JP2000284323A - アクティブマトリクス型液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極とソース配線間の信号漏れを小さく
クロストークの発生を抑えながら、光漏れを抑え、表示
品質の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】 画素電極とソース配線を重ねない構造に
おいて、画素電極とソースとの間を遮光する絶縁性遮光
膜を設けることにより、画素電極とソース配線との寄与
容量の発生を抑えることができ、クロストークやコント
ラスト低下のない表示品質が高く、開口率の高いアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）を備えたアクティブマトリクス
型液晶表示装置およびその製造方法に関し、とくにクロ
ストークの発生が少なく、開口率の高いアクティブマト
リクス型液晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の技術課題の一つに、低消費電力化があげられる。
これを解決する具体的な方法として、液晶パネル内の有
効表示面積率（以下、開口率という）の向上がある。開
口率を上げると、光の透過率が増加し、同程度の明るさ
を得るために必要な、バックライトの輝度を下げること
ができ、低消費電力化が実現できる。

【０００３】開口率を上げる方法として、以下の方法が
ある。画素電極とその周囲に配置されるゲート配線およ
びソース配線との間隙をなくして、光漏れを防止すると
同時に、ゲート配線およびソース配線からの横方向電界
や画素電極部の段差によって生じる液晶分子の転傾（以
下、ディスクリネーションという）を防止するため、透
明絶縁膜を１μｍ以上の厚さで形成し、画素電極を透明
絶縁膜を介してゲート配線およびソース配線上に形成す
る技術がある。これにより、ゲート配線およびソース配
線からの横方向電界によるディスクリネーションの発生
が防止されると共に、画素電極を透明絶縁膜を介して、
ゲート配線およびソース配線上に重ねることができるの
で、開口率を上げることができた。しかしながら、画素
電極とソース配線とが透明絶縁膜を介して重なっている
と、寄生容量が生じ、ＴＦＴがＯＦＦ状態のときも画素
電極の電位が、ソース配線に加えられた信号に影響を受
けるので、表示のコントラストが低下するという問題が
あった。ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置を例
にとって説明すると、灰色表示を背景として黒ウィンド
ウを表示したとき、黒ウィンドウを表示した信号線に接
続された灰色表示部の画素の輝度が、黒ウィンドウを表
示した信号線に接続されていない灰色表示部に比べて低
くなるという現象（以下、クロストークという）が発性
した。

【０００４】これらの問題を解決するための従来技術
が、特開平５−１４２５７０号公報に開示されている。
画素電極と信号配線としてのソース配線を重ねず、かつ
隣り合う画素電極とゲート配線と同層の金属遮光膜の端
部とを重ねる構造をとっている。これにより、光漏れの
発生を防止することができ、かつ画素電極とソース配線
との間での寄生容量の構成が、画素電極と金属遮光膜に
よる容量と、金属遮光膜とソース配線による容量との直
列構成となり、画素電極におよぶ寄生容量を低減できる
ことが開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来の構造では、ソース配線下の遮光膜が金属で形成さ
れているため、画素電極とソース配線との寄生容量は、
遮光膜と画素電極の重なりが大きくなると寄生容量が大
きくなり、クロストークの発生を抑えることはできなか
った。また、金属で形成された遮光膜がゲート配線と同
層であるため、遮光膜とゲート配線の間に間隙が必要と
なり、この部分からの光漏れを防止するために、液晶を
狭持するためのもう一方の基板（以下、対向基板とい
う）側の遮光膜で遮光していた。しかし、この場合には
対向基板とＴＦＴを形成した基板（以下、アレイ基板と
いう）の重ね合わせ精度を考慮した遮光膜のマージンが
必要となるため、開口率が低下した。

【０００６】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、請求項１の発明は、画素電極とソース
配線間の信号漏れを小さくしてクロストークの発生を抑
えながら、光漏れを抑え、表示品質の高いアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。

【０００７】請求項２および請求項３の発生は、遮光層
をあらたな別層として形成することなく、画素電極とソ
ース配線間の信号漏れを小さくしてクロストークの発生
を抑えながら、光漏れを抑え、表示品質の高いアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。

【０００８】請求項４の発明は、画素電極とソース配線
との隙間からの光漏れだけでなく、画素電極とゲート配
線およびＴＦＴとその周辺の光漏れを抑え、しかも画素
電極とソース配線間の信号漏れを小さくしてクロストー
クの発生を抑える表示品質の高いアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供することを目的とする。

【０００９】請求項５の発明は、ソース配線から遮光膜
への信号漏れを小さくしてクロストークの発生を抑えな
がら、光漏れを抑え、表示品質の高いアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１０】請求項６の発明は、開口率が高く、画素電
極とソース配線間の信号漏れを小さくしてクロストーク
の発生を抑えながら、光漏れを抑え、表示品質の高いア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目
的とする。

【００１１】請求項７および請求項８の発明は、遮光層
をあらたな別層として形成することなく、開口率が高
く、画素電極とソース配線間の信号漏れを小さくしてク
ロストークの発生を抑えながら、光漏れを抑え、表示品
質の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。

【００１２】請求項９の発明は、開口率が高く、ソース
配線から遮光膜への信号漏れを小さくしてクロストーク
の発生を抑えながら、光漏れを抑え、表示品質の高いア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目
的とする。

【００１３】請求項１０の発明は、画素電極とソース配
線間の信号漏れを小さくしてクロストークの発生を抑え
ながら、光漏れを抑え、表示品質の高いアクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的
とする。

