TWI242106B - Photoresist composition for deep ultraviolet lithography - Google Patents
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Description
1242106 A7 __ _B7 五、發明説明(4 ) 迄今是基於氟化之聚合物,其是被知為是充分透明於該波 長。衍生自含氟化基團之聚合物之光阻組合物是描述於w〇 00/67072及WO 〇〇/17712中。然而,不飽和氟化單體,諸如 四氟乙晞,之聚合會有嚴重的爆炸危險及在聚合製程期間 需要非常小心謹慎。聚合方法其是環境上較安全者是較 佳。 本發明之申請人已發現含氰基之聚合物於低於2〇〇 nm之 波長是透明的。衍生自某些含氰基官能性之單體是為所知 者。美國專利6,165,674揭示衍生自分解烏頭酸酐,丙晞酸 酯具一個氰基及丙晞酸酯具一個側脂環基之聚合物。美國 專利5,399,647揭示1 - ( 1 氰基乙炔基)金剛烷與甲基丙烯酸 酉旨或2 -降冰片晞-2 -腈與甲基丙埽酸g旨之共聚物。導入該氰 基至一種脂環化合物之不飽鍵中,以合成2-降冰片晞-2_ 月月’之反應方案是困難的及不受歡迎。因此,對一種單體 其此易於與環締煙共聚合,及產生一種聚合物其具良好得 電漿蝕刻抵柷,有所需求。尚有一種需求是一種單體其能 使用簡單技術諸如環戊二晞與缔烴之Die丨s Alder反應製 作。僅基於不飽和環單體之聚合物其是抗電漿蝕刻也是為 所知者但其需要過渡金屬催化劑,其是不受歡迎由於該半 導體件之金屬雜染之高度可能性。美國專利4,§ 1 2,5 4 6揭示 一種丙埽酸正-丁酯,氰基丙缔酸甲酯及亞乙基降冰片缔之 丙烯酸酯橡膠(三聚物),其中亞乙基降冰片烯產生可交連 點位供硫化作用。如此的交連共聚物僅可用於橡膠/黏合劑 工業。 •^本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1242106 A7 B7
五、發明説明( 基等;單環烷基包括環戊基,環己基及環庚基;雙環燒基 包括取代之雙環[2.2 . 1 ]庚烷,雙環[2.2.2 ]辛烷,雙環 [3.2.1]辛烷,雙環[3·2.2]壬烷,及雙環[3 ·3·2]癸烷,及 類似物。三環烷基之例包括三環[5.2.1. 02,6]癸烷,三環 [5.4 . 〇 · 〇 2,6 ]十一烷,三環[4 · 2 · 2 ,丨2,5 ]十一烷,及三環 [5 . 3.2 . 〇 2 ’6 ]十二烷。當用作非環結構,該烷基宜是少於 1 0個碳原子,及更宜是少於6個碳原子。氟烷基指燒基其 是以氟完全或部分取代,其例是三氟甲基,五氟乙基等。 當酸或鹼是光解地產生,酸或鹼不穩定基團是基團其是裂 開以得一個基團其使該聚合物可溶於該顯影劑中。酸或驗 可裂開基團之非限制性例是第三-丁氧羰基,第三-戊氧幾 基,環己氧羰基,2 -烷基-2 -金剛烷氧羰基,四氫呋喃氧幾 基’四氫哌喃氧羰基,各別取代之甲氧甲氧羰基,沒-幾 氧- /5 -甲基-5-戊内酯,冷-羰氧-/3-甲基丁内酯,第 三-丁氧羰氧,第三-戊氧羰氧,異冰片氧羰氧,環己氧羰 氧,2 -烷基-2 -金剛烷氧羰氧,四氫呋喃氧羰氧,四氫嗓喃 氧羰氧,各別取代之甲氧甲氧羰氧,/3 -氧羰氧- /3 -甲基_ 5 -戊内酯,冷-氧羰氧,/3 -甲基-7· 丁内酯,第三-丁氧, 弟一-戊氧’異冰片氧’移·己氧’ 2 -坑基-2 -金剛燒氧,四 氫呋喃氧,四氫哌喃氧,各別取代之甲氧甲氧,沒-氧-沒· 甲基- -戊内酯,及/9 -氧-冷-甲基丁内酯。該酸或鹼 不穩定基團可以是直接或經一個連接基團連接至該聚合物 主鏈,該連接基團之例是碳,(c ! - C 6)伸烷基(例如伸甲基 或伸乙基)或炔氧羰基。 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) l242l〇6
A7 B7 i'發明説明( 該含氰基之乙晞性單體之例是如下·:
C〇〇R
CN CN
COOR
cf3 CN 其中,R是烷基如先前所界定。 在該新穎聚合物中之該第二單元是衍生自一種含一個不 飽和環單體之單體及該單元是藉結構2描述。
