1239517 A7 B7 五、發明説明（1 ) [發明的技術領域] 本發明是關於光記錄媒體及其製造方法，具體而言， 是和具有以積層方式形成之複數資訊記錄層的光記錄媒體 及其製造方法相關。 [習知技術] 以往’以CD及DVD爲代表之光記錄媒體被廣泛應用 爲以記錄數位資料爲目的之記錄媒體。而針對此種光記錄 媒體，逐年要求其具有更大之記錄容量，爲了實現前述目 的，也出現了各種提案。而提案之一，就是採用使光記錄 媒體含有之資訊記錄層具有2層構造的方法，且已被應用 於再生專用之光記錄媒體一DVD-Video及DVD-ROM上。此 .種再生專用光記錄媒體，形成於基板表面上之預坑（PRE-PIT)即爲資訊記錄層，此種基板會具有夾著中間層之積層構 造。 又，近年來，對於使用者可執行資料寫入之光記錄媒 體，亦提出資訊記錄層爲2層構造之類型的光記錄媒體。 此種可執行寫入之光記錄媒體中，記錄膜及夾著記錄膜形 成之介電質膜爲資訊記錄層，而具有由此種資訊記錄層積 層而成之構造。 對此種光記錄媒體執行資料之再生時’被設定爲再生 能量之雷射束的焦點會對準其中一方之資訊記錄層，並檢 測其反射光量。所以，執行記錄於下層資訊記錄層（距光入 射面較遠側之資訊記錄層）之資料時，照射之雷射束會經過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝J· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（2 ) 上層資訊記錄層（距光入射面較近側之資訊記錄層），而反射 光亦會經過上層資訊記錄層再射入光學系。 如上面所述，具有2層資訊記錄層之光記錄媒體中， 執行記錄於下層資訊記錄層之資料的再生會經過上層資訊 g己錄層，來自下層資訊記錄層之反射光量，會受到上層資 訊記錄層之影響。尤其是，使用者可實施資料寫入之光記 錄媒體時，因爲資訊記錄層之光透過率會低於再生專用之 光記錄媒體的資訊記錄層光透過率，故影響更爲顯著。 亦即，使用者可執行資料寫入之光記錄媒體的資訊記 錄層中，記錄著資料之區域（記錄區域）會形成多數記錄標示 ’而未記錄資料之區域（未記錄區域）則完全不會形成記錄標 示，故再生記錄於下層資訊記錄層之資料時，所得到之反 射光量會因爲位於其上部之上層資訊記錄層爲記錄區域、 或是未記錄區域而不同。尤其是，再生記錄於下層資訊記 錄層之資料時，若位於其上部之上層資訊記錄層相當於記 錄區域及未記錄區域之境界時，再生時照射之雷射束點內 的反射率分布不會一定，而有妨礙安定檢測反射光量之問 題。 參照圖面針對此現象進行更詳細之說明。 圖14爲再生時雷射束之焦點對準下層資訊記錄層1時 ’位於其上部之上層資訊記錄層2爲記錄區域時（雷射位置 A)、未記錄區域時（雷射位置B)、以及記錄區域及未記錄區 域之境界部份時（雷射位置C)之各雷射束光路的模式剖面圖 。又，該圖中，3爲光透過層、4爲中間層、5爲基體。光 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I--------裝 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 透過層3及中間層4皆以透明材料構成。 圖15(a)〜（c)爲再生時雷射束從雷射位置A、B、C照 射上層資訊記錄層2之束點內各狀態的模式平面圖。 如圖15(a)所示，再生時之雷射束爲雷射位置A時，照 射於上層資訊記錄層2之束點內會存在多數記錄標示Μ。 具體而言，該光記錄媒體之資訊記錄層1、2含有相變化型 記錄膜時，形成記錄標示Μ之部份的反射率，一般而言， 會低於未形成記錄標示Μ之之記錄標示間的反射率。所以 ，照射至上層資訊記錄層2之束點內的平均反射率，大約 爲形成記錄標示Μ之部份的反射率、以及未形成記錄標示 Μ之部份的反射率之中間値。 又，如圖15(b)所示，再生時之雷射束爲雷射位置Β時 ，照射於上層資訊記錄層2之束點內，完全不存在記錄標 示Μ。所以，照射至上層資訊記錄層2之束點內的平均反 射率，會和未形成記錄標示Μ之部份的反射率一致。 又，如圖15(c)所示，再生時之雷射束爲雷射位置C時 ，照射於上層資訊記錄層2之束點內，沿著軌道方向被分 割成二半之一方區域（內緣方向）存在多數記錄標示Μ，而另 一方區域（外緣方向）則完全不存在記錄標示Μ。所以，照射 至上層資訊記錄層2之束點內的反射率分布會產生變動。 因此，具有2層資訊記錄層之傳統光記錄媒體，來自 下層資訊記錄層1之反射光量會因爲上層資訊記錄層2之 狀態而變動，故有不易獲得安定資料再生的困難。尤其是 ，從下層資訊記錄層1讀取資料時，若照射於上層資訊記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝丨·
ij---IT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（4 ) 錄層2之束點內含有記錄區域及未記錄區域之境 時（雷射 位置C)，會如前面所述，束點內之反射率分布無法保持一 定，而有更不易安定執行資料再生之問題。 又，記錄資料時，經由上層資訊記錄層2對下層資訊 記錄層1照射雷射束的步驟和再生資料時相同，故對下層 貪$ S錄層1執f了記錄時’亦會受到上層資訊記錄層2之 狀態的影響，而可能無法獲得安定之資料記錄。 解決前述問題之方法，日本特開2000-2 85 469號公報所 示之方法爲眾所皆知。該公報之方法，就是從上層資訊記 錄層依序執行資料記錄，在上層資訊記錄層沒有未記錄區 域後，再將資料記錄於下層資訊記錄層。然而，此種方法 不但會使一般光記錄媒體之特徵一隨機存取性受到很大限制 ，亦無法使用不良替代磁區，而使便利性大大受損。又， 爲了實現此方法，驅動器側必須有特別控制，亦有降低泛 用性之問題。 [發明之槪述] 所以，本發明之目的就是提供具有以積層方式形成之 複數資訊記錄層的改良型光記錄媒體。 又，本發明之其他目的就是針對具有以積層方式形成 之複數資訊記錄層的光記錄媒體，提供對單一資訊記錄層 執行資料記錄及/或再生時，可降低因其他資訊記錄層之影 響而產生之變動的光記錄媒體。 