CN1713326A - 气体放电板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于可用于气体放电板的电极、用于气体放电板的衬底、气体放电板和气体放电板显示设备的新技术。在用于气体放电板的衬底的肋条形成表面上形成自组装单分子层，活化自组装单分子层的一部分，使得将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上，使所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分上，以形成所述镀覆催化剂，并且通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层来形成地址电极。

Description

气体放电板及其制造方法
技术领域
本发明涉及诸如等离子体显示器(PDP)之类的气体放电板。更具体地，本发明涉及气体放电板的后衬底。
背景技术
近年来，用于表面放电型PDP的制造工艺已经被建立，并且大屏幕的PDP显示设备正在被生产。然而，虽然已经建立了大规模生产的工艺，但是仍然需要降低面板的制造成本。
其中通过直接切割玻璃衬底来形成间隔气体放电的肋条(间隔物)的方法，被提出作为具有降低的工艺成本的板制造方法(例如，日本专利申请公开No.2000-348606和日本专利申请公开No.2001-6537)。
在此方法中，去掉了传统步骤中的低熔点玻璃的印刷步骤和烘焙步骤，并且使得低熔点玻璃的材料成本成为不必要的，因而实现了低成本。然而，在此方法中，通常在形成肋条之前形成的地址电极，必须在通过直接切割玻璃衬底形成肋条之后形成。
发明内容
在通过直接切割玻璃衬底来形成肋条的上述方法的情形中，地址电极被形成在肋条之间的区域中。然而，当使用传统的光刻和刻蚀步骤以在通过直接切割玻璃衬底所形成的肋条之间的区域中形成电极时，总的产率很低。
低产率的原因是在衬底上存在肋条的凸起部分和肋条之间的凹入部分，当在利用光刻和刻蚀的传统方法中涂覆抗蚀剂时，这导致许多产生气泡或者抗蚀剂粘不上的部分。因此，将导致分断的缺陷几率变得很高。
本发明的一个目的是提供一种新技术，以避免这样的方法的缺点。通过下面的描述，本发明的其他目的和优点将会清楚。
本发明的一个方面提供一种用于气体放电板的衬底的制造方法，包括：在用于气体放电板的衬底的肋条形成表面上形成自组装单分子层；活化所述自组装单分子层的一部分，使得将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上；通过使所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分上，形成所述镀覆催化剂；以及通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层。
本发明的另一个方面提供一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板，其中所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条，在具有所述肋条的所述衬底的肋条形成表面上形成自组装单分子层，所述自组装单分子层的一部分被活化，以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上，所述镀层催化剂通过使得所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分来形成，并且通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层；或者提供一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板，其中所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条，且具有聚硅氧烷结构的自组装单分子层、镀覆催化剂层和无电镀层以此次序设置在所述肋条之间、具有所述肋条的所述衬底的所述肋条形成表面上。
