背部基板上（介電層8 15及瑩光層10在第1圖中未說明。位址電極7係由虛線表 示）。在如第1圖所示之藉由在二顯示電極之間施予電壓， 造成維持放電的系統例子中，因為特性不會改變太多，所 以不需要設置介電層8。 在介電層5、肋部9及螢光層1〇所圍繞的放電空間η 20中，將例如氬氣或氙氣之放電氣體充電。藉由在二顯示電 極之間施予電壓以造成放電，其激化放電氣體，並利用UV 射線照明螢光層10中當氣體分子回到基態時產生的螢光物 質，使PDP 1顯示可見光。在PDP中，通常安裝有濾色器、 電磁波屏蔽片，以及抗反射膜。藉由在PDP内安裝一具有 9 Ϊ249180 電源及轉動器單元，可獲得氣體放電面板顯示裝置，例如 大型電視裝置（電漿TV)。 對PDP的基板而言，使用例如鈉鈣玻璃、高應變點玻 璃等。對位址電極而言，可使用任何金屬，只要該金屬具 5有導電性。一般而言，銅、銀或其類似物可用於作為主要 材料。對於介電層而言，使用低熔點的玻璃。肋部9係由 低熔點玻璃製成。在背部基板3内部，位址電極7、介電層 8、肋部9及螢光層1〇係例如依下述順序形成。首先，在 月部基板3上形成一均一金屬層，如第3圖中步驟S3i所 10 — 不。接者，如步驟S32所示，去除不必要的部分以及形成 具有特定圖案的位址電極7。接著，如步驟S33所示，形 成介電層8。接著，如步驟S34所示，形成低熔點玻璃的 均一層（經乾燥膜）。之後，如步驟S35所示，切割及烘烤 低溶點玻璃的經乾燥膜以形成肋部，以及如步驟S36所 15示，塗覆螢光材料。 然而，在藉由直接切割玻璃基板形成肋部之方法的例 子中，PDP之截面結構變成如第4圖所示。在第4圖中， 省卻介電層8。在此例子中’位址電極7、肋部9及螢光層 係例如依下述順序，形成在背部基板3内部。首先，藉 20由直接切割玻璃基板形成肋部，如第5圖中步驟S51所 示。接著，如步驟S52所示，在肋部之間的區域形成電極。 接著’如步驟S53所示，在電極上塗覆螢光物質。為了在 肋部之間的區域中形成電極，可應用藉由噴濺或類似技術 10 1249180 在整個表面形成金屬膜’藉由光顯影術形成電極的光阻圖 案，以及藉由蝕刻去除金屬膜的不需要部分的方法。 在此例子中的電極（位址電極），可藉由在形成肋部之 氣體放電面板的基板之肋部形成表面上（其對應上述實施 5 例中的背部基板3)，形成自組裝單層（在下文中稱為 SAM ·自組装早層（SELF-ASSEMBLED)，或自組裝膜 (SELF-ASSEMBLED MEMBRANE)而容易地製造，活化 一部分SAM，以致於可黏附待作為電鍍催化劑的物質，接 著藉由使待作為電鍍催化劑的物質黏附此經活化的部分， 10 形成電鍵催化劑，以及藉由使用此電鍍催化劑之無電電鍍 方法，在SAM部分的頂部，形成一無電電鍵層。形成在無 電電鍍層上的電解電鍍層可用於作為位址電極。部分無電 電鍍層及/或電解電鍍層亦可使用於作為位址電極以外的 配線層。 15 第6圖及第7A至7 D圖顯示此狀態。首先，根據步 驟S61，如第7 A圖所示，SAM 71係均一地形成在具有肋 部的基板上。接著，根據步驟S62,部分的SAM係經活化， 以致於可黏附待作為電鍍催化劑的物質，以及獲得經活化 的區域72,如第7 B圖所示。經活化之區域72具有與電極 20圖案相配的圖案。接著，根據步驟S63，使待作為電鍍催 化劑的物質黏附至經活化的區域72，以形成一電鍍催化劑 層73，如第7 C圖所示，以及根據步驟S64，無電電鍍層 74係形成在上述“部分的Sam”的頂部上（換言之，在電 鍍催化劑層73的頂部），如第7 D圖所示。SAM 71、經活 11 1249180 化之區域72、電鍍催化劑層73及無電電鍍層74皆為相當 薄的層，但為了較容易瞭解起見，在第7A至7D圖中， 係以厚層顯示。於形成無電電鍍層之後，使用此無電電鍍 層作為電極，可進行電解電鍍，以形成無電電鍍層上的電 5解電鍍層。