TWI245950B - Liquid crystal display apparatus - Google Patents

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1245950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 本申請案係依據1999年3月19日申請之曰本專利申請 案平-1 1-076802及平-11-076084，其所有内容將併此提供 參考。 本發明係有關於一種液晶顯示器裝置及使用該裝置之 電子儀器，特別有關於一種主動矩陣式的液晶顯示器裝置 ，其具有例如薄膜電晶體（以下簡稱“TF丁”）的半導體主 動元件作為各像素的切換元件，及關於一種使用該液晶顯 示器裝置的電子儀器。 在一主動矩陣式液晶顯示器裝置中，有許多的掃描線 乃以橫排方向列設，及許多的信號線以直行方向列設。在 該等掃描線與信號線之矩陣圖案的各交又點處乃設有一像 素。各像素包含一像素電極與一切換元件連接於該像素電 極。該主動矩陣液晶顯示器的像素影像資料係由該切換元 件之啟閉來控制。而該裝置的顯示介質即為液晶。 MIM(金屬絕緣體金屬）元件或三極元件，特別是具有 一閘極、源極與汲極的TFT，乃被用來當作該切換元件。 在此說明書中，一連接於一像素電極的電流端子乃稱為汲 極，而連接於一信號線的另一電流端子則稱為源極。一包 括一像素電極及一 TFT的單元乃稱為一像素。一影像會被 顯示於一像素區域單元中，而有許多的像素被以一矩陣圖 案列設。 以橫排方向列設之各排掃描線（閘極線）係連接於該排 之TFTs的閘電極。以直行方向列設之各行信號線（源極線） 則連接於該行TFTs的源極。一可驅動該掃描線的電路 -------I ^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 --------^--- 五、發明說明（2 ) 稱為掃描線驅動電路，而可驅動信號線的電路則稱為信號 線驅動電路。一可驅動該顯示單元包括該等掃描線與信號 線驅動電路者，則統稱為一周邊電路。 種使用TFTs當作像素電極的切換元件之主·動矩陣 液晶顯不器裝置，比在一對基板上設有交又線路的單純矩 陣液晶顯示器裝置，更適用於多像素而可提供更清楚的影 像。近來，大多數的個人電腦、視頻攝影機（取景器）及類 似物等之顯示單元，皆使用主動矩陣液晶顯示器裝置。 有許多的像素電極與薄膜電晶體被設在一透明玻璃基 板上，以製造一主動矩陣液晶顯示器裝置。伴隨著高溫退 火的矽結晶化處理係難以使用於一透明玻璃基板。而因一 液晶顯不器裝置須使用丁FTs，故可在低溫製造的非晶質 矽TFTs乃已被使用。 但是’在非晶質矽中之電子與孔的移動率係小到大約 lcm2Ns。使用非晶質矽的非晶質矽TF丁作為通道層將不易 以高速來切換。為解決此問題，以下之結構乃被推离。即 是，將設在一單晶矽基板上之周邊電路的晶片，裝設在該 液晶顯示器裝置的玻璃基板上，或以一具有周邊電路晶片 的可撓電路板黏合於該玻璃基板。 將非晶質矽經由雷射退火來結晶化的技術亦已被採用。 假使設在一主動矩陣式液晶顯示器裝置之TFT基板上 的像素電極係由反射電極所製成，則可形成一反射式液晶 顯示器裝置。 若為一透射式液晶顯示器裝置則該反射式液晶顯示器 裝置並不需要底光。相較於一透明液晶顯示器裝置，其乃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

--------訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 A7 B7 五、發明說明（3 ) 可被製得更低耗電、更薄，更小巧而更輕。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一反射式液晶顯示器裝置係可易於被使用在一投影面 板。一使用反射式液晶顯示器裝置的投影面板，乃能比一 透射式的液晶顯示器面板被製得更為小巧而精確，·並可使 用更便宜的光學系統。此外，使用反射式液晶顯示器裝置 的投影面板’乃可被製成具有超高亮度。由於較低的光學 衰減並易於冷却面板，故其亦具有高可靠性。 但是，一習知的反射式液晶顯示器裝置乃具有以下的 問題： (1) 耦合的問題 電耦合會發生在反射電極、信號匯流線與TFTS中。 一液晶顯不is裝置之電特性及光學品質，將可能被閃燦電 容與串音電容所劣化。 (2) 被光電流所串音的問題 在一反射式液晶顯示器裝置中，穿經一相對基板（第 二基板）的光，乃可能經由一反射電極之間隙而入射在第 一基板上。假使該等光進入顯示單元的像素TFT中，則TFT 所產生的光電流乃可能造成顯示的劣化，例如串音。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了降低一液晶顯示器裝置之製造成本並提高製造效 率，乃希能將一顯示單元及一周邊電路整體地製造在相同 基板上。 本發明之一目的係在提供一種液晶顯示器裝置，其具 有一周邊電路與一顯示單元形成—體，並能提供高速操作 本發明之另-目的係、在提供—種反射式液晶顯示器裝 6 - 1245950

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 本發明之另一目的係在提供一種反射式液晶顯示器裝 置，其具有細小像素設在一顯示單元内，及一種使用該等 反射式液晶顯示器裝置之顯示面板。 依據本發明之一態樣，乃在提供一種液晶顯示器裝置 ，包含·一第一基板；一顯示區設在該第一基板上，而包 括多數像素以矩陣圖案狀，多數的掃描線以橫排方向延 伸，及多數的信號線以直行方向延伸，其中在該等掃描線 與信號線之各交又點處乃連接一像素，而各像素包含一半 導體主動元件及-像素電極；_第—周邊電路以橫排方向 列設在該第一基板的相對端部，並包括一掃描線驅動電路 含有半導體主動元件可驅動該等掃描線，一第二周邊電路 以直订方向列設於該第一基板的相對端部，並包括一信號 線驅動電路含有半導體主動元件可驅動該等信號線；-透 明的第二電極與該第_電極相向對設；—液晶層夾設於該 第-與第二基板之間；及_黑色罩膜設在該第二基板的内 表面上，而覆蓋該第二周邊電路之至少一部份區域。 依據本發明之另-悲樣，乃在提供一種反射式液晶顯 不姦裝置’包含：一第一基板含有一顯示區具有多數像素 以矩陣圖案列設；-第二基板與該第-基板相向對設，並 設有一第一共同電極；及一液晶層夾設於該第一與第二基 板之間’·其中該第-基板的顯示區包含··多數的半導體主 動7L件以矩陣圖案列設，各具有一源極、一汲極與一問極 ;一層間絕緣膜覆蓋該等半導體主動元件；多數的掃描線 設在該層間絕緣膜中，各可連接以橫排方向列設的半導體

本紙張尺度·中國國家標準（CNS)A^^⑽x 297公爱） --------tr---------線#1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 _ - ___B7___ 發明說明（5 ) 主動元件之閘極；多數的信號線設在該層間絕緣膜中，各 可連接以直行方向列設的半導體主動元件之源極；一第二 共同電極以較高於該等掃描線與信號線的水平設於該層間 絕緣膜中，覆蓋多數的像素，而電連接於該第一共同電極 ，並在各半導體主動元件的汲極上方具有一開孔；及多數 的像素電極設在該層間絕緣膜上，各係貫穿一設在該層間 絕緣膜中對應於該開孔區域的接觸孔，而連接於一對應半 導體主動元件之汲極，該像素電極係就各像素而分開，並 透過該液晶層而與該第一共同電極相對。 如上所述，在一設有周邊電路的液晶顯示器裝置中， 一絕緣的黑色罩膜乃被製成，而覆蓋該構成信號線驅動電 路的周邊電路薄膜電晶體之至少一部份區域。因此，其乃 可防止入射光所造成的TFTS之故障，亦可避免較大的寄 生電容，而保持該周邊電路的高速操作性能。 藉著使用本發明之反射式液晶顯示器裝置，乃可達到 該反射式液晶顯示器裝置的高度整合與高性能。 圖式之簡單說明 第1圖案係本發明第一實施例之液晶顯示器裝置的平 面圖。 第2圖係該第一實施例之液晶顯示器裝置的等效電路 圖。 第3 A與3 B圖係為剖視圖主要示出該第一實施例的液 晶顯示器裝置之一像素TFT，第3A圖示出一底閘式TFT， 而第3B圖示出一頂閘式tft。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ——ΠΦ------, —訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950^ 、 A7 •__B7 、發明說明（6 ) 第4圖係為為第一實施例之液晶顯示器裝置的剖視圖 ，示出沿第1圖案之IVa-IVb線所採的截面及該掃描線驅動 電路的一邊； 第5圖係為第一實施例之液晶顯不裝置的電路圖， 示出該掃描線驅動電路。 第6圖係為第一實施例之液晶顯示器裝置的電路圖， 示出該信號線驅動電路。 第7A與7B圖係為第一實施例之液晶顯示器裝置的電 路圖，示出該信號線驅動電路，第7A圖係構成一移位寄 存器之觸發電路的電路圖，而第7B圖為一緩衝電路的電 路圖。 第8圖係為該第一實施例之液晶顯示器裝置的剖視圖 ，示出沿第1圖所採的Vffla-VDIb線之截面及該信號線驅動電 路的一邊。 第9圖係為該第一實施例修正例之液晶顯示器裝置的 剖視圖’示出沿第1圖所採的Vffla-VDIb線之截面及該信號線 驅動電路的一邊。 第10圖係為本發明第二實施例之液晶顯示器裝置的剖 視圖，示出沿第1圖所採的vm a·vih b線之截面及該信號線驅 動電路的一邊。 第11圖係該第二實施例之第一修正例的液晶顯示器裝 置之剖視圖’示出該信號線驅動電路的一邊。 第12圖係該第二實施例之第二修正例的液晶顯示器裝 置之剖視圖，示出沿第1圖之線所採的載面及該信 本紙張尺度適財國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) --------tr---------^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 ____Β7__ 五、發明說明（7 ) 號線驅動電路的一邊。 第13圖係為本發明第三實施例之液晶顯示器裝置的平 面圖。 第14·圖係該第三實施例之液晶顯示器裝置的剖視圖， 示出沿第1圖之Ma-VIBb線所採的截面及該信號線驅動電路 的一邊。 第15圖係為本發明第四實施例之電子儀器的立體圖， •該儀器係使用第一至第三實施例之其一的液晶顯示器裝置 第16圖係為第一實施例之液晶顯示器裝置沿第i圖之 IV a-IVb線所採的像素區域與周邊電路區之剖視圖。 第17圖係本發明第五實施例之反射式液晶顯示器裝置 的平面圖。 第18圖係本發明第五實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖。 第19A與19B圖係該第五實施例的反射式液晶顯示器 裝置之一TFT、一信號線及一掃描線的平面圖。 第20圖係該第五實施例之反射式液晶顯示器裝置的剖 視圖，示出一在像素區域的像素。 第2 1圖係該第五實施例之反射式液晶顯示器裝置的平 面圖，示出反射電極、TFTs、信號線及掃描線等。 第22圖係該第五實施例之反射式液晶顯示器裝置的平 面圖，示出該固定電位電極。 第23A與23B圖表示該第五實施例之反射式液晶顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — ΙΓΙΙΓΙ — — · I I I I I l· I « — — — — — — I— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 Α7 Β7 1245950、 五、發明說明（8 ) 器裝置的使用例，第23A圖表示使用於一直接觀看式液晶 面板，第23B圖表示使用於一投影式液晶面板。 第2 4圖係該第五實施例之一修正例的反射式液晶顯示 益裝置之剖視圖’不出該像素區域。 第25圖係為一剖視圖表示該第五實施例另一修正例的 反射式液晶顯示器裝置的製造方法。 第26圖係為一剖視圖表示該第五實施例之該修正例的 反射式液晶顯示器裝置之另一製造方法。 第27圖係為一剖視圖表示該第五實施例之該修正例的 反射式液晶顯示器裝置之另一製造方法。 第28圖係為一剖視圖表示該第五實施例之該修正例的 反射式液晶顯示器裝置之另一製造方法。 第29圖係本發明第六實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖，示出該像素區域。 第30圖係本發明第六實施例之第一修正例的反射式液 晶顯示器裝置之剖視圖，示出該像素區域。 第31圖係本發明第六實施例之第二修正例的反射式液 晶顯示器裝置之剖視圖，示出該像素區域。 第32圖係該第六實施例之第二修正例的反射式液晶顯 不器裝置之製造方法的剖視圖。 …第33圖係該第六實施例之第二修正例的反射式液晶顯 示器裝置之另一製造方法的剖視圖。 液晶顯 --------^---------^ C請先聞讀背面之江意f項矜填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第34圖係該第六實施例之第二修正例的反 示器裝置之另一製造方法的剖視 》

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五、發明說明（9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3 5圖係該第六實把例之第《一修正例的反射式液晶顯 示器裝置之另一製造方法的剖視圖。 第36圖係本發明第七實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖，示出該像素區域與周邊電路區。 第37圖係該第七實施例之第一修正例的反射式液晶顯 示器裝置之剖視圖，示出該像素區域與周邊電路區。 第3 8圖係該第七實施例之第二修正例的反射式液晶顯 示器裝置之剖視圖，示出該像素區域與周邊電路區。 第39圖係該第七實施例之第三修正例的反射式液晶顯 示器裝置之剖視圖，示出該像素區域與周邊電路區。 第40圖係本發明第八實施例之反射式液晶顯示器裝置 的平面圖。 第41圖係該第八實施例之反射式液晶顯示器裝置的平 面圖，示出在邊界地帶之左上角區域。 第42圖係本發明第九實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖，示出該像素區域。 第43圖係本發明第十實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖，示出該像素區域。 第44圖係本發明第·] ^實施例之反射式液晶顯示器裝 置的剖視圖，示出該像素區域。 低溫結晶技術近來已被開發，諸如以準分子雷射來雷 射退火及將摻鎳或鍺的非晶質矽之結晶化。而根據該等技 術，利用準分子雷射將形成於一玻璃基板上之非晶質矽結 晶，來製造多晶矽（聚矽）的其它技術，亦已被開發中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----*---^-------I--l· I -------I f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 1245950

