TWI234547B - Synthesis of ZSM-5 and ZSM-11 - Google Patents

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TWI234547B TW089113944A TW89113944A TWI234547B TW I234547 B TWI234547 B TW I234547B TW 089113944 A TW089113944 A TW 089113944A TW 89113944 A TW89113944 A TW 89113944A TW I234547 B TWI234547 B TW I234547B
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Description

1234547 A7 _____B7__ 五、發明說明〇 ) 塗範圍 本發明係關於z S Μ - 5和Z S Μ - 1 1和居間生長 物(i n t e r g r 〇 w t h )和/或它們的混合物之合成方法。 ZSM — 5及其合成使用四丙基氨銨(ΤΡΑ)陽離 子作爲指向劑,此如美國專利案第3 ,7 0 2 ,8 8 6號 中所揭示者。Z S Μ - 5亦合成自許多其他有機氮指向劑 ’如:具5 — 6個碳原子的烷基二胺(美國專利案第4, 139,600號)、二甲基乙基丙基銨(DMEPA) 陽離子(美國專利案第4,565,681號)和1 ,2 一二胺基環己烷(美國專利案第5 ,1 7 4,9 7 7號) 〇 美國專利案第4,15 1 ,189號揭示ZSM - 5 、ZSM — 12、ZSM— 35 和 ZSM-38 可以使用 具2 - 9個碳原子的一級胺作爲指向劑而合成。特別地, 此專利案的實例1 2揭示使用乙胺作爲指向劑合成z S Μ 一 5 °實例1 2中,雖已知反應混合物的二氧化矽/氧化 鋁莫耳比,但假設所用鋁化鈉是一般市售含2 5 · 5 % A 1 2〇3的材料,則反應混合物的二氧化矽/氧化鋁莫耳 比爲5 0,因此,所提供的資訊不足以作成最後結論。根 據第4,1 5 1 ,1 8 9號專利案的附表2,實例1 2的 產物僅8 5 %晶體,即,不純淨,二氧化矽/氧化鋁重量 比1 7,相當於莫耳比爲2 9。但是’附表2中的產物分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項3寫本頁) 裳- ------訂---------
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1234547 A7 B7 五、發明說明(2 ) 析數據無法電荷平衡,雖然有〇 · 1 1莫耳氧化鋁存在, 但僅有0 · 0 6莫耳N且基本上無N a。此強烈顯示附表 2的產物組成物中之大多數的鋁非存在於z s M 一 5晶格 中且因此Z SM — 5的莫耳比遠高於2 9。 此外’美國專利案第5,3 6 9 ,Q 7 1號揭示二氧 化砂/氧化鋁莫耳比低至2 〇 · 3且α値高至1 4 8 8的 Z SM— 5可以在有正丙胺存在時由ρΗ丨〇 一丄4、 〇H /Sl〇2&〇.l—〇.3、M/Si〇2& Ο · 2 — Ο · 6 (其中,Μ是鹼或鹼土金屬)且η 2〇/ S i〇2比是1 〇 — 3 5的反應混合物合成得到。 Z SM — 1 1及使用四丁基銨陽離子作爲指向劑合成 ZSM— 1 1揭示於美國專利案第3 ,7〇9 ,979號 中,而美國專利案第4,108,881號描述在有具7 —1 2個碳原子的烷基二胺存在時合成z SM - 1 1。 也已經由美國專利案第4,2 4 2 4號知道產 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 製ZSM— 5和ZSM - 1 1之居間生成物,即,具有這 兩種沸石之結構特徵的晶狀物。 目前已經證實要製造網絡二氧化矽/氧化鋁莫耳比低 於約2 0的Z S Μ — 5和Z S Μ — 1 1相當困難(請參考 ,如,R.Szostak,Handbook of Molecular Sieves (分子篩手 冊),Van Nostrand Reinhold, NY, NY,1992, 5 2 0和5 3 0頁)。網絡氧化鋁位址影響沸石的酸活性 ,許多催化法希望能夠使用具有儘量高酸活性的Z S Μ -5和/或Z S Μ - 1 1 ,因此儘可能地降低二氧化矽/氧 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 1234547 A7 --------^ 五、發明說明(3 ) 化鋁莫耳比。 