TWI246140B - System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process - Google Patents

Description

1246140 九、發明說明： 一、 【發明所屬之技術領域】 β本發明係《於-種半導體製程，特财關於有效率的監控 及罝測一半導體製程的方法和系統。 二、 【先前技術】 半導體晶片製程需要大量的操作及子製程 (sub-processes)。這些製造操作包含蝕刻、化 iCMPU_、洗Γ乾燥及其他操作。每—製造 被監 控以確定操作有確貫完成、重覆及時間性正確。 ，例而言’在CMP中，-半導體晶圓被置於—支座中，此支 ί ίΓ”面使其相對於—研磨表面。此研磨表面使用1磨 蓋層且可能會對底下“ ΐ底電關的電性改變超出可接g範圍"結 果由底下裝置形成的電路無法達到職 CMP製程停止得太早，則覆蓋層被移除月而且，气 留的覆蓋層可能造成底下元件層許多不必里/的月^足。結果，殘 其他形式的製程（例如：侧、洗濯 二些子系統或是子製程等，這些子_ 分開。舉例而言，統或是子製程係自製程 此製程如以下方式被量二。“‘在製程通常被中斷且 導體基材中。然後半導體美^σ週期中被施加於半 達到所需要的目目定=職程是否有 於=後- 1246140 如果濕钱刻製程沒有達到所· 未移除預計的材料），則在一重新加工制:(也就是，侧製程並 次的被施加於半導體基材。在一次或中，濕蝕刻製程會再一 韻刻製程將會抱預計的材料 G =加工的重覆後，濕 ，中’在重新加工整組的基以基=。整組的處理 以確認重新加I製程之需求(例如 2吏用;'早獨半導體基材 體基材處m情況τ，_ 在單-半導 工濕蝕刻處理的整批基材之前。 左'^更用在指定用以重新加 在乾式電漿蝕刻製程中，使用了 供厚度損失的量測。這些方法通監控方法以提 作變複雜並可能干制量ί動^基材表面上之液體膜會使量測動 此外’用以監_關的製程之進度的傳 二i t _半導體製程可能需要額外的半導體基材 =處理,及複雜的全面性半導體製程。額外的處理以及j複雜的 衣私可齡在半導難程巾造絲外的不穩定性、缺陷或是錯誤。 因此’將需要-種系統以及方法用以在製程内監測並量化半 導體製程結果。 三、【發明内容】 、廣義的來說，本發明利用提供一現場感測器的方法滿足這些 需求，此現場感測器用以監控被施加於一晶圓的一製程。更好的 是本發明可以多種形態實施，包含製程、裝置、系統、電腦可讀 媒體或是一裝置。底下將敘述本發明之數個較有創造性的實施例。 一實施例提供了處理一晶圓的一方法。此方法包含施加一製 程於晶圓。此製程係由一表面張力梯度（surface tensi〇n gradient)裝置所協助。此製程之結果被監測。監測的結果被輸 出。製程可以根據被監測的結果而調整。 1246140 蝕刻於由清除製程、洗濯製程、乾燥製程、 二電鑛製程所組成的製程群組中的至少- 至少晶圓處理系統。此晶圓處理系統猶^ 測·ί:ϊί，ί ’可協助一製程;-現場感測器，可監 現場 ;二; -近=騎結果可即時_。表面張力梯度裝置可包含至少 力楢?ίί=:彎月形部内進行，而該彎月形部係由該表面張 中。ΐ月%與=====表面張力梯度裝置 器亦置而移動。此外現場感测 另一實施例提供了用以處理一晶圓的方法。 -製程於晶圓。此製程係由—近接頭趣供。之=二施 現場感測器所監控。被監控的結果即時的被b it果由-|。。此製歡處方減被㈣果謂程蝴財調 本發明提供了更精確的製程控制。精確的製程控制不僅降低 1246140 了製程時間並且比起習知製程和系統更增加了晶圓的生產量。 猎由底下的圖不及钦述’將更容易理解本發明之其他態樣和 特點。 四、【實施方式】 接著將敘述數個半導體製程的實施例，此等半導體製程利用 一表面張力梯度並結合一現場量測系統。對於熟悉此技藝者而 言，顯然可知省略了本說明書中所述之部份或全部細節仍可實施 本發明。、 雖然本發明已就一些較佳實施例來說明，但熟悉此技藝者藉 著前述的說明與附圖，當可對其進行修改、增加、及等效的變更。 因此任何未脫離本發明之精神與範圍，而對其進行修改、增加、 及等效的變更，均應包含於本發明之中。 利用表面張力梯度之半導體製程在一實施例中可藉由一近接 頭所組成。而典型之的近接頭在底下的專利申請案中有所揭露： 在2002年12月24日申請，編號10/330843的美國專 利” Meniscus，Vacuum，IPA Vapor，Drying Manifold” ·，在 2002 年9月30日申請，編號10/261,839的美國專利” Method and Apparatus for Drying Semiconductor Wafer Surfaces Using a Plurality Of Inlets and Outlets Held in Close Proximity to theWaferSurfaces” ；在 2002 年 12 月 24 號申請，編號 10/330897 的美國專利” System for Substrate Processing with Meniscus， Vacuum，IPA vapor，Drying Manifold” ；在 2003 年 3 月 31 號 申請’編號 10/404270 的美國專利” Vertical Proximity Processor” ；在2003年3月31號申請，編號10/404692的美 國專利” Methods and Systems for Processing a Substrate Using a Dynamic Liquid Meniscus” 。 底下的圖1至2C顯示一典型之晶圓處理系統的實施例。除了 本發明所繪示之結構外，亦可以以其他的形態出現，例如將近接 頭移至靠近晶圓的地方。在所示的實施例中，近接頭可以線性的 1246140 形式自晶圓的中心點移至晶圓的邊緣。在其他實施例中， 可以自晶圓的-邊緣線性移動至晶圓直徑的另一端項 採用其他形式的移動，如放概移動，圓形移動、微移動^ 形移動等。移動的形態可由使用者決定。此外，在—實 晶圓可以旋轉，且近接頭線性移動使得近接頭可處理晶圓的右 部份。在其他實施例中，晶圓可以不旋轉但近接頭可在晶圓 動使可以處理晶圓的所有部份。