TWI246092B - Manufacturing method of metallic thin film chip and manufacturing device of metallic thin film chip - Google Patents

Description

1246092 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於金屬薄膜晶片製造方法以及金屬薄膜晶 片製造裝置。 【先前技術】 以往係利用表面電漿共振法（SPR法）（Surface Plasmon Resonance method)等，光學的方式觀查固著於金 薄膜晶片（chip)之金薄膜上的配基（1 igand)與分析物 (analyte)的相互作用。在此SPR法中，光學觀測形成於金 薄膜上的配基與結合於配基的分析物之間的相互作用變 化。上述金薄膜晶片中的金薄膜一般係使用蒸鍍法 (evaporation method)形成。 此外，在島田理化工業股份有限公司、”高頻加熱裝 置的介紹”、[online]、[平成15年（2003年）5月16曰檢 索] '網路<URL : http : //www· spc· co· jp/heating/tec· 002· htm> 中，記載有加熱金屬的高頻加熱裝置。 而且，在日本特開2003-254904號公報（2003年9月 10日公開）、日本特開2003-161694號公報（2003年6月6 日公開）、日本特開2003-75447號公報（2003年3月12日 公開）、日本特開2002-257720號公報（2002年9月11日 公開）、日本特開平1 1-6834號公報（1999年1月12日公 開）或日本特開平10-267834號公報（1998年10月9曰公 開）中揭示有表面電漿共振法感測器晶片的製作方法。 1246092 但是，以上述蒸鍍法形成的金薄膜係變成使其表面的 凹凸加大◦特別是在SPR法中，有因固著有配基的金薄膜 表面的凹凸狀況，使得即使在相同條件下固定相同的配基 也無法得到再現性佳的數據（data)的情形，因此，造成研 究的阻礙。 而且，為了形成具有更平坦的表面之金薄膜，更有利 用滅鍍法（sputtering method)等來改良蒸鍍法自身。但 是，對於改良蒸鍍法自身一途，由於費用增大，故有產生 了 一片金薄膜晶片的價格與背離實際應用的價格相互違背 的這種問題。 【發明内容】 本發明乃鑒於上述問題點所進行的創作，其目的為提 供可用低成本平坦化金屬薄膜的大的凹凸之金屬薄膜晶片 製造方法及金屬薄膜晶片製造裝置以及金屬薄膜為了解決 上述課題，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置，係形 成於一第一絕緣性基板上的金屬薄膜的表面平坦化，其特 徵包含： 一設置台，設置有上述金屬薄膜晶片； 一加壓手段，藉由一第二絕緣性基板，由對金屬薄膜 的表面垂直的方向夾入設置於設置台的金屬薄膜晶片的金 屬薄膜，並且加壓；以及 一加熱手段，加熱設置於設置台的金屬薄膜晶片的金 屬薄膜。 6 1246092 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係上述 加熱手段具備產生磁通量的磁通量產生手段’俾貫通設置 於設置台的金屬薄膜晶片的金屬薄膜，藉由上述磁通量加 熱金屬薄膜較佳。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係上述 加熱手段為具備當作上述磁通量產生手段的線圈（coil)之 高頻加熱裝置較佳。 如果依照上述構成，設置於上述設置台，被加壓的金 屬薄膜晶片中的金屬薄膜係被上述加熱手段加熱。上述加 熱手段中的磁通量產生手段係產生磁通量。而且，上述加 熱手段為具備線圈的高頻加熱裝置的情形，若上述高頻加 熱裝置中的線圈被供給交流電流，則藉由線圈產生磁通 量。在與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置中，藉由上 述磁通量產生手段產生的磁通量係貫通設置於上述設置台 的金屬薄膜晶片中的金屬薄膜。如此，若磁通量貫通上述 金屬薄膜，則由於電磁感應（electromagnetic induction) 使渦電流在該金屬薄膜内被感應。金屬薄膜係被此渦電流 加熱到熔點或熔點附近。 如上述，被加熱到熔點或熔點附近的金屬薄膜的表面 變軟。而且，由於此金屬薄膜係被上述第一絕緣性基板與 上述第二絕緣性基板夾住而被加壓，故在該金屬薄膜的表 面轉移（transfer)有所接觸的第二絕緣性基板的面之輪廓 (profile)0 如以上，在金屬薄膜晶片的金屬薄膜可轉移第二絕緣 1246092 性基板的面之輪廓。此第二絕緣性基板藉由使用與金屬薄 膜接觸的面之表面粗度（roughness of surf ace)(面中凹凸 的大小）比金屬薄膜的表面粗度還小者，可改善金屬薄膜的 表面粗度。 因此，比較被與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置 平坦化的金屬薄膜晶片與藉由高度的蒸鍍法製作的金屬薄 膜晶片，本發明可容易被製造者，不需花成本。 而且’在與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置中， 因可更急速地加熱金屬薄膜晶片的金屬薄膜，故可實現可 容易進行自動化的金屬薄膜晶片製造裝置。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係上述 加熱手段藉由微波的照射來加熱金屬薄膜晶片的金屬薄膜 較佳。再者，上述加熱手段為介電加熱裝置較佳，該介電 加熱裝置為具備產生照射到上述金屬薄膜晶片的金屬薄膜 的微波之微波產生手段。 、 =果依照上述構成，上述微波產生手段係照射微波到 金屬薄膜晶片的金屬薄膜。因此，在金屬薄膜表面附近中， 自由電子的振動變的活躍。而且，金屬薄膜被加熱到炫點 2點附近，溫度’變成像半熔化狀態般容易變形的狀 恶。而且，藉由利用加壓手段的金屬 金屬薄膜的表面粗度。 改。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係上述 j台以及加壓手段係由介電損耗⑹ 的材料構成較佳。 1246092 據此，即使磁通量貫通，渦電流也不會被感應不會被 加熱。因此，在上述金屬薄膜晶片製造裝置中可僅加熱金 屬薄膜，藉由上述設置台以及加壓手段被加熱，可防止變 形。 而且，上述加熱手段藉由微波的照射加熱金屬薄膜晶 片的金屬薄膜的情形，可完成以下的功效··上述設置台以 及加壓手段藉由由介電損耗小的材料構成，使通過的微波 變多，不會被微波照射而加熱，不會有藉由熱傳導使第一 絕緣性基板或轉移用的第二絕緣性基板被加熱。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置具備： 在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設置於上述設置台的金 屬薄膜晶片之處理室較佳。 據此，可防止金屬薄膜晶片的金屬薄膜的氧化，可防 止金屬薄膜的表面品質的劣化。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置具備： 在與大氣相同環境下封閉設置於上述設置台的金屬薄膜晶 片之處理室較佳。 由於微波具有還原性，故如果依照上述構成，可防止 金屬薄膜表面的氧化。因此，如果依照上述構成，與具備 在真空狀態或惰性氣體環境下密閉金屬薄膜晶片之處理室 的情形比較，可完成避免進行在脫氣或惰性氣體下的室内 置換之功效。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置具備： 在措由弟^一絕緣性基板失入有金屬薄膜晶片的金屬缚版的 1246092 狀態下固定之固定手段較佳。 據此，可防止上述金屬薄膜晶片與上述第二絕緣性基 板的偏移。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置中的上 述設置台以及加壓手段具有使上述微波通過的特性較佳。 如果依照上述構成，上述設置台以及加壓手段因具有 使微波通過的特性，故由上述微波產生手段產生的微波的 大半通過上述設置台以及加壓手段，到達金屬薄膜。因此， 可完成提高金屬薄膜的加熱效率之功效。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係上述 金屬薄膜由金構成較佳。 據此，為了使利用SPR法的檢測所使用的金蒸鍍晶片 的金蒸鍍膜面平坦化，使用與本發明有關的金屬薄膜晶片 製造裝置的情形，可完成可用低成本提供表面被良好地平 坦化的金蒸鍍晶片之功效。 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係接觸 上述第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表 面粗度較佳。 據此，在上述金屬薄膜晶片的金屬薄膜可轉移第二絕 緣性基板的面之lnm以下的表面粗度的輪廓。若能令上述 金屬薄膜的表面粗度為lnm以下，則在SPR法中也能再現 性佳地進行測定。 為了解決上述課題，與本發明有關的金屬薄膜晶片製 造方法，係使形成於第一絕緣性基板上的金屬薄膜的表面 10 1246092 平坦化，其特徵包含·· 表㈣板’由對金屬薄膜的 一直的方向央人上述金屬薄膜，並且加遷·以及 加熱製程，加熱金屬薄膜。 述二程=:=:膜晶^造方法係在上 上述金屬薄膜而加熱金段’藉由以磁通量貫通 在上述加壓製程以及加熱製程 =，點附近，並且加厂堅，可轉移二^ 板的表面粗度小者，可蚀入^冑由、擇弟一絕緣性基 叫丁丑沒j、者，可使金屬薄膜的表面平坦化。 而且’與本發明有關的金屬薄膜 述加熱製程中，藉由以忾、由^ 万法係在上 、 猎由以^波產生手段照射微波到上述金屬 溥版以加熱金屬薄膜較佳。 力严=，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造方法係上述 力程以及加熱製程係在真空中或惰性氣體環境，或在 舁大乳相同環境狀態的任—個中進行較佳。 據此’可防止金屬薄膜晶片的金屬薄膜的氧化， 止金屬薄膜的表面品質的劣化。 =且’與本發明有關的金屬薄膜晶片製造方法係上述 金屬薄膜係藉由蒸鍍法形成較佳。 本發明的再其他目的、特徵以及優點透過以下所示 記載可充分明瞭。 1246092 【實施方式】 ^對=糾有關的金屬_晶片製造裝置的實 一形悲、，根據弟i圖〜第6圖說明的話如以下所示。此 本發明並非限定於此實施形態。 制、二L J 本發明有關的金屬薄膜晶片 衣仏衣置的概略構成之剖面圖。如第1(a)圖所示，盘杯 明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係在容器（處理室）9内^ 一加麈手段13，包含絕雜基板3與加壓構件4 ; 一晶片設置台5 ;以及 一加熱裝置（加熱手段）12，包含線圈7與供給 带 流到此線圈（磁通量產生手段）7的電源8。 兒 而且，在上述容器9配設有排出該容器9 真空泵（空氣排出手段）U。 〕孔之 在上述金屬薄膜晶片製造裝置中，在晶片設置△ 的金屬薄膜晶片10。設置於晶片設置台5的金屬薄膜 曰曰片10係如第1⑹圖所示’被晶片設置台5與加壓手段 U夾住而被加壓。此時，金屬薄膜晶片ι〇中的金屬薄膜工 係與加壓=段13中的絕緣性基板3面對面（接觸）。此外， 上述金屬薄膜1係被絕緣性基板2與絕緣性基板3夾住而 被加壓。 而且，設置於晶片設置台5,被加壓的金屬薄膜晶片 10中的金屬薄膜1係被上述加熱裝置12加熱。針對此加 1246092 齡置12來朗。上述加歸置12中的_ 7邱 源8供給父流電源，則藉由線圈7會產生磁通量。^上、= ί屬賴晶片製造裝置中，由上述線圈7產生的磁通量^ 貝通被放置在上述晶以置台5的金屬薄膜晶片1()中的八、 ::::如此，若磁通量貫通上述金屬薄膜1，則由於ΐ 磁感應㈣電財該金屬_丨㈣錢。、 被此渦電流加熱到熔點。 守联i係 如上述，被加熱到溶點的金屬薄膜2的表面變軟 且由於此金屬薄膜1被絕緣性基板2與絕緣性基板3类 ΪΓί加壓’故在該金屬薄膜1的表面轉移有所接觸的絕 緣性基板3的面之輪廓。 如以上’在金屬薄膜晶片10的金屬薄膜i可轉移絕緣 性基板3的面之輪廓。此絕緣性基板3藉由使用與金 膜1接觸的面之表面粗度（面中的凹凸的大小）比金屬薄膜 1的表面粗度還小者，可改善金屬薄膜J的表面粗度。上 述絕緣性基板3的表面粗度，例如在藉由蒸錢形成上述金 屬薄膜1的情形，表面粗度為5nm，若可改善此表面粗纟 _ 的話佳，2mn〜lnm較佳，lnm以下更佳。若可令金屬薄膜1 的表面粗度為lmn以下，則在SPR法中也能再現性佳地'進 行測定。而且，也能直接以AFM(原子力顯微鏡）等觀測被 固定於表面的配基。 此外，由於絕緣性基板2以及絕緣性基板3是絕緣性 材料，故即使磁通量貫通，渦電流也不會被感應不會被加 熱。因此，在上述金屬薄膜晶片製造裝置中，可僅加熱金 13 1246092 可防止因絕緣性基板2以及絕雜基板3被加 屬薄膜1 熱而變形 而^藉由以真空泵U使容器9内成真空狀態，可防 取二：：胺晶片10的金屬薄膜1因氧化等而劣化。而且， 一泵11，配設將惰性氣體注入容器9内的惰性氣體 置換裝置也可以，據此，可防止 ⑴生孔體 膜“勺劣化。 了防止—曰曰片1〇的金屬薄 的偏:且两為了防止上述金屬薄膜晶片10與絕緣性基板3 :=ΓΓ定構件也可以。在本實施形態中，此固定 h 在上述中，加I手段U係 的it 與絕緣性基板3構成，惟分_緣性基板3 薄膜曰片1以°此情形’預先使絕緣性基板3附著於金屬 :=片10而設置於晶片設置台5，以加壓構件4加壓的 活也可以。 Μ「矸對谷構件來說明。