其中獨立是氫,(C|-C0)烷基,鹵,諸如氟及 氣,竣酸’((VC,。)烷基0C0烷基,氰基(CN) , (Ci-Ci〇) 第二或第三羧酸酯,取代之頻哪醇,尺7與118可以連結以形 成3衣非芳族結構,氟烷基,W(CF3)2OH,其中w是(c「c6) 心基或(C ! - C 6):):完基醚,酸或驗不穩定基團如以上所述,及 Ri5及R16是氫或(C「c4)烷基,及m是0-3。其中r7與尺8可 ______ -11 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格(21〇X297公釐) 1242106 A7 B7 五、發明説明(9 以連結以形成環非芳結構之例是内酯及酐。 以下之結構例證一些可以使用之共單體。這些共單體可 以進一步以酸或鹼不穩定基團封端及聚合以得本發明之聚 合物。 ,
cf3
OH OH
(CH2)n C〇〇H
聚合本發明之新穎聚合物以得一種聚合物具重量平均分 子量自約1,000至約200,000,宜是自約4,000至約20,000, -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1242106 A7 一 ____B7 五、發明説明(1〇 ) 更宜是自約6,000至約14,000。該樹脂之多分散性(1^〜/%11) 其中Mw是重量平均分子量及Mn是數目平均分子量可以是 自1.5至3.0之範圍’其中该樹脂之重量可以藉凝膠滲透色 譜法測定。 該聚合物包含該乙晞性單元與該環單元是以相對量其是 最佳化以得該所需之影光術性質聚合。典型上在該新穎聚 合物中該兩種單元之比可以是自5 〇莫耳%至約8 〇莫耳%之 範圍,及宜是5 0莫耳%至約6 5莫耳%。該聚合物含至少4 〇 莫耳%之該結構1之乙晞性單元。納入這些單元至該共聚物 中可以是交替的,大約交替的,嵌段,或其他,但是不限 於這些結構。 本發明之新穎聚合物可以納入另外的不飽和單體,其包 括,但不限於,丙埽酸酯,甲基丙埽酸酯,苯乙缔,特別 是幾基苯乙晞及羥基六氟異丙基苯乙晞,乙晞基醚,乙酸 乙烯基酯,四氟乙晞,順·丁晞二酸酐及分解烏頭酸酐及其 氟化之同系列物。該另外的單體可以含酸或鹼不穩定基 團。這些另外的單體可以是以量其仍維持於該曝光波長該 聚合物之所需之透明度加入。該另外的單體宜是以低於3〇 莫耳%之量納入至該聚合物中,宜是低於2 5莫耳%,及更 宜是低於1 5莫耳%。 本發明之聚合物包含一或多種單體其含一個保護基團其 是一種酸或鹼不穩定基團。該保護基團於曝光後是除保護 以得聚合物對一種正光阻件是可溶於該顯影劑中及對一種 負光阻件是不溶於該顯影劑中。該聚合物可以於聚合之後 —"13· 144本紙張尺度適用中s g家標準(CNS) Μ規格(21QX 297公爱) 1242106 AT B7 11 五、發明説明( 以一個保護基團封端或該單體可以封端然後聚合。該聚合 物也可以被一種溶解抑制劑抑制,及於曝光後該光阻件成 為可溶於該顯影劑中。典型上溶解抑制劑是添加至該光阻 組合物以降低該未曝光之光阻件在該顯影劑中之溶解率。 可使用之已知之落解抑制劑之例是單體性或寡聚物性膽 鹽。 在孩光阻件中該聚合物之透明度是一項重要需求。因 此,該共聚物之吸收係數於該曝光波長,典型上157 , 宜是低於4/微米,更宜是3/微米及甚至更宜是低於2/微 米。 可以藉多種方法製備本發明之新穎共聚物。一種特別可 取的方法是自由基聚合。進行自由基聚合是藉在溫度,壓 力及反應媒質之適當條件下在一種自由基起發劑之存在下 聚合該不飽和單體。可以在鈍性大氣中進行該反應及可以 使用一種受歡迎的溶劑。在典型的作業中,該反應溫度會 疋自室溫至150C。典型上是在氮氣下進行該反應,雖然也 可以使用其他鈍性氣體,諸如氬,或二氧化碳。反應時間 可以疋自1小時至2 4小時之範圍。可以使用適合供該聚合 反應之溶劑,其例是四氫呋喃,二呤烷,及甲苯。可以於 周遭或於壓力下,例如,於溶劑諸如超臨界c〇2 ,進行該聚 合。可以藉淹沒在一種非溶劑,諸如己烷,庚烷或二乙 醚,中分離該聚合物。 該光阻組合物包含至少一種光活性化合物其當曝露至照 射時生成酸或鹼,雖然最常用一種酸。在正光阻件中該酸 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱) 1242106 A7 ——-^___5!__ 五、發明説明(12 ) <發生典型上除保護該聚合物’是以該光阻件在該曝光區 域成為可溶。