在一聚矽通道層中之電子與孔的移動率係大約50至 l〇〇cm2Ns，其乃遠大於非晶質矽者。因此，若使用一聚 矽薄膜電晶體（TFT)，則相較於非晶質矽TFT將可得到一 非常快速的切換操作。 本發明第一實施例之液晶顯示器裝置將參考第丨至8圖 來說明。 第1圖示出一主動矩陣式液晶顯示器裝置A之一平面 造型的例子，其具有一像素區域可顯示一影像，及一周邊 電路區用以控制該像素區域，而一鱧設在同一基板上。該 液晶顯示器裝置具有概呈矩形的像素區域B可顯示一影像 ，而該周邊電路區C環設於像素區域四周可驅動該像素區 域B 〇 該周邊電路區C包括第一周邊電路（以下稱為“掃描線 驅動電路）C 1，沿該像素區域B之左右較短邊設置，而 有掃描線延伸其上；及一第二周邊電路（以下稱為“信號 驅動電路”）C2，設於上方及下方的較長邊，而有信號線 延伸其上。有一由鉻製成的黑色基質（BM)i設在該掃描線 驅動電路C1上，形成導電罩膜。有一由絕緣黑色樹脂所 製成的絕緣黑色罩膜201，則被形成於該信號線驅動電路 C2上。 該周邊電路區C的外緣乃被一密封物5所包圍，可將 在該裝置殼體内的液晶密封。該像素區域B與周邊電路區 C皆包含多數的TFTs分散佈設，並具有一聚矽之半導體層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—i I I I I I I e — — — — — — — I· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 1245950 A7 B7 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 第2圖係為一等效電路圖，表示該主動矩陣式的液晶 顯示為裝置A之整體電路結構。如上所述，該液晶顯示器 A包括該像素區域B與周邊電路區c。 例如’總共有2400條信號線11，η，η，…，以直行 方向延伸於該像素區域B中。色彩資訊例如rgB(紅綠藍) 係由三條信號線來傳輸。即是，8〇〇個色彩資料可由24〇〇 條信號線來發訊。 例如’總共有6 0 0條掃描線15，15，15，…，以橫排 方向延伸於該像素區域B中，而與該等信號線丨丨交叉。在 該專彳§號線與掃描線的每一交又點皆設有一像素21。總共 有2400 X 600個像素21，21，21，…，乃以一矩陣圖案列 設在該像素區域B中。各像素單元由三個像素所構成而可 顯示紅綠監二個色彩。8〇〇 X 6〇〇個色彩資訊乃可顯示於該 整個像素區域中。 該像素21包含一液晶單元23、一像素TFT25，及一舊 存電谷27。雖在第2圖中該像素TFT25被示出為一雙閘TFT ’但其亦可為一單向TFT。為了減少電流洩漏乃以雙閘TFT 為佳。 該像素TFT25的源極電極S係連接於該信號線n。該 像素TFT25的閘極電極則連接於掃描線15。該液晶單元23 與蓄存電容27係併聯連接於該像素TFT25的汲極電極D側 〇 該像素21之蓄存電容27會蓄存由該信號線η所饋送的 k號電荷。該蓄存電容27能有效地保留該儲存的信號電荷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --·丨丨丨丨丨丨丨訂-丨丨丨丨丨丨丨.· 1245950 Α7 -------- Β7 五、發明說明（l2 ) ，例如，甚至在該像素TFT25之洩漏電流不能被忽視時。 該蓄存電容27在必要時亦可提供。 有許多的像素21會被該600條掃描線15，15，15，... ，沿線連續地驅動，而該等掃描線係被該掃描線驅動電路 C1所驅動。當掃描之時，每一像素21會由被該信號獎動 電路C2所驅動的2400條信號線11之一對應者接受影像資 訊。

第3A與3B圖為剖視圖示出在像素區域b中之像素TFT 的結構。 第3A圖表示一底閘式TFT的構造之例子。 第3A圖所示的底閘式TFT25具有一閘極電極G，係由 例如鉻之金屬所製成，而設在一透明基板31上。一絕緣膜 33及由SiN、SiN02或類似物所製成，形如一閘絕緣膜， 而被覆設在該閘極電極G上。在該纟邑緣膜33上，設有一通 道聚碎膜35其功能如一通道層。有二聚碎層37摻有比該通 道聚矽膜35更多的雜質，乃被設在該通道聚矽膜35上，而 位於該閘極電極G的兩側。在該等高雜質濃度的聚矽層37 上，則設有一源極電極S及一汲極電極D。以上述方法所 製成的像素TFT25乃覆蓋一層絕緣膜41，其係由氮化矽、 二氧化矽或類似物所製成，而可電絕緣及保護該像素 TFT25。有一接觸孔乃貫設於該絕緣膜41上，而有一由ιΤ0( 銦錫氧化物）所製成之像素電極45乃被填設於該接觸孔中 。該像素電極45係連接於該像素TFT25的汲極電極D。 舉例而言，該聚石夕膜係殿積一非晶質石夕薄膜並使之結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) in--— I 訂--------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15

五、發明說明（η ) 1245950 晶化而製成。在一結晶過程中，其最好係採用由XeCl(波 長308nm)或KrF(波長248nm)之光源所供應的低溫準分子 雷射之雷射退火結晶技術。藉著使用該等雷射退火結晶技 術，其乃可僅將在該信號線驅動電路中的TFTs，或在該 周邊電路區中的TFTs結晶化，因為它們須要在高速下操 作。於此狀況下，該雷射光束掃描區域乃可減少。 第3B圖表示一頂閘式TFT之構造的例子。 在3B圖所示的頂閘式TFT中，有一聚矽層35其作用如 一通道層乃被設在一透明基板31上。在該聚矽層35上設有 一絕緣膜33，其係由SiN、Si024類似物所製成，而功能 如一閘絕緣膜。在該絕緣膜33上，乃設有一例如由鉻等金 屬所製成的閘電極G。比該通道聚矽膜35摻有更多雜質之 二聚矽層37乃設在該通道聚矽膜35上的源極與汲極區。在 該等高雜質濃度聚矽層37上，乃設有一源極電極8與汲極 電極D。 以上述方法所製成的像素TFT25，乃覆蓋一層絕緣膜 41 ’其係由氮化石夕、氧化矽或類似物所製成，而可電絕緣 及保護該像素TFT25。有一接觸孔貫設於該絕緣膜41中， 而有一由ITO所製成之像素電極45乃填設於該接觸孔中。 該像素電極45係連接於該像素TFT25的汲極電極D。 取代該鉻層，亦可使用一鈦/鋁/鈦的疊層。該高雜 質濃度的聚矽層37亦可被省略，而直接將高濃度的雜質摻 入該通道聚矽層35之所需區域中。周邊電路TFTs可被設 在與設有像素電極之區域不同的區域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • 丨丨丨·丨丨丨丨丨丨丨訂·丨丨丨丨—丨丨-· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 1245950 A7 _— _B7 五、發明說明（Η ) 第4圖係沿第1圖之iv a-iVb線所採的剖視圖。第4圖所 示之液晶顯示器裝置A包括該像素區域B及設在該像素區 域B外面的周邊電路區c。該液晶顯示器A包括一第一透明 基板31，一第二透明基板51，及液晶材料E裝填‘該二透 明基板之間的液晶貯存空間81中。 在該像素區域B中，設有多數的像素21。 該像素21包含一像素TFT25，及一像素電極45設在該 第一透明基板31的内面。 如第4圖所示，在該像素區域B的外面，乃環設該周 邊電路區C。於第4圖中，有一周邊電路設在該第一透明 基板31上，係為第一周邊電路（掃描線驅動電路）ci。該掃 描線驅動電路C1包括許多複晶的薄膜電晶體，即周邊電 路TFTs85，作為主動元件。 該等像素TFT25與周邊電路TFT85之不平坦的表面， 乃被覆設於該第一透明基板31上的平面化薄膜736所蓋平 。該像素電極45係設在此平面化薄膜736上。有一定向薄 膜756覆蓋著設在像素區域B中的像素電路45與平面化薄 膜 736。 該像素21包括紅（R)、綠（R)、藍（B)的彩色樹脂膜61 、63、65，設在該第二透明基板51的内面（面對第一透明 基板3 1的一側），及一共同電極71設在該等彩色樹脂膜61 、63、65底下。該等彩色樹脂膜61、63、65係被設在面向 對應之像素電路45的位置。 一可遮蔽由像素TFTs25而來的光之黑色基質（bm)1乃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ill — — — — ^ ·11111111 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17 1245950