本发明的另一个方面是一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板显示设备，其中所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条，在具有所述肋条的所述衬底的肋条形成表面上形成自组装单分子层，所述自组装单分子层的一部分被活化，以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上，所述镀层催化剂通过使得所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分来形成，并且通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层；或者提供一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板显示设备，其中所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条，且具有聚硅氧烷结构的自组装单分子层、镀覆催化剂层和无电镀层以此次序设置在所述肋条之间、具有所述肋条的所述衬底的所述肋条形成表面上。
通过本发明的这些方面，可以为用于气体放电板的电极、用于气体放电板的衬底、气体放电板和气体放电板显示设备提供一种新技术。
在这些方面中，如果可以的话，优选的是，在形成所述无电镀层之后利用所述无电镀层作为电极进行电解镀，以在所述无电镀层上形成电解镀层；或者用于形成所述自组装单分子层的化合物是有机硅烷化合物，所述有机硅烷化合物可以是枝化的，并且具有可以键合到所述衬底的所述表面上的基团以及可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团；或者所述可以键合到所述衬底的所述表面上的基团是羟基或者可以被水解以形成羟基的基团；或者所述可以被水解以形成羟基的基团是卤素基团；或者所述可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团是苯基和烃基中的至少一种；或者所述自组装单分子层的所述部分通过利用UV射线穿过光掩模的照射被活化，以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上；或者所述镀覆催化剂是钯催化剂；或者所述无电镀层的厚度在0.2微米到0.3微米的范围内；或者所述无电镀层和电解镀层的总厚度在2微米到4微米的范围内；或者所述肋条的高度在100微米到250微米的范围内，并且所述肋条之间的间距在50微米到约330微米的范围内。
这样，本发明可以为可用于气体放电板的电极、用于气体放电板的衬底、气体放电板和气体放电板显示设备提供一种新技术。传统方法的缺点也可以被避免。
附图说明
图1是描绘传统PDP的示例的分解示意图；
图2是描绘传统PDP的示例的横截面示意图；
图3是描述在后衬底上形成地址电极、电介质层、肋条和荧光层的次序的流程图；
图4是描绘通过由直接切割玻璃衬底形成肋条的方法所得的PDP的横截面结构的示意图；
图5是描绘在后衬底上形成地址电极、肋条和荧光层的次序的流程图；
图6是描绘在后衬底上形成SAM、镀覆催化剂层和无电镀层的次序的流程图；
图7A是描绘其中SAM被均一地形成在具有肋条的衬底上的衬底部分的横截面示意图；
图7B是描绘其中活性区被形成在具有肋条的衬底上的衬底部分的横截面示意图；
图7C是描绘其中镀覆催化剂层被形成在具有肋条的衬底上的衬底部分的横截面示意图；
图7D是描绘其中无电镀层被形成在具有肋条的衬底上的衬底部分的横截面示意图；
图8A是描绘其中利用苯基三氯硅烷将SAM形成在衬底上的图像的视图；
图8B是描述利用UV线通过光掩模进行照射的图像的视图；
图8C是描绘其中在UV线照射区生成羟基，由此形成活性区的图像的视图；和
图8D是描绘其中Pd+被吸引并且连接到在UV线照射区中生成的羟基上的状态的图像的视图。
具体实施方式
现在将利用附图和示例描述本发明的实施例。这些附图、示例和描述是为了说明本发明，并不是限制本发明的范围。无需多言，其他实施例可以被包括在本发明的范围中，只要它们符合本发明的必要特征。在附图中相同的标号指示相同的组成元件。
