CN1702802A - 碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法 - Google Patents
碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1702802A CN1702802A CNA2005100762699A CN200510076269A CN1702802A CN 1702802 A CN1702802 A CN 1702802A CN A2005100762699 A CNA2005100762699 A CN A2005100762699A CN 200510076269 A CN200510076269 A CN 200510076269A CN 1702802 A CN1702802 A CN 1702802A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electron emission
- emission source
- band
- peak integration
- cnt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 132
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acetyl phenyl Chemical group 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKQBWWAPJNHIQR-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO UKQBWWAPJNHIQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006387 Vinylite Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- AZRQQTKALKINGP-UHFFFAOYSA-N dinaphthalen-1-ylmethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=O)=CC=CC2=C1 AZRQQTKALKINGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
一种具有拉曼光谱的碳纳米管(CNT)，其拉曼光谱具有G带和D带，其中包括G带峰值积分IG和D带峰值积分ID的比率是5或更大。此外，还有一种包括该CNT的电子发射源，一种包括该电子发射源的电子发射装置，以及一种制造该电子发射装置的方法。包括CNT的电子发射源具有优选的电流密度，因此利用该电子发射源的电子发射装置的可靠性高。
Description
优选权声明
本申请参考并且基于35U.S.C§119要求先前在韩国知识产权局于2004年4月29日申请并分配序列号为10-2004-0030258的申请的所有权益，该先前申请的发明名称为“碳纳米管，包括该碳纳米管的电子发射源以及包括该发射源的电子发射装置，以及制造该电子发射装置的方法”，在此该申清并入本文作为参考。
技术领域
本发明涉及一种CNT(碳纳米管)、包括该碳纳米管的电子发射源、包括电子发射源的电子发射装置、以及制造该电子发射装置的方法，并且更具体地涉及一种具有G带和D带拉曼光谱的CNT，其中G带峰值积分(peak integral)(IG)与D带峰值积分(ID)的比率是5或更大，以及涉及-种包括该CNT的电子发射源，包括电子发射源的电子发射设置，以及制造该电子发射装置的方法。
背景技术
电子发射装置包括阳极和阴极。施加在阳极和阴极之间的电压形成电场。因此，阴极电子发射源发射电子。电子与阳极上的磷材料碰撞而发射光。
基于碳的材料包括具有强电子传导率的碳纳米管(CNT)，并且具有多个优点：强电导性，高场放大作用，低功函，以及良好的电子发射特性。而且，基于碳的材料可以在低电压下操作并且大面积的制造。因此，基于碳的材料被认为是电子发射装置的理想的电子发射源。
Kishi等人的美国专利6608437，电子放射设备、电子源、成像装置以及制造该装置的方法，公开了一种包括石墨膜的电子发射装置，利用具有514.5nm(纳米)波长和1μm(微米)光点直径的激光光源对该石墨膜所作的拉曼光谱分析显示，大约1580cm-1的拉曼位移值的峰高大于大约1335cm-1(厘米-1)的拉曼位移值的峰高。
然而，电子发射装置发展到现在，包括上述专利(美国专利6608437)中所公开的电子发射装置，已经不符合电子发射特性的所需水平。因此，需要CNT具备电子发射源的改进性能。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种提高电子发射能力的碳纳米管(CNT)，包括该CNT的电子发射源，包括该电子发射源的电子发射装置，以及制造该电子发射装置的方法。
本发明的另一目的是提供一种CNT，其具有比传统CNT更无缺陷的碳晶体，其中该CNT可以提供在电子发射源中或者在电子发射装置的电子发射源中。
本发明的又一目的是提供一种具有高可靠性的CNT，其中该CNT可以提供在电子发射源中或者在电子发射装置的电子发射源中。
本发明的再一目的是提供一种制造具有CNT的电子发射装置的方法，该CNT具有比传统CNT更无缺陷的碳晶体，并且因此具有更高的可靠性，该方法容易实现和节省成本，同时还很有效。
根据本发明的一个方面，提供一种具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或者更大。
