KR20070014742A - 전자 방출 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전자 방출 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20070014742A
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Abstract

본 발명은 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극; 상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성되며, 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원; 상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및 상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층;을 구비하며, 상기 기판상에 형성된 전자 방출원의 표면상에 와이드 밴드 갭 물질로 된 코팅막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전자 방출원은 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막을 갖고 있어서 전류 밀도 및 전자 방출 수명이 개선된 전자 방출원을 얻을 수 있다. 상기 전자 방출원을 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 얻을 수 있다.

Description

전자 방출 소자 및 그 제조방법{An electron emission device and a preparing method thereof}
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자에서 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막이 형성된 전자방출원을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자의 일 구현예를 나타낸 도면이다.
도 4는 코팅하지 않은 카본 나노 튜브의 형상이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자에서 표면에 SiO2로 된 코팅막이 형성된 카본 나노 튜브의 형상을 나타내는 주사전자 현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예와 비교예의 수명 특성을 보여주는 그래프이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
110 : 하면기판 120 : 캐소드 전극
130 : 절연체층 140 : 게이트 전극
160 : 전자 방출원 170 : 형광체층
180 : 애노드 전극 190 : 상면기판
본 발명은 전자 방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게로는 전자 방출원의 전류 밀도 및 전자 방출 수명의 증가로 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자 방출 소자 (Electron Emission Device)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하여 전계를 형성함으로써 캐소드 전극의 전자 방출원으로부터 전자를 방출시키고, 이 전자를 애노드 전극 측의 형광 물질에 충돌시켜 발광되도록 하는 디스플레이 장치이다.
전자 전도성이 탁월한 탄소 나노 튜브 (Carbon Nano Tube: CNT)를 포함한 카본계 물질은 전도성 및 전계 집중 효과가 우수하고, 일함수가 낮고 전계 방출 특성이 우수하여 저전압 구동이 용이하고, 대면적화가 가능하므로 전자 방출 소자의 이상적인 전자 방출원으로 기대되고 있다.
카본나노튜브를 포함하는 전자 방출원 제조 방법은 예를 들면, CVD법 등을 이용하는 카본나노튜브 성장법, 카본나노튜브를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하는 페이스트법 등을 포함한다. 상기 페이스트법을 이용하면 제조 단가가 낮고, 대면적으로 전자 방출원 형성이 가능하다.
카본나노튜브를 포함한 전자 방출원 형성용 조성물은 예를 들면, 미국 특허 제6,436,221호에 기재되어 있다.
그런데 종래의 카본계 물질을 포함한 전자 방출원은 전류밀도 및 전자 방출 수명 특성이 만족할 만한 수준에 도달하지 못하여 개선의 여지가 많다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전자 방출원의 전류 밀도 및 전자 방출 수명의 증가로 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명에서는 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판;
상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극;
상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성되며, 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원;
상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및
상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층;을 구비하며,
상기 기판상에 형성된 전자 방출원의 표면상에 와이드 밴드 갭 물질로 된 코팅막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명의 기술적 과제는 또한 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단계;
상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하여 전자 방출원을 형성하는
단계; 및
상기 전자 방출원의 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막을 형성하는 단
계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법에 의하여 이루어진다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 전자 방출 소자는, 도 1과 같이 기판 (10) 상에 전자 방출원(11)을 제작한 후, 전자 방출원(11)의 표면에 와이드 밴드갭 물질을 코팅하여 도 2에 나타난 바와 같이 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막(12)이 형성된다.
상기 와이드 밴드 갭 물질은 전도대(Conduction Band)와 가전자대(Valence Band)의 차이 즉, 밴드갭이 2 eV 이상으로서, 특히 3 내지 6 eV이다. 이의 비제한적인 예로서, 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 질화물(AlN), 마그네슘 산화물(MgO), 보론 질화물(BN), 주석 산화물 (SnO2), 티타늄 산화물 (TiO2), 다이아몬드상 카본(diamond like carbon, DLC), 다이아몬드 및 그 혼합물이 있다.