此外，在此敘述的近接 : 圓處理系統可使用在任何形狀及尺寸的晶圓。晶圓處理系統=曰 據糸統的結構被用以施行任何形式的製程於晶圓。 圖1顯示根據本發明之晶圓處理系統1〇〇。系統1〇〇 102a、102b和102c，滚子支承並旋轉晶圓使其晶圓表面可被處^里。 系統100亦包含近接頭l〇6a和i〇6b，在一實施例中，近接頭1〇如 和、106b分別連接至上臂i〇4a和下臂i〇4b。上臂l〇4a和下臂104b 為近接頭運送組件104的-部份，此組件使得近接頭副&和獅 付以實質上平行的順著晶圓的半徑移動。 一在一貫施例中，近接頭運送組件1〇4被用以支撐晶圓上的近 接頭106a以及晶圓底下的近接頭1〇6b。可藉由底下的方法達成： 使上臂104a和下臂l〇4b以垂直方法移動，使得近接頭水平移動 至一位置以開始晶圓的處理，近接頭1〇如和1〇6b可垂直的移動 至#近晶圓之一位置。上臂l〇4a和下臂l〇4b可以任何適當方式 構成，使得近接頭l〇6a和106b可以被移動以使晶圓能夠如底下 所述般被處理。系統1〇〇亦可以如底下的方式呈現··如圖⑽至圖 8B所不，近接頭靠近晶圓以產生並控制一彎月形部。此處的靠近 係指士圖6D至圖8B所示，彎月形部與晶圓維持一適當的距離。 在了貫施例中，近接頭1〇如和(其他近接頭亦同）可移動至離 晶圓0· 1麵至10刪的地方以初始化晶圓處理動作。在另一實施例 中，近接頭106a和l〇6b(其他近接頭亦同）可移動至離晶圓〇. 5刪 至4· 5麵的地方以初始化晶圓處理動作。在又一實施例中，近接 頭106a和106b(其他近接頭亦同）可移動至離晶圓約2腿的地方以 1246140 初始化晶圓處理動作。 /圖2A顯示根據本發明之晶圓處理系統1〇〇 糸統100在-實施例中具有近接頭，此近接頭 回二 1104’其用以使近接頭職和懸自晶_中有 緣。近接頭運送組件104可以任何適當的方式邊 106a和l〇6b可移動以執行清除或乾燥等需多H传近接頭 中，近接職敎件可裝上 自^的巾心、移至晶_邊緣。躲意岐義處 ，，近接頭職和難的形式呈現，但可以利 二接頭^、^^，。晶圓處理系統⑽的近接^‘ 或和06b可如此處所不為任何適當的形狀或 、 此處所敘述的不同結構在近接頭和晶圓間產生了一 ^部°舉_言，藉由將㈣施加於晶圓表面 二if接頭购和106b可用如此處所示的多種形式之結構呈現 或=他能夠實現此處所示之製㈣結構呈現。處理系統1〇〇可 以僅處理晶圓的-表面，或是晶圓的上表面和下表面。 此外，除了處理晶_上表面和下表面外，若有必要的話， 猎由分在在晶_側上輸人和輸出不同型態的液體，系統綱可 f晶圓的每-側上施行不同的製程。舉例來說，系統剛可以 晶圓的前侧並乾燥晶圓的後侧。系統i 〇 〇亦可以根據所需的 A作’在近接頭lG6a* 1’的頂面和底面使用不同的化學物品。 ^了晶圓的頂面及/或底面之外，近接讀亦可以用以處理晶圓的斜 f。此動作可藉由將彎月形部自晶圓的邊緣移開以清潔斜緣而達 ^近接頭106a和106b可以為不同型態的裝置或是不同形態的 近接頭。 圖2B顯示依本發明一實施例的支撐一晶圓1〇8用之晶圓處理 !246140 fn2，f侧視放大圖。晶® 108可於任何適當方向被滾子馳、 土、^* &所支稽並旋轉，？、要該方向容許所望之近接頭可近接 理之晶圓1G8的一部份即可。在一實施例中，滾子l〇2b 旋缠、==11而旋轉之，滾子102c可藉一滾子臂109支樓及 f ϊ 1 a亦可以藉本身的心軸而旋轉，如® 3B所示。在 鐘向旋轉。必須了解的是，滚子係順時鐘方向 鐘方向旋轉係根據所須的晶圓旋轉方式而決定。在 中，糟滾子驗、102b和驗而給予晶圓⑽的旋轉 位ΐ未ί，晶圓區，移動至近接靠近近接頭施和腿的 知·t一例釋之乾燥動作中，晶圓的潮濕區可透過近接頭腿 ==性^^/SW⑽的旋轉而呈現至近接頭難和 6\而巧或_動作本身係由至少—近接頭 式自日θ® 1G8的中心區擴展至邊緣區。在-較佳 二，二，⑽的乾燥區將繞著 車 «i〇6a^i〇6b 106b的^1==變^請之結構與近接頭_及/或 燥路徑。。0改交乾趣移動的方式以配合任意型態的乾 第- ίΐί職和106b可具有至少一第一來源輪入口，至少-ί/源翻σ，第—來源· 口用讀 人口），第-來口化學藥品（此輸入口亦稱為爾輸 的區域(此排出口亦稱為直空 1、出3排^晶圓和特定近接頭間 的方式。此外，其他形式的溶if 可用抽吸 第二來源輸入口，如韻刻化學;7 了被f入至弟一來源輪入口以及 典型之實酬係制氣歡的學物品。雖然 其他表面張力活化物質（增加 1246140 ίϊΐί材ίϊ體介面的張力梯度之㈣）、氮或是1他产性，軍、异 【，可以用來輸面張力活化物㈣亦可:用 取代，但並非用以限宁甘欽· 用底下的物質 ：f，J的蒸氣或氣體如氮、氬，或是其他可與水互、容吏用 任何適當醇類、有機化合物等。 互办之乳體、 -排出中，5•少一ίΡΑ氣體氣體輸入口靠近至少-真空 取向姓槿口又靠近至少一雨’而形成—ΙΡΑ~真空—DIW 直〔々型式的取向結構如ίΡΑ—雨—真空、贿—真空-IPA、 TD— IW等等，可根據欲改善的晶圓製程被利用。在一實施 真空—謂取向結構可被用以明智地產生、控^並^ 被ίίϊϊ和晶圓間的彎月形部以清潔並乾燥。在上述取向結構 2开ί =兄了，雨輸入口、ΙΡΑ氣體輸入口可排列成任何適當 。舉例來說’除了 ίΡΑ氣體輸入口、真空設備排出口以及 輸入口以外，在另一實施例中，亦可以根據所需的近接頭，可 以有額外的1ΡΑ氣體排出口、DIW輸入口或/和真空設備排出口。 因此，另一實施例可以利用ΙΡΑ-真空-DIW，DIW-真空-ΙΡΑ或是其 ，具ί IPA來源輸入口、真空來源排出口以及DIW輸入口結構的 實施例，這些結構在參考圖6D的較佳實施例中有所揭露。應 瞭，者，IPA-真空—DIW取向結構的確切結構可依其應用方式而^ 改變。舉例來說，可改變IPA輸入、真空設備和爾輸入位置間 的而使該距離為一致或不一致。此外，丨PA輸入、真空設備以及 DIW輪出在大小上改變係根據近接頭1〇如的尺寸、形狀以及結 構’或是在圖9A和9B詳細敘述的製程窗口之所需尺寸（例如：彎 月形之形式和尺寸）。此外，如圖9A和9B所示，IPA-真空-DIW 取向結構使得真空區域實質上環繞於一 DIW區域以及IPA區域實 質上環繞於真空區域的至少一漫延邊緣區域。 