TWI232515B - Method for adjusting voltage on a powered faraday shield - Google Patents

Description

1232515 五、發明說明（1) 一、 【發明所屬之技術頷域】 、、本，明係關於半導體製造，更明確地說，係關於供電 的法拉第屏蔽之電壓調整設備與方法，以控制在一電感耦 合電漿蝕刻反應室中電漿之狀態。 二、 【先前技術】 ^ 在半導體製造中，蝕刻製程是很普遍且不斷重複的實 施。如熟知此項技術者所知，有兩種蝕刻製程，乾蝕刻與 濕蝕刻。乾蝕刻通常利用一電感耦合電漿蝕刻設備來實 施。 圖1顯示一依據習知技術之電感耦合電漿蝕刻設備 I 〇 〇。電感耦合電漿蝕刻設備丨0 〇包含一蝕刻反應室丨01， 其結構係由反應室壁丨0 2與一反應室窗丨〇 4所界定。反應室 1 0 2通常由不銹鋼所構成，然而亦可以利用其他適合的 材質。反應室窗1 〇 4通常由石英所組成，然而，亦可以利 用其他材質如氧化！呂（Al2〇3 )、氮化石夕)、氮化銘 (Α 1 Ν )、碳化矽（s i c )、及矽。反應室窗1 0 4對反應室 ，102提供了真空密封。一半導體晶圓（即晶圓）11〇被固 疋於位於蝕刻反應室丨〇 i之底部内表面上的夹頭丨〇8上。線 ，116與金屬屏蔽112位於反應室窗1〇4之上。線圈116藉著 絕緣間隔器（圖未示）固定於蝕刻反應室丨〇 1上。線圈〗j 6 是由導電材質所製成且至少包含完整的一圈。圖1中所示 之線圈11 6包含二圈。具有「χ」之線圈丨丨6符號表示線圈 II 6往頁面裡旋繞延伸。相反的，具有「鲁」之線圈丨丨6符

第5頁 1232515 五、發明說明（2) 號表示線圈11 6往頁面外旋繞延伸。金屬屏蔽11 2利用絕緣 間隔器11 4以一分離之間隔固定於線圈丨丨6之下。金屬屏蔽 112設置於緊鄰反應室窗104之上。線圈116、金屬屏蔽 11 2、與反應室窗1 〇 4被設置為實質上平行於彼此。此外， 線圈11 6與金屬屏蔽11 2經由一分接頭丨丨8而電性連接。 圖2顯示依據習知技術，電感耦合電漿蝕刻設備1 〇 〇之 基本操作原理。在操作當中，一反應氣體從一氣體導入〇 (圖未示）流過蝕刻反應室丨〇 1至一氣體排出口（圖未示 )°然後高頻功率（即射頻（RF )功率）由一電源供應器 (圖未示）施加至線圈丨丨6，以產生一RF電流流過線圈 11 6。流過線圈丨丨6之評電流在線圈丨丨6周圍產生一電磁場 1 2 0。電磁場1 2 0在蝕刻反應室1 〇 }内產生了一感應電流 122。感應電流122作用於反應氣體而產生了電~漿1'23。高 頻功率（即射頻功率）由一電源供應器（圖未示）施加至 ^頭108以提供電漿丨23定向性，俾使電漿123被往下拉到 晶圓11 0之表面上而進行餘刻製程。 電漿123包含各種以正與負離子之型式存在之自由 基。各種形式之正與負離子之化學反應被用來㈣晶圓 1二。在蝕刻製程中’線圈116進行與一變壓器中之第一線 圈==能，而電黎123進行與一變廢器令之 類似之功能。 反應產物伴隨著反應氣體透過氣體排出口而 排出。心而5非；名各把夕G: Λ,1 1232515 五、發明說明（3) 室1 0 1中。非揮發性之反應產物可能會黏附至反應室壁1 02 與反應室窗1 04。非揮發性之反應產物黏附至反應室窗1 〇4 會干擾蝕刻製程。沉積導電之非揮發性反應產物於反應室 窗1 04上會電性遮蔽蝕刻反應室1 〇 1之内部區域與由線圈 116所產生之電磁場120。因此，電漿123將無法良好轟 擊，而蝕刻製程必須被中斷，直到此沉積物由反應室窗 104移除。此外，過多的沉積物會造成顆粒由反應室窗1〇4 落到晶圓11 0，因此干擾了敍刻製程。因此，過多的沉積 物需要更常清理钱刻反應室1 〇 1與反應室窗1 〇 4。 非揮發性反應產物沉積於反應室窗丨〇4上之現象可藉 著對反應室窗1 04喷濺電漿而緩和及避免·，以去除沉積 物。為了要避免電漿123中之非均勻性，此喷濺應該在整 個反應至_1〇4以一均勻的方式進行。不均勻的沉積與/或 不均勻的喷濺會將沉積物引入顧刻製程中。沉積物便會妨 害多數晶圓間的再現性，而其特性被要求需一致。 金屬屏蔽112做為法拉第屏蔽以確保由線圈116所產生 1電磁能量均勻的分散到電漿123。由於電磁能量均勻的 2到反應室窗104鄰近地區之電漿123，非揮發性反應產 物》儿積於反應室窗〗04上之現象會均勻的產生。同樣的， 2 f，室窗104而來之非揮發性反應產物之噴錢也會均勻 5 。在整個反應室窗i 04之均勻電性特 ^^4ti〇i.ttl23#Λ :使均勻=沉積非揮發性反應產物於反應室窗104上，亦 曰不斷如所所述的干擾餘刻製程。因此，需要對反應室窗 1232515 五、發明說明（4) 1 0 4喷濺電漿1 2 3以避免非揮發性反應產物沉積的生成。對 反應室窗1 04喷濺電漿1 23必須小心地進行，以最小化或避 免電漿123之帶電粒子對反應室窗104之侵蝕。 圖3顯示依據習知技術，法拉第屏蔽電麼如何被控制 以影響反應至囪1 0 4之特性。畫面1 3 4顯示施加一適當電壓 至金屬屏蔽11 2以控制非揮發性產物對於反應室窗][04之沉 積與喷濺之效果。藉著適當施加至金屬屏蔽112之電壓， 電漿123之入射離子128會均勻的導向反應室窗1〇4。入射 離子128之能量與強度可避免沉積，而同時將喷錢之侵蝕 效果降到最低。畫面1 3 6顯示施加一過低電壓至金屬屏蔽 112之效果。以此過低之電壓，被導向反應室窗1〇4之入射 離子1 3 0將會缺乏所需之能量與強度來避免非揮發性反應 產物之生成，其通常稱為沉積物丨24。畫面138顯示施加_ 過高電壓至金屬屏蔽112之效果。以此過高之電壓，被導 向反應室窗104之入射離子132具有過高之能量與強度，因 此造成過多之喷濺。過多之喷濺會造成反應室窗1〇4之侵 餘1 2 6。此侵银1 2 6不僅縮短反應室窗1 〇 4之使用年限，還 會產生污染晶圓11 〇之粒子並將不想要之化學物質引入餘 刻製程環境中。此不想要之化學物質存在於蝕刻製程環境 中是特別不希望的，因為其會造成不良之蝕刻製程條件的 再現性。 適當的法拉第屏蔽電壓視所進行之特定蝕刻製程而 定。一些會影響此適當電壓之因素包含反應氣體的種類、 施加至線圈11 6之RF功率、晶圓11 〇上欲蝕刻之材質、及餘