法制2金屬薄膜晶片Μ S為使利用習知的薄膜製β 1衣〜i屬溥膜1形成於絕緣性基板2的晶片，則巧 別限定’但可舉出藉由蒸鍍法或賤鍍法將金屬薄膜1薄 於絕緣性基板2之廉價的晶片。 … &、彖&基板2以及絕緣性基板3的材料若為絕緣 一；則不锊別限定，但以不易被利用線圈7進行金屬 =二的加熱時所產生的發熱量軟化的材料較佳。據此， 田^以及加熱金屬薄膜，不會有絕緣性基板2以及 14 1246092 =雜基板3變形。因此，在 日寸，可正確地將絕緣性基板2或 矛面）十一 凸轉移到金屬薄膜晶片10的金屬薄象二基，^^ 均句地使金屬薄臈的表面平；:面，可提供可更 置。 一之孟屬薄膜晶片製造裝 情二缘:L對T使在SPR法使用的金蒸鍍膜平坦化的 Γ緣基板2或絕職基板3仙料《玻璃材料較 而且力口壓構件4以及晶片設置台5 性材料，則不特別限定，但以石英祐;：5的材料若為絕緣 構件因接觸上、每、陶瓷較佳。這4匕 如加或绝緣性基板3,故繼 升’有因加髮使絕緣性基 极3的>皿度 能性。特別是加壓構 ，、雜基板3變形的可 損耗小的材料較佳。 及4設置台5的材料以介電 而且，在本實施形態中，金膜 雖然破加熱到金屬薄臈！的熔點，但 的金屬薄犋 以在金屬薄膜丨軟化 一限弋於此，也可 f溫度係受到由電源8:二膜、 響。上述交流電流的頻率 ▲'乂*電流的頻率影 成在線圈7。轉由此高密度；7磁^度㈣通量越會被生 的金屬薄膜〗，俾在里貝=屬薄膜晶片1〇 =短時間將金屬薄膜 或私點附近。Μ 加熱到炫點 …巴雜絲2 性基板3 15 1246092 的溫度上升有關，越長溫度越上升。因此 基板2以及絕緣性基板3的變 考慮、，、巴緣性 好。因此，為了以短時間加熱上述金屬二膜'广:越短越 電流的頻率以數KHz〜數職的頻率設定較佳。❿述^流 電流造成的金屬的發熱量⑽著金屬 的= 广電阻係數（sPeciilc resistance)或導:二 (Pen^blllty)的不同而不同，故上述交流 $

適宜地糟由金屬薄膜晶片1。的金屬薄膜！的材料來it了 而且’因金屬薄膜晶片1G的金屬薄们的加熱 J = = =圈7的交流電流的供給時間受上述加熱 的：;設;地藉由金屬薄膜晶片1〇的金屬薄… —而且’由上述加壓構件4以及晶片設置台5產生的加 壓何重如上述’對於加熱金屬薄膜1到熔點的情形，可用 左右將絕緣性基板3的表面的凹凸轉移到金屬