在此方式中，可獲得所欲的電極圖案。若僅有 無電電鍍層，電極圖案的厚度通常約0.2-〇.3/zm即足夠。 且，若在無電電鍍層上形成電解電鍍層，厚度範圍可為孓4 // m 〇 本發明可應用於在氣體放電面板的基板上形成電極的 · 10例子中，其中該基板上形成有肋部，所以本發明特別有用 於例如在藉由直接加工基板形成肋部的基板上，形成電極 的例子，雖然其亦可應用於使用低熔點玻璃，於形成肋部 後形成電極的例子中。藉由形成一 SAM及活化一部分其表 面，可容易地形成待作為後來形成之電極圖案的基底的圖 15案’其有助於簡化製造步驟，以及改良產品的產率。 一般而言，SAM意指具有規則性之相當薄的膜，例如 單分子膜，其係使用例如單晶之表面的規則原子排列作為 · 模，自發性地形成在金屬或無機表面上，但在本發明中的 SAM係以較上述為廣的概念為基礎，其中若藉由使基板與 20物質接觸，可使物質黏附至該基板的表面，一電鍍催化劑 _ 可黏附至該物質之表面的一特定部分，其中該表面之部分 ‘ 係經活化，以及待作為電鍍催化劑之物質係製造以供在該 經活化的表面上作用，以及一無電電鍍層可使用該電鍍催 化劑，藉由無電電鍍法形成，其可視為形成3八撾。 12 !24918〇 物質對基板的附著可於例如利用適當溶劑清潔基板 後’藉由FT-IR(傅立葉轉換紅外光譜）或類似技術來確緣， 但實際上並不需要確認，且無電電鍍層是否已經形成即已 足供檢驗。若對基板的附著強度為一決定性的因素，則玎 5進行無電電鍍層的剝離試驗。 在形成電鍍催化劑層、無電電鍍層、電解電鍍層等後， 依一般觀念，SAM可能不再存在，例如在SAM經化學或 物理變性，變成石夕或碳雜質的情況。因此，一般觀念;本 身不具有任何SAM之根據本發明的用於氣體放電面板的 1〇電極、基板’氣體放電面板，以及氣體放電面板顯示裝置， 亦應視為涵括在本發明的範圍内。舉例而言 本發明之具有聚亀結構的SAM時，對於分析 只有聚石夕氧燒結構的雜質的例子，也可視為涵括於本發明 之“具有聚石夕氧院結構之SAM，，的範圍内。根據本發明之 15氣體放電面板的“具有聚石夕氧烧結構之自組裝單層，，，亦 應該依上述觀念解釋，其中該氣體放電面板包含—對面向 彼此的基板，該對基板中之—者在面向另-者之—側上具 有肋部，以及該自組裝單層具有一聚石夕氧烧結構，電鍵催 化劑層及無電電鑛層係依序形成在該具有肋部之基板之肋 2〇 部形成表面上的肋部之間。 根據本&月之活化意指使電鑛催化劑能夠僅附著至 SAM表面之—特定部分，其為待作為電鑛催化劑之物質在 該絲上作用的結果。物質是否已變成電鑛催化劑，可容 易地猎由實際進行無電電錢來確認。 13 1249180 對於根據本發明之活化而言，可使用任何可支持本發 明之目的的方法。舉例而言，若羥基係藉由水解產生，利 用在空氣中與水或濕氣、酸、鹼或其類似物接觸，並以例 如uv射線之活性能量射線照射的組合，則藉由使用光罩， 5限制肊射區域僅限在基板的一部分，使羥基僅可在SAM之 表面的一特定部分上產生。於此加工步驟後，引入與羥基 反應以形成一電鍍催化劑的物質，將使電鍍催化劑僅能附 著在SAM之表面的該特定部分。 對於可形成根據本發明之SAM的化合物而言，只要能 1〇支持本發明，任何化合物皆可使用，但較佳為具有可結合 至一基板之表面的基團，以及具有可經活化以致於可附著 待作為電鍍催化劑的物質之基團的化合物。此類化合物的 例子為有機錢化合物。—有機魏化合物可為分支的 或非分支的。對有機石夕燒化合物的石夕而言，在一分子内可 15 包括二或多個石夕原子。 20