G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比在5-7的范围内。
根据本发明的另一方面，提供一种包括具有拉曼光谱的CNT的电子发射源，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或者更大。
该电子发射源可以具有5V/μm(每微米伏特的单位面积电压)时100μA/cm2(每平方厘米微安的电流密度)或更大的电流密度。
根据本发明的又一方面，提供一种电子发射装置，包括：衬底，形成在所述衬底上的阴极电极，以及与形成在衬底上的阴极电极电接触的电子发射源，其包括具有拉曼光谱的CNT，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或者更大。
根据本发明的再一方面，提供一种制造电子发射装置的方法，包括：制备用于制备电子发射源的合成物，该电子发射源包括具有拉曼光谱的CNT，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或者更大，以及载体；在衬底上印刷用于制备电子发射源的合成物；以及热处理所述印刷的用于制备电子发射源的合成物。
根据本发明的CNT具有CNT的拉曼光谱，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或者更大，因此该CNT具有比传统CNT更少的缺陷。因此，包括具有该CNT的电子发射源的电子发射装置的可靠性高。
附图说明
当结合附图理解本发明时，本发明更完整的说明及其所具有的许多优点将容易理解，同时参考下面详细的说明本发明会得到更好的理解，其中相同的附图标记指示相同的或相似的元件，其中：
图1是根据本发明实施例的电子发射装置的截面图；
图2-4分别是根据本发明实施例的碳纳米管(CNT)和传统CNT的拉曼光谱；以及
图5是包括根据本发明实施例的CNT的电子发射源和包括传统CNT的电子发射源的电流密度。
具体实施方式
本发明提供一种碳纳米管(CNT)，具有G带和D带的拉曼光谱，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大。
拉曼光谱学用于分析CNT的结构，更特别地，对于CNT的表面态分析是非常有用的。在CNT的拉曼光谱中，由CNT的SP2配位产生的大约1580cm-1的拉曼位移值处的G带峰值，代表无缺陷碳晶。由CNT的SP3配位产生的大约1360cm-1的拉曼位移值的D带峰值，代表有缺陷碳晶。G带峰值积分和D带峰值积分分别由IG和ID指示。
在根据本发明实施例的CNT的拉曼光谱中，G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大，并且优选地在5-7的范围内。如果G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率小于5，则可能没有电子发射效应。
在根据本发明的CNT的拉曼光谱中，G带可以是1580±80cm-1区域的拉曼位移值处的峰值，而D带可以是1360±60cm-1区域的拉曼位移值处的峰值。与G带和D带相关的频率范围可以根据用于拉曼分析中的激光光源而移动。
根据本发明的CNT可以通过下列方式制备，例如放电，激光沉积，汽相生长，热汽相沉积，等离子化学汽相沉积等。在下文中，将描述根据本发明实施例的制造CNT的方法，但是该方法并不限定于此。
首先，制备将在其上生长CNT的催化金属。催化金属例如包括Co，Ni，Fe，以及它们的合金。然后，具有几纳米至几百纳米厚度的催化金属膜可以通过利用热沉积、电子束沉积或溅蚀而形成在衬底上，该衬底例如是由玻璃、石英、硅、Al2O3等构成的。然后，催化金属膜被蚀刻以形成纳米尺寸的催化金属粒子。该粒子被彼此分开。蚀刻气体例如包括氨、氢、氢化物或类似物。蚀刻气体沿晶界切割催化金属膜，以形成均匀并且高密度的彼此分开的纳米尺寸催化金属粒子集合。
另一方面，催化金属可以利用沸石载体制备。详细地，催化金属可以例如通过浸渍或离子交换与沸石载体结合。这样，可以得到Co/Y、Co/ZSM-5或Fe/Y。这样的利用沸石载体得到的催化剂可以通过例如利用Co-(Fe)醋酸盐溶液而制造。在这种情况下，Co或Fe的最终量是大约是重量百分比为2.5％。
然后，在催化金属上生长碳纳米管。提供碳的气体可以是C1-3烃气，例如乙炔、乙烯、乙烷、丙烯、丙烷或甲烷。通常在700-800℃(摄氏)下生长CNT。为了控制CNT的生长速率和时间，提供碳的气体可以提供有载体气体或稀释气体。该载体气体可以是H或Ar。该渗冷气体可以是氢化气体。
由上述方法制备的CNT包括多种杂质，例如石墨或无定形碳束、碳粒子和催化金属粒子。碳粒子是非常小段的碳束(carbon bundle)，其主要粘附到每个CNT的表面。当电子发射源含有杂质时，电子发射特性将变差。因此，在制造CNT后可以额外的精炼处理以去除杂质。精炼处理的例子包括超声清洗、离心分离、化学沉积、过滤、色层分离等。现在将描述根据本发明的精炼CNT的方法的实施例，但是该方法并不限定于此。
首先，合成之后立即地，通过研磨机和混合器将CNT磨碎。然后，无定形碳被酸性溶液氧化而从CNT中去除。酸性溶液可以是KMnO4、HCl、H2SO4、HNO3等。例如，该酸性溶液被用于从CNT中去除无定形碳束。在使用酸性溶液之前，如果需要，可以利用例如由HF组成的蚀刻溶液来溶解催化粒子。所得到的CNT被金属网过滤，加入蒸馏水，烘干，最后得到精炼的CNT。
根据精炼CNT的另一实施例，合成之后立即地，在精炼浴中用酸性水溶液清洗CNT，以将杂质与CNT分离。接下来，过滤以去除所分离的杂质，该杂质可能是碳束、碳粒子或催化金属束。酸性水溶液可以是2％的硝酸溶液或2％的盐酸溶液。然后，在精炼浴中加入超纯水以溢出酸性水溶液，然后用金属网过滤器过滤该浴以去除杂质。