又，本發明之另一其他目的，則是針對具有以積層方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I-------裝| (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 式形成之複數資訊記錄層的光記錄媒體，提供對單一資訊 記錄層執行資料記錄及/或再生時，可降低因對應位置之其 他資訊記錄層爲記錄狀態或未記錄狀態而使記錄條件及/或 再生條件產生之變動的光記錄媒體。 本發明之目的可利用一種光記錄媒體來達成，爲具有 以積層方式形成之複數資訊記錄層，使前述複數資訊記錄 層之至少一個資訊記錄層的各部份成爲反射率互相不同之 第1狀態及第2狀態之其中一方，並以此執行資訊記錄之 光記錄媒體，且具有下述特徵，前述複數資訊記錄層之至 少一個資訊記錄層的未記錄區域之特定範圍內的平均反射 率，爲介於前述第1狀態之反射率、及前述第2狀態之反 射率之間的値。 利用本發明，雷射束之焦點對準單一資訊記錄層時， 其他資訊記錄層中，束點照射之區域爲記錄區域時、及未 記錄區域時之反射率差會較小，又，束點內存在記錄區域 及未記錄區域之境界時，束點內之反射率分布亦會大致保 持一定，而可執行安定之記錄/再生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之良好實施形態中，前述複數資訊記錄層是由 相變化膜所構成。 本發明之較佳實施形態中，前述第1狀態爲非晶狀態 ，前述第2狀態則爲晶體狀態。 本發明之較佳實施形態中，雷射束之點有效照射於單 一資訊記錄層上時，前述特定範圍相當於照射至其他資訊 記錄層之前述雷射束的直徑。 本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1239517 A7 B7 五、發明説明（6 ) 本發明之較佳實施形態中，前述其他資訊記錄層之位 置比前述單一資訊記錄層更靠近光入射面。 本發明之較佳實施形態中，前述未記錄區域之幾乎全 域爲十分規則之前述第1狀態及前述第2狀態。 本發明之較佳實施形態中，前述未記錄區域之幾乎全 域會形成微小記錄標示。 依據本發明之較佳實施形態，可以在不使用特別裝置 而只使用一般資料記錄裝置之情形下，使未記錄區域之前 述特定範圍內的平均反射率成爲介於第1狀態之反射率、 及第2狀態之反射率之間的値。 本發明之其他良好實施形態中，前述未記錄區域之幾 乎全域，會形成沿軌道方向之長度比軌道之垂直方向的長 度短的矩形非晶狀態區域。 依據本發明之其他良好實施形態，可快速使未記錄區 域之前述特定範圍內的平均反射率成爲介於第1狀態之反 射率、及第2狀態之反射率之間的値。 本發明之其他較佳實施形態中，沿著非晶狀態之前述 區域之軌道方向的前述長度，會小於規定前述特定範圍之 直徑。 依據本發明之其他較佳實施形態，利用前述矩形區域 之存在可降低對追蹤之影響。 本發明之其他良好實施形態中，前述未記錄區域之幾 乎全域的反射率爲介於前述第1狀態之反射率、及前述第2 形態之反射率之間的値。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2 Η) X 297公釐） I------裝 f I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（7 ) 依據本發明之其他良好實施形態，可更快使未記錄區 域之前述特定範圍內的平均反射率成爲介於第1狀態之反 射率、及第2狀態之反射率之間的値。 本發明之前述目的又可利用一種具有以積層方式形成 之複數資訊記錄層的光記錄媒體製造方法來達成，且其特 徵爲具有：執行前述複數資訊記錄層之至少一個資訊記錄層 之熔融起始化的步驟、及在前述經過熔融起始化之資訊記 錄層之幾乎全面形成微小記錄標示之步驟。 本發明之前述目的又可利用一種具有以積層方式形成 之複數資訊記錄層的光記錄媒體製造方法來達成，且其特 徵爲具有下述步驟，亦即，在資訊記錄層之幾乎全面上， 以約50%之負載（duty)形成放射狀之矩形狀非晶狀態區域及 晶體區域的步驟，前述矩形狀非晶狀態區域則爲沿著軌道 方向之長度較軌道之垂直方向的長度爲短。 本發明之前述目的又可利用一種具有以積層方式形成 之複數資訊記錄層的光記錄媒體製造方法來達成，且其特 徵爲具有對前述複數資訊記錄層之至少1個資訊記錄層實 施固相起始化之步驟。 [圖式之簡單說明] 圖1爲本.發明良好實施形態之光記錄媒體1 〇構造的槪 略剖面圖。 圖2爲再生時焦點對準下層記錄膜1 4時之雷射束光路 的模式剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------—裝....^ 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 »線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1239517 A7 B7 五、發明説明（8 圖3爲再生時焦點對準下層記錄膜1 8時之雷射束光路 的模式剖面圖。 圖4至圖8爲光記錄媒體10之製造方法的步驟圖。 圖9(a)〜（c)爲光記錄媒體1〇之再生時，雷射束從雷射 位置A、B、C照射上層記錄膜1 8之束點內各狀態的模式平 面圖。 圖1 0爲再生時雷射束之焦點對準上層記錄膜1 8時， 位於其下部之下層記錄膜14爲記錄區域時（雷射位置D)、 未記錄區域時（雷射位置E)、以及記錄區域及未記錄區域之 境界部份時（雷射位置F)之各雷射束光路的模式剖面圖。 圖11爲本發明良好其他實施形態之光記錄媒體40之 下層記錄膜14的相狀態之部份槪略平面圖。 圖12(a)〜（c)爲光記錄媒體40之再生時，雷射束從雷 射位置A、B、C照射上層記錄膜1 8之束點內各狀態的模式 平面圖。 圖1 3(a)〜（c)爲本發明另一良好實施形態之光記錄媒體 10之再生時，雷射束從雷射位置A、B ' C照射上層記錄膜 1 8之束點內各狀態的模式平面圖。 圖14爲再生時雷射束之焦點對準下層記錄層1時，位 於其上部之上層記錄層2爲記錄區域時（雷射位置A)、未記 錄區域時（雷射位置B)、以及記錄區域及未記錄區域之境界 部份時（雷射位置C)之各雷射束光路的模式剖面·圖。 圖15(a)〜（c)爲傳統光記錄媒體之再生時，雷射束從雷 射位置A、B、C照射上層記錄層2之束點內各狀態的模式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Οχ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1239517 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 平面圖。 