圖2C顯示根據本發明之一實施例的晶圓處理系統1 〇〇之另一 側視放大圖。在此實施例中，近接頭106a和切叱利用近接頭運 12 1246140 送組件104分別接近晶圓108的上表面i〇8a和下表面l〇8b。一旦 在此位置，近接頭l〇6a和106b可利用IPA和DIW來源輸入口以_ 及一真空來源排出口以產生與晶圓1〇8接觸的晶圓處理彎月形 部，此彎月形部可自上表面l〇8a以及下表面1〇肋移除液體。晶 圓處理彎月形部可根據參考圖64至卯所描述之方式而產生，其 中IPA氣體和DIW被輸入至晶圓1〇8和近接頭1〇仏和1〇6b間之 區域。在與IPA和DIW被輸入的時間實質上相同的時間，可在靠 近晶圓表面的地方施加真空以輸出IPA氣體、DIW以及可能存在於 晶圓上的液體。此實施利雖使用了 IPA，但亦可使用其他可溶於水 的氣體如醇類氣體、有機混合物、基己醇、乙基乙二醇等。這些 =亦被稱為表面張力降低液體。此表面張力降低液體用以增^ 兩表面（近接頭和晶圓表面）間的張力梯度。 位於近接頭和晶關之區域的则之—部份係為彎月。 在此所使用的專有名詞『輸出』係指自 間的一區域移除液體，而專有名詞『輸人』可/示=^= 圓108和特定近接頭之間的—區域。 衣丁歸體¥入日曰 使曰實施例中，近接頭_和難之移動方式可 此if部何在晶181108不轉的情況下被處理。在 運送組件1G4的結構可使近接頭施和嶋 ==於晶圓醉徑’因此近接頭可以螺旋的方式自 二之手=3至邊緣’反之亦然。在—較佳實施例中，當近 ϊϋί度大於日日圓之半徑時’近接頭施和職可在--欠旋 8bt曰戶S =線1式來回移動，因此晶圓絲108a及/ 都可被處理。在另—實施例中，可利用如㈣ 數的系統1 為了使晶®處_作最佳化，可利用多 圖3Α顯不根據本發明之實施例的具錢近接頭之晶圓處理系 13 1246140 統100之俯視圖。如圖1和2C所述’上臂104a可在接近晶圓1〇8 之上方的位置移動並支撐近接頭106a。上臂1〇4a亦可依實質上線 ，移動方向113而將近接頭i〇6a自晶圓1〇8的中心區域移動至晶 圓108的邊緣。因此，在一實施例中，因為晶圓1〇8在方向ιΐ2 士旋，，可利用在圖6A至，斤詳述的製程使近接頭職得以移 動亚自晶圓108之上表面移除液體膜。因此，近接頭騰晶 圓108上實質上螺旋的路徑上處理晶圓1〇8。在圖3β所示的另一 ' lit!!’ 一第二近接射位於晶81108之下並在晶圓谓的下 ' 表面108b上施行一製程。 ㈣ΪΠ示^艮據本發明之實施例的具有雙近接頭之晶圓處理系 ίΐΓΐΐ在此實施例中，系統100包含近接頭腿和 里日可處理晶圓108的上表面而近接頭_可處 面。在一實施例中，與滾動臂1〇9 一起的心轴 2====轉滾子iG2a、_和驗。滾子職、_ 給近接_a和難以乾燥或清理。在一實 近接頭施和難分別藉由臂馳二二圓移1Γ 嶋之位置。僅有近接頭_和臟靠 3:0 108’曰曰0的處理才得以開始。在動作中，如圖㈣ ί 由施加ιρα、去離子水爾以及真空處理 至曰曰，1 =的上表面和下表_自晶圓⑽移除處理 於45㈣由使用近接頭腿和麵，系統可以在少 '和“之心至f為圓：另-實施例中’近接頭106a 接頭自晶咖之中心移 :囫^轉已較V的時間内處理經圓⑽。在又日圓 #^^06a ^ l〇6b 理速度。在一實施例中，近接頭⑽a和麵可線性^自車ΐ圓的^ 14 1246140 的中心區域移動至邊緣，其速度介於Qmm每秒至5Gmm每秒之間。 圖4A顯*根據本發明一實施例的晶圓處理系統1〇(M的俯視 圖，該晶圓處理系統100-1包含用以處理晶圓1〇8之特定面 個近接頭。在此實施例中，系統100 —丨包含一上臂以及一 上臂104a-2。如圖4B所示，系統1〇(Η亦包含了分別連接至 頭106-1和106-2的下臂104b-1和下臂104b—2。在系統一i 中’近接頭106a-1和106a-2(若頂和下表面處理被實施的話 為106a-1和l〇6b-2)-同動作，藉由使兩近接頭處理晶圓1〇8之 一特定表面，處理時間可以被減少約一半。因此近接頭、 106a-2、106b-1以及l〇6b-2動作時，係在晶圓1〇8的中心邊 理晶圓108並以大致上線性移動之方式移至晶圓1〇8的邊緣。因 此晶圓108之旋轉112使得晶圓1〇8之所有區域接近近接頭以 理晶圓108之所有部份。因此，根據近接頭1〇6a—2、i〇6by 以及106b-2之線性動作以及晶目⑽之旋轉動作，被處理的 表面以螺旋方式自晶圓1〇8的中心移動至晶圓1〇8的邊緣。 在另一實施例中，近接頭106W和⑽b—2可開始處理 108且在其離開晶圓1〇8的中心後，近接頭1〇6a—i和1〇6卜2可 動至晶圓108的中心以加強晶圓處理動作。因此，藉由使 近接頭處理特^定晶圓表面，晶圓處理時間可以有效的減少。 圖4B顯示根據本發明一實施例的晶圓處理系統1〇〇—i的 圖，该晶圓處理系統100-1包含用以處理晶圓1〇8之特定面的 個近接頭。在此實施例中，系統1〇(K1包含近接頭、 106a-2、106Η、106b-2，近接頭施小難一2可處理晶圓1〇8 之上表面108a，近接頭10613-丨、1〇6b—2可處理晶圓1〇8之下 l〇8b、。在系統1〇〇中，與臂1〇9 一起的心軸111&和nib可分 旋轉滚子102a、102b和l〇2c。滾子102a、腿和1〇2c可旋 圓108，因此可使晶目108之大部份區域接近近接頭⑽㈠、日日 l〇6a-2、l〇6b-1、106b-2以處理晶圓108之所有部份。 在動作中，如圖6A至8B所示，每一近接頭忉如一丨、1〇6卜2、 15 1246140 106b-l以及i〇6b—2可藉施加IpA、去離子水以及真空至晶圓l〇8 的上，面和下表面而自晶圓1〇8施加/移動/移除液體。藉由在每 j圓側使用兩近接頭，晶圓處理動作(如清潔、乾燥、#刻、沉 ，專）可在，較少的時間内完成。且根據圖从和邓所示的晶圓處理 糸統二晶圓旋轉的速度可根據較佳晶圓處理所需的結構而作適當 的=變。在-實施例中，#使用晶圓⑽—半的旋轉處理整個晶 的處理時間得以被減少。在此類實施射，若每個晶 圓侧僅使用一近接頭，則晶圓處理速度為處理速度的一半。 ® 5Α顯示根據本發明一實施例之具有近接頭1〇如—3的晶圓 f理糸統跡2的俯視圖，此系統.2係位於通過晶圓1〇8之 水平結構。在此實關巾，近接頭廳—3係由上臂斷—3

