CN1952778A - 用于光刻的组合物和方法 - Google Patents

用于光刻的组合物和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1952778A
CN1952778A CNA2006101317705A CN200610131770A CN1952778A CN 1952778 A CN1952778 A CN 1952778A CN A2006101317705 A CNA2006101317705 A CN A2006101317705A CN 200610131770 A CN200610131770 A CN 200610131770A CN 1952778 A CN1952778 A CN 1952778A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
resin
base material
acid
photoetching compositions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101317705A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1952778B (zh
Inventor
D·王
C·-B·徐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN1952778A publication Critical patent/CN1952778A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1952778B publication Critical patent/CN1952778B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/108—Polyolefin or halogen containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

施涂在光刻胶组合物上的用于浸没式光刻处理和非浸没式成像的外涂层组合物。

Description

用于光刻的组合物和方法
技术领域
本发明涉及施涂到光刻胶组合物上，用于浸没式光刻处理的外涂层组合物。
背景技术
光刻胶是是用来向基材转移图像的光敏膜。在基材上形成光刻胶涂层，然后通过光掩模使该光刻胶层在活化辐射下曝光。所述光掩模具有对活化辐射为不透明的区域和对活化辐射为透明的其它区域。曝光于活化辐射使光刻胶涂层发生光致化学变化，从而将光掩模的图案转移到涂布有光刻胶的基材上。曝光之后，对光刻胶进行显影，产生允许对基材进行选择性处理的浮雕图像。
半导体工业的发展是依照Moore定律的趋势进行的，即IC器件的复杂程度平均每两年便会翻一番。这必然需要通过光刻法转移形状尺寸越来越小的图案和结构。
一种获得较小的形状尺寸的方法是使用较短波长的光，但是由于很难找到对波长小于193纳米的辐射为透明的材料，因此人们选择浸没式光刻法(Immersion lithography)，通过简单地使用液体将更多的光汇聚在膜内，从而增大透镜的数值孔径。浸没式光刻法在成像装置的最后表面(例如KrF或ArF分档器)与晶片或其他基材的第一表面之间使用较高折射率的液体。
已经报道了浸没式显微法是通过使用折射率大于空气的液体增大透镜的数值孔径的方法。这种增大的程度是可以定量的，通过下式计算最小线宽W：
W＝k1λ/NA    公式1
式中k1是分辨率，λ是光的波长，NA是数值孔径。
对于折射率为1的空气，数值孔径的实际极限为0.93。对于折射率大于1的材料，可以基于下式获得大于1的NA：
NA＝n sin(α)＝d/(2f)  公式2
代入NA，公式可简化如下：
W＝k1λ/n sin(α)公式3
式中n是浸没液的折射率，α是透镜的接收角。因此，对于折射率为1.47的水，在193纳米的波长下，可以有35纳米的线宽。
目前尚没有普遍可用而可靠的浸没式光刻系统。参见美国专利申请公开第2005/0202347号。很显然，人们需要可靠而使用方便的用于浸没式光刻法的光刻胶和成像方法。
人们需要用于浸没式光刻法的新材料和新方法。人们还需要能够提供改进的光刻结果，特别是能够提高显影后光刻胶浮雕图像的分辨率的新颖的组合物。
发明内容
一方面，我们提供了用于浸没式光刻法的新颖的组合物(“外涂组合物”)和方法。我们还提供了新颖的组合物，该组合物可以用作光刻胶层上的外涂层，用于非浸没式成像过程。
具体实施方式
在优选的方面中，本发明的外涂组合物包含一种或多种有机组分，还包含一种或多种生酸剂(acid generator)化合物，具体来说是一种或多种能够在热处理条件下生成酸的热致生酸剂(thermal acid generator)化合物，或者一种或多种能够在活性辐射处理条件下生成酸的光致生酸剂(photoacid generator)化合物。
本发明优选的组合物包含树脂组分，该树脂组分可包含一种或多种树脂，这些树脂可以是相同或不同的(即树脂混合物)。在某些优选的方面中，外涂组合物的一种或多种树脂可包含氟取代基。在优选的方面中，外涂组合物的一种或多种树脂还具有三种不同的重复单元(三元共聚物)、四种不同的重复单元(四元共聚物)、五种不同的重复单元(五元共聚物)、甚至更高级的聚合物。