五、發明說明（I5 ) 被設在各鄰接的該等彩色樹脂膜61、63、65之間。另外的 黑色基質（BM)1係由Cr製成而形如遮光膜，亦被設在第二 透明基板51的内面位於該周邊電路TFTs85的上方，而將 之遮蓋。. 該等彩色樹脂膜61、63、65及黑色基質BM1乃被該平 面化絕緣膜73a所覆蓋。該平面化絕緣膜73a可蓋住該等彩 色樹脂膜61、63、65的不平坦表面，而使該平面化絕緣膜 73a的下表面平面化。在該平面上，乃設有一全部像素的 共同電極71。該共同電極71的表面乃覆設一定向薄膜75a ，其係由例如聚醯亞胺樹脂所製成。 該絕緣的黑色樹脂乃可為含有黑色色素的聚醯亞胺。 假使感光的聚醯亞胺被用來當作絕緣黑色樹脂的材料，該 遮光膜可被設在一所需區域，例如在該第2周邊電路中須 要兩速操作的電路區域，例如只在一移位寄存電路令，而 不使用一阻罩。 一密封物5乃被設於該第一與第二透明基板31與5丨之 間’而在該周邊電路區C的外面。該第一與第二透明基板 3 1、5 1與該密封物5 —起形成該液晶貯存空間8丨。液晶材 料E則被填注於該液晶貯存空間81内。 一液晶單元23(見第2圖）包括該由ΐτο所製成的像素電 極45，由ITO所製成的共同電極71，及填注在該等電極之 間的液晶材料E。 在該周邊電路區C中的電路構造細節將被示出。 第5圖係為該掃描線驅動電路ci之150級驅動電路中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------^丨tx--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 B7 五、發明說明（16 ) 的一級之電路圖。該掃描線驅動電路C1具有150個如第5 圖所示之串聯的驅動電路之級。第5圖所示之一級的驅動 電路包括：一兩路切換區111可切換掃描模式，一移位寄 存區115可產生掃描信號，一多工轉換區in可決定各掃描 信號的時點，及一輸出緩衝區121含有三個串聯的反相級 121a、121a、及121a，用以提高負載驅動能力。 一觸發電路125之供應電壓為VDD及GND。該觸發電 路125的輸出係經由一 AND閘與一反相器供至該多工轉換 區117。於該多工轉換區117中，一觸發電路125的輸出會 分送至四個輸出信號線。該分送的四個輸出信號會與多工 信號MP1至MP4進行AND的操作，並被送至該輸出緩衝區 121 〇 該輸出緩衝區121會藉提高負載驅動能力而由該多工 轉換區117輸出該四個信號。該輸出緩衝區121具有四個輸 出端子，各經由該掃描線連接於像素區域8中的像素TFT25 的閘極G。該掃描線驅動電路C1係由150個級構成，其各 具有四個輸出端子。因此，該掃描線驅動電路C1會掃描600 條掃描線15、15、15...。 該掃描線驅動電路C 1之操作將說明如下。該掃描線 驅動電路C1會以一時鐘信號CL或其反相信號（-CL)同步地 連續知該荨掃描線15。所有連接於一掃描線之像素在同 一時間會暫時地保留在一on的狀態。由於各排係被連續地 掃描’每一畫面的掃描線驅動信號數係為6〇〇，而該移位 寄存區115會使每一畫面產生150個信號。因此，在該掃描 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐〉 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 A7 1245950 - —-_____B7_ __ 五、發明說明（I7 ) 線一邊的移位寄存區115並不那麼須要高速的操作。該掃 描線驅動電路C1之移位寄存區115的時鐘信號（CL)與其反 相時鐘信號（-CL)之脈衝頻率係為40至60KHz。 該信號線驅動電路C2之構造將說明如下。 該信號線驅動電路C2之重點結構乃示於第2圖中。 該信號線驅動電路C2包括··類比開關151等；及一類 比開關控制區161可控制該等類比開關151 ;及類比開關控 制信號線181連接該等類比開關151及該類比開關控制區 161 〇 一由一未示之視頻信號產生器所送來的視頻信號，乃 會經由一視頻信號線17饋入該類比開關151。該視頻信號 若所對應的類比開關為on，則會經由該信號線11送至像素 TFT 25的源極電極S。 該類比開關控制區161會啟閉該類比開關來控制該視 頻信號是否被送至該像素TFT 25的源極電極s。 第6圖示出包含類比開關15 1的信號線驅動電路C2 , 與可控制該等類比開關15 1、視頻信號線17及在像素區域 B中之像素21的類比開關控制單元161之間的連接。 在該像素區域B中的像素21總數係為800，包括No. 1 像素至Νο·800像素。一像素21包含三個RGB色彩的次像素 。在該像素區域B中之次像素的數目為2400(800X3)。 視頻信號線17的數目為24，包括八條R視頻信號線R1 至R8，八條G視頻信號線G1至G8，及八條B視頻信號線B1 至B8。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 > I I I I I I I 鲁 — — — — — — — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 A7 1245950 ___B7_ 五、發明說明（18 ) 類比開關151的總數為2400，包括Νο·1的類比開關至 Νο.2400的類比開關。各類比開關151包含一 CMOS(互補 金屬氧化物半導體）式的TFT，乃由一對P及N型的TFTs所 製成。 該類比開關控制區161包括：一移位寄存電路171由串 聯的100級觸發電路173、173、173.........所製成；緩衝電 路175連接於該移位寄存電路171的各觸發電路173之輸出 :及類比開關控制信號線181連接該緩衝電路175的輸出與 該等類比開關的控制電極。 相同的時鐘信號CK與反相時鐘信號（-CK)會輸入該 100級觸發電路的時鐘端子。該100級觸發電路中之第一級 觸發電路173於其輸入端D會被送入一 SP信號。該第一級 觸發電路173的輸出信號則經由其輸出端q送至該第一級 緩衝電路175。 該第一級觸發電路173的輸出Q會送入下一級（第二級） 觸發電路172的輸入端D。該第二級觸發電路的輸出會被 送至該第二級緩衝電路175的輸入端。同樣地，各觸發電 路173的輸出會被送至次一級觸發電路丨73的輸入端，及同 級輸出緩衝電路175的輸入端。 當由該觸發電路173的一邊視之，該緩衝電路175的輸 出於第三及第四反相器176c與176d之間會分支成兩線。該 二支線之一線會經由一反相器176f傳送一n輸出，而另一 線會經由二反相器176d及176e傳送一 Ρ輸出。 第7A圖係為一電路圖表示該移位寄存電路pi之觸發 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1245950 A7 五 ▼ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_、發明說明（l9 ) 電路173的細節，而第7B圖係表示該緩衝電路175的詳細 電路圖。 該觸發電路173包括串聯的三級CMOS電路173a、173b 與173c。電源供應電壓為VDD與GND。該第一級CMOS電 路173a係為一時鐘反相器，而有一 η型MOS電晶體174a連 接於接地端。該時鐘反相信號（-CK)會被輸入該η型MOS電 晶體174a的閘電極端。一 Ρ型MOS電晶體174b連接於該第 一級CMOS電路的電源供應電壓VDD端。該時鐘信號ck乃 被送入該P型MOS電晶體174b的閘電極端。 第一級CMOS電路173a之輸入乃被送入該移位寄存電 路171的輸入端D。該第二級CMOS電路173b為一反相器， 其輸入端連接於該第一級CMOS電路173a的輸出端，而其 輸出端連接於第三級時鐘反相器的輸入端。 一 η型MOS電晶體174c連接於該第三級CMOS電路 173c的接地端。該時鐘信號ck係輸入於該η型MOS電晶體 174c的閘電極端。一 Ρ型MOS電晶體174d乃連接於第三級 CMOS電路173c之電源供應電壓VDD端。該反相時鐘信號 (-CK)係輸入於該卩型1^08電晶體174d的閘電極端。 該第三級COMS電路173c的輸入端乃連接於該觸發電 路173的輸出端Q。該第三級CMOS電路173C的輸入端亦 連接於第二級移位寄存電路172的輸入端D。該第三級 CMOS電路173c的輸出端亦連接於一接至第一級CMOS電 路173a輸出端的線，及該第二級CMOS電路173b的輸入端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------tx---------· 1245950 A7 __ B7 五、發明說明（2〇 ) 第7B圖示出該緩衝電路175之P輸出側的細節。 如第7B圖所示，該緩衝電路175的P輸出侧係由串聯 的五級CMOS反相器176a、176b、176c、176d及176e等所 構成。該緩衝電路175的輸入端係連接於第7A圖所示之觸 發電路173的輸出端Q。該緩衝電路175的P輸出與分支的η 輸出（第6圖）會被供至類比開關151的控制端。 當有一信號進入該觸發電路173的輸入端D時，有一 輸出信號Q會輸出以回應時鐘信號CK與反相時鐘信號（· CK)。各觸發電路173之輸出Q會經由輸出緩衝電路175控 制對應的類比開關151。各觸發電路173的輸出信號Q會被 送至下級觸發電路的輸入端D。 如第6圖所示，No· 1至Νο·24的各類比開關151係由二 TFT(P及Τ型TFTs)所構成，故該等類比開關乃由48個TFTs 所形成。該24個類比開關151會被饋送相同的輸出信號（即 ，輸出1為p及η二極性）。 更詳細言之，該緩衝電路的η輸出係經由類比開關控 制線181a送至該24個類比開關的所有η型TFTs之閘電極， 而該緩衝電路的p輸出則經由類比開關控制線181b送至該 24個類比開關之所有p型TFTs的閘電極。 其電路操作將參考第6圖來說明。 來自各級觸發電路173之一信號會在同時控制該24個 類比開關（即由Νο·1至Νο·24之二十四個類比開關）的0n/0ff 。當一級觸發開關電路173之控制信號在同一時點導通該 24個類比開關151時，資料會經由該等信號線11載入八個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------^ ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 Α7 — Β7 五、發明說明（22 ) 上次之操作乃會連績地重複來顯示影像。 在信號線驅動電路C2中之移位寄存器的操作速度係 為4·88ΜΗζ，此乃比在掃描線驅動電路中之移位寄存器之 操作速度更高。 第8圖係沿第1圖中之\la-Mb線所採之該液晶顯示器 裝置的剖視圖，乃示出該周邊電路區包括該信號線驅動電 路。周邊電路TFTs係可為聚矽TFTs。該像素區域Β的構造 乃類似於第4圖中沿第1圖的IVa — IVb截線所示者。 在第8圖中，該第一透明基板31上之信號線驅動電路 C2乃使用複晶的TFTs85當作半導體主動元件。於第8圖的 構造中，被設於信號線驅動電路C2上方（在第二透明基板51 這邊）以遮蔽來自該信號線驅動電路C2之光的遮光膜並非 一黑色基質（BM)，即導電遮光膜，而係為一絕緣黑色樹 脂膜201。該絕緣黑色樹脂膜201之厚度最好大致相等於濾 色膜61、63、65之厚度。 黑色基質（ΒΜ)1·1·1……乃部份地重疊該等濾色膜61 、63、65而設在像素區域Β的第二透明基板51上，俾可避 免各像素之間的光漏並改變色彩顯示特性。該黑色基質係 延伸至信號線驅動電路C2並部份地重疊該絕緣黑色樹脂 膜201。此重疊乃形成一種連續式遮光結構或雙重遮光結 構，而可改善遮光的性能。 該絕緣黑色樹脂膜2 01之材料最好是為混有黑色色素 的聚醯亞胺。混合黑色色素的壓克力或環氧樹脂亦可使用 。假若使用感光樹脂，該黑色樹脂膜乃可經由曝光與顯像 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 II---------— — — — — — ^Tilli I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1245950 ____ Β7__ 五、發明說明（23 ) 過程來形成圖案，而不必使用一阻光罩。 該黑色樹爿曰膜201會遮敗光（主要為可見光），使其不 會由第二透明基板51這邊射入於該信號線驅動電路C2上 。甚至對斜射光，該由黑色基質1與黑色樹脂膜2〇丨所形成 的雙重遮光結構亦可提供充分的遮光性能。 該遮光結構只有黑色樹脂膜201設於靠近信號線驅動 電路C2處。因此，在該絕緣黑色樹脂膜2〇1與信號線驅動 電路C2的TFTs85之間的寄生電容乃可被製成相當的小。 故而，縱令設有該遮光結構，但該寄生電容亦不減低該信 號線驅動電路C2的操作速度。 其次，一液晶顯示器裝置之製造方法將被說明。為此 製造方法，一種製造普通主動矩陣式液晶顯示器之方法乃 被使用。 種在該第一透明基板上製造像素區域Β與周邊電路 區c的方法將被說明，其係使用頂閘式TFTs作為半導體主 動元件。 第1 6圖係為一液晶顯示器裝置的剖視圖，其乃使用頂 閘式TFTs而與第3B圖所示之像素TFTs乃周邊電路TFTs具 有相同的構造。 在第16圖中，乃示出在該第一透明基板31上的結構。 於該第一透明基板31上，一聚矽膜35、_Si〇2的閘絕 緣膜，及-閘電極G乃被按序設置。在該閘電極兩側的聚 石夕膜乃推有η或p型雜質離子，以形成高雜質濃度區^等， 作為源極與汲極區。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------卜—tr---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 '""" -------- B7______ 五、發明說明（24 ) 於該第一透明基板上設有一第一層間絕緣膜4ia。對 該等源極、汲極與閘極之接觸孔乃貫設於該第一層間絕緣 膜41a上。由鈦/鋁/鈦所製成的源極5、閘極〇與汲極〇之電 極導線乃填注於該等接觸孔中，而設在該第一層間絕緣膜 41a 上。 一第二層間絕緣膜41b係設在該第一層間絕緣膜413上 ο 有接觸孔乃貫穿該第二層間絕緣膜41 b而設在像素 TFTs的汲極電極D上。 一由ITO所製成的像素電極45係填注該接觸孔而設在 該第二層間絕緣膜4lb上。該像素電極45係連接於像素區 域中B中之像素TFT25的汲極電極D。 在周邊電路區C中的周邊電路TFT包含n&p型TFTs85a 與85b。由於高雜質濃度區37等係以離子值入法製成，故 該等η及p型TFTs85a與85b乃可被設在相同基板上。因為 可形成一互補電路（CMOS電路），故能使該周邊電路區c 成為高速操作與低耦電的電路。 一液晶顯示器裝置之詳細製造方法將說明如下。 (1) 在該第一透明基板31上，以CVD(化學蒸汽澱積法) 殿積厚度為1000埃（Α=10·8ππη)的非晶質石夕膜。 (2) 利用準分子雷射使該非晶質矽膜結晶化。此結晶 過程中，該非晶質矽膜會變成聚矽膜。 (3) 以正常的光蝕刻法與蝕刻程度，將該聚矽膜35蝕 刻製成島狀TFT通路層。 --------tx--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（％ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (4) 以PECVD(電漿增強的化學蒸汽澱積法）製成一閘 絕緣膜33。該閘絕緣膜33具有一預定形狀。濺射亦可被用 來取代PECVD。閘電極係被設在該閘絕緣膜上。 (5) 聚矽區37被設在一 TFT閘電極兩側的通道層中，該 等聚矽區37係摻有雜質離子，而具有比該通道層更高的雜 貝/辰度’俾可降低該源極與〉及極電極的觸接阻抗。在該周 邊電路區C中，不同的離子乃被植入以形成11及]3型丁1：丁§853 與 85b。 (6) —第一層間絕緣膜41a被覆設在第一透明基板31上 。接觸孔乃貫設該第一層間絕緣膜41a中，以供閘極·源 極與汲極的觸接。 (7) 鈦/鋁/鈦的源極S、閘極G、汲極D之導線乃被設在 該第一層間絕緣膜41 a上，而填注各接觸孔中。 (8) —由氧化膜形成的層間絕緣膜411)被澱積在該第一 透明基板3 1的整個表面上。不同氧化膜，則氮化膜或聚醯 亞胺薄膜亦可使用。有一接觸孔被貫設在該層間絕緣膜上 ’而有一 ITO(銦錫氧化物）的像素電極45則被填設於該接 觸孔上。 以上述製程，乃可製成該頂閘式TFTs。 請參閱第4及第8圖，在第二透明基板51上製造具有濾 色膜與共同電極的像素結構乃說明如下。 (1)在該第二透明基板51上，藉形成一具有2000埃厚 度的鉻膜，並利用具預定圖案的光罩將之蝕刻，而形成黑 色基質（BM)1，1，1，……。該黑色基質（BM)作用如一遮光膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公® ) 28 * 一 —·! β- —--I---. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 ------—S7 "-, _____ 五、發明說明（26 ) 而可覆蓋在像素區域B中的像素TFTs25，及在周邊電路區 C中的第一周邊電路ci。 (2) 紅色抗蝕劑被塗敷在該第二透明基板51與黑色基 質1上至1.5//m的厚度，而在該像素區域B中形成紅色濾 膜61，其係經由包括乾燥、曝光、顯影等過程的正常光蝕 刻製程來進行。 (3) 綠色及藍色濾膜63與65亦以類似於第（2)步驟的方 法來形成。該等濾色膜61、63與65係在其末端部份地重疊 該黑色基質（BM)1，1，1......。 (4) 黑色樹脂被塗敷在該第二透明基板51的内表面上 ，乃覆蓋該周邊電路區C中的第二周邊電路C1，而以預定 的成型方法來形成一絕緣黑色罩膜2〇!。 (5) —平面化樹脂膜73a乃被形成以保護該等濾色膜61 、63、65與絕緣黑色罩膜201，並將該等濾色膜與絕緣黑 色罩膜201的不平坦表面平面化。 (6) 以預定的成型方法濺射形成1〇〇〇埃厚度的IT〇薄膜 而製成一共同電極71。 (7) —由聚醯亞胺或類似物形成的定向膜75a及被製成 而覆蓋該共同電極71。 由以上製程，在第二透明基板上的結構乃被完成。 取代該步驟（4)，有一絕緣黑色罩膜或一導電的罩膜 亦可0又在該第—透明基板5 1的外表面上，來覆蓋第-門邊 電路。或者，一絕緣黑色罩膜亦可設在第一透明基板上， 以覆蓋該第二周邊電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

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五、 發明說明（27 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述方法所製成之第一與第二透明基板31與51會被 固裝以形成該液晶顯示器裝置。此方法將說明如下。 (1) 當必要時，設在第一與第二透明基板31與51上的 定向薄膜75a與75b可被加熱及硬化。 (2) 以一拋光布沿一預定方向摩擦該等定向薄膜75&與 756來進行一摩擦程序，而在該等定向薄膜75&與75b上形 成定向結構。 (3) 由聚合物、玻璃、二氧化硅等或類似物所製成的 球形間隔物乃被散佈在第一透明基板31上。該球形間隔物 可使該等基板31與51之間保持一預定距離。 (4) 以一分配器將密封樹脂塗在第一透明基板之周邊 電路區c的外部區域。將該第丨與第二透明基板31與51互 相疊合，並藉加熱加壓使該密封樹脂硬化。故該第一與第 二透明基板31與51會被密封樹脂黏合在一起。 (5) 經由一未示出的液晶入口將液晶材料e注入該液晶 儲存空間81内，然後，封閉該入口。 覆設在信號線驅動電路C2上的絕緣黑色樹脂膜2(H， 會遮蔽由第二透明基板51這邊射至該信號線驅動電路 上的光。因此可降低該半導體主體元件或第二信號線驅動 電路C2的周邊電路TFTs85等之故障概率，該等故障係可 能由入射光所造成者。故，不管入射光及該液晶顯示器裝 置是否可穩定地操作，該信號線驅動電路C2皆可獨立地 穩定操作。 液晶之介電常數係約為5至11。在第一與第二透明基 本紙張尺度刺中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 30 -----I Γ I -------- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（28 ) 板之間的間隙係為約4至5//(微米=i〇-6m)e因此，若該信 號線驅動電路C2係在4·88ΜΗζ運作，因該周邊電路TFTs85 的寄生電容所造成之一較低的電路操作速度乃可提高。 若一由金屬製成之黑色基質（BM)被用來當作高速操 作之信號線驅動電路的罩膜，該TFT與BM之間的寄生電 容會妨礙該信號線驅動電路C2的高速操作。藉著利用絕 緣材料的罩膜，乃可避免寄生電容的增加，及操作速度的 降低。 在此實施例之液晶顯示器裝置中，該絕緣黑色罩膜乃 可被製成僅有一#或更薄的厚度。 該周邊電路區，特別是信號線驅動電路，乃可藉一設 在該液晶顯示器裝置之外周緣上的斜面來遮光，該斜面係 被設在第二透明基板5 1外側（即離第一透明基板3丨的較遠 邊）。但疋，該遮光構造使用邊緣斜面乃可能妨礙大型液 晶顯示器裝置之顯示幕的製造（該液晶顯示器裝置之一狹 窄斜面的製造）。 碳的黑色樹脂乃可用來當作該罩膜的材料，以遮阻來 自該信號線驅動電路（第二周邊電路）的光。 某些峡樹脂係為半絕緣的，而具有1 〇6 Q m或更小的 導電率。假若使用該等半絕緣的碳樹脂，該罩膜之寄生電 容會比使用一絕緣材料膜更大。但是，由半絕緣碳樹脂所 製成的罩膜’會比絕緣材料的罩膜具有更佳的遮光效果。 假使該遮光功能係比寄生電容更要優先考慮，則可有效地 使用由半絕緣碳樹脂所形成的罩膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 31 — · 11--- -- I-------^ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爾 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 B7 五、發明說明（29 ) 第9圖為本發明第一實施之修正例的液晶顯示器裝置 之剖視圖。 在第9圖所示的液晶顯示器裝置中，有一緝緣黑色樹 脂膜201乃被設在第二透明基板51的一側，而另一絕緣黑 色樹脂膜301則被設在第一透明基板31的一側，分別遮蔽 來自該第二周邊電路C2的光。 設在該第一透明基板這邊的罩膜3〇1亦會遮蔽來自該 信號線驅動電路C2的光。 第9圖所示之液晶顯示器裝置的絕緣罩膜2〇1與30!， 會在該信號線驅動電路C2上方形成一雙重的遮光結構。 因此，該信號線驅動電路C2的遮光功能乃可被改善，且 該周邊電路特別是該信號線驅動電路，將可比第一實施例 之液晶顯示器裝置更為穩定。 第10圖係為本發明第二實施例之液晶顯示器裝置的剖 視圖。在該第二實施例中，與一實施例相同的構件乃以相 同標號表示，而省略其說明。 第10圖係為該液晶顯示器裝置之剖視圖，示出含有信 號線驅動電路（第2圖邊電路）C2之周邊電路的結構。第10 圖乃相當於第8圖示出第一實施例的液晶顯示器裝置。 在第10圖所示的液晶顯示器中，一覆蓋該信號線驅動 電路C2的罩膜401乃被設在第二透明基板51的外表面上（在 遠離第一透明基板的一側），即在該液晶顯示器裝置的外 面。在該液晶顯示器裝置中，該罩膜4〇1會遮阻來自第二 透明基板51的光線射在該信號線驅動電路c2上。

