CN100576405C - 碳纳米管、电子发射源、电子发射装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃的碳纳米管，包括该碳纳米管的电子发射源，和包括该电子发射源的电子发射装置。

Description

碳纳米管、电子发射源、电子发射装置及其制备方法
相关专利申请的交叉参考
本申请要求2004年11月15日提交的申请号为10-2004-0092995的韩国专利申请的优先权，在此全部引为参考。
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管、包括该碳纳米管的电子发射源以及包括该电子发射源的电子发射装置。尤其是，本发明涉及一种热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于250℃的碳纳米管、包括该碳纳米管的电子发射源以及包括该电子发射源的电子发射装置。
背景技术
电子发射装置是通过在阳极和阴极施加电压产生的电场作用下使阳极板的荧光层中的荧光体与由阴极电子发射源发射的电子碰撞发光来产生图像的显示器。
碳基材料，包括具有良好的电子导电性的碳纳米管(CNT)，具有这些特性例如良好的场增强效应、低功函数、良好的场发射性能、低驱动电压以及能跨大面积制备。因此，碳基材料对于电子发射装置来说是良好的电子发射源。
韩国专利待审公开2002-0040133公开了一种用于场发射显示器的场发射器的碳纳米管的生长方法，例如，用于场发射显示器的场发射器的碳纳米管的生长方法，其包括在支持基底上形成Fe-Ni或Ni-Fe合金层、在合金层上形成催化金属层以及在催化金属层上生长碳纳米管。
日本专利特许公开2003-059436公开了用于碳纳米管场发射显示器的阴极基底和阳极基底以及形成阴极基底的方法。根据该专利公开，阴极基底包括玻璃基底、在玻璃基底上被图案化为多个电子发射区域的阴极层以及生长在电子发射区域的多个碳纳米结构。
具有上述碳纳米管结构和其他普通的碳纳米管结构的碳纳米管在大约400℃或更高的温度下分解。在制备期间当上下部基底密封时或当碳纳米管浆燃烧时碳纳米管的热分解导致碳纳米管的损失，因此减少了电子发射的量并缩短了阴极的使用寿命。
发明内容
本发明提供一种碳纳米管，其通过热分解起始温度和热分解终止温度之间的温差显示了良好的纯度和电子发射特性，并通过高的热分解起始温度显示了良好的耐热性。本发明还提供了一种包括该碳纳米管的电子发射源和包括该电子发射源的电子发射装置。
下面将要描述本发明的附加特征，通过描述部分特征将更明显，或通过本发明的实施来认识到。
本发明公开了一种热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于大约250℃的碳纳米管。
本发明还公开了一种电子发射源，其包括热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于大约250℃的碳纳米管。
本发明还公开了一种电子发射装置，其包括基底、设置在基底上的阴极，和与形成在基底上的阴极电连接并包括热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于大约250℃的碳纳米管的电子发射源。
本发明还公开了一种制备电子发射装置的方法，包括制备用于形成电子发射源的组合物，该组合物包括热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于大约250℃的碳纳米管，将该组合物印刷在基底上，烧结该印刷的组合物，活化获得的烧结产物以获得电子发射源。
应理解的是前述一般的描述和接下来的详细描述是示范性的和说明性的，并旨在为本发明提供更进一步的解释。
附图说明
包括在内以提供对本发明的更进一步理解和结合在此并构成说明书一部分的附图解释了本发明的实施方案并且与说明书一起来解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施方案的电子发射装置的截面图。
图2A、2B和2C是根据本发明的实施方案的碳纳米管(图2A)和常规碳纳米管(图2B和2C)关于热分解温度、和热分解起始温度以及热分解终止温度的热分解(wt％)曲线图。
图3是包括根据本发明实施方案的碳纳米管的电子发射源和包括常规的碳纳米管的电子发射源的电压-电流密度曲线图。
图4是通过电子放电方法生产本发明实施方案的碳纳米管的电子放电装置结构的示意图。
具体实施方式
参照附图在下文将更充分描述本发明，在下文中说明本发明的优选实施方案。然而，本发明可以以多种不同形式体现，不能解释为受在此提及的实施方案的限制。根据本发明的实施方案，提供了一种热分解起始温度和热分解终止温度差小于或等于大约250℃的碳纳米管。