本发明外涂组合物优选的树脂可包含各种重复单元，特别优选这些重复单元包含具有至少两个稠合碳原子的环状结构。特别优选的树脂包含聚合的降冰片烯基团，该基团可以任选地被一种或多种非氢取代基取代，所述非氢取代基具体来说是酯基、醚基、羧基、腈基或磺酰基之类的极性基团，这些基团可具有一个或多个卤素(特别是氟)之类的取代基。
本发明优选的外涂组合物可包含各种材料，优选的外涂组合物组分是较高分子量的材料，例如分子量约高于500，1000，1500或2000道尔顿的材料。优选的外涂组合物材料还包括对光刻基本惰性的材料，即在曝光前热处理和曝光后热处理、成像这样的常规的光刻处理步骤过程中，不会发生键断裂反应，也不会与浸没液反应的材料。
对于浸没式光刻应用，施涂在光刻胶组合物层上的本发明特别优选的外涂(顶涂层)组合物优选至少有助于抑制光刻胶层中的组分迁移入浸没式光刻过程所用的浸没液(如水)中。应当理解，在浸没式光刻过程中，浸没液(例如水或其他种类的水性组合物)位于曝光工具和外涂组合物层之间。在本文中，术语“浸没液”表示介于曝光工具和涂敷有光刻胶的基材之间的用来进行浸没式光刻的液体(例如水)。
在本文中，如果在使用外涂组合物的时候，检测到的酸或有机材料的量少于采用相同方法、但是不使用外涂组合物层情况下的酸或有机材料的量，则认为光刻胶材料向浸没液中的迁移受到了外涂层的抑制。可以通过对暴露于光刻胶(具有或没有外涂的外涂组合物层)之前的浸没液进行质谱分析，然后对通过浸没液曝光的光刻胶层进行光刻处理之后的浸没液进行质谱处理，从而检测浸没液中的光刻胶材料。较佳的是，相对于不使用外涂层(即浸没液与光刻胶层直接接触)的相同光刻胶，所述外涂组合物使得浸没液中的光刻胶材料(例如由质谱测定的酸或有机物)含量至少减少10％，更优选至少减少20％、50％、或100％。
优选本发明光刻系统的成像波长包括小于300纳米的波长，例如248纳米，以及小于200纳米的波长，例如193纳米。特别优选用于本发明系统的光刻胶可包含光活性组分(例如一种或多种光致生酸剂化合物)选自以下的一种或多种树脂：
1)包含对酸不稳定的基团的酚醛树脂，该树脂能够提供特别适合在248纳米成像的化学增强的正性光刻胶。特别优选的这一类树脂包括：i)包含乙烯基苯酚和丙烯酸烷基酯聚合单元的聚合物，其中所述聚合的丙烯酸烷基酯单元在光生酸的存在下会发生解封闭反应。能够发生光生酸引发的解封闭反应的示例性的丙烯酸烷基酯包括例如丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸甲基金刚烷酯、甲基丙烯酸甲基金刚烷酯、以及能够发生光生酸引发的反应的其它丙烯酸非环烷基酯和丙烯酸脂环基酯，例如美国专利第6,042,997号和第5,492,793号所揭示的聚合物；ii)包含乙烯基苯酚、不含羟基或羧基环取代基的任选取代的乙烯基苯基(例如苯乙烯)、以及上面聚合物i)所述解封闭基团之类的丙烯酸烷基酯聚合单元的聚合物，例如美国专利第6,042,997号所述的聚合物；iii)包含如下重复单元的聚合物，前述重复单元是：包含能够与光生酸反应的缩醛或缩酮部分的重复单元、以及任选的苯基或酚基之类的芳香族重复单元；美国专利第5,929,176号和第6,090,526号描述了这些聚合物，以及i)和/或ii)和/或iii)的混合物；
2)基本不含或完全不含苯基或其它芳基、能够提供特别适于在193纳米之类的低于200纳米的波长下成像的化学增强的正性光刻胶的树脂。特别优选的这一类树脂包括：i)包含任选取代的降冰片烯之类非芳香族环烯(桥环双键)聚合单元的聚合物，例如美国专利第5,843,624号和第6,048,664号所述的聚合物；ii)包含丙烯酸烷基酯单元的聚合物，所述丙烯酸烷基酯是例如丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸甲基金刚烷酯、甲基丙烯酸甲基金刚烷酯和其它丙烯酸非环烷基酯和丙烯酸脂环酯；在美国专利第6,057,083号；欧洲公开申请第EP01008913A1号和第EP00930542A1号；以及美国待审专利申请第09/143,462号中描述了这些聚合物；iii)包含聚合的酸酐单元、特别是聚合的马来酸酐和/或衣康酸酐单元的聚合物，例如欧洲公开申请第EP01008913A1号和美国专利第6,048,662号中所揭示的聚合物，以及i)和/或ii)和/或iii)的混合物；
3)包含如下重复单元的树脂，上述重复单元含有杂原子、特别是氧和/或硫(但不是酸酐，即该单元不含酮环原子)，该树脂优选基本不含或完全不含芳香单元。较佳的是，杂脂环单元稠合在树脂主链上，更优选该树脂包含稠合的碳脂环单元和/或酸酐单元，所述稠合的碳脂环单元例如是使降冰片烯基团聚合制备的单元，所述酸酐单元例如是使马来酸酐或衣康酸酐聚合制得的单元。PCT/US01/14914和美国申请第09/567,634号中揭示了这些树脂。
4)包含氟取代基的树脂(含氟聚合物)，例如通过四氟乙烯、氟代芳香族物质聚合制得的聚合物，所述氟代芳香族物质例如是氟代苯乙烯化合物、包含六氟代醇部分的化合物等。PCT/US99/21912中揭示了这些树脂的例子。
本发明还提供了形成光刻胶浮雕图像和制造电子器件的方法。本发明还提供了制造的新颖的制品，该制品包括微电子(半导体)晶片基材之类的基材，该基材上单独涂敷了本发明的外涂层组合物，或者同时还涂敷有光刻胶组合物。
下文将解释本发明的其他方面。
如上所述，在第一方面中提供了用来处理光刻胶组合物的方法，该方法包括：
(a)在基材上施涂光刻胶组合物；
(b)在所述光刻胶组合物上施涂外涂涂料或组合物。在优选的方面中，所述外涂组合物可包含一种或多种三元共聚物或其它更高级的树脂。在其它优选的方面中，所述外涂组合物可包含一种或多种生酸剂化合物，特别是一种或多种热致生酸剂化合物和/或一种或多种光致生酸剂化合物；