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1245950 A7 B7 五、發明說明（3〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該第二透明基板51為一厚的絕緣趙，而設在該信號線 驅動電路C2與罩膜401之間。因此，取代第一實施例所使 用的絕緣黑色樹脂，乃可使用半絕緣的碳黑色樹脂及導電 罩膜。其罩膜材料之選擇自由度增加。而且，若使用半絕 緣的碳黑色樹脂或導電罩膜，則其遮光性能會比一絕緣罩 膜更為改善。 由於該外板罩膜401係設在第二透明基板51的上表面 ，故該罩膜的製造過程會比設在第一與第二透明基板31與 51之間的窄縫中更為容易。於該罩膜製造過程中，該外板 罩膜401可在面板組合之前被設在第二透明基板的上表面， 或者’在該面板組合程序之後，才製造該外板罩膜4(H。 因此其組合程序之自由度會比第一實施例更多。 該外板罩膜401的材料乃可以樹脂黑色油墨添加於黑 色樹脂膜中。若該設在第二透明基板51上的罩膜係使用樹 脂黑色油墨，則其可用一黑色油性筆塗在該第二透明基板 》 51上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以黑色油性筆來塗設乃可易於在該第二透明基板5〗之 所要區域中形成一罩膜。藉塗設樹脂黑色油墨，該罩膜可 比第一或第二實施例之液晶顯示器裝置更容易形成。該罩 膜亦可利用一遮光膠帶，一遮光黑膜或類似物等來形成。 該黑色罩膜亦可利用印刷技術例如油墨喷塗法來製成 。使用印刷技術在於該罩膜的量產及成本效益上乃是絕佳 的。 利用上述方法，因為第二透明基板的厚度約0β7以⑺ 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1245950

五、發明說明（31 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，而第一與第二透明基板3 1與5 1的間隙約為5 # m，故乃 可使斜向入射之光形成雜散光。 第11圖係為第二實施例之第一修正例的液晶顯示器裝 置之剖視圖。 在第11圖所示的液晶顯示器裝置中，覆蓋該信號線驅 動電路C2的遮光膜，不僅是一設在第一透明基板51上表 面的外板罩膜401，亦有一設在該第一透明基板51之下表 面對應於該外板罩膜401之區域的絕緣内板罩膜4〇5。該内 板罩膜405亦覆蓋該信號線驅動電路C2。 由於有二罩膜覆設在信號線驅動電路C2上，故其遮 光效果乃可改變，並可使斜射光所形成的雜散光減少。 第12圖不出第二實施例之第二修正例的液晶顯示器裝 置。 第12圖所示的液晶顯示器裝置中，一外板罩膜4〇1與 一絕緣内板罩膜201由垂向視之係設在不同區域。例如， 該外板罩膜401覆蓋該信號線驅動電路C2的移位寄存電路( 控制電路B’），而該由絕緣黑色樹脂形成的内板罩膜2〇1則 蓋住控制電路A’（類比開關）^ 一導電罩膜（BM)1乃覆設在 該控制電路C’（輸出緩衝器）上。該遮光結構與控制電路乃 可按需要組合，而非受限於如上所述。 於上述方法中，且有不同構造的遮光膜乃被設在該信 號線驅動電路之各電路部份的不同區域中，其可依據遮光 性能及電路操作速度來設置。 以此第二修正例的構造，設計的自由度乃可提高， 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 34

Aw in--l· I --I--I I I « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（32 ) 在罩膜與信號線驅動電路之間的位置關係亦可被更精細地 設計’以使該周邊電路的高度操作及遮光性能更為理想。 第13圖與第14圖示出本發明第三實施例的液晶顯示器 裝置。 在該第三實施例中，與第一、第二實施例相同的構件 乃以相同標號來表示，而省略其說明。 第13圖係為該液晶顯示器裝置整體結構的平面圖。此 平面圖相當於第1圖表示第一實施例的液晶顯示器裝置。 如第13圖中所示，該液晶顯示器裝置乃包括一像素區 域B與周邊電路區C。該周邊電路區C包括一掃描線驅動電 路（第一周邊電路）C1，及一信號線驅動電路（第二周邊電 路）C2。 由鉻所形成之黑色基質（B Μ)罩膜1係覆蓋該掃描線驅 動電路C1。一由絕緣黑色樹脂製成的罩膜5〇3乃被覆設在 該信號線驅動電路C2上。 第14圖係沿第13圖之Xa-Xa截線所採的剖視圖，而相 當於第8圖示出該第一實施例的液晶顯示器裝置。 如第14圖所示，在第三實施例的液晶顯示器裝置中， 一可遮蔽該存放液晶材料E的液晶貯存空間81之密封物 501的構造，乃與第一實施例不同。 於第三實施例的液晶顯示器裝置中，該密封物5〇1係 相同於第一實施例而設在該掃描線驅動電路C1的外側， 該電路C1係設於一矩形像素區域B的較短邊上。在該矩形 像素區域B之較長邊的密封物5 03係設在該信號線驅動電 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 35 — 1245950 Α7 Β7 五、發明說明（33 ) 路C2上，而覆蓋該信號線驅動電路C2。該等密封物501與 503乃呈環圈狀包圍該周邊電路區c的外周緣。 在該密封物之製造過程中，有一普通的樹脂密封物5〇1 乃被設在該掃描線驅動電路C1的外側。然後，有一遮光 的黑色樹脂密封物503乃被覆設在該信號線驅動電路C2上 〇 在此實施例的液晶顯示器裝置中，該等密封物5〇1與 503會將填裝於液晶貯存空間81内的液晶材料e密封。由 絕緣黑色樹脂所製成的密封物503會蓋住該信號線驅動電 路C2’而遮敗由該信號線驅動電路C2發出的光。由絕緣 黑色樹脂所製成的密封物503會密封液晶材料E，並遮蔽 由該信號線驅動電路C2之周邊電路複晶TFTs85發出的光 ，而抑止光所產生的TFTs之電流洩漏。 在此實施例之液晶顯示器裝置中，介於第一與第二透 明基板31與51之間的罩膜503係由樹脂所製成，其具有一 個電常數ε大約為3，乃小於液晶材料E(約為5至11)。因 此，相較於在第一與第二透明基板之間的信號線驅動電路 C2上方裝設液晶材料，該信號線驅動電路C2的寄生電容 乃可被減少。 因為該密封物與罩膜係使用相同的結構，故其空間效 率乃可改善，而使該液晶顯示器裝置的斜面可被製得更窄 〇 設在該掃描線驅動電路外側的密封物，與覆蓋該信號 線驅動電路之密封物，乃可藉使用遮光密封材料而一體製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------^--訂---------^^^^1 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36 1245950

五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（34 ) 成。在此狀況下，該密封物的製程乃可被簡化。 第15圖示出本發明第四實施例之可攜式電子儀器。該 可攜式電子儀器（個人電腦）乃使用第一至第三實施例之一 的液晶顯示器裝置。 第15圖所示的個人電腦乃使用一液晶顯示器裝置a， 包括一像素區域B乃一周邊電路區c。 該個人電腦之其它構造係與一普通個人電腦相同。在 一殼體601中乃容裝有一中央處理單元（cpu)，一記憶電 路及類似物等（未示出），該殼體601係與該液晶顯示器裝 置A摺合時一致。有一外部貯存裝置的入口 603係被設在 該殼體601的侧壁上，並有一輸入裝置（鍵盤）6〇5被裝設在 該殼體601的上表面。 在使用該實施例的液晶顯示器裝置之個人電腦中，該 周邊電路區C係一體設在一第一透明基板上。相較於一具 有外部周邊電路區的液晶顯示器裝置，該液晶顯示器裝置 的斜面乃可被製得較窄。故假使所有的尺寸皆相同，則其 像素區域B可製得較大些。由於複晶TFTs被用來當作該信 號線驅動電路之半導體主動元件，故該個人電腦乃可保持 高速的性能。因為其周邊電路區，尤其是第二周邊電路， 乃被一絕緣遮光膜所覆蓋，故其可避免入射光所造成之複 晶TFTs的故障。 該實施例上述之構造並非用來當作其限制。例如，該 外部遮光膜乃可直接設在該第二透明基板上，或間接設在 一形成於第二透明基板上的極化板上。BM則可由單層或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950

五、發明說明（35 ) 夕層的金屬製成。該周邊電路區之所有罩膜皆可使用一絕 緣遮光膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖在第一與第二透明基板中係使用玻璃基板，但亦可 使用石英或有機膜。假使要製造的是一反射式液晶顯示器 裝置，該第一基板並不一定要為透明者。一陶瓷基板，一 覆蓋絕緣膜的矽基板，或類似物等亦可被使用。 若為一反射式顯示板，在第一透明基板上的ITO電極 乃可被其它金屬材料，例如鋁所替代。 若所製造的是黑向顯示板，則在像素區域之濾色膜即 不須要。 該基板的平面化薄膜乃可為氮化矽膜或氧化矽膜。一 平面化薄膜不可設在第二透明基板上。 嗣請參閱第17圖至第23圖，本發明第五實施例之反射 式液晶顯示器裝置及使用該裝置之顯示板將被說明。 第17圖示出一反射式液晶顯示器裝置A的平面簡圖之 例，其乃一體含括一可顯示影像的像素區域，及一周邊電 路區可控制在該基板上之像素區域。第18圖示出該反射式 液晶顯示器裝置A之結構剖視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第17圖與第18圖之液晶顯示器裝置，包括一像素區域 B概呈矩形而可顯示一影像，及一周邊電路區C圍繞該像 素區域B可運作該像素區域。 在該像素區域B中，有許多的像素1001乃呈矩陣圖案 佈設。 在該像素區域B中，有許多的信號線1003、1003、 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1245950 A7

五、發明說明（36 ) •經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1003......等以直行方向列設，及有許多的掃描線1005、1005 ' 1005……等以橫排方向列設。 各像素1001包括一像素薄膜電晶體TFT1001具有源極 、没極、閘極，一液晶單元1〇15，及一蓄存電容1〇17。該 像素TFT1011之源極s係連接於信號線1〇〇3，閘極g則連接 於掃描線1005。該液晶單元1〇15與蓄存電容1〇π則併聯在 該像素TFT1001的汲極D與接地端GND之間。 如第18圖所示，在透明的第一與第二玻璃基板1〇31與 1051(以一稱為，，第一玻璃基板，，與，，第二玻璃基板，，)之間， 乃裝填有液晶材料E。該液晶材料係被樹脂製成的密封物 1041所封閉而容設於該等基板1〇31與1〇51之間。一不透明 基板諸如一矽基板，乃可取代一透明玻璃基板，而充作該 第一玻璃基板1031。 一通常固定於接地電位的共同電極乃被設在第二玻璃 基板1051上。 最好為聚矽TFTs的像素TFT1011、1011、1011......等 ，係呈島狀設在該像素區域B中的第一玻璃基板1031上。 該周邊電路區C係被環設在像素區域B外側。於該周邊電 路區<：中，聚矽丁？丁51021、1021、1021 ······乃被用來當作 半導體主動元件，而可高速操作。 一層間絕緣膜1061被設在第一玻璃1031上方，覆蓋著 TFTslOll與1021 。 一賦具固定電位的第二共同電極1071被設在該層間絕 緣膜1061上而覆蓋整體像素區域B。該第二接觸電極1071 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 39 --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 A7 ---------B7__ 五、發明說明（37 ) 設有數開孔1073對應於將於後說明的接觸孔。一平面化絕 緣膜1081乃設在該第二共同電極1〇71上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數接觸孔1083貫設於該層間絕緣膜1061與平面化絕緣 1081中對應於前述開孔1〇73等之位置。該像素1001的反射 電極1091係設在該平面化絕緣膜1〇81上，而填滿該等接觸 孔。該反射電極1091係在該接觸孔1083中連接於像素 φ TFT1011的汲極D。一定向膜1101被設在該等反射電極1091 上0 在相對於第一基板1031之第二基板1051上，濾色膜 1121，整體固定於接地電位的第一共同電極1131，及定向 膜U41等乃連續地澱積設置。 一移轉電極TE乃被連接於該等固定電位的電極1071 與第一共同電極1131之間。 第19A圖與第19B圖為該像素TFT1011的平面圖。 第19A圖示出一單閘式TFT。該單閘式TFT1011使用 一聚碎層作為半導體層。該聚石夕層的製法係首先形成一非 晶質石夕層，然後使用準分子雷射等以雷射退火方法將該非 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶質石夕層結晶化。該聚矽層乃被成型而製成一島狀聚矽層 〇 在該單閘式像素TFT1011中，該閘電極G會經由一閘 絕緣膜穿過該聚矽層1027—次，並在該閘電極底下形成該 通道層。一源極區S及一汲極區D設在該聚矽層1〇27相反 端的區域。 該閘電極G係由鋁銳所製成，而被與一掃描線1〇〇5共