第8頁 1232515 五、發明說明（5) X f i101中之製程環境條件。許多蝕刻處理程式包含 二，二：：’如擊穿步驟、主要蝕刻步驟、與過蝕刻步 因此i RF功率、麼力、與氣體組成實質上皆可不同。 尸#雷=°又疋可能不適用於其他蝕刻步驟。因此，法拉第 ί==;:控制的，以確保反應室窗104在靖 ΐ庫：：ί ί 性反應產物沉積…卜，法拉第屏蔽電 壓應該疋谷易調磬的，、ώ 電壓要求的變化於不同蝕刻製程與步驟之 重新裝配，以得到：刻設備已被機械性的 雷壓。+ ^ ^十於一特疋蝕刻製程之適當法拉第屏蔽 的—修 ，的重新裝配之操作容許度很窄，且以材料 的，費及&成低晶圓產能的時間之角度來看是非常昂貴 電丨需要一設備與方法’可易於調整施加至 玖耦5電水蝕刻設備之法拉第屏蔽之電壓。 三、【發明内容】 括說來本發明藉著提供一種可輕易調整電减柄合 ;=刻：=拉第屏蔽之電壓之設備與方上 =聚噴濺，免及減少非揮發性反 積， :應了解1發明可以多種方式來實施，包含製程、、設 ;:糸統、袭置或方法。一些關於本發明的實施例說明如 1232515 五、發明說明（6) 在某一個實施例中，揭露一種電感耦合電漿蝕刻設 備。該蝕刻設備包含一反應室，具有一反應室窗，用=密 封該反應室之上端開口。該反應室窗具有一内表面暴露於 該反應室之内部區域。該蝕刻設備亦包含一金屬屏^路配 置於該反應室窗之上且與其隔開。一線圈配置於 蔽之上且與其隔開。該線圈具有一輸入端、—輸=端、盥 一長度。該線圈藉著一導電之分接頭連接至該金 〃 =卜，控制電路舆該線圈之輸入端與輸出端電：：蔽； 控制電路被設置為供應評功率 f連接。该 電路也包含一電裳哭偽〜^ 圈之輸入端。該控制 态被設置為可被調整，用 + 接’該電谷 金屬屏蔽上的電屡妯姚丘,^ “、屬屏蔽上的電壓。該 興听蚁上的冤壓被控制 之電壓位準的範圍之門 丧迎π之電壓位準到一較高 之所選擇製程電】位二：於一將被實施之特定蝕刻製程 在另外-個實施例中，提供壓之乾圍内。 備之法拉第屏蔽之電堡：整=一=感麵合電漿银刻設 式電容器之電容至垃°°去。此方法包含固定一可調 接合至該電感轉合電漿2該可調式電容器 決定在該線圈上之—節點上：：之：；圈。此方法更包含 該線圈上之一RF駐&位置，其中該節點對應於存在 式電容器固定至接=節點。該節點位置決定於當該可調 圈電性連接至一今M零刼作電容時。此方法更包含將該線 之位置。此方法▲屬屏蔽’其連接位置實質上靠近該節點 屬屏蔽上之一所兩包含調整該可調式電容器以得到在該金 1232515

五、發明說明（7) 在另 之實施方 應室中進 含一反應 應室之内 反應室窗 該線圈與 調式電容 器接合至 之位置。 作電容時 包含將該 靠近該節 得到在該 該方法更 個實施例中，提供一種電感 方法基於該電感耦合電 以#刻一晶圓。該反應 法。該 行並用 室窗。 部區域 之外表 該反應 器之電 該線圈 該節點 ，存在 線圈電 點之位 金屬屏 包含實 該反應室窗具有一外表 之内表面。一線圈與一 面上。該金屬屏蔽以一 室窗之外表面之間。該 容至接近零操作電容， 。該方法也包含決定在 對應於當該可調式電容 於該線圈上之一RF駐波 性連接至該金屬屏蔽， 置。依據此方法，調整 蔽上之一所需電壓，其 施該蝕刻製程。 室在-上端 面與一暴露 金屬屏蔽均 隔開之狀態 方法包含固 其中該可調 該線圈上之 器固定至接 之節點。該 其連接位置 該可調式電 適合該蝕刻 刻製程 在一反 開口包 於該反 位於該 配置於 定一可 式電容 一節點 近零操 方法還 實質上 容器以 製程。

本發明有許多優點。尤其，如本發明所揭露之用 整電感耦合電漿蝕刻設備之法拉第屏蔽電壓之設備與方法 可藉著控制電漿對於蝕刻反應室窗之喷濺來避2習^技術 之問題。控制電漿之喷濺可避免及減少非揮發性反應產物 沉積於反應室窗上。 〜 本發明其他的實施態樣及優點藉著接下來詳細的說 明，並配合說明本發明原則性範例的附圖將會更清楚。 四、【實施方式】