在此使用的术语“热分解终止温度”是指除催化金属外，碳纳米管的量达到初始碳纳米管的大约1％时的温度。通常，术语“碳纳米管具有高的热分解起始温度”表明碳纳米管具有耐热结构。术语“碳纳米管的热分解起始温度和热分解终止温度之差小”表明该碳纳米管具有基本均一的热分解特性和基本均一的结构特性，也就是，该碳纳米管具有高的纯度。这种碳纳米管的高纯度使其具有良好的电子发射特性。
本发明的一个实施方案提供一种热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃的碳纳米管，该温度差远低于常规电子发射装置使用的那些普通碳纳米管的温度差。本发明还提供了一种与常规的电子发射源相比具有良好电子发射特性的使用碳纳米管的电子发射源和包括该电子发射源的电子发射装置。
本发明的碳纳米管可具有至少大约为400℃的热分解起始温度。本发明的热分解起始温度到少为大约400℃的碳纳米管比常规的热分解起始温度为大约300到350℃的碳纳米管具有高的耐热性。
本发明的碳纳米管可通过不同的方法合成，包括放电、激光沉积、蒸发、热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等。优选地，该碳纳米管通过氢气电弧放电合成。
本发明的碳纳米管可根据下述方法制备。
提供用于生长碳纳米管的催化金属，该催化金属可以包括钴、镍、铁、或其合金。例如，该催化金属可以通过热沉积、电子束沉积、或溅射在基底例如玻璃、石英、硅或氧化铝(Al2O3)上沉积几至几百纳米厚度。
蚀刻得到的催化金属膜以形成彼此分离的纳米尺寸催化金属颗粒。氨气、氢气、混合气等可以用作蚀刻气体，蚀刻气体沿着基底晶粒间界蚀刻催化金属膜以形成彼此分离的高密度、均一的纳米尺寸催化金属颗粒。
催化金属还可以使用沸石载体提供。催化金属可以通过真空注入法或离子交换法与沸石载体结合。用沸石载体制备的催化剂可以包括Co/Y催化剂、Co/ZSM-5催化剂和Fe/Y催化剂。例如，用沸石载体的催化剂的合成可以用醋酸钴或铁溶液进行，并且Co或Fe的最后浓度可为大约2.5wt％。
如上所述，提供用于生长碳纳米管的催化金属之后，从该催化金属生长碳纳米管。碳供应气体为C1-3烃气体，例如，乙炔、乙烯、乙烷、丙烯、丙烷或甲烷气体。碳纳米管一般在大约700到800℃生长。碳供应气可以与输送气例如氢气或氩气或稀释气例如用来调整碳纳米管的生长速率和时间的混合气一起供应。
应理解本发明合成碳纳米管的方法不局限于上述的方法。
用上述合成方法制备的碳纳米管包括大量的各种类型的杂质，其降低了电子发射源的电子发射特性。因此，去除杂质的纯化方法可以在碳纳米管的合成方法之后进行。净化方法可以选自各种常规的方法，例如超声波清洗、离心、化学沉降、过滤、色谱法等。
本发明还提供一种包括热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃或更小的碳纳米管的电子发射源。
本发明的电子发射源可以通过在基底上用例如化学气相沉积法直接生长碳纳米管或通过用含碳纳米管的浆料组合物将碳纳米管涂在基底上来制备。考虑到大规模制造和生产成本，涂浆法(paste method)比直接生长法有优势。
关于使用涂浆法制备电子发射源，本发明的电子发射源可包括一种或多种粘合组分和粘合组分的烧结产物。粘合组分增强了碳纳米管和基底之间的粘附性。无机粘合组分可以包括玻璃粉、硅烷和水玻璃。有机粘合组分可以包括纤维树脂例如乙基纤维素和硝基纤维素；丙烯酸树脂例如聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯；和乙烯基树脂。低熔点金属也可以用作粘合组分。
本发明的另一实施方案提供一种电子发射装置，该电子发射装置包括基底；设置在基底上的阴极；和与阴极电连接并包括热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于约250℃或更小的碳纳米管的电子发射源。
图1是根据本发明实施方案的具有三极管结构的电子发射装置的部分截面图。
参见图1，电子发射装置200包括上极板(upper plate)201和下极板202。上极板201包括上部基底190、形成在上部基底190的下表面190a上的阳极180和形成在阳极180的下表面180a上的荧光层170。
下极板202包括基本平行于上部基底190设置并以预定的距离与上部基底190分离以确定内部空间的下部基底110，以基本为条状图案设置在下部基底110上的阴极120，以基本为与阴极120交叉的条状图案的栅极140、介于栅极140和阴极120之间的绝缘层130、通过绝缘层130和栅极140限定的电子发射空穴169，以及设置于电子发射空穴169中并与阴极120电连接并低于栅极140提供的电子发射源160。