상기 와이드 밴드 갭 물질의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 만약 와이드 밴드갭 물질의 함량이 0.1 중량부 미만이면, 수명향상의 잇점이 감소하고, 10 중량부를 초과하면 전류밀도의 감소가 심하여 바람직하지 못하다.
상기 와이드 밴드갭 물질로 코팅막을 형성하는 방법은 특별하게 제한되는 것은 아니지만, 스퍼터링, 증발 등과 같은 물리적 증착 방법을 사용한다. 이러한 방법을 사용할 수 있으므로 코팅막의 형성이 매우 단순하게 용이하게 이루어지는 잇점이 있다. 이렇게 형성된 코팅막의 두께는 1-100nm인 것이 바람직하다. 만약 코팅 막의 두께가 1nm 미만이면, 막이 균일하게 형성되지 못하고 100nm를 초과하면 전자방출 특성이 저하되어 바람직하지 못하다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 또한 필수구성성분으로서 카본계 물질, 비이클 및 프리트 바람직하게는 납 프리 프리트를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 프리트의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.25 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 만약 납 프리 프리트의 함량이 0.25 중량부 미만이면 전자방출원의 부착성이 저하되고, 10 중량부를 초과하면 전자방출 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
본 발명에서 사용되는 카본계 물질은 전도성 및 전자방출 특성이 우수하여 전자 방출 소자 작동시 애노드부의 형광층으로 전자를 방출시켜 형광체를 여기하는 역할을 한다. 이러한 카본계 물질의 비제한적인 예로는 카본나노튜브, 그래파이트, 다이아몬드, 풀러렌, 탄화규소 등이 사용되며, 그 중에서도 카본나노튜브가 가장 바람직하다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물에 포함되는 비이클은 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 점도를 조절하는 역할을 한다. 상기 비이클은 수지 성분 및 용매 성분으로 이루어질 수 있다. 상기 수지 성분은 예를 들면, 에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스 등과 같은 셀룰로오스계 수지; 폴리에스테르 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 및 우레탄 아크릴레이트 등과 같은 아크릴계 수지; 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 에테르 등과 같은 비닐계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전술한 바와 같은 상기 수 지 성분 중 일부는 감광성 수지의 역할을 동시에 할 수 있다.
상기 용매 성분은 예를 들면, 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨(butyl carbitol:BC), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate:BCA), 톨루엔(toluene) 및 텍사놀(texanol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 중, 터피네올을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수지 성분의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 1 내지 5 중량부, 보다 바람직하게는 2 내지 3 중량부일 수 있다.
한편, 상기 용매 성분의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 5 내지 15 중량부, 바람직하게는 8 내지 12 중량부일 수 있다. 여기에서 상기 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 흐름성이 저하되는 문제점이 생길 수 있다. 특히, 비이클의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 건조시간이 지나치게 길어질 수 있다는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 필요에 따라 감광성 수지와 광개시제, 필러중에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
전자 방출원 형성용 조성물중 상기 감광성 수지는 전자 방출원의 패터닝에 사용되는 물질이다. 상기 감광성 수지의 비제한적인 예에는 아크릴레이트계 모노머, 벤조페논계 모노머, 아세토페논계 모노머, 또는 티오크산톤계 모노머 등이 있으며, 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 2,4-디에틸옥산톤(2,4-diethyloxanthone), 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등을 사용할 수 있다. 상기 감광성 수지의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 3 내지 10 중량부, 바람직하게는 5 내지 8 중량부일 수 있다. 감광성 수지의 함량이 3 중량부 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지고, 10 중량부를 초과하는 경우에는 현상이 잘 되지 않기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 광개시제는 상기 감광성 수지가 노광될 때 감광성 수지의 가교결합을 개시하는 역할을 한다. 상기 광개시제의 비제한적인 예에는 벤조페논 등이 있다. 상기 광개시제의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 3 내지 10 중량부, 바람직하게는 5 내지 8 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 3 중량부 미만인 경우에는 효율적인 가교결합이 이루어지지 않아 패턴 형성에 문제가 생길 수 있고, 10 중량부를 초과하면 제조비용 상승의 원인이 될 수 있기 때문이다.