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本發明揭露一種 法拉第屏蔽之電壓之 適當電壓易 制電漿 性反應 壓可藉 因此， 於一特 在 解，因 當了解 能被實 熟知之 之喷濺 產物之 著簡單 本發明 定蝕刻 接下來 此記載 ，在沒 施。在 製程操 於且可 以避免 沉積。 調整― 免除了 製程之 的敘述 了許多 有部份 其他的 作便不 調整施 設備與 變的施 及緩和 對於一 可調式 機械性 適當法 中’為 具體的 或全部 例子中 詳細說 加至電感耦 方法。廣泛 加至一法拉 會負面影響 特定餘刻製 電容器而施 的重新裝配 拉第屏蔽電 了對本發明 細節。然而 這些具體細 ’為了避免 明。 合電漿蝕刻 來說，本發 第屏蔽，如 蝕刻製程之 程或步驟之 加至法拉第 蝕刻設備以 壓之需要。 提供全盤性 ，熟悉本技 節下，本發 混清本發明 設備之 明允許 此可控 非揮發 適當電 屏蔽。 得到對 的了 藝者應 明亦可 ，為人 Γ據本發明一實施例之電感耦合電漿蝕刻設 觜5。電感耦合電漿蝕刻設備2〇5包含一蝕刻反應室 101，其結構係由反應室壁102與一反應室窗1〇4所界定。 反應室壁1 02通常由不銹鋼所構成，然而亦可以利用其他 適合的材質。反應室窗1〇4通常由石英所組成，然而了亦 可以利用其他材質如氧化鋁（Al2〇3 )、氮化矽（S“N4 )、 氮化铭（A1N )、碳化矽（SiC )、及矽。反應室窗1〇4對 反應室壁1 02提供了真空密封。一半導體晶圓（即晶圓） 110被固定於位於蝕刻反應室1〇1之底部内表面上的夾頭 108上。一RF功率來源240透過配合電路242提供電力至夾 頭1 08。施加至夾頭1 〇8之RF功率被用來提供電漿1 23定向

第12頁 1232515 五、發明說明（9) 性，俾使電漿123被導y至晶圓n〇上。 再參考圖4，線圈1〗6盥合屬 叫興食屬屏蔽（或法拉第屏蔽） Π2位於反應室窗1〇4之上。線圈u 6藉著絕緣間隔器（）圖 J示）固疋於蝕刻反應室1〇1上 '線圈116是由導電材質所 製成且至少包含完整的—圈。圖4中所示之線圈ιΐ6包含三 圈。具有「X」之線圈116符號表示線圏116往頁面裡旋繞 延伸。相反的，具有「#」之線圈116符號表示線圈ιΐ6往 頁面外旋繞延伸。法拉第屏蔽112利用絕緣間隔器114以一 分離之間隔固定於線圈116之下。 圖4所示之絕緣間隔器114代表一例示性結構。另一個 結構可具有往徑向與内部延伸以填滿線圈〗〗6與法拉第屏 蔽112之間的空間的絕緣間隔器114。此一廣大的絕緣間隔 器11 4結構可用來避免線圈丨〗6與法拉第屏蔽丨〗2之間電壓 崩壞（如電弧）。在另一個結構中，絕緣間隔器丨丨4可完 全包圍住法拉第屏蔽11 2之邊緣。在此結構中，一靠近法 拉第屏蔽112邊緣並介於反應室窗104外表面與法拉第屏蔽 11 2之間的區域可被絕緣間隔器11 4佔據。特殊絕緣間隔器 11 4結構之利用端視線圈丨丨6與法拉第屏蔽1丨2之間的空間 而定。 法拉第屏蔽1 12設置於緊鄰反應室窗104之上。因為法 拉弟屏蔽112可結合至反應室窗104 ’所以法拉第屏蔽112 可接觸反應室窗1〇4之外（及上）表面或提高於反應室窗 104之上。因此，法拉第屏蔽112可置於、結合、或支撐於 反應室窗1 0 4之上。圖4中所示之本發明之例子顯示法拉第

第13頁 1232515 五、發明說明（ίο) 屏蔽112支撐於反應室窗104之上。線圈116、法拉第屏蔽 11 2、與反應室窗1 04被設置為實質上平行於彼此。此外， 線圈11 6與法拉第屏蔽11 2經由一分接頭11 8而電性連接。 一RF功率來源212供應電力至線圈116 °RF功率來源 212透過導線207與一電容器2 10電連接。電容器210再經由 導線2 09與電容器204電連接。電容器204再經由導線211與 線爵11 6之輸入端2 0 1電連接。一電壓Vin由電容器2 0 4供應 至輸入端201。與輸入端201互補，線圈也具有一輸出端 2 03。線圈116之輸出端203經由導線213與一電容器206電 連接。一電壓Vout由輸出端2 0 3供應至電容器206。電容器 206再經由導線2 15與接地端214電連接。電容器208透過導 線217與電容器210與電容器204電連接，而導線217與導線 209電連接。電容器20 8亦透過導線219與電容器206與接地 端214電連接，而導線219與導線215電連接。 在操作當中，一反應氣體從一氣體導入口（圖未示） 流過蝕刻反應室1 0 1至一氣體排出口 （圖未示）。然後高 頻功率（RF功率）由一電源供應器（圖未示）施加至線圈 116，以產生一RF電流流過線圈116。流過線圈116之RF電 流在線圈11 6周圍產生一電磁場。電磁場在蝕刻反應室1 〇 1 内產生了一感應電流。感應電流作用於反應氣體而產生了 電漿1 2 3。電漿1 2 3被非電漿反應氣體所組成之護套包圍 住。因此，高頻功率（即RF功率）由一電源供應器240透 過配合電路242施加至夾頭108以提供電漿123定向性，俾 使電漿1 2 3被往下拉到晶圓1 1 0之表面上而進行蝕刻製程。

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電浆123包含各種以正與負離子之型式存在之自由 基。各種形式之正與負離子之化學反應被用來蝕刻晶圓 11 〇。在蝕刻製程中，線圈丨丨6進行與一變壓器中之第一線 圈類似之功能，而電漿123進行與一變壓器中之第二線圈 類似之功能。

圖5顯示依據本發明一實施例，電感耦合電漿蝕刻設 備205之電路圖。介於RF功率來源212、接地端214、線圈 116之輸入端201、與線圈116之輸出端2〇3之間的電子元件 與導線與圖4所述相同。電感耦合電漿蝕刻設備2 〇 5之物理 元件之間的電性關係示於圖5之其餘部分。 如示，線圈116與法拉第屏蔽丨12經由一分接頭118而 電性連接。線圈11 6與法拉第屏蔽丨丨2之間的物理間隔造成 一電容效果。具體來說，一電容2丨6a沿著輸入端2〇1與分 ，頭11 8之間的線圈11 6之長度存在於線圈i丨6與法拉第屏 蔽112之間。同樣的，一電容216b沿著輸出端2〇3與分接頭 11 8之間的線圈11 6之長度存在於線圈丨丨6與法拉第屏蔽丨j 2 之間。法拉第屏蔽112與反應室窗1〇4之間的物理間隔也造 成一電容效果，如電容器218所示。