【００１４】請求項１１の発明は、画素電極とソース配
線との隙間からの光漏れを抑えながら、しかもクロスト
ークの発生を抑え、表示品質の高いアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１５】請求項１２の発明は、ソース配線から遮光
膜への信号漏れを小さくして、クロストークの発生を抑
えながら、光漏れを抑え、表示品質の高いアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目
的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ソー
ス配線がその延長線に沿って端縁を有しており、この端
縁と画素電極のソース配線側の端縁との間に隙間を有
し、この隙間からの漏れ光を遮光する遮光膜が絶縁性遮
光膜であって、絶縁性遮光膜は隙間に対向する第１部分
と、画素電極に対向する第２部分とを有することを特徴
とするものである。

【００１７】請求項２の発明は、ソース配線がその延長
線に沿って端縁を有しており、この端縁と画素電極のソ
ース配線側の端縁との間に隙間を有し、この隙間からの
漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜が、ソース配線の所定部
分を酸化して形成した絶縁性遮光膜であって、絶縁性遮
光膜は隙間に対向する第１部分と、画素電極に対向する
第２部分とを有することを特徴とするものである。

【００１８】請求項３の発明は、ソース配線の所定部分
を、厚み方向の全てにわたり酸化して絶縁性遮光膜を形
成したことを特徴とするものである。

【００１９】請求項４の発明は、ソース配線、ソース電
極、ドレイン電極を覆う第２の絶縁膜の下に、ソース配
線とその近傍、薄膜トランジスタとその周辺、およびゲ
ート配線とその近傍を覆うように、第２の絶縁膜の下に
絶縁性遮光膜を形成したことを特徴とするものである。

【００２０】請求項５の発明は、ソース配線がその延長
線に沿って端縁を有しており、この端縁と画素電極のソ
ース配線側の端縁との間に隙間を有し、この隙間を遮光
する遮光膜が絶縁性遮光膜であって、前記ソース配線の
下に配置され、この絶縁性遮光膜が隙間に対向する第１
の部分と、画素電極に対向する第２の部分とを有してい
ることを特徴とするものである。

【００２１】請求項６の発明は、ソース配線がその延長
線に沿って形成された端縁と、端縁と画素電極のソース
配線側の端縁とがほぼ一致するように形成され、これら
の端縁間の漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜であって、画
素電極に対向する部分を有することを特徴とするもので
ある。

【００２２】請求項７の発明は、ソース配線はその延長
線に沿って形成された端縁と、端縁と画素電極のソース
配線側の端縁とがほぼ一致するように形成され、これら
の端縁間の漏れ光を遮光する遮光膜がソース配線の前記
画素電極に対向する所定部分を酸化して形成された絶縁
性遮光膜であることを特徴とするのである。

【００２３】請求項８の発明は、ソース配線の所定部分
を、厚み方向の全てにわたり酸化して絶縁性遮光膜を形
成したことを特徴とするものである。

【００２４】請求項９の発明は、ソース配線はその延長
線に沿って端縁を有しており、この端縁と画素電極のソ
ース配線側の端縁がほぼ一致するように形成され、これ
ら端縁間の漏れ光を遮光する遮光膜が絶縁性遮光膜であ
って、ソース配線の下に配置され、この絶縁性遮光膜が
画素電極に対向する部分とを有していることを特徴とす
るものである。

【００２５】請求項１０の発明は、ソース電極をドレイ
ン電極とソース配線とを覆う第２の絶縁膜を形成する前
に、ソース配線を選択的に陽極酸化して、前記画素電極
の端縁と前記ソース配線の端縁間の漏れ光を遮光する絶
縁性遮光膜を形成することを特徴とする製造方法であ
る。

【００２６】請求項１１の発明は、ソース電極とドレイ
ン電極とソース配線とを覆う第２の絶縁膜を形成する前
に、少なくともソース配線を覆い、ソース配線の端縁と
画素電極の端縁間の漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜を形
成することを特徴とする製造方法である。

【００２７】請求項１２の発明は、ゲート絶縁膜とゲー
ト配線とを覆う第１の絶縁膜を形成する前に、絶縁性遮
光膜を形成し、この絶縁性遮光膜によりソース配線の端
縁と画素電極の端縁間の漏れ光を遮光することを特徴と
する製造方法である。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置のアレイ基板は、複数のゲート配線および
これに直交する複数のソース配線がマトリクス状に絶縁
性基板上に形成され、ゲート配線とソース配線の交差部
付近にＴＦＴが形成され、これに接続される画素電極と
からなる画素が形成される。さらに、この上には配向膜
が形成される。一方、対向基板上には配向膜が形成され
ている。アレイ基板上に画素電極が形成されている面
と、対向基板上に配向膜が形成されている面とが対峙す
るように、アレイ基板と対向基板で液晶組成物を狭持さ
せている。前記の構造は、以下の全実施の形態において
共通であるので、各実施の形態における説明は省略す
る。