主要元件對照表 C1 第1晶體區域 R 非晶區域 C2 第2晶體區域 Μ 記錄標示 1 下層記錄層 2 上層記錄層 10 、 40 、 50 光記錄媒體 11 基體 12 反射層 13 第4介電質層 14 記錄層 15 第3介電質層 16 中間層 17 第2介電質層 18 上層記錄膜 19 第1介電質層 20 光透過層 21 孔 30 壓模 31' 33 預組 I-------裝 _] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1---訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 1239517 A7 B7 五、發明説明（10 ) [發明之實施形態] 以下，參照圖面詳細說明本發明之良好實施形態。 圖1爲本發明良好實施形態之光記錄媒體1 0構造的槪 略剖面圖。 如圖1所示，本實施形態之光記錄媒體1 0是由以厚度 約1.1mm之聚碳酸脂構成之基體11、以厚度約50nm之銀 爲主要成份之合金構成之反射膜12、以厚度約90nm之 ZnS-Si〇2構成之第 4介電質膜13、以厚度約10nm之 AlInSbTe構成之下層記錄膜14、以厚度約90nm之ZnS-Si〇2 構成之第3介電質膜15、以厚度約0.02mm之紫外線硬型丙 烯酸樹脂構成之中間層16、以厚度約80nm之ZnS-SiCh構 成之第2介電質膜17、以厚度約6nm之AglnSbTe構成之上 層記錄膜18、以厚度約50nm之ZnS-Si〇2構成之第1介電 質膜19、以及以厚度約〇.〇8mm之紫外線硬化型丙烯酸樹脂 構成之光透過層20所構成。又，光記錄媒體10之中央部 份設有孔2 1。又，以夾著下層記錄膜14之方式設置的第4 介電質膜1 3及第3介電質膜1 5，對下層記錄膜14具有保 護膜之機能，而以夾著上層記錄膜1 8之方式設置的第2介 電質膜17及第1介電質膜19，則對上層記錄膜18具有保 護膜之機能。 利用上述構成，下層記錄膜14、第4介電質膜13、及 第3介電質膜15會構成下層資訊記錄層，而上層記錄膜18 、第2介電質膜17、及第1介電質膜19則會構成上層資訊 記錄層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） I-------^—裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 圖1中省略其圖示，基體11及中間層16上都會形成 預群（pre-group)，資料之記錄/再生時，雷射束會沿著其照 射。 從具有此種構造之光記錄媒體10執行資料讀取時，會 從光透過層20側照射設定爲例如具有約405nm波長之再生 能量的雷射光，並使焦點對準下層記錄膜1 4或上層記錄膜 18。此時，構成下層記錄膜 14及上層記錄膜18之 AglnSbTe爲相變化化合物，因晶體狀態時、及非晶狀態時 之光反射率會不同，故從光透過層20側照射雷射光且將焦 點對準下層記錄膜14及上層記錄膜1 8之一方，利用檢測 其反射光量，即可判斷雷射光照射之部份的下層記錄膜14 或上層記錄膜1 8爲晶體狀態或非晶狀態。下層記錄膜14 及上層記錄膜18如前面所述由AglnSbTe構成時，下層之 記錄層上，下層記錄膜14爲晶體狀態時之光反射率約爲 35%，而爲非晶狀態時之光反射率則約爲1 8%。又上層之記 錄層，上層記錄膜1 8爲晶體狀態時之光反射率約爲9%， 而爲非晶狀態時之光反射率則約爲5 %。 此時，如圖2所示，爲執行再生而將焦點對準下層記 錄膜14時，照射之雷射光會通過下層記錄膜14而在反射 膜12反射，然後，再度通過下層記錄膜14從光透過層20 射出。此時，在雷射光到達下層記錄膜14之期間、以及在 反射膜12反射之光到達光透過層20之期間，因存在上層 記錄膜1 8之緣故，從光透過層20射出之反射光的光量’ 不但會受到下層記錄膜14之狀態的影響，亦會受到上層記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） I---------1. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -14- 1239517 A7 B7 五、發明説明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 錄膜1 8之狀態的影響。當然，焦點對準下層記錄膜14之 狀態時，雷射束之束點在下層記錄膜14上會縮小至實質最 小的尺寸，而上層記錄膜1 8上之束點尺寸則遠大於其，故 從光透過層20射出之反射光的光量，主要是受到下層記錄 膜14之狀態的影響。 另一方面，如圖3所示，爲執行再生而將焦點對準上 層記錄膜18時，照射之雷射光會通過上層記錄膜18而在 反射膜12反射，然後，再度通過上層記錄膜1 8從光透過 層20射出。此時，在通過上層記錄膜1 8之雷射光到達反 射膜1 2之期間、以及在反射膜1 2反射之光到達上層記錄 膜1 8之期間，因存在下層記錄膜14之緣故，從光透過層 20射出之反射光的光量，不但會受到上層記錄膜1 8之狀態 的影響，亦會受到下層記錄膜14之狀態的影響。當然，焦 點對準上層記錄膜1 8之狀態時，雷射束之束點在上層記錄 膜1 8上會縮小至實質最小的尺寸，而下層記錄膜1 4上之 束點尺寸則遠大於其，故從光透過層20射出之反射光的光 量，主要是受到上層記錄膜1 8之狀態的影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對光記錄媒體10執行資料寫入時，會從光透過層20 側照射經過調變之例如具有約405nm波長的雷射光，並使 焦點對準下層記錄膜1 4或上層記錄膜1 8。利用此方式，焦 點對準之下層記錄膜14或上層記錄膜1 8當中，被雷射光 照射到之部份的狀態會爲晶體狀態及非晶狀態之其中一方 。各具體而言，會依據必須記錄之資料，將下層記錄膜14 或上層記錄膜1 8之特定部份加熱至超過融點的溫度後，實 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1239517 A7 B7 五、發明説明（13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 施急速冷卻，則該部份之狀態會成爲非晶狀態’而將下層 記錄膜14或上層記錄膜18之特定部份加熱至超過融點的 溫度後，實施緩慢冷卻，則該部份之狀態會成爲晶體狀態 。