(c)使光刻胶层暴露于辐射，从而对光刻胶组合物进行辐照活化。在本发明某些实施方式中，光刻胶层在浸没式光刻过程中曝光，在此过程中，浸没液与外涂的组合物层相接触。
在本发明的浸没式光刻法中，在曝光过程中，将折射率约为1-2的液体适当地保持在曝光工具和外涂组合物之间。可将各种光刻胶用于本发明的这些方法，例如可使用化学增强的正性作用光刻胶和负性作用光刻胶。
在本发明这些方法的一些方面中，在施涂外涂的外涂组合物之前，不对光刻胶组合物进行热处理。在本发明这些方法的一些方面中，在曝光之前，对施涂有光刻胶组合物和外涂组合物的基材进行热处理，以便从施涂的光刻胶组合物和外涂组合物中除去溶剂。
本发明的方法和系统可使用各种成像波长，例如波长小于300纳米(例如248纳米)或小于200纳米(例如193纳米)的辐射。
在另一实施方式中，提供了光刻体系，例如包括以下组分的经过涂敷的基材体系：其上具有以下1)和2)的基材：1)光刻胶组合物涂层：2)位于所述光刻胶组合物层之上的外涂组合物的涂层，所述外涂组合物包含(i)一种或多种三元共聚物，或者其他更高级的聚合物和/或(ii)一种或多种生酸剂化合物，特别是一种或多种光致生酸剂化合物和/或一种或多种热致生酸剂化合物。对于浸没式成像法，所述光刻体系还可任选地包括浸没式光刻曝光工具。
外涂组合物
如上所述，本发明优选的外涂层包括含有一种或多种三元共聚物或其他更高级树脂组分的外涂层。
可以将各种树脂用于本发明的外涂组合物。如上所述，本发明优选的外涂组合物的树脂可包含具有至少两个稠合到树脂骨架的碳原子的环状结构。特别优选的树脂包含聚合的降冰片烯基团，这些基团可以任选地被一个或多个非氢取代基取代，所述非氢取代基具体来说是酯基、醚基、羧基、腈基或磺酰基之类的极性基团，这些基团可具有一个或多个卤素(特别是氟)之类的取代基。
更具体来说，本发明外涂组合物优选的树脂具有下式I所示的结构：
在式I中，X、Y和Z各自独立地为非氢取代基，较佳的是，X、Y和Z中的一个或多个任选地被以下基团取代：例如酯基、醚基、羧基、腈基或磺酰基，例如-C(＝O)O(CH2)mOH，式中m是0-12的整数；-O-(CH2)mCH3，其中m是0-12的整数；-(CH2)mCN，其中m是0-12的整数；  -(CH2)mSO2，其中m是0-12的整数；  较佳的是，存在的X、Y或Z基中的一个或多个具有氟取代基；
各个n是相同或不同的，是0(此时各X，Y或Z基团不存在)-8的整数，优选为0、1或2，较佳的是，各个n中的一个或多个为大于0(即任意X、Y或Z基团中的一个或多个是存在的)；
a、b和c表示以聚合物单元总量为基准计，各重复单元的摩尔百分数，a，b和c均大于0。
特别优选的用于本发明外涂组合物的树脂包括下式II所示的结构：
Figure A20061013177000092
式II中a、b和c的定义与上式I相同。
除了以上式I和式II所示的聚合的稠合碳单元以外，本发明的外涂组合物的树脂还可包含以下物质形成的其它的重复单元和/或聚合物骨架结构：例如聚环氧烷、聚(甲基)丙烯酸、聚(甲基)丙烯酰胺、聚合的芳族(甲基)丙烯酸酯和聚合的乙烯基芳族单体。
本发明优选的外涂组合物的树脂的重均分子量约大于500、1000、1500或2000道尔顿。较佳的是，所述外涂组合物仅含对光刻基本惰性的材料，即在曝光前热处理和曝光后热处理、成像这样的常规的光刻处理步骤过程中，不会发生键断裂反应，也不会在光刻过程中以及在浸没曝光过程中与浸没液反应的材料。
如上所述，在一个优选方面中，外涂组合物可包含一种或多种生酸剂化合物，例如一种或多种热致生酸剂化合物和/或一种或多种光致生酸剂化合物。下文相对于光刻胶组合物讨论了适合用作外涂组合物的光致生酸剂化合物，具体包括亚氨磺酸酯之类的非离子性化合物，例如下式所示的化合物：
Figure A20061013177000101
式中R是樟脑基、金钢烷基、烷基(例如C1-12烷基)和全氟(C1-12烷基)之类的全氟烷基，特别是全氟辛磺酸酯和全氟壬磺酸酯。一种特别优选用于外涂组合物的光致生酸剂化合物是N-[(全氟辛磺酰基)氧基]-5-降冰片烯-2，3-二碳酰亚胺。
也可将热致生酸剂化合物用于本发明的外涂组合物，所述热致生酸剂包括离子性或基本中性的热致生酸剂，例如芳烃磺酸铵盐。
如果使用一种或多种生酸剂，则它们在外涂组合物中的用量可以较小，例如以组合物全部组分(除了溶剂载体以外的全部组分)的干重为基准计，为0.1-10重量％，例如约为2重量％。
通过这样使用一种或多种生酸剂化合物，可以有益地影响下面的光刻胶层中显影的图像的光刻性能，特别是分辨率。
优选的外涂组合物层在193纳米处的折射率可约等于或大于1.4，包括约等于或大于1.47。另外，对于任何具体的体系，可以通过改变外涂组合物中一种或多种树脂的组成来调节折射率，所述改变组成包括改变树脂混合物中组分的比例，或者外涂组合物中任意的一种或多种树脂的组成。例如，通过增加外涂层组合物中有机物的含量，可以增大涂层的折射率。
优选的外涂层组合物在目标曝光波长(例如193纳米或248纳米)下的折射率介于浸没液和光刻胶的折射率之间。
优选的用来配制和浇涂外涂组合物的溶剂材料是任何能够溶解或分散所述外涂层组合物的一种或多种组分(例如一种或多种树脂)、但是不会显著溶解下面的光刻胶层的溶剂材料。更具体来说，适合用来配制外涂组合物的溶剂包括但不限于以下的一种或多种溶剂：醇，例如异丙醇、正丁醇、丙二醇之类的亚烷基二醇。也可使用其它的非极性溶剂，例如可使用脂族烃和芳族烃，例如十二烷、异辛烷、和二甲苯。