一電磁場被線圈11 6所產生，以在蝕刻反應室丨〇 1内之 反應氣體中感應出一電流。在反應氣體中所感應之電流造 成將被產生之電漿123。線圈116與電漿123以分別相似於 —變壓器之第一與第二線圈之方式電性結合。因此，所示 之線圈116具有一電感221，且所示之電漿123具有一電感 224。所示之電漿123對於感應電流亦具有一電阻226。此

1232515 五、發明說明（12) 外’電漿1 2 3被反應氣體所組成之護套包圍住，其有效地 將帶電荷之電漿123與連接至接地端214之反應室壁1〇2分 隔開。反應氣體所組成之護套具有一電容222愈^一電阻 220。夾頭108由反應室窗1〇4充分的移出，俾使其電性不 會影響線圈11 6與法拉第屏蔽11 2之電性表現。。因此，夾 頭108、其配合電路242與RF功率來源240對於電感耦合電 漿蝕刻設備205之電性關係未示於圖5 _。 & 法拉第屏蔽112在钱刻反應室内之電漿123與反應 室窗104之間產生一靜電場。此由法拉第屏蔽112所產生之 靜電％產生一電塵，其使得電漿123中的離子往反應室窗 104加速。此加速與所造成之與反應室窗1〇4之碰撞^爯為喷 賤。喷滅會使沉積於反應室窗丨04上的非揮發性反靡 被除去。因此，適當的控制喷濺可有效的避免及緩和非揮 發性反應產物沉積於反應室窗104上。 施加至法拉第屏蔽112之電壓控制由法拉第屏蔽112所 產生之靜電場。控制施加至法拉第屏蔽丨丨2之電壓使得電 漿1 2 3對反應室窗1 〇 4之喷濺可被控制。因此，藉著仔細的 控制施加至法拉第屏蔽112之電壓，電漿123對反應室窗 1 04之喷激可被小心地控制以避免沉積，同時可將喷錢之 侵蝕效果降到最小。為了要更進一步減小噴濺之侵蝕效 果，本發明之替代性實施例可在反應室窗丨〇4内表面之鄰 近地區安置一非導電性之保護襯墊。為了要避免沉積並將 贺濺之侵蝕效果降到最小，本發明提供一種用來仔細控制 施加至法拉第屏蔽1丨2之電壓的設備與方法。 1232515 五、發明說明（13) 圖6顯示依據本發明一實施例，存在線圈丨丨6上之RF駐 波。所示之線圈Π 6輸入端2 〇 1對應於RF駐波之一正振幅頂 端（即波峰）228。相反的，所示之線圈116輸出端203對 應於RF駐波之一負振幅頂端（即波谷）23 0。因此，一節 點232存在於線圈116之長度上。在節點232的位置，相對 應線圈116的電壓基本上趨近於零。若線圈116夠長，有可 能具有一個以上之節點232，其中節點232之間的距離視RF 頻率而定。雖然本發明之實施例顯示一具有單一節點2 3 2 之線圈11 6，但當複數個節點存在時，本發明之設備與方 法依舊不變。 習知的傳播線理論被用來決定做為一有效像播線之線 圈11 6的分佈線特性。當決定線圈1 1 6的分佈線特性時，電 漿123的效果被併入做為一修飾之分佈阻抗。在線圈丨16輸 入端201與線圈116輸出端2 0 3均對不同之RF功率量測電壓 與相位。電壓與相位的量測結合終端阻抗（即電容器2 〇 6 的阻抗）被用來決定電壓之空間分佈，其對應於沿著線圈 116長度之RF駐波。許多方法可用來決定沿著線圈116之長 度上電壓的空間分佈。一例示性可用來決定沿著線圈丨j 6 之長度上電壓空間分佈的方法見於Albert J· Lamm所著之 「Observations of Standing Waves on an Inductive Plasma Coil Modeled as a Uniform Transmission

Line」，其刊載於 1 997 年之Journal of Vacuum Science and Technology A15(5)中第 2615 至2622 頁。 圖7顯示依據本發明一實施例，表示一存在於法拉第

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屏蔽112與接地端214之間之虛擬短路2 33之導電路徑。為 了要使虛擬知:路2 3存在，分接頭π 8應該在非常靠近沿^ 線圈116長度之RF駐波之節點232的位置將法拉第屏蔽112 電連接至線圈116。藉著將分接頭118置於節點232，電容 器206沿著一導電路徑與以駐波共振，該導電路徑藉由線 圈116與分接頭118界定於電容器2〇6與法拉第屏蔽之 間二因為電容器206與RF駐波共振，所以電容器2〇6呈現低 。因此，在法拉第屏蔽112與接地端214之間並經由電 谷器206之導電路徑形成虛擬短路233。

藉著配置分接頭118在節點232的位置連接至線圈 6，電容器206可做為一可調式電容器。改變可調式電溶 态之電容將可改變線圈116之輸入端2〇1與輸 氣及W。任何Vi』v_之改變會使得位於㈣、線圈116電; 度=rf駐，上之節點232之位置改變。因為分接頭η8之位 置兀王口疋所以節點2 3 2位置之改變會造成分接頭丨丨8不 於=點232之位置。因此，藉著改變可調式電容器之 $谷，存在於法拉第屏蔽112舆接地端214之間之虛擬短路 將不再存在，且法拉第屏蔽112上之電壓由零 上 升。 -二二變可調式電容器之電容，相對應的改變 =，、、、~的位置。具體來說，可調式電容器（即電容器2〇6 i之電容被改變（即調整）以移動節點232的位置，且使 ^法拉第屏蔽11 2之電壓相應的改變。p遺著節點2 3 2的位置 返離分接頭118的位置，法拉第屏蔽112上之電壓亦隨之上