상기 필러는 기판과 충분히 접착하지 못한 나노 사이즈를 갖는 무기물의 전도성을 보다 향상시키는 역할을 하는 물질로서 이의 비제한적인 예에는 Ag, Al, 등이 있다.
이하, 상술한 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 전자 방출원을 제조하는 방법을 살펴보기로 한다.
먼저, 전자 방출원 형성용 조성물을 상술한 바와 같은 성분 및 함량으로 제조한다. 상기 전자 방출원 형성용 조성물에 관한 상세한 설명은 전술한 바와 동일하므로 생략한다.
이 후, 상기 제공된 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄한다. 상기 "기판"이란 전자 방출원이 형성될 기판으로서, 형성하고자 하는 전자 방출 소자에 따라 상이할 수 있으며, 이는 당업자에게 용이하게 인식가능한 것이다. 예를 들면, 상기 "기판"이란, 캐소드와 애노드 사이에 게이트 전극이 구비된 형태의 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 캐소드가 될 수 있으며, 캐소드 하부에 게이트 전극이 구비된 형태의 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 캐소드와 게이트 전극을 절연시키는 절연층이 될 수 있다.
전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄하는 단계는 감광성 수지를 포함하는 경우와 감광성 수지를 포함하지 않은 경우에 따라 상이하다. 먼저, 전자 방출원 형성용 조성물이 감광성 수지를 포함하는 경우에는 별도의 포토레지스트 패턴이 불필요하다. 즉, 기판 상에 감광성 수지를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 도포한 다음, 이를 원하는 전자 방출원 형성 영역에 따라 노광 및 현상한다.
한편, 전자 방출원 형성용 조성물이 감광성 수지를 포함하지 않는 경우에는, 별도의 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정이 필요하다. 즉, 포토레지스트막을 이용하여 포토레지스트 패턴을 먼저 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄로 공급한다.
전술한 바와 같이 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물은 산소 가스 또는 1000 ppm 이하, 특히 10 내지 500ppm의 산소가 존재하는 질소 가스 분위기 하에서 소성 단계를 거친다. 이러한 산소 가스 분위기하에서의 소성 단계를 통하여 전자 방출원 형성용 조성물 중 카본계 물질은 기판과의 접착력이 향상될 수 있고, 비이클은 휘발, 제거되고, 다른 무기 바인더 등이 용융 및 고형화되어 전자 방출원의 내구성 향상에 기여할 수 있게 된다.
상기 소성 온도는 전자 방출원 형성용 조성물에 포함된 비이클의 휘발 온도 및 시간을 고려하여 결정되어야 한다. 통상적인 소성 온도는 350 내지 500℃, 바람직하게는 450℃이다. 소성 온도가 350℃ 미만이면 비이클 등의 휘발이 충분히 이루어지지 않는다는 문제점이 발생할 수 있고, 소성 온도가 500℃를 초과하면 제조 비용이 상승하고, 기판이 손상될 수 있다는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
이와 같이 소성된 소성 결과물은 필요에 따라 활성화 단계를 거친다. 상기 활성화 단계의 일 구현예에 따르면, 열처리 공정을 통하여 필름 형태로 경화될 수 있는 용액, 예를 들면 폴리이미드계 고분자를 포함하는 전자 방출원 표면 처리제를 상기 소성 결과물 상에 도포한 후, 이를 열처리한 다음, 상기 열처리로 형성된 필름을 박리한다. 활성화 단계의 다른 구현예에 따르면 소정의 구동원으로 구동되는 롤러 표면에 접착력을 갖는 접착부를 형성하여 상기 소성 결과물 표면에 소정의 압력으로 가압함으로써 활성화 공정을 수행할 수도 있다. 이러한 활성화 단계를 통하여 나노 사이즈를 갖는 무기물은 전자 방출원 표면으로 노출되거나 수직배향되도록 제어될 수 있다.