可以通过将一种或多种固体组分(例如一种或多种树脂)混入一种或多种极性溶剂(例如上文所述的极性溶剂)或一种或多种非极性溶剂(例如上文所述的脂族烃和芳族烃)中，从而适当地制备外涂涂料或组合物。以下实施例1示例性地描述了本发明外涂组合物的制备。
光刻胶
可将许多种光刻胶组合物与本发明的外涂层组合物和方法结合使用。
如上所述，优选用于本发明的光刻胶包括正性作用或负性作用的化学增强光刻胶，即能够发生光生酸促进的交联反应，使得光刻胶涂层的曝光区域比未曝光区域更难溶于显影剂的负性作用光刻胶组合物，以及组合物中一种或多种组分的对酸不稳定基团能够发生光生酸促进的脱保护反应，使得光刻胶涂层的曝光区域比未曝光区域更易溶于水性显影剂的正性作用光刻胶组合物。包含与酯的羧基氧共价相连的非环叔烷基碳(例如叔丁基)或叔脂环碳(例如甲基金刚烷基)的酯基经常是本发明光刻体系的光刻胶中所用树脂的优选的对光生酸不稳定的基团。还优选对光生酸不稳定的缩醛基团。
本发明所用的光刻胶通常包含树脂组分和光活性组分。较佳的是，树脂具有能够使光刻胶组合物在碱水溶液中显影的官能团。例如，优选包含羟基或羧酸酯基之类的极性官能团的树脂粘合剂。较佳的是，光刻胶组合物中树脂组分的用量足以使光刻胶在碱性水溶液中显影。
为了在大于200纳米的波长下(例如248纳米)成像，通常优选酚醛树脂。优选的酚醛树脂是聚(乙烯基苯酚)，该聚合物可用相应的单体在催化剂的存在下通过嵌段聚合、乳液聚合或溶液聚合制得。可用来制备聚乙烯基苯酚树脂的乙烯基苯酚可通过以下步骤制备：例如用市场上购得的香豆素或取代的香豆素进行水解，然后对制得的羟基肉桂酸进行脱羧。可用的乙烯基苯酚还可通过以下步骤制得：对相应的羟基烷基苯酚进行脱水；或者通过取代的或未取代的羟基苯甲醛与丙二酸反应制得羟基肉桂酸，然后对其进行脱羧。由这些乙烯基苯酚制得的优选的聚乙烯基苯酚树脂的分子量约为2000-60000道尔顿。
优选用来在大于200纳米的波长下(例如248纳米)成像的还有包含光活性组分与树脂组分的混合物的化学增强的光刻胶，所述树脂组分包含同时含有酚类单元和非酚类单元的共聚物。例如，优选的这类共聚物基本、主要或完全仅在该共聚物的非酚类单元上包含对酸不稳定的基团，特别是丙烯酸烷基酯对光生酸不稳定的基团，即酚-丙烯酸烷基酯共聚物。一种特别优选的共聚物粘合剂具有以下化学式的x和y重复单元：
其中羟基可位于整个共聚物的邻位、间位或对位，R’是取代的或未取代的烷基，包含1至大约18个碳原子，更通常为1至大约6到8个碳原子。叔丁基通常是优选的R’基。R’基团可任选地被例如一种或多种卤素(具体来说是F、Cl或Br)、C1-8烷氧基、C2-8链烯基等所取代。在共聚物中单元x和y可以规则地交替，或者也可无规地散布在聚合物中。这些聚合物很容易形成。例如，对于上式的树脂，可以在本领域已知的自由基条件下对乙烯基苯酚和丙烯酸叔丁酯之类的取代或未取代的丙烯酸烷基酯等进行缩聚。取代的酯部分，即R’-O-C(＝O)-，丙烯酸酯单元部分作为树脂的酸不稳定基团，当使包含该树脂的光刻胶涂层曝光时，这些基团会发生光生酸引发的裂解。优选该共聚物的Mw约为8000至50000，更优选约为15000至30000，分子量分布约等于或小于3，更优选分子量分布约等于或小于2。非酚醛树脂，例如丙烯酸叔丁酯或甲基丙烯酸叔丁酯之类的丙烯酸烷基酯，与乙烯基降冰片基或乙烯基环己醇化合物之类的乙烯基脂环化合物的共聚物，也可被用作本发明组合物中的树脂粘合剂。这些共聚物也可通过这种自由基聚合反应或其它的已知方法制备，其合适的Mw约为8000-50000，分子量分布约等于或小于3。
在Shipley公司的欧洲专利申请0829766A2(具有缩醛树脂和缩酮树脂的树脂)和Shipley公司的欧洲专利申请EP0783136A2(包含以下基团的三元共聚物和其他共聚物：1)苯乙烯；2)羟基苯乙烯；3)对酸不稳定的基团，特别是丙烯酸烷基酯对酸不稳定的基团，例如丙烯酸叔丁酯或甲基丙烯酸叔丁酯)中揭示了其他优选用于本发明正性作用化学增强的光刻胶的树脂，这些树脂包含对酸不稳定的解封闭基团。通常具有各种对酸不稳定的基团的树脂是合适的，这些树脂包括例如对酸不稳定的酯、碳酸酯、醚、酰亚胺等。这些对光生酸不稳定的基团更优选是连接在聚合物主链上的侧基，但是也可使用对酸不稳定的基团结合在聚合物主链中的树脂。
对于在低于200纳米波长下(例如在193纳米)成像，优选使用包含一种或多种基本、主要或完全不含苯基或其他芳基的聚合物的光刻胶。例如，对于低于200纳米的成像，优选的光刻胶聚合物中芳基的含量约小于5摩尔％，较优选约小于1或2摩尔％，更优选约小于0.1、0.02、0.04和0.08摩尔％，进一步优选约小于0.01摩尔％。特别优选的聚合物完全不含芳基。芳基对低于200纳米的辐射是高度吸收性的，因此对于在这种短波长辐射下成像的光刻胶中所用的聚合物是不利的。
在Shipley公司的欧洲申请EP930542A1和美国专利第6692888号和第6680159号中揭示了某些合适的聚合物，这些聚合物基本或完全不含芳基，可与本发明的PAG配制在一起，制备用来在低于200纳米的波长下成像的光刻胶。
基本或完全不含芳基的合适的聚合物宜包含以下组分：对光生酸不稳定的丙烯酸酯单元之类的丙烯酸酯单元，它们可通过丙烯酸甲基金刚烷酯、甲基丙烯酸甲基金刚烷酯、丙烯酸乙基葑基酯、甲基丙烯酸乙基葑基酯等的聚合反应制得；稠合的非芳族脂环基，例如可通过降冰片烯化合物或其他包含桥环碳-碳双键的脂环族化合物的聚合反应制得；酸酐，例如可通过马来酸酐和/或衣康酸酐的聚合反应制得；等等。