該酸能替代地造成該聚合物交連是以該光阻 件在该曝光區域成為不溶,及如此的一種光阻件是稱為負 光p且件。任何光活性化合物或光活性化合物之混合物可以 用於該新穎光阻件中。該產生酸之光敏化合物之適當的例 包括離子性光酸產生劑(PAG),諸如重氮鹽,碘鏘鹽,磺 鑛鹽’或非離子性P AGs諸如重氮磺醯基化合物,磺醯氧醯 亞胺’及磺酸硝基苄酯,雖然可以使用任何光敏化合物其 於受照射時產生一種酸者。該鏘鹽通常是以可溶於有機溶 劑中之形態使用,大多數是作為碘鑌或磺鑌鹽,其例是三 氟甲燒磺酸二苯基碘鑌,九氟丁烷磺酸二苯基碘鏘,三氟 甲院績酸三苯基碘鑌,九氟丁烷磺酸三苯基磺鑌及類似 物。受照射時生成一種酸之其他化合物其可以使用者是三 $唆,α号二唑,噻唑,取代之2 _喊哜。酚磺酸酯,二 績醒基甲烷,二磺醯基甲烷或二磺醯基二唑甲烷,三(三氟 甲基績S盛基)甲基化三苯基磺鑌,三苯基磺鏘二(三氟甲基 績si基)醯亞胺,三(三氟甲基磺醯基)甲基化二苯基碘鏘, 二苯基琪鑌二(三氟甲基績醯基)醯亞胺及其同系物也是可 取者。也可以使用光酸產生劑之混合物,及時常使用離子 性及非離子性光酸產生劑之混合物。 該光阻組合物是藉在一種適當的光阻溶劑中摻合該成分 生成。在該較佳體系中,在該光阻組合物中聚合物之量宜 是自9 0 %至約99.5 %之範圍$更宜是自約9 5 %至約9 9 %基 於該固體之重量;是即,非溶劑光阻成分。在該較佳體系 __-15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1242106 A7 B7 五、發明説明(16 BNC 降冰片烯羧酸第三-丁酯 NB 降冰片烯 NBHFtB 降冰片烯六氟第三-丁醇 (α,α -二(三氟甲基)雙環[2.2.1]庚-5-晞-2-乙 醇) HNC 降冰片晞羧酸羥基乙酯 NCA 降冰片烯羧酸 NBDCA 順-降冰片-5 -晞-内-2,3 -二羧酸酐(Nadic anhydride) THF 四氫吱喃 AIBN 2,2 f -偶氮二異丁腈 Mw 重量平均分子量 Mn 數目平均分子量 PD 多分散性 GPC 凝膠滲透色譜法 例1 2 -氰基丙烯酸甲酯/降冰片烯淼醴第三-丁酯共聚物之合成 加入 MCA(1.46 g ,13.1 mmol) ,BNC(2.54 g ,13.1 mmol),THF(4g) ’ AIBN(120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有環之螺線鐵氟隆蓋之35 ml壓 力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml / min去除空氣為 時1 5分鐘。然後使用該鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該容器。置該 容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小時。冷卻 該黏性的反應物至室溫及以20.5 ml之THF稀釋。一滴一滴 _ -19-___ 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1242106 A7 ___________B7 五、發明説明(17 ) 倒該溶液至75 ml在攪拌中之己烷中。過濾該白色聚合物, 以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5它乾燥過夜。該分離出之 聚合物產率是64.6 %。該聚合物含氰基丙晞酸甲酯之嵌 段。此嵌段組態產生酸性伸甲基在該主鏈中其可以有利地 利用。使用GPC技術(THF ,聚苯乙烯標準)測定該共聚物 之分子量及知*MW = 5612,Mn = 2349 及 PD = 2.39。藉 NMR (占1· 52,甲基及53.94,第三-丁基)證實含甲基酯及第三_ 丁基酯兩種單體之存在。自此兩個峰之積分化發現該聚合 物含64% MCA及36% BNC。使用差示掃描量熱法(Dsc) (ΤΑ Instruments,Model 2920)測定該聚合物之τ及發現為 13 7。。。 、、 M2.