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 ___B7 五、發明說明（38 ) 用。 在源極區的源極電極S及一信號線1〇〇3係由鈦/鋁/欽 所製成而被電連接。 第19B圖示出一雙閘式像素TFT1011。 該雙閘式TFT1011在源極與没極之間，具有一倒u形 的通道層1027。該通道層1027乃穿過閘電極兩次，俾改善 流過源極與汲極之電流的可控制性。由光所產生的電流漏 損在一易於影響入射光的聚矽TFT中乃可被減低。 於此實施例中，一使用雙閘式TFT當作像素TFT1011 液晶顯示器將被說明。一單閘式TFT亦可被使用。 該實施例使用聚矽TFTs的反射式液晶顯示器裝置之 詳細剖視圖與平面圖乃示於第20圖與第21圖中。 第21圖係為該反射式液晶顯示器裝置A的平面圖。第 20圖係沿第21圖之VI-VI截線所採的剖視圖。 如第20圖中所示，在該第一玻璃基板1031上，乃設有 一由Si02所製成的基板表面敷層1023，以防止雜質由玻璃 擴散。在該基板表面敷層1023上，該聚矽層1027乃以倒U 形設置如前所述。 在該聚矽層1027上，乃澱積一絕緣膜1061。 更詳細言之，該絕緣膜1061包括一閘絕緣膜1061a設 在該聚矽層1027上，一第一層間絕緣膜1061b設在該閘絕 緣膜106la上，及一第二層間絕緣膜1061c設在該第一層間 絕緣膜1061b上。 如第21圖所示，該閘電極/掃描線1005係設在該閘絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 41 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !245950 A7 〜--------B7 __ 五、發明說明（39 ) 緣膜1061a上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該第一層間絕緣膜106la乃覆設在該閘電極G/掃描線 1005上。接觸孔則貫設於該層間絕緣膜1〇61b與閘絕緣膜 l〇61a中對應於該源極區s與汲極區D的位置。 一源極電極/信號線1003與一汲極電極1〇25被設在第 一層間絕緣膜1061 a上，而填滿該等接觸孔。該信號線丨0〇3 乃經由一貫穿閘絕緣膜106 la與第一層間絕緣膜1〇6 lb之信 號線接觸孔1033，而連接於該像素TFT1011的源極區。該 汲極電極1025則經由一貫穿閘氧化膜1061a與第一層間絕 緣膜106lb的信號線接觸孔1033，而連接於該像素TFT 1011 的〉及極區。 在該第一層間絕緣膜1061 a上，設有一第二層間絕緣 膜1061c而覆蓋該信號線1003與汲極電極1〇25。在該第二 層間絕緣膜1061c上，設有一第二共同電極1〇71覆蓋該整 個像素區域。 第22圖為該第二共同電極1071之平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該第二共同電極1071大致蓋住整個具有多數像素1〇〇1 、1001、1001……的像素區域，及周邊電路區C。 由於該第二共同電極1071具有一固定電位，故該第二 共同電極1071功能形如該像素TFTslOll的電屏，及在該 電極1071底下的信號線1003。 如先前所述，各開孔1073係貫設於該第二共同電極 1071對應於接觸孔1083等之位置，而使該反射電極1〇91與 汲極電極1025連接。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 42 1245950 A7 Β7 五、發明說明（40 ) 由聚醯亞胺製成的平面化絕緣膜1081係被設在該第二 層間絕緣膜1061c上。該平面化絕緣膜1081會整平其底層 的不規則表面，而提供該薄膜1081的平直上表面。假使該 反射電極的反射面不規則，則由該反射面反射的光會朝向 不同方向。超出一預定範圍之反射光不能被使用。故將該 反射面平面化乃可有效地改善入射光的使用效率。 該反射電極1091係被設在該平面化薄膜1081上《該反 射電極1091則經由接觸孔1083連接汲極電極1025。 TFT1011會接收一被送來的影像信號而將之儲存在液晶材 料中。定向膜1101係設在反射電極1091上。 在該第二玻璃基板1051上，乃如先前所述設有濾色膜 1121，第一共同電極1131及定向膜1141等。 該第二共同電極1071與反射電極1091會佔去大部份的 像素區域，並在垂向觀之的不同位置具有開孔。由於針對 來自該第二玻璃基板1051的入射光乃設有雙重的遮光構造 ’故其由該第二玻璃基板1051對第一玻璃基板1〇31之入射 光的遮蔽功能乃可被改善。 該第二共同電極1071具有固定的電位，而該反射電極 1091係面向該第二共同電極107丨，故設於其間的平面化絕 緣膜1081乃會構成該蓄存電容ι〇ΐ7(參閱第17圖）。 該蓄存電容1017形成於反射電極1〇91與第二共同電極 1071之間除了開孔1073以外，而該平面化薄膜1〇81乃插設 其間。該像素TFT1011係設在該蓄存電容1017底下。因此 乃可有效地在一像素區域中設置該像素TFT 1011及蓄存電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I-------訂·--— — — — — — ^ i^v— i經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43 1245950

五、發明說明（41 ) 容1017 。 該第二共同電極1071形成一固定電位的表面，介於該 反射電極1091與一像素驅動線路例如該信號線1〇〇3之間。 因此’該反射電極1091與該像素驅動線路例如該信號線 1003乃可被電屏蔽，故其間的干擾例如串音乃可被抑止。 該第五實施例之液晶顯示器裝置A的製造方法之重點 將被說明。首先，該第一玻璃基板1031上之結構的製程重 點乃被說明如下。 (1) 一底氧化矽膜1023乃被生成於第一玻璃基板1031 上。 (2) —非晶質矽層被以電漿CVD澱積在該氧化矽膜 1023 上。 (3) 該非晶質矽層具有50nm的厚度，乃被用由XeCl光 源所供應之308nm波長的準分子雷射結晶化而形成一聚矽 層 1027 〇 # (句在該聚矽層1027被蝕刻或島狀後，一當作閘絕緣 膜的氧化矽膜1061a乃被以電漿CVD澱積120nm。 (5) —鋁鈮膜被澱積在該閘絕緣膜上，而被成型為閘 電極與掃描線，其係例如利用混合的酸蝕刻劑來溼蝕刻。 (6) n及p型的雜質離子乃被植入該聚矽膜1027的源極 與汲極區中，而由雷射照射來激活。 (7) —第一層間絕緣膜106lb(氮化矽或氧化矽）乃被以 電漿CVD澱積成例如500nm的厚度。 (8) —接觸孔貫設於該第一層間絕緣膜106 la及底下的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n n I l n n 一 6、· I ϋ Mlm n n e 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44 A7

五、發明說明（42 ) 1245950 閘絕緣膜1061a中。一鈦/鋁/鈦疊層膜被澱積填滿該接觸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 孔並被成型，以形成一源極線路而當作該源極電極s與信 號線1003，及一汲極電極1025。 (9)一氮化矽膜乃被以電漿cVD形成例約400nm的厚度 於該第一層間絕緣膜上，作為該第二層間絕緣膜丨〇6丨c , 而覆蓋該源極線路等。 (ίο)—鈦膜乃被澱積在該第二層間絕緣膜i〇6ic上至 約200nm的厚度。鋁可被用來替代鈦。開孔1〇73等乃貫設 該鈦膜，並有一第二共同電極1〇71乃被利用抗蝕罩及含氣 氣體來乾蝕刻製成。 (11) 一聚醯亞胺製成之平面化薄膜1081被設在該第二 共同電極10 71與第一層間絕緣膜10 61 c上。取代該聚酿亞 胺平面化薄膜，一由電漿CVD製成的氮化矽膜亦可被使 用。 (12) 藉使用含氟氣體之乾蝕刻法，經由曝現該上方汲 極電極1025的開孔1073，有一接觸孔1〇83乃被貫設於該平 面化薄膜1081與第二層間絕緣膜l〇61c中。 叾經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (13) 有一鋁的反射電極層1〇91乃被澱積在該平面化薄 膜1081上，而填滿該接觸孔1〇83。該電極層乃被使用含氣 氣體以乾蝕刻法來分隔成像素1001之獨立導電的反射電極 〇 (14) 一定向膜1101乃被設在該反射電極1091上。 在該第二玻璃基板1 05 1上的結構乃由下列方法所製成 45 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 1245950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（43 ) (1) 在該第一玻璃基板1051上，一 1 ·5 # m厚的紅色抗 姓膜乃被以包括乾燥、曝光與顯影過程之正常光蝕刻方法 來塗層’而在像素區域B中形成紅色的濾膜。綠色與藍色 的濾膜亦可用相同方法來製成。 (2) —平面化樹脂膜乃被形成，以將該等濾色膜之不 平坦表面平面化。 (3) —厚度1000埃的ITO薄膜乃被濺射製成，而以預定 的成型方法形成一共同電極1131。 (4) 一聚醯亞胺或類似物之定向膜乃被覆設於第一共 同電極1131上。 藉由上述方法’在第二透明基板1051上的構造乃被完 成。 由上述方法所製成之第一與第二透明基板1031與1〇51 乃被固裝而形成該液晶顯示器裝置A。此方法將說明如下 (1) 設於第一與第二透明基板1031與1051上的定向膜 1101與1141必要時可被加熱及硬化。 (2) 以一拋光布沿預定方向對該等定向膜11 〇丨與丨丨4 j 進行摩擦，而在該等定向膜1101與1141中形成定向結構。 (3) 將聚合物、玻璃、硅石或類似物等球形間隔物散 佈在該第一透明基板1031上。 (4) 以一分配器將密封樹脂塗在第一玻璃基板1 〇3 1之 周邊電路區C的外側區域。 (5) 將第一與第二玻璃基板1031與1051互相疊合，且 -----·---------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1245950 A7 B7 五、發明說明（44 ) 密封樹脂及被加溫加壓而硬化。因此該第一與第二玻璃基 材1031與1051會被密封物1041黏接在一起。而該等球形間 隔物會使基板1031與1051之間保持一預定距離。 (6)將液晶材料E經由一未示出的液晶入口注入該液晶 貯存空間，然後，封閉該入口。 第23A圖與第23B圖乃示出一使用該實施例之反射式 液晶顯示器裝置的液晶面板。 第23A圖示出一反射式直接觀看的面板之重點結構。 該反射式直接親看的面板具有一構造，其極化板PL 係設在一反射式液晶面板A的第二玻璃基板1〇51上。該反 射式液晶面板A的液晶材料E，最好是用垂直定向的液晶 〇 第23B圖示出一三片投影式液晶面板。 該投影式液晶面板具有對R(紅色）G(綠色）B(藍色）等 色於的反射式液晶顯不gs裝置Al、A2與A3，設在一交叉 二向色稜鏡（CDP)的後側及兩邊表面上。 一楔狀稜境WP被設在該CDP的正面。一光源L乃被提 供以將光送至該R、G、B反射式液晶顯示器裝置Al、A2 與A3 〇 由光源L所照射之光會射在該R、G、B反射式液晶顯 示器裝置Al、A2與A3上。 由該各反射式液晶顯不器裝置Al、A2、A3反射的光 ，乃會被該楔形稜鏡WP所折射，故輸出光的光徑乃與輸 入光不同。該折射光會被以一含有透鏡的光學系統LS聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I I I I II I 訂· — — — — — — — — *3^ 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47 1245950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（45 ) 焦在一銀幕S上。該光學系統LS可包括一光學透鏡或一冷 光鏡。 在此實施例之反射式液晶顯示器裝置中，各像素單元 之像素TFT與蓄存電容乃可有效率地設在各像素區域中， 因此可形成一細小的像素。由於一面板的尺寸，尤其是一 反射直接觀看的面板及反射式液晶面板，乃須要小巧緊密 ，故本實施例的反射式液晶顯示器裝置將可適用。 第24圖示出該第五實施例一修正例之反射式液晶顯示 器裝置。第24圖乃相當於第20圖示出該第五實施例之反射 式液晶顯示器裝置的剖視圖。雖一第3 A圖所示的單閘式 TFT在此實施例中被用作一像素TFT，但此並非該修正例 與第五實施例的主要不同點。 在第24圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，一由導電 有機樹脂製成的導電填料1111乃裝填於一接觸孔1083中， 該孔係由一反射電極1091延伸至一汲極電極1025。該導電 填料1111最好被裝填至與一平面化膜1081之頂面齊平的程 度。 該導電填料1111會電連接該反射電極1091與汲極電極 1025。 在一製造第24圖所示之反射式液晶顯示器裝置的方法 ，於形成該平面化薄膜1081之後的程序，將被簡要地說明 。該方法在形成該平面化薄膜之前乃可使用相同於上述的 步驟。 如第25圖所示，該導電填料1111係為添加SnO等之導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------— II ---— — IK--訂·--I--I I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 48 1245950