【００２９】実施の形態１ 図１は、実施の形態１のアクティブマトリクス型液晶表
示装置のアレイ基板の１画素を表わす平面図である。図
２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１の平面図のＡ−Ａ断
面、Ｂ−Ｂ断面を表わす断面図である。図１、図２にお
いて、絶縁性基板１は、例えばガラス基板である。ゲー
ト配線２は図上で水平方向に延長されており、ソース配
線７はゲート配線２に直交して延長されている。図１に
２点鎖線で示した画素電極１１はゲート配線２の端縁部
２ｂと重なって形成されているが、ソース配線７および
ＴＦＴとの間には隙間を有しており、重なっていない。
絶縁性遮光膜７ａはソース配線７の端縁部を陽極酸化し
て形成される。７ｃはソース配線７の延長線に沿った端
縁であり、１１ａは画素電極１１のソース配線側の端縁
である。これらの端縁７ｃと１１ａは隙間Ｗｇを介し
て、互いに平行またはほぼ平行に延びており、絶縁性遮
光膜７ａはこの隙間Ｗｇと対向する部分７ａ₁と、画素
電極１１との重なりＷｏを形成する部分７ａ₂を有して
いる。ソース配線７の幅はＷｓで示している。絶縁性遮
光膜７ａは絶縁性であるので、画素電極１１と重なって
も寄生容量が発生することなく、さらにソース配線７の
端縁７ｃと画素電極１１の端縁１１ａ間の漏れ光を遮光
する機能も有している。よって、ソース配線７と画素電
極１１とは重ならず、さらに隙間を有するのでクロスト
ークの発生を抑えることができ、ソース配線７と画素電
極１１の間に隙間を有することによる光漏れも発生しな
い。画素電極１１とドレイン電極８との接続は、ドレイ
ン電極８が保持容量配線３の上部まで延長されて配置さ
れ、コンタクトホール１２を介して行われている。２ａ
はゲート配線２と一体につながったゲート電極、７ｂは
ソース配線７と一体につながったソース電極である。ド
レイン電極８はソース電極７ｂと間隙を介して対向して
いる。

【００３０】本実施の形態１においては、ソース配線７
の幅Ｗｓは約９μｍ、画素電極１１とソース配線７との
隙間Ｗｇは約２μｍ、画素電極１１と絶縁性遮光膜７ａ
の重なり幅Ｗｏは、約１μｍとした。

【００３１】図３は、実施の形態１のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置のアレイ基板の製造工程の一例を表
わす断面図であり、図１のＡ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ
断面を右側に示す。以下に、本実施の形態１の製造方法
を説明する。

【００３２】絶縁性基板１上に、膜厚４０００ÅのＣｒ
からなるゲート配線２（図示せず）およびゲート電極２
ａ、保持容量配線３を、スパッタ法および選択的エッチ
ングにより、形成する（図３（ａ））。つぎに膜厚４０
００ÅのＳｉＮからなるゲート絶縁膜４、膜厚１２００
Åのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）か
らなるチャネルとなる半導体層５、膜厚３００Åのｎ⁺
ａ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト層６を、ＣＶＤ
法および選択的エッチングにより、島状に形成する（図
３（ｂ））。つぎに膜厚１０００ÅのＣｒと膜厚３００
０ÅのＡｌの２層（Ｃｒが下層）からなるソース配線
７、ソース電極７ｂおよびドレイン電極８をスパッタ法
および選択的エッチング法により形成すると同時に、不
要なオーミックコンタクト層６を除去する（図３
（ｃ））。ソース配線７、ソース電極７ｂおよびドレイ
ン電極８は２層構造としたが、この場合の下層のＣｒ
は、上層のＡｌがこの後の熱工程によって半導体層５に
拡散することを防ぐ役割を果たしており、本目的に合致
する金属であればほかの金属でもよい。ソース配線７の
陽極酸化を行なう部分以外にレジスト９を写真製版によ
りパターニング後、ソース配線７に選択的に陽極酸化を
行なうと、その部分のＣｒ、Ａｌが酸化され絶縁性遮光
膜７ａが形成される（図３（ｄ））。絶縁性遮光膜７ａ
はソース配線７の端縁部をその厚さの全てにわたって酸
化して形成される。レジスト９を剥離後、膜厚３０００
０Åのアクリル系樹脂からなる透明絶縁膜１０をスピン
コート法により塗布後、画素電極１１とドレイン電極８
を接続するためのコンタクトホール１２、ゲート配線２
およびソース配線７に信号を印加するための端子部（図
示せず）を、透明絶縁膜１０をレジストとして、選択的
エッチングにより形成する（図３（ｅ））。つぎに、膜
厚１０００ÅのＩＴＯからなる画素電極１１を、スパッ
タ法および選択的エッチング法により形成すると、実施
の形態１のアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレ
イ基板が得られる（図３（ｆ））。

【００３３】なお、本実施の形態ではソース配線７、ソ
ース電極７ｂおよびドレイン電極８をＣｒ、Ａｌとした
が、陽極酸化が可能な金属であり、かつソース配線に要
求される信号遅延時間を満足とする比抵抗を有するも
の、望ましくは比抵抗値が３μｍΩ・ｃｍ〜１００μｍ
Ω・ｃｍであればよい。また、ソース配線７、ソース電
極７ｂおよびドレイン電極８の構造を下層がＣｒ、上層
がＡｌの２層としたが、本実施の形態で示した機能を有
していれば、単層でもよく、また２層以上の構造でもよ
い。

【００３４】本実施の形態１によると、ソース配線の所
定部分を陽極酸化することにより形成された絶縁性遮光
膜７ａと画素電極１１が対向しており、また画素電極１
１とソース配線７との間に隙間Ｗｇがあるため、寄生容
量の発生をかなり低減できる。画素電極１１とソース配
線７の間の隙間Ｗｇと対向する第１部分７ａ₁および画
素電極１１と対向する第２部分７ａ₂を有する絶縁性遮
光膜７ａが形成されているので、光漏れも防止でき、コ
ントラスト低下やクロストークなどの表示品質の劣化が
なく、高表示品質のアクティブマトリクス型液晶表示装
置が得られる。また、絶縁性遮光膜７ａは、ソース配線
７の一部を陽極酸化して形成するため、別の層からなる
遮光膜を形成する必要がなく、そのための成膜装置も不
要である。