独卜故較佳。此外，此加壓荷重未被特別限定，若為 、、巴緣性基$ 2以及絕緣性基板3不破損的範圍的話即可， 可適亡地藉由上述金屬薄膜i的加熱時間以及加熱溫度、 金屬薄膜1的金屬種類以及金屬薄膜晶片10的金屬薄膜面 的面積來設定。 、 刀而且，在第1圖的金屬薄膜晶片製造裝置中，雖然藉 =、、巴、、彖丨生基板3由金屬薄膜1的垂直上方夾入設置於設置 口 5的金屬薄膜晶片1〇的金屬薄膜1，並且加壓，惟若為 由對i屬溥膜1的表面垂直的方向夾入的構成的話也可 16 1246092 以。例如金屬薄膜晶片製造裝置可舉出在第！圖中以加厚 構件4施加加㈣重的方向作為上方向，由橫方向（與上^ 上方向垂直的方向）夾入金屬薄膜之構成。 其次，說明與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置中 的金屬薄膜晶片製造方法的一例。 “首先準備使金屬薄膜1形成於絕緣性基板2的金屬薄 膜:片1G 〇其次’藉由加屢手段中的絕緣性基板3，由金 屬薄膜1的垂直上方夾入此金屬薄膜晶片1〇的金屬薄膜 1，並且加壓（加壓製程）。 、而且，藉由由加熱手段12中的線圈7，以磁通量貫通 上述金屬薄膜卜加熱金屬薄膜1(加熱製程）。此時，使容 ，9内成真空狀態或惰性氣體環境也可以。上述磁通量可 藉由由電源8供給交流電流到線圈7來使其產生。 〜藉由上述加壓製程以及加熱製程，加熱金屬薄膜】到 點或炫點附近’並且加壓，可將絕緣性基板3的面之輪 =轉移到金屬薄膜丨的表面。藉由選擇此絕緣性基板3的 表面粗度小者，可使金屬薄膜丨的表面平坦化。 士以上，藉由與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置 二及二薄膜晶片製造方法，因可—邊利用加壓手段加 二邊稭由線圈以短時間加熱藉由簡單廉價的蒸鑛法得 =金屬薄膜晶片的金屬薄膜，故此等製輯需花費的成 人使用问度的条鍛法的情形。再者，因可急速加熱 至氧缚膜晶片的金屬薄膜，故自動化也容易。 而且，當採用與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置 17 1246092 以及金屬薄膜晶片製造方法於特別是在spR法使用的全基 鑛晶片時，可迅速且大量地得到具有平坦的金驗膜面: 金悉鍍晶片。因此，在SPR法使用的金蒸鍵晶片可實現日 常使用程度的低成本，可得到再現性佳的數據。 而且’在本發明中加熱手段若為可加熱設置於設置 的金屬薄膜晶片的金屬薄膜，則未特別被限定。例如上^ 加，手段具備產生微波賴波產生手段也可以。加熱手段 ，藉由'、、、射到上述金屬薄膜晶片的金屬薄膜來加熱金屬薄 〇 照射微波到膜厚較大的金屬薄膜（膜厚數㈣數賴）的 情形’金屬薄膜的表面附近係自由電子的振動變的活躍而 被加熱。但是，因伴隨著此自由電子的振動的活躍化，後 續的微波無法進人金屬薄膜内部’故發生微波的多數在全 屬溥膜表面反射這種遮蔽效應。而且，若金屬薄膜表面附 近的自由電子的振動過於活躍，則會發生自由電子跳到空 中’或跳移到別的物體這種所謂的放電現象。因此，到此 為止加熱金屬的方法幾乎無利用微波照射。 仁疋可適用於本發明的金屬薄膜晶片製造裝置之例 如，金蒸鑛晶片之膜厚非常薄的金屬薄膜（膜厚nm等級） 的情形’金屬薄膜全體視為表面附近。因此，藉由適當地 调整照射的微波的供給量，金屬薄膜可加熱到炫點或炫點 附近的溫度’也就是說金屬薄膜可加制半熔解狀態。 〜而且’對於膜厚非常薄的的金屬薄膜的情形，若金屬 缚膜的表面附近的自由電子的振動過於活躍，則自由電子 18 1246092 會跳到空中，容易發生放電現象。但是，在本發明的金屬 薄膜晶片製造裝置中，加壓手段藉由第二絕緣性基板由對 金屬薄膜的表面垂直的方向夾入設置於設置台的金屬薄膜 晶片的金屬薄膜，並且加壓。因此，金屬薄膜變成在設置 台與第二絕緣性基板之間附著的狀態。因此，自由電子很 難跳到空中，可相當程度地抑制放電現象。 而且，加壓手段以及設置台為介電損耗小的材料較 佳。介電損耗大的情形不僅通過的微波少，也會被微波照 射而加熱，藉由熱傳導使第一絕緣性基板或轉移用的第二 絕緣性基板被加熱，故不佳。使用介電損耗小的材料的情 形，加壓手段以及設置台幾乎不被微波加熱。而且，加壓 手段以及設置台具有使微波通過的特性較佳。據此，由上 述微波產生手段產生的微波的大半均通過上述設置台以及 加壓手段，到達金屬薄膜。因此，可完成金屬薄膜的加熱 效率提高之功效。 具有此種通過微波的特性者例如可舉出硬質玻璃 (pyrex glass)、石英玻璃、石夕樹脂、聚苯乙烯、聚丙烯或 氟樹脂等的高分子材料。加壓手段以及設置台的材料使用 矽樹脂、聚苯乙烯、聚丙烯或氟樹脂等的高分子材料的情 形，特別是上述令金屬薄膜晶片製造裝置為由橫方向（與上 述上方向垂直的方向）夾入金屬薄膜之構成的情形較適合 使用。 其中，硬質玻璃因使微波的大半通過，且介電損耗小， 故微波的一部分被吸收，但因硬質玻璃其介電常數 19 1246092 (^dielectric constant)小，故即使被照射微波也不會變成 高溫。因此，被照射的微波的大半均貫通硬質玻璃製二加 屡手段以及設置台，到達金屬薄膜的表面。此外，硬 璃係當作家庭用微波爐的容器使用。 、 而且，石英玻璃因介電損耗比硬質玻璃小，可相當程 度地抑制來自加壓手段以及設置台的發熱，故更佳。田王 而且，與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝^當 利用微波照射的加熱的情形，具備在與大氣相同環^下^ 閉設置於上述設置台的金屬薄膜晶片之處理室較佳。 』利用高頻加熱裝置的加熱的情形，^環境中 活，金屬薄膜表面容易被氧化。因此，利 ;力了 r情形在真空中或在惰性氣體中加熱金屬薄 =疋’利用微波照射的加熱的情形，因微波具有還原 借=即使在氧存在的大氣中也能進行加熱。因此，盘呈 莆在”空狀態或在惰性氣體環境中密 ⑽ 理室的情形比較，可穿成僻备、隹”萄蹲膜曰曰月的處 室内置換這種工夫之功效。此外仃此=惰性氣體下的 出到外部，需要封閉的處理室“為了不使微波露 而且，微波產生手段中的微波的振 或振動時間或由加壓手段產 八卞、振動輸出 屬每膜的士， 座生的加壓何重可適宜地依照金 場所^ 崎歸料_類、金屬_晶片的設置 场所或處理室的空間構造等來設定 a %又置 振動頻率以及振動輸出的情形，即使振動時的 例如金屬薄膜晶片適用金蒸鑛晶片的情形，設=微 20 1246092 波的振動頻率2. 45〜100GHz、振動輸出0. 1〜2kW、振動時間 0. 1〜10分鐘較佳。 振動頻率2.45GHz係作為ISM頻帶（Industrial Scientific Medical bands)，無最大放射容許值的限制之 頻率，被開放於工業用、科學用、醫療用或家庭用的各種 機器或裝置。現在，作為工業用比此頻率還高的振動機已 被開發，被稱為磁旋管（gyrotron)。這種振動機有振動頻 率28GHz或100GHz者。但是，這種振動頻率高的振動機由 於價格高，故只有到5.8GHz為止者才具實用性。因此，可 適用於本發明的微波的振動頻率以2. 45〜5.8GHz特佳。 而且，如後述的實施例所示，當以振動輸出9 5 0W加熱 金屬薄膜時，相對於以5分鐘的微波照射，金屬薄膜變成 半熔解狀態，在3分鐘的微波照射中，加熱溫度還很低。 而且，得知若使振動輸出比950W還弱，則到金屬薄膜變成 半熔解狀態為止需相當長的時間（數十分鐘）。