상기 과정에 따라 얻은 전자 방출원의 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막을 형성한다. 여기에서 코팅막 형성 방법은 스퍼터링, 증발 등과 같은 물리적 증착 방법을 사용한다.
본 발명의 전자 방출원은 디스플레이 소자 또는 백라이트 유니트로 사용되는 전자 방출 소자에 적합하다.
전술한 바와 같은 본 발명의 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자의 일 구 현예는 도 3을 참조한다.
도 3은 본 발명을 따르는 다양한 전자 방출 소자 중에서도 3극관 구조의 전자 방출 소자를 개략적으로 도시한 것이다. 도 3에 도시된 전자 방출 소자(200)는 상판(201)과 하판(202)을 구비하고, 상기 상판은 상면기판(190), 상기 상면기판의 하면(190a)에 배치된 애노드 전극(180), 상기 애노드 전극의 하면(180a)에 배치된 형광체층(170)을 구비한다.
상기 하판(202)은 내부공간을 갖도록 소정의 간격을 두고 상기 상면기판(190)과 대향하여 평행하게 배치되는 하면기판(110), 상기 하면기판(110)상에 스트라이프 형태로 배치된 캐소드 전극(120), 상기 캐소드 전극(120)과 교차하도록 스트라이프 형태로 배치된 게이트 전극(140), 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120) 사이에 배치된 절연체층(130), 상기 절연체층(130)과 상기 게이트 전극(140)의 일부에 형성된 전자방출원 홀(169), 상기 전자방출원 홀(169)내에 배치되어 상기 캐소드 전극(120)과 통전되고 상기 게이트 전극(140)보다 낮은 높이로 배치되는 전자 방출원(160)을 구비한다. 상기 전자 방출원(160)에 대한 상세한 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
상기 상판(201)과 하판(202)은 대기압보다 낮은 압력의 진공으로 유지되며, 상기 진공에 의해 발생하는 상기 상판과 하판 간의 압력을 지지하고, 발광공간(210)을 구획하도록 스페이서(192)가 상기 상판과 하판 사이에 배치된다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 전자방출원(160)에서 방출된 전자의 가속에 필요한 고전압을 인가하여 상기 전자가 상기 형광체층(170)에 고속으로 충돌할 수 있도록 한다. 상기 형광체층의 형광체는 상기 전자에 의해 여기되어 고에너지 레벨에서 저에너지 레벨로 떨어지면서 가시광 등을 방출한다.
상기 게이트 전극(140)은 상기 전자방출원(160)에서 전자가 용이하게 방출될 수 있도록 하는 기능을 담당하며, 상기 절연체층(130)은 상기 전자방출원 홀(169)을 구획하고, 상기 전자방출원(160)과 상기 게이트 전극(140)을 절연하는 기능을 담당한다.
본 발명의 전자 방출 소자는 도 3에 도시 된 바와 같은 3극관 구조의 전자 방출 소자를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 3극관 구조 뿐만 아니라, 2극관을 비롯한 다른 구조의 전자 방출 소자도 포함한다. 뿐만 아니라, 게이트 전극이 캐소드 전극 하부에 배치되는 전자 방출 소자, 방전 현상에 의하여 발생되는 것으로 추정되는 아크에 의한 게이트 전극 및/또는 캐소드 전극의 손상을 방지하고, 전자 방출원으로부터 방출되는 전자의 집속을 보장하기 위한 그리드/메쉬를 구비하는 전자 방출 소자에도 사용될 수 있다. 한편, 상기 전자 방출 소자의 구조를 디스플레이 장치에 응용하는 것도 물론 가능하다.