【００３５】実施の形態２ 図４は、実施の形態２のアクティブマトリクス型液晶表
示装置のアレイ基板の１画素を表わす平面図である。図
５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図４のＡ−Ａ断面、Ｂ−
Ｂ断面を表わす断面図である。図４、図５において、絶
縁性基板１は、例えばガラス基板である。ゲート配線２
は図上で水平方向に延長されており、ソース配線７はゲ
ート配線２に直交して延長されている。図４に２点鎖線
で示した画素電極１１はゲート配線２の端縁部２ｂと重
なって形成されているが、ソース配線７との間には隙間
を有しており、重なっていない。絶縁性遮光膜１３は、
ソース配線７とその両側近傍を覆う第１部分１３ａ、ゲ
ート配線２とその両側近傍を覆う第２部分１３ｂ、およ
びＴＦＴを覆う第３部分１３ｃを有している。ソース配
線７の延長線に沿った端縁７ｃと画素電極１１のソース
配線側の端縁１１ａは互いに平行またはほぼ平行に、隙
間Ｗｇを介して延びており、絶縁性遮光膜１３の第１部
分１３ａは、この隙間Ｗｇと対向する部分１３ａ₁と画
素電極１１との重なりＷｏを形成する部分１３ａ₂と、
ソース電極７との重なりＷｓを形成する部分１３ａ₃と
を有している。絶縁性遮光膜１３の第２部分１３ｂは、
画素電極１１と重なる部分１３ｂ₁および画素電極１１
とゲート配線２の両方に重なる１３ｂ₂とを有してい
る。絶縁性遮光膜１３の第３部分１３ｃはＴＦＴのゲー
ト電極２ａ、ソース電極７ｂ、およびドレイン電極８を
覆っている。なお、ゲート電極２ａはゲート配線２と、
ソース電極７ｂはソース電極７とそれぞれ一体につなが
っており、ドレイン電極８はソース電極７ｂと間隙を介
して対向している。また、画素電極１１はＴＦＴを覆う
ように形成されている。絶縁性遮光膜１３ａは絶縁性で
あるので、画素電極１１と重なっても寄生容量が発生す
ることはなく、さらにソース配線７の端縁７ｃと画素電
極１１の端縁１１ａ間の漏れ光を遮光する機能も有して
いる。よって、ソース配線７と画素電極１１とは重なら
ず、さらに隙間を有するので、クロストークの発生を抑
えることができ、ソース配線７と画素電極１１の間に隙
間を有することによる光漏れも発生しない。画素電極１
１とドレイン電極８との接続は、ドレイン電極８が保持
容量配線３の上部まで延長されて配置され、コンタクト
ホール１２を介して行われている。図４、５において、
ソース配線７の幅Ｗｓは約９μｍ、画素電極１１とソー
ス配線７との隙間Ｗｇは約２μｍ、画素電極１１と絶縁
性遮光膜１３ａの重なり幅Ｗｏは、約１μｍとした。

【００３６】図６は、実施の形態２のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置のアレイ基板の製造工程の一例を表
わす断面図であり、図４のＡ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ
断面を右側に示す。以下に、本実施の形態２の製造方法
を説明する。

【００３７】絶縁性基板１上に膜厚約４０００ÅのＣｒ
からなるゲート配線２およびゲート電極２ａ、保持容量
配線３を、スパッタ法および選択的エッチングにより形
成する（図６（ａ））。つぎに膜厚約４０００ÅのＳｉ
Ｎからなるゲート絶縁膜４、膜厚約１２００Åのアモル
ファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）からなるチャ
ネルとなる半導体層５、膜厚約３００Åのｎ⁺ａ−Ｓｉ
からなるオーミックコンタクト層６を、ＣＶＤ法および
選択的エッチングにより、島状に形成する（図６
（ｂ））。つぎに膜厚約１０００ÅのＣｒと膜厚約３０
００ÅのＡｌの２層（Ｃｒが下層）からなるソース配線
７、ソース電極７ｂおよびドレイン電極８をスパッタ法
および選択的エッチング法により形成すると同時に、不
要なオーミックコンタクト層６を除去する（図６
（ｃ））。ソース配線７、ソース電極７ｂおよびドレイ
ン電極８は２層構造としたが、この場合の下層のＣｒ
は、上層のＡｌが、この後の熱工程によって半導体層５
に拡散することを防ぐ役割を果たしており、本目的に合
致する金属であればほかの金属でもよい。つぎに膜厚約
３００００Åの、カーボンを分散させた感光性アクリル
系樹脂をスピンコート法により塗布し、選択的エッチン
グにより絶縁性遮光膜１３ａを形成する（図６
（ｄ））。つぎに、膜厚約３００００Åのアクリル系樹
脂からなる透明絶縁膜１０をスピンコート法により塗布
後、画素電極１１とドレイン電極８を接続するためのコ
ンタクトホール１２、ゲート配線２およびソース配線７
に信号を印加するための端子部（図示せず）を、透明絶
縁膜１０をレジストとして、選択的エッチングにより形
成する（図６（ｅ））。つぎに、膜厚１０００ÅのＩＴ
Ｏからなる画素電極１１を、スパッタ法および選択的エ
ッチング法により形成すると、実施の形態２のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板が得られる
（図６（ｆ））。

【００３８】本実施の形態２では、絶縁性遮光膜１３に
よって、ソース配線７の上部の段差は大きくなるが、透
明絶縁膜１０により、凹凸が平坦化されるので問題な
い。また、絶縁性遮光膜１３の不透明媒質の不透明の程
度を表わす光学濃度値が、２以上であることが望まし
い。また、絶縁性遮光膜１３は、非感光性材料でもよ
い。