本发明优选的负性作用组合物包含在接触酸时能够固化、交联或硬化的材料和本发明的光活性组分的混合物。特别优选的负性作用组合物包含酚醛树脂之类的树脂粘合剂、交联剂组分和本发明的光活性组分。Thackeray等在欧洲专利申请0164248和0232972以及美国专利第5128232号中揭示了这样的组合物及其应用。优选用作树脂粘合剂组分的酚醛树脂包括酚醛清漆树脂和例如上文所述的聚(乙烯基苯酚)。优选的交联剂包括胺基材料，其包括三聚氰胺、甘脲、苯胍胺基材料和脲基材料。通常最优选三聚氰胺-甲醛树脂。这些交联剂可以在市场上购得，例如购自Cytec Industries的商品名为Cymel 300、301和303的三聚氰胺树脂。甘脲树脂购自Cytec Industries，商品名为Cymel 1170、1171、1172，所购脲基树脂的商品名为Bettle 60、65、和80，所购苯胍胺树脂的商品名为Cymel1123和1125。
Shipley公司在WO 03077029中揭示了可用来在低于200纳米波长下(例如在193纳米)成像的优选的负性作用光刻胶。
本发明光刻胶的树脂组分的用量通常足以使光刻胶涂层的曝光区域能够被例如碱性水溶液显影。更具体来说，树脂粘合剂可适当地占该光刻胶总固体重量的50至大约90重量％。光活性组分的含量应足以在光刻胶的涂层中产生潜像。更具体地说，光活性组分应适当地占光刻胶总固体重量的大约1-40重量％。通常，化学增强的光刻胶宜包含较少量的光活性组分。
本发明的光刻胶组合物还包含光致生酸剂(即“PAG”)，其用量足以在暴露于活化辐射之下时，在光刻胶的涂层中产生潜像。优选的用于在193纳米和248纳米成像的PAG包括亚氨磺酸酯，例如下式的化合物：
Figure A20061013177000141
式中R为樟脑基、金刚烷基、烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基，例如全氟(C1-12烷基)、特别是全氟辛烷磺酸酯、全氟壬烷磺酸酯。特别优选的PAG为N-[(全氟辛磺酰基)氧基]-5-降冰片烯-2，3-二碳酰亚胺。
磺酸盐/酯化合物，特别是磺酸盐也是合适的PAG。两种适用于在193纳米和248纳米成像的试剂是以下的PAG1和2：
Figure A20061013177000142
这些磺酸盐化合物可以按照欧洲专利申请第96118111.2号(公开号0783136)公开的方法制备，该专利详细描述了上面的PAG1的合成。
与除了上述樟脑磺酸根以外的阴离子络合的上面两种碘鎓化合物也是合适的。具体来说，优选的阴离子包括那些化学式为RSO3 -的阴离子，式中R为金刚烷基、烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基，例如全氟(C1-12烷基)、特别是全氟辛磺酸酯、全氟丁磺酸酯等。
其它已知的PAG也可用于本发明的光刻胶。特别是对于193纳米成像，通常优选的是不含芳基的PAG，例如上面提到的亚氨磺酸酯，以便提高透明度。
本发明光刻胶优选的任选添加剂是加入的碱，具体来说是氢氧化四丁基铵(TBAH)，或乳酸四丁基铵，它们可以提高显影的光刻胶浮雕图像的分辨率。对于在193纳米成像的光刻胶，优选加入的碱是位阻胺，例如二氮双环十一碳烯或二氮双环壬烯。加入的碱的量宜较小，例如约占总固体重量的0.03-5重量％。
本发明的光刻胶还可包含其他任选的材料。例如，其它任选的添加剂包括抗成纹剂、增塑剂、增速剂等。这些任选的添加剂在光刻胶组合物中的浓度通常较小，但是填料和染料除外，它们的浓度可以较高，例如占光刻胶干组分总重量的5-30重量％。
本发明的负性作用光刻胶通常包含交联组分，优选为独立的光刻胶组分。通常优选胺基(例如三聚氰胺)交联剂，例如Cymel三聚氰胺树脂。
本发明的光刻胶通常由以下已知的方法制备。例如，可通过将光刻胶的各种组分溶解于合适的溶剂，以涂料组合物的形式制备本发明的光刻胶，所述合适的溶剂为例如，乙二醇醚，例如2-甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)、乙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚；丙二醇单甲醚乙酸酯；乳酸酯，例如乳酸乙酯或乳酸甲酯，优选的是乳酸乙酯；丙酸酯，特别是丙酸甲酯、丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯；酯溶纤剂，例如甲基乙酸溶纤剂；芳烃，例如甲苯或二甲苯；或酮，例如甲基乙基酮、环己酮和2-庚酮。以光刻胶组合物的总重量为基准计，光刻胶的固体含量通常为5-35重量％。也可使用这些溶剂的混合物。
光刻处理
可使用旋涂、浸涂、辊涂或其他常规涂敷技术将液体光刻胶组合物施涂到基材上。在进行旋涂时，可根据所用的具体旋涂设备、溶液的粘度、旋转器速度和旋涂时间来调节涂料溶液中的固体含量，以达到所需的膜厚度。
可将本发明所用的光刻胶组合物适当地施涂在常规的使用光刻胶涂敷的过程中所用的基材上。例如，可将该组合物施涂在用来制造微处理器和其他集成电路元件的硅晶片或涂敷有二氧化硅的硅晶片上。也宜使用铝-氧化铝基材、砷化镓基材、陶瓷基材、石英基材、铜基材、玻璃基材等。也宜将光刻胶施涂在减反射层、特别是有机减反射层上。
可以通过任何合适的方法将本发明的外涂组合物施涂在光刻胶组合物上，优选的方法是旋涂。
在表面上涂敷了光刻胶之后，可加热干燥以除去溶剂，直至光刻胶涂层不发粘，或者如上所述，可以在施涂了外涂层组合物之后在单独的热处理步骤中对光刻胶层进行干燥，基本除去光刻胶组合物和外涂组合物层中的溶剂。
然后使具有外涂组合物层的光刻胶层暴露于具有图案的辐射，对光刻胶中的光活性组分进行活化。