利用丙酮和酸的混合物来精炼过滤后的CNT，同时该CNT受到超声振动。该混合物可以是丙酮、硝酸和盐酸的混合物，或丙酮、硝酸和醋酸的混合物。具体地，丙酮和超纯水加入到精炼浴中以溢出丙酮和酸性溶液的溶液混合物。丙酮添加到产物中，其放置在超声波清洗装置中。超声浴分离杂质，例如碳束、碳粒子或催化金属束，它们都粘附在CNT的表面。通过金属网过滤器将所分离的杂质从CNT过滤掉。
使用精炼气体烘干精炼处理过滤后的CNT。精炼气体例如包括氨气、氢气、氧气及其混合物；盐酸气体、硝酸气体、醋酸气体及其混合物。通过实施上述精炼处理，合成之后立即地，CNT完全去除了碳粒子和催化金属束。
同时，过滤后的CNT可以利用其他精炼方法精炼。
本发明提供一种包括CNT的电子发射源，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大，并且优选地在5-7的范围内。
根据本发明的电子发射源通过例如化学汽相沉积或胶合(pasting)形成。该胶合利用制备电子发射源的组分来执行。胶合在大批量生产和制造单位成本方面比化学汽相沉积更优选。当通过胶合形成电子发射源时，电子发射源还可以进一步包括运载体的热处理结果。
根据本发明的电子发射源可以具有100μA/cm2或更大的电流密度，优选地在的500-1000μA/cm2范围内。如果5V/μm时电流密度小于100μA/cm2，电子发射源的亮度将下降。
本发明提供一种电子发射装置，包括衬底，形成在衬底上的阴极电极，以及与阴极电极电接触的电子发射源，并且还包括CNT，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大，并且优选地在5-7的范围内。根据本发明的电子发射装置的电子发射源具有在5V/μm时100μA/em2或更大的电流密度，
图1示出了包括根据本发明的电子发射源的电子发射装置的实施例。具体地，图1示意性地示出了根据本发明的多种电子发射装置中具有三极管结构的电子发射装置。参考图1，电子发射装置200包括上衬底201和下衬底202。上衬底201包括第二衬底190，设置在第二衬底190下表面190a上的阳极180，以及设置在阳极180下表面180a上的磷光层170。
下衬底202包括第一衬底110，其与第二衬底190分开预定距离以形成内部空间，并且面对第二衬底190；成条状设置在第一衬底110上的阴极120；与阴极120垂直地成条状设置的栅极电极140，插入在栅极电极140和阴极120之间的绝缘层130；形成在一部分绝缘层130和栅极电极140上的电子发射源孔169；以及设置在电子发射源孔169内的电子发射源160，其电连接到阴极120，并且定位为比栅极电极140更低。电子发射源160包括上述的CNT。
上衬底201和下衬底202保持在比大气压更低的真空环境中。间隔物192插入在上衬底201和下衬底202之间以支撑上衬底201和下衬底202之间的由真空产生的压力，以及划分光发射空间210。
对阳极180施加加速从电子发射源160发射的电子所需的高电压。这种电子以高速与磷光层170碰撞。由于该碰撞，磷光层的磷光材料被电子激发。被激发的磷光材料从高能级改变到低能级而发射出例如可见光。
电子可容易地由栅极电极140从电子发射源160发出。绝缘层130划分电子发射源孔169。绝缘层130将电子发射源160与栅极电极140绝缘。
虽然参考图1所示的具有三极管结构的电子发射装置描述了本实施例，但是本发明可以涉及具有各种结构的电子发射装置，例如二极管结构。另外，本发明还可以涉及包括栅极电极设置在阴极电极下面的电子发射装置，以及包括栅格或网格的的电子发射装置。在最后的情况中，栅格或网格防止了栅极电极和/或阴极被电弧损坏，该电弧假设由放电现象产生，并且还确保了收集从电子发射源发射的电子。
本发明提供了一种制造电子发射装置的方法，该方法包括，制备用于制备包括根据本发明的CNT的电子发射源以及载体的合成物；印刷用于在衬底上制备电子发射源的合成物；以及加热处理用于制备电子发射源的印刷合成物。现在将描述制造根据本发明的电子发射装置的方法的实施例。
首先，制备用于制备电子发射源的合成物。用于制备电子发射源的该合成物包括CNT和载体。
该CNT发射电子，并且可以是上述具有拉曼光谱的CNT，该拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大。基于用于制备电子发射源的合成物，该CNT可以是重量为0.1-30％的量，优选地是重量为5-20％。
该载体控制用于制备电子发射源的合成物的粘度和印刷特性。该载体包括树脂成分和溶液成分。树脂成分的例子包括纤维素基树脂，丙烯基树脂，乙烯基树脂等。纤维素基树脂可以是乙基纤维素，硝基纤维素等。丙烯基树脂可以是聚酯丙烯酸酯，环氧丙烯酸酯，或尿烷丙烯酸酯。该溶液成分可以是丁基卡必醇乙酸酯(BCA)，萜品醇(TP)，甲苯，texanol，丁基卡必醇(BC)等。
基于用于制备电子发射源的合成物，该树脂成分可以是重量为5-60％。基于用于制备电子发射源的合成物，该溶液成分可以是重量为40-80％。
用于制备电子发射源的合成物还可以包括填充剂，无机粘合剂，感光性树脂和光子引发剂，粘度促进剂，溶解促进剂等。
填充剂提高了粘附在衬底上的CNT的导电性。该填充剂例如包括Ag、Al、Pd等。
无机粘合剂提高了CNT和衬底间的粘合力。该无机粘合剂例如包括玻璃粉、硅烷、SOG、矾土、氧化锆等。基于用于制备发射源的合成物，该有机粘合剂可以是重量为1-10％的量，但并不限定于此。
感光性树脂可以在暴露于光时交联。该感光性树脂例如包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，三丙烯酸三羟甲基丙烷(TMPTA)，丙烯酸甲酯等。基于用于制备电子发射源的合成物，该感光性树脂的重量可以是3-40％。