图1是描绘传统PDP的示例的分解图，而图2是其横截面图。在图1和图2中，从箭头方向来观察板。PDP 1具有其中前衬底2和后衬底3彼此面对的结构。在此示例中，显示电极4、电介质层5和用于保护电极的保护层6被依次层叠在前衬底2内(面对后衬底3的侧面)，而地址电极7和电介质层8被依次层叠在后衬底内(面对前衬底2的侧面)，并且肋条9和荧光层10被形成于其上。(在图1中没有示出电介质层8和荧光层10。地址电极7由虚线表示。)对于通过在图1所示的两个显示电极之间施加电压来导致用于显现的维持放电的系统，不需要布置电介质层8，因为特性不会发生大的变化。
在由电介质层5、肋条9和荧光层10所包围的放电空间11中，诸如氖气或者氙气之类的用于放电的气体被充电。通过在两个显示电极之间施加电压以导致放电(激发用于放电的气体)，并且通过利用在气体分子返回到基态时产生的UV线照射荧光层10的荧光物质，PDP 1显示可见光。在该PDP中常常安装颜色过滤器、电磁波屏蔽片和防反射膜。通过在PDP中安装旋转器单元和电源的接口，可以获得诸如大型电视设备(等离子电视)之类的气体放电板显示设备。
钠钙玻璃(soda-lime glass)、高应变玻璃等被用于PDP的衬底。对于地址电极，可以使用任何金属，如果其具有导电性的话。通常，铜、银等被用作主材料。低熔点玻璃被用作电介质层。肋条9由低熔点玻璃制成。
在后衬底3的内部，例如以下面的次序形成地址电极7、电介质层8、肋条9和荧光层10。首先，如图3中的步骤S31，在后衬底3上形成均一的金属层。然后如步骤S32所示，去除不必要的部分，并且形成具有特定图案的地址电极7。然后如步骤S33所示，形成电介质层8。然后如步骤S34所示，形成均一的低熔点玻璃层(干燥膜)。此后，如步骤S35所示，低熔点玻璃的干燥膜被切割并烘焙以形成肋条，并且如步骤S36所示，涂覆荧光材料。
然而，对于通过直接切割玻璃衬底形成肋条的方法，PDP的横截面结构变成如图4所示。在图4中，电介质层8被省略了。在此情况下，地址电极7、肋条9和荧光层10例如以如下次序被形成在后衬底3的内部。首先，如图5中的步骤S51所示，通过直接切割玻璃衬底形成肋条。然后如步骤S52所示，在肋条之间的区域中形成电极。然后如步骤S53所示，在其上涂覆荧光物质。为了在肋条之间的区域中形成电极，可以使用这样的方法，其中通过溅射等在整个表面上形成金属膜、通过光刻形成用于电极的抗蚀剂图案并且通过刻蚀去除金属膜的多余部分。
通过如下步骤：在用于气体放电板的衬底(对应于上面示例的后衬底3)的肋条形成表面上形成自组装单分子层(此后称为SAM：SELF-ASSEMBLED MONOLAYER(自组装单分子层)或SELF-ASSEMBLEDMEMBER(自组装膜))，其中肋条被形成在上所述肋条形成表面上；活化此SAM的一部分以使将作为镀覆催化剂的物质可以粘附到此活化部分上；然后通过使得将成为镀覆催化剂的物质粘附到该活化部分来形成镀覆催化剂；以及由利用此镀覆催化剂的无电镀方法在SAM的所述一部分的顶面上形成无电镀层，由此可以容易地制造这种情况下的电极(地址电极)。形成在无电镀层上的电解镀层可以用作地址电极。电解镀层和/或无电镀层的一部分也可以被用作导线层而不是地址电极。
图6和图7A-7D示出了此状态。首先，根据步骤S61，如图7A所示在具有肋条的衬底上均一地形成SAM 71。然后根据步骤S62，此SAM的一部分被活化以使将作为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上，并且可以得到活化区域72，如图7B所示。活化区域72具有与电极图案相匹配的图案。然后根据步骤S63，使得将作为镀覆催化剂的物质粘附到活化区域72，以形成镀覆催化剂层73，如图7C所示，并且根据步骤S64，在上述的“SAM的一部分”的顶面上(就是说，在镀覆催化剂层73的顶面上)形成无电镀层74，如图7D所示。SAM 71、活化区域72、镀覆催化剂层73和无电镀层74都是极薄的层，但是为了更容易理解，在图7A-7D中被示为厚的层。在形成无电镀层之后，可以利用此无电镀层作为电极进行电解电镀，以在无电镀层上形成电解镀层。这样，可以获得期望的电极图案。如果仅有无电镀层，则对于电极图案的厚度，约0.2-0.3μm常常是足够的。如果在其上形成电解镀层，则厚度可以在2-4μm的范围内。
本发明可以应用于将电极形成在具有形成在其上的肋条的用于气体放电板的衬底上的情形中，因此本发明对于这样的情形是特别有用的，即将电极形成在其中通过直接处理衬底而形成肋条的衬底上的情形，同时其还可以例如应用于在利用低熔点玻璃形成肋条之后形成电极的情形。通过形成SAM并活化其表面的一部分，可以容易地形成将作为稍后形成的电极图案的基础的图案，这有利于简化制造步骤并且提高产品的产量。