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五、發明說明（15) 升。在一較佳實施例令，可調式電容器為一可變的電容 益，其電容可被改變以控制法拉第屏蔽112之電壓。 之電容由節點232的位置相當於分接頭⑴的 4置夺之數值增加或減少，法拉第屏蔽112上之電壓亦隨 ϊί:::此’為了要使可增加之法拉第屏蔽112電壓之 靶圍取大化，可調式電容器基本上應該被設定為接近盆最 小電容值，當節點232位置被決定且分接頭118連接至^點 232之位置時。藉此結構，可調式電容器之電容可增加一 較大範圍，並且法拉第屏蔽112電壓可相應的增加一較大 範圍。在一較佳實施例中，可調式電容器之電容範圍由2〇 PF到500 PF。在本發明之一例示性實施例中，藉著在“ PF到90 PF之範圍間調整可調式電容器，法拉第屏蔽ιΐ2電 壓可在約〇 /到1 20 0 v之間調整，法拉第屏蔽112電壓對於 凋整可调式電容器之特定反應視特定蝕刻製程與電漿123 的條件而定。在一大範圍内調整法拉第屏蔽112電壓的能 力相當於可達到一適當電壓以滿足一特定蝕刻製程之需求 的可能性。 圖8顯示依據本發明一實施例，法拉第屏蔽丨丨2與用來 固定法拉第屏蔽1 1 2之元件的爆炸圖。法拉第屏蔽丨丨2被複 數個螺栓302固定於連接框312之下部，其設置有多個連接 間隔器314。每一個連接間隔器314被一螺栓31〇固定於連 接框之上部。連接框3 1 2、連接間隔器3 1 4、螺栓3 1 0、與 複數個螺栓302可由任何適當絕緣材質所形成。複數個徑 向槽3 0 0形成於法拉第屏蔽1 1 2中。複數個徑向槽3 〇 〇可防 1232515 五、發明說明（16) 止，向電流在導電的法拉第屏蔽〗丨2中流動，其中徑向電 々丨l疋由線圈1 1 6上所流動之電流感應而來。此為必須的， 因，法拉第屏蔽〗12上所流動的電流會將線圈116與蝕刻反 應至1 0 1彼此電性阻絕。考慮到複數個徑向槽3 〇 〇，為了要 保持法拉第屏蔽112的形狀，一外部環3〇4、一内部環 3〇6、與一中心圓盤308藉著複數個螺栓3〇2固定至連接框 3^2。外部環304、内部環3〇6、與中心圓盤3〇8可由任何適 田、、邑緣材質所形成。法拉第屏蔽丨丨2之替代性實施例可被 用來與本發明結合，只要法拉第屏蔽112之結構可以相似 的方式作用。 圖9顯示依據本發明一實施例，線圈116 圈116之元件的爆炸圖。如之前圖8戶斤示，連接框二疋連泉 接間隔器314配置於法拉第屏蔽112舆線圈116之間。每一 個線圈固定板326之四端藉著一螺栓331固定於一支 蓋33!。每一個交叉型線圈固定板326之四端還藉著 二王 固疋於連接框31 2的連接間隔器3 1 4。線圈11 6葬荖 複數個螺栓336 (為了圖面之清楚僅顯示一個）固定於曰交 巧J圈固定板326之下部。在此結構中，線圈ιΐ6以、一實 貝上平行的方式與法拉第屏蔽112隔開。 11 6刀4接雷頭/1 8在一基本上罪近即點232之位置連接至線圈 116。就電性而言，節點232為單一個點。因此，分 確!!安！於節點232的位置。然而，當分接頭ns在 土本上罪近節點232之位置連接至線圈116時，節 可藉著調整可調式電容器而移動，以得到前述之=2 1232515 五、發明說明（17) 路。二此為考量，如箭頭354所示，分接頭ιΐ8插入線圈 ^第屏蔽112之間。在圖9所示之實施例中，分接 \猎螺栓352固定至線圈116，且藉著-螺栓353固 疋至法拉第屏蔽Π 2。在替代性實施例中，分接頭〗〗8可 以其他方式固定至線圈116與法拉第屏蔽112，俾 1合都是導電^固^的（如融化金屬焊接、電焊等）。此 可由任何導電材質所形成。分接頭118是線 f 1 6 ”法拉第屏蔽i丨2之間唯一的導電接合。在一較佳 广 1 ίΓΆ中’、、分接頭11 8藉著跨過最短可能直線距離將線圈 可盔γ立至:气拉第屏蔽11 2。在其他實施例中，分接頭11 8 :^任思形狀，其藉著跨過最短可能直線距離以外之距離 將線圈11 6連接至法拉第屏蔽丨丨2。 圖9還』示直線圈構件3 1 8，其橫跨於交叉型線圈固 定板326之上部且藉著一螺栓332.固定於線圈ιΐ6彎圈曲口 構件322約配置於交又型線圈固定板32 6下部之中央且 藉著一螺栓334固定至直線圈構件318。一輸入端338藉著 -螺栓340固定至彎曲線圈構件322之末端。一輸出端;42 错著一螺栓344固定於相對於輸入端338之線圈丨丨6之末 端 '線圈116之其他實施例可被用來與本發明相結合，只 要線圈11 6之結構可以相似的方式作用。 圖10顯示依據本發明一例示性實施例之實驗數據圖， 其得自於法拉第屏蔽112電壓對於調整可調式電容哭之反 應。曲線402顯示—例+，氧電漿123在壓力謂 在100"的狀況下’產生於法拉第屏蔽112上之電壓的範 1232515

圍。在此例中’隨著可調式電容器由約60 pF調整至約8〇 PF ’法拉第屏蔽丨12電壓由實質上非常接近〇 v改變至約 1 20 0 V。當可調式電容器之電容設定為非常接近60 pf時 :知到節點2 3 2。需注意圖1 〇中的曲線係基於有限數目之 實際法拉第屏蔽112電壓量測而得到。因此，如圖1〇所 不，對實際量測數據所配適之曲線在節點232不會完全到 達0 V之位準。然而，如前所述，調整可調式電容器可用 ，將^點232安置於分接頭118的位置，如此相對應的法拉 第屏蔽112電壓基本上會趨近〇 v。因此，在電容值η ρρ 附近精確的調整可調式電容器可定位準確的節點位置。 〜圖11顯示依據本發明一例示性實施例之實驗數據圖， 其得自於法拉第屏蔽電壓112對於在各種電漿123狀況下調 正可调式電谷之反應。圖〗丨顯示在各種氧電漿123的條 件下二產生於法拉第屏蔽112上之電壓的範圍。曲線402對 應於氧電漿123在壓力5 mT且RF功率在1 0 00 W的狀況，如 之前圖10所示。曲線4〇4對應於氧電漿123在壓力80 mT且 RF功率在300 W的狀況。曲線4〇6對應於氧電漿1 23在壓力