Iff，^臂綱卜3通過晶圓108之半徑。在此實施例中，近接 Ί可藉由上臂104&—3的垂直移動被移至一處理位置，如 此近接頭106a - 3可位於t近晶目1〇8之位晉。贴力讲魅

凡員犯們r，晶圓1 止狀態，如晶圓鉗， 私夕徊裂程至靜止的晶圓108。在 晶圓108可藉由任何適當的晶圓支撐裝置而維持靜 圓甜’或以手指夾住晶圓邊綾辇。折垃

16 1246140 過晶圓108處理晶圓108的上表面及/或下表面。 圖5D顯示根據本發明一實施例的—晶圓處理系統⑽_3的侧 視圖，此系統100—3在一水平結構甲具有近接頭⑽a_3和 ，二3二1ΐ水平結構用以施加一或多個製程至靜止的晶圓1 。在 亡二二歹,里’近接頭驗―3係位於一水平位置而晶圓108亦位於 二水。藉由使用近接頭脑―3和106卜3，晶圓⑽可在通 過-間中被處理，其中近接頭1〇6a_3和麵_3棒跨J 一晶圓108的半徑且係順著圖5C所示之方向121移動。 圖5E顯示依本發明一實施例的一晶圓處理系統i〇〇_4的 H此系統100-4在一垂直結構中具有近接頭i 〇6a_3和 垂直結構用以施加一或多個製程至靜止的晶圓108。在 众貝施，近接頭106a-3和l〇6b-3係位於一垂直結構中，且 獅―3係為由左向右移動或是由右向左移動， ϋΓ斤Ϊ第一邊移動至隔著半徑相對的第二邊。因此在此 頭運送組件1〇4’ ’ ’可移動近接頭施一3和 晶f108並使近接頭106a_3和1〇6b—3可跨越晶 0 108而到達另一邊，使得晶圓1〇8可 理而減少處理晶圓108的時間。 的才門中被處 、圖5F顯示依本發明一實施例的晶圓處理系統丨〇〇_4之另一側 Π Ϊ圖，5F係為由圖5E所示之側視圖旋轉90度。近接頭運送 ，、且 可以各種適當的方式組合，如具有圖5F所示之近 ^頭運送組件财，，旋轉⑽度後之近接頭運送組件斤丁之近 1U4 〇 圖，發^一實施例的一曰⑦圓處理系統100—5的侧視 !ί Ιίΐϊΐ!108的一'^徑。在一實施例中，近接頭1〇6“ 過被處_基材之半徑。在—較佳實施射，近接頭 延ί超=曰曰w 108的一半徑，因此近接頭可同時處理晶圓 〜口、、、彖，因此近接頭106a—4可覆蓋並處理晶圓之中心 17 1246140 點=邊緣。在此實施例中，近接頭1〇6a—4可藉上臂1〇6a—4的垂 直移動而移至-處理位置，因此近接頭腕一4可位於靠近晶圓 i08„之位置。僅有在近接頭i〇6a—4位於靠近晶圓ι〇8之位置時， 晶圓108之上表面的動作才可被執行。因為在一實施例中，近接 頭106a〜4延伸超過晶圓1〇8的半徑，因此晶圓可在一旋轉中被處 理0

、圖顯不根據本發明一實施例的一晶圓處理系統1〇〇—5的側 視圖’此系統1〇〇一5在一水平結構中具有近接頭1〇6a—4和 106by4，此水平結構延伸並跨越晶圓1〇8的一半徑。在此實施例 中，近接頭106a-4和l〇6b-4被拉長並可超過晶圓1〇8之半徑。 參考圖fG之敘述，根據所須的實施例，近接頭1〇如-4可大於、 ^於或等於晶圓108的半徑。在—實施例中，當晶圓⑽被旋轉 日守’近接頭106a-4和l〇6b-4分別藉由上臂l〇4a以及底臂106b—4 被移動至靠近晶圓表面1〇如和1〇8b。 因為在一實施例中，近接頭l〇6a-4和106b-4延伸超過晶圓 108 ’僅需要一完整的旋轉以處理晶圓1〇8。