上极板201和下极板202之间保持在比大气压低的真空压力中。隔离物(spacer)192可以设置于上极板201和下极板202之间以支持该上极板201和下极板202，并由此确定发射空间210。
阳极180提供加速电子发射源160发射的电子并使其与荧光层170高速碰撞所需的高压。在通过电子激发从高能级向低能级跃迁时，荧光层170发射可见光。关于用于产生彩色图像的电子发射装置，红色荧光层、绿色荧光层和蓝色荧光层共同构成的单元像素设置在多个发射空间210的每一个发射空间210的阴极180的下表面180a上。
栅极140使电子容易从电子发射源160发射。绝缘层130确定电子发射空穴169并且使电子发射源160和栅极140绝缘。
在电场中发射电子的电子发射源160是热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃的电子发射源。
根据本发明的实施方案，提供了一种制备电子发射装置的方法，包括制备用于形成电子发射源的具有热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃碳纳米管和载体(vehicle)的组合物；印刷用于形成电子发射源的组合物；烧结用于形成电子发射源的组合物；和活化得到的烧结产物。
在下文描述根据本发明实施方案的电子发射源的制备方法。
制备用于形成电子发射源的组合物，该组合物包括碳纳米管和载体。
碳纳米管用于电子发射。如上所述，可以使用热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃的碳纳米管。碳纳米管的使用量可以大约为0.1到30wt％，优选为大约5到20wt％。
载体调整用于形成电子发射源组合物的粘度和印刷性。载体包括聚合物组分或有机溶剂组分。
载体中的聚合物组分包括，但不限于，纤维素树脂例如乙基纤维素和硝基纤维素；丙烯酸树脂例如聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯；和乙烯基树脂。基于用于形成电子发射源的组合物的总重，聚合物组分的使用量可以大约为5到60wt％。
载体中的有机溶剂组分可以包括，但不限于，二甘醇一丁醚乙酸酯(BCA)、松油醇(TP)、甲苯、texanol和二甘醇一丁醚(BC)。基于用于形成电子发射源的组合物的总重，有机溶剂组分的使用量可以大约为40到80wt％。
用于形成电子发射源的组合物可以包括用来增加碳纳米管和基底之间粘附性的粘合组分。粘合组分可以是选自无机粘合组分、有机粘合组分和低熔点金属中的一种或多种。
用于形成电子发射源的组合物还可以包括填料、光敏树脂、粘度改性剂、分辨率(resolution)增强剂等。填料增强了可能不充分粘附于基底的碳纳米管的导电性，它可以包括Ag、Al、Pd等。光敏树脂用于根据预定形成电子发射源的区域印刷用于形成电子发射源的组合物。
用于形成电子发射源的组合物还可以包括光敏单体；光引发剂；光敏树脂例如聚酯丙烯酸酯；非感光性聚合物例如纤维素、丙烯酸酯和乙烯基聚合物；分散剂；消泡剂等。
光敏单体可以用作图案溶解(dissolution)增强剂，可以包括可热分解的丙烯酸酯单体、二苯酮单体、苯乙酮单体或噻吨酮单体。光敏单体的使用量可以是大约3到40wt％。
光引发剂可以是常规的光引发剂，使用量可以是大约0.05到10wt％。
用于形成电子发射源的具有上述组成的组合物可以具有大约5,000到50,000cps的粘度。
接着将上述的用于形成电子发射源的组合物印刷到基底上。术语“基底”表示用于形成电子发射源的基底，并且可以是常规的基底。
印刷方法根据用于形成电子发射源的组合物中是否含有光敏树脂变化。当用于形成电子发射源的组合物中包括光敏树脂时，不需要形成光刻胶图案。也就是，将具有光敏树脂的用于形成电子发射源的组合物印刷涂覆于基底上，根据用于电子发射源的预定图案曝光和显影。当用于形成电子发射源的组合物不含有光敏树脂时，需要使用光刻胶膜图案的光刻工艺。也就是，用光刻胶膜形成光刻胶膜图案后，使用光刻胶膜图案印刷用于形成电子发射源的组合物。
接着烧结用于形成电子发射源的印刷组合物来提高碳纳米管和基底之间的粘附性。另外，可以提高耐用性，并且通过至少一部分粘合组分的熔化和固化，除气(outgasing)作用会减少。
根据用于形成电子发射源的组合物中载体的蒸发温度和时间以及粘合组分的烧结来确定烧结温度。通常，烧结可以在大约350到500℃形成，优选为大约450℃。当烧结温度低于大约350℃时，载体的蒸发不充分。当烧结温度高于大约500℃时，碳纳米管可能被损坏。
接着活化得到的烧结产物以形成电子发射源。例如，可通过用含有聚酰亚氨聚合物的表面处理剂涂覆得到的烧结产物进行活化，可通过加热固化表面处理剂成膜，该处理之后进行加热和剥离加热形成的膜。可选择地，可通过辊压进行活化，例如，在用驱动源驱动的辊的表面形成粘合部分，并使用辊以预定的压力压制得到的烧结产物。通过活化，碳纳米管可以暴露在电子发射源的表面或可调整为垂直对准。