因此，微波 振動輸出可適宜地依照金屬薄膜的大小、絕緣性材料的種 類、金屬薄膜晶片的設置場所或處理室的空間構造等來設 定，但振動輸出為0. 1〜2kW較佳。此外，上述振動輸出係 每一片金屬薄膜晶片的振動輸出。同時加熱幾片金屬薄膜 晶片的情形需要金屬缚膜晶片的片數乘以振動輸出。對於 工業用大型振動裝置也有90kW者。 而且，振動時間可適宜地依照上述微波的振動頻率或 振動輸出、其他各種條件來設定，但設定為0. 1〜10分鐘較 佳。 21 1246092 而且，由加壓手段產生的加壓荷重可適宜地依照金屬 薄膜的強度來設定。金屬薄膜軟容易變形的情形，可設定 加壓荷重為小的值。而且，相反地溫度低不易變形的情形， 需要大的加壓荷重。如後述的實施例所示，利用微波照射 的加熱的情形，金蒸鍍膜被加熱到溶點附近，金蒸鍍膜變 成半熔解狀態。因此，藉由施加0. 30MPa的加壓荷重，可 轉移第二絕緣性基板的表面輪廓。因此，金屬薄膜完全熔 解變成液體狀態的情形，加壓荷重也可以為更低的荷重。 但是，使金屬薄膜為液體的狀態，施加低的加壓荷重的情 形，也有金屬流出的可能性。而且，相反地加大加壓荷重 的情形（比lOMPa大的情形），有第二絕緣性基板破損之 虞。因此，由加壓手段產生的加壓荷重以0. 1〜1 OMPa較佳。 更具體為藉由設定微波振動頻率2.45GHz、振動輸出 950W、振動時間5分鐘，設定由加壓手段產生的加壓荷重 為0. 30MPa，可實現金蒸鍍晶片的金蒸鍍膜的平坦化。 如以上，藉由微波加熱金屬薄膜，達成像半熔解狀態 般容易變形的狀態，加壓手段可藉由更小的加壓荷重（壓縮 應力）使金屬薄膜表面變形。因此，可更容易將第二絕緣性 基板的表面輪廓轉移到金屬薄膜表面。 而且，在利用微波照射的加熱中，加壓以及加熱的環 境未特別被限定，在大氣中、惰性氣體中或真空中均可。 與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置係如以上，包 含： 一設置台，設置有金屬薄膜晶片； 22 1246092 一加壓手段，藉由第二絕緣性基板，由對金屬薄膜的 表面垂直的方向夾入設置於設置台的金屬薄膜晶片的金屬 薄膜，並且加壓；以及 一加熱手段，加熱設置於設置台的金屬薄膜晶片的金 屬薄膜， 上述加熱手段具備產生磁通量的磁通量產生手段，俾 貫通設置於設置台的金屬薄膜晶片的金屬薄膜，藉由上述 磁通量加熱金屬薄膜，或者藉由微波的照射，加熱金屬薄 版晶片的金屬薄版。 據此，可加熱金屬薄膜到熔點或熔點附近，在金屬薄 膜的表面可容易轉移所接觸的第二絕緣性基板的面的輪 廓。因此，利用加壓手段的金屬薄膜的加壓可改善金屬薄 膜的表面粗度，可容易使金屬薄膜晶片平坦化。 以下在實施例中更詳細地說明本發明的較佳樣態，惟 此等實施例只是為了說明本發明，本發明當然不是限定於 此等實施例。熟習該項技術者在不脫離本發明的範圍下可 進行種種的變更、修正以及改變。 以下，針對金屬薄膜晶片ίο使用藉由蒸鍍法或濺鍍法 使金蒸鍍在玻璃基板（相當於絕緣性基板2)上的金蒸鍍晶 片之實施例來說明。金蒸鍍膜係相當於金屬薄膜1。 [實施例一：金蒸鍍膜的膜厚的測定] 在本實施例中，測定上述金蒸鍍晶片中的金蒸鍍膜的 膜厚。 利用鑷子（pincette)抓搔金蒸鑛晶片的金蒸鍍膜面， 23 1246092 使其損傷露出玻璃基板後，利用原子力顯微鏡（AFM)進行金 蒸鍍膜的表面觀察。第2圖係顯示以AFM進行表面觀察， 在金蒸鍍膜的表面之預定的直線的表面粗度輪廓圖。金蒸 鍍膜的表面上的C點的位置係表示未被鑷子抓搔的位置的 表面形狀。而且，D點的位置係表示在被鑷子抓搔損傷， 露出絕緣性基板2的位置的表面形狀。此外在同圖中，X 方向係表示金蒸鍍膜之預定的直線的方向，z方向係表示 假設該直線中的金条鍵膜的表面為平坦時的垂直方向。 如第2圖的表面輪廓所示，在金蒸鍍膜的表面的C點 與D點被看到明確的層差。在C點與D點測定垂直距離的 差後約為50nm。得知D點由於是露出玻璃基板的位置，故 金蒸鍍膜的膜厚為50nm。 [實施例二：平坦化用玻璃基板的表面粗度的測定] 測定與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置中的當作 絕緣性基板3使用的平坦化用玻璃基板之與金屬薄膜晶片 10的金屬薄膜1的表面接觸的面的表面粗度。 在上述平坦化用玻璃基板中，利用AFM進行與金屬薄 膜晶片10的金屬薄膜1的表面接觸的面之觀察。第3圖係 顯示以AFM進行上述平坦化用玻璃基板的表面觀察之在與 金屬薄膜1的表面接觸的面的預定的直線的表面粗度輪廓 圖。此外在同圖中，X方向係表示與平坦化用玻璃基板的 金屬薄膜1的表面接觸的面之預定的直線的方向，z方向 係表不假設該平坦化用玻璃基板的面為平坦時的垂直方 向。 24 1246092 由第3圖的表面粗度輪廓圖得知上述平坦化用玻璃基 板的表面粗度的值為1 nm。此外，此表面粗度的值為表面 粗度輪廓圖中的接鄰的山與谷的高度差。因此，表面粗度 的值越大，表面的凹凸越大。 [實施例三：利用與本發明有關的金屬薄膜晶片製造裝置之 金蒸鍵膜的平坦化] 使用上述金屬薄膜晶片製造裝置進行上述金蒸鍍膜的 平坦化。此金蒸鍍膜如在實施例一所示為5Onm。而且，金 蒸鍍膜的面積為3腿x5mm=15mm2。此外，絕緣性基板3係 使用在實施例二使用的平坦化用玻璃基板。 首先，利用AFM觀察上述金蒸鍍膜的表面。第5圖係 顯示以AFM進行金蒸鍍膜的表面觀察之預定的直線中的表 面粗度輪廓圖。此外在同圖中，X方向係表示金蒸鑛膜面 之預定的直線的方向，z方向係表示假設該直線中的金蒸 鍍膜的表面為平坦時的垂直方向。由第5圖的表面粗度輪 廓圖得知上述金蒸鍍膜的表面粗度的值為5nm。 而且，在本實施例中加壓構件4以及晶片設置台5係 使用石英玻璃製者，以進行上述金蒸鍍膜的平坦化。此外， 藉由加壓構件4施加給金蒸鍍膜的加壓荷重係以壓縮應力 IMPa。令容器9為真空狀態，供給1. 7KHz的交流電流至線 圈7，加熱金蒸鍍膜30秒鐘。再者在本實施例中，以賽璐 紛帶（cellophane tape)當作固定構件來固定，俾金蒸鍍晶 片與平坦化用玻璃基板不會偏移。 得知加熱後，在上述賽璐紛帶完全看不到變化，賽璐 25 1246092 玢帶不被加熱。而且，針對上述金蒸鍍晶片的玻璃基板， 也能在剛加熱後以手觸摸。此點顯示金蒸鍍膜僅藉由線圈 7加熱。而且，顯示由在線圈7的内侧產生的滿電流造成 的上述金蒸鍍膜的總發熱量低。 以AFM觀察進行上述處理的金蒸鍍膜的表面。第4(a) 以及（b)圖是顯示以AFM進行表面觀察之在金蒸鍍膜面的 預定的直線的表面粗度輪廓圖。此外在同圖中，X方向係 表示金蒸鍍膜面之預定的直線的方向，z方向係表示假設 該直線中的金蒸鍍膜的表面為平坦時的垂直方向。 如第4(a)圖所示，利用與本發明有關的金屬薄膜晶片 製造裝置處理的金蒸鍍膜的表面粗度的值為1 nm。此表面 粗度的值與在實施例二使用的玻璃基板的表面粗度的值相 等，顯示玻璃基板的玻璃表面的輪廓被轉移到金蒸鍍膜的 表面。據此，得知金蒸鍍膜的表面的輪廓被改變成平坦的 表面。 而且，如第4(b)圖所示，也能看見在金蒸鍍膜的表面 中凹凸較大的部分。此部分的表面粗度的值為2歷。此點 可考慮為因對轉移時的金蒸鍍晶片的金蒸鍍膜的表面之壓 縮荷重不足，故金被填充到平坦化用玻璃基板的面不充 分。因此，此表面粗度可藉由增加壓縮荷重來改善。 [比較例一]