已經知道沸石的酸活性可藉經控制地通以水蒸汽而調 整:,此請參考美國專利案第4,3 2 6 ,9 9 4號,但這 樣的通以水蒸汽方式增加了產製觸媒的額外步驟,因此有 必要發展出用以產製高活性Z S Μ - 5和/或Z S Μ -1 1的直接合成途徑。 根據本發明,現已發現到:使用式 (C 2 Η 6 N ) n N m H q的非環狀胺(其中,η = 1 ,2或 3 ;m=〇 或 1 ; q = 〇,1 或 2 且(n+m+Q)是 2 或4 )作爲指向劑,可製得具有極高酸活性的z S μ - 5 、Z S Μ - 1 1和居間生長物和/或他們的混合物。 應瞭解雖然ZSM— 5和ZSM - 1 1通常合成爲鋁 矽酸鹽,網絡鋁可以部分或全數被其他三價元素(如:硼 、鐵和/或鎵)所取代,網絡矽可以部分或完全被其他四 價元素(如:鍺)所取代。 發明槪述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的一個特點係關於用以產製X 一射線繞射線列 於下面附表1之人工合成多孔晶狀材料的方法,其步驟包 含: (a )形成含有鹼或鹼土金屬(μ)陽離子來源、三 價元素(X )的氧化物、四價元素(γ )的氧化物、指向 劑(R )和水之反應混合物’其中’該反應混合物的組成 (以莫耳比表示)在下列範圍內: -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1234547 A7 -- B7__五、發明說明(4 ) Υ〇2//χ2〇3=:1 5~3 5 Η 2 0 / γ 〇 2 =1〇-5〇 〇Η/Υ〇2 =〇·〇ι 一 〇·2 m/Y〇2 =0.1-0.5 R/Y〇2 =0.2-5-0 且其中,指向劑R是式(c 2 Η 6 N ) η N m H q的非環 狀胺,其中,n = l ,2 或 3 ;m=0 或 1 ; q = 〇,1 或2且(n+m+cj)是2或4 ; (b )使反應混合物維持在結晶條件下,直到形成該 多孔晶狀材料的晶體;及之後 (c )自反應混合物中回收該晶體。 較佳情況中,該反應混合物的莫耳比組成範圍如下: Υ〇2/Χ2〇3=15—30 Κ 2 0 / Υ 0 2 =15 — 30 ^ 〇η/υ〇2 =0.02 — 〇·1 Μ / Υ Ο 2 =0.1-0.3 R / Υ Ο 2 =0.5-2.0 特定實施例之描述 本發明提出一種用以產製氫形式的Ζ SM — 5、 Z S Μ - 1 1和居間生長物和/或其混合物的方法’所製 得者具有極高酸活性(以其α値測得)。α値長久以來被 認爲是測定酸觸媒活性的有用方式,其於沸石中之網絡鋁 (請先閱讀背面之注音?事項寫本頁) r'裝 i_i i_i 1 ^OJ I ϋ ϋ a— ϋ ι
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 1234547 A7 _ B7 ____ 五、發明說明(5 ) 含量之間的關聯見於許多文獻中,如,W.O.Haag,R.M.Lago and P.B.Weisz,Nature,3 Q t,5 8 9 ( 1 9 8 4 ) 。 a 値:比較觸媒的催化裂解活性(單位時間內,單位觸媒的正 己烷轉化率)和標準二氧化矽一氧化鋁裂解觸媒的活性。 α試驗述於美國專利案第3,3 5 4,0 7 8號;Journal of Catalysis,,5 2 7 ( 1 9 6 5 ) ; _〇_,2 7 8 ( 1 9 6 6 );和 6 1 ,395 (1980),茲將其中所 述者列入參考。此處所用的試驗條件包括穩定溫度5 3 8 °C和可變流率,此詳述於Journal of Catalysis,61 , 3 9 5° 本發明之方法可以產製氫形式的Z SM — 5和Z SM -1 1材料,其α値介於1 〇 〇 〇和3 5 0 0之間。更特 別地,可製得α値高至2 5 0 〇的Z S Μ - 5材料及^値 高至3500的ZSM— 11材料。 Z S Μ - 5和Z S Μ - 1 1結構類似,有時將它們稱 爲五矽沸石。藉本發明之方法製得之Z SM — 5和Z SM - 1 1及它們的居間生長物及混合物以下面的附表1所歹iJ X -射線繞射値定出其特徵: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ «I 1 _1 i^i 一 口、 1 1 .^1 ai.i ϋ mmMB I * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8 - 1234547
五、發明說明(6 ) 附表1