8 0 mT且RF功率在1〇〇 w的狀況。當可調式電容器之電容設 定為非常接近61 PF時可得到節點232。需注意節點232位 置與電讓1 2 3之條件無關。此節點2 3 2位置對電漿1 2 3條件 之獨立性使得將以可調式電容器來調整之法拉第屏蔽電壓 112不需重新安置分接頭118之位置或重新裝配電感耦合電 漿飯刻設備1 00。圖11之例子係基於利用氧氣為反應氣 體。然而，藉著利用其他適當反應氣體，本發明之基本原

第22頁 1232515 五、發明說明（19) 理與功月匕依然不變。如圖i 〇，需注意圖1 1中的 對實際量測數據所配適之曲㈣ ；σ 達〇 V之位準。然而，如前所述，調整可嘲Φ p ^ 蔽112電壓基本上會趨近〇 y。因此，在電容 位置。 。附近精確的調整可調式電容器可定位準確的節點 刻設=。顯:法依拉據第^ 中，牛編η ΐί 電壓之方法流程圖。在此方法 〇〇包含將可調式電容器之電容固定至接近零操 =二此9方法之步驟6〇2需要決定存在於線圈116上之叮 波的印點232位置。步驟6〇2在可調式電容器固定於 二^作電容時進行。步驟6〇4要求分接頭118在一 /接近由步驟602所決定之評駐波節點232之位置，將線^ 16電性連接至法拉第屏蔽〗12。步驟6〇6要求對於一特 ，刻製程調整可調式電容器以得到一所需之法拉蔽 112電壓。步驟608包含實施該特定蝕刻製程。 圖13顯示依據本發明另一實施例，調整電感耦合電 虫刻设備100之法拉第屏蔽112電壓之方法流程圖。在此 法中，步驟620包含將可調式電容器之電容固定至接近烫 操作電容。步驟622需要決定存在於線圈116上之RF駐波 節點232位置。步驟622在可調式電容器固定於接近零 電容時進行。步驟624要求分接頭118在—實f上非常接

1232515 五、發明說明（20) 由步驟6 2 2所決定之RF駐波節點2 3 2之位置，將線圈丨丨6電 =連接至法拉第屏蔽丨丨2。步驟6 2 6要求電感耦合電漿蝕刻 :又備100預備多步驟蝕刻製程之第一蝕刻步驟。步驟6要 f對於多步驟蝕刻製程之目前蝕刻步驟調整可調式電容以 =到一所需之法拉第屏蔽丨12電壓。步驟63〇包含實施該目 =蝕刻步驟。決定步驟632判斷目前蝕刻步驟是否為多步 跡蝕刻製程之最終步驟。如果目前蝕刻步驟不是最終步 =制t方法藉著實施步驟634繼續進行，在其中多步驟蝕 二=程之下一個蝕刻步驟變成目前蝕刻步驟。然後此方法 f續，行步驟628，其中對於目前蝕刻步驟調整可調式電 1以侍到一所需之法拉第屏蔽ιΐ2電壓。關於決定步驟 j2 ,如果目前蝕刻步驟為最終步驟，則終止多步驟蝕刻 將為31! Ϊ不依據本發明再另一實施例，調整電感耦合電 =去二°又牛之法拉第屏蔽112電壓之方法流程圖。在此 ίΐΐ + ί 包含將可調式電容器之電容固定至接近 :二步:=2要：,在於線圈116上之rf駐波 電性2RF駐波節點232之位置，將線圈116 預:多第步^ 耍电縣於夕丰_ 乂 I程之第一蝕刻步驟。步驟658 以尸引二二二蝕刻製程之目前蝕刻步驟調整可調式電容 亍一斤為之法拉第屏蔽112電壓。步驟66〇包含實施該

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目前蝕刻步驟。 當進行目前蝕刻步驟時，監測反應室窗1〇4以偵測非 揮發性蝕刻副產物的沉積。許多技術可用來監測與偵測非 揮發性蝕刻副產物在反應室窗1 04的沉積。一個例子為薄 膜之光學反射測量法。本發明亦可利用偵測法拉第屏蔽 112電壓之變化做為量度標準，以偵測非揮發性蝕刻副產 物的沉積。決定步驟662代表此沉積之監測。如果偵測到 沉積，便進行步驟668 ,其中可調式電容器之電容增加以 提高法拉第屏蔽112電壓。法拉第屏蔽112電壓被提高以造 成電漿123對反應室窗104噴濺之增加。電漿123對反應室 窗104喷濺之增加可移除所偵測之沉積並避免更進一步之 沉積。在步驟6 6 8調整可調式電容器之中或之後目前餘刻 步驟繼續進行。 另外當進行目前蝕刻步驟時，監測反應室窗1 〇 4以偵 測電漿1 2 3之過度喷濺。決定步驟6 6 4代表電漿1 2 3喷濺之 監測。如果偵測到過度喷濺，便進行步驟67〇，其中可調 式電容器之電容減少以降低法拉第屏蔽1 1 2電壓。法拉第 屏蔽112電壓被降低以造成電漿123對反應室窗104喷濺之 減少。電漿1 2 3對反應室窗1 〇 4噴濺之減少可避免反應室窗 1 0 4材質之侵蚀。因此，可避免將不想要的反應室窗1 〇 4化 學物質引入蝕刻環境，並可改善反應室窗1 04之使用年 限。在步驟670調整可調式電容器之中或之後目前钱刻步 驟繼續進行。 如決定步驟6 6 6所示，目前餘刻步驟持續進行直到完

第25頁 1232515 五、發明說明（22) 成為止。在完成目前蝕刻步驟之後，決定步驟6 72判斷目 前钱刻步驟是否為多步驟蝕刻製程之最終步驟。如果目前 餘刻步驟不是最終步驟，此方法藉著實施步驟674繼續進 行，在其中多步驟蝕刻製程之下一個蝕刻步驟變成目前蝕 刻步驟。然後此方法繼續進行步驟6 5 8，其中對於目前蝕 刻步驟調整可調式電容以得到一所需之法拉第屏蔽丨丨2電 壓。關於決疋步驟6 7 2，如果目前蚀刻步驟為最終步驟， 則終止多步驟蝕刻製程。 雖然本發明已就 ^ I抛例术^ .一 W M W议贫^