可結合至一基板之表面的基團意指當待形成SAM ^ 化合物結合至待形成SAM之基板的表面時，用於形成鍵 的基團。此類基團之―例子為减，或者是藉由水解產」 祕。若可鍵結至基板之表面的基團為織本身，則化, 物係藉由贿基結合至該基板的表面，以及若可鍵結^ 板之表面的基團為藉由水解可產生祕的基團，則化合与 係藉由選擇-條件下而結合至該基板的表面，在該條件 下’ s化合物與基板之表面接觸時發生水解。可結合至』 板之表面且可藉由水解產生經基的此類基團的—例子為_ 14 1249180 素基團，更特別的疋氯或溴。較佳地，_素基團係與有機 矽烷化合物的矽原子鍵結，因為容易發生水解，以及SAM 可容易地經由聚矽氧烷結構而形成。只要經活化區域的形 成未受到干擾’可藉由照射UV射線或其類似方法促進與 5 基板之表面的結合。 可被/舌化以致能供待作為電錢催化劑的物質黏附的基 團’較佳地至少為本基及燒基中之一者。特佳地，該苯基 或烷基係與有機矽烷化合物之矽原子鍵結。可考量到，藉 由例如UV射線激發，使苯基或烷基水解，以形成一羥基， 10該羥基的負極性使待作為電鍍催化劑的物質得以附著至該 基團。在此例子中，即使在可結合至基板之表面的基團藉 由水解產生經基的狀況下，苯基及烧基也不會造成水解， 以及僅有當經由光罩亦使用uv射線時，羥基方在SAM之 表面的-特定部分中產生。因此，待作為電錢催化劑的物 15 質可黏附至此特定部分。 現在將參考第7A-7D圖及第8A-8D圖說明根 據本發明之SAM的形成以及電解電鍍層的形成。第8入圖 為說明當使用笨基三氣石夕燒（CASiClO在基板上形成 SAM時之影像的圖。苯基三氣魏的氣係與大氣中的水氣 20作用並產生歸，以及此絲結合至基板。假設此經基進 -步縮合形成料氧缝結，形成包含經由氧相互鍵結之 石夕原子的平面結構，苯基係於該平面結構上升起。如第7 A圖所不，SAM 71係同時形成在肋部9上及肋部乃之間。 15 1249180 在此狀態下，一部分的SAM係經活化，以致於可黏附 待作為電鍍催化劑的物質。舉例而言，如第8 B圖所示， UV射線係經由光罩81，選擇性地照射於肋部75之間（在 第8 B圖中以箭號表示）。如果在此時大氣中的濕度可以適 5 當地維持，則可在UV射線照射的區域中去除苯基並產生 經基，如第8 C圖所示，以及可獲得如第7 B圖所示之經 活化的區域72。 接著例如將氣化纪溶液引至此SAM上。藉由此處理， 電鍍催化劑（在此例子中為鈀催化劑）結合在SAM上，以 10及可獲得如第7 C圖所示之電鍍催化劑層73。此電鍍催化 劑的化學形式並不清楚，但在此特定具體例中，評估鈀係 結合至SAM之經基的負極性部分上。雖然第8 D圖顯示以

Per吸引及結合的狀態，實際上是否為Pd+或帶正電荷的柯 金屬並不清楚。 15 20

要疋在本發明之主要特徵的範圍内，任何氣化-液以外的化合物皆可使用。例子為銀、金及翻等的化合 鈀銀、金、始或其類似物之帶正電荷的顆粒可用於^ 待作為電鍍催化劑的物質，、銀、金、鉑及其類似4 顆粒可分散於溶劑中並引至SAM上。接著，於_ 入一無電電錢溶液。作為無電電錢溶液，可使用任何( 的溶液。例子絲、銅及鎳溶液。較佳為C。的溶液。藉 可形成無電電錢層74,如第7D圖所示。之後，藉由曰 方法進行f解電渡，電解電料可形絲無電電錢紗 16 1249180 上述為最初未活化之一部分SAM經活化，以致於可黏 附待作為電鍍催化劑的物質的例子，然而，本發明之範圍 不限於此。當最初均一均活化的一部分SAM (亦即不欲形 成電鍍催化劑的部分），藉由UV射線或類似技術去活化 5 時，結果可將此SAM視為具有經活化部分的。因此，此一 方法亦落在本發明的範圍内。 本發明可降低成本及改良產率，因為即使在肋部之間的空 隙為深且窄時’本發明亦容許容易地形成電極。因此當高 肋部之間的空隙窄時，例如用於pDp之基板的例子，本發 10明特別有效用。更特別地，當肋部的高度範圍為1〇〇至250 ’以及肋部之間的空隙範圍為5〇至33〇//ιη時，本發 明疋有利的。肋部的寬度實際上並非一決定性因素。關於 #部形式的例子’所列舉者為習知形式，例如條紋以及具 有考折（曲折）之條紋。在第2圖中，肋部的高度以Η表 15不’以及在肋部之間的空隙以W纟示。依上述内容可形成 電極以及用於氣體放電面板的基板。