IzJt基丙埽酸酿/降冰片烯六顧.第三-丁踔在聚物之合成 加入 MCA(1.15 g,10.4 mmol),NBHFtB(2.85 g , 10.4 mmol),THF (4 g),AIBN( 120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪掉棒及有〇環之螺線鐵氟隆蓋之3 5 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml/min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用該鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該反應容 器。置該容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小 時。冷卻該黏性反應物至室溫及以20.5 ml之THF稀釋。一 滴一滴倒該溶液至75 ml在攪掉中之己烷。過濾該白色聚合 物,以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5 °C乾燥過夜。該聚合 物之產率是61.1%。測定其分子量為Mw = 2730,Μη = 1576 及PD=1· 73。該聚合物可以進一步與一種化合物反應其產 ____-20- 1Μ本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1242106 A7 ____B7 五、發明説明(18 ) 生一個酸或鹼不穩定基在該聚合物上。該聚合物之T g使用 DSC(TA Instruments,Model 2920)測定是 163〇C。 例3 2 -氰基丙烯酸甲酯/ P条冰片烯共聚物之合成 加入 MCA(2.17 g ’ 19.5 mmol),ΝΒ(1·83 g,19.5 mmol),THF(4g),ΑΙΒΝ(120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有O環之螺旋鐵氟隆蓋之35 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml/min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用該螺旋鐵氟隆蓋立即緊蓋該反應容 器。置該容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小 時。冷卻該黏性反應物至室溫及以20.5 ml之THF稀釋。一 滴一滴倒該溶液至75 ml在攪拌中之己烷中。過濾該白色聚 合物,以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5 °C乾燥過夜。該分 離出之聚合物之產率是76.6 %。測定該聚合物之分子量為 11617(MW)具 1.86 之 PD。 例4 2 -氰某丙烯酸吧酯/降冰片烯藉醢第三-丁酯共聚物之合成 加入 MCA(1.46 g,13.1 mmol),BNC(5.08 g,26.2 mmol),THF(4g) ’ AIBN(120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有O環之螺線鐵氟隆蓋之3 5 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml/min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該反應容器。 置該容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小時。 冷卻該黏性反應物至室溫及以1 0.5 ml之THF稀釋。一滴一 -21 - 52 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1242106 A7 B7 五、發明説明(19 ) 滴倒該溶液至8 5 ml在擾拌中之己烷中。過濾該白色聚合 物,以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5。〇乾燥過夜。該分離 出之聚合物之產率是67.3%。獲得之聚合物是一種交替聚合 物。