藉著前述的說明與附圖，當可對其進行修改、增加、及$ 任：ί =發明之精神與範圍，而… 中 等效的變更，均應包含於本發明之

1232515 圖式簡單說明 五、 【圖式簡單說明】 藉著失去 、 盥f ®々二上述本發明的詳細說明並配合附圖，本發明 ”夕優點將會較容易瞭解。其中·· 口 5T 一依據習知技術之電感耦合電漿颠刻設備； 本操作原4理不·依據習知技術，電感耦合電漿蝕刻設備之基 以旦彡^^顯^不依據習知技術，法拉第屏蔽電壓如何被控制 以衫響反應室窗之特性； 備；圖4顯不依據本發明一實施例之電感耦合電漿蝕刻設 備之it顯示依據本發明一實施例，電感耦合電漿蝕刻設 丨角〈电路圖； 波； • "、員示依據本發明一實施例，存在線圈上之rf駐 居蘇H顯不依據本發明一實施例，表示一存在於法拉第 ν、接地端之間之虛擬短路之導電路徑； —土 f 顯不依據本發明一實施例，法拉第屏蔽與用來固 疋法拉第屏蔽之元件的爆炸圖； 一圖9顯示依據本發明一實施例，線圈與用來固定線圈 之元件的爆炸圖； 〜圖1 〇顯示依據本發明一例示性實施例之實驗數據圖， 其知自於法拉第屏蔽電壓對於調整可調式電容器之反應； 〜圖11顯示依據本發明一例示性實施例之實驗數據圖， 得自於法拉第屏蔽電壓對於在各種電漿狀況下調整可調

1232515 圖式簡單說明 式電容器之反應； 圖12顯示依據本發明一實施例，調整電感耦合電漿蝕 刻設備之法拉第屏蔽電壓之方法流程圖； 圖1 3顯示依據本發明另一實施例，調整電感耦合電漿 蝕刻設備之法拉第屏蔽電壓之方法流程圖；及 圖1 4顯示依據本發明再另一實施例，調整電感耦合電 漿蝕刻設備之法拉第屏蔽電壓之方法流程圖。 元件符號說明： 1 0 0 電感耦合電漿蝕刻設備 101 蝕刻反應室 102 反應室壁 104 反應室窗 108 夾頭 110 晶圓 112 法拉第屏蔽 114 絕緣間隔器 116 線圈 118 分接頭

12 0電磁場 P 122 感應電流 123 電漿 124 沉積物 12 6 侵蝕 ·

第28頁 1232515

圖式簡單說明 128 > 130、132 入射離子 134、 136 、 138 晝面 201 輸入端 203 輸出端 204 電容器 205 電感耦合電漿蝕刻設備 206 電容器 207 導線 208 電容器 209 導線 210 電容器 211 導線 212 RF功率來源 213 導線 214 接地端 215 導線 216a 電容 216b 電容 217 導線 218 電容器 219 導線 220 電阻 221 電感 222 電容 1232515 圖式簡單說明 224 電感 2 2 Θ 電阻 2 2 8 RF駐波之一正振幅頂端（即波峰） 2 3 0 RF駐波之一負振幅頂端（即波谷） 232 節點 2 3 3 虛擬短路 240 RF功率來源 242 配合電路 300 徑向槽

3 0 2、31 0 螺栓 304 外部環 306 内部環 308 中心圓盤 312 連接框 314 連接間隔器 318 直線圈構件 3 2 2 彎曲線圈構件 326 交叉型線圈固定板

328、3 31、332、334、336、340、344、352、353 螺栓 330 支持彈簧蓋 338 輸入端 342 輸出端 354 箭頭 402 、 404 、 406 曲線

第30頁

Claims (1)

1232515 六、申請專利範圍 1 · 一種電感耦合電漿蝕刻設備，包含： 一反應室； 室窗具右Γ向:用以畨封該反應室之上端開口，該反應 二1内表面暴露於該反應室之内部區域； =金屬屏蔽，配置於該反應室窗之上； 且有-ί:诚配置於該金屬屏蔽之上且與其隔帛，該線圈 具有一輸入端、一輸出端、與一長度； 及一導電之分接頭’用以將該線圈連接至該金屬屏蔽； 控制電路，與該輸入端與輸出端 路被設置為供細功率至該輸入端，該控=路Π 容器與該輸出端電性連接，該電容器被設置整電 用：將該ί;屏蔽上的電壓控制在-接近零之電到 電壓位準的範圍之間'其中—選擇製程電壓位於 2. 如申請專利範圍第丨項之電感耦合電漿蝕刻設備， 其中該線圈更包含-RF駐波，該RF駐波 於該線圈的長度上。 ^即點位 3. 如申請專利範圍第2項之電感耦合電漿蝕 其中該導電的分接頭被配置為在基本上靠近—節點^晋 將該線圈連接至該金屬屏薇。 ·、 4. 如申請專利範'圍第3項之電感耦合電漿蝕刻設備， 其中該導電的分接頭更被配置為橫跨該線圈與該金 之間的最短直線距離。 菊所蚊 I酬

1^1 第31頁 !232515 、申5青專利範圍 复5=·如申請專利範圍第1項之電感耦合電漿蝕刻設備， 2,該，容器為一可變電容器，其被設置為具有一操作範 丄該操作範圍包含介於一最小電容值與一最大電容值之 間的電容值。 苴6」如 > 申請專利範圍第5項之電感耦合電漿蝕刻設備， 二可變電容器被設置為基本上趨近該最小電容值，在 1蔽上相對應的控制電壓基本上趨近於零電壓位 i tb I·如/印專利範圍第6項之電感耦合電漿蝕刻設備， ^ j可變電容器被設置，俾使該電容成比例相於該 屬屏蔽上之電壓。 8^如申凊專利範圍第5項之電感耦合電漿蝕刻設備， ^ s馬達驅動器，該馬達驅動器被設置為與該可變電 仏㈣e)，該馬達驅動器更被設置為控制該^ 申叫專利範圍第1項之電感輕合電漿姓刻設備 5了該電容器被用來控制該金属屏蔽上之電壓，二 副產物在該反應室窗之内表面上的沉積。質上避免韻刻 10.如申晴專利範圍第1項之電感耦合電漿钱 備，其中該控制電路更包含： ㈣刻a又 第二電谷器’與該線圈之輸入端電性連接； 電谷器 與該第二電容器電性連接，兮键一雷 容器用來接收RF功率； 孩弟二也