通常，SAM是指诸如单分子膜之类的具有规则性的极薄的膜，其利用例如单晶表面的规则的原子排列作为模子自发地形成在金属或者无机表面上，然而本发明中的SAM是基于较此更宽泛的概念，其中，如果物质可以通过使衬底接触该物质而被粘附到衬底的表面上，当该表面的一部分被括化并且使将作为镀覆催化剂的物质作用于该活化表面时，镀覆催化剂可以粘附到物质表面的所述特定的一部分上，并且通过利用镀覆催化剂的无电镀可以形成无电镀层，则认为形成了SAM。
在例如曲合适的溶剂清洁衬底之后可以通过FT-IR(傅立叶变换红外光谱)等技术确认物质到衬底上的结合，然而确认不一定是必要的，而检查无电镀层是否已经形成了就足够了。如果到衬底的结合强度是关键性的问题，则可以进行无电镀层的剥离测试。
在形成镀覆催化剂层、无电镀层、电解镀层等之后，可能不再存在通常意义上的SAM，这是可以的，例如在SAM发生化学或者物理变性，变成例如硅或者碳残余。因此，其中根据本发明的电极、用于气体放电板的衬底、气体放电板和气体放电板显示设备它们本身不再具有普通意义上的SAM的情形，也应该被认为是在本发明的范围之中。例如，当讨论根据本发明的具有聚硅氧烷结构的SAM时，其中仅有聚硅氧烷结构的残余作为分析结果被识别出的情形，也被认为处在本发明的“具有聚硅氧烷结构的SAM”的范围中。根据本发明的气体放电板的“具有聚硅氧烷结构的自组装单分子层”也应该按上面的观点解释，其中所述根据本发明的气体放电板包含一对彼此面对的衬底，所述一对衬底的其中之一具有位于面对另一个衬底的侧面上的肋条，并且具有聚硅氧烷结构的自组装单分子层、镀覆催化剂层和无电镀层按此次序被形成在肋条之间、具有肋条的衬底的肋条形成表面上。
根据本发明的活化是指由于使将作为镀覆催化剂的物质作用于表面，使得镀覆催化剂可以仅仅结合到SAM表面的特定部分上。通过实际进行无电镀，可以容易地确认该物质是否成为了镀覆催化剂。
对于根据本发明的活化，可以使用任何方法，如果其支持本发明的目的的话。例如，如果由利用与水或者空气中的水分、酸、碱等的接触与诸如UV射线的活化能量射线的照射的结合的水解，来生成羟基，则通过使用掩模将照射区域限制到衬底的一部分，可以使羟基仅仅生成在SAM表面的特定部分上。在此处理之后引入可与羟基反应以形成镀覆催化剂的物质，这可以使得镀覆催化剂仅仅粘附到SAM表面的此特定部分上。
对于可以形成根据本发明的SAM的化合物，可以使用任何化合物，只要其支持本发明的目的，但是，优选这样的化合物，即该化合物具有可以键合到衬底表面的基团以及可以被活化使得将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上的基团。这样的化合物的示例是有机硅烷化合物。有机硅烷化合物可以是枝化的或者不枝化的。对于有机硅烷化合物中的硅，在一个分子中可以包括两个或者更多个的硅原子。
可以键合到衬底表面上的基团是指用于形成当形成SAM的化合物在键合到衬底的表面以形成SAM时所使用的键的基团。这样的基团的示例是羟基或者通过水解生成羟基的基团。如果可以键合到衬底表面的基团是羟基本身，则化合物通过羟基键合到衬底表面上，如果可以键合到衬底表面上的基团是可以通过水解生成羟基的基团，则该化合物通过在与衬底表面接触时选择水解发生的条件，来键合到衬底表面上。这样的可以键合到衬底表面并可以通过水解生成羟基的基团的示例是卤素基团，更具体地是氯基或溴基。优选的是，卤素基团与有机硅烷化合物的硅键合，因为水解容易发生，并且可以通过聚硅氧烷结构容易形成SAM。只要活化区域的形成不受干扰，可以通过照射UV射线等来促进到衬底表面的键合。
可以被活化使得将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上的基团优选苯基或者烃基中的至少一种。尤其优选的是，苯基或者烃基与有机硅烷化合物的硅键合。人们认为苯基或者烃基水解以形成羟基，羟基的负极性使将成为镀覆催化剂的物质粘附到该基团上，其中，例如UV射线促进苯基或者烃基水解。在此情况下，即使在使得可以键合到衬底表面上的基团通过水解生成羟基的条件下，苯基和烃基也不产生水解，而是只有当还使用穿过光掩模的UV射线时，在SAM的表面的特定部分中才生成羟基。因此，将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到该特定部分上。