若使用此用於氣體放 —板的基板§製造例如PDPs之氣體放電面板，或當製 ^例如平面顯不電視骏置之氣體放電面板顯示裝置時，藉 匕基板與具有所需之結構的相反基板組合，可降低製 20 &成本及改良產率。再者，因為製造步驟簡化以及變得容 易可預期根據此等方法之用於氣體放電面板的基板、氣 體放電面；jg，# 及乳體放電面板顯示裝置上的品質改良。 〔實施例] 現在將詳細說明本發明之實施例。 17 1249180 實施例1 將具有所欲圖案之抗砂磨光阻層（由Nippon Synthetic Chemical Industry製造之乾膜光阻）層合至用於pdp之玻 璃基板（例如鈉妈玻璃、高應變點玻璃或其類似物）的表 5 面上，並進行圖案化。 將用於玻璃切割之研磨顆粒（Fuji Seisakusho製造： WA#600-#1200,材料：氧化鋁）噴打在基板上以切割玻璃。 接者撕除光阻層及製造形成有肋部的玻璃基板。 在此玻璃基皮上形成可經活化以致於可黏附待作為電 10 鍍催化劑的物質的SAM。可形成SAM之材料的例子為苯 基三氣矽烷（在下文中稱為PTCS)。 對於形成PTCS膜（SAM )的方法，可使用例如下述 的加工方法。首先，利用純水（> 17.6 MQ · Cm)，藉由超 音波清洗來清洗基板，浸泡在HC1: CH3OH = 1:1 (體積比） 15的溶液中3()分鐘，以及接著再次利用純水清洗。於浸泡在 濃硫酸中30分鐘後，將基板浸泡在沸騰的純水中5分鐘。 接著利用丙酮清洗基板。接著在氮氣環境下，將基板浸泡 在含有1體積％之PTCS(由Aldrich製造）之無水甲苯（99.8 %，由Aldrich製造）溶液中5分鐘。接著將基板在12〇〇c 20下乾燥5分鐘，以促進殘留溶劑的蒸發及SAM的化學吸附 作用。藉此可在玻璃基板的表面上形成pTCS膜。 關於此PTCS膜，經由具有開孔的光罩，使UV射線 照射在待形成電極導線的區域上，以致於形成在基板上之 PTCS膜（SAM)之分子中的苯基可與大氣中的水分子化學 18 1249180 反應，轉變成矽烷醇基。在表面上的矽烷醇基為親水性， 以及當基板浸泡在水溶液中時，H+離子與-〇H基分離以形 成-0- ’以及PTCS膜中被UV射線照射的部分，變成帶負 電。 5 若將具有帶負電圖案的基板浸泡在例如氣化把溶液 中，氣化鈀溶解於水中，以及水溶液中的Pd2+離子藉由庫 侖力吸附在帶負電的圖案上，以形成對應電極導線之鈀催 化劑的圖案。對於氯化鈀的水溶液而言，例如使用氯化鈀 溶液0.25-0.4克：氫氣酸1毫升：水1升，以及在浸泡15-6〇 10 秒後形成鈀催化劑圖案。 若將形成有把催化劑圖案的基板浸泡在無電電鍍溶液 中，則金屬沈積加速，且在鈀催化劑圖案上形成金屬膜。 舉例而言，藉由使用Conbus- P(由World Metal LLC製造， 以1 : 1 (體積比）的比例與Conbus-P-M及Conbus-P-K混 15 合)作為無電電鍍溶液，將Co電鍍在鈀催化劑圖案上。 若有需要，藉由使用Co的導電性圖案之電解電鍍，可 形成多層銅。 實施例2 在實施例1中，具有苯基的有機矽烷化合物（例子：PTCS) 20 係用於作為形成SAM的化合物，但SAM亦可利用不具有苯基之 十八烷基三氣矽烷（在下文中稱為OTC)來形成。在此例子中， OTS之SAM可藉由將已進行例如清洗之預處理的玻璃基板，浸 泡在含有1體積％OTS之甲苯溶液中5分鐘來形成。藉由經由具 有根據所欲圖案之開孔的光罩，將uv射線照射在SAM上，藉由 19 1249180 UV射線形成矽烷醇基的圖案。甲基保留在未經照射的區域。接 著基板可利用與實施例1相同的方式進行處理。 