【００３９】本実施の形態２によると、絶縁性遮光膜１
３が、画素電極１１とソース配線７間の隙間Ｗｇと対向
する部分１３ａ₁、および画素電極１１と対向する部分
１３ａ₂を有しているので、光漏れを防止でき、しかも
画素電極１１とソース配線７の間には隙間Ｗｇを有する
ので、寄生容量の発生をかなり低減でき、クロストーク
の発生を抑えることができる。また、絶縁性遮光膜１３
が、画素電極１１と重なる部分１３ｂ₁および画素電極
１１とゲート配線２の両方に重なる部分１３ｂ₂を有
し、さらにＴＦＴとその周辺を覆う部分１３ｃを有して
いるため、光漏れを防止できる。以上のことにより、コ
ントラスト低下やクロストークなどの表示品質の劣化が
なく、高表示品質のアクティブマトリクス型液晶ディス
プレイ装置が得られる。

【００４０】実施の形態３ 図７は、実施の形態３のアクティブマトリクス型液晶表
示装置のアレイ基板の１画素を表わす平面図である。図
８（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図７のＡ−Ａ断面、Ｂ−
Ｂ断面を表わす断面図である。図７、図８において、絶
縁性基板１は、例えばガラス基板である。ゲート配線２
は図上で水平方向に延長されており、ソース配線７はゲ
ート配線２に直交して延長されている。図７に２点鎖線
で示された画素電極１１はゲート配線２の端縁部２ｂと
重なって形成されているが、ソース配線７およびＴＦＴ
との間には隙間を有しており、重なっていない。絶縁性
遮光膜１４はソース配線７の下に形成される。ソース配
線７の延長線に沿った端縁７ｃと画素電極１１のソース
配線側の端縁１１ａは互いに平行またはほぼ平行に、隙
間Ｗｇを介して延びており、絶縁性遮光膜１４は、この
隙間Ｗｇと対向する部分１４ａ₁と、画素電極との重な
りＷｏを形成する部分１４ａ₂と、ソース配線７との重
なりＷｓを形成する部分１４ａ₃とを有している。

【００４１】絶縁性遮光膜１４は絶縁性であるので、画
素電極１１と重なっても寄生容量が発生することはな
く、さらにソース配線７の端縁７ｃと画素電極１１の端
縁１１ａとの間の漏れ光を遮光する機能も有している。
よって、ソース配線７と画素電極１１とは重ならず、さ
らに隙間を有するので、クロストークの発生を抑えるこ
とができ、ソース配線７と画素電極１１の間に隙間を有
することによる光漏れも発生しない。画素電極１１とド
レイン電極８との接続は、ドレイン電極８が保持容量配
線３の上部まで延長されて配置され、コンタクトホール
１２を介して行われている。図７、図８において、ソー
ス配線７の幅Ｗｓは約９μｍ、画素電極１１とソース配
線７の隙間Ｗｇは約２μｍ、画素電極１１と絶縁性遮光
膜１４の重なり幅Ｗｏは、約１μｍとした。

【００４２】図９は、実施の形態３のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置のアレイ基板の製造工程の一例を表
わす断面図であり、図７のＡ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ
断面を右側に示す。

【００４３】つぎに、本実施の形態３の製造方法の一例
について図９を参照しながら、説明する。絶縁性基板１
上に膜厚約４０００ÅのＣｒからなるゲート配線２およ
びゲート電極２ａおよび保持容量配線３を、スパッタ法
および選択的エッチングにより形成する（図９
（ａ））。つぎに、膜厚約３００００Åの感光性アクリ
ル系樹脂にカーボンを分散させた絶縁性遮光膜１４を、
スピンコート法により塗布し、選択的エッチングにより
所望のパターンを形成する（図９（ｂ））。つぎに、膜
厚約４０００ÅのＳｉＮからなるゲート絶縁膜４、膜厚
約１２００Åのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
という）からなるチャネルとなる半導体層５、膜厚約３
００Åのｎ⁺ａ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト層
６を、ＣＶＤ法および選択的エッチングにより、島状に
形成する（図９（ｃ））。つぎに膜厚約１０００ÅのＣ
ｒと膜厚約３０００ÅのＡｌの２層（Ｃｒが下層）から
なるソース配線７、ソース電極７ｂおよびドレイン電極
８をスパッタ法および選択的エッチング法により形成す
ると同時に、不要なオーミックコンタクト層６を除去す
る（図９（ｄ））。ソース配線７、ソース電極７ｂおよ
びドレイン電極８は２層構造としたが、この場合の下層
のＣｒは上層のＡｌが、この後の熱工程によって半導体
層５に拡散することを防ぐ役割を果たしており、本目的
に合致する金属であればほかの金属でもよい。つぎに膜
厚約３００００Åのアクリル系樹脂からなる透明絶縁膜
１０をスピンコート法により塗布後、画素電極１１とド
レイン電極８を接続するためのコンタクトホール１２、
ゲート配線２およびソース配線７に信号を印加するため
の端子部（図示せず）を、透明絶縁膜１０をレジストと
して、選択的エッチングにより形成する（図９
（ｅ））。つぎに、膜厚１０００ÅのＩＴＯからなる画
素電極１１を、スパッタ法および選択的エッチング法に
より形成すると実施の形態３のアクティブマトリクス型
液晶表示装置のアレイ基板が得られる（図９（ｆ））。

【００４４】本実施の形態３では、絶縁性遮光膜１４に
よって、段差は大きくなるが、透明絶縁膜１０により、
凹凸が平坦化されるので問題はない。また、絶縁性遮光
膜１４の不透明媒質の不透明の程度を表わす光学濃度値
が、２以上であることが望ましい。また、絶縁性遮光膜
１４は、非感光性材料でもよい。