在浸没式光刻系统中，曝光工具(具体来说为投射透镜)和涂敷了光刻胶的基材之间的空间被浸没液所占据，所述浸没液是水或混有一种或多种添加剂的水，所述添加剂是例如能够提高液体的折射率的硫酸铈。较佳的是对浸没液(例如水)进行处理以免产生气泡，例如对水进行脱气，以免产生纳米气泡。
在本文中，“浸没曝光”或其他类似的术语表示在进行曝光时，在曝光工具和涂敷的光刻胶组合物层之间插入液体层(例如水或混有添加剂的水)。
在曝光步骤中(曝光时插入液体的浸没过程，或者不插入液体的非浸没过程)，使光刻胶组合物层曝光于带图案的活性辐射，根据曝光工具和光刻胶组合物的组分，所述活性辐射的曝光能量通常约为1-100毫焦/平方厘米。本文所述的“使光刻胶组合物曝光于能够使光刻胶活化的辐射”表示该辐射能够例如通过引起光活性组分的反应(例如由光致生酸剂化合物生成光生酸)，从而在光刻胶中形成潜像。
如上所述，优选用短波长曝射光对光刻胶组合物进行光活化，具体来说是低于300纳米、低于200纳米的曝射光波长，特别优选248纳米和193纳米，以及EUV和157纳米波长的曝射光。
在曝光之后，优选在约70-160℃的温度下烘焙该组合物的膜层。然后优选用水基显影剂处理该膜进行显影，所述显影剂是例如：氢氧化季铵溶液，例如氢氧化四烷基铵溶液，优选0.26N的氢氧化四甲铵；各种胺溶液，例如乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺或甲基二乙胺；醇胺，例如二乙醇胺或三乙醇胺；环胺，例如吡咯、吡啶等。通常使用本领域已知的方法进行显影。
对基材上的光刻胶涂层进行显影之后，可对无光刻胶覆盖的显影后基材区域进行选择性的处理，例如可通过本领域已知的方法对无光刻胶覆盖的基材区域进行化学蚀刻或镀敷。在制造微电子基材，例如制造二氧化硅晶片的时候，合适的蚀刻剂包括气体蚀刻剂，例如卤素等离子体蚀刻剂，如作为等离子体流施用的Cl2或CF4/CHF3蚀刻剂之类的氯基或氟基蚀刻剂。进行这些处理之后，可采用已知的剥离方法从处理过的基材上除去光刻胶。
以下非限制性实施例对本发明是说明性的。
实施例
实施例1：外涂组合物的制备
通过在聚乙烯容器中加入以下组分(1)和(2)制备外涂层涂料溶液：(1)具有上式II所示结构的三元共聚物，其中a是84摩尔％，b为6摩尔％，z为10摩尔％；(2)具有N-[(全氟辛磺酰基)氧基]-5-降冰片烯-2，3-二碳酰亚胺结构的非离子性光致生酸剂。
实施例2：外涂组合物的处理
在硅晶片上涂敷60纳米厚的市售有机减反射层，在215℃固化，然后涂敷甲基丙烯酸酯基的193纳米的光刻胶。然后对该光刻胶进行温和的烘焙，以除去溶剂，然后沉积顶部外涂层。通过旋涂法将实施例1中制备的外涂组合物施涂在光刻胶层顶上，施涂的外涂组合物在90或120℃的温度下温和地烘焙1分钟，以除去溶剂。
然后使光刻胶组合物暴露于具有图案的193纳米的辐射，并用0.26N的碱性显影剂水溶液显影。

Claims (9)

1.一种经过涂敷的基材，该基材包括：
位于基材上的光刻胶组合物层；
位于该光刻胶层上的有机组合物，该组合物包含：(i)包含一种或多种三元共聚物、四元共聚物或五元共聚物的树脂组分，和/或(ii)一种或多种生酸剂化合物。
2.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述树脂组分包含具有下式I所示结构的树脂：
Figure A2006101317700002C1
式中X、Y和Z各自独立地为非氢取代基；
各个n是相同或不同的，为0、1或2的整数；
a、b和c表示各重复单元的摩尔百分含量，且a、b和c各自大于0。
3.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述树脂组分包含具有下式II所示结构的树脂：
Figure A2006101317700002C2
a、b和c表示各重复单元的摩尔百分含量，a、b和c各自大于0。
4.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述生酸剂化合物是光致生酸剂化合物。
5.一种处理光刻胶组合物的方法，该方法包括：
(a)在基材上施涂光刻胶组合物；
(b)在所述光刻胶组合物上施涂包含以下组分(i)和/或(ii)的有机组合物：(i)包含一种或多种三元共聚物、四元共聚物或五元共聚物的树脂组分，(ii)生酸剂化合物；
(c)使所述光刻胶层暴露于辐射，对光刻胶组合物进行活化。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述光刻胶进行浸没式曝光，所述基材是微电子晶片基材。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶暴露于波长为193纳米的辐射。
8.一种用来与下面的光刻胶组合物层一起使用的涂料组合物，该涂料组合物包含：
(a)一种或多种生酸剂化合物；
(b)包含具有下式I所示结构的树脂的树脂组分：
Figure A2006101317700003C1
式中X、Y和Z各自独立地为不含对光生酸不稳定的基团的非氢取代基；
各个n是相同或不同的，为0、1或2的整数，至少一个n大于0；
a、b和c表示各重复单元的摩尔百分含量，而且a、b和c各自大于0。
9.如权利要求8所述的组合物，其特征在于，所述树脂包括具有下式II所示结构的树脂：
Figure A2006101317700003C2
a、b和c表示各重复单元的摩尔百分含量，且a、b和c各自大于0。