L圖式簡單說明3 第1圖為描述習知PDP之一例子的概要分解圖； 5 第2圖為描述習知PDP之一例子的概要截面圖； 第3圖為描述在一背面基板上形成位址電極、介電 層、肋部及螢光層的順序之流程圖； 第4圖為描述利用藉由直接切割一玻璃基板以形成肋 部的方法所形成的PDP的截面結構之概要圖； 10 第5圖為描述在一背面基板上形成位址電極、肋部及 螢光層的順序之流程圖； 第6圖為描述在一背面基板上形成SAM、電鍍催化劑 層及無電電鍍層之順序的流程圖； 第7 A圖為描述一基板部分的概要截面圖，其中SAM 15 係均一地形成在具有肋部的基板上； 第7 B圖為描述一基板部分的概要截面圖，其中經活 化區域係形成在具有肋部的基板上； 第7 C圖為描述一基板部分的概要截面圖，其中一電 鍍催化劑層係形成在具有肋部的基板上； 20 第7 D圖為描述一基板部分的概要截面圖，其中一無 電電鍍層係形成在具有肋部的基板上； 第8 A圖為描述一影像的圖，其中SAM係形成在使用 苯基三氣矽烷的基板上； 20 1249180 第8 B圖為描述經由光罩利用UV射線照射之影像的 圖， 第8 C圖為描述一影像的圖，其中羥基係在經UV射 線照射之區域中產生，因此形成一經活化區域；以及 5 第8 D圖為描述一狀態之影像的圖，其中Pd+被吸引並 結合至經UV射線照射之區域中產生的羥基。

21 1249180 【主要元件符號說明】 1 PDP 81光罩 2 前方基板 S31基板上金屬層之形成 3 背部基板 S32位址電極之形成 4 顯示電極 S33介電層之形成 5 介電層 S34低熔點玻璃層（經乾燥 6 保護層 膜）之形成 7 位址電極 S35肋部之形成 8 介電層 S36螢光層之形成 9 肋部 S51肋部之形成 10 螢光層 S52位址電極之形成 11 放電空間 S53螢光層之形成 71 SAM S61 SAM之形成 72 經活化的區域 S62 —部分SAM之活化 73 電鍍催化劑層 S63電鍍催化劑層之形成 74 無電電鍍層 S64無電電鍍層之形成 75 肋部

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Claims (1)

1249180 十、申請專利範圍： 種用於氣體放電面板之基板的製造方法，該方法勺 含： 已 在用於氣體放電面板之基板的肋部形成區域，妒 成一自組裝單層； 活化-部分之該自組裝單層，以致於可黏附待作 為電錢催化劑的物質， 糟由使該待作為電鍍催化劑的物質黏附至該經活 化部分，以形成該電鍍催化劑；以及 參 口口使用該電鑛催化劑，藉由無電電鍍法，在該自組 裝單層的^分的頂部形成_無電電鑛層。 2.如：請專利範圍第】項之用於氣體放電面板之基板的 裝把方法進—步包含於形成該無電電鑛層後，使用 該無電電鑛層作為電極進行電解電鑛，以在該無電電 鍍層上形成—電解電鍍層。 I如^月專利乾圍第1項之用於氣體放電面板之基板的 · 象^其中用於形成該自組裝單層之化合物為有 機夕主化。物，其可為分支的，且具有可結合至該基 板也#基團，以及可被活化以致於可黏附該待 ‘ 作為電鍍催化_物質的-基團。 4•如2專利乾固第3項之用於氣體放電面板之基板的 製=法，其中該可結合至該基板的表面的基團為一 難基，或可水解以形基的基團。 23 1249180 5. 如申請專利範圍第4項之用於氣體放電面板之基板的 製造方法，其中該可水解以形成羥基的基團為一鹵素 基團。 6. 如申請專利範圍第3項之用於氣體放電面板之基板的 5 製造方法，其中該可經活化以致能黏附該待作為電鍍 催化劑的物質的基團為苯基及烷基中至少一者。 7. 如申請專利範圍第1項之用於氣體放電面板之基板的 製造方法，其中該自組裝單層之該部分係經由光罩， 藉由UV射線照射而活化，以致於可黏附該待作為電 10 鑛催化劑的物質。 8. 如申請專利範圍第1項之用於氣體放電面板之基板的 製造方法，其中該電鍍催化劑為鈀催化劑。 9. 如申請專利範圍第1項之用於氣體放電面板之基板的 製造方法，其中該無電電鍍層的厚度範圍為0.2至0.3 15 jum 〇 10. 