【００４５】本実施の形態３によると、画素電極１１と
ソース配線７間の隙間Ｗｇと対向する絶縁性遮光膜の１
４ａ₁、および画素電極１１と対向する絶縁性遮光膜１
４ａ₂が形成されているため、光漏れを防止でき、しか
も画素電極１１とソース配線７の間には隙間Ｗｇを有す
るので、寄生容量の発生をかなり低減でき、クロストー
クの発生を抑えることができる。よって、コントラスト
低下やクロストークなどの表示品質の劣化がなく、高表
示品質のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイ装置
が得られる。

【００４６】実施の形態４ 図１、図２（ａ）、（ｂ）、図３に示した実施の形態１
は、ソース配線７の端縁７ｃと、画素電極１１のソース
配線側の端縁１１ａとの間に隙間Ｗｇを形成したもので
あるが、端縁７ｃ、１１ａが互いに一致するように形成
することもできる。これを実施の形態４とし、図１０は
そのアレイ基板の１画素を表わす平面図、図１１
（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１０の平面図のＡ−Ａ断
面、Ｂ−Ｂ断面を表わす断面図である。図１２は、実施
の形態４のアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレ
イ基板の製造工程の一例を示す断面図であり、図１０の
Ａ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ断は面を右側に示す。

【００４７】図１０、図１１（ａ）、（ｂ）、図１２に
おいて、図１、図２（ａ）、（ｂ）、図３と同じ部分は
同じ符号で示している。この実施の形態の製造工程は実
施の形態１と同様である。

【００４８】この実施の形態４では、絶縁性遮光膜７ａ
の第１部分７ａ₁は不要となり、絶縁性遮光膜７ａが画
素電極１１と対向する第２部分７ａ₂を有するように形
成される。この実施の形態４によると、隙間Ｗｇの解消
により画素電極１１とソース配線７の間の寄生容量は若
干増加するが、画素電極１１とソース配線７との重なり
を解消しているので、コントラスト低下やクロストーク
などの表示品質の劣化を抑えながら、画素電極１１とソ
ース配線７との間の光漏れを確実に防止し、併せて開口
率をより高くすることができる。

【００４９】実施の形態５ 図４、図５（ａ）、（ｂ）、図６に示した実施の形態２
は、ソース配線７の端縁７ｃと、画素電極１１のソース
配線側の端縁１１ａとの間に隙間Ｗｇを形成したもので
あるが、端縁７ｃ、１１ａが互いに一致するように形成
することもできる。これを実施の形態５とし、図１３は
そのアレイ基板の１画素を表わす平面図、図１４
（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１３の平面図のＡ−Ａ断
面、Ｂ−Ｂ断面を表わす断面図である。図１５は、実施
の形態５のアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレ
イ基板の製造工程の一例を示す断面図であり、図１３の
Ａ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ断面を右側に示す。

【００５０】図１３、図１４（ａ）、（ｂ）、図１５に
おいて、図４、図５（ａ）、（ｂ）、図６と同じ部分は
同じ符号で示している。この実施の形態の製造工程は実
施の形態２と同様である。

【００５１】この実施の形態５では、絶縁性遮光膜１３
の１３ａ１は不要となり、絶縁性遮光膜１３が画素電極
１１と対向する部分１３ａ２およびソース配線７との重
なりＷｓと対向する部分１３ａ３とを有するように形成
される。この実施の形態５によると、隙間Ｗｇの解消に
より画素電極１１とソース配線７の間の寄生容量は若干
増加するが、画素電極１１とソース配線７との重なりを
解消しているので、コントラスト低下やクロストークな
どの表示品質の劣化を抑えながら、画素電極１１とソー
ス配線７との間の光漏れを確実に防止し、併せて開口率
をより高くすることができる。

【００５２】実施の形態６ 図７、図８（ａ）、（ｂ）、図９に示した実施の形態３
は、ソース配線７の端縁７ｃと、画素電極１１のソース
配線側の端縁１１ａとの間に隙間Ｗｇを形成したもので
あるが、端縁７ｃ、１１ａが互いに一致するように形成
することもできる。これを実施の形態６とし、図１６は
そのアレイ基板の１画素を表わす平面図、図１７
（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１６の平面図のＡ−Ａ断
面、Ｂ−Ｂ断面を表わす断面図である。図１８は、実施
の形態６のアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレ
イ基板の製造工程の一例を示す断面図であり、図１６の
Ａ−Ａ断面を左側に、Ｂ−Ｂ断面を右側に示す。

【００５３】図１６、図１７（ａ）、（ｂ）、図１８に
おいて、図７、図８（ａ）、（ｂ）、図９と同じ部分は
同じ符号で示している。この実施の形態の製造工程は実
施の形態３と同様である。

【００５４】この実施の形態６では、絶縁性遮光膜１４
の１４ａ１は不要となり、絶縁性遮光膜１４が画素電極
１１と対向する部分１４ａ２およびソース配線７との重
なりＷｓと対向する部分１４ａ３とを有するように形成
される。この実施の形態６によると、隙間Ｗｇの解消に
より画素電極１１とソース配線７の間の寄生容量は若干
増加するが、画素電極１１とソース配線７との重なりを
解消しているので、コントラスト低下やクロストークな
どの表示品質の劣化を抑えながら、画素電極１１とソー
ス配線７との間の光漏れを確実に防止し、併せて開口率
をより高くすることができる。

【００５５】以上６例の実施の形態では、チャネルエッ
チ型逆スタガ構造ＴＦＴを例にとったが、チャネル保護
型（エッチングストッパー型）逆スタガ構造ＴＦＴ、あ
るいは正スタガ構造ＴＦＴを用いてもよい。

