JP5084216B2 - フォトリソグラフィーのための組成物および方法 - Google Patents
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Description
W=k1λ/NA 式1
ここで、式中のk1は解像度係数(resolution factor)であり、λは光の波長であり、NAは開口数である。
NA=n・sin(α)=d/(2f) 式2
式1のNAをこの式で置換することにより、上述の式1は、以下の式で示されている通りに簡単化することができる:
W=k1λ/n・sin(α) 式3
ここで、式中のnは液浸流体の屈折率であり、αはレンズの受光角である。従って、屈折率が1.47の水の場合、193nmにおいて35nmの線幅が可能である。
1)酸不安定基を含むフェノール樹脂であり、この樹脂は、248nmにおける画像化に特に好適な化学増幅ポジ型レジストをもたらすことができる。この種の特に好適な樹脂は以下のものを包含する:i)ビニルフェノールおよびアルキルアクリレートの重合単位を含むポリマーであり、ここで、これらの重合アルキルアクリレート単位は、光酸の存在下において脱保護反応を受けることができる。光酸誘起脱保護反応を受けることができる例示的なアルキルアクリレートとしては、例えばt−ブチルアクリレート、t−ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、ならびに光酸誘起反応を受けることができる他の非環状アルキルおよび脂環式アクリレートが挙げられ、例えば米国特許第6,042,997号および第5,492,793号に開示されているポリマーなどを含む;ii)ビニルフェノール、場合によって置換された、ヒドロキシまたはカルボキシ環置換基を含まないビニルフェニル(例えばスチレン)、およびアルキルアクリレート、例えば上のポリマーi)に関して説明されている脱保護基などの重合単位を含むポリマー、例えば米国特許第6,042,997号に記載されているポリマーなど;ならびにiii)光酸と反応するアセタールまたはケタール部分を含んだ繰返し単位を含み、場合によって芳香族の繰返し単位、例えばフェニルまたはフェノール基などを含んだポリマー;このようなポリマーは米国特許第5,929,176号および第6,090,526号に記載されており、更には、i)及び/又はii)及び/又はiii)の混合物;
2)実質的もしくは完全にフェニルまたは他の芳香族基を含んでいない樹脂であり、この樹脂は、200nm未満の波長、例えば193nmにおける画像化に特に好適な化学増幅ポジ型レジストをもたらすことができる。この種類の特に好適な樹脂は以下のものを包含する:i)非芳香族環状オレフィン(環内二重結合)の重合単位、例えば場合によって置換されたノルボルネンの重合単位を含むポリマー、例えば米国特許第5,843,624号および第6,048,664号に記載されているポリマーなど;ii)アルキルアクリレート単位、例えばt−ブチルアクリレート、t−ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、ならびに他の非環状アルキルおよび脂環式アクリレート、を含むポリマー;このようなポリマーは米国特許第6,057,083号;欧州公開出願公開第EP01008913A1号および第EP00930542A1号;ならびに米国係属特許出願第09/143,462号に記載されており、およびiii)重合無水物単位、特に重合した無水マレイン酸及び/又は無水イタコン酸単位を含むポリマー、例えば欧州公開出願公開第EP01008913A1号および米国特許第6,048,662号で開示されているものなど、更には、i)及び/又はii)及び/又はiii)の混合物;
3)ヘテロ原子、特に酸素及び/又はイオウを含んだ繰返し単位(但し、無水物以外、即ち、この単位はケト環原子を含まない)を含む樹脂、好適には実質的または完全にあらゆる芳香族単位を含んでいない樹脂。好適には、このヘテロ脂環式単位は樹脂骨格に縮合されており、その樹脂が、縮合炭素脂環式単位、例えばノルボルネン基の重合などによりもたらされる縮合炭素脂環式単位を含んでいる場合及び/又は無水物単位、例えば無水マレイン酸または無水イタコン酸の重合などによりもたらされる無水物単位を含んでいる場合が更に好適である。このような樹脂はPCT/US01/14914号および米国出願公開第09/567,634号に開示されている。
4)フッ素置換を含む樹脂(フルオロポリマー)、例えばテトラフルオロエチレン、フッ素化された芳香族基、例えばフルオロ−スチレン化合物など、およびヘキサフルオロアルコール部分を含む化合物などの重合によりもたらされ得る樹脂。このような樹脂の例は、例えばPCT/US99/21912号に開示されている。
(a)基体上にフォトレジスト組成物を適用する工程;
(b)そのフォトレジスト組成物上にオーバーコーティングまたは組成物を適用する工程を含む。好適な態様においては、このオーバーコーティング組成物は、一以上のターポリマー、または、より高次の樹脂を含んでいてよい。別の好適な態様においては、このオーバーコーティング組成物は、一以上の酸発生剤化合物、特に一以上の熱酸発生剤化合物及び/又は一以上の光酸発生剤化合物を含んでいてよい;
(c)このフォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化させる放射線に暴露する工程。本発明の特定の実施態様においては、フォトレジスト層は液浸リソグラフィープロセスにおいて露光され、この場合、液浸流体がオーバーコートされた組成物層と接触している。
上記のように、本発明の好適なオーバーコーティング層は、一以上のターポリマー、または他のより高次の樹脂成分を含むものを包含する。
各nは同一または異なっており、且つゼロ(この場合、それぞれのX、YまたはZ基は存在しない)から8までの整数、好適には0、1もしくは2であり、好適には、各nのうちの一つまたはそれ以上は0より大きく(即ち、この場合、X、YまたはZ基のいずれかのうちの一つまたはそれ以上が存在する);
a、bおよびcは、このポリマーにおける全単位に基づく、それぞれの繰返し単位のモルパーセントを表しており、且つa、bおよびcは、それぞれ、0より大きい。
広範囲にわたる様々なフォトレジスト組成物を本発明のオーバーコーティング層組成物および方法と組み合わせて使用することができる。
液状フォトレジスト組成物を例えばスピンコーティング法、浸漬コーティング法、ローラーコーティング法または他の通常のコーティング法により基体に適用することができる。スピンコーティング法を用いる場合、コーティング溶液の固形分含有量は、使用される具体的な回転装置、溶液の粘度、スピナーの速度および回転に許容される時間の長さに基づき、所望の膜圧を得るべく調節することができる。
オーバーコーティング層のコーティング溶液を、ポリエチレン容器に(1)上記式II(式中のaは84モルパーセントであり、bは6モルパーセントであり、zは10モルパーセントである)の構造を有するターポリマー;(2)N−[(ペルフルオロオクタンスルホニル)オキシ]−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドの構造の非イオン性光酸発生剤を装填することにより調製する。
シリコンウエハーを215℃で硬化される厚さ60nmの商業的に入手可能な有機反射防止層でコーティングし、その後、メタクリレートをベースとした193nmのフォトレジストでコーティングする。次いで、上面オーバーコーティング層を堆積させる前に溶媒を除去すべく、このレジストをソフトベークする。実施例1で調製されたオーバーコーティング組成物をこのフォトレジスト層の上面にスピンコーティングにより適用し、溶媒を除去すべく、この適用されたオーバーコーティング組成物を90℃または120℃の温度で1分間ソフトベークする。
この後、そのフォトレジスト組成物をパターン化された193nmの放射線に暴露し、0.26Nのアルカリ性現像剤水溶液を用いて現像する。
Claims (4)
- 有機組成物が酸発生剤化合物を含む、請求項1記載の方法。
- 酸発生剤化合物が光酸発生剤化合物である、請求項2記載の方法。
- フォトレジストが液浸露光され、及び基体がマイクロエレクトロニクスウエハー基体である、請求項1記載の方法。
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