本案發明者也檢討藉由不加壓而加熱金蒸鍍的絕緣性 基板，使絕緣性基板上的金蒸鍍粒子凝集成長，使金蒸鍍 膜表面凹凸平坦化的方法。若以比金的再結晶溫度（200°C 26 1246092 附近）還高的溫度加熱，則金蒸鍍粒子以界面能 (^nterfadal energy)當作驅動力而凝集成長，使金蒸鍍 膜平:L·化i_是’若加熱溫度高，則絕緣性基板會軟化， 故無法使金蒸鑛膜平坦化。因此，加熱溫度必須設為比玻 璃的軟化點50(TC還低的溫度。因此，嘗試當設加熱溫度 為500°C時，使金蒸鍍膜凝集成長而平坦化的方法。 在真空中以l〇(TC/h加熱金蒸鑛晶片到5〇〇。〇。而且， 加熱後以5帆保持1〇小時或3M、時，幻⑽。c/ 到室溫。 · β以㈣進订此金蒸鑛膜的表面的觀察。帛…）以及^ 圖疋”4示以AFM進行金僅膜的表面觀察之預定的直線£ 的金蒸鑛膜的表面粗度輪廓圖。此外在同圖中，X方向$ 表示金蒸麵面之預定的直_方向，z方㈣表示假言 δ亥直線中的金蒸錢膜的表面為平坦時的垂直方向。第心 圖係顯示以5GG°C保持1G小時時的金蒸賴的表面粗度輕