现在将参考图7A-7D以及图8A-8D描述根据本发明的SAM的形成和电解镀层的形成。图8A是描绘当利用苯基三氯硅烷(C6H5SiCl3)在衬底上形成SAM时的图像的视图。苯基三氯硅烷中的氯与大气中的水分反应，并且生成羟基，而羟基键合到衬底上。假设羟基被进一步缩合，以形成聚硅氧烷键，形成其中硅通过氧相互键合的平面结构，在所述平面结构上苯基是立起的。如图7A所示，SAM 71被形成在肋条9上以及被形成在肋条之间75。
在此状态下，SAM的一部分被活化，以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上。例如，如图8B所示，UV射线可以穿过光掩模81选择性地照射肋条之间75(图8B中的箭头所示)。如果此时大气中的水分被适当地保持，则苯基被去除并且羟基被生成在UV射线照射的区域，如图8C所示，并且可以获得如图7B所示的活化区域72。
然后，例如将氯化钯溶液引入到此SAM上。通过这样的处理，镀覆催化剂(在此情况下为钯催化剂)结合到SAM上，并且可以获得如图7C所示的镀覆催化剂层73。虽然此镀覆催化剂的化学组成不清楚，但是在此具体实施例中，人们估计钯被结合到SAM的负极性的羟基上。虽然图8D示出了其中Pd+被这样吸附和结合的状态，但是实际上其是否是Pd+或者带正电荷的Pd金属是不清楚的。
只要在本发明的必要特征的范围之内，还可以使用除了氯化钯溶液之外的其他任何化合物。示例是银、金和铂的化合物。钯、银、金、铂等的带正电荷的粒子可以被用作将成为镀覆催化剂的物质。钯、银、金、铂等的粒子可以被分散在溶剂中并被引入到SAM上。
然后，无电镀溶液被引入到此SAM上。作为无电镀溶液，可以使用任何公知的溶液。示例是钴、铜和镍溶液。Co的溶液是优选的。这样，可以形成无电镀层74，如图7D所示。此后，通过以公知的方法进行电解电镀，可以在无电镀层74上形成电解镀层。
上述的是其中SAM中最初是非活性的部分被活化以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上的示例，但是本发明的范围不限于此。当最初一律是活性的SAM的一部分(即将不形成镀覆催化剂层的部分)被UV射线等去活化(deactivate)时，SAM被认为具有结果被活化的部分。因此，这样的方法也处在本发明的范围中。
本发明可以减小成本并提高产量，因为即使肋条之间的空间很深并且很窄，该方法也允许容易地形成电极。因此，在肋条很高而肋条之间的间距很窄时，就像用于PDP的衬底的情形，该方法特别有效。更具体地，当肋条的高度在100μm到250μm的范围内并且肋条之间的间距在50μm到330μm的范围内时，本发明是有好处的。肋条的宽度不是真正的关键性因素。诸如条带和弯曲(曲折)的条带之类的公知形式被枚举作为肋条形式的示例。在图2中，由H示出了肋条的高度，由W示出了肋条之间的间距。
如所述，可以形成电极并且可以制造用于气体放电板的衬底。如果使用该用于气体放电板的衬底，则当制造诸如PDP的气体放电板时，或者当通过将该衬底与具有所需结构的相对衬底结合来制造诸如平面显示电视设备的气体放电板显示设备时，可以降低制造成本并且可以提高产量。此外，因为制造步骤被简化并且变容易，所以可以期望根据此方法的用于气体放电板的衬底、气体放电板以及气体放电显示设备的质量的提高。
[示例]
现在将详细描述本发明的示例。
示例1
在用于PDP的玻璃衬底(例如，钠钙玻璃、高应变玻璃等)的表面上层叠具有所需图案的耐喷砂抗蚀剂层(由Nippon Synthetic ChemicalIndustry制造：Dry Film Resist)，并进行图案化。
用于玻璃切割的研磨粒子(由Fuji Seisakusho制造：WA#600-#1200，材料：氧化铝)被喷射到衬底上，以切割玻璃。然后，抗蚀剂层被剥去，并且其上形成肋条的玻璃衬底被制造。
在此玻璃衬底的表面上形成SAM，所述SAM由可以被活化以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上的材料组成。可以形成SAM的材料的示例是苯基三氯硅烷(此后称为PTCS)。