一般而言，成爲非晶狀態之部份會被稱爲「記錄標示」 。記錄標示之始點至終點的長度、以及終點至下一記錄標 示爲止的長度，分別具有資訊，各記錄標示之長度、以及 記錄標示間之長度（兩記錄標示之邊緣的間距）雖然並無特別 限制，然而，採用（1，7)RLL之調變方式時，應設定爲對應 2T〜8T(T爲時鐘之周期）之任一長度。 本實施形態之光記錄媒體10,會預先在下層記錄膜14 及上層記錄膜18之未記錄區域，以約50%之負載形成對應 2Τ之長度的記錄標示。所以，在起始狀態下，構成光記錄 媒體1 0之下層記錄膜14及上層記錄膜1 8的幾乎整面，會 形成對應2Τ之長度的記錄標示。 其次，針對本實施形態之光記錄媒體1 〇的製造方法進 行說明。 圖4至圖8爲光記錄媒體1 0之製造方法的步驟圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，如圖4所示，使用壓模30實施具有預群31、厚 度約1.1mm之基體11的射出成型。 其，如圖5所示，在基體11之形成預群31的面之幾 乎全面上，以噴濺法依序形成以銀爲主要成分之合金、 ZnS-SiCh、AglnSbTe、及 ZnS-SiCh，利用其形成厚度約 50nm之反射膜12、厚度約90nm之第4介電質膜13、厚度 約10nm之下層記錄膜14、及厚度約120nm之第3介電質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -16- 1239517 A7 B7 五、發明説明（14 ) 膜15。 其次，如圖6所示，在由基體1 1〜第3介電質膜15構 成之成膜基板上，實施紫外線硬化型丙烯酸樹脂的旋轉塗 布’在壓模32覆蓋於其表面之狀態下，經由壓模32照射 紫外線，形成具有預群33之厚度約爲〇.〇2mm之中間層16 〇 其次，如圖7所示，在形成預群33之中間層16的幾 乎全面上，以噴濺法依序形成ZnS-Si〇2、AglnSbTe、及 ZnS-Si〇2’利用其形成厚度約80nm之第2介電質膜17、厚 度約6nm之上層記錄膜18、及厚度約50nm之第1介電質 膜1 9。 其次，如圖8所示，在由基體11〜第1介電質膜19構 成之成膜基板上，實施紫外線硬化型丙烯酸樹脂的旋轉塗 布，利用照射紫外線，形成厚度約爲0.08mm之光透過層20 。以上，完成全部之成膜步驟。在本說明書中，將完成成 膜步驟之狀態的光記錄媒體稱爲「光記錄媒體前驅體」。 其次，將光記錄媒體前驅體載置於雷射照射裝置之旋 轉台（圖上未標不）上，進彳了旋轉的同時，實施沿軌道方向之 長度較短、且垂直軌道方向之長度較長之矩形狀雷射束的 連續照射，光記錄媒體前驅體每旋轉一次則將照射位置朝 垂直方向偏移，可使矩形雷射束大致照射到下層記錄膜14 及上層記錄膜1 8之全面。利用此方式，構成下層記錄膜1 4 及上層記錄膜18之AglnSbTe會被加熱至超過融點的溫度 ，然後實施緩慢冷卻，下層記錄膜14及上層記錄膜18之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） —-------裝 j — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（15 ) 全面會成爲晶體狀態，亦即，未記錄狀態。在本說明書中 ，將此步驟稱爲「熔融起始化」。實施熔融起始化，晶體 粒徑會變得相對較大，利用此方式，可獲得極高之反射率 。在本說明書中，將熔融起始化後之晶體狀態稱爲「第1 晶體狀態」，並將下層記錄膜14及上層記錄膜1 8中形成 第1晶體狀態之區域稱爲「第1晶體領域C1」。 又，將記錄時照射之雷射束的能量設定爲消除電平Pe 並對下層記錄膜14及上層記錄膜1 8實施照射時，下層記 錄膜14及上層記錄膜18之晶體狀態會成爲實質上和第1 晶體狀態相同的狀態。 結束熔融起始化後，將光記錄媒體前驅體載置於資料 記錄裝置之旋轉台（圖上未標示）上，在旋轉之狀態下，對下 層記錄膜14及上層記錄膜18實施經過強度調變之雷射光 的間歇照射，以大約50%之負載，在下層記錄膜14及上層 記錄膜1 8之幾乎全面上，形成對應2T之長度的記錄標示 。形成記錄標示之部份的下層記錄膜14及上層記錄膜1 8， 會處於非晶狀態而其反射率亦會降低，故下層記錄膜14及 上層記錄膜1 8之平均反射率，爲介於非晶狀態時之反射率 、及第1晶體狀態時之反射率之間的値。利用此方式，完 成本實施形態之光記錄媒體1 0。在本明書中，將以將下層 記錄膜14及/或上層記錄膜18之平均反射率設定爲介於非 晶狀態時之反射率、及第1晶體狀態時之反射率之間的値 爲目的之步驟稱爲「平均化」。 如前面所述，對以前述方式製造之光記錄媒體10，將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I------^i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 1---訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（16 ) 以記錄爲目的之雷射束的焦點對準下層記錄膜’ 14及上層記 錄膜1 8之其中之一並形成記錄標示，即可實施期望之數位 資料的記錄。此時，預先形成之對應2T之長度的記錄標示 ，會利用經過強度調變之雷射束實施重寫，已記錄著資料 之區域（記錄區域）上，預先形成且對應2T之長度的記錄標 示會消失。又，利用此方式將資料記錄於光記錄媒體10之 下層記錄膜14及/或上層記錄膜18後，會如前面所述，設 定爲再生能量之雷射束的焦點會對準下層記錄膜14及上層 記錄膜1 8之其中之一，檢測其反射光量，而可再生記錄之 數位資料。 圖9(a)爲光記錄媒體10之再生時，雷射束之焦點對準 於下層記錄膜14，而位於其上部之位置的上層記錄膜18爲 記錄區域時（圖14所示之雷射位置A)，照射上層記錄膜18 之束點內各狀態的模式平面圖。 圖9(b)爲再生時，雷射束之焦點對準於下層記錄膜14 ，而位於其上部之位置的上層記錄膜1 8爲未記錄區域時（圖 14所示之雷射位置B)，照射上層記錄膜1 8之束點內各狀 態的模式平面圖。