第32頁 1232515 、申請專利範圍 一第四 電容器 電容器電性連接 一接地端，與 申請專 11·如 備，更包含一絕緣 空間中。 12·如申請專 備’更包含一保護 表面。 13. 調整方法， 固定一 調式電容器 決定在 可調式電容 之一KF駐波 將該線 靠近該節點 調整該 電壓，該金 14.如 之法拉第屏 係藉著控制 式電容器接 種電感 包含： 可調式 接合至 該線圈 器固定 之節點 圈電性 之位置 可調式 屬屏蔽 申請專 蔽之電 一馬達合0 ’與該第一電容器、第二電容器、與第 ;及 該第一電容器與第四電容器電性連接。 利範圍第1項之電感耦合電漿蝕刻設 材質配置於該線圈與該金屬屏蔽之間的 利範圍第1項之電感耦合電漿蝕刻設 觀塾配置於實質上靠近該反應室窗之内 耦合電漿蝕刻設備之法拉第屏蔽之電壓 Ιί器之電容至接近零操作電容，該可 =感，合電漿蝕刻設備之一線圈； 2 一即點之位置，該節點對應於當該 •妾近零操作電容時，存在於該線圈上 連接至一金屬屏蔽，其連接位置實質上 ，·且電各态以得到在該金屬屏蔽上之一所需 上之所需電壓適合一餘刻製程。 利範圍第1 3項之電感麵合電漿钮刻設備 壓調整方法，其中調整該可調式電容器 驅動器來實施，該馬達驅動器與該可調 1232515 六、申請專利範圍 15. 如 之法拉第屏 監測該 性，該監測 調整該 壓，該金屬 16. 如 之法拉第屏 監測該 性，該電壓 調整該 壓，該金屬 17. 一 在一反應室 開口包含一 於該反應室 之外表面上 該金屬屏蔽 外表面之間 固定一 調式電容器 決定在 可調式電容 之一RF駐波 申請專 蔽之電 蝕刻製 包含偵 可調式 屏蔽上 申請專 蔽之電 飾刻製 之合適 可調式 屏蔽上 種電感 中進行 反應室 之内部 ’且一 Μ -隔 ’該方 可調式 接合至 該線圈 器固定 之節點 利範圍 壓調整 程以決 測一餘 電容器 之適當 利範圍 壓調整 程以決 性係基 電容器 之適當 耦合電 並用以窗，該 區域之 金屬屏 開之狀 法包含 電容器 該線圈 上之一 至接近 第13項 方法， 定該金 刻副產 以維持 電壓可第13項 方法， 定該金 於蝕刻 以維持 電壓可 漿蝕刻 餘刻一 反應室 内表面 蔽位於 態配置 之電感 更包含 屬屏蔽 物沉積 該金屬 避免蝕 之電感 更包含 屬屏蔽 製程之 該金屬 滿足蝕 製程之 晶圓’ 窗具有 ，一線 該反應 於該線 揭合電聚银刻没備 m 上之電壓的合適 之存在；且 屏蔽上之一適當電 刻副產物之沉積。 耦合電漿蝕刻設備 上之電壓的合適 要求； 屏蔽上 刻製程 實施方 且 之一適當電 之要求。 法，該製程 該反應室在一上端 一外表面與一暴露 圈位於該反應室窗 室窗之外表面上， 圈與該反應室窗之 之電谷至接近零操作電容，該可 喊點之位置，該節點對應於當該 零操作電容時，存在於該線圈上

1232515 六、申請專利範圍 將該線圈電性連接至該金屬屏蔽，其連接位置實質上 靠近該節點之位置； 調整該可調式電容器以得到在該金屬屏蔽上之一所需 電壓，該所需電壓適合該蝕刻製程；且 實施該姓刻製程。 1 8·如申請專利範圍第1 7項之電感耦合電漿蝕刻製程 之實施方法，其中該方法更包含·· 實施複數個蝕刻製程步驟，該複數個蝕刻製程步驟之 每一個可能需要不同之金屬屏蔽上之電壓；且 在蝕刻製程步驟之間調整該可調式電容器以得到該金 屬屏蔽上之所需電壓，該所需電壓適合一接下來的蝕刻製 程步驟。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之電感耦合電漿蝕刻製程 之實施方法，其中實施該複數個蝕刻製程步驟與在蝕刻製 程步驟之間調整該可調式電容器係依據一預定處理程式而 自動執行。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之電感耦合電漿蝕刻製程 之實施方法，更包含： 監測該反應室窗之内表面以偵測一蝕刻副產物之沉 積，該監測係在每一個複數個蝕刻製程步驟之中實施；且 自動控制該可調式電容器以控制該金屬屏蔽上之電 壓，該金屬屏蔽上所控制之電壓可避免蝕刻副產物更進一 步沉積於該反應室窗之内表面上。 21.如申請專利範圍第2 0項之電感耦合電漿蝕刻製程

第35頁 1232515 六、申請專利範圍 之實施方法，更包含： 卜f反應室窗之内表面以偵測一喷濺，該監測係在 母一個複數個蝕刻製程步驟之中實施；且 $，控制該可調式電容器以控制該金屬屏蔽上之電 l 屬屏蔽上所控制之電壓可避免該反應室窗之内 面上更進一步之噴濺。 22. 如申請專利範圍第17項之電感耦合電漿蝕刻製 之實施方法，更包含： 監測該反應室窗之内表面以偵測一蝕刻副產物之沉 積’該監測係在該餘刻製程中實施；且 自動控制該可調式電容器以控制該金 壓，該金屬屏蔽上所控制之電壓可避免蝕刻一 步沉積於該反應室窗之内表面上。 更進 23. 如申請專利範圍第17項之電感耦 之實施方法，更包含： 电求鄉沒』表柱 性 壓 監測該蝕刻製程以決定該金屬屏蘇 該電麗之合適性係基於飯刻=匕電壓的合適 調整該可調式電容器以維持該’且 該金屬屏蔽上之適當電逐可滿當電 之實施方法，更包含： 電水鍅刻I輊 監測該反應室窗之内表面以侦測一啥 該蝕刻製程中實施；且 、’，該監測係在 自動控制該可調式電容器以控制該金 利Θ至屬屏蔽上之電

Η 1232515 六、申請專利範圍 壓，該金屬屏蔽上所控制之電壓可避免該反應室窗之内表