光引发剂引发感光性树脂的交联。光引发剂可以是丙烯酸酯基单体，苯并苯基酮基单体，乙酰苯基单体，tioxanthone基单体，等等。优选地，光引发剂可以是环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、2，4二乙基氧杂蒽酮(diethyloxanthone)、或2，2二甲氧基-2苯基乙酰苯，但并不限于此。该光引发剂的量在重量为0.05-10％的范围内。
考虑到印刷特性，具有上述的成分和含量的用于制备电子发射源的合成物可以具有例如5000-50000cps(厘泊)的粘度。
用于制备电子发射源的合成物被印刷在衬底上。在此，术语“衬底”指的是电子发射源形成在其上的衬底。例如，在包括插入在阳极电极和阴极电极之间的栅极电极的电子发射装置中，“衬底”指的是形成在支撑衬底上的阴极单元。然而，在包括栅极电极形成在阴极电极下面的电子发射装置中，“衬底”指的是形成在栅极电极上的栅极绝缘层，其中栅极电极形成在支撑衬底上。本领域技术人员可以容易地辨别出该衬底。
根据用于制备电子发射源的合成物是否包括感光性树脂，印刷处理可以是不同的。当用于制备电子发射源的合成物包括感光性树脂时，不需要额外的光致抗蚀剂图案。具体地，用于制备电子发射源的合成物印刷在衬底上，然后根据该区域对其曝光且显影。另一方面，当用于制备电子发射源的合成物不包括感光性树脂时，需要进行其中使用了额外的光致抗蚀剂膜图案的光刻处理。具体地，利用光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂膜图案，然后利用光致抗蚀剂膜图案印刷用于制备电子发射源的合成物。
然后，热处理用于制备电子发射源的印刷合成物，从而提高CNT和衬底间的粘合力，通过至少一个粘合剂的熔化和凝固而提高耐久性，以及使除气作用最小。必须考虑载体的挥发温度来确定热处理的合适温度。热处理的温度通常在350-500℃(摄氏)，优选地是450℃。如果热处理的温度低于350℃，载体不能充分地挥发。如果热处理温度超过500℃，会损坏CNT。
然后，任选地激发热处理产物。根据激发步骤的实施例，将电子发射源表面处理剂涂到热处理产物上，然后烘焙以形成电子发射源表面处理剂，并且与电子发射源的表面分离。电子发射源表面处理剂例如可以包括聚酰亚胺基聚合物。根据激发步骤的另一实施例，具有粘附力的粘附单元形成在由预定驱动源操作的辊的表面上，然后热处理产物的表面使用辊以预定压力按压。在激发步骤期间，CNT被暴露于电子发射源表面或，并且可以调整CNT垂直排列。
可以参考下面的例子更详细地描述本发明。下面的例子是用于示例性目的，而不是限定本发明的范围。
样品1
利用Co-醋酸盐溶液制备含2.5％重量的Co的Co/ZSM-5催化剂。然后，在750℃(摄氏)下将其加入乙炔以生长CNT。生长的CNT被回收，磨碎，用HCl、H2SO4和HNO3清洗，过滤，并且烘干以产生出最终的CNT。
利用拉曼分光仪执行对最终CNT的拉曼分析，该分光仪具有20x的放大率，60sec(秒)的曝光时间，以及1.5mW(毫瓦)功率的激光。
CNT的拉曼光谱在图2中示出。参考图2，1580cm-1区的拉曼位移值处的峰值与1360cm-1区的拉曼位移值处的峰值的积分比率是6.58。
将CNT、玻璃粉、乙基纤维素、甲基丙烯酸、丁基卡必醇乙酸酯混合以制备用于制备具有25000cps(厘泊)粘度的电子发射源的合成物。衬底被涂敷以用于制备电子发射源的合成物。然后，用平行曝光设备照射用于制备电子发射源的合成物，其中利用图案掩模以2000mJ/cm2(每平方厘米毫焦)的曝光能量照射。曝光之后，被照射过的电子发射源形成合成物通过显影剂显影，并且在450℃下热处理以生产出电子发射源。在下文中，根据样品1的该电子发射源被称为样品1。
样品A
首先，以与样品1中所述的相同方法对从ILJINNANOTECH公司购买的多壁CNT(MWCNT)CNT执行拉曼光谱分析。该CNT的拉曼光谱图如图3所示。参考图3，1580cm-1区的拉曼位移值处的峰值与1360cm-1区的拉曼位移值的峰值的积分比率是4.3。
接下来，以与样品1相同的方法制造电子发射源，除了样品1中所描述的CNT用从ILJINNANOTECH公司购买的MWCNT代替。在下文中，上述方法制造的电子发射源被称为样品A。
样品B
以与样品1中所述的相同方法，对不同于样品A中所用到的CNT的(从ILJINNANOTECH公司购买的)MWNT CNT执行拉曼光谱分析。该MWNTCNT的拉曼光谱图如图4所示。参考图4，1580cm-1区的拉曼位移值处的峰值与1360cm-1区的拉曼位移值处的峰值的积分比率是2.3。
接下来，以与样品1相同的方法制造电子发射源，除了样品1中所描述的CNT用从ILJINNANOTECH公司购买的MWNT CNT代替。在下文中，上述方法制造的电子发射源被称为样品B。
测量样品1——电流密度测量
测量样品1和样品A和B的电流密度，其结果如图5所示。参考图5，5V/μm时样品1的电流密度是400μA/cm2，而样品A和B的电流密度是约50μA/cm2。经验证，样品1的电流密度曲线具有比样品A和B更大的梯度。
样品2
透明ITO(氧化铟锡)阴极电极形成在第一衬底上。形成聚酰亚胺绝缘层以覆盖阴极电极。在绝缘层中形成电子发射源形成区域以暴露阴极电极表面的一部分。然后，在绝缘层上表面上成条状形成Cr栅极电极，从而与阴极电极垂直。接下来，根据样品1所述的制造电子发射源的方法，在电子发射源形成区域中形成电子发射源。最后，形成包括荧光膜的第二衬底，以及在第一衬底和第二衬底之间保持单元间隙的间隔物。
在根据本发明的CNT的拉曼光谱中，G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率是5或更大。因此，该CNT具有比传统CNT更无缺陷的碳晶体。因此，包括具有该CNT的电子发射源的电子发射装置具有很高的可靠性。