이하 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
터피네올 10g에 CNT(MWNT, 일진 나노택 사 제품) 분말 1g, 폴리에스테르 아크릴레이트 5g, 벤조페논 5g을 첨가한 다음 교반하여 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 전자 방출원 형성용 조성물을, Cr 게이트 전극, 절연막 및 ITO 전극이 구비된 기판 상의 전자 방출원 형성 영역에 인쇄한 후, 패턴 마스크를 이용하여 2000 mJ/cm2의 노광 에너지로 평행 노광기를 이용하여 조사하였다. 노광 후 아세톤을 이용하여 현상하고, 450℃의 온도 및 산소와 질소의 혼합 가스(산소 농도 약 1000ppm)의 존재하에서 소성하여 전자 방출원을 형성하였다.
그리고 나서, 상기 전자 방출원의 표면에 SiO2을 스퍼터링하여 코팅막을 형성하였다.
그 후, 형광막과 애노드 전극으로서 ITO를 채용한 기판을 상기 전자 방출원이 형성된 기판과 배향되게 배치하고, 양 기판 사이에는 기판 간 셀 갭을 유지하는 스페이서를 형성하여 전자 방출 소자를 완성하였다.
실시예 2
상기 전자 방출원 표면에 코팅막 형성시 SiO2 대신 AlN을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 전자 방출 소자를 완성하였다.
비교예 1
전자 방출원 표면에 코팅막을 형성하지 않은 것을 제외하고는, 전자 방출 소자를 완성하였다.
도 4는 비교예 1에 따라 코팅막을 형성하지 않은 탄소 나노 튜브의 형상이 보여주며, 도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 SiO2로 된 코팅막이 형성된 카본 나노 튜브의 형상을 나타내는 주사전자 현미경 사진이다. 도 5를 참조하여, 탄소 나노 튜브 외벽에 균일하게 코팅막이 형성 되었음을 알 수 있다.
상기 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제작된 전자 방출 소자의 전류 밀도를 펄스 파워 소스(Pulse power source)와 전류계를 이용하여 측정하였고, 전자 방출 수명을 정전류 모드(Constant Current Mode)를 이용하여 평가하였다.
측정 결과, 실시예 1-2의 전자 방출 소자는 비교예 1의 경우와 비교하여 전류밀도 특성이 개선되어 전자 방출 특성이 향상될 뿐만 아니라 전자 방출 수명도 향상된다는 것을 알 수 있었다.
도 6은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 수명 특성을 보여주는 그래프로서, 이를 참조하면, 실시예 1의 전자 방출 소자의 수명 특성이 비교예 1의 경우와 비교하여 개선된다는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 전자 방출원은 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막을 갖고 있어서 전류 밀도 및 전자 방출 수명이 개선된 전자 방출원을 얻을 수 있다. 상기 전자 방출원을 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 얻을 수 있다.

Claims (10)

  1. 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판;
    상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극;
    상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성되며, 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원;
    상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및
    상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층;을 구비하며,
    상기 기판상에 형성된 전자 방출원의 표면상에 와이드 밴드 갭 물질로 된 코팅막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 와이드 밴드 갭 물질이 밴드갭이 2 eV 이상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 와이드 밴드 갭 물질이 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 질화물(AlN), 마그네슘 산화물(MgO), 보론 질화물(BN), 주석 산화물 (SnO2), 티타늄 산화물 (TiO2), 다이아몬드상 카본(diamond like carbon, DLC), 및 다이아몬드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 와이드 밴드 갭 물질의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 10 중량부인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 코팅막의 두께가 1 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 카본계 물질이 카본나노튜브, 그래파이트, 다이아몬드, 풀러렌, 또는 탄화규소인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.25 내지 10 중량부의 프리트(frit)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  8. 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단
    계;
    상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하여 전자 방출원을 형성하는
    단계; 및
    상기 전자 방출원의 표면에 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막을 형성하는 단
    계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 와이드 밴드갭 물질로 된 코팅막이 스퍼터링 또는 증
    발(evaporation)에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 소성 단계를 350 내지 500℃의 온도 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
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