==6⑹圖係顯示以50{rc保持3M、時時的金蒸娜 的表面粗度輪廓圖。 如第6(a)以及（b)圖所示，凝集粗大化的部分（第6(a) 圖々的表面區域以及第6(b)圖的Η的表面區域)的表面 粗度的值為2nm。另-方面，未凝集粗大化 圖的W域以及w(b)_G的表面區域）的表(面) 粗度的值為5nm。其結果得知當以加熱溫度為5 賴凝集絲時，金蒸_子凝㈣大化。金㈣粒子的 ;'且化係保持30小時的情形比保持10小時的情形還更進 27 1246092 行◦但是，即使是保持30小時的情形，凝集粗大化也是局 部的，也看到未凝集粗大化的部分。保持更長時間的情形， 可預料金蒸鍍膜的表面粗度也在金蒸鍍膜表面全體變成均 勻（表面粗度的值為2nm)。但是，對於使金蒸鍍膜表面平 坦化的凹凸，因僅以界面能當作驅動力而利用，故金蒸鍍 粒子的凝集粗大化速度相當慢，在成本上有問題。 [實施例四] 使用本發明的金屬薄膜晶片製造裝置進行金蒸鍍膜的 平坦化。此金蒸鍍膜的面積為13丽xl0mm=130mm2。 以表面粗度為lnm以下的平坦化用玻璃基板（第二絕 緣性基板）夾入金蒸鍍膜，對金蒸鍍膜垂直地施加壓縮荷 重。此外，上述壓縮荷重用的石去碼（加壓手段）係使用硬質 玻璃板。而且，上述壓縮荷重的增減調整係藉由變更硬質 玻璃板的片數來進行。 而且，在大氣環境中，藉由照射微波到金蒸鍍膜，進 行金蒸鍍膜的平坦化。微波產生手段係使用頻率2.45GHz、 振動輸出950W者（市面上販售的微波爐）。而且，金蒸鍍膜 平坦化用的溫度調整係藉由改變微波振動時間來進行。 而且，金蒸鍍膜平坦化後，以AFM觀察金蒸鍍膜表面。 在本實施例中以壓縮荷重39. 2N(壓縮應力 0. 30MPa)、微波振動時間5分鐘進行實驗，藉由AFM觀察 金蒸鍍膜的表面。顯示利用AFM的觀察結果所得的金蒸鍍 膜的表面輪廓於第7圖。如第7圖所示，得知金蒸鍍膜的 表面粗度為lnm左右，平坦化用玻璃基板的表面的凹凸被 28 1246092 轉移。 [比較例二] 除了令微波振動時間為3分鐘外，其餘進行與上述實 施例四一樣的操作，藉由AFM觀察金蒸鍍膜的表面。其結 果金蒸鍍粒子的凝集被觀察到。此點暗示金蒸鍍膜被加熱 到高溫。顯示利用AFM的觀察結果所得的金蒸鍍膜的表面 輪廓於第8圖。如第8圖所示，金蒸鍍膜的表面粗度比微 波振動前還大。因此，可考慮為在微波振動時間3分鐘中 因蒸鍍微粒子凝集而粗大化者的降服應力還高，故在 0. 30MPa的壓縮應力中，金蒸鍍膜未充分變形，平坦化用 玻璃基板的表面的凹凸不被充分轉移。此外，雖然令微波 振動時間為20分鐘，但不會發生放電。 由上述實施例四與上述比較例二，針對微波加熱中的 加熱條件以及加壓荷重的最佳條件來考察。 平坦化用玻璃基板的表面的凹凸是否被轉移到金蒸鍍 膜表面係依存於金蒸鍍膜的降服應力的大小與經由平坦化 用玻璃基板作用的壓縮應力的大小。若上述降服應力小的 話，即使上述壓縮應力小也能轉移到金蒸鍍膜表面。但是， 降服應力大的情形，若不相當程度地加大壓縮應力，則無 法轉移到金蒸鍍膜。而且，上述降服應力係金蒸鍍膜的溫 度越高越降低。特別是金蒸鍍膜為半熔解狀態的情形，降 服應力變的極小。 在上述實施例四中，以輸出950W振動微波5分鐘，進 行金蒸鍍膜的平坦化。此金蒸鍍膜的表面輪廓係顯示於第 29 1246092 7圖。在實施例四中可考慮為在僅僅〇·3〇Μρ&的壓縮應力 中，平坦化用玻璃基板的表面凹凸可被轉移到金蒸鍍膜， 故金蒸鍍膜藉由利用微波的加熱變成半熔解狀態。另一方 面如上述比較例二，振動微波3分鐘的情形，如第8圖所 不可考慮為在0· 30MPa的壓縮應力中，平坦化用玻璃基板 的表面凹凸無法充分被轉移到金蒸鍍膜。此點如上述可考 f為因金蒸鍍膜的溫度低一些，但降服應力仍高。因此， 藉由提高壓縮應力到超過降服應力的大小，可改盖 膜的表面粗度。 ϋ 另方面，加大微波的振動輸出的情形，可考慮為以 更短的時間使金蒸鍍膜變成半熔解狀態。由處理時間的缩 ，與金蒸鍍晶片的大量生產的面考慮，振動輸出大的較 佺。此外，業務用的微波振動機係振動輸出由1· 5kW到更 大功率者，這些均在市面上販賣。 X上為了將平坦化用玻璃基板的表面凹凸轉移到 金条錄膜表φ，適當地選定微波的供給量（振動輸出以及振 動時間）與壓縮荷重（壓縮應力）係相當重要。 此外，在用以貫施發明的最佳的形態的項目中所進行 的具體的實施態樣或實施例只不過是使本發明的技術内容 明瞭，不應僅狹義地限定解釋成這種具體例，在本發明的 精神與以下所記載的申請專利範圍内，可進行種種變更而 實施。 曰=本發明有關的金屬薄膜晶片製造方法以及金屬薄膜 曰曰片w造裝置以及金屬薄膜除了在使用具有求出平坦度的 30 1246092 SPR法寺的金屬薄胺曰 馭之曰曰片的測定機器等被使用外，對於 在雷射的反射鏡箄的田、A A m J ^ 、用达使用的金屬薄膜的平坦化也能使 【圖式簡單說明】 第1(a)圖以及第lih)^ θ 曰片制、Α壯# )圖疋頌不與本發明有關的金屬薄患 曰日片衣造裝置的概略構成之剖面圖。 第2圖係以AFM進行表面觀察