虽然参考示例性实施例具体地描述和示出了本发明，但是本领域普通技术人员应该理解，在此不脱离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围下可做出种形式和细节上的改变。
Claims (18)
1、一种具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。
2、根据权利要求1的碳纳米管，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内，并且包括5和7。
3、根据权利要求1的碳纳米管，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内。
4、根据权利要求1的碳纳米管，其中拉曼光谱的G带表示1580±80cm-1区的拉曼位移值处的峰值，拉曼光谱的D带表示1360±60cm-1区的拉曼位移值处的峰值。
5、根据权利要求4的碳纳米管，其中与G带和D带相关的频率范围根据用于拉曼分析的激光光源而移位。
6、一种电子发射源，包括具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。
7、根据权利要求6的电子发射源，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内，并且包括5和7。
8、根据权利要求6的电子发射源，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内。
9、根据权利要求6的电子发射源，还包括5V/μm时大于100AμA/cm2的电流密度。
10、根据权利要求6的电子发射源，其中约5V/μm时电流密度大于约100μA/cm2。
11、根据权利要求10的电子发射源，其中电流密度在500-1000μA/cm2的范围内。
12、根据权利要求7的电子发射源，其中约5V/μm时电流密度大于约100μA/cm2。
13、一种电子发射装置，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的碳纳米管；以及
包括具有拉曼光谱的碳纳米管的电子发射源，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。
14、根据权利要求13的电子发射装置，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内，并且包括5和7。
15、根据权利要求13的电子发射装置，其中所述电子发射源具有5V/μm时100μA/m2或更大的电流密度。
16、根据权利要求15的电子发射装置，其中所述电子发射源具有在500-1000μA/cm2范围内的电流密度。
17、一种制造电子发射装置的方法，包括：
制备用于制备电子发射源的合成物，该电子发射源包括具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5，以及载体；
在衬底上印刷用于制备电子发射源的合成物；以及
热处理所述印刷的电子发射源形成合成物。
18、根据权利要求17的方法，其中制备所述电子发射源的合成物还包括感光性树脂或感光性树脂和光引发剂的混合物，以及用于制备电子发射源的合成物的印刷包括，将衬底涂敷以用于制备电子发射源的合成物，以及根据预定的电子发射源形成区域执行曝光和显影。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040030258A KR20050104840A (ko) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | 카본나노튜브, 이를 포함한 전자 방출원 및 이를 구비한전자 방출 소자 |
| KR30258/04 | 2004-04-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1702802A true CN1702802A (zh) | 2005-11-30 |
Family
ID=35187296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005100762699A Pending CN1702802A (zh) | 2004-04-29 | 2005-04-29 | 碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050244325A1 (zh) |
| JP (1) | JP2005314226A (zh) |
| KR (1) | KR20050104840A (zh) |
| CN (1) | CN1702802A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101125944B (zh) * | 2006-04-26 | 2011-05-18 | 三星Sdi株式会社 | 组合物及由其形成的电子发射源和电子发射装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745735B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2007-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출소자의제조방법 |