圖9(c)爲再生時，雷射束之焦點對準於 下層記錄膜14，而位於其上部之位置的上層記錄膜1 8爲記 錄E域及未d錄區域之境界部份時（圖14所不之雷射位置 C)，照射上層記錄膜1 8之束點內各狀態的模式平面圖。 如圖9(a)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位置a 時’照射上層記錄膜1 8之束點內，會存在對應被記錄之資 料的多數記錄標示Μ。又，形成記錄標示Μ之部份以外的 本紙張尺度適用巾關家鮮（CNS ) Μ規格（21GX 297公釐) "" ' -19- —.-------裝一ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 Α7 Β7 五、發明説明（17) 部份爲第1晶體狀態。此時，如前面所述，因被記錄之資 料會以各記錄標示之長度、及記錄標示之間的長度（記錄標 示之間距）來表示，故記錄標示之負載大約爲5 0 %，照射上 層記錄膜1 8之束點內，會以既定之比例存在著記錄標示Μ 及第1晶體區域Cl。所以，照射上層記錄膜1 8之束點內的 平均反射率，爲某既定之値，具體而言，就是接近形成記 錄標示Μ之部份（非晶狀態）的反射率（約5%)、及未形成記 錄標示Μ之部份（第1晶體狀態）的反射率（約9%)之中間値 的數値。 又，如圖9(b)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位 置Β時，照射上層記錄膜1 8之束點內，爲如前述所述之平 均化後的狀態，並如前面所述，會以約5 0 %之負載形成對 應2Τ之長度的記錄標示Μ。又，形成記錄標示Μ之部份以 外的部份爲第1晶體狀態。因此，照射上層記錄膜1 8之束 點內，會以和前述比例實質相同之比例存在著記錄標示Μ 及第1晶體區域Cl。所以，照射上層記錄膜1 8之束點內的 平均反射率，實質上是和雷射束位於雷射裝置A時之反射 率相同。 又，如圖9(c)所示，再生時之雷射束爲雷射位置C時 ，照射上層記錄膜1 8之束點內，沿著軌道方向被分割成二 半之一方區域（內緣方向）會存在對應被記錄之資料的多數記 錄標示Μ，而另一方區域（外緣方向）則會以大約50%之負載 存在著對應2Τ之長度的記錄標示Μ °又’形成記錄標示Μ 之部份以外的部份爲第1晶體狀態。因此’照射上層記錄 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、-tv 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20- 1239517 A7 B7 五、發明説明（18 ) 〔請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 膜18之束點內，不論是前述一方區域（內緣方向）、或是前 述另一方區域（外緣方向），都會以和前述比例實質相同之比 例存在著記錄標示Μ及第1晶體區域C1。所以，照射上層 記錄膜1 8之束點整體的平均反射率，實質上是和雷射束位 於雷射裝置Α及Β時之反射率相同。 因此，本實施形態中，爲了執行再生而使雷射束之焦 點對準下層記錄膜14時，會如圖9(a)〜（c)所示，雷射束之 位置並無關係，照射上層記錄膜1 8之束點內的平均反射率 會大致一定，且照射上層記錄膜1 8之束點內的反射率分布 亦會大致一定。因此，本實施形態中，再生被記錄於下層 記錄膜1 4之資料時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜1 8之 影響而變動，故資料之再生十分安定。 圖10爲再生時雷射束之焦點對準上層記錄膜18時， 位於其下部之下層記錄膜14爲記錄區域時（雷射位置D)、 未記錄區域時（雷射位置E )、以及記錄區域及未記錄區域之 境界部份時（雷射位置F)之各雷射束光路的模式剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 執行再生而雷射束位於雷射位置D時，其狀態和對應 圖9(a)所示雷射位置A之束點內的狀態相同，照射下層記 錄膜1 4之束點內，會存在著對應被記錄之資料的多數記錄 標示Μ。又，執行再生而雷射束位於雷射位置E時，其狀 態和對應圖9(b)所示雷射位置B之束點內的狀態相同，照 射下層記錄膜1 4之束點內，會以大約5 0 %之負載形成對應 2T之長度的記錄標不M。乂，執彳了再生而雷射束位於雷射 位置F時，其狀態和對應圖9(c)所示雷射位置c之束點內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ ~ " ~ -21 - 1239517 Α7 Β7 五、發明説明（19) 的狀態相同，照射下層記錄膜14之束點內，沿著軌道方向 被分割成二半之一方區域會存在對應被記錄之資料的多數 記錄標示Μ，而另一方區域則會以大約5 0 %之負載形成對 應2Τ之長度的記錄標示Μ。 因此，本實施形態中，以執行再生而將雷射束之焦點 對準上層記錄膜18時，會如圖9(a)〜（c)所示狀態相同，和 雷射束之位置並無關係，照射下層記錄膜1 4之束點內的平 均反射率會大致一定，且照射下層記錄膜1 4之束點內的反 射率分布亦會大致一定。利用此方式，在本實施形態中實 施被記錄於上層記錄膜1 8之資料的再生時，幾乎不會因爲 受到下層記錄膜14之影響而變動，故資料之再生十分安定 〇 如上面所述，再生被記錄於下層記錄膜14之資料時， 幾乎不會因爲受到上層記錄膜18之影響而變動，且再生被 記錄於上層記錄膜1 8之資料時，幾乎不會因爲受到下層記 錄膜14之影響而變動，此事實亦表示，對下層記錄膜14 執行資料記錄時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜18之影響 而變動，且對上層記錄膜1 8執行資料記錄時，幾乎不會因 爲受到下層記錄膜14之影響而變動。所以，在本實施形態 中對下層記錄膜1 4及上層記錄膜18執行記錄時，都可十 分安定地執行資料記錄。 