【００５６】また、半導体層７にａ−Ｓｉを用いたが、
多結晶シリコンを用いてもよい。

【００５７】また、ゲート配線２およびゲート電極２ａ
にＣｒを用いたが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ
−Ｎｄ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、窒化Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｗ
などを単層あるいはこれらの積層構造や合金系を用いて
もよい。

【００５８】またソース配線７、ソース電極７ｂあるい
はドレイン電極８にＣｒとＡｌの２層構造を用いたが、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ、窒化Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｗなどを単層あるいは
これらの積層構造や合金系を用いてもよい。また、ソー
ス配線７をこれらの単層あるいは積層で構成し、ドレイ
ン電極８あるいはドレイン電極の一部をＩＴＯで形成し
てもよい。

【００５９】また、画素電極１１としてＩＴＯを用いた
が、ＳｎＯ₂でもよい。

【００６０】また、ゲート絶縁膜４としてＳｉＮを用い
たが、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＮとＳｉＯ₂の積層構造でも
よい。

【００６１】また、透明絶縁膜１０としてアクリル系樹
脂を用いたが、そのほかの有機系樹脂、非感光性樹脂、
ベンゾシクロブテンなどの透明な絶縁膜であればよい。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、画素電極とソース配線
を重ねない構造において、画素電極とソース配線との間
を遮光する絶縁性遮光膜を設けることにより、画素電極
とソース配線との寄生容量の発生を抑えることができ、
クロストークやコントラスト低下のない表示品質が高
く、開口率の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のアクティブマトリクス
型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面図で
ある。

【図３】図１のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
アレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図４】本発明の実施の形態２のアクティブマトリクス
型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図であ
る。

【図５】図４のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面図で
ある。

【図６】図４のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
アレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図７】本発明の実施の形態３のアクティブマトリクス
型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図であ
る。

【図８】図７のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面図で
ある。

【図９】図７のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
アレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態４のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図で
ある。

【図１１】図１０のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面
図である。

【図１２】図１０のアクティブマトリクス型液晶表示装
置のアレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態５のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図で
ある。

【図１４】図１３のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面
図である。

【図１５】図１３のアクティブマトリクス型液晶表示装
置のアレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態６のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のアレイ基板の１画素を示す平面図で
ある。

【図１７】図１６のＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面を示す断面
図である。

【図１８】図１６のアクティブマトリクス型液晶表示装
置のアレイ基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【符号の説明】 １ 絶縁性基板 ２ ゲート配線 ２ａ ゲート電極 ２ｂ ゲート配線端縁部 ３ 保持容量配線 ４ ゲート絶縁膜 ５ 半導体層 ６ オーミックコンタクト層 ７ ソース配線 ７ａ、１３、１４ 絶縁性遮光膜 ７ｂ ソース電極 ７ｃ ソース配線端縁 ８ ドレイン電極 ９ レジスト １０ 透明絶縁膜 １１ 画素電極 １１ａ 画素電極端縁 １２ コンタクトホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三宅 史郎 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 Ｆターム(参考） 2H091 FA34Y FB02 FB13 FC10 FC26 FC29 FD04 FD14 FD21 GA02 GA13 LA13 LA17 2H092 JA26 JA29 JA35 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB14 KB25 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA24 MA27 MA35 MA37 MA41 NA01 NA07 NA23 PA06