| KR20070084918A (ko) * | 2006-02-22 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출원 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전자방출원, 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자, 및상기 전자 방출원의 제조방법 |
| US20090166560A1 (en) * | 2006-10-26 | 2009-07-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Sensing of biological molecules using carbon nanotubes as optical labels |
| SG175115A1 (en) | 2009-04-17 | 2011-11-28 | Seerstone Llc | Method for producing solid carbon by reducing carbon oxides |
| KR20130001516A (ko) * | 2011-06-27 | 2013-01-04 | 삼성전자주식회사 | 전계방출패널 및 그를 구비한 액정 디스플레이 장치 |
| CN104302575B (zh) | 2012-04-16 | 2017-03-22 | 赛尔斯通股份有限公司 | 通过还原二氧化碳来产生固体碳的方法 |
| JP6328611B2 (ja) | 2012-04-16 | 2018-05-23 | シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー | 非鉄触媒で炭素酸化物を還元するための方法および構造 |
| NO2749379T3 (zh) | 2012-04-16 | 2018-07-28 | ||
| CN104302576B (zh) | 2012-04-16 | 2017-03-08 | 赛尔斯通股份有限公司 | 用于捕捉和封存碳并且用于减少废气流中碳氧化物的质量的方法和系统 |
| US9475699B2 (en) | 2012-04-16 | 2016-10-25 | Seerstone Llc. | Methods for treating an offgas containing carbon oxides |
| US9896341B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-02-20 | Seerstone Llc | Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution |
| US10815124B2 (en) | 2012-07-12 | 2020-10-27 | Seerstone Llc | Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same |
| JP6284934B2 (ja) | 2012-07-12 | 2018-02-28 | シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー | カーボンナノチューブを含む固体炭素生成物およびそれを形成する方法 |
| MX2015000580A (es) | 2012-07-13 | 2015-08-20 | Seerstone Llc | Metodos y sistemas para formar productos de carbono solido y amoniaco. |
| US9779845B2 (en) | 2012-07-18 | 2017-10-03 | Seerstone Llc | Primary voltaic sources including nanofiber Schottky barrier arrays and methods of forming same |
| CN104936893A (zh) | 2012-11-29 | 2015-09-23 | 赛尔斯通股份有限公司 | 用于产生固体碳材料的反应器和方法 |
| US10115844B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-10-30 | Seerstone Llc | Electrodes comprising nanostructured carbon |
| WO2014150944A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Seerstone Llc | Methods of producing hydrogen and solid carbon |
| EP3113880A4 (en) | 2013-03-15 | 2018-05-16 | Seerstone LLC | Carbon oxide reduction with intermetallic and carbide catalysts |
| EP3129135A4 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-25 | Seerstone LLC | Reactors, systems, and methods for forming solid products |
| WO2014151898A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Seerstone Llc | Systems for producing solid carbon by reducing carbon oxides |