如上面說明所示，本實施形態之光記錄媒體1 0在起始 化步驟實施下層記錄膜1 4及上層記錄膜1 8之幾乎全面的 晶化後，可以約50%之負載形成對應2Τ之長度的記錄標示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇><297公釐） —------J — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22- 1239517 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’故可在和再生位置無關之情形下，執行非常安定之資料 的再生，且可在和記錄位置無關之情形下，執行非常安定 之資料的記錄。 其次，針對本發明之良好其他實施形態進行說明。 前述實施形態之光記錄媒體10中，下層記錄膜14及 上層記錄膜18之未記錄區域上，會預先以約50%之負載形 成對應2T之長度的記錄標示，相對於此，本實施形態之光 記錄媒體40中，會在未記錄區域之下層記錄膜14及上層 記錄膜18之幾乎全面，以約50%之負載形成放射狀之矩形 非晶狀態，又，前述矩形非晶狀態，和在執行再生而將雷 射束之焦點對準下層記錄膜14時照射位於其上部位置之上 層記錄膜1 8的雷射束直徑、及/或在執行再生而將雷射束之 焦點對準上層記錄膜1 8時照射位於其下部位置之下層記錄 膜14的雷射束直徑相比，其沿軌道方向之長度會較短，且 軌道之垂直方向的長度會較長，此點和前述實施形態不同 。其他構成上，則和前述光記錄媒體10相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖11爲本發明良好其他實施形態之光記錄媒體40之 下層記錄膜14的相狀態之部份槪略平面圖。 如圖1 1所示，本實施形態之光記錄媒體4〇的下層記 錄膜14之幾乎全面，會以約50%之負載形成放射狀之矩形 非晶區域R。雖然未特別限定.，矩形非晶區域R之尺寸方 面，沿軌道方向之長度最好爲2//m以下、軌道之垂直方向 的長度最好爲10 // m以下。 此種光記錄媒體40之製造方法中，亦可以下述步驟取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -23- 1239517 Α7 Β7 五、發明説明（21) 代前述光記錄媒體1 〇之製造的熔融起始化步驟，亦即，在 熔融起始化步驟中，以2段方式切換照射之矩形雷射束的 能量並對下層記錄膜1 4及上層記錄膜1 8實施連續照射， 在下層記錄膜14及上層記錄膜18之幾乎全面上，以約50% 之負載形成放射狀之矩形非晶區域r及第1晶體狀態C 1。 利用此方式’下層記錄膜1 4及上層記錄膜1 8之平均反射 率，會成爲介於非晶狀態時之反射率、及第1晶體狀態時 之反射率之間的値。亦即，實現平均化。利用此方式，完 成本實施形態之光記錄媒體40。 圖12(a)爲執行再生而將雷射束之焦點對準於下層記錄 膜1 4 ’且位於其上部之位置的上層記錄膜1 8爲記錄區域時 (圖1 4所示之雷射位置A)，照射上層記錄膜1 8之束點內各 狀態的模式平面圖’圖12(b)爲執行再生而將雷射束之焦點 對準於下層記錄膜1 4，且位於其上部之位置的上層記錄膜 1 8爲未記錄區域時（圖1 4所示之雷射位置B)，照射上層記 錄膜18之束點內各狀態的模式平面圖，圖12(c)爲執行再生 而將雷射束之焦點對準於下層記錄膜14，且位於其上部之 位置的上層錄膜1 8爲gB錄區域及未記錄區域之境界部份 時（圖1 4所示之雷射位置〇，照射上層記錄膜1 8之束點內 各狀態的模式平面圖。 如圖12(a)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位置A 時，照射上層記錄膜1 8之束點內，沿著軌道之區域會存在 對應被記錄之資料的多數記錄標示Μ。又，軌道間會殘存 部份矩形非晶區域R。又，形成記錄標示Μ之部份、及殘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 1239517 A7 B7 ______ ____ 五、發明説明（22 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 存部份矩形非晶區域R之部份以外的部份爲第1晶體狀態 。此時，如前面所述，因記錄標示之負載爲大約50%，故 殘存於軌道間之部份矩形非晶區域R的負載也大致爲50% ，故照射上層記錄膜1 8之束點內，會以實質相同之比例， 存在著非晶狀態之區域（形成記錄標示Μ之部份、及殘存部 份矩形非晶區域R之部份）及第1晶體區域C 1。所以，照射 上層記錄膜1 8之束點內的平均反射率，和非晶狀態之反射 率（約5%)、及第1晶體狀態之反射率（約9%)之中間値大約 一致。 又，如圖12(b)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位 置Β時，照射上層記錄膜1 8之束點內，爲平均化後之狀態 ，會以約50%之負載形成矩形非晶區域R。又，矩形非晶區 域R以外的部份爲第1晶體狀態。因此，照射上層記錄膜 1 8之束點內，會以和前述比例實質相同之比例存在著矩形 非晶區域R及第1晶體區域C 1。所以，照射上層記錄膜1 8 之束點內的平均反射率，和非晶狀態之反射率（約5%)、及 第1晶體狀態之反射率（約9%)之中間値大約一致。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，如圖12(c)所示，再生時之雷射束爲雷射位置C時 ，照射上層記.錄膜1 8之束點內，沿著軌道方向被分割成二 半之一方區域（內緣方向）會存在對應被記錄之資料的多數記 錄標示Μ，而另一方區域（外緣方向）則會以大約5 0 %之負載 形成矩形非晶區域R。又，前述一方區域（內緣方向）之軌道 間，會殘存部份矩形非晶區域R。此部份以外之部份則爲第 1晶體狀態。因此，照射上層記錄膜1 8之束點內，不論是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -25- 1239517 Α7 Β7 五、發明説明（23) 前述一方區域（內緣方向）、或是前述另一方區域（外緣方向） ，都會以和前述比例實質相同之比例形成非晶狀態之區域（ 形成記錄標示Μ之部份、及殘存部份矩形非晶區域R之部 份）及第1晶體區域C1。所以，照射上層記錄膜18之束點 整體的平均反射率，和非晶狀態之反射率（約5%)、及第1 晶體狀態之反射率（約9%)之中間値大約一致。 