对于形成PTCS膜(SAM)的方法，例如可以使用下面的处理方法。首先，利用纯水(＞17.6MΩ·cm)通过超声波清洗对衬底进行清洗，将衬底在HCl∶CH3OH＝1∶1(体积比)的溶液中浸泡30分钟，然后利用纯水再次进行清洗。在将衬底在浓硫酸中浸泡30分钟后，将该衬底在沸腾的纯水中浸泡5分钟。然后，利用丙酮清洗衬底。然后，在氮气氛下，将该衬底浸泡在含1％的(体积比)PTCS(由Aldrich制造)的纯甲苯(99.8％，由Aldrich制造)溶液中5分钟。然后，衬底在120℃下干燥5分钟，以促进剩余溶剂的挥发和SAM的化学吸附。这样，可以在玻璃衬底的表面上形成PTCS膜。
对于此PTCS膜，将UV射线穿过具有开口的光掩模照射到将形成电极导线的区域，以使形成在衬底上的PTSC膜(SAM)分子中的苯基与大气中的水分子发生化学反应，以转变成硅烷醇基。该表面上的硅烷醇基是亲水的，当衬底被浸泡在水溶液中时，H+离子从-OH基团解离形成-O-，并且PTCS膜的被UV射线照射的表面变成带负电荷的。
如果此具有带负电荷图案的衬底例如被浸泡在氯化钯溶液中，则氯化钯溶解到水中，并且水溶液中的Pd2+离子通过库仑力被吸附到带负电荷的图案上，以形成对应于电极导线的钯催化剂图案。对于氯化钯水溶液，使用0.25-0.4g氯化钯∶1mL盐酸∶1升水的氯化钯溶液，并且钯催化剂图案在例如15-60秒的浸泡之后形成。
如果其上形成钯催化剂图案的衬底被浸泡在无电镀溶液中，则发生金属沉积，并且金属膜被形成在钯催化剂图案上。例如，通过使用Conbus-P(由World Metal LLC制造，Cobbus-P-M和Conbus-P-K的1∶1(体积比)混合溶液)作为无电镀溶液，将Co镀覆在钯催化剂图案上。
如果需要，可以通过利用Co导电图案的电解电镀来层叠Cu。
示例2
在示例1中，具有苯基的有机硅烷化合物(示例：PTCS)被用作用于形成SAM的化合物，但是，SAM也可以用没有苯基的十八烷基三氯硅烷(此后称为OTS)来形成。
在此情形中，可以通过将已经进行了诸如清洗的前处理的玻璃衬底浸泡在含1％的(体积比)OTS的甲苯溶液中5分钟，来形成OTS SAM。通过将UV射线穿过具有根据所需图案的开口的光掩模照射到此SAM上，由UV射线形成了硅烷醇基图案。在非照射区域保留了甲基。此后，可以以如示例1中的相同方法处理衬底。
本发明基于2004年6月25日递交的在先日本专利申请No.2004-187296并要求该在先申请的优先权，其全部内容通过引用被包含于此。

Claims (27)

1.一种用于气体放电板的衬底的制造方法，包括：
在用于气体放电板的衬底的肋条形成表面上形成自组装单分子层；
活化所述自组装单分子层的一部分，使得将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上；
通过使所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分上，形成所述镀覆催化剂；以及
通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层。
2.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，还包括在形成所述无电镀层之后利用所述无电镀层作为电极进行电解电镀，以在所述无电镀层上形成电解镀层。
3.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，用于形成所述自组装单分子层的化合物是有机硅烷化合物，所述有机硅烷化合物可以是枝化的，并且具有可以键合到所述衬底的所述表面上的基团以及可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团。
4.如权利要求3所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述可以键合到所述衬底的所述表面上的基团是羟基或者可以被水解以形成羟基的基团。
5.如权利要求4所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述可以被水解以形成羟基的基团是卤素基团。
6.如权利要求3所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团是苯基和烃基中的至少一种。