測定該重量平均分子量是7987 g/mole(克/莫耳)具2.92 之多分散性。1 H NMR指示MCA及BNC分別之甲及第三-丁 酯兩者存在。經發現在該聚合物中該單體比是5 3 ·· 4 7 (MCA:BNC)。 例5 氰基丙烯酸甲酯/順-降冰片-5 -烯-内-2.3 -二淼酸酐共聚 物之合成 加入 MCA(1.62 g,14.5 mmol),NBDCA(2.38 g,14.5 mmol),THF(6g),AIBN( 120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有0環之螺線鐵氟隆蓋之35 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml/min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用該鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該反應容 器。置該容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小 時。冷卻該黏性反應物至室溫及以20.5 ml之THF稀釋。一 滴一滴倒該溶液至75 ml在攪拌中之己烷中。過濾該白色聚 合物,以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5 °C乾燥過夜。該聚 合物之產率是66.5%。測定其分子量為M w = 1 102。 例6 2 -氰基丙烯酸甲酯/降冰片烯酸第三-丁酯/降冰片締淼醢蕤 某乙酯/降冰片烯羧酸聚合物之合4 力口入 MCA(1.5 g ,13.5 mmol) ’ BNC( 1.83 g ,9.4 _- 22 - 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210 x 297公*) 1242106 A7 B7 五、發明説明(20 ) mmol),HNC(0.49 g,2.7 mmol),NCA(0.18 g,1.3 mmol),THF(4g),AIBN(120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有〇環之螺線鐵氟隆蓋之3 5 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml / min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用該鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該反應容 器。置該容器於預熱至7 2 °C之油浴。任由該反應進行3小 時。冷卻該黏性反應物至室溫及以20.5 ml之THF稀釋。一 滴一滴倒該溶液至75 ml之在攪拌中之己烷中。過濾該白色 聚合物,以己燒洗滌及在真空烘箱中於5 5 °C乾燥過夜。該 聚合物之產率是70.4%。該聚合物之分子量是4371具2,84之 多分散性。 例7 2 -氰基兩.差_ .酸甲酯/降冰片烯羧酸第三-丁酯共聚物之合成 加入 MCA(1.46 g,13.1 mmol),BNC(5.08 g,26.2 mmol),THF(4g),AIBN(120 mg)及乙酸(200 mg)至一支 裝設鐵氟隆塗覆之攪拌棒及有〇環之螺線鐵氟隆蓋之35 ml 壓力管中。該反應混合物以氮氣於流量30 ml/min去除空氣 為時1 5分鐘。然後使用該鐵氟隆旋蓋立即緊蓋該反應容 态。置該容态於預熱至7 2 °C之油浴。任命該反應進行6小 時。冷卻該黏性反應物至室溫及以1 〇 5 ml之THF稀釋。一 滴一滴倒該溶液至1 25 ml之在攪摔中之己烷。過濾該白色 聚合物’以己烷洗滌及在真空烘箱中於5 5艽乾燥過夜。該 分離出之聚合物之產率是80.6%。其重量平均分子量是 7613預3.97之多分散性。NMR指示MCA及BNC之分別 --—-- ___-23- 1.S4本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1242106 A7 ____B7 五、發明説明(21 ) 甲酉旨(5 1.53)及第三-丁酉旨(5 3.95)兩者之存在。