用下面的实施例来描述本发明。然而，可以理解下面的实施例仅仅是解释说明的目的。
制备碳纳米管
实施例1：用多壁碳纳米管H 2 电弧样品制备碳纳米管
通过放电方法制备根据本发明实施方案的碳纳米管。图4是进行放电方法的发电装置的结构示意图。根据放电方法，用两石墨或金属条作为阴极41和阳极42。在两电极之间施加直流电源以在两电极之间引起放电。H2气用作放电气体。
通过放电产生的大量电子运动至阳极42并且与阳极42碰撞。当电子与阳极42碰撞时碳壳由阳极42分离出来，并且在保持在低温下的阴极41的表面上聚集以制备碳纳米管。
比较例1：用多壁碳纳米管He电弧样品制备碳纳米管
除了使用He气为放电气体之外，以实施例1相同的方式制备碳纳米管。
比较例2
用醋酸钴溶液使Co/Y催化剂负载在沸石载体上来获得生长碳纳米管的催化金属。Co的最后浓度为大约2.5wt％。用乙炔气体作为碳供应气在催化金属上生长碳纳米管。碳纳米管的生长温度设置在大约700到800℃。碳供应气与作为稀释气体的氢气一起供应来调整碳纳米管的生长速率和时间。
图2A、2B、2C示出了根据实施例1和比较例1和2的碳纳米管的随温度的热分解(wt％)、热分解起始温度和热分解终止温度。表1示出了根据实施例1和比较例1和2的热分解起始温度和在886.93℃下碳纳米管的残余量。
表1
Figure C20051002302100101
如表1所示，实施例1的碳纳米管与比较例1和2相比具有更高的热分解起始温度。而且，实施例1的碳纳米管在886.93℃下的残余量为0.08549wt％，远远低于比较例1(0.3898wt％)和比较例2(7.258wt％)。表1中所示实施例1的碳纳米管具有更小的热分解起始温度和热分解终止温度之差，并且因此，与比较例1和2相比具有更高的纯度。
形成电子发射源
实施例2
将实施例1制备的热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃的碳纳米管、玻璃粉、乙基纤维素、甲基丙烯酸和丁基卡必醇醋酸酯混合以制备用于形成电子发射源的组合物，该组合物的粘度为大约25,000cps。将该组合物涂敷于基底上并用图案掩模和具有大约2,000mJ/cm2能量的平行曝光装置曝光。通过喷射使曝光产物显影，接着在大约450℃烧结获得电子发射源。
比较例3
除了使用比较例1制备的碳纳米管外，以实施例2相同的方式制备电子发射源。
比较例4
除了使用比较例2制备的碳纳米管外，以实施例2相同的方式制备电子发射源。
测量电流密度
测量实施例2、比较例3和比较例4的用于电子发射源的电流密度，结果如图3所示。如图3所示，根据本发明的电子发射源的电流密度梯度比根据比较例3和比较例4的电子发射源的陡。
制备电子发射装置
制备下部基底。由透明的铟锡氧化物(ITO)材料制造的阴极以基本为条状图案形成在下部基底上。接着将聚酰亚胺绝缘材料丝网印刷在阴极上形成绝缘层。将含导体例如银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)的浆料丝网印刷在绝缘层上形成栅极。接着蚀刻栅极和绝缘层使阴极表面暴露来确定电子发射空穴。通过光刻工艺以基本条状图案化栅极来与阴极图案交叉。
然后将用于电子发射源形成的浆料涂覆于电子发射空穴来形成电子发射源，该浆料具有热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃的碳纳米管和载体。烧结并活化形成的构造制备电子发射装置。
根据上述讨论的本发明至少一个实施方案，提供了一种热分解起始温度和热分解终止温度之差小的碳纳米管，因此能使碳纳米管具有良好的纯度，这增加了碳纳米管的电子发射特性。而且，该碳纳米管与常规的碳纳米管相比具有较高的热分解起始温度和良好的耐热性。
在不脱离本发明的精神和范围的前提下，对于本发明的各种修改和变形对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，本发明旨在覆盖后附的权利要求及其等价物范围内提供的各种修改和变形。

Claims (8)

1.一种碳纳米管，其热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃。
2.根据权利要求1的碳纳米管，其中该碳纳米管的热分解起始温度为400℃或更高。
3.根据权利要求1的碳纳米管，其中该碳纳米管是用选自放电、激光沉积、蒸发、热化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积的方法制备的。