因此，本實施形態中，爲了執行再生而使雷射束之焦 點對準下層記錄膜14時，會如圖12(a)〜（c)所示，雷射束 之位置並無關係，照射上層記錄膜1 8之束點內的平均反射 率會大致一定，且照射上層記錄膜1 8之束點內的反射率分 布亦會大致一定。因此，本實施形態中，再生被記錄於下 層記錄膜1 4之資料時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜1 8 之影響而變動，故資料之再生十分安定。 在執行再生而將雷射束之焦點對準上層記錄膜18時亦 可以獲得此相同效果，雷射束位於圖1 0所示之雷射位置D 時，照射下層記錄膜14之束點內的相狀態如圖12(a)所示狀 態，雷射束位於圖1 0所示雷射位置Ε時，照射下層記錄膜 14之束點內的相狀態如圖12(b)所示狀態，而雷射束位於圖 10所示雷射位置F時，照射下層記錄膜14之束點內的相狀 態如圖1 2(c)所示狀態。因此，執行再生而將雷射束之焦點 對準上層記錄膜1 8時，雷射束之位置並無關係，照射下層 記錄膜1 4之束點內的平均反射率會大致一定，且照射下層 記錄膜1 4之束點內的反射率分布亦會大致一定。因此，本 實施形態中，再生被記錄於上層記錄膜1 8之資料時，幾乎 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） --------—裝一«. I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 1239517 A7 B7 五、發明説明（24) 不會因爲受到下層記錄膜14之影響而變動，故資料之再生 十分安定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上面所述，再生被記錄於下層記錄膜14之資料時， 幾乎不會因爲受到上層記錄膜18之影響而變動，且再生被 記錄於上層記錄膜1 8之資料時，幾乎不會因爲受到下層記 錄膜14之影響而變動，此事實亦表示，對下層記錄膜14 執行資料記錄時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜1 8之影響 而變動，且對上層記錄膜1 8執行資料記錄時，幾乎不會因 爲受到下層記錄膜14之影響而變動。所以，在本實施形態 中對下層記錄膜14及上層記錄膜1 8執行記錄時，都可十 分安定地執行資料記錄。 其次，針對本發明良好另一實施形態進行說明。 本實施形態之光記錄媒體50，未記錄區域之下層記錄 膜14及上層記錄膜18之全面上的反射率會大致相同，而 設定爲介於第1晶體狀態.時之反射率、及非晶狀態時之反 射率之間的値。其他構成方面，則和前述光記錄媒體1 0及 40相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 如前面所述，下層記錄膜14及上層記錄膜18由 AgltiSbTe構成時，第1晶體狀態時之上層記錄層的光反射 率約爲9%，而非晶狀態時之上層記錄層的光反射率約爲 5%，故將未記錄區域之下層記錄膜14及上層記錄膜1 8的 反射率設定爲5 %〜9 %。此時，最好將反射率設定爲接近第 1晶體狀態時之光反射率、及非晶狀態時之光反射率的中間 値。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1239517 A7 B7 五、發明説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光記錄媒體50之製造上，可以「固相起始化步驟」取 代前述光記錄媒體10之製造上的熔融起始化步驟。固相起 始化步驟之執行上，雷射束強度會低於前述熔融起始化步 驟。利用此方式，構成下層記錄膜14及上層記錄膜1 8之 AglnSbTe會被加熱至晶化溫度以上、融點以下之溫度，然 後，再實施緩慢冷卻。如此，即可完成本實施形態之光記 錄媒體50。固相起始化之晶體粒徑會小於熔融起始化之晶 體粒徑，所以，其反射率亦會比第1晶體狀態之反射率稍 低。亦即，實施平均化。在本說明書中，將利用固相起始 化步驟所獲得之晶體狀態稱爲「第2晶體狀態」，並將下 層記錄膜14及上層記錄膜18中形成第2晶體狀態之區域 稱爲「第2晶體領域C2」。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 圖13(a)爲執行再生而將雷射束之焦點對準於下層記錄 膜14 ’且位於其上部之fii置的上層記錄膜1 8爲記錄區域時 (圖14所示之雷射位置A)，照射上層記錄膜18之束點內各 狀態的模式平面圖，圖1 3 (b)爲執行再生而將雷射束之焦點 對準於下層記錄膜1 4，且位於其上部之位置的上層記錄膜 1 8爲未記錄區域時（圖1 4所示之雷射位置B)，照射上層記 錄膜1 8之束點內各狀態的模式平面圖，圖丨3 (c)爲執行再生 而將雷射束之焦點對準於下層記錄膜14，且位於其上部之 位置的上層記錄膜1 8爲記錄區域及未記錄區域之境界部份 時（圖14所示之雷射位置C)，照射上層記錄膜18之束點內 各狀態的模式平面圖。 如圖13(a)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位置a 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' ' -28 - 1239517 A7 B7 五、發明説明（26) 時，照射上層記錄膜1 8之束點內，沿著軌道之區域會以約 50%之負載存在對應被記錄之資料的多數記錄標示M ’記錄 標示Μ間爲第1晶體狀態。又，軌道間爲固相起始化後之 第2晶體狀態。所以，照射上層記錄膜1 8之束點內’會依 既定之比例，存在著記錄標示Μ、第1晶體區域C1、及第 2晶體區域C2。所以，照射上層記錄膜1 8之束點內的平均 反射率爲既定値，具體而言，會和第2晶體狀態之反射率 相同或接近的値。 又，如圖13(b)所示，爲執行再生而雷射束位於雷射位 置Β時，照射上層記錄膜1 8之束點內，爲固相起始化後之 第2晶體狀態。所以，照射上層記錄膜1 8之束點內的平均 反射率，和第2晶體狀態之反射率一致。 又，如圖13(c)所示，再生時之雷射束爲雷射位置C時 ，照射上層記錄膜1 8之束點內，沿著軌道方向被分割成二 半之一方區域（內緣方向）會相當於圖13(a)所示束點內之狀 態，而另一方區域（外緣方向）則全部爲固相起始化後之第2 晶體狀態。