在該聚合 物中該單體比經發現為5 2 : 4 8 (MCA : BNC)。 例8 光阻組合物及影光術評估於193 nm 溶解自例1之共聚物於PGMEA中以作成Π·5%溶液。至此 溶液,基於該聚合物之重量,加入5 %之九氟丁烷磺酸三苯 基磺鑌。然後旋轉塗覆該光阻組合物在一片矽圓片(其已經 以六甲基矽氮烷(HMDS)處理及塗覆以39 nm厚底抗反射塗 層 ’ AZ⑧ Exp. ArF-lC(自 Clariant Corp.,70,Meister Ave., Somerville,NJ 08 876取得))上。於110 °C烘烤該基材為時 90秒以獲得390 nm光阻膜。然後使用雙罩蓋以ArF激態激 光步進器(193nm,NA = 0·6,σ=0.7)曝光該膜。在熱板上 於150 °C烘烤該曝光之膜90秒鐘及使該圖案使用0.265 N氫 氧四甲基銨顯影。以13 mJ cm_2(毫焦耳/平方公分)之劑量 解析0.16 //m(微米)線-間距各案。 例9 光阻組合物及影光術許估於193 nm 測定共聚物(例4)之UV透光度,使用該聚合物之厚度390 nm之膜其是藉旋轉塗覆該共聚物在PGMEA中之1 1.5 %溶液 至一種石英基材上獲得。此聚合物於193 nm波長之吸光係 數經測定為0.237 ym·1。 溶解例4之共聚物於PGMEA中以作成Π .5 %溶液。加入 5 %之九氟丁烷磺酸三苯基磺鑌,基於該共聚物之重量,至 此溶液。然後旋轉塗覆該光阻組合物於一種碎基材(其已經 _-24-____ — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1242106 . A7 B7 五、發明説明(22 ) 以六甲基矽氮烷(HMDS)處理及塗覆以厚度39 nm之底抗反 射塗層,AZ⑧ Exp. ArF-lC(自 Clariant Corp.,70,Meister Ave.,Somerville, NJ 08876 取得))上。該基材係於 110 °C 下 烘烤9 0秒鐘以得到厚度390 nm之膜。然後該膜使用雙罩蓋 以ArF激態激光步進器(193 nm,Ν Α = 0.6,σ =0.7)曝光。 在熱板上於Π 0 °C烘烤該曝光之膜9 0秒鐘及該各案使用 0_265N氫氧四甲基銨顯影。以10 mJ cm·2之劑量解析〇.13 // m (微米)線-間距各案。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- —種光阻組合物,包含—種共聚物,—種光活性成分及 -種溶劑’其中該共聚物包含至少一種含至少一種氰基 官能性之結構i之乙埽性單元,及至少―種結構2之^ 元,其中結構1是 CN CN =< CN=< cf3 CN COOR其中’ R是(Ci-C10)燒基,及其中結構2是其中R5-R14獨立是氫,(CrCJ烷基,鹵素,羧酸, (Ci-CM烷基0C0烷基,氰基(CN),(C^c^)第二或第 二幾酸酯,取代之頻哪醇,R7與R s可以連結以形成一種 環非芳族結構,氟烷基,W(CF3)2OH,其中w是(Ci_c6) 烷基或(Ci-CJ烷基醚-或一種酸或鹼不穩定基團, R!5及R16是氫或(CrC4)烷基, 及m是〇 - 3。 2·根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其中該酸不穩定 77172-940602.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)1242106 第 基團是選自第三-丁氧羰基 一 幾基’環己氧羰基,2-烷基-2-金剛烷氧羰基,四氫呋喃 氧羰基’四氫哌喃氧羰基,取代或未取代之甲氧甲氧幾 基,冷-羰氧-冷-甲基-5-戊内酯,/3-羰氧-冷-甲基-丁内酿,第三-丁氧羰氧基,第三—戊氧羰氧基,異冰片 氧幾氧基,環己氧羰氧基,八烷基_2-金剛氧羰氧基,四 氫咬喃氧羰氧基,四氫哌喃氧羰氧基,取代或未取代之 甲氧甲氧羰氧基,/3 -氧羰氧-/3 -甲基-5 -戊内酯,万· 氧羰氧-/3 -甲基-丁内酯,第三-丁氧基,第三-戊氧 基,異冰片氧基,環己氧基,2-烷基-2-金剛氧基,四氣 咬喃氧基,四氫喊喃氧基,取代或未取代之甲氧甲氧 基,/3 -氧_冷_甲基戊内酯,及^^氧-曱基丁 内酉旨’及其中該酸不穩定基團是直接或經一個連接基圈 連接至該聚合物主鏈。 