D-間隔(埃) 相對強度[lOOx 1/1(0)] ___ 1 1.2 + /-0.2 M-S _ 10.1+/-0.2 MS- 3.86 + /-0.08 M-VS 3.72 + /-0.08 M-S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以配備鍺固態偵測器的Scintage繞射系統使用K 一 α射 線收集X -射線繞射數據。以階段式掃描方式以2 Θ = 〇· 〇 2 記錄繞射數據’其中’ 0是B r a g g角,每階段的 計數時間是1 〇秒鐘。平面之間的間隔(d )單位是埃, 線的相對強度(I / I。)是最強譜線的1 / 1 0 0,其得 自曲線相稱程式(profile fitting routine)(或二次導數演 算)。此強度與L 〇 r e n t z和極化效應不相符。相對 強度以vs=極強(80 — 1〇〇)、s=強(6〇一 80) 、m =中度(40 — 60) 、w =弱(2 0 — 40 )和極弱(0 — 2 0 )表示。應瞭解以此樣品作爲單線所 列的繞射數據在某些情況(如:結晶變化不同)下可以含 括多重重疊線,可以是解析或部分解析的線。基本上,結 晶變化可以包括次要單晶參數的變化和/或晶體對稱性改 變但結構未變的情況。這些次要效應(包括相對強度改變 )亦可能是陽離子含量、網絡組成、本質和孔塡充程度、 晶體尺寸和形狀、較佳指向和熱和/或水熱經歷不同所造 成。 裝--------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) - 9- 1234547 A7
五、發明說明(7 ) 本發明之方法表#的晶體材料之組成包含下列莫耳關 係: ' X 2 〇 3 : ( η ) Υ 0 2 其中’ X是三價元素,如:鋁、硼、鐵和/或鎵,以 鋁爲佳;Υ是四價元素,如:矽和/或鍺,以矽爲佳;η 是10 — 30,以15 — 25爲佳。 根據本發明之合成法,製得的反應混合物含有鹼或驗 土金屬(Μ)陽離子來源、三價元素(X)的氧化物(通 常是氧化鋁)、四價元素(Υ )的氧化物(通常是二氧化 石夕)、指向劑(R )和水。以莫耳比表示,此反應混合物 的組成如下: (請先閱讀背面之注咅?事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 組份 可用 ^ 較佳 Y02/x203 15-35 15-30 Η20/Υ02 10-50 15-30 〇Η/Υ〇2 0.01-0.2 0.02-0.1 R/Y〇2 0.2-5.0 0.5-2.0 M/Y02 0.1-0.5 0.1-0.3 式或 是 2 R ’ j 齊 1 向 --指 η 中 Ν 6 Η 2 c m 或 其C ’ 1 = j 胺 2 狀或 環1 非, 的 ο Q II Η Q Ν ; + η m , + 中 η 其 胺 η 乙, 自中 選其 劑 C 向胺 指二 , 乙 中或 況 } [f1 佳 -I 較 Q 。 而 4 ο 或 II 2 m 是’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -10- 1234547 2 A7 B7 五、發明說明(8 ) 1 = 或多元胺二伸乙三胺(dien〔其中 、三伸乙四胺(tden〔其中 3 1而q = 0〕)和參(2 一胺基乙基)胺 tren 〔其中,n = 3 多元胺具下列結構式: m 其中 dien tren η2ν·
I NH,
H2N tnen
N- (請先閱讀背面之注咅?事項、寫本頁) 氧 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
H2N 視所選用的指向劑和反應混合物的二氧化砂/氧化鋁 莫耳比而定,製得的沸石是ZSM - 5、ZSM—11或 Z S Μ — 5和Z S Μ - 1 1之混合物或居間生長物。例如 氧化鋁莫耳比低於2 0時,產物比較可能是 Z SM - 5,Z SM — 1 1居間生長物。二氧化矽/氧化 鋁莫耳比是2 0 — 3 0時,使用tren作爲指向劑時,產物比 較可能是Z S Μ — 1 1,使用e a、dien和trien作爲指向劑 時,產物比較可能是Z S Μ — 5。 本發明之合成法可以在有或無添加成核晶種時作用。 較佳實施例中,反應混合物含有0 · 〇 5 - 5重量%成核 晶種。 於攪拌或靜態下於1 〇 〇至2 0 〇(以1 2 0至 1 7 0 °C爲佳)6小時至1 〇天結晶,自母液分離所得晶 體並加以回收。