4.根据权利要求3的碳纳米管，其中该碳纳米管是用氢气电弧放电法制备的。
5.一种包括权利要求1的碳纳米管的电子发射源。
6.根据权利要求5的电子发射源，其中该电子发射源通过在基底上直接生长碳纳米管形成或通过用包括碳纳米管的浆料组合物的涂浆法形成。
7.一种电子发射装置，包括：
基底；
设置在基底上的阴极；和
电子发射源，其与形成在基底上并包括热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃的碳纳米管的阴极电连接。
8.一种制备电子发射装置的方法，包括：
制备用于形成电子发射源并包括热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于250℃的碳纳米管和载体的组合物；
将该组合物印刷于基底上；
烧结该印刷的组合物；以及
活化得到的烧结产物以获得电子发射源。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1959896B (zh) * 2005-11-04 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳纳米管场发射体及其制备方法
CN101205060B (zh) 2006-12-20 2011-05-04 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法
CN101205061B (zh) * 2006-12-22 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳纳米管阵列的制备方法
CN101206979B (zh) * 2006-12-22 2010-05-19 清华大学 场发射阴极的制备方法
CN101206980B (zh) * 2006-12-22 2010-04-14 清华大学 场发射阴极的制备方法
US8318049B2 (en) * 2008-09-30 2012-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for forming electron emission source, electron emission source including the composition, method of preparing the electron emission source, and field emission device including the electron emission source
CN102262988A (zh) * 2010-05-31 2011-11-30 海洋王照明科技股份有限公司 碳纳米管冷阴极的制造方法及其应用
US8491970B2 (en) * 2010-09-29 2013-07-23 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Vertically aligned carbon nanotube arrays from liquid dispersions
CN102064063B (zh) * 2010-12-24 2012-08-29 清华大学 场发射阴极装置及其制备方法
CN105448624B (zh) * 2014-07-10 2017-09-01 清华大学 场发射阴极的制备方法
RU2644416C2 (ru) * 2016-06-03 2018-02-12 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Катодно-сеточный узел с автоэмиссионным катодом из углеродного материала
RU2653694C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-14 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Катодно-сеточный узел с вертикально ориентированным автоэмиссионным катодом
WO2019035659A1 (ko) * 2017-08-16 2019-02-21 금호석유화학 주식회사 탄소나노튜브를 포함하는 타이어용 고무 조성물 및 그 제조방법
RU2697193C1 (ru) * 2018-12-03 2019-08-13 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Катодно-сеточный узел с автоэмиссионным катодом и управляющей сеткой, разделённой на элементы