3·根據申请專利範圍第1項之光阻組合物,其中R 7與R是 連結以形成'一種内酉旨或奸。 4·根據申凊專利範圍第1項之光阻組合物,其中該乙缔性單 元是衍生自單體選自 =< CN COOBu1 ,CN COOMe CN _ CN I COOMe CN 、CN. CN 5·根據申請專利範圍第i項之光阻組合物,其中該環單元是 衍生自單體選自 -2- 77172-940602.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1242106C'OOBu1CF3 -一〇c〇, CF3 〇BUtC0〇Bu ‘ CF3其中該乙綿·性單 其中該乙埽性單 6.根,申請專利範圍第丨項之光阻組合物, 疋是以至少40莫耳%之量。 7·根據申請專利範圍第丨項之光阻組合物, 元是以低於80莫耳%之量。 8.,據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其中該重量平均 分子量是低於200,〇〇〇。 9·根據申請專利範圍第丨項之光阻組合物,其中該重量平均 分子量是高於1,〇〇〇。 10·根據申請專利範圍第i項之光阻組合物,且包含另外的共 單體。 1 L根據申請專利範圍第1 0項之光阻組合物,其中該另外的 /、單豆疋選自丙烯酸@旨,甲基丙晞酸醋,苯乙烯,輕基 苯乙烯,羥基六氟異丙基苯乙烯,乙晞基醚,乙酸乙烯 基醋,四氟乙烯,順-丁婦二酸酐及分解烏頭酸酐及其氟 化同系物。 !2·根據申請專利範圍第1 〇項之光阻組合物,其中該另外的 單體是以低於3 0莫耳%之量。 13.根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其中該共聚物於 -3- 77172-940602.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) l242l〇6 申請專利範園 A8 B8 C8 D8 曝光波長有低於4/微米之吸光係數。 14·根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其中該溶劑是選 自丙二醇單烷基醚,丙二醇烷基醚乙酸酯,乙酸丁酯, —甲苯,乙二醇單乙基醚乙酸酯,丙二醇單〒基醚乙酸 酷’ 2 -庚酮,乳酸乙酯,3 _乙氧丙酸乙酯,乳酸乙酯與 3 -乙氧丙酸乙酯之混合物,及其混合物。 15.根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其進一步包含一 種溶解抑制劑。 根據申凊專利範圍第1項之光阻組合物,其中該光活性成 刀疋選自一種光酸產生劑,一種光鹼產生劑或其混合 物。 •根據申凊專利範圍第1 6項之光阻組合物,其中該光酸產 生劑是選自重氮鹽,碘鑌鹽,磺鑌鹽,砜,氧肟酸酯, 1¾化物及橫酸酉旨。 18·根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,其進一步包含一 種驗。 仪根據申請專利範圍第18項之光阻組合物,其中該鹼是選 =三乙胺,三乙醇胺,苯胺,乙二胺,吡啶,氫氧化三 苯基I、結,氫氧化二烷基換鑌,及氫氧化三烷基續錄。 20·根據申請專利範圍第1項之光阻組合物,纟進_步、包含〆 種溶劑或溶劑混合物。 21_ 一種使光阻組合物成像之方法,其包含下列步驟: a)以根據申請專利範圍第丨項之光阻组合物之覆一 種基材; 77172-940602.doc -4-1242106b )烘烤該基材以大體上移除該溶劑; C)以成像方式照射該光阻膜; d)烘烤該光阻膜,·及 便用 裡驗顯影劑_抑砀經照蚵之元阻膜。 22.根據申請專利範圍第21項之方法,其中該光阻膜θ 豕申μ專利_第21項之方法,其中在步 IT/ ' 9!〇C " 15〇〇C 3〇Γ; 乂或在烘箱中自1 5分鐘至4 ο分鐘。 24· =請專利範圍第21項之方法:’里其。中該驗顯影劑包含 風乳化四甲基铵之水溶液。 -5- 77172-940602.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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