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公釐) -11 - 1234547 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(9 ) 作爲觸媒時,希望本發明的觸媒與耐得住有機轉化法 所用溫度和其他條件的其他觸媒摻雜。這樣的材料包括活 性和非活性材料,人工合成或天然形成的沸石及無機材料 (如:黏土)、二氧化矽和/或金屬氧化物(如:氧化鋁 )。後者可以是包括二氧化矽和金屬氧化物之混合物之天 然形成或膠態沉澱物或凝膠形式。使用活性物質會改變觸 媒在某些有機轉化法中的轉化率和/或選擇率。惰性材料 適合作爲稀釋劑來控制選定方法中的轉化量,以便在不須 使用其他方式調整反應速率的情況下,以經濟方式得到產 物。這些材料可以摻入天然生成的黏度(如:膨潤土和高 嶺土)中,以改善觸媒在商用操作條件下的粉碎強度。該 材料(即,黏土、氧化物· ·等)作爲觸媒的黏合劑。希 望能夠提供具有良好粉碎強度的觸媒,因爲在商業用途中 ,希望能夠防止觸媒碎成粉狀材料。這些黏度和/或氧化 物黏合劑通常僅用以改善觸媒的破碎強度。 可以與此新晶體複合之天然生成的黏土包括蒙脫土和 局嶺土之類,包括變膨潤土和已知爲Dixie、McNamee、 Georgia和Florida黏土或其他者,其中,主要的礦物構物是 多水局領土、局嶺土、狄克石(dickite)、珍珠陶土或高 鋁高嶺土。這樣的黏土可以原始礦物狀態使用,或者先經 鍛燒、酸處理或化學修飾。 除前述材料以外,藉本發明之方法製得的沸石可以與 多孔基質材料(如:二氧化矽-氧化鋁 鎂、二氧化矽一氧化锆、二氧化矽一氧 氧化矽-氧化 、二氧化矽一 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 12- 1234547 A7 B7 五、發明說明(ίο ) 氧化鈹、二氧化矽-氧化鈦)及三元複合物(如:二氧化 石夕 與化銘-氧化社、一*氧化砂-氧化銘-氧化錯、一·氧 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 化:砂-氧化鋁-氧化鎂和二氧化矽一氧化鎂一氧化锆)複 合。 細粒沸石和無機氧化物基質的相對比例範圍非常廣, 以複合物計,沸石含量由約1至約9 0重量%,複合物以 珠粒形式製得時,更常是在約2至約8 0重量%範圍內。 藉根據本發明之方法製得的沸石可以作爲烴轉化反應 的觸媒,對於這樣觸媒而言,具有高活性是相當重要的。 這樣的反應包括,如: 1 ·烷基芳族物之不對稱反應,如,甲苯轉化成二甲 苯的不對稱反應,反應條件包括溫度由約2 0 0 °C至約 7 6 0 °C,壓力由約大氣壓至約6 0大氣壓,每小時的重 量空間速度(W H S V )約〇 · 1小時-1至約2 0小時—1 ,氫/烴莫耳比是0 (未添加氫)至約5 0 ; 2 ·烷基芳族物(如:二甲苯)之異構化反應,反應 條件包括溫度由約2 0 0 t至約5 4 0 °C,壓力由約 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 0至約7 0 0 0 k P a,每小時的重量空間速度( W H S V )約0 · 1小時—1至約5 0小時_ 1,氫/烴莫耳 比是0 (未添加氫)至約1 0 ; 3 ·烯烴的低聚反應,反應條件包括溫度由約1 5 0 °C至約4〇0 t:,壓力由約1 0 0至約1 5 0 0 k P a , 每小時的重量空間速度(W H S V )約〇 · 1小時-1至約 1〇0小時—1 ; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13 - 1234547 A7
五、發明說明(11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·烷烴和烯烴之芳化反應,反應條件包括溫度由約 3 0 〇 °c至約3 0 0 °C,壓力由約1 〇〇至約1 5〇〇 k ' P a ’每小時的重量空間速度(w η S V )約〇 . 1小 時1至約1 0小時1 ; 5 ·烴之裂解反應,反應條件包括溫度由約3 0 0 至約7 〇 〇 °c,壓力由約〇 · 1至約3 0大氣壓,每小時 的重量空間速度(W H S V )約〇 · 1小時1至約2 〇小 時—1。 爲更完整地說明本發明之本質及其實施方式,提出下 列實例。 實例1 在18 · 2克45%鋁酸鈉(19 · 5%Na2〇, 2 5 · 5 % A 1 2〇3 )於2 9 0毫升蒸餾水的攬拌溶液中 添加 6 0 克UltraSU Silica (92.4%Si〇2,0.4% N a 2〇)。在所得的攪拌混合物中添加6 7克6 Ο %三伸 乙四胺(tden )水溶液。所得混合物的Ρ Η約1 2 · 2 , 成份的莫耳比如下: S i 0 2 X A 1 2 0 3 =2〇 N a / S i 〇 2 =0.13 Trien/Si〇2 =〇·3 Ο H / S i 〇 2 =0-03 H2〇/Si〇2 =20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14 - (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) I· r1裝---- ·11111111