的直線的表面粗度輪廓圖。 ’，、、鑛_表面之預定 ^卿進行上述平坦化用玻璃基板的表面觀察之 廓圖n桃的表面接觸的面的預定的直線的表面粗度輪 =圖t備在被與本發明有關的金屬相晶片製造裝 之預二Γ化的金療鍍膜的表面進行金蒸鍍膜的表面觀察 :預疋的直線中的金蒸鍍膜的表面粗度輪廓圖。 ” 弟5圖係以AFM在未被與本發明有關的金

化的金蒸鑛膜的表面進行金蒸鑛二^ 不之預疋的直線中的金蒸鍍膜的表面粗度輪 弟=)圖係謂Μ細5G(TC簡1Μ、㈣的金蒸鑛膜進 仃孟洛鑛膜的表面觀察之預定的直線中、 粗，圖’第咖係以AFM在以5〇〇^ =洛鑛㈣行金威膜的表面觀察之預定的直線 瘵鍍膜的表面粗度輪廓圖。 、’ 第7圖係以頻率2.職、振動輸出95〇w、壓縮荷重 31 1246092 39. 2N(壓縮應力〇.3〇MPa)、微波振動時間5分鐘進行丧 驗’藉由AFM得到金蒸鍍膜的表面之金蒸鍍膜的表面:二 輪廓。 又 縮 荷重 第8圖係以頻率2.45GHz、振動輪出95OW、壓 39.2N(壓縮應力0.30MPa)、微波振動時間3分鐘進二+

驗，藉由AFM得到金蒸鍍膜的表面之金蒸鍍膜的表订貝 輪廓。 X

【主要元件符號說明】 金屬薄膜 絕緣性基板（第一絕緣性基板） 絕緣性基板（第二絕緣性基板） 加壓構件（絕緣性加壓手段） 晶片設置台（設置台） 固定構件（固定手段） 線圈

電源 容器 10 :金屬薄膜晶片 11 :真空泵（空氣排出手段） 12 ·加熱裝置（加熱手段） 13: 加壓手段 32

Claims (1)

1. !246〇92 十、申清專利範圍： 1、膜晶片製造裝置，係使形成於第-絕緣性基 板上的孟屬薄膜的表面平坦化，其特徵包含·· 一設置台，設置有該金屬薄膜晶片； a ^ ’藉由第二絕緣性基板，由對金屬薄旗 直的方向夾入設置於設置台的金屬薄膜晶片 的i屬溥膜，並且加壓；以及

   力熱手^又，加熱设置於设置台的金屬薄膜晶片的 金屬薄膜。 如申請專利範圍第丨項所述之金屬薄膜晶片製造裝置， =中該加熱手段具備產生磁通量的磁通量產生手段，俾 貝通设置於設置台的金屬薄膜晶片的金屬薄膜，藉由該 磁通量加熱金屬薄膜。 曰 如申請專利範圍第2項所述之金屬薄膜晶片製造裝置， /、中TT亥加熱手#又為具備當作該磁通量產生手段的線圈 之高頻加熱裝置。

   如申請專利範圍第丨項所述之金屬薄膜晶片製造裝置， 其中該加熱手段係藉由微波的照射來加熱金屬薄膜晶 片的金屬薄膜。 如申請專利範圍第4項所述之金屬薄膜晶片製造裝置， 其中該加熱手段為具備產生照射到該金屬薄膜晶片的 金屬薄膜的微波之微波產生手段的介電加熱裝置。 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬薄 膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由介電 33 Ϊ246092 損耗小的材料構成。 '如中請專利範圍第彳$ ^ 固弟1項至弟5項中任一項所述之金屬薄 膜晶片製造裝置，其中包含： ^處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設置 於該設置台的金屬薄膜晶片。 、如申請專利範圍第彳 ^ θ u & 固弟1項至弟5項中任一項所述之金屬薄 膜日日片製造襄置，立Φ ^ 、 7、中違3又置口以及加壓手段係由介電 扣耗小的材料構成，並且包含： A處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設置 ;邊设置台的金屬薄膜晶片。 、：申曰=,第1項至第5項中任-項所述之金屬薄 胰曰曰片製造裝置，其中包含： 10 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 台的金屬薄膜晶片。 如申請專利範圍第1 固罘1貝至弟5項中任一項所述之金屬 /專膜日日片製造裝詈，盆φ兮 八 衣置其中该故置台以及加壓手段係由 Μ电損耗小的材料構成，並且包含： -處理室’在與大氣相同環境下封閉設置於該設 11 置口的金屬薄膜晶片。 :申：專利範圍第！項所述之金屬薄膜晶片製造裝 置’其中包含： ㈣^定手段，在藉由第"絕緣性基板夹入有金屬 4 ^曰曰片的金屬薄膜的狀態下固定。 12如申請專利範圍第1項至第5項φ紅 貝弟D項中任一項所述之金屬 34 1246092 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定。 13、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成5並且包含· 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定。 14、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定。 15、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成’並且包含· 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 35 1246092 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定。 16、 如申請專利範圍第4項或第5項所述之金屬薄膜晶片 製造裝置’其中該設置台以及加壓手段具有使該微波 通過的特性。 17、 如中請專利範圍第！項至第5項中任—項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該金屬薄膜係由金構成。 18、 =請專利範圍第1項至第5項中任-項所述之金屬 2膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 ”包拍耗小的材料構成，並且該金屬薄膜係由金構成。 =申明專利fell第丨項至第5項中任—項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構 20

