CN103457118A - 一种装有垫片的射频线圈连接器 - Google Patents

一种装有垫片的射频线圈连接器 Download PDF

Info

Publication number
CN103457118A
CN103457118A CN2012101706643A CN201210170664A CN103457118A CN 103457118 A CN103457118 A CN 103457118A CN 2012101706643 A CN2012101706643 A CN 2012101706643A CN 201210170664 A CN201210170664 A CN 201210170664A CN 103457118 A CN103457118 A CN 103457118A
Authority
CN
China
Prior art keywords
connector
frequency coil
radio
radio frequency
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101706643A
Other languages
English (en)
Inventor
陈路桥
包中诚
陈超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN2012101706643A priority Critical patent/CN103457118A/zh
Publication of CN103457118A publication Critical patent/CN103457118A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)

Abstract

本发明公开了一种装有垫片的射频线圈连接器,包含:连接器,该连接器连接射频电缆与射频线圈,该连接器与射频线圈支撑座之间具有空隙;垫片,该垫片卡设在连接器与射频线圈支撑座之间。本发明能够防止射频线圈连接器产生电弧,从而避免拱顶温度错误。

Description

一种装有垫片的射频线圈连接器
技术领域
本发明涉及一种连接器,特别涉及一种装有垫片的射频线圈连接器。
背景技术
现有技术中,在设计时,射频线圈连接器具有一定的自由空间,但是,射频线圈连接器会随着时间的流逝而下垂,或者,射频线圈连接器会在等离子加工时被上拱顶温度控制单元(DTCU)压住,因此,如果射频线圈连接器和其下面的射频线圈支撑座的距离缩短,则会产生电弧。
发明内容
本发明的目的是提供一种装有垫片的射频线圈连接器,能够防止射频线圈连接器产生电弧,从而避免拱顶温度错误。
为了实现以上目的,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种装有垫片的射频线圈连接器,包含:
连接器,所述的连接器连接射频电缆与射频线圈,该连接器与射频线圈支撑座之间具有空隙;
垫片,所述的垫片卡设在连接器与射频线圈支撑座之间。
所述的垫片的材料为聚四氟乙烯。
本发明与现有技术相比,具有以下优点:
能够防止射频线圈连接器产生电弧,避免拱顶温度错误。
附图说明
图1为本发明一种装有垫片的射频线圈连接器的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图,通过详细说明一个较佳的具体实施例,对本发明做进一步阐述。
如图1所示,一种装有垫片的射频线圈连接器,包含:连接器1、垫片2。其中,连接器1连接射频电缆与射频线圈4,该连接器1与射频线圈支撑座3之间具有空隙;垫片2卡设在连接器1与射频线圈支撑座3之间,在本实施例中,该垫片2选用聚四氟乙烯,绝缘的同时保证了支撑强度,确保连接器1能够被该垫片2顶住。
当使用时,随着时间的流逝,连接器1会慢慢下垂,由于其下垂,会导致其与射频线圈支撑座3之间的空隙变小;或者,当进行等离子加工时,连接器1会被外部的上DTCU压住,也会使得连接器1与射频线圈支撑座3之间的空隙变小,由于这个空隙的减小,会产生电弧,该电弧的产生就会导致红外传感器的误报,从而导致拱顶温度错误。但是,由于垫片2的使用,从而保证了连接器1与射频线圈支撑座3之间的空隙保持不变,从而避免了电弧的产生,进而避免红外传感器误报所导致的拱顶温度错误。
综上所述,本发明一种装有垫片的射频线圈连接器,能够防止射频线圈连接器产生电弧,从而避免拱顶温度错误。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (2)

1.一种装有垫片的射频线圈连接器,其特征在于,包含:
连接器(1),所述的连接器(1)连接射频电缆与射频线圈(4),该连接器(1)与射频线圈支撑座(3)之间具有空隙;
垫片(2),所述的垫片(2)卡设在连接器(1)与射频线圈支撑座(3)之间。
2.根据权利要求1所述的装有垫片的射频线圈连接器,其特征在于,所述的垫片(2)的材料为聚四氟乙烯。
CN2012101706643A 2012-05-29 2012-05-29 一种装有垫片的射频线圈连接器 Pending CN103457118A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101706643A CN103457118A (zh) 2012-05-29 2012-05-29 一种装有垫片的射频线圈连接器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101706643A CN103457118A (zh) 2012-05-29 2012-05-29 一种装有垫片的射频线圈连接器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103457118A true CN103457118A (zh) 2013-12-18

Family

ID=49739219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101706643A Pending CN103457118A (zh) 2012-05-29 2012-05-29 一种装有垫片的射频线圈连接器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103457118A (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1672237A (zh) * 2002-07-31 2005-09-21 兰姆研究有限公司 用于调整带电的法拉第屏蔽上的电压的方法
JP2011252233A (ja) * 2011-07-15 2011-12-15 Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute 薄膜の成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1672237A (zh) * 2002-07-31 2005-09-21 兰姆研究有限公司 用于调整带电的法拉第屏蔽上的电压的方法
JP2011252233A (ja) * 2011-07-15 2011-12-15 Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute 薄膜の成膜方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王福贞,马文存: "《气相沉积应用技术》", 31 January 2007, article "射频离子镀", pages: 119-120 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012006361A3 (en) Ion wind fan designs
MY187684A (en) Copper alloy material for electrical and electronic components and method of preparing the same
CN103269559B (zh) 一种增强型微波液相放电等离子体发生装置
WO2009051834A3 (en) System, method and apparatus for creating an electric glow discharge
CN103457118A (zh) 一种装有垫片的射频线圈连接器
WO2010123260A3 (ko) 2 이상의 무선 통신 방식을 지원하는 프레임 구조를 이용하여 통신을 수행하는 방법
CN201682125U (zh) 一种微型电缆连接器
WO2012151096A3 (en) Vacuum insulated heat storage device
CN203056166U (zh) 大功率密封连接器
CN104424794A (zh) 一种数据传输设备及其数据传输方法
CN203136207U (zh) 碳纤维电加热管
CN204965372U (zh) 一种pcb组件
CN103536193B (zh) 电压力锅控制方法、装置及电压力锅
CN204558290U (zh) 一种母线型开关插座支架
CN202474673U (zh) 一种gis气体绝缘金属封闭开关用环氧套管上部电极
CN203135221U (zh) 具有熔断器的复合穿墙套管
CN201689846U (zh) 小型断路器的电磁系统
CN201937662U (zh) 新型手机
CN201673803U (zh) 一种110千伏高压六氟化硫气体绝缘电流互感器
CN107248481A (zh) 高压直流继电器
CN204216357U (zh) 一种射频连接器
CN205303699U (zh) 一种gis共箱母线与隔离开关的连接结构
CN201838505U (zh) 一种真空灭弧室
CN204536192U (zh) 一种带无线电通信装置的气相分子吸收光谱仪
CN205791179U (zh) 小型真空断路器环网柜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140521

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140521

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20131218