1234547
於' 五、發明說明(12 ) 此混合物在以2 0 0 r p m攪拌的壓熱器中於1 6 0 C加熱6 5小時,冷卻及過濾。固體產物以蒸餾水淸洗並 0 °C乾燥。已經發現到Z S Μ — 5和Z S Μ — 1 白勺明顯混合物和/或居間生長物,此如附圖1的X 一射線 ’繞射型式所示者。因此,2 (9約4 5 °處的明顯單一峰爲 Z s Μ - 1 1的特徵,z S μ — 5的特徵峰則出現於約 1 4 °處。分析方面,此樣品S i〇2 / A 1 2〇3比爲 丄9,Na+/Al 比是 〇 · 25,Tr i en/Al 比是 0 · 6。此樣品於5 3 8 °C鍛燒以移除有機物,與銨離子 交換以移除鈉,並加熱至5 3 8 °C以消除銨。在水蒸氣下 約1 0分鐘之後,α値約3 4 0 0。再通以水蒸氣5分鐘 之後,測得的α値爲3 5 0 0。 實例2 重覆實例1的程序,但使用不同的多元胺,參(2 胺基乙基)胺(treii)作爲指向劑,且反應物比例如下:
請 先 閱 讀- 背 面 之 注· 意 事 項 ti ί裝 頁I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S i 0 2 / A 1 2 0 3 N a / S i Ο 2 T r e n / S i 0 2 〇 H / S i 0 2 H 2 0 / S i 0 2 〇 0 0 0 3 .0 8 0 如附圖2所示者,產物具Z S M — 5的X —射線繞射型 式和小晶體形態。所合成的沸石之N M R光譜(附圖3所 i紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-,5 _ 1234547 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13 ) 示者)僅看出四面體形A 1。相對於3 Μ Α1(N〇3)2,52.7ppm處的共振強度比爲17 。、所合成的沸石之S i〇2 / A 1 2〇3比爲1 9 ,N a + / A1 比是 Ο · 5,Tren/Al 比是 Ο · 4。 其酸形式中,沸石吸收1 2 · 3 %正己烷(Ρ / Ρ ◦= 0 · 2 5 )。處理之後,測得的α値爲2 5〇◦土 7 5 。實例 重覆實例1的程序,但使用二伸乙三胺(dien ),且反 應物比例如下: S i 0 2 / A 1 2 0 3 = 2 0 Na/Si〇2 =0.13 Dien/Si〇2 =0.5 〇H/Si〇2 =0.03 H 2 0 / S i 0 2 =20 產物仍是ZSM — 5。所合成者的S i〇2/Al2〇3比爲20,Na+/Al比是0·6,dien/ A 1比是1 · 〇,其酸形式中,實例3產物的α値爲 2 4 0 0。 實例4 重覆實例1的程序,但使用乙胺(e a )作爲指向劑 ,且成份的莫耳比如下: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
•I ϋ I ·ϋ 一:口、 ϋ I II I ·ϋ ϋ I
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1234547五、發明說明(14 ) S i 0 2 / A 1 2 0 3 N a / S i Ο 2 E' a / S i 0 2 Ο H / S i 0 2 H 2 0 / S i 0 2 A7 B7 2〇 0 . 1 2 . 0 〇.〇 3〇 產物仍是ZSM — 5。所合成者的S i〇2/ Al2〇3 比爲 20 ,Na+/Al 比是 〇 · 4 ,e a/ A 1比是1 · 1。合成所得者的(N a + + N ) / A 1比是 1 . 5,此値必須等於或超過1 · 0才能使所有的A 1位 於沸石網絡中。其酸形式中,實例4產物的α値爲 2 3 〇 0 ° 實例5 重覆實例1的程序,但使用乙 劑,且反應物的比例如下ζ S i 0 2 / A 1 2 0 N a / S i Ο 2 E n / S i 0 2 Ο H / S i 0 2 H 2 0 / S i 0 2 2 6 0 . 1 1 . 0 0 . 0 3〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝 寫太 (e η )作爲指向 產物仍是ZSM — 5。所合成者的S i〇 Al2〇3比爲2 3 ,納含量是0 · 57%’ Ν A 1