   如申請專利範圍第1 γ 乐1貝至罘5項中任一項所述之金』 溥膜晶片製造裝詈，1i $

   人 、衣置其中该设置台以及加壓手段係^ ;丨电扣耗小的材料構成，並且包含： 置二 在真空狀態或情性氣體環境下細 成。… °的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金书 21 一 36 1246092 22、^申請專利範圍第丨項至第5項中任—項所述之金屬 溥膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成，並且包含·· 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構成。 3、如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜晶片製造裝 置’其中包含： —一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 金構成。 24、 Μ請專利範㈣！項至第5項中任—項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及 ^ 固疋手奴，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 缚膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 金構成。 25、 ：申請專利範圍第！項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成，並且包含： 一處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及兄下山閉0又 〜-固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 ㈣晶片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 上246092 金構成。 26 b中請專利範圍第1 s Μ ς s + 薄膜晶片製造裝置’其中包含^任—項所述之金屬 置台的:二目同環境下封閉設置於該設 薄膜段’在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 金構成日。走屬溥膜的狀態下固定’該金屬薄膜係由 27 如申睛專利範圍第 薄膜晶片製造裳置，項所述之金屬 介電損耗小的材料構成::包置二及加壓手段係由 晋么沾t至’在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片；以及 薄膜=定手段’在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 金構:片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 28利範圍第4項或第5項所述之金屬薄膜晶片 =置，其中該設置台以及加壓手段具有使該微波 通過的特性，該金屬薄膜係由金構成。 、:二：專利範圍第i項至第5項中任一項所述之金屬 晶片製造裝置，其中接觸該第二絕緣性基板中的 孟》薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 30、^申請專利範圍第！項至第5項中任一項所述之金屬 轉晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 38 1246092 31 介電損耗的材料構成，並且接觸該第二絕緣性基板 中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 如申請專利範圍第1項至第5項中任-項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 ;。亥.又置口的金屬薄膜晶片，接觸該第二絕緣性基 板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 、=請專利範圍第丨項至第5項中任_項所述之金屬 =¾晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 η電損耗小的材料構成，並且包含·· ▲處理至’在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 。又置口的金屬薄膜晶片，接觸該第二絕緣性基 板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 如申請專利範圍第彳工音$楚ς ㈣曰項巾任—項所述之金屬 潯馭晶片製造裝置，其中包含： t至’在與大氣相同環境下封閉設置於該設 34 屬；膜晶片，接觸該第二絕緣性基板中的金 蜀潯fe的面具有lnm以下的表面粗度。 =請專利範圍第丨項至第5項中任—項所述之金屬 潯膜晶片製造裝置，1中令π w 衣i 台以及加壓手段係由 电抽耗小的材料構成，並且包含： 晋二:在與大氣相同環境下封閉設置於該設 屬；膜膜晶片’接觸該第二絕緣性基板中的金 屬潯肤的面具有lnm以下的表面粗度。 39 1246092 35、如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜晶片製造裝 置，其中包含： 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，接觸該第二絕緣 性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 3 6、如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，接觸該第二絕緣 性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 37、如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成’並且包含· 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片；以及 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，接觸該第二絕緣 性基板中的金屬薄膜的面具有1 nm以下的表面粗度。 3 8、如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片；以及 40 1246092 一 一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固^，接觸該第二絕緣 性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 、=請專㈣圍第1項至第5項巾任-項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成，並且包含： 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置0的金屬薄膜晶片；以及 ，〜一固定手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 薄勝晶片的金屬薄膜的狀態下固定，接觸該第二絕緣 性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的表面粗度。 Ί專軸圍第4項或第5項所狀金屬薄膜晶片 衣這衣置其中邊没置台以及加壓手段具有使該微波 通過的特性，並且接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄 臈的面具有lnm以下的表面粗度。 ” t明專利&圍第1項至第5項巾任—項所述之金屬 ㈣曰:片製造裝置’其中該金屬薄膜係由金構成，接 觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有1·以下 的表面粗度。 42、=請專利範圍第丨項至第5項中任—項所述之金屬 ί:晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗^的材料構成’並且該金屬薄膜係由金構成 、’接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有！⑽ 以下的表面粗度。 41 1246092 43、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構 成，接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有lnm 以下的表面粗度。 44、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成’並且包含· 一處理室，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構 成，接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有lnm 以下的表面粗度。 45、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構成，接觸 該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具有lnm以下的 表面粗度。 46、 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中該設置台以及加壓手段係由 介電損耗小的材料構成’並且包含· 一處理室，在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片，該金屬薄膜係由金構成，接觸 42 1246092 /第一、纟巴緣性基板中的金屬薄膜的面具有以下的 表面粗度。 、如申請專利範圍第丨項至第5項中任—項所述之金屬 薄膜晶片製造裝置，其中包含： —口疋手#又在藉由弟二絕緣性基板夾入有金屬 薄膜晶片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 金構成，接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具 有1 nro以下的表面粗度。 ^申/月專利I巳圍第i項至第5項中任一項所述之金屬φ 溥膜晶片製造裝置，其中包含： 處理至，在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置於該設B的金屬薄膜晶片；以及 一 一固疋手段，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 — ，晶片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 :構成、接觸4第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具 有1 nm以下的表面粗度。 、如申請專利範圍第】 φ — 乐1項至乐5項中任一項所述之金屬 溥膜晶片製造裝置，广 罝，、中该汉置台以及加壓手段係由 ’丨電損耗小的材料構成，並且包含： 罢认外f理至’在真空狀態或惰性氣體環境下密閉設 置；设置台的金屬薄膜晶片；以及 賓眩曰，在藉由第二絕緣性基板夾入有金屬 溥膜晶片的金屬薄胺# 蜀磚肤的狀悲下固定，該金屬薄膜係由 金構成5接觸該塞-α α甘 —、、、巴、、彖性基板中的金屬薄膜的面具 43 1246092 50 51 52 有1 nm以下的表面粗度。 如申請專利範圍第1項牵笙 i 貝至乐5項中任一項所述之金屬 缚膜晶片製造裝置，其中包含： w △處理至，在與目同環境下封閉設置於該設 置台的金屬薄膜晶片；以及 -固定手段，在藉由第二絕緣性基板爽入有金屬 片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 =成，接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面呈 有lnm以下的表面粗度。 、 如申凊專利範圍第1項牵镇 、至弟5項中任一項所述之金屬 /專膜曰曰片製造褒置，盆中兮 /、中忒5又置台以及加壓手段係由 ;丨电損耗小的材料構成，並且包含： -處理室’在與大氣相同環境下封閉設置於該設 置〇的金屬薄膜晶片；以及 二固定手段’在藉㈣二絕緣性基板夾入有金屬 二二曰片的金屬薄膜的狀態下固定，該金屬薄膜係由 =冓成’接觸該第二絕緣性基板中的金屬薄膜的面具 有lnm以下的表面粗度。 1!:專利乾圍第4項或第5項所述之金屬薄膜晶片 =衣置’其中該設置台以及加壓手段具有使該微波 =的#性’ g金屬薄膜係由金構成，接觸該第二絕 土板中的金屬薄膜的面具有1 nm以下的表面粗 度。 絕緣性 53、一種金屬薄膜晶片製造方法，係使形成於第- 44