五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（46 ) 電透明有機材料，乃被塗敷在具有接觸孔1083的平面化薄 獏1081上。 如第26圖所示，該導電填料丨丨丨丨係填滿該接觸孔1〇83 ’並覆蓋該平面化薄膜1081的上表面。 如第27圖所示，一被用作反射電極的鋁膜乃被殿積。 抗光姓罩乃被以平常的成型方法製成圖案，而將反射 電極製成一光罩。 如第28圖所示，該鋁膜係藉使用含氯氣體乾蝕刻的製 成圖案’而該導電有機材料之導電填料ml乃被使用含氟 氣體以乾蝕刻來製成反射電極91。 第24圖所示之反射式液晶顯示器裝置，會比第2〇圖所 示者具有更佳的反射電極之平面性。 第29圖係本發明第六實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖。在此實施例的反射式液晶顯示器裝置中，有一 第三層間絕膜l〇61d、一蓄存電容電極1075，及一平面化 薄膜1081乃設在一第二共同電極1〇71與一反射電極丨〇9 間。該蓄存電容電極1075與該反射電極1091係皆經由一接 觸孔1083連接於一汲極電極1〇25。 該第三層間絕緣膜1 〇61 d乃可由任何薄膜所形成，只 要其此在各接線層間提供足夠的電絕緣性，乃可為_2〇〇nm 厚的氮化矽薄膜。 該蓄存電容電極1075係由鋁製成。鈦亦可用來取代鋁 〇 在此實施例的液晶顯示器裝置中，其像素蓄存電容係 ---------------I----^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（47 ) 由該第二共同電極1071與蓄存電容電極1075所構成，而該 第三層間絕緣膜l〇61d係介於該二電極1〇71與1〇75之間。 由於該反射電極1091之保持平面性的功能係由一上平面化 薄膜1081所形成，故該第三層間絕緣膜1〇61(|的厚度乃可 相對自由地設計。因此乃可以薄化該第三層間絕緣膜1〇61(} 而獲得一較大的電容。從獲取較大電容的觀點而言，最好 是使用氮化矽薄膜，或一具有更高介電常數的氧化短薄膜 亦可被使用。 由於該像素TFT1011與信號線1〇〇3係被三個金屬層所 覆蓋，包括第二共同電極1071、蓄存電容電極1〇75與反射 電極1091等，故其電屏蔽的功能乃可改善，且遮蔽由第二 玻璃基板入射光的遮光性能亦可改善，而更優於第五實施 例的反射式液晶顯示器裝置。 第3 0圖示出第六實施例一第一修正例之反射式液晶顯 示器裝置。 該第一修正例之反射式液晶顯示器裝置A，乃有異於 第29圖所示之反射式液晶顯示器裝置，其中有一第二層間 絕緣膜1061 c係由聚酿亞胺製成而被當作一平面化薄膜。 在此反射式液晶顯示器裝置A中，其第一層間絕緣膜 1061b之頂部由一信號線1003與一上汲極電極1〇25所形成 的不規則上表面，將可被以由聚醯亞胺所製成的第二層間 絕緣膜1061c所覆平。因此設在此第二層間絕緣膜1〇61(：上 的第二共同電極1071之平面性乃可被改善，故由該第二共 同電極1071、第三層間絕緣膜106Id與蓄存電容電極所形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A7 ---- --- B7 五、發明說明（48 ) 成的蓄存電容之電容量乃可被精確地控制。 第31圖乃示出第六實施例之反射式液晶顯示器裝置的 第二修正例。 第31圖乃相當於第30圖示出第一修正例的反射式液晶 顯示器裝置。 在第31圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，有一蓄存 電容電極1075乃經由一從反射電極1〇91延伸至汲極電極 1025的接觸孔1083，而連接於該汲極電極1025。而且，一 由導電聚醯亞胺（樹脂）所製成的導電填料i丨丨丨乃裝填於該 接觸孔1083中。該導電填料mi最好係填至與一平面化薄 膜1081的上表面齊平。 此導電填料1111會經由該蓄存電容電極1075連接反射 電極1091與汲極電極1〇25。 請參考第32圖至第35圖，一種製造第31圖所示之反射 式液晶顯示器裝置之方法將被簡要地說明。 如第31圖所示，當該平面化薄膜1〇81被以上述方法形 成的情況下，該蓄存電容電極1075乃連接於在接觸孔1〇83 中的汲極電極1025。至於該導電填料1111，係由可導電而 造明的有機材料所製成，乃被塗設在該具有接觸孔丨〇83的 平面化薄膜1081上。 如第33圖所示，該導電填料1111係填滿該接觸孔1〇83 而覆蓋該平面化薄膜1081的上表面。 如第34圖所示，有一作為反射電極的鋁膜乃被澱積並 以平常的成型方式形成圖案以製造反射電極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） i^_w^--------^-----1— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 51 1245950 β A7 B7 五、發明說明（49 ) 如第35圖所示，該鋁膜係被用含氣氣體以乾蝕刻來製 成圖案，而該導電有機材料的導電填料im係被以含氟氣 體由乾蝕刻製成反射電極1091。 該第33圖所示的反射式液晶顯示器裝置，會比第16圖 所示者，具有較佳的反射電極之平坦度。 第36圖係本發明第七實施例之反射式液晶顯示器裝置 的剖視圖。 由於一反射式液晶顯示器裝置之尺小係愈來愈緊密小 巧’故對周邊電路一體式的液晶顯示器裝置有強烈須求， 該裝置有一可顯示影像的像素區域與供控制該像素區域的 周邊電路區乃整體製設在同一基板上。 在一使用聚矽TFTs當作周邊電路之半導體主動元件 ，而比使用非晶質矽TFTs者更快的周邊電路一體式液晶 顯示器裝置中，乃須要形成一遮光膜蓋住該周邊電路，俾 用以解決由光所造成之TFT電流漏損的問題。 假使一要被形成於該相對基板（第二基板）上之共同電 極，及一要被覆設於一周邊電路區上的遮光膜係以不同的 程序來製成，則其製造過程將會較複雜。 而且，在第一與第二基板的黏合過程中，乃須要使其 位置精確對齊。假使黏接邊界被設成太大，則將難以增加 像素區域的面積。 以往，平面化材料係被使用於該像素區域中，但其並 不被使用在覆蓋周邊電路區的黑色基質（BM)底下。因此 ，該周邊電路與BM的寄生電容會較大。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------- I --------- <請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950

五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（50 第36圖所示的反射式液晶顯示器裝置包括一像素區域 B可顯示一影像，及一周邊電路c可控制該像素區域b。 如第36圖所示，液晶材料E係被裝填在一第一玻璃基 板1203與一第二玻璃基板1207之間的空間内。 取代透明玻璃基板，一不透明基板諸如矽基板乃可被 用來當作該第一玻璃基板1203。 在該第—玻璃基板12 0 7上’設有'--第·共同電極12 0 5 ’其通常係固定於接地電位。 像素TFTs 1228係形成島狀而設在像素區域B的第一玻 璃基板1203中。 一周邊電路C設在該第一玻璃基板1203上而圍繞該像 素區域B的外側。在該周邊電路C中，聚矽TFTs 1257乃被 用來當作半導體主動元件。 一氧化矽膜1208乃被設在具有像素TFTs 1228的第一 玻璃基板1203上。在該氧化矽膜1208上，聚矽層1209乃被 製成島狀而各形成TFT之通道層。在該氧化矽膜1208上， 乃設有一閘氧化膜1210蓋住該聚矽層1209。在該閘氧化膜 1210上，乃設有一閘電極G亦可當作一掃描線。 有一第一層間絕緣膜1215設在該閘氧化膜1210上，而 覆蓋閘電極G。接觸孔1217，1217，1217，…等乃貫穿第 一層間絕緣膜1215與閘氧化膜1210，而到達源極與汲極區 〇 源極電極S亦作用如一信號線1221，乃被設在第一層 間絕緣膜1215上，該源極電極S係經由接觸孔1217等連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I ·1111111 ^--— — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1245950 A7 B7 五、發明說明（51 ) 於像素TFT1228與周邊電路TFT1257之源極區。而汲極電 極1223係被設成接觸該汲極區。 一第一電極1225被設在該周邊電路區之外周緣區域的 第一層間絕緣膜1215上。 一平面化薄膜1245設在該第一層間絕緣膜1215上。 第二接觸孔1255等乃穿過該平面化薄膜1245，而設在 對應於該像素TFT1228之上汲極電極1223與第一電極1225 的區域。 一反射電極1251設在該平面化薄膜1245上，覆蓋該含 有像素TFTS1228的像素1001等。在該反射電極1251上， 乃設有一定向膜1258。 有一周邊電路罩膜1253設在該平面化薄膜1245上，而 覆蓋該含有周邊電路TFTS1257的周邊電路C，該罩膜1253 係被以使用於該反射電極1251的同一製程來形成。 該汲極電極1223與反射電極125 1係被填注於接觸孔 1255中的導電填料1259電連接。該第一電極1225與周邊電 路罩膜1253亦被填注於接觸孔1255中的導電填料1259電連 接。 該周邊電路罩膜1253之一連接端子1287係經由一導線 1281電連接於一設在第二玻璃基板1207上之共同電極1205 的連接端子1285。 在本實施例之反射式液晶顯示器裝置中，當該反射電 極被製成的同時，該周邊電路罩膜亦被形成。而不須要另 外增加的製程來形成該周邊電路罩膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-· H ϋ 1· I 1 H 一：0, · I I ϋ ϋ ι ϋ 1 I

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 54 1245950 A7 B7 五、發明說明（52 ) 該周邊電路罩膜會遮蔽來自周邊電路TFTs 1257的光 。故由光所造成的電流漏損將可被減少，而該周邊電路由 光所造成的故障可能性亦可被降低。 因為該周邊電路罩膜係連接於共同電極而被設定於接 地電位’故沒有偏壓會施加於在周邊電路上的液晶材料。 因此’乃可避免該液晶材料被施以一ci.c·偏壓（例如電源供 應電壓及接地電壓）而被劣質化。 如使使用正常為黑色的液晶，在一顯示區的周邊亦總 保持黑色顯示狀態，而沒有反射光，因為沒有偏壓施加於 該等液晶。由於該周邊電路罩膜係設在第一玻璃基板的最 上層’故其乃可被當作一對該第二玻璃基板的移轉電極。 該移轉電極的構造與位置之自由度乃可提高。 當與一須要製得小巧緊密的反射投影式面板一起使用 時’此反射式液晶顯示器裝置及特別有效。 第3 7圖示出該第七實施例之第一修正例的反射式液晶 顯示器裝置A。 在第37圖所示的反射式液晶顯示器裝置a中，有一第 二層間絕緣膜1235被設在第一層間絕緣膜1215與平面化薄 膜1245之間。一第二共同電極1271設在該第二層間絕緣膜 1235上，而覆蓋像素TFTsl228。該第二共同電極1271設 有一開孔1273 ’位於該像素TFT1228的上没極電極1223上 方。 第二共同電極1271亦可被製成分開地覆蓋各像素，或 覆蓋多數的像素，或覆蓋整個像素區域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公餐） (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 『經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 55 !245950

、發明說明（53 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該第二共同電極1271最好係連接於第一共同電極l245 ，而被施以接地電位。 在此修正例之液晶顯示器裝置中，一像素蓄存電容係 由該第二共同電極1271、平面化絕緣膜1245與反射電極 1251等所構成。 該蓄存電容係被設成近乎一含有像素TFT1228之像素 的全部區域。該像素TFT與蓄存電容可被有效率地設在此 區域中，因此該像素可被製成很細微，而該裝置可被製得 更小巧精密。 第3 8圖示出第七實施例之第二修正例的反射式液晶顯 示器裝置A。 在第38圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，有一第二 層間絕緣膜1235乃被設在第一層間絕緣膜1215與平面化薄 膜1245之間。有一共同電極1271設在該第二層間絕緣膜 1235上，覆蓋該像素TFT1228。該第二共同電極1271設有 一開孔1273位於該像素TFT1228之汲極電極1223的上方。 在該開孔1273中，有一接觸孔貫穿該第二層間絕緣膜 1235而填滿填料1227。此填料1227乃可用與該第二共同電 極1271之相同方法製成。 有一填料1247亦被填裝於貫穿該平面化薄膜1245的接 觸孔中。該第一電極1225乃經由相同的填料1227與1247連 接於周邊電路罩膜1253。 由於該接觸孔乃被以填料1227與1247裝填兩次，故填 滿該接觸孔乃較容易。該上汲極電極1223與反射電極1251 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Aw in---^--訂“---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 ________B7__ 五、發明說明（54 ) 將能更可靠地電連接。 第39圖示出該第七實施例之第三修正例的反射式液晶 顯示器裝置A。 在第39圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，有一第二 層間絕緣膜1235與一第三層間絕緣膜1236乃被設在第一層 間絕緣膜1215與平面化薄膜1245之間。有一第二電極1271 設在該第二層間絕緣膜1235上，而蓋住該像素TFT1228。 該第二共同電極1271設有一開孔位於該像素TFT1228的上 汲極電極1223的上方。 該第三層間絕緣膜1236覆蓋該第二共同電極1271。有 一接觸孔貫穿該第三與第一層間絕緣膜〗236與1235而曝現 該沒極電極1223。有一蓄存電容電極丨291設在.該第三層間 絕緣膜1236上’而蓋住該接觸孔並面對第二共同電極Kyi 在該開孔1273中，該蓄存電容電極1291會蓋住貫穿該 第二層間絕緣膜1235的接觸孔。 在該包含第一電極1225的區域中，有一接觸孔乃貫穿 第二與第一層間絕緣膜1236與1235而曝現該第一電極1225 。有一與該蓄存電容電極1291相同之材料製成的中間電極 1291a會封蓋該接觸孔。 一平面化薄膜1245會覆蓋該蓄存電容電極1291與中間 電極1291a，有一接觸孔貫穿該平面化薄膜1245而曝現該 電極 1291 與 1291a。 填料1261會填入該接觸孔中而蓋住其内的電極1291與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 57 1245950 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（55 ) 1291a。一反射電極1251及一周邊電路罩膜1253會覆蓋該 填料1261與平面化薄膜1245。 在此結構中，該第一電極1255乃連接於周邊電路罩膜 1253。 該蓄存電容電極係由該固定電位的電極1271、第三層 間絕緣膜1236與蓄存電容電極1291所構成。相較於由平面 化薄膜所構成的電容，其蓄存電容值設計的自由度乃可提 升。而可獲致一較大的電容量並能製成更細小的像素。 第40與41圖乃示出本發明第八實施例之反射式液晶顯 示器裝置。 第40圖係為該液晶顯示器裝置a之平面圖。 此反射式液晶顯示器裝置在一像素區域B與周邊電路 區C之間包含一寄生區域。 第41圖係為一包括該寄生區域ba之左上角的區域X 之平面圖。 一仿反射電極125 la係由與一像素1201之反射電極 1251相同的金屬層製成，而形成於設在寄生區域ba中的 像素TFTs上方。 該仿反射電極125 la係形成於設在該寄生區域BA中的 仿像素1201a，1201a，120la等上方。 該仿反射電極1251a係連接於設在第二玻璃基板上的 共同電極。 由於具有與該共同電極相同電位的金屬膜係靠近該像 素區域的周邊區，而該周邊區於正常為黑色液晶的情形下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 58