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 1234547 A7 ------------B7 五、發明說明(15 ) 比是 0.2,en/Al 比是 1.2。 可以注意到:實例1至5的產物的N a +/ A 1比實質 上低於1。此意謂沸石網絡內部的胺至少被部分質子化, 即’爲部分、、四級〃銨形式。 附圖1是根據實例1形成的多孔晶状林M^ ^ ^ 竹枓之銨形式的 x —射線繞射圖。 附圖2是根據實例2形成的多孔晶狀材料&胃_ $白勺 X —射線繞射圖。 附圖3是根據實例2形成之人工合成的多孔晶狀# _ 之錦N M R圖。 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁} η裝 Ί^τ·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18 -

Claims (1)

1234547i\ a 第89113944號專利申請案中文申請專利範圍修正本公舌…〜一g國91年11月7日修正
^山:口,•…u ·· J ,ί: 健用以產製具有表i所列χ 一射線繞射 成多孔晶狀粉$、丨%、 可枓的方法,其特徵在於其包含下列步驟 )形成含有鹼金屬或鹼土金屬(M)陽離 、三價元幸 ^ 一 〃〔x )的氧化物、四價元素(γ )的氧 手旨向齊[f f r 、 K )和水之反應混合物,其中,該反應混 組成(以莫;§:卜卜李1 ~、 ^ 4比表不)在下列範圍內: 線之合 子來源 化物、 合物的 Y〇2 / X 2〇 Η 2〇/ Υ〇2 〇Η — / Υ〇2 Μ / Υ 〇 2 R / Υ 0 2 15-35 10-50 =0 · 0 1 - 〇 . 2 0 . 1 - 0 . 5 0 · 2 — 5 ·〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本貰) -裝 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 且其中,指向劑R是式(C 2 Η 6 N ) n N H q的 胺’其中’ n = 2或3 ; q = 〇或1且n + q是3 ·, (b )使反應混合物維持在結晶條件下,直到 多孔晶狀材料的晶體;然後 (c )自反應混合物中回收該晶體。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中,該 選自二伸乙三胺、三伸乙四胺和參(2 -胺基乙基) 3 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其中 應混合物之組成(以莫耳比表示)在下列範圍內: Y〇2/X 2 03-1 5-30 Η 2 Ο / Υ 0 2 =15-30 Ο Η - / Υ Ο 2 -0.02-0.1 Μ / Υ 0 2 0 . 1 本紙張尺度適用中國國家樵準(CNS ) A4規袼(210X297公釐) 非環狀 指向劑 胺。 ,該反 訂' 1234547 A8 * B8 C8 D8 7T、申請專利乾圍 R / Υ 0 2 =0.5-2.0 4 .如申請專利範圍第3項之方法,其中,該結晶條 件包括在溫度1 0 0至2 0 0 °C 6小時至1 0天。 5 .如申請專利範圍第4項之方法,其中,該溫度是 1 2 0 至 1 7 0 〇C。 6 .如申請專利範圍第3項之方法,其中,反應混合 物中的Y〇2 / X 2〇3莫耳比是2 0至3 0 ,指向劑(R )是參(2 -胺基乙基)胺,而該合成多孔晶狀材料是 Z S Μ - 1 1 〇 7 .如申請專利範圍第3項之方法,其中,反應混合 物中的Υ〇2 / X 2〇3莫耳比是2 0至3 0 ,指向劑(R )是選自二伸乙三胺和三伸乙四胺,而該合成多孔晶狀材 料是Z S Μ — 5。 8 .如申請專利範圍第1項之方法,其中,該合成多· 孔晶狀材料的α活性超過1 0 0 0。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財農局員工消費合作社印製 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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