如申請專利範圍第2項之用於氣體放電面板之基板的 製造方法，其中該無電電鍍層及該電解電鍍層的厚度 總和範圍為2至4//m。 11. 如申請專利範圍第1項之用於氣體放電面板之基板的 20 製造方法，其中該肋部的高度範圍為100至250//m， 以及該肋部之間的空隙範圍為50至330//m。 12. 一種氣體放電面板，其包含： 一對面向彼此的基板，其中該對基板中之一者， 在面向另一者之一側上具有肋部； 24 1249180 一自組裝單層，其係形成在具有該肋部之該基板 的肋部形成表面上，一部分之該自組裝單層係經活 化，以致於可黏附一待作為電鍵催化劑的物質，藉由 使該待作為電鍍催化劑的物質黏附至該經活化部 5 分，以形成該電鍍催化劑；以及 一無電電鍍層，其係藉由使用該電鍍催化劑之無 電電鍍法形成在該自組裝單層之該部分的頂部。 13. 如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中電解 電鍍係在形成該無電電鍍層後，使用該無電電鍍層作 10 為電極進行電解電鍍，以致於在該無電電鍍層上形成 一電解電鍍層。 14. 如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中用於 形成該自組裝單層之化合物為有機矽烷化合物，其可 為分支的，且具有可結合至該基板的表面的一基團， 15 以及可被活化以致於可黏附該待作為電鍍催化劑的 物質的一基團。 15. 如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中該可 結合至該基板的表面的基團為一羥基，或可水解以形 成經基的基團。 20 16.如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中該可 水解以形成羥基的基團為一鹵素基團。 17.如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中該可 經活化以致能黏附該待作為電鍍催化劑的物質的基 團為苯基及烧基中至少一者。 25 1249180 18.如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中該自 組裝單層之該部分係經由光罩，藉由UV射線照射而 活化，以致於可黏附該待作為電鍍催化劑的物質。 19·如申請專利範圍第12項之氡體放電面板，其中該電 5 鍍催化劑為鈀催化劑。 20. 一種氣體放電面板，其包含： -對面向彼此的基板，其中該對基板中之一者， 在面向另一者之一側上具有肋部；以及 面上 具有聚石夕氧烧結構之-自組農單層、_電錢催化 劑層’以及-無電電鍍層係依序職於該肋部之門 該肋部餘在具有制敎魏板之_部形絲’ A如巾請專利範圍第2G項之氣體放電面板，其中 層中進一步包含一電解電鍍層。 Λ 15泣如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，見中〜 電電鍍層的厚度範圍為0.2至〇.3"m。、〜，、 狂如申請專利範圍第2〇項之氣體放電面板，其中 電電錄層的厚絲圍為G.2至G.3"m。 从如申請專利範圍第13項之氣體放電面板，其中μ 電電錢層及該電解電鍍層的厚度齡範圍為2至4 β m 〇 25.如申請專利範圍第21項之氣體放電面板，其中該無 電電錄層及該電解電鍍層的厚度總和朗為2至4 // m 〇 26 1249180 26. 如申請專利範圍第12項之氣體放電面板，其中該肋 部的高度範圍為100至250//m，以及該肋部之間的 空隙範圍為50至330 // m。 27. 如申請專利範圍第20項之氣體放電面板，其中該肋 5 部的高度範圍為100至250//m，以及該肋部之間的 空隙範圍為50至330//m。

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