| WO2018022999A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Seerstone Llc. | Solid carbon products comprising compressed carbon nanotubes in a container and methods of forming same |
| JP6810343B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-01-06 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブ構造、放熱シート及びカーボンナノチューブ構造の製造方法 |
| WO2023068531A1 (ko) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 한국전기연구원 | 저결함 탄소나노튜브 슬러지 및 그 제조방법, 상기 저결함 탄소나노튜브 기반 전도성 복합소재, 이를 이용한 음극 슬러리, 음극 및 리튬 이차전지 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246168B1 (en) * | 1994-08-29 | 2001-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same |
| KR100355389B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2002-10-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표면처리를 이용한 카본 나노튜브 필드 에미션 어레이의제조 방법 |
| KR100354225B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2002-09-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 소자의 에미터 제조 방법 |
| JP2002319357A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| KR101275055B1 (ko) * | 2002-02-13 | 2013-06-14 | 도레이 카부시키가이샤 | 단층 카본 나노튜브 함유 조성물 |
| US7147894B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-12-12 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Method for assembling nano objects |
| KR100852690B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2008-08-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자용 탄소 나노 튜브 에미터 페이스트조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자용 탄소 나노튜브 에미터의 제조방법 |
| JP2004039461A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hitachi Ltd | 自発光型平面表示装置 |
| US7250148B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-07-31 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Method for making single-wall carbon nanotubes using supported catalysts |
| US7202596B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-04-10 | Electrovac Ag | Electron emitter and process of fabrication |
| JP2005314204A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-11-10 | Toray Ind Inc | カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ含有組成物 |
| JP4035619B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2008-01-23 | 国立大学法人信州大学 | Ｃｎｔ表面改質方法 |
| JP3761561B1 (ja) * | 2004-03-31 | 2006-03-29 | 株式会社物産ナノテク研究所 | 多様な構造を持つ微細な炭素繊維 |
-
2004
- 2004-04-29 KR KR1020040030258A patent/KR20050104840A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-04-21 JP JP2005124210A patent/JP2005314226A/ja active Pending