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413866A (en) * 1990-10-23 1995-05-09 Baker; R. Terry K. High performance carbon filament structures
US5872422A (en) * 1995-12-20 1999-02-16 Advanced Technology Materials, Inc. Carbon fiber-based field emission devices
ATE404497T1 (de) * 1998-11-03 2008-08-15 Univ Rice William M Gasphasenabscheidund und wachstum von einwändigen kohlenstoffnanoröhren aus kohlenstoffmonoxid unter hochdruck
EP1146013A4 (en) * 1998-12-28 2010-12-22 Osaka Gas Co Ltd AMORPHOUS CARBON STEAM TUBES IN THE NANOMETER SCALE AND THEIR MANUFACTURING METHOD
CN1101335C (zh) * 1999-06-16 2003-02-12 中国科学院金属研究所 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法
EP1226295A4 (en) * 1999-08-12 2004-10-13 Midwest Research Inst SINGLE WALL PURE CARBON NANOTUBES
US20010016283A1 (en) * 1999-09-09 2001-08-23 Masashi Shiraishi Carbonaceous material for hydrogen storage, production method thereof, and electrochemical device and fuel cell using the same
US6346136B1 (en) * 2000-03-31 2002-02-12 Ping Chen Process for forming metal nanoparticles and fibers
US7033525B2 (en) * 2001-02-16 2006-04-25 E.I. Dupont De Nemours And Company High conductivity polyaniline compositions and uses therefor
US20020172767A1 (en) * 2001-04-05 2002-11-21 Leonid Grigorian Chemical vapor deposition growth of single-wall carbon nanotubes
JP2004039461A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Hitachi Ltd 自発光型平面表示装置
GB0226590D0 (en) * 2002-11-14 2002-12-24 Univ Cambridge Tech Method for producing carbon nanotubes and/or nanofibres
CN1188345C (zh) 2003-03-21 2005-02-09 清华大学 一种利用真空高温纯化碳纳米管的方法
US20050067936A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Lee Ji Ung Self-aligned gated carbon nanotube field emitter structures and associated methods of fabrication
US7250366B2 (en) * 2005-03-15 2007-07-31 Intel Corporation Carbon nanotubes with controlled diameter, length, and metallic contacts

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