7.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述自组装单分子层的所述部分通过利用UV射线穿过光掩模的照射被活化，以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上。
8.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述镀覆催化剂是钯催化剂。
9.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述无电镀层的厚度在0.2微米到0.3微米的范围内。
10.如权利要求2所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述无电镀层和电解镀层的总厚度在2微米到4微米的范围内。
11.如权利要求1所述的用于气体放电板的衬底的制造方法，其中，所述肋条的高度在100微米到250微米的范围内，并且所述肋条之间的间距在50微米到约330微米的范围内。
12.一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板，其中所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条，在具有所述肋条的所述衬底的所述肋条形成表面上形成有自组装单分子层，所述自组装单分子层的一部分被活化，以使将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上，所述镀层催化剂通过使得所述将成为镀覆催化剂的物质粘附到所述活化部分来形成，并且通过利用所述镀覆催化剂的无电镀方法，在所述自组装单分子层的所述部分的顶面上形成无电镀层。
13.如权利要求12所述的气体放电板，其中，在形成所述无电镀层之后利用所述无电镀层作为电极进行电解电镀，以在所述无电镀层上形成电解镀层。
14.如权利要求12所述的气体放电板，其中，用于形成所述自组装单分子层的化合物是有机硅烷化合物，所述有机硅烷化合物可以是枝化的，并且具有可以键合到所述衬底的所述表面上的基团以及可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团。
15.如权利要求14所述的气体放电板，其中，所述可以键合到所述衬底的所述表面上的基团是羟基或者可以被水解以形成羟基的基团。
16.如权利要求15所述的气体放电板，其中，所述可以被水解以形成羟基的基团是卤素基团。
17.如权利要求14所述的气体放电板，其中，所述可以被活化以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以被粘附到其上的基团是苯基和烃基中的至少一种。
18.如权利要求12所述的气体放电板，其中，所述自组装单分子层的所述部分通过利用UV射线穿过光掩模的照射被活化，以使所述将成为镀覆催化剂的物质可以粘附到其上。
19.如权利要求12所述的气体放电板，其中，所述镀覆催化剂是钯催化剂。
20.一种包含一对彼此面对的衬底的气体放电板，其中：
所述一对衬底中的一个在面对另一个衬底的侧面上具有肋条；且
具有聚硅氧烷结构的自组装单分子层、镀覆催化剂层和无电镀层以此次序设置在所述肋条之间、具有所述肋条的所述衬底的所述肋条形成表面上。
21.如权利要求20所述的气体放电板，其中，所述的多个层还包括电解镀层。
22.如权利要求12所述的气体放电板，其中，所述无电镀层的厚度在0.2微米到0.3微米的范围内。
23.如权利要求20所述的气体放电板，其中，所述无电镀层的厚度在0.2微米到0.3微米的范围内。
24.如权利要求13所述的气体放电板，其中，所述无电镀层和电解镀层的总厚度在2微米到4微米的范围内。
25.如权利要求21所述的气体放电板，其中，所述无电镀层和电解镀层的总厚度在2微米到4微米的范围内。
26.如权利要求12所述的气体放电板，其中，所述肋条的高度在100微米到250微米的范围内，并且所述肋条之间的间距在50微米到约330微米的范围内。
27.如权利要求20所述的气体放电板，其中，所述肋条的高度在100微米到250微米的范围内，并且所述肋条之间的间距在50微米到约330微米的范围内。
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