- 2005-04-29 US US11/117,462 patent/US20050244325A1/en not_active Abandoned
- 2005-04-29 CN CNA2005100762699A patent/CN1702802A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101125944B (zh) * | 2006-04-26 | 2011-05-18 | 三星Sdi株式会社 | 组合物及由其形成的电子发射源和电子发射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050104840A (ko) | 2005-11-03 |
| US20050244325A1 (en) | 2005-11-03 |
| JP2005314226A (ja) | 2005-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1702802A (zh) | 碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法 | |
| KR101005267B1 (ko) | 변형된 탄소 나노튜브를 사용하는 전기장 방출 장치 | |
| JP5815762B2 (ja) | 電子放出源形成用組成物、およびこれを用いた電子放出源の製造方法 | |
| CN100576405C (zh) | 碳纳米管、电子发射源、电子发射装置及其制备方法 | |
| TWI408103B (zh) | 奈米碳管漿料的製備方法 | |
| JP4299531B2 (ja) | カーボンナノチューブを含むペースト用複合物及びこれを利用した電子放出素子及びその製造方法 | |
| KR20080005603A (ko) | 낮은 일함수 캐소드 | |
| JP2006120636A (ja) | 電子放出源形成用の組成物、これを利用した電子放出源の製造方法、及び電子放出源 | |
| Zhao et al. | Field emission characteristics of screen-printed carbon nanotube after laser irradiation | |
| CN1815665A (zh) | 碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法 | |
| EP1699068B1 (en) | Electron emission source, its method of fabrication, an electron emission device and a display device using the electron emission source | |
| EP2126954A1 (en) | Field emission device with anode coating | |
| KR20060117823A (ko) | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 | |
| KR20060019903A (ko) | 전자 방출원 형성용 조성물, 전자 방출원 제조 방법 및전자 방출원 | |
| Tachibana et al. | Fabrication of graphite by pulsed light irradiation of network silicon bearing anthryl groups | |
| KR20060047145A (ko) | 카본나노튜브, 이를 포함한 전자 방출원 및 이를 구비한전자 방출 소자 | |
| KR20060095727A (ko) | 전자 방출원 활성화용 필름, 상기 전자 방출원 활성화용 필름을 이용한 전자 방출 소자의 제조 방법 및 상기 방법을이용하여 얻은 전자 방출 소자 | |
| KR20070014738A (ko) | 카본나노튜브, 이를 포함하는 전자 방출원 및 이를 구비한전자 방출 소자 | |
| KR101100817B1 (ko) | 카본계 물질 및 나노 사이즈를 갖는 금속 입자의 용융물을포함한 전자 방출원, 이를 포함한 전자 방출 소자 및 상기전자 방출원 형성용 조성물 | |
| JP4961561B2 (ja) | 有機ケイ素化合物とカーボンナノチューブの複合材及びその製造方法 | |
| US8414757B2 (en) | Process for improving the oxidation resistance of carbon nanotubes | |
| KR20060113258A (ko) | 전자 방출원의 제조방법, 그 방법에 의하여 제조된 전자방출원 및 이를 구비한 전자 방출 소자 | |
| JP2011204675A (ja) | 電子放出源用ペーストおよびこれを用いた電子放出源と電子放出素子、ならびにこれらの製造方法。 | |
| Ellis et al. | FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF FIELD EMISSION DEVICES BASED ON SINGLE VERTICALLY ALIGNED CARBON NANOFIBERS | |
| KR20070014742A (ko) | 전자 방출 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20051130 |