CN2006101317705A 2005-10-03 2006-10-08 用于光刻的组合物和方法 Expired - Fee Related CN1952778B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72336805P 2005-10-03 2005-10-03
US60/723,368 2005-10-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1952778A true CN1952778A (zh) 2007-04-25
CN1952778B CN1952778B (zh) 2011-04-06

Family

ID=37499183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101317705A Expired - Fee Related CN1952778B (zh) 2005-10-03 2006-10-08 用于光刻的组合物和方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8158325B2 (zh)
EP (1) EP1770442B1 (zh)
JP (1) JP5084216B2 (zh)
KR (1) KR101376104B1 (zh)
CN (1) CN1952778B (zh)
TW (1) TWI347492B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943857B (zh) * 2008-11-19 2016-05-11 罗门哈斯电子材料有限公司 用于光刻的组合物和方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7473512B2 (en) * 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
JP4684139B2 (ja) * 2005-10-17 2011-05-18 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
TWI485064B (zh) * 2006-03-10 2015-05-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於光微影之組成物及製程
US20090042148A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Munirathna Padmanaban Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof
US10042259B2 (en) 2016-10-31 2018-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Topcoat compositions and pattern-forming methods
US10241411B2 (en) 2016-10-31 2019-03-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Topcoat compositions containing fluorinated thermal acid generators

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100647379B1 (ko) 1999-07-30 2006-11-17 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
US6737215B2 (en) * 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
US6686429B2 (en) * 2001-05-11 2004-02-03 Clariant Finance (Bvi) Limited Polymer suitable for photoresist compositions
US6800416B2 (en) * 2002-01-09 2004-10-05 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Negative deep ultraviolet photoresist
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
US6756180B2 (en) * 2002-10-22 2004-06-29 International Business Machines Corporation Cyclic olefin-based resist compositions having improved image stability
US7473512B2 (en) * 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
US20050202351A1 (en) 2004-03-09 2005-09-15 Houlihan Francis M. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