如，接頭施-5和麵―5的裝置和表面被使用在靠近晶圓 之表面或邊緣的位置，並參與一或多個彎月形部1〇如—6和 〇6bj以協助形成彎月形部，此彎月形部在呈現增加的表面張力 =又％，在移除彎月形部的液狀内容物上更有效率。舉例而言， 具有小於水之表面張力時，表面張力梯度會增加。因為 j 108較近接頭i〇6a-5更為疏水性(hydr〇ph〇bic)，因此表面 二=妹大。-疏水性材料在選擇液體上較無吸引力（也就是 較南的表面張力）。-親水性材料在選擇液體上有較佳的吸引力 (ϋ是較低的表面張力）。如此，若接頭廳a_5和腿_5相 ’對於彎月形部1G6a—6的液狀内容物具有較低的表 „也就是更高的親水性〕，則當彎月形部移動並跨越晶圓 二月形部上之液狀内容物將殘留在晶圓上(也就是晶圓 將較為乾⑷。秋化絲張力之絲（也就是最大化表面張力梯 18 1246140 度)將增加把f月形部自第一表面移動至第二表面之乾燥 *晶【ίοΤϊίίί裝置和表面的表面材料以使這些裝置和表面 一日日圓108之間的表面張力最佳化。舉，^ ^ 高的親水性則晶圓⑽和邊緣平臺u彎月 ‘= 的表面時將使前在晶圓上的㈣數量最=動跨越曰曰® 姓構依本發明一實施例的一近接頭輸入口 /排出口取向 -用以貫施—製程於晶圓1(38。在—實施中，取向社 t =i^!G6a^—部份’除了其他來源輸人口咖和“ 、可被額外使用在所述的取向結構in。取 於來源輸入，二 向：9顯==實：工:頭=^ 6社播J ίί ί 被額外使用在所述的取向結構119。取 ί ί〇°Β9 fr"σ 304 ? ^ 源輸入口 302 輸入3〇6和來源排出口綱之間的來 向結排出口取 上r來源輪入，，此導 游輸入口 302 _ 3G6和來源排出口紙間的來 例，一實施例的一晶圓乾燥製程的較佳實施 面舰但下表面腿的乾燥製程亦可利用類 矛。 19 1246140 虽圖6D顯示-晶圓乾燥製程，許多施加於晶圓表面的其他製程可 利用類似的方法被施加於晶圓表面。在—實施例巾…來源輸入 口 302可用以施加IPA氣體至晶圓1〇8之上表面·，而來 ^口 306可用以施加則至晶圓⑽之上表面驗。此外來源排 出口 304可用以施加-真空處理至靠近晶圓表面之一區域以移除 位於表面l〇8a上或#近表面⑽a的液體或氣體。應瞭解的是只 要符合後述情形的至少-龜合存在，任何適#的輸人口和排出 口之組合均可採用’該情形為：至少一來源輪入口逝靠近至少 一來源排出口 3G4，且來源排出口綱又靠近至少一來源輸入口 。IPA可為任何適當的形態’例如IpA氣體，當IpA為氣體形 恶日守，係透過N2運送氣體被輸入。而且，雖然在此係使用雨， 但亦可任何可幫助晶圓處理之適#液體，例如以其他方式淨 化的水、清潔液體、其他處理液體以及化學物品。在一實施例中， IPA流310係透過來源輸入口 3〇2 *提供，真空312可透過來源排 出口 304而被施加，DIW流314可透過來源輸入口 306而被提供。 故可利用先岫麥考先前參考圖2a所述之ιρΑ—真空―DIW之取向結 構的^施例。因此，若有—液體膜殘留於晶圓⑽、—第一液體▲ 力可藉由IPA流310被施加於晶圓表面，一第二液體壓力可藉由 DIW流314被施加於晶圓表面，且一第三液體壓力可藉由直空 被施加於晶圓表面以移除晶圓上的DIW、IpA以及液體膜了 因此:在一實施例中，因為雨流314以及IpA流31〇被施 ^於一晶圓表面，因此任何晶圓表面上的液體將與DIW流314混 δ。此時被施加於晶圓表面的DIW流314接觸IpA流31〇。IpA盥 DIW流314形成介面Π8(亦被稱為iPA/DIW介面118)，並結人直、 ，3=協助使DIW流314連同任何其他流體由晶圓1〇8表面排除、。 f -實施射’ IPA/DIW介© 118降低了爾之表面張力。在動 =’ IPA/DIW介面118被施加於晶圓表面並瞬及藉由來源排出口 04所施加之真空爾著晶圓表面上之㈣雜。被施加於晶圓表 面的DIW在晶圓和近接頭之間的區域停留片刻並隨著晶圓表面上 20 1246140 之液體’此DIW形成-彎月形部116 酬W介面118。，f細116 ===緣為 液體的固定流且其移動的時間盘晶圓 曰曰困表面上之 自晶圓表面上的快速移除防止侧被乾燥: 在晶81108之機率。ιρΑ往下注二造成 的%L由ίΡΑ之&速而造成）亦協助控制彎月形部⑽。 體的流速使得水流流出近接頭和1圓表面的 £域亚進人來源翻口謝，透過來源 ° ^ IPA ^ DIW ώ σ 304 S 4^ 拉人來源排出口謝，其界線使得㈣雨介

綱的真錄著晶圓表面上的應、敗和液體，=自進=_口 =04的流動便不再連續。此流動的不連續與當—真空被施加至 氣體的組合時’流體和氣體被—吸錄_情況類似。因 此，若近接頭106移動，則彎月形部隨著近接頭移動，而原先 月形部所包含的區域會因為ΙΡΑ/則介面118之移動而被乾燥。 根據所須的裝置結構、灣月形元件形成和尺寸，可以使用任何適 當數3的來源輸入口 3G2、來源排出口謝和來源排出口 3。6。在 另貝把例中，液體流速和真空流速使得所有流入真空排出口的 液體流係為連續狀態，因此沒有氣體流入真空排出口。 可使用，任何ΙΡΑ、DIW以及真空的適當流速以維持彎月形部 1^16。在一貫施例中，透過一組來源輸入口 3〇β，D之流速可為 母分知25ml至母分鐘3000ml。在一較佳實施例中，透過來源輸入 口 306 ’ DIW之流速可為每分鐘306至400 ml。液體的流速可根據 近接頭之尺寸而改變。在一實施例中r 一較大的近接頭可比較小 的近接頭具有較大的液體流速。舉例來說，在一實施例中較大的 近接頭具有較多的來源輸入口 302和306以及來源排出口 3〇4,並 具有較多的流量。 在一實施例中，通過一組來源輸入口 302的IPA氣體流速介

21 1246140 於每小時 1 標準立方吸(standard cubic feet per hour, SCFH) 至100SCFH之間。在一較佳實施例中，ipa流速約為5至5〇scFH。 在一實施例中，通過一組來源排出口 304的真空流速介於 10SCFH至1250SCFH之間。在一較佳實施例中，通過一組來源排出 口 304的真空流速約為350SCFH。在一典型之實施例中，可用一流 速尺（flow meter)以量測IPA、DIW和真空的流速。

圖6E顯示使用依本發明一實施例的另一來源輸入口/排出口 取向結構的一晶圓乾燥製程，其可藉一近接頭1〇6a而接觸。在此 實1例中，近接頭106a可在晶圓108之上表面1〇如上移動，因 此彎月形部可移動過晶圓表面108a。彎月形部將液體施加於晶圓 表面並將液體自晶圓表面移除以同時清潔和乾燥晶圓。在此實施 例中，來源輸入口 306將一 Diw流314施加於晶圓表面l〇8a、來 源輸入口 302將一 IPA流310施加於晶圓表面108a而來源排出口 312將液體自晶圓表面108a移除。在此實施例中，與其他實施例 中所敘述的近接頭施相同，額外數目之其他形態的來源輸入口 和來源排出口可被用以連接圖6E所述之來源輸入口 3〇2和3〇6以 及^源排出口洲4之取向結構。此外，在此實施例與其他近接頭 的貝施例巾’藉由翻施加於晶圓表面上之液體如及直空，彎 月^可被調整成適當的形式。舉例來說，藉由增加爾流314

I，/12，透過來源排出口 304流出的流出物幾乎等於 ^曰囫表面108a被移除的所有_ 體 312 ' ^ 氣之總和。手荨；1 _圓表面10如被移除的所有MW、液體和空 灶播圖示，本發明一實施例的另二來源輸入口 /排出口取向 ^繪示^輸入口 的來源排^ U斯以輸入額外的液體。圖抓 作^詳細二?明，取向結構係參考圖犯所繪示之取向結構 來源輸入口:⑽二,同的地方在於額外的來源排出Π 3〇7係位於 ’、| 方亚位於來源排出口 304之相對側。在此實施例 22 1246140 中，當如清潔液體之類的不同溶劑透過來源輸入口 307被輸入時， DIW可透過來源輸入口 306被輸入。因此，一清潔液體流315可被 用以增進晶圓108之清潔，且其清潔時間與乾燥晶圓1〇8之上表 面108a的時間大致上相同。 圖7A顯示依本發明一實施例之用以施行一典型之乾燥動作之 近接頭106。在一實施例中，近接頭1〇6在靠近晶圓log之上表面 ^ l〇8a時會移動以接觸一清潔及/或一乾燥動作。近接頭ι〇6亦可用 以處理(也就是清潔、乾燥等）晶圓108的下表面l〇8b。在一實施 、 例中，當液體自上表面108a被移除時，晶圓1〇8會旋轉且近接頭 106可以線性的方式移動。藉由來源輸入口 302施加IPA310、來 源排出口施加真空312以及來源輸入口 306施加DIW314，可產生 圖6D所描述的彎月形部Π6。 圖7B顯示根據本發明之一實施例的近接頭ι〇6之俯視圖。在 此實施例的俯視圖中，由左到右為一組來源輸入口 302、一組來源 排出口 304、一組來源輸入口 306、一組來源排出口 304以及一組 來源輸入口 302。因此，因為N2/IPA和DIW被輸入至近接頭1〇6 和晶圓108之間的區域，則真空移除了隨同著任何殘留在晶圓1〇8 上之液體膜的沁/IPA和DIW。此處所描述的來源輸入口 302、來源 排出口 304以及來源輸入口 306可為任何適當形式的幾何形狀， 如圓形開口、方形開口等。在一實施例中，來源輸入口 3〇2、來源 排出口 304以及來源輸入口 306為圓形開口。 圖8 A顯示依本發明一實施例的一雙晶圓表面處理系統的近接 • 頭和l〇6b之側視圖。在此實施例中，藉由使來源輸入口 302 和306提供Nz/IPA和DIW，以及使來源排出口 304提供真空，可 ^ 產生彎月形部116。此外，在與來源輸入口 302之一侧相對的來源 輸入口 306之一側上，可能有一來源排出口 304以移除DIW以及 保持彎月形部116之完整性。如前所述，當來源排出口 3〇4用以 施加真空312時，來源輸入口 302和306可分別用以提供沁/lPA 和DIW流。來源輸入口 302、來源排出口 304以及來源輸入口 306 23 1246140 可為任何適當形式的幾何形狀。舉例來說，近接頭l〇6a和l〇6b 可具有與圖7A和7B所述之來源輸入口和來源排出口結構。此外， 在另一實施例中，近接頭106a和106b可具有與圖9A至10B所述 之結構。任何與彎月形部116的適當表面都可藉著彎月形部116 之移出和移入表面的動作而被乾燥。

圖8B顯示依本發明一實施例的一雙晶圓表面處理系統的近接 頭106和l〇6b之側視圖。在此實施例中，近接頭1〇6處理晶圓1〇8 之上表面l〇8a，而近接頭106b處理晶圓108之下表面1〇此。藉 =來源排出口 304提供真空312時，以及來源輸入口 302和306 刀別提供N2/IPA和DIW流，彎月形部116可被形成於晶圓108和 近接頭106之間以及晶圓1〇8和近接頭106b之間。因此近接頭1〇6 =106b還有彎月形部116可以一種形式在晶圓表面的潮濕區移 動，因此所有的晶圓1〇8得以被處理（也就是清潔、乾燥）。 a圖9A顯示根據本發明之一實施例的處理窗口 538-1。在一實 ，處理_ π 538-1可包含多個來源輸人π 3〇2和306以及

ΐΐίϊ排出σ綱。處理窗σ 538-1為近接頭1G6(或是在此所 狀知；^近接頭）上的一區域，其可產生並控制彎月形部116的形 ===若彎月形部116欲以此形式被使用的話，處理窗 為夫较pi:餘晶圓之11域。在一實施例中，處理窗口 538-1 i他形狀。處理窗口 538—1之形狀(或在此所敘述的 ί w 俩料紐和寬度。 538-2在二ί —實施例的—大致上圓形的處理窗口 和306以及&固來^排=窗口^2包含多個來源輸入口 3〇2 是在此所提的其他近接頭)ϋ 538-2為近接頭106(或 116的形狀和區域。因此若)彎:;=其7產生並控制彎月形部 處理窗口 538-2可為乾燥曰弓圓m106欲以此形式被使用的話， 538-2為大致上圓形之、『口之£域。在一實施例+，處理窗口 圖腐顯示根據f 月之一只施例的典型之近接頭1〇〇〇。圖 24 1246140 顯示本發明之—實施_典型之近接頭.丨_之截面圖。 ^接頭1議包含多個臨近製程化學物品輸入口麵、多個敗 =口 1002於多個IPA氣體輸入口 1〇〇8以及多個真空排出口 100。這些輸入口 1002、顧、和排出口 1〇 之為-量測感測器，其可評估由近接頭 感測器1020可為能與近接頭麵共用之感測器的形式。 2說量測感測器可監測—_製程以決定根據所須的 了果，材料應被完全移除或是部份移除。感測器1〇2〇可包含 下f型的典型之感測器··渦電流感測器（用以量測金屬以及 材料):散射量測法咖物，用以量·子 \恶）、鱗干涉計或是反射計（肋量賴厚度）以及复 他為熟知此項技*者所知_終止點(end PQint)〗_方法。/、 彎月开圖i=0示^本目^月一實施例的由賴頭麵形成的典型之 視圖°目11B顯示依本發明—實施例的由近接 2一仏乂的，型之幫月形部1100的截面圖。-月形部u〇〇包 心區域1102,在此區液體狀的彎月形部11〇〇被移除， ΐΐΐ = f20不具有來自位於感測器以及晶圓108的表面之間 的弓月形邛1100之中間處理化學物品。 姑用二測s可為—光纖感測器，此光纖感測器可 η二/疋夕頻光學干涉之量測上。在一實施例中，近接頭 L卜製程於晶圓1⑽。較諸於待施加到晶圓⑽表 二上之多曰曰曰®整批製程中通常所須使用之爛 噥達到高效率和符合時效，蝕刻製程需要更高 τ度的，化學樂品。在乾燥中心區n。2中藉由光 3:^液2膜所引起之干擾的情形下完成精確的現場膜量測。 近接頭處^圓時提供晶騎減蚊即畴目旨。 社 感測器1020亦可提供勉刻製程的即時回饋。提供即時回饋至 25 1246140 巧_刻製程的-控㈣統可提供侧製程_ tr/rr1 勺=)/飯刻製程的閉鎖控制迴路可即時的交互 凋整蝕刻製程。包含近接頭位詈、增 .., I 了旧乂立 品以，製程變數的任—多;姓心=周力、 “二开二確的製程控制。更精確喻控制可 45= 予物趣，如此使得晶圓的製程處理 的表可使—多變化的製程被施加於晶圓 ;2測;7;晶圓108的第一區偵測-較薄的膜，以2 f匕i ft ifΓ餘刻製程處方可被動態調整(例如：姓刻 二匕予留時間等)。結果，在蝕刻製程被施加於晶圓」 I，不均勻的膜厚度可被_現場修正，因此可大致上減少為了 G正不均勻性而重新加工的必須性。 f另-較佳實施例中，並不需要乾燥區11〇2。舉例來說 2Ϊ、1，為—渦電流源感測器，則渦電流源感測器可透過-液 本測膜厚度（也就是彎月形部11〇〇)，如被施加於 表面的製程化學物品。 ^ 圖12A顯示根據本發明之實施例的晶圓處理系統1200。晶圓 f理系統1200類似於圖3八所示的晶圓處理系統1〇〇，然而額外增 加了現場感測器1202A。感測器U02A設置於臂l〇4a，近接頭106a =外部’但可隨著近接頭自由移動。結果，感測器12可量測 2程被施行之地方的姆位置，此製程係齡近接頭職被施加 於晶圓108。 。圖j2B顯不根據本發明之實施例的晶圓處理系統12〇〇，。晶 ，處理統1200類似於圖3A所示的晶圓處理系統丨〇〇，但有一現 場，測器1202B被設置於臂^04，此臂12〇4與支撐近接頭i〇6a 的臂104a不同。臂1204允許現場感測器1202B獨立近接頭i〇6a 而移動。結果，感測器12〇2B可量測製程被施行之地方的相對位 26 1246140 置以及獨立的掃瞄晶圓表面上之位置，此製程係藉由近接頭l〇6a 被施加於晶圓108,且其掃瞄方式與近接頭施行一製程於晶圓上的 方式大致相同。 圖13顯示根據本發明之實施例的晶圓處理系統13〇〇之方塊 圖。系統包含具有處方1304之控制器1302。處方1304控制多個 參數以及藉近接頭1310A、1301B而被施加於晶圓1〇8的製程之態 樣。舉例來說，若晶圓被旋轉，處方決定了 DIW之流速、IPA、IPA ” 氣體、真空設備的壓力、近接頭1310A、131〇β的精確位置以及晶 、 圓之旋轉的角度和速率。感測器1320Α、1320Β監測並評估藉 近接頭1310Α、1301Β而被施加於晶圓1〇8的製程。在一實施例中， 感測器1320Α、1320Β可提供回饋給控制器1302。控制器1302可鲁 根據來自一或多個感測器之回饋而修正處方。感測器132〇α、132〇β 可被包含在如圖10Α-11Β所示的近接頭1310Α、1310Β。或者如圖 12Α和12Β所示，感測器1320Α、1320Β可位於近接頭ΐ31〇Α、1301β 之外端。 圖14為依本發明一實施例的用以現場量測近接頭内一製程的 方法操作1400之流程圖。在一操作14〇5中，被施加於晶圓 的衣私係由一表面張力梯度製程系統，如近接頭。此製程可包 含二洗滌、清潔、蝕刻、乾燥、沉積、電鍍或是其他可被表面張 力梯度所施行的其他製程。可提供電鍍製程的近接頭揭露於下述 的U.S專利申請案·在2003年6月27曰提出申請的美國專利申 φ 請案編號10/607, 611 (代理人記錄編號礼ΑΜ2ρ428)，其發明名稱 , ^ Apparatus and Method for Depositing and Planarizing Thin

Films Of Semiconductor Wafers” 。 在一操作1410，一現場感測器監剥被施加於晶圓1〇8的製 程，如前所述。 在一#作1415，現場感測器即時的輪出監測結果。在一實施 例中，監測結果被儲存以備隨後參考用。在另一實施例中，監測 結果被輸出至控制製程的一控制系統。 、 孤“ 27 ^46140 在一操作1420，製程(例如 树結果被調整。在-實施例中，=)根據由現場感測器輪出的監 整。在另-實施例中，、製程為;、=被控制系統動態、即時的調 孝十口動作可終止。或者，若製程被然後方法 述操作1405開始重覆執行。 、則方法和動作可由前 可因此變以二共額外的製程控制。製程 可用以動態並即時的調整=如可提供即時製程資料，此資料 干之解者二由圖14中的操作所代表的指令並益須依圖 :二在 i:r 請專：：=== =並而:限定， 五、【圖式簡單說明】 顯示根據本發明之—實施例的—晶圓處理系統； 圖2Α顯示根據本發明之一實施例的一晶圓處理系統之另一視 圖， 圖2Β顯不夾住一晶圓之一晶圓處理系統的側視放大圖，係根 據本發明之一實施例； 圖， 圖2C顯示根據本發明一實施例的一晶圓處理系統的側視放大 圖3Α顯示根據本發明一實施例的真有雙近接頭之一晶圓處理 系統的俯視圖； 圖3B顯示根據本發明一實施例的具有雙近接頭之一晶圓處理 系統的侧視圖； 圖4A顯示根據本發明一實施例的一晶圓處理系統的俯視圖， 28 1246140 此系統具有晶uj x 心㈣―晶®處理系統的侧視圖， 此系統在餐晶圓的處理系統的俯視圖， 頭； i伸方向上之水平結構中具有多個近接 此系—實補的—日爾理系統的側視圖， 頭；之餘延伸方向上之水平結構中具有多個近接 此晶一實施例的—晶圓處理系統的俯視圖， 多個製程予^止的^日圓了冓中具有多個近接頭，且用以施行-或 此晶======= 晶圓； 叶、、。構中具有多個近接頭，用以處理靜止的 此晶實施例的一晶圓處理系統的侧視圖， 圓； …在氣直、、，構中具有多個近接頭，可處理靜止的晶 圖，明—實施綱-晶圓處理系統的另一侧視 =糸將_圖5Ε的侧視圖旋轉90度而得； 此系i在;彳^著不日根圓明—實施例的—晶圓處理系統的俯視圖， 頭；w耆日θ0之持延伸方向上之水平結構中具有一近接 此系發明—實視圖， 頭；〜員者曰曰囫之指延伸方向上乏水平結構中具有多個近接 之取示根據本發明—實施例的—近接頭的輸人σ和排^ ，此輸人口和排出口可被使用在施行一製程於ί圓 θ如根據本發明—實施_另-近接頭的輸人口和排出 29 1246140 口之取向結構，此輸入口和排出口可被使用在施行一製程於晶圓； 圖6C顯示根據本發明一實施例的又一近接頭的輸入口和排出 口之取向結構，此輸入口和排出口可被使用在施行一製程於晶圓； 圖6D顯示根據本發明一實施例的一典型之晶圓乾燥製程的浐 佳實施例，其藉一近接頭而接觸； 乂 圖6E顯示使用根據本發明一實施例的另一輸入口/排出口取 向結構的另一乾餘製程，其藉一近接頭而接觸； 圖6F顯示根據本發明一實施例的另一來源輸入口 /排出口取 向結構’其中一額外的來源輸入口被用以輸入一額外液體； 圖7A顯示根據本發明一實施例之用以施行一典型之乾 的近接頭； 卞 回圖7β顯示根據本發明之一實施例的近接頭之一部份的俯視 圖8Α顯示根據本發明一實施例的近接頭之侧視圖，係 一雙晶圓表面處理系統中； 、义⑺仕 圖8Β顯示根據本發明一實施例的位於雙晶圓表面處理系 的近接頭； ”/ τ 圖9Α顯示根據本發明之一實施例的一處理窗口； 圖9Β顯示根據本發明之一實施例的一實質上圓形之處理窗 圖10Α顯示根據本發明一實施例的一典型之近接頭； 圖10Β顯示根據本發明一實施例的一近接頭的剖視圖； 圖11Α顯示由根據本發明一實施例的近接頭所形 彎月形部俯视圖； 人之 之

嶽月，IS彳顯示由根據本發明一實施例的近接頭所形成的典型 圖12A顯示根據本發明之一實施例的一晶圓處理系統； 圖12β顯示根據本發明之一實施例的一晶圓處理系統； 圖13顯示根據本發明之一實施例的一晶圓處理系統之方塊 30 1246140 圖；以及 圖14為根據本發明一實施例的一方法動作的流程圖’此方法 動作用以在現場監測近接頭的製程。 【主要元件符號說明】 100、100-1、100-2、100-3、100-4、100-5 晶圓處理系統 102a、102b、102c 滾子 104、104’ 、104’，，、104，，，，近接頭運送組件 104a、104a-l、104a-2、l〇4a-3、104a-4 上臂 104b、104b-1、104b-2、l〇4b-3 下臂 106、106a、106a-1、106a-2、l〇6a-3、106a-4、106b、106b-1、 106b-2、106b-3、106b-4 近接頭 108晶圓 108a上表面 108b下表面 109滾子臂 111 111a 111b 心軸 112方向 113實質上線性移動方向 116彎月形部 118 IPA/DIW 介面 117、119、121輸入口/排出口取向結構 121、123 方向 302來源排出口 304來源排出口 306來源輸入口 :

307來源排出口 310 IPA 流 312真空 314 DlH 1246140 315清潔液體流 538-1處理窗口 538-2處理窗口 1000近接頭 1002 IPA輸入口 1004臨近製程化學物品輸入口 1006真空排出口 1008 IPA氣體輸入口 1020感測器 1100彎月形部

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Claims (1)

1246140 十、申請專利範園： 果，該現_測器包=測器來監測該製程之 潔製程、洗_程、乾燥’財該製程包含由清 程所組成的群組中之至。蚀一衣秩、沉積製程以及電鍍製 ϋ申請專利範圍第二之晶_理料^ 即 時輸出。 万去’其中該監測結果被 4·如申明專利範園第1項之晶圓處理 果調整該製程。 万去’更包含根據該監測結 5·如申請專利範圍第丨項之晶圓處 出至一製程控制器。 忐，其中該監測結果被輪 6.如申請專利範圍第5項之晶圓處理方 據该監測結果調整該製程。 /、中5亥衣私控制器根 i調如整1=範㈣6狀峨理麵，其巾簡程控制器即 8· —種晶圓處理系統，包含··至少一斤 -現場感測ϋ，用以監測該製程之# 頭’用以協助-製程； 由-光學感測器及1電流感測器^成包含 以及一系統控制器，連接至兮银i曰武、a烕之群組至少其中之一； 置，該系統控繼包含-製^處^麵11以及該表面張力梯度裝 處㈣統，射雜程包含由清 之刻製程、沉積製程以及電賴程所組成的 $時專利範圍第8項之晶圓處理系統，其中該監測結果被 11.如申明專利關第8項之晶圓處理系統，其中該製程係在一 33 1246140 彎月形部内進行，而該彎月形部係由該近接頭所支持。 12. 如申請專利範圍第11項之晶圓處理系統，其中該現場感測器 係包含在該近接頭内。 13. 如申請專利範圍第12項之晶圓處理系統，其中該彎月形部包 含圍繞於該現場感測器之一乾燥區。 14. 如申請專利範圍第8項之晶圓處理系統，其中該現場感測器 可隨同該表面張力梯度裝置而移動。 " 15.如申請專利範圍第8項之晶圓處理系統，其中該現場感測器 - 可獨立於該近接頭而移動。 十一、圖式：