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線に交差する方向に延長された複数の
   ソース配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差
   部に対応して形成された薄膜トランジスタ、およびこの
   薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、前記ソ
   ース配線はその延長線に沿って端縁を有しており、この
   端縁と前記画素電極のソース配線側の端縁との間に隙間
   を有し、この隙間からの漏れ光を遮光する遮光膜が絶縁
   性遮光膜であって、前記隙間に対向する第１部分と、前
   記画素電極に対向する第２部分とを有していることを特
   徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線に交差する方向に延長された複数の
   ソース配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差
   部に対応して形成された薄膜トランジスタ、およびこの
   薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、前記ソ
   ース配線はその延長線に沿って端縁を有しており、この
   端縁と前記画素電極のソース配線側の端縁との間に隙間
   を有し、この隙間からの漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜
   が、前記ソース配線の所定部分を酸化して形成された絶
   縁性遮光膜であって、前記絶縁性遮光膜は前記隙間に対
   向する第１部分と、前記画素電極に対向する第２部分と
   を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
   表示装置。
3. 【請求項３】 前記絶縁性遮光膜は、前記ソース配線の
   所定部分を、厚み方向の全てにわたり酸化して形成した
   ことを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線を覆う第１の絶縁膜上に配置され、
   このゲート配線に交差する方向に延長された複数のソー
   ス配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差部に
   対応して形成され、前記各ゲート配線につながれたゲー
   ト電極と前記各ソース配線につながれたソース電極とこ
   のソース電極に対応するドレイン電極とを有する薄膜ト
   ランジスタ、前記ソース配線、ソース電極、ドレイン電
   極を覆う第２の絶縁膜、および前記薄膜トランジスタと
   重なり前記ソース配線とは重ならないようにして前記第
   ２の絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続され
   た画素電極を備え、前記ソース配線とその近傍、前記薄
   膜トランジスタとその周辺、および前記ゲート配線とそ
   の近傍を覆うように、前記第２の絶縁膜の下に絶縁性遮
   光膜を形成したことを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線を覆う第１の絶縁膜上に配置され、
   前記ゲート配線と交差する方向に延長された複数のソー
   ス配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差部に
   対応して形成され、前記各ゲート配線につながれたゲー
   ト電極と前記ソース配線につながれたソース電極とこの
   ソース電極と対応するドレイン電極とを有する薄膜トラ
   ンジスタ、および前記ソース配線、ソース電極、ドレイ
   ン電極を覆う第２の絶縁膜上に配置された前記ドレイン
   電極に接続された画素電極を備え、前記ソース配線はそ
   の延長線に沿って端縁を有しており、この端縁と前記画
   素電極のソース配線側の端縁との間に隙間を有し、この
   隙間を遮光する遮光膜が絶縁性遮光膜であって、前記ソ
   ース配線の下に配置され、この絶縁性遮光膜が前記隙間
   に対向する第１の部分と、前記画素電極に対向する第２
   の部分とを有していることを特徴とするアクティブマト
   リクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線に交差する方向に延長された複数の
   ソース配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差
   部に対応して形成された薄膜トランジスタ、およびこの
   薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、前記ソ
   ース配線はその延長線に沿って形成された端縁と前記画
   素電極のソース配線側の端縁とがほぼ一致するように形
   成され、これらの端縁間の漏れ光を遮光する遮光膜が絶
   縁性遮光膜であって、前記画素電極に対向する部分を有
   することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
   装置。
7. 【請求項７】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線に交差する方向に延長された複数の
   ソース配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差
   部に対応して形成された薄膜トランジスタ、およびこの
   薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、前記ソ
   ース配線はその延長線に沿って形成された端縁と前記画
   素電極のソース配線側の端縁とがほぼ一致するように形
   成され、これらの端縁間の漏れ光を遮光する遮光膜が前
   記ソース配線の前記画素電極に対向する所定部分を酸化
   して形成された絶縁性遮光膜であることを特徴とするア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記絶縁性遮光膜は、前記ソース配線の
   所定部分を、厚み方向の全てにわたり酸化して形成した
   ことを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
9. 【請求項９】 所定方向に延長された複数のゲート配
   線、このゲート配線を覆う第１の絶縁膜上に前記ゲート
   配線と交差する方向に延長して配置された複数のソース
   配線、前記ゲート配線と前記ソース配線の各交差部に対
   応して形成され、前記各ゲート配線とつながれたゲート
   電極と前記ソース配線につながれたソース電極とこのソ
   ース電極に対応するドレイン電極とを有する薄膜トラン
   ジスタ、および前記ソース配線、ソース電極、ドレイン
   電極を覆う第２の絶縁膜上に配置され前記ドレイン電極
   に接続された画素電極を備え、前記ソース配線はその延
   長線に沿って端縁を有しており、この端縁と前記画素電
   極のソース配線側の端縁がほぼ一致するように形成さ
   れ、これら端縁間の漏れ光を遮光する遮光膜が絶縁性遮
   光膜であって、前記ソース配線の下に配置され、この絶
   縁性遮光膜が前記画素電極に対向する部分を有している
   ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
10. 【請求項１０】 絶縁性基板上にゲート電極と所定方向
    に延長された複数のゲート配線とを形成する工程、前記
    ゲート電極とゲート配線とを覆うように第１の絶縁膜を
    形成する工程、前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成す
    る工程、前記半導体層上にオーミックコンタクト層を形
    成する工程、前記オーミックコンタクト層上にソース電
    極と前記ゲート配線に交差する方向に延長された複数の
    ソース配線とソース電極に対応するドレイン電極とを形
    成する工程、前記ソース電極とドレイン電極とソース配
    線とを覆う第２の絶縁膜を形成する工程、および前記第
    ２の絶縁膜上に前記ソース配線と重ならず前記ドレイン
    電極につながれた画素電極を形成する工程を備え、前記
    第２の絶縁膜を形成する前に、前記ソース配線を選択的
    に陽極酸化して、前記画素電極の端縁と前記ソース配線
    の端縁間の漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜を形成するこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の
    製造方法。
11. 【請求項１１】 絶縁性基板上にゲート電極と所定方向
    に延長された複数のゲート配線とを形成する工程、前記
    ゲート電極とゲート配線とを覆うように第１の絶縁膜を
    形成する工程、前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成す
    る工程、前記半導体層上にオーミックコンタクト層を形
    成する工程、前記オーミックコンタクト層上にソース電
    極と前記ゲート配線に交差する方向に延長された複数の
    ソース配線とソース電極に対応するドレイン電極とを形
    成する工程、前記ソース電極とドレイン電極とソース配
    線とを覆う第２の絶縁膜を形成する工程、および前記第
    ２の絶縁膜上に前記ソース配線と重ならず前記ドレイン
    電極につながれた画素電極を形成する工程を備え、前記
    第２の絶縁膜を形成する前に、少なくとも前記ソース配
    線を覆い前記ソース配線の端縁と前記画素電極の端縁間
    の漏れ光を遮光する絶縁性遮光膜を形成することを特徴
    とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法。
12. 【請求項１２】 絶縁性基板上にゲート電極と所定方向
    に延長された複数のゲート配線とを形成する工程、前記
    ゲート電極とゲート配線とを覆うように第１の絶縁膜を
    形成する工程、前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成す
    る工程、前記半導体層上にオーミックコンタクト層を形
    成する工程、前記オーミックコンタクト層上にソース電
    極と前記ゲート配線に交差する方向に延長された複数の
    ソース配線とソース電極に対応するドレイン電極とを形
    成する工程、前記ソース電極とドレイン電極とソース配
    線とを覆う第２の絶縁膜を形成する工程、および前記第
    ２の絶縁膜上に前記ソース配線と重ならず前記ドレイン
    電極につながれる画素電極を形成する工程を備え、前記
    第１の絶縁膜を形成する前に、絶縁性遮光膜を形成し、
    この絶縁性遮光膜により前記ソース配線の端縁と前記画
    素電極の端縁間の漏れ光を遮光することを特徴とするア
    クティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。