、發明說明（56 ) 1245950 係總是顯示“黑暗”，因此雜散光的影響乃可被抑止。 該等仿反射電極1251a乃可與周邊電路罩膜丨253 —體 製成，而連接於共同電極。 雖然只有一仿像素120 la被設在水平與垂直方向，但 兩個或更多的仿像素1201a乃可被設在水平與垂直方向。 請參閱第42圖，有一第九實施例的反射式液晶顯示器 裝置將被說明。 在一反射式液晶顯示器裝置中，半導體主動元件與信 號線係可被設在反射電極底下。因此可達到一較高的開玫 率。 然而，為了將一半導艎主動元件之端子電連接於一反 射電極，乃須要形成一接觸孔貫穿一層間絕緣膜。 因此，在該層間絕緣膜中該接觸孔及附近區域的平坦 度乃會變差。平坦度不佳的區域基本上不能被用於顯示。 液晶顯示器裝置的面度集成（細微圖形化）乃正發展中 。由一接觸孔所造成的不良平坦度乃會產生不可忽視的問 題0 在目前的反射式液晶顯示器裝置中，於一具有例如 TFTs之主動元件的基板上，以一平面化薄膜或類似物來 覆蓋不規則表面而將之平面化的技術，乃已被採用。 藉著將第一基板之不規則表面平面化，在一基板之共 平面方向的電場之影響，及一以匯流線例一信號線來形成 的階層之影響，乃可被緩和減輕，且像素的開放率可被改 善。 · 11----I til------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1245950 A7 B7 五、發明說明（57 ) 通常’主動元件與匯流線可被設在一反射式液晶顯示 器裝置之反射電極底下，因此乃可達到一較高的開放率。 但是，一反射式液晶顯示器裝置仍有以下的問題。 因必須將一主動元件的端子（例如TFT之汲極端）電連 接於一設在該主動元件的端子上方之層間絕緣膜上的反射 電極（顯示電極）。因此，乃設有一接觸孔貫穿該層間絕緣 膜，並有一反射電極（顯示電極）被澱積成與該接觸孔的凹 窪造型一致，而以電極材料填滿該接觸孔。 填注於該接觸孔之反射電極的上表面會有一凹部形狀 。在該反射電極上的液晶分子之定向會被此凹部形狀所擾 亂。該擾亂定向的區域乃不能用以顯示影像。若像素被製 得更細，則靠近該接觸孔的紊亂定向之影響乃不可被忽視 。儘管以樹脂或類似物填注於該反射電極的凹部區域，但 偏極化的問題仍會存在。 於第42圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，一具有源 極S、閘極G與汲極D的聚矽TFT1317乃被設在一第一玻璃 基板1303上。 在一相對於該第一玻璃基板1303的第二玻璃基板1307 上，乃設有一第一共同電極1305。液晶材料E則被裝填於 該第一與第二玻璃基板1303與1307之間。 在該聚石夕TFT 13 17上，乃設有一由壓克力樹脂所製成 之平面化絕緣膜1331，其具有2/zm的厚度。一5//m平方 的接觸孔1325乃貫設於該平面化絕緣膜133 1中對應於該汲 極D的位置，該接觸孔具有推拔斜面而使其上方開口處形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·丨丨丨丨丨^丨.1^ ·丨丨丨丨丨丨I - . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 Ϊ245950 i、發明說明（58 ) 成10ym平方。一第一反射電極1347乃被澱積成與該接觸 孔1325的凹窪形狀一致。 一壓克力樹脂之接觸孔填料1361乃被填注於在該接觸 孔1325中之第一反射電極1347的凹窪空間内。該接觸孔填 料1361係藉旋轉塗敷將壓克力樹脂塗在該第一反射電極上 而製成，然後進行灰化處理直到該第一反射電極1347的上 部平坦表面與所塗敷的壓克力樹脂之上表面齊平為止。 一 I呂之第二反射電極1351乃被設在該第一反射電極 1347的上部平坦表面上，及填滿該凹窪空間的壓克力樹脂 填料1361之平坦表面上。 該第一反射電極1347乃可由鈦或鈇/紹/鈥所製成， 俾可改善對汲極電極的緊密黏合。 第42圖所示之反射式液晶顯示器裝置，其作用如一實 際的反射電極之第二反射電極1351具有一良好的平坦度。 以該實施例的反射式液晶顯示器裝置，液晶的定向即 不會受一連接反射電極與汲極電極之接觸孔的干擾。由於 該反射電極的表面係為平坦的，偏極化將難以產生。當一 像素被製得細微時，在該接觸孔之紊亂定向所造成之不能 用以顯不影像的區域，乃會變得很小。 請參閱第43圖，本發明之第十實施例的反射式液晶顯 示器裝置將被說明。 在第43圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，一具有源 極S、閘極G與汲極D的聚矽TFT1317，乃被設在一第一玻 璃基板1303上。 ---I----^-----I--- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1245950 A7 B7 五、發明說明（59 ) 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一相對於該第一玻璃基板1303的第二玻璃基板1307 上，乃設有一第一共同電極1305。液晶材料E係被裝填於 該第一與第二玻璃基板1303與1307中。 在該聚矽TFT1317的汲極電極D上，乃設有一突出的 没極電極1326，其係由鈦/鋁/鈦所製成而具有Ι/zm的 高度。 一由壓克力樹脂所製成的平面化絕緣膜1321具有2 // m的厚度，而覆蓋該具有突出汲極電極1326的聚矽TFT1317 。該突出的汲極電極1326與該平面化絕緣膜1321具有實質 上相同的上表面水平。 一鋁之反射電極1351係設在該突出汲極電極1326的頂 部表面上，而曝現於該平面化絕緣膜1321的表面水平上。 第43圖所示的反射式液晶顯示器裝置，該反射電極 1351乃具有良好的平坦度。該反射電極與汲極電極之間的 電連接亦很容易。 於此實施例之反射式液晶顯示器裝置中，該突出的沒 極電極係先被设在該;r及極電極上。因此，當該反射電極與 汲極電極電連接時，將不會發生紊亂的液晶定向。由於該 反射電極的表面係為平坦的，偏極化將難以產生。當像素 製成細小時，在該接觸孔之紊亂定向所可能產生的不能用 以顯示影像之區域，將變得很小。 請參閱第44圖，本發明第十一實施例之反射式液晶顯 示器裝置將被說明。 在第44圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，於一具

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· ϋ ϋ 1_1 I t ϋ n 一-o’ · ϋ ϋ ϋ ·1 1· I ·

A7 B7 1245950 五、發明說明（6〇 ) 聚矽TFTs之第一玻璃基板1303上，乃設有信號線（匯流線 )13 87等而經由一層間絕緣膜連接TFTs的源極電極。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一相對於該第一玻璃基板1303的第二玻璃基板1307 上’乃設有一第一共同電極1305。液晶材料E則被裝填於 該第一與第二玻璃基板1303與1307之間。 一像素間距為30/zm而該等信號線1387的厚度（階）係 為 1 /z m。 在第44圖所示的反射式液晶顯示器裝置中，有一不連 接於TFT之源極電極的仿信號線1391乃被設在信號線1387 與1387之間幾近中央處，而與信號線1387以相同方向延伸 〇 在該仿信號線1391製成之後，壓克力樹脂乃被旋塗而 形成一具有2 β m厚度的平面化絕緣膜1393。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，類似於第八實施例的反射式液晶顯示器裝置， 一接觸孔乃被貫設而達到TFT的汲極電極。一鋁的第一反 射電極則被澱積在該接觸孔上，覆蓋該接觸孔的凹壁。嗣 ，一壓克力樹脂的接觸孔乃被填入該接觸孔中的第一反射 電極之凹漥空間内。該接觸孔填料係被以旋塗將壓克力樹 脂塗覆在第一反射電極上而製成，然後進行灰化處理，直 到該第一反射電極之頂部平坦表面與該塗敷的壓克力樹脂 之頂部表面齊平為止。 I呂的第一反射電極乃設在該第一反射電極之頂部平 坦表面上。 第44圖所示之具有仿信號線的反射式液晶顯示器裝置 63 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >c 297公釐） 1245950

五、 發明說明（61 ) 乃比第九實施例者具有甚為更佳的第二反射電極之平坦 度。 本發明的液晶顯示器裝置不僅適用於個人電腦，亦能 適用於可攜式雙工器、電視、工業用監視系統及類似物等 0 本發明乃被以較佳實施例來說明。但本發明並非僅限 於上述實施例。各種修正、改良、組合等乃可由專業人士 所輕易實施。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #

II 一6·1、· n An —Bi if ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1245950 * * 4經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62 ) 元件標號對照 卜··黑色基質 73a、b···平面化薄膜 5…密封物 75a、b···定向薄膜 Π…信號線 85…複晶薄膜電晶體 15…掃描線 111…兩路切換區 17…視頻信號線 115…移位寄存區 21…像素 117···多工轉換區 23…液晶單元 121…驅出緩衝區 25…像素薄膜電晶體 121a…反相級 27…蓄存電容 125…觸發電路 31…透明基板 151…類比開關 33…絕緣膜 161…類比開關控制區 35…通道聚發膜 Π1…移位寄存電路 37…高雜質濃度區 173…觸發電路 41…絕緣膜 175…緩衝電路 41a…第一層間絕緣膜 176…反相器 41b…第二層間絕緣膜 181…類比開關信號控制線 45…像素電極 201…絕緣黑色樹脂膜 51…第二透明基板 301…罩膜 71…共同電極 401…罩膜 81…液晶貯存空間 405…内板罩膜 85…周邊電路薄膜電晶體 501…密封物 61 ' 63、65…彩色樹脂膜 503…罩膜 --------------------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 65 1245950 A7 B7 五、 發明說明（63 ) 6〇1…殼體 603…入口 605…輸入裝置 1001…像素 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1003·· 1005··ion·· 1015·· 1017" 1021- 1023·· 1025·· 1027·· 1031- 1033·· 1041- 1051- 1061" 1061a 1061b 1061c 1061d 信號線（源極電極） 掃描線（閘極電極） 像素薄膜電晶體 液晶早7L 蓄存電容 聚梦薄膜電晶體 基板表面敷層 沒極電極 通道層 第一玻璃基板 k號線接觸孔 密封物 第二玻璃基板 層間絕緣膜 ••閘絕緣膜 ••第一層間絕緣膜 ••第二層間絕緣膜 ••第三層間絕緣膜 1071…第二共同電極 1073…開孔 1075 1081 1083 1091 1101 1111 1121 1131 1141 1201 1201a 1203 1205 1207 1208 1209 1210 1215 1217 1221 1223 1225 1227 1228 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 蓄存電容電極 平面化絕緣膜 接觸孔 反射電極 定向膜 導電填料 濾色膜 第一共同電極 定向膜 像素 •仿像素 第一玻璃基板 第一共同電極 第一玻璃基板 氧化矽膜 聚矽層 閘氧化膜 第一層間絕緣膜 接觸孔 信號線 >及極電極 第一電極 填料 像素薄膜電晶體 ——-·------------ 訂—------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 66 1245950 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（64 ) 1235…第二層間絕緣膜 1236…第三層間絕緣膜 1245…平面化薄膜 1247…填料 1251…反射電極 1251a…仿反射電極 1253…周邊電路罩膜 1255…第二接觸孔 1257…聚矽薄膜電晶體 1258…定向膜 1259…導電填料 12 61…填料 1271…第二共同電極 1273…開孔 1281…導線 1285…連接端子 1287…連接端子 129卜··蓄存電容電極 1291a···中間電極 1303…第一玻璃基板-1305…第一共同電極 1307…第二玻璃基板 1317…聚矽薄膜電晶體 1321…平面化絕緣膜 1325…接觸孔 ~ 1326…汲極電極 1331…平面化絕緣膜 1347…第一反射電極 1351…第二反射電極 1361…填料 1387…信號線（匯流線） 1391…仿信號線 1393…平面化絕緣膜 A…液晶顯示器裝置 B…像素區域 C…周邊電路區 C1…掃描線驅動電路 C2…信號線驅動電路 D… >及極電極 E···液晶材料 G…閘極電極 S···源極電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 67 -------I I I I I — — — — — — I— ^ « — — — — — I — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1245950面影命1々、申請專利範圍 弟8 8 1 1 8 8 11號申請幸申士主蜜 I〜· 月系曱5月專利範圍修正本

^ 8AS： 1. 種液晶顯示器裝置，包含·· 94.08.18. 一第一基板； 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 -顯示區設在該第一基板上，而包括多數呈矩陣圖 案列設的像素，多數的掃描 沾片咕# ” - * 尤、羽卩方向延伸，及多數 之:f 行方向延伸’其中在該等掃描線與信號線 2母二叉點係連接—像素，且各像素含有一半導體 動兀件及一像素電極； ^第一周邊電路以橫排方向設於該顯示區外之錄 弟一基板的相對端部中之至少-者，並包括-掃描線驅 動電㈣有半導體主動元件可驅動該等掃描線； 一第二周邊電路以直行方向設於該顯示區外之該 第-基板的相對端部中之至少一者，並包括一信號線驅 動電路含有半導體主動元件可驅動該等信號線； -透明的第二基板與該第一基板相向對設； 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間；及 一絕緣光遮蔽膜設在該第二基板之内表面上，且 蓋该第二周邊電路的至少一部份區域。 2.如申請專利範圍第丨項之液晶顯示器裝置，更包含另 絕緣光遮蔽膜設在該第一基板之内表面上，而覆蓋 一周邊電路的至少一部份區域。 3 ·如申凊專利範圍第1項之液晶顯示器裝置，其中至一 一部份絕緣光遮蔽膜亦形成一密封物，而可密封該在 一與第二基板之間的液晶層。 主 該 覆 該第 少有 第 本紙張尺度賴 + 國準（(：Νϋ!^ΓΓ2Ϊ(Γχ_297 w/y 68 1245950 A8 B8 C8 D8 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 20 申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器裝置，其中該另一 絕緣光遮蔽膜係被設成覆蓋該第一與第二周邊電路之 整個表面。 5. 如申請專利範圍第丨項之液晶顯示器裝置，更包含一導 電光遮蔽膜設於該第二基板的内表面上，而在該第一周 邊電路的上方。 6. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器裝置，更包含再一 絕緣光遮蔽膜或一導電光遮蔽膜設在該第二基板的外 表面上。 7. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器裝置，更包含另一 導電光遮蔽膜設於該第二基板的内表面上，而在該第二 周邊電路中之一具有低操作頻率的電路上方。 8. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器裝置，其中該第二 周邊電路包括： 視頻信號線可傳輸一外來的視頻信號； 多數的類比開關設在該等視頻信號線與半導體主 動兀件的源極電極之間，各類比開關包含一控制端子及 -對電流端子’而可將由視頻信號線送來的視頻信號切 換至該半導體主動元件的源極電極，以回應—被送至該 控制端子的信號；及 一類比開關控制區可控制兮筮农垂 』？工制°亥4多數的類比開關，· 其中該類比開關控制區乃包括·· 移位寄存電路含有許多數級的觸發電路； 缓 衝電路連接於-對應級的觸發電路之輸出；及 本紙張尺度適用中國國 裝 -訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 69 1245950 六、申請專利範圍 <牧热合效衝電路之輪出盥-對應的類比開關之控制端子。 9.如申請專利範圍第8項之液晶顯示器裝置，其中輸 寄存電路包括-多級的〇式觸發電路互相串聯 -級的輸出被輸人後-級，而該緩衝電路係連接於―二 應級之D級式觸發電路的輸出，並包括_具有串聯反本 電路的串聯反相器鏈。 10·—種液晶顯示器裝置，包含： 一第一基板； 一顯示區設在該第-基板上，而包括多數的像素列 設成矩陣圖案，多數的掃描線以橫排方向延伸’及多數 的信號線以直行方向延伸，其中在該等掃描線與信號線 之各交叉點處乃連接—像素，且各像素含有—半導體主 動元件與一像素電極； 扣 帛周邊電路以橫排方向設在該顯示區外之該 第-基板的相對端部中之至少一者，並包括一掃描線驅 動電路含有半導體主動元件可驅動該等择描線； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印4 ^第-周邊電路以直行方向設在該顯示區外之該 第-基板的相對端部中之至少一者，並包括一信號線驅 動電路含有半導體主動元件可驅動該等信號線； 一透明的第二基板與該第-基板相向對設； 一液晶層央設於該第—與第二基板之間； ^ 導電光遽蔽膜設在該第二基板的外表面上，且覆 蓋該第二周邊電路之至少一部份區域。 本紙張尺度適用中國^^ 70 1245950

u•一種液晶顯示器裝置，包含·· 一第一基板； 圖宰;在該基板上，而包括多數的像素以矩網 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 ’夕數的掃描線以横排方向延伸，及多數的r- 號線以直行方向延/由甘 ^ 六 ，/、中在該等掃描線與信號線之洛 父又點處乃連接_像音， ’、 各像素έ有一半導體主動元 件與一像素電極； -第-周邊電路以橫排方向設於該顯示區外之該 部中之至少_者，並包括_掃描線驅 動電路t有半導體主動元件可驅動該等掃描線； 一第一周邊電路以直行方向設於該顯示區外之該 第-基板的相對端部中之至少_者，並包括—信號線驅 動電路含有半導體主動元件可驅動該等信號線； 一透明的第二基板與該第一基板相向對設； 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 一絕緣光遮蔽膜設在該第二基板的内表面上，並覆 蓋該第二周邊電路之至少一部份區域；及 一殼體含有一電子電路。 12·—種反射式液晶顯示器裝置，包含·· 一第一基板含有一顯示區具有多數像素以矩陣圖 列設； 一第二基板與該第一基板相向對設，並設有一第一 共同電極；及 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 不紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 71 1245950 A8 B8 C8 D8 5 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 20 、申巧專利範圍 其中該第一基板的顯示區乃包括： 多數的半導體主動元件以矩陣圖案列設，其各具有 一源極、一汲極與一閘極； 一層間絕緣膜覆設於該等半導體主動元件上； 多數的掃描線設於該層間絕緣膜中，而可各連接於 以橫排方向列設的半導體主動元件之閘極； 、 多數的信號線設於該層間絕緣膜中，而可各連接於 以直行方向列設的半導體主動元件之源極； 、-第二共同電極以較高於該等掃描線與信號線的 向度設於該層間絕緣膜中，t蓋多數的像素，而電連接 於一固定電壓’並在各半導體主動元件的汲極上方 一開孔；及 多數的像素電極設在該層間絕緣膜上，各係貫穿一 設在該層間絕緣膜對應於前述開孔區域之_接觸孔， 連接於-對應之半導體主動元件的汲極，該等像素電 乃就各像素而分開，且透過該液晶層而與該第-共同 極相對。η·如申請專利範圍第12項之反射式液晶顯示器裝置，更包 含有一蓄存電容電極連接於各半導體主動元件之汲極 ，：以：於該像素電極與第二共同電極之間的中間高度 ’口又在綠層間絕緣膜中 、，# ㈣存電各電極係就各像素分 開“’亚错相對於該第二共同電極而形成一蓄存電容 而 電 14.如申請專利範圍第】2 、足反射式液日日顯示器裝置，其中 -一~_ Φ--------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 72 1245950 | L/0 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 5 ο 1A 5 1± 申請專利範圍 該第二共同電極係由可遮光的導電材料製成。 15·如申請專利範圍第12項之反射式液晶顯示器裝置，其中 該像素電極包括一導電填料，其係填滿被設在該層間絕 緣膜中的接觸孔。 16·如申請專利範圍第12項之反射式液晶顯示器裝置，其中 該第一基板包括一周邊電路區環設於該顯示區周圍，並 包含一驅動電路可驅動該顯示區，而該第一基板之周邊 電路區含有： 多數的驅動電路半導體主動元件，各具有一源極、 一沒極與一閘極； 一周邊層間絕緣膜覆蓋該等驅動電路半導體主動 元件，具有一與該層間絕緣膜基本上相同的結構，而不 包含該第二共同電極；及 一周邊罩膜設在該周邊層間絕緣膜上，並具有與該 像素電極基本上相同的結構。 17·如申請專利範圍第12項之反射式液晶顯示器裝置，其中 該周邊罩膜係電連接於該第一共同電極。 18 · —種反射式投射面板，包含： 一反射式液晶顯示器裝置及一光學系統裝置，其中 該反射式液晶顯示器裝置含有： 一第一面板包括一顯示區具有多數像素以矩陣圖 案列設； 一第二面板與該第一面板相向對設，並設有一第一 带---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公.g 73 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1245950 A8 B8 C8 -—~~ ----- D8 " - 六、申請專利範圍 共同電極；及 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 其中該第一基板的顯示區包含： . 多數的半導體主動元件以矩陣圖案列設，各具有一 > 源極、汲極與一閘極； 一層間絕緣膜覆蓋該等半導體主動元件； 多數的掃描線設於該層間絕緣膜中，可各連接於以 橫排方向列設的半導體主動元件之閘極； 、 多數的信號線設於該層間絕緣膜中，可各連接於以 直行方向列設的半導體主動元件之源極； -第二共同電極以較高於該等掃描線與信號線之 水平設於該層間絕緣膜中，覆蓋多數的像素，而電連接 於該第一共同電極，並在各半導體主動元件之汲極上方 具有一開孔；及 多數的像素電極設在該層間絕緣膜上，各係貫穿一 設在該層間絕緣膜上對應於該開孔區域之接觸孔，而連 接於一對應的半導體主動元件之汲極，該像素電極係就 各像素而分開，並透過該液晶層而與該第一共同電極相 對；而 該光學系統包含： 一光源可由該第一基板的相反側對該第二基板照 射光；及 一光學系統可將由該等像素反射的光聚焦。 1 9. 一種反射式直接觀看面板，包含： 本紙張尺度適用中國國家標準Γ~^Γ---—^- .—^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8

、申請專利範圍 1245950 一反射式液晶顯示器裝置及一極化板，其中·· 該反射式液晶顯示器裝置含有： 一第一基板包括一顯示區具有多數像素以矩陣圖 案列設； 5 ο 1A 5 1X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一第二基板與該第一基板相向對設，並設有一第一 共同電極；及 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 其中該第一基板的顯示區乃包含： 多數的半導體主動元件以矩陣圖案列設，各具有一 源極、一汲極與一閘極； 一層間絕緣膜覆蓋該等半導體主動元件； 多數的掃描線設於該層間絕緣膜中，各可連接以橫 排方向列設的半導體主動元件之閘極； 夕數的k號線设於該層間絕緣膜中，各可連接以直 行方向列設的半導體主動元件之源極； 一第二共同電極以較高於該等掃描線與信號線之 水平設於該層間絕緣膜中，覆蓋多數的像素，而電連接 於該第一共同電極，並在各半導體主動元件的汲極上方 具有一開孔；及 多數的像素電極設在該層間絕緣膜上，各係貫穿設 在該層間絕緣膜對應於該開孔區域之一接觸孔，而連接 於一對應的半導體主動元件之汲極，該像素電極係就各 像素而分開，並透過該液晶層而與該第一共同電極相對 ;而 本纸張尺度適厗中國國家標準（CNS)A&格（210: 75 1245950

、申請專利範圍 5 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 印 製 20 4極化板係被設成面對該第二基板相反於該第一 基板的表面。 種反射式液晶顯不器裝置，具有一顯示區有多數像素 以矩陣圖案列設’及—周邊電路圍繞該顯示區以控制其 中的像素；該裝置包含： 弟基板形成该顯示區與周邊電路； 第一基板與該第一基板相向對設，並設有一共同 電極；及 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 其中該第一基板包含： ―、多數的像素及周邊電路之半導體主動元件，各具有 一源極、一汲極與一閘極； 一層間絕緣膜被澱積覆蓋該等半導體主動元件， 層間絶緣膜含有-最高層形如平面化薄膜具 功能； τ π 一接觸孔貫穿該層間絕緣膜而達到在該顯示區 之一對應半導體主動元件的汲極； 一導電連接物填設於該接觸孔中’並具有㈣層 絕緣膜實質上相同的表面水平； 曰 -反射電極設在該層間絕緣膜上，覆蓋該顯示區 的半導體主動元件，並就各像素分開；及 -周邊電路罩膜設在該層間絕緣膜上， 邊電路的半導體主動元件。 該 化 中 中 日”、、貝不态裝置，更包 以.如申請專利範圍第2〇項的反射式

*--------丨訂-----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 76 1245950 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 含一蓄存電容電極設在該平面化薄膜底下，並具有一 孔含括該接觸孔，該蓄存電容電極可藉該反射電極與 對應的像素相對而形成一蓄存電容。 22·如申請專利範圍第21項的反射式液晶顯示器裝置，其 。亥周邊電路罩膜及該蓄存電容電極係連接於該共同 極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 ·如申請專利範圍第20項之反射式液晶顯示器裝置，更包 3密封物設在該第一與第二基板之間，而覆蓋該周邊 電路的至少一部份區域，該密封物會密封該液晶層。 2(如申請專利範圍第2〇項之反射式液晶顯示器裝置，更包 各仿像素設在該顯示區與周邊電路之間的寄生區域中 ，騎像素具有與在該顯示區中的像素實質上相同的結 構，而該仿像素的反射電極乃被供以相同於該周邊電路 罩膜的電位。 ’種/夜晶顯不器裝置，包含： 一第一基板； 一顯示區設在該第一基板上並含有多數像素以矩 陣圖案列設，多數的掃描線以橫排方向延伸，及多數的 錢線以直行方向延伸，其中在該等掃描線與信號線之 交叉點處乃連接-像素，而各像素含有一半導體主動元 件及-像素電極連接於該半導體主動元件及一像素電 極連接於該半導體主動元件的汲極電極； 一周邊電路以橫排及直行方向設於該第—基板的 相對端部’並含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃描 --------------裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • n n I· II I I ·1111. 丨線· 77 1245950 AS d

78 1245950 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 相對端部’並含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃描 線與信號線； 一第二基板與該第一基板相向對設；及 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間。 5 27· —種液晶顯示器，包含·· 一第一基板； “示區ό又在该第一基板上，而包括多數像素以矩 陣圖案列δ又，多數的掃描線以橫排方向延伸，及多數的 信號線以直行方向延伸，其中在該等掃描線與信號線之 1〇 各交叉點處乃連接一像素，而各像素含有一半導體主動 元件及一像素電極連接於該半導體主動元件之汲極電 極； 一周邊電路以橫排及直行方向列設於該第一基板 的相對部，而含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃描 15 線與信號線； 一第二基板乃與第一基板相向對設； 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 至少一仿突伸物設於第一基板上的周邊電路中位 於該第一基板之一寄生空間内；及 一平面化薄膜設在該第一基板上，覆蓋該仿突伸物 〇 28. —種反射式液晶面板，包含： 一液晶顯示器裝置及一光學系統裝置，其中： 该液晶顯示器裝置含有： 本紙張尺度適周中國國家標準（CNS)A4規格（210 >: 297公釐） *裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 79 1245950 、申請專利範圍 10 15 經 濟 部 智 慧丨20 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 一第一基板； -顯示區設於該第—基板上 :_設，多數的掃描線以横排方向延 nr直行方向延伸，其中在該等掃描線與: ^又又點處乃連接—像素’而各像素含有一半 體主動4及-料電_接料半物 汲極電極； 初几1干 -周邊電路以横排及直行方向設於基板的 :端部’而含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃 描線與信號線； -第二基板乃與該第一基板相向對設；及 -液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 其中該像素包含： -平面化絕緣膜覆蓋該等像素之半導體主動元件； 至少一接觸孔貫穿該平面化絕緣膜，而達到該半導 體主動元件之汲極電極； 一第一電極覆蓋一含括該接觸孔的區域，並在該第 一電極之上表面留下一凹部； 一接觸孔填料可填設於該第一電極上表面的凹部 中； 一第二電極覆蓋該第一電極與接觸孔填料；而 該光學系統包含： β 一光源可由該第一基板之相反側朝該第二基板照 射光；及 號 導 之 _ 】 "'——II fill- I II· t - I 圓 _ ——φ—— 本紙^1尺度適用中國國家標準（Q\JS)A4規格（2]0 χ 297公愛 80 1245950 A8 B8 C8

六、申請專利範圍 5 5 IX 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο 2 一尤子糸統可將由像素反射的光聚焦。 29.種反射式液晶面板，包含·· 一液晶顯示器裝置及一光學系統裝置，其中·· 該液晶顯示器裝置含有·· 一第一基板； 一顯示區設於該第一基板上，而包括多數像素以夫 陣圖案列設，多數的掃描線以橫排方向延伸，及多數白 化號線以直行方向延伸，其中在該等掃描線與信 各交叉點處乃連接一像素，而各像素包含：一半導U體主 動元件具有一源極、一汲極與一閘極；一突出的汲極售 極設在該半導體主動元件之汲極上；一絕緣膜填設於該 突㈣汲極電極之附近區域，而具有與該突出的沒極電 極實質上相同的高度水平；及一像素電極設在該在該絕 緣膜與突出的汲極電極上； 一周邊電路以橫排及直行方向設於該第一基板的 相對端部，而含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃描 線與信號線； 第一基板乃與該第一基板相向對設；及 液晶層夾設於該第一與第二基板之間；而 該光學系統包含： —一光源可由該第一元件的相反側朝該第二基板照 射光；及 i… 一光學系統可將由像素反射的光聚焦。 •種反射式液晶面板，包含： 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再| k 頁 訂 線 • 、度&用甲國國家i^T^NS)A4規格（210 X 297公^ 81 1245950 AS B8 C8 D8 0 ο -2-----H 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 -液晶顯示器裝置及一光學系統裝置，其中： 該液晶顯示器裝置含有： 一第一基板； -顯示區設在該第一基板上，而包括多數像素以矩 陣圖案列設，多數的掃描線以橫排方向延伸，及多數的 信號線以直㈣向延伸，其巾在該㈣描線與信號線之 各交叉點處乃連接一像素，而各像素含有一半導體主動 凡件及一像素電極連接於該半導體主動元件之汲極電 極； 一周邊電極以橫排及直行方向列設於該第一基板 的相對端部，而含有周邊半導體主動元件可驅動該等掃 描線與信號線； 一第二基板乃與該第一基板相向對設； 一液晶層夾設於該第一與第二基板之間； 至少一仿突伸物設在該第一基板的周邊電路中而 在該第一基板之一寄生空間内；及 平面化薄膜设在該第一基板上，覆蓋該仿突伸物 •，而 該光學系統包含： 一光源可由該第一基板之相反侧朝該第二基板照 射光；及 一光學系統可將由像素反射的光聚焦。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 82