所以，照射上層記錄膜1 8之束點整體的平均反 射率，會和第2晶體狀態之反射率相同或極爲接近的値。 因此，本實施形態中，爲了執行再生而使雷射束之焦 點對準下層記錄膜14時，會如圖13(a)〜（c)所示，雷射束 之位置並無關係，照射上層記錄膜1 8之束點內的平均反射 率會大致一定，且照射上層記錄膜1 8之束點內的反射率分 布亦會大致一定。因此，本實施形態中，再生被記錄於下 層記錄膜1 4之資料時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜1 8 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐) "" -29- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（27) 之影響而變動，故資料之再生十分安定。 在執行再生而將雷射束之焦點對準上層記錄膜1 8時亦 可以獲得此相同效果，雷射束位於圖1 0所示之雷射位置D 時’照射下層記錄膜14之束點內的相狀態如圖13(a)所示狀 態，雷射束位於圖10所示雷射位置E時，照射下層記錄膜 14之束點內的相狀態如圖13(b)所示狀態，而雷射束位於圖 10所示雷射位置F時，照射下層記錄膜14之束點內的相狀 態如圖1 3(c)所示狀態。因此，執行再生而將雷射束之焦點 對準上層記錄膜1 8時，雷射束之位置並無關係，照射下層 記錄膜1 4之束點內的平均反射率會大致一定，且照射下層 記錄膜1 4之束點內的反射率分布亦會大致一定。因此，本 實施形態中，再生被記錄於上層記錄膜1 8之資料時，幾乎 不會因爲受到下層記錄膜14之影響而變動，故資料之再生 十分安定。 如上面所述，再生被記錄於下層記錄膜14之資料時， 幾乎不會因爲受到上層記錄膜18之影響而變動，且再生被 記錄於上層記錄膜1 8之資料時，幾乎不會因爲受到下層記 錄膜14之影響而變動，此事實亦表示，對下層記錄膜14 執行資料記錄時，幾乎不會因爲受到上層記錄膜1 8之影響 而變動，且對上層記錄膜1 8執行資料記錄時，幾乎不會因 爲受到下層記錄膜14之影響而變動。所以’在本實施形態 中對下層記錄膜14及上層記錄膜1 8執行記錄時’都可十 分安定地執行資料記錄。 本發明並未限定爲以上之實施形態，在申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（21〇ΧΜ7公釐） 1239517 A7 B7 五、發明説明（28 ) 內之發明的範圍內，可以進行各種變更，而這些變更當然 也包括在本發明之範圍內。 例如’前述各實施形態中，是針對具有2層記錄層之 光記錄媒體進行說明，然而，本發明可適用之光記錄媒體 並未限定於此，具有3層以上之記錄層的光記錄媒體亦可 適用本發明。又，本發明之「資訊記錄層」，只要記錄著 可讀取之資訊，亦可以爲再生專用之資訊記錄層。此時， 形成預坑之基板、或光透過性基板之表面爲「資訊記錄層 」。然而，本發明要求，複數之資訊記錄層當中的至少1 層，必須爲含有可執行資訊寫入之記錄膜的資訊記錄層。 又，前述各實施形態之光記錄媒體10、40、50中，對 下層記錄膜14及上層記錄膜1 8雙方實施平均化，然而， 並無對下層記錄膜1 4及上層記錄膜1 8雙方實施平均化之 必要，只要對其中至少1記錄層實施平均化即可。此時， 因爲執行資料之記錄/再生時之其他記錄層的影響方面，位 於記錄/再生對象之記錄層之上層的記錄層所造成的影響， 會大於位於記錄/再生對象之記錄層之下層的記錄層所造成 的影響，故只實施部份記錄層之平均化時，最好對上層之 記錄層實施平均化。 又，前述實施形態之光記錄媒體10中，會以50%之負 載形成對應2T之長度的記錄標示來實施平均化，然而，以 平均化爲目的之可利用記錄標示，並未限定爲對應2T之長 度的記錄標示，亦可使用具有其他長度之記錄標示。然而 ，爲了實施高精度之平均化，最好使用長度較短之記錄標 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) — •31- -------裝 JI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239517 A7 B7 五、發明説明（29) 不。又’以平均化爲目的之可利用gfi錄標不，並未限定爲1 種記錄標示，亦可混合使用複數種記錄標示來實施平均化 。又，記錄標示之負載並未限定爲5 0 %，亦可設定大於或 小於此負載之負載。然而，爲了使未記錄區域之平均反射 率更接近記錄區域之平均反射率，記錄標示之負載最好接 近 50%。 又，前述實施形態之光記錄媒體40中，利用形成沿軌 道方向之長度較短、軌道之垂直方向之長度較長的矩形非 晶區域來實施平均化，相反的，亦可利用形成沿軌道方向 之長度較長、軌道之垂直方向之長度較短的矩形非晶區域 來實施平均化。然而，爲了降低對追蹤之影響，最好設定 爲沿軌道方向之長度較長、軌道之垂直方向之長度較短。 又，此矩形之方向，亦可相對於軌道成傾斜。所以，亦可 例如在從記錄層之內緣至外緣的整個區域都形成螺旋狀非 晶區域來實施平均化。此時，此螺旋之螺旋數最好能遠少 於預群之螺旋數，可以降低對追蹤之影響。又，此螺旋之 旋轉方向的設定上，最好和預群之旋轉方向相反，可以降 低對追蹤之影響。 又，利用圖4至圖8進行之成膜步驟說明只是一個實 例，亦可利用其他不同成膜步驟來製作光記錄媒體前驅體 。例如，利用分別形成預群之2成膜基板的貼合來製作光 記錄媒體前驅體亦可。 如以上說明所示’本發明中’具有複數記錄層之光記 錄媒體的未記錄狀態記錄層之平均反射率，因爲接近記錄 I------裝- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 〇 X 公釐） -32- 1239517 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 狀態記錄層之平均反射率，對單一記錄層實施資料記錄/記 錄資料之再生時，可降低因其他記錄層之影響而產生的變 動。故，利用本發明，可實施安定之資料記錄/再生。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T ί·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0>< 297公釐） -33-