JP4355944B2 (ja) * 2004-04-16 2009-11-04 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料
US7335456B2 (en) * 2004-05-27 2008-02-26 International Business Machines Corporation Top coat material and use thereof in lithography processes
KR100676885B1 (ko) 2004-12-02 2007-02-23 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물
JP2008536956A (ja) * 2005-02-22 2008-09-11 プロメラス， エルエルシー ノルボルネン系ポリマー、その組成物、及び該組成物を使用するリソグラフィ法
JP4525454B2 (ja) * 2005-04-27 2010-08-18 Ｊｓｒ株式会社 上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法
JP4918095B2 (ja) * 2006-09-20 2012-04-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943857B (zh) * 2008-11-19 2016-05-11 罗门哈斯电子材料有限公司 用于光刻的组合物和方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1770442B1 (en) 2014-06-04
CN1952778B (zh) 2011-04-06
KR101376104B1 (ko) 2014-03-20
TWI347492B (en) 2011-08-21
TW200720841A (en) 2007-06-01
JP5084216B2 (ja) 2012-11-28
JP2007102228A (ja) 2007-04-19
EP1770442A3 (en) 2008-11-26
US20070087286A1 (en) 2007-04-19
US8158325B2 (en) 2012-04-17
KR20070037698A (ko) 2007-04-06
EP1770442A2 (en) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102566323B (zh) 用于浸没式光刻的组合物和方法
CN102844707B (zh) 包含碱反应活性组分的组合物和用于光刻法的方法
CN103353707B (zh) 用于光致抗蚀剂的涂料组合物
CN1900824B (zh) 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
CN102819191A (zh) 用于光刻的组合物和方法
CN102053492B (zh) 用于光刻法的组合物和方法
CN101526737B (zh) 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法
CN102253596B (zh) 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法
CN101900953B (zh) 用于光刻的包含嵌段共聚物的组合物和方法
TWI662370B (zh) 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物
CN101030037B (zh) 用来与外涂的光刻胶一起使用的涂料组合物
CN1952778B (zh) 用于光刻的组合物和方法
JP2011520148A (ja) 反射防止コーティング組成物
CN101943857B (zh) 用于光刻的组合物和方法
CN102540703B (zh) 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺
JP5139018B2 (ja) フォトリソグラフィー用コーティング組成物
CN101943858B (zh) 含磺酰胺材料的组合物和用于平板印刷的方法
US20020028408A1 (en) Etch resistant antireflective coating compositions
JP6882244B2 (ja) フォトレジストと共に使用するための下層コーティング組成物
CN102591147B (zh) 用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法
TWI709587B (zh) 塗佈之基板及形成光阻劑浮雕圖像之方法
TWI660245B (zh) 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物
CN101943856B (zh) 用于光刻的包含杂取代的碳环芳基组分的组合物和方法
CN101943860B (zh) 平版印刷方法
JP5986748B2 (ja) 上塗りフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110406

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee