TWI231903B - Semiconductor memory device and information processing unit - Google Patents

Description

1231903 A7 〜-___B7_____ 五、發明説明（1 ) 本發明係有關於一種半導體記憶體裝置及資訊處理單元 ’更特別地，係有關於一種具有叢發模式的半導體記憶體 裝置及具有如此之一種半導體記憶體裝置的資訊處理單元 ’其中，數個位元的資料係響應於一外部命令來連續地以 5 區塊轉移。 (第一習知技術） 就寫入資料與讀取資料係沿著相同之資料匯流排流動之 所謂；[/〇共用的半導體記憶體裝置而言，該資料匯流排能 夠藉由設定是為在寫入命令之輸入與要被寫入之資料之寫 10 入之間之延遲時間的寫入潛伏（write latency)來被有效 地使用。 第34圖是為顯示在寫入潛伏未被設定之情況中如何轉 移資料的時序圖。 第34圖是為顯示在叢發長度為”2 n且寫入潛伏為π〇" 15 之情況中讀取-寫入-讀取（RD-wr-rd)週期的圖示。在這 例子中，一 RD命令係與在第34 (A)中所示之第零個時鐘 之前緣同步地輸入（見第34(B)圖）。就多數半導體記憶體 裝置而言，若干存取時間被要求在RD命令之輸入與資料到 匯流排之發送之間。在這例子中，如在第3 4 ( C)圖中所示 20 ，讀取資料Q1和Q2的位元係在第三個時鐘的前緣發送至 一資料匯流排，那就是說，當三個時鐘在該RD命令的輸入 之後過去時。 在讀取資料之位元被發送之後，一 WR命令係在第五個 時鐘的前緣被輸入。該寫入潛伏為"0Π，所以寫入資料D1 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ::..................裝： (請先閲讀背面之注念事項*^^4 頁) 、” .線丨 1231903 A7 . _______________ B7_ 五、發明説明（2 ) 和D2的位元係幾乎與該WR命令的輸入同時地經由該資料 匯流排輸入。 後面的RD命令係直接在該WR命令之後被輸入，因為 係有一個對應於在一 RD命令之輸入與資料到該資料匯流排 5 之發送之間之存取時間的延遲:存在而且該資料匯流排不會 與寫入資料和讀取資料擁擠。 如上所述，如果該寫入潛伏被設定為"〇"的話，從一 籲 RD命令至下一個RD命令的RD-RD週期時間是為六個時鐘 〇 10 第35圖是為顯示在叢發長度為"2"且寫入潛伏為11 3 π 之情況中之RD-WR-RD週期的圖示。在這例子中，一 RD 命令係與在第35(A)圖中所示之第零個時鐘之前緣同步地 被輸入（見第35(B)圖）。如上所述，就一半導體記憶體裝 置而言，若干存取時間被要求在一 RD命令之輸入與資料到 15 一匯流排之發送之間。在這例子中，讀取資料Q1與Q2的 位元係在第三個時鐘之前緣發送至該資料匯流排（見第 φ 35 (C)圖）。 如果寫入潛伏被設定的話，在一 WR命令之輸入與寫入 ' 資料之輸入之間係有一個延遲存在。因此，一 WR命令能夠 20 在讀取資料的發送之前被讀取。在這例子中，一 WR命令係 在第二個時鐘的前緣被輸入。 在該WR命令被輸入且對應於該寫入潛伏的時鐘（在這 例子中，三個時鐘）已過去之後’寫入資料被讀取。在這例 子中，寫入資料D1與D2的位元係在第五個時鐘的前緣被 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準A4规格（210X297公釐） •...................…裝.............……訂..................線· (請先閱#'背面之注*事項再填窩本頁)

I 1231903 五、發明說明（3 5 10 15 20 讀取。 後面的RD命令係直接在該WR命令之後被輪人 ，如上所述，係有一個對應於在一 RD命令之輸入與次 該資料匯流排之發送之間之存取時間的延遲存在而】二次 料匯流排不會與寫入資料和讀取資料擁擠。對應於這 令的讀取資料係在第六個時鐘的前緣被讀取。巧RD p 如上所述，如果該寫入潛伏被設定為"3"的話，從一 RD命令到下一個RD命令的RD-RD週期時間 。紝里 ^ X崎二個時鐘 、、，。果，與以上之寫入潛伏被設定為"〇"的情況比較起 RD-RD週期時間能夠被縮短三個時鐘。 (第二習知技術） 存貯單元交錯（Bank interleaving)是A甘； 用於實現對半導體記憶體裝置高速存取的技術/、 種 就存貯單元交錯技術而言，整個記憶體係被分割成數個 存貯單元並且被管理。當CPU開始存取其中一個存貯單元 時，它開始存取下一個要被存取的另一個存貯單元。在由 CPU所作之第一個存取結束之時，下一個由cpu存取的存 貯單元係處於資料準備被轉移的狀態。因此，該CPU能夠 在沒有延遲下轉移資料。 第36圖是為顯示習知存貯單元交錯之運作的時序圖。 第37圖是為顯示用於實現如此之存貯單元交錯之電路之例 子的圖示。 在第37圖中所顯示的CLK(時鐘）輸入端2〇1接收從 外部輸入的CLK訊號《 — CMD (命令）輸入端2〇2接收從外 ..............裝…… * - (請先K讀背面之注意事項再頁) 、：Γ丨 -線丨 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） T231903 A7 ___BT^________’ 五、發明説明（4 ) 部輸入的CMD訊號。一 ADD (位址）輸入端2〇3接收從外部 輸入的ADD訊號。 一 CLK輸入電路204把從該CLK輸入端201輸入的 CLK訊號供應到一 CMD輸入電路205、ADD輸入電路206 -5 、和叢發長度計數器2〇9。 該CMD輸入電路205對從該CMD輸入端202輸入的 CMD訊號執行波形成形並且將它供應到一 CMD解碼器2〇7 •。 該ADD輸入電路206對從該ADD輸入端203輸入的 10 ADD訊號執行波形成形並且將它供應到一叢發長度斷定電 路208、叢發位址產生電路210、及位址輸入電路211。 該CMD解碼器2 07把該CMD訊號解碼、從它那裡擷取 一 RD(讀取）命令、WR(寫入）命令、和NOP(無運作）命令 、及將它們供應到該叢發長度計數器2 0 9和位址輸入電路 15 2110 如果用於設定一叢發長度的命令在，例如，起動一裝置 φ 之時被輸入的話，該叢發長度斷定電路2〇8分析該命令並 且斷定該設定的叢發長度。 - 當該RD命令或WR命令被輸入且一叢發轉移係開始時 2〇 ’該叢發長度計數器2〇9重置該叢發位址產生電路210、 響應於該CLK訊號來計數該叢發長度、並且要求該叢發位 址產生電路210數完一叢發位址。再者，當該計數到達叢 發長度時’該叢發長度計數器2〇9要求該叢發位址產生電 路210結束產生叢發位址。 第7頁 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ......... .......^..................ΤΓ.................•線 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 1231903 A7 -—-~·-__Β7_____ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再5^14頁) 該位址輸入電路211引用從該CMD解碼器2 07供應的 CMD訊號而且，在叢發轉移開始之時，選擇從該ADD輸入 電路206供應的ADD訊號俾把它輸出作為内部位址；CADD 。再者’為了轉移該第二位元與後面較低次位元，該位址 5輸入電路211選擇來自該叢發位址產生電路210的輸出並 且把它輸出作為内部位址工ADE)。 現在’以上之習知存貯單元交錯的運作將會配合第36 圖作描述。 假設一裝置被起動、用於設定叢發長度的MRS(模式暫 10 存器設定）命令被輸入至該CMD輸入端202、及顯示要被 設定之叢發長度的資料被輸入至該ADD輸入端2〇3。然後 ’該CMD解碼器2〇7確認設定叢發長度的要求已作成且通 知叢發長度斷定電路208。 該叢發長度斷定電路208引用從該ADD輸入電路206 15 供應的負料並且斷定要被設定的叢發長度。例如，如果設 定叢發長度為M”的要求被作成的話，該叢發長度斷定電路 2 〇8確認它並且通知叢發長度計數器2 〇9。結果，叢發長 度的設定會被完成。 在這狀態中，假設要求具有預定之存貯單元作為目標之 20 叢發轉移的RD1命令（見第36 (B)圖）係在第36 (A)圖中所 示之CLK訊號的第零個前緣被輸入。然後，該CMD解碼器 207經由該CMD輸入電路205接收這訊號、確認一 RD命 令已被輸入、及通知位址輸入電路211與叢發長度計數器 209 ° 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） 1231903 A7 _____— —_ 五、發明説明（6 ) 該叢發長度計數器2〇9通知該叢發位址產生電路21〇 一叢發轉移的要求已作成，並且致使它設定該叢發轉移的 前導位址。 該叢發位址產生電路210響應於來自該叢發長度計數 5 器209的要求來從該ADD輸入電路206獲得該叢發轉移的 前導位址、響應於來自該叢發長度計數器209之數完的要 求來把一位址數完、及把它供應至該位址輸入電路211作 籲為叢發位址（BADD)。 該位址輸入電路211直接從該ADD輸入電路206獲得 10 該叢發轉移的前導位址並且把它輸出作為内部位址工add。 再者’為了轉移資料的第二位元與後面較低次的位元，該 位址輸入電路211選擇從該叢發位址產生電路210輸出的 BADD作為位址並且把它輸出作為内部位址工ADD。 資料的位元會從一串以這方式產生的位址讀取並且會連 15 續地被輸出至外部（見第36(C)圖）。 在以上的例子中，該叢發轉移係由該RD1命令要求。 Φ 因此，在預定的存取時間已過去之後，資料QU至Q14的 位元會從細胞（圖中未示）讀取並且被輸出。 • (第三習知技術） .20 要從半導體記憶體裝置讀取資料或者把資料寫入半導體 記憶體裝置’要被存取的位址必須被指定。 就具有叢發轉移模式的半導體記憶體裝置而言，僅指定 連續位址的前導位址會致使存取它們全部。 就具有叢發轉移模式的某些半導體記憶體裝置而言，要 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ................^................,可：................線 (請先閱汴背面之注意事項再填寫本頁) 1231903 A7 ______B7 五、發明説明（7 ) 被寫入之資料的叢發長度能夠被設定。第38圖是為用於描 述如此之半導體記憶體裝置之運作的圖示。它是假設這半 導體記憶體裝置的最大物理叢發長度為"4”。 假設一要求寫入的WR1命令（見第38(B)圖）被輸入且 5 VW=1 (叢發長度=1)(見第38(D)圖）係從一位址輸入端輸 出作為用於指定叢發長度的可變寫入（VW)訊號。在這情況 中，它們係與在第38(A)圖中所示之時鐘（CLK)訊號的第 零個前緣同步地被輸入。.. 然後，在對應於潛伏的時間（見第38 (C)圖）已過去之 10 後’資料D11至D14的位元係從該DATA輸入端讀取。在 這例子中，該叢發長度被設定為”1”，所以資料D11的位 元會僅被發送至内部資料匯流排#：[至#4中的内部資料匯流 排#1 (見第38 (E)至3β (H)圖）。 發送至内部資料匯流排#1之資料D11的位元被儲存於 15 預定之位址之預定的位元内。 當對應於存貯單元存取間隔的時間（見第38(引圖）在 該WR1命令被輸入之後已過去時，一 WR2命令係與該CLK 訊號的第二個前緣同步地被輸入。在對應於該潛伏的時間 已過去時’資料D21至D24的位元和vw=4被輸入。結果 20 ，資料D21至〇24的位元分別被發送至該等内部資料匯流 排#1至#4。以這方式發送至該等内部資料匯流排#1至#4 之資料D21至D24的位元係分別儲存於連續之位址之預定 的位元内。 當對應於存貯單元存取間隔的時間在該WR2命令被輸 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱沭背面之注意事項再 頁) 1231903 A7 _B7_ 五、發明説明（岔） 入之後已過去時，一 WR3命令和VW = 2被輸入。結果，資 料D31與D32的位元係分別被發送至該等内部資料匯流排 #1 與#2 〇 以這方式發送至該等内部資料匯流排#1與#2之資料 -5 D31與D32的位元係分別被儲存於連續之位址之預定的位 元内。 順便一提，在該第一習知技術中，叢發長度為”2”的情 • 況被描述作為例子。然而，在很多情況中，這值係能夠自 由地設定。 10 然而，叢發長度的改變能夠致使寫入潛伏之最佳值的改 變。習知地，寫入潛伏沒有伴隨叢發長度的改變而改變。 結果，叢發長度的改變能夠使得它不可能執行最佳的寫 入運作。 在該第二習知技術中，在一叢發轉移期間的中斷被致能 15 。那就是說，如果另一個命令係在叢發轉移期間被輸入的 話，在那個時間正被執行之命令的執行被停止俾可優先地 • 執行最後的命令。 這樣的具體描述係如下。假設在第36圖中所示的RD2 • 命令被輸入且一 RD3命令係在對應於該RD2命令之資料的 .20 轉移期間被輸入。在這情況中，當對應於該RD2命令之資 料Q22之位元的轉移被完成時，交錯被執行且對應於該 RD3命令之資料Q31之位元的轉移係開始。 然而，要允許如此的交錯，新近地輸入的命令亦必須在 叢發轉移期間被檢查。此外，如果叢發轉移的要求係作成 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ............^..............::、ΤΓ..................線 (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 1231903 A7 ---------B7_____ 五、發明説明（吁） 的話，選擇來自該ADD輸入電路206之ADD與來自該叢發 位址產生電路210之BADD中之一者的過程必須被執行。 這將會需要以上的斷定過程，其使得它不可能確保高速運 作之足夠的邊界。 5 此外，半導體記憶體裝置通常具有一具有對應於能夠被 設定之最大叢發長度之位元寬度的資料匯流排。例如，如 果該最大叢發長度為四個位元的話，那麼很多半導體記憶 體裝置具有一具有四個位元之寬度的資料匯流排。 順便一提，如果叢發長度被設定為四個位元的話，資料 10 應該在發送4_位元資料所需之時間期間（例如，2個時鐘） 被轉移。如果叢發長度係設定為兩個位元的話，資料應該 在發送2_位元資料所需之時間期間（例如，一個時鐘）被轉 移。因此，如果最小叢發長度被設定的話，係難以確保運 作的邊界，導致高速運作的不適當的結果。 15 在該第三習知技術中，就不少具有數個DATA輸入端的 半導體記憶體裝置而言，該DATA輸入端群組被分割成高次 的位元群組與低次的位元群組而且它們的叢發長度係彼此 獨立地設定。 在這些半導體記憶體裝置中，把資料僅寫入高與低次之 20 位元群組中之一者的要求能夠被作成。習知的半導體記憶 體裝置沒有禁止把資料寫入另一位元群組的裝置，所以不 需要資料會被寫入。 再者’當一第一寫入命令被輸入時，不少具有寫入運作 之潛伏的半導體記憶體裝置係在沒有把它寫入一細胞下保 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇><297公楚） .......................裝： (請先Κ#'背面之注意事項再^1^4 頁) 訂- •線· l23l9〇3 A7 ___B7__ 五、發明説明（ίσ ) 持資料。當一第二寫入命令被輸入時，它們把對應於該第 一寫入命令的資料寫入到一細胞。 如果測試被作成來檢查這些半導體記憶體裝置之寫入運 作是否正常的話，一寫入命令必須被發送兩次來使它們把 嫌 資料寫入到一細胞。如上所述，習知的半導鱧記憶體裝置 不具有禁止寫入資料的裝置。因此，依從該第一寫入命令 執行的寫入會與依從該第二寫入命令執行的寫入干擾。消 _ 除這干擾將使得該等測試麻煩。 本發明係在以上所述的背景環境下作成。那就是說，本 10 發明之目的是為提供一種能夠根據叢發長度來設定最佳寫 入潛伏的半導體記憶體裝置。 本發明之另一目的是為提供一種使高速運作可能的半導 體記憶體裝置。 本發明之又另一目的是為提供一種使資料能夠依位元群 15 組寫入到一細胞的半導體記憶體裝置。 為了解決以上的問題，一種具有叢發模式的半導體記憶 • 體裝置係由本發明提供，在該叢發模式中，數個資料的位 元係響應於一外部命令來連續地被轉移。這半導體記憶體 ‘ 裝置包含用於以叢發模式轉移資料的轉移裝置、用於設定 • 2〇 以叢發模式轉移之該數個資料之位元之數目的轉移數目設 定裝置、用於接收一輸入寫入命令的寫入命令輸入裝置、 用於測量在該寫入命令被輸入之後已過去之時間的計時裝 置、及用於根據由該轉移數目設定裝置所設定之資料之位 元之數目來5又疋在負料之寫入係開始之前過去之時間的寫 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ...........裝............-.....#..................線 (請先閱讀背面之注¾事項再填踣本頁) 1231903 A7 ^-------B7_ 五、發明^ ~"~'~""—一' 入開始時間設定裝置。 為了解決以上的問題，一種具有叢發轉移模式之具有數 個存貯單元的半導體記憶體裝置亦係由本發明提供，在該 5叢，轉移模式中，在預定之存貯單元中之數個資料的位= 5係藉由輸入一單一命令來被連讀地存取。這半導體記憶體 裝置包含用於接收被輸入之命令的命令輸入裝置、用於選 擇對應於該命令之預定之存貯單元的存貯單元選擇裝置、 用於就一個由該存貯單元選擇裝置所選擇作為一目標之存 貯單元來執行叢發轉移的叢發轉移裝置、及用於在叢發轉 1〇移由該叢發轉移裝置開始的情況中禁止該命令輸入裝置接 收被輸入之新之命令的命令輸入禁止裝置。 為了解決以上的問題，一種具有叢發轉移模式的半導體 記憶體裝置亦係由本發明提供，在該叢發轉移模式中，數 個i料的位元係藉由指定一個位址來被連續地轉移。這半 15導體記憶體裝置包含用於接收被輸入之位址的位址輸入裝 置、用於接收被輸入之數個資料之位元的資料輸入裝置、 用於執行經由該資料輸入裝置輸入之該數個資料之位元到 對應於經由該位址輸入裝置輸入之位址之細胞區域之叢發 轉移的叢發轉移裝置、用於接收由該叢發轉移裝置所指定 20之轉移長度的叢發轉移長度指定裝 置、及用於在"0"之叢發 轉移長度係由該叢發轉移長度指定裝置所指定的情況中限 制資料從該資料輸入裝置輸入的資料輸入限街裝置。 本發明之以上與其他目的、特徵和優點將會由於後面配 合作為例子之該等描繪本發明之較佳實施例之附圖的描述 第14頁 本紙張尺賴财_雜準^^Μ21〇Χ297ϋ) "~ -----;..................¥: (請先閱沐背面之注意事項再 頁) 訂· •線丨 1231903 A7 _B7_ 五、發明説明（A ) 而變得明顯。 第1圖是為用於描述本發明之運作原理的圖示。 第2圖是為用於描述在叢發長度為”2”且寫入潛伏為 ”3"之情況中之寫入運作的時序圖。 5 第3圖是為用於描述在叢發長度為”2"且寫入潛伏為 π4”之情況中之寫入運作的時序圖。 第4圖是為用於描述在叢發長度為”4”且寫入潛伏為 • π2”之情況中之寫入運作的時序圖。 第5圖是為用於描述在叢發長度為"2"且寫入潛伏為 10 Π2Π之情況中之寫入運作的時序圖。 第6圖是為顯示本發明之實施例之結構的圖示。 第7圖是為顯示在第6圖中所示之半導體記憶體裝置 之結構的圖示。 第8圖是為顯示在第7圖中所示之控制部份之結構的 15 圖示。 第9圖是為顯示在第8圖中所示之DS輸入作動斷定電 ^ 路之結構的圖示。 第10圖是為顯示在第9圖中所示之DFFs之詳細結構 '的圖示。 .20 第11圖是為用於描述在叢發長度為”2”之情況中，在 第6圖中所示之實施例中之運作的時序圖。 第12圖是為用於描述在叢發長度為”4”之情況中，在 第6圖中所示之實施例中之運作的時序圖。 第13圖是為用於描述在叢發長度為"211且WR命令被 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .....................^..................tr................绛 (請先閱讀背面之注意事項再填趑本頁) 1231903 A7 __ _B7_五、發明説明（A ) 連續地輸入之情況中，在第6圖中所示之實施例之運作的 時序圖。 第14圖是為用於描述在叢發長度為”4”且WR命令被 連續地輸入之情況中，在第6圖中所示之實施例之運作的 5 時序圖。 ^ 第15圖是為用於描述本發明之運作原理的圖示。 第16圖是為顯示本發明之實施例之結構的圖示。 第17圖是為顯示在第16圖中所示之控制部份之結構 的圖示。 10 第18圖是為顯示在第16圖中所示之I/O電路235之 詳細結構的圖示。 第19圖是為顯示在第16圖中所示之I/O電路24 5之 詳細結構的圖示。 第20圖是為顯示在第16圖中所示之實施例中之運作 15 之例子的時序圖。 第21圖是為用於描述在第18圖中所示之電路之運作 的時序圖。 第22圖是為用於描述在第19圖中所示之電路之運作 的時序圖。 20 第23圖是為顯示在第16圖中所示之實施例之另一種 類型之運作之例子的時序圖。 第24圖是為顯示在一中斷被致能之情況中被執行之運 作之例子的圖示。 第25圖是為用於描述本發明之運作原理的圖示。 第16頁 (請先K讀背面之注意事項再 -裝， 頁) •奸· 線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 B7 五、發明説明（/^ ) 5 10 15 20 第26圖是為顯示本發明之實施例之結構的圖示 第27圖疋為顯示在第26圖中所示之控制二 結構的圖示。 之詳細 第28圖是為顯示在從本發明之DATA輪入 料與儲存於一細胞中之資料之間之相對關係的圖示1入之資 第29圖是為用於描述本發明之實施例之運作的 第30圖是為顯示用於在叢發長度為〃2,,之情兄圖示。 一 vwu與VWL指派給行位址之方法之例子的圈中，把 第31圖是為顯示用於在叢發長度為〃4〃之情 一 VWU與指派給行位址之方法之例子的圈^〔中，把 第32圖是為顯示用於在叢發長度為"8"之情、、兄 一 VWU與VWL指派給行位址之方法之例子的圏^〔，把 第33圖是為顯示用於在叢發長度為〃 ls"之情況 一 vwu與VWL指派給行位址之方法之例子的囷示1 ，把 第34圖是為用於描述在寫入潛伏未被設定之情 習知半導體記憶體裝置之轉移運作之例子的時序囷。/ ， 第35圖是為用於描述在寫入潛伏被設定的情況中， 知半導體記憶體裝置之轉移運作之例子的時序圖。 第36圖是為顯示在第37圖中所示之習知存貯單_ 錯之運作的時序圖。 、几交 第37圖是為顯示用於實現習知存貯單元交錯之電路 例子的圖示。 第38圖是為用於描述習知半導體記憶體裝置之運作的 圖示，該習知半導逋記憶體裝置之要被寫入之資料的叢發 .........................裝：； (請先閱讀背面之注念事项再填寫本頁) •訂丨 :線· 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 1231903 A7 --_____ B7 五、發明説明（丨5 ) 長度能夠被設定。 本發明之實施例現在將會配合該等圖式作描述。 (第一實施例） 第！圖是為用於描述本發明之運作原理的圖示。如在 5第！圖中所示’本發明之半導體記憶趙裝置包含轉移裝置 1〇卜轉移數目設定裝置1〇2、寫入命令輸入裝置1〇3、計 時裝置1〇4、寫入開始時間設定裝置1〇5、及一儲存部份 106 〇 該轉移裝置101以叢發模式把資料轉移。 10 該轉移數目設定裝置1(^2設定以叢發模式轉移之資料 之位元的數目。 該寫入命令輸入裝置1〇3接收一輸入的寫入命令。 該計時裝置1〇4測量在該寫入命令被輸入之後已過去 的時間。 15 該寫入開始時間設定裝置105根據由該轉移數目設定 裝置1〇2所設定之資料之位元之數目來設定在資料之寫入 係開始之前過去的時間。 現在，在第1圖中執行的運作將會被描述。在叢發長 度與寫入潛伏之間的關係現在將會被簡潔地描述，然後， 20 在第1圖中執行的運作將會被描述。 (1)寫入潛伏的最佳值 第2圖是為用於描述在叢發長度為〃2〃且寫入潛伏為 "3〃之情況中，半導體記憶體裝置之運作的圖示。第3圖是 為用於描述在叢發長度為"2〃且寫入潛伏為"4〃之情況中， 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ........-...............裝：… (請先1¾¾背面之注¾事項冉頁) •訂- .線丨 1231903 A7 B7 五、發明説明（ί6 ) 5 10 15 20 其之運作的圖示。 就很多具有寫入潛伏的半導體記 入命令之輸入與資料之輸入之間係二裝置而言’在-寫 果，要在-寫人命令被輸人便開始寫有-時間間隔。結 因此，當把資料寫入-存貯單元的^作是不可能的。 ，僅輸入要被寫人之資料的運作在;;寫人命令被輸入時 之後輸入。在這情况中，實際㈣寫人潛伏被執行 时I㈣寫入運作會在下-次把資料寫入至相同之存貯單元之-寫人命令被輸人時被執行。 兩個把資料寫入相同之存貯單元之寫入命令的最短間隔 係對應於一半導體記憶體裝置之週期時間來被輸入。因此 ，對應於最後之寫入命令的所有資料必須在該週期時間内 被接收而且要使要被寫入之資料的潛伏比需要的長是不可 能的。 第2和3圖顯示在週期時間為"4 〃之情況中的寫入運作 。如果該寫入潛伏是為"3〃的話（見第2圖）’資料的輸入 會在約定的週期時間内完成（見（。因此，即使一寫入 命令係在該週期時間的過去之後馬上被輸入（見（B))，寫 入是有可能的。 然而，如果寫入潛伏為"4〃的話（見第3圖），所有之資 料的輸入將不會在該週期時間内完成（見（C))。因此’當 一寫入命令係在該週期時間的過去之後馬上被輸入時（見 (B))，寫入是不可能的。 這顯示就這半導體記憶體裝置而言，寫入潛伏無法被設 定到一個比"3 〃大的值。 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） .......................裝..................訂......................埠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1231903 A7 B7 五、發明説明（q ) 5 1〇 (2)在叢發長度與寫入潛伏之間的關係 第4圖是為用於描述在叢發長度為"4"且寫入潛伏為 "2,之情况中，半導體記憶體裝置之運作的圖示。帛5圖是 為用於描述在叢發長度為"2"且寫人潛 其之運作的圖示。 2 如=發長度為〃4〃的話（見第4圖），寫入潛伏必須比"2〃小或者等於，俾可在週期時間内完成所有資料的輸入 〇另一方面，如果叢發長度為"2〃且寫入潛伏被設定為"2”的話（見第5圖），RD-RD週期時間將會從〃 3〃延伸至 "4 ’’。 這顯不根據叢發長度係存在有寫入潛伏的最佳值。 根據以上的理由，在第i圖中的運作現在將會被描述 ............... 裝· · (請先K尊£ s S再 頁) 訂丨 15 20 •線· 如果該轉移數目設定裝置1〇2接收在外部設定之被轉 移之資料之位元的數目的話（那就是說，叢發長度），該設 定之數目係被提供至該寫入開始時間設定裝置105。 該寫入開始時間設定裝置105計算對應於從該轉移數 目設定裝置1〇2供應之被轉移之資料之位元之數目的寫入 開始時間（那就是說，寫入潛伏），並且把該轉移裝置101 設定至該值。如在第4圖中所示，例如，如果叢發長度為 "4〃的話，寫入潛伏會被設定為〃 2"。 在這狀態中，假設一寫入命令被輸入至該寫入命令輸入 裝置103。然後，該寫入命令輸入裝置1〇3通知轉移裝置 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） 1231903 A7 _______B7____ 五、發明説明（fg ) 101和計時裝置1〇4。 該計時裝置1〇4測量在該寫入命令被輸入之後已過去 的時間’並且通知轉移裝置1 〇工。 該轉移裝置101引用該計時裝置104通知它的時間。 5 當在該寫入命令被輸入之後已_過去的時間變成與該寫入開 始時間設定裝置1〇5通知它的時間相等時，該轉移裝置 101開始把資料轉移到該儲存部份1〇6。結果，最佳的寫 ® 入開始時間會根據被轉移之資料之位元的數目來被設定。 如上所述，在本發明中，當一寫入命令被輸入時，資料 10 的位元係在根據要被轉移之資料之位元之數目來等待預定 的時間之後被轉移到該儲存部份106。這樣致使根據被轉 移之資料之位元之數目的最佳轉移。 本發明的一實施例現在將會被描述。 第6圖是為顯示本發明之資訊處理單元之一實施例之 15 結構的圖示。如在第6圖中所示，本發明的資訊處理單元 包含一中央處理單元（CPU) 110、一控制單元12〇、一半導 φ 體記憶體裝置130、及一匯流排14 0。 藉由執行儲存於該半導體記憶體裝置13〇内的各種程 式等等，該CPU 110控制該單元的每一部份並且執行各種 β20 運作。 該控制單元12〇控制該半導體記憶體裝置13〇之關於 設定叢發長度、恢復、等等的運作。 在該控制單元12〇的控制之下，該半導體記憶體裝置 13〇儲存從該CPU 110供應出來的資料並且把其之儲存資 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） -----------------------裝：...........……、玎..................線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1231903 A7 -----Ξ__一^^ 五、發明說明（4 ) 料提供給該CPU 110。 •- (請先fsti背面之注意事項再4^4頁 該匯流排140把來自該CPU 110的資料供應到該半導 體記憶體裝置130並且把來自該半導體記憶體裝置130的 資料供應到該CPU 110。 5 第7圖是為顯示在第6圖中所示之半導體記憶體裝置 13 0之詳細結構的圖示。 如在第7圖中所示，該半導體記憶體裝置130包含一 控制部份131、一細胞132、一列解碼器133、一行解碼 器134、一感應放大器（SA) 135、及一輸入-輸出（I/O)電 工〇 路136。 該控制部份131輸入一時鐘（CLK)訊號、命令（CMD) 訊號、位址（ADD)訊號、資料選通（DS)訊號與DATA訊號 並且把它們提供給該裝置的每一部份。此外，該控制部份 131在寫入的情況中以預定的時序讀取資料。再者，在讀 15 取的情況中，該控制部份131從一預定的位址讀取資料並 且把它輸出。 該細胞132包括一組被排列像一矩陣的儲存元件並且 儲存輸入資料。 該列解碼器133根據一列位址來指定該細胞I32中之 20 預定的列。 該行解碼器I34根據一行位址來指定該細胞132中之 預定的行。 該SA I35以預定的增益把從該細胞I32讀取出來的 訊號放大並且把它轉換成數位訊號。 第22頁

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱T 1231903 A7 ____ Β7 五、發明説明（) 該工/0電路136控制關於把資料輸入與輸出的運作。 第8圖是為顯示在第7圖中所示之控制部份131之詳 細結構的圖示。 如在第8圖中所示，該控制部份131包含一 CLK輸入 5 端 131a、一 CMD 輸入端 1311?、一 ADD 輸入端 131c、一 DS輸入端I31d、一 DATA輸入-輸出端i31e、一 CLK輸 入電路131f、一 CMD輸入電路13lg、一 ADD輸入電路 _ 131h、一 DS輸入作動斷定電路13li、一 DS輸入電路 131j、一 DATA輸入電路131k、一 CMD解碼器131m、及 10 一叢發長度斷定電路131η。 該CLK輸入端131a接收一 CLK訊號輸入。該CMD輸 入端131b接收一 CMD訊號輸入。該ADD輸入端131c接 收一 ADD訊號輸入。該DS輸入端131d接收一 DS訊號輸 入。該DATA輸入-輸出端131e接收一 DATA訊號輸入並 15 且輸出一 DATA訊號。 該CLK輸入電路l3lf包括一緩衝器等等並且把從該 φ CLK輸入端131a輸入的CLK訊號提供到該CMD輸入電路 131g、ADD輸入電路131h、及DS輸入作動斷定電路 - 131i ° .20 與該CLK訊號同步，該CMD輸入電路131g獲得從該 CMD輸入端131b輸入的CMD訊號並且把它提供到該CMD 解碼器131m。 與該CLK訊號同步，該ADD輸入電路l：31h獲得從該 ADD輸入端131C輸入的ADD訊號並且把它供應到該叢發 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ..........裝.................、ΤΓ..................綠 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 1231903 A7 __ _ _B7__ 五、發明説明（21 ) 長度斷定電路131η。 當一 WR訊號從該CMD解碼器131ΤΠ輪出時，該DS輸 入作動斷定電路l；31i根據由該叢發長度斷定電路l31n所 斷定的叢發長度（BL)來等待一預定的寫入潛伏而然後使_ 5 資料選通致能（DSE)訊號作動。 當從該DS輸入作動斷定電路131i供應出來的dSE訊 號變成作動時，該DS輸入電路131 j從該DS輸入端13 Id 輸入該DS訊號並且把它提供到該DATA輸入電路131k。 當該DS訊號係從該DS輸入端l3lj供應時，該data 10 輸入電路131k從該DATA輸入-輸出端l3le輸入資料並 且把它供應到在第7圖中所示的I/O電路136。 該CMD解碼器l3lm把從該CMD輸入電路i31g輸入 的CMD訊號解碼。如果它是為寫入（WR)命令的話，那麼， 該CMD解碼器131τη把它供應到該DS輸入作動斷定電路 15 l3li。如果它是為一個設定叢發長度的命令（叢發長度設 定命令）的話，那麼，該CMD解碼器l：31m把它供應到該叢 發長度斷定電路131η。 當該叢發長度設定命令係從該CMD解碼器i3lm供應 時’該叢發長度斷定電路131η藉由參考從該add輸入電 2〇 路131h供應的資料來斷定該叢發長度並且把它供應至該 DS輸入作動斷定電路I31i。 第9圖是為顯示在第8圖中所示之DS輸入作動斷定電 路l3li之詳細結構的圖示。如在第9囷中所示，該DS輸 入作動斷定電路l3li包含資料正反器（DFF) 15 0至15 6、 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .................-......裝—— ϊ I (訧先IVC?;'竹ffi;之注t寧項冉^^^頁) •打丨 .線· 1231903 A7 B7 五、發明説明（22 ) 5 10 15 20 NOR元件157至163、及反相器164至ι66。 與一 CLK訊號的後緣同步，該等DFFs 15 0至15 6中 之每一者把一個從在先前之級之電路輸出的訊號輸出到在 後面之級的電路。 第10圖是為顯示該等DFfs 150至156之結構的圖 示。如在第10圖中所示，該等DFFs 15〇至156包含反 相器iso至I84與互補金屬氧化半導體（CM0S)開關 185 與 186 〇 如在第10圖中所示，該反相器180把一 CLK訊號反 相並且把結果供應到該等CMOS開關185與I86。 當該CLK訊號改變至"H"狀態時，該CMOS開關I85 變成〇N狀態並且把一輸入訊號供應到該反相器1S1。 當該CLK訊號改變成"L”狀態時，該cM〇S開關186 變成〇N狀態並且把來自該反相器181的輸出提供到該反 相器183 。 該反相器181把來自該CMOS開關185的輸出反相並 且把結果供應到該CMOS開關18 6。 該反相器182把來自該反相器181的輸出反相並且把 結果回饋到該反相器181的輸入。 該反相器183把來自該CMOS開關1β6的輸出反相並 且把結果輸出。 該反相器184把來自該反相器183的輸出反相並且把 結果回饋到該反相器183的輸入。 回到第9圖，該NOR元件157把藉由將Ν2(來自該 第25頁 _______ ..................^.................ΤΤ................線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 1231903 A7 B7_____ 五、發明説明（22)) DFF 151的輸出）與ΚΓ8(來自該NOR元件158的輸出）之 邏輯總和反相來獲得的N7提供到該NOR元件162。 該NOR元件158把藉由將N7(來自該NOR元件157 的輸出）與N6(來自該DFF 155的輸出）之邏輯總和反相來 5 獲得的結果供應至該NOR元件.157作為N8。 -裝- 該NOR元件159把藉由將N3(來自該DFF 152的輸 出）與N10 (來自該NOR元件160的輸出）的邏輯總和反相 來獲得的結果輸出作為N9。 該NOR元件160把藉由將N9(來自該NOR元件159 10 的輸出）與N5 (來自該DFF 154的輸出）之邏輯總和反相來 獲得的結果供應到該NOR元件159作為N10。 訂· 該NOR元件161把藉由將N9(來自該NOR元件159 的輸出）與來自該反相器164之輸出之邏輯總和反相來獲得 的結果供應至該NOR元件163作為Nil。 15 該N〇R元件162把藉由將N7 (來自該NOR元件157 .線· 的輸出）與來自該反相器165之輸出之邏輯總和反相來獲得 的結果供應至該NOR元件163作為N12。 該NOR元件163把藉由將Nll(來自該NOR元件161 的輸出）與N12 (來自該NOR元件162的輸出）之邏輯總和 20 反相來獲得的結果輸出。 該反相器166把藉由將來自該n〇R元件163之輸出反 相來獲得的結果供應到該DS輸入電路131j作為一 DSE訊 號。 現在’以上實施例中的運作將會被描述。 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 1231903 A7 _ B7____ 五、發明説明（) 當在第6圖中所示的資訊處理單元被起動時，該控制 單元120把一叢發長度設定命令供應至該半導體記憶體裝 置130俾設定叢發長度。 如果叢發長度被設定為”2，’的話，例如，該控制單元 5 12〇把叢發長度設定命令供應吳半導體記憶體裝置13〇的 CMD輸入端131b。 該CMD解碼器131m經由該CMD輸入電路131g獲得 ^ 該叢發長度設定命令並且偵測設定該叢發長度的要求被作 成。 10 然後，該控制單元120把表示是為叢發長度將會被設 定之值之”2”的資料供應到該ADD輸入端13 1C。 該叢發長度斷定電路131η經由該ADD輸入電路13 lh 輸入這資料、斷定該叢發長度為”2”、並且通知該DS輸入 作動斷定電路131i BL = 2。再者，該CMD解碼器131m設 15 定該I/O電路136以致於該叢發長度會是”2”。 現在設定叢發長度已完成。 • 在以上述形式設定為"2"之叢發長度的情況中之用於把 資料寫入的運作現在將會配合第11圊作描述。 當在第11 (A)圖中所示之CLK訊號的輸入係開始且一 20 WR命令（見第11 (B)圖）係在第11 (A)圖中所示之第零個 前緣從該CMD輸入端131b輸入時，該CMD輸入電路 131g把這WR命令供應至該CMD解碼器131m。 藉由把從該CMD輸入電路l3lg供應的命令解碼，該 CMD解碼器131m偵測該WR命令被提供，並且把一 WR訊 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公¢) ^------------------ΤΓ..................線 ^K之注*事項冉蜞趑本頁) 1231903 A7 —^ _B7_— 五、發明説明（25 ) 號供應到該DS輸入作動斷定電路13 li(見第11(C)圖）。 當該WR訊號被提供時，在該DS輸入作動斷定電路 13li内之該等DFFs 150至156中的每一者與該CLK訊 號的後緣同步地把該WR訊號閂鎖並且依序地把輸出提供到 5 在後面之級的電路。結果，分別從該等DFFs 150至156 輸出的N1至N6是為各依序地延遲一個時鐘週期的WR訊 號（見第11 (D)至11 (I)圖）。 .裝· 訂· 該叢發長度被設定為"2"，所以在第9圖中所示的BL2 訊號與BL4訊號係分別處於"H"與"L"狀態。因此，來自該 1〇 反相器164的輸出是為"L"而來自該反相器165的輸出是 為"Hn。結果，僅僅來自該NOR元件161的輸出會被供應 到該NOR元件163。那就是說，如果叢發長度已被設定為 π2η的話，該等NOR元件159,160,及161被選擇而且由 它們所產生的訊號被輸出作為一 DSE訊號。 15 更具體地，當N3(來自該DFF 152的輸出）改變成該 線· ΠΗΠ狀態時（見第11 (J)圖），N9 (來自該NOR元件159的 輸出）變成，，L，，狀態。結果，N10 (來自該NOR元件160的 輸出）與Nll(來自該NOR元件161的輸出）變成"H"狀態（ 見第11 (K)與11 (L)圖）。 20 當Nll(來自該NOR元件161的輸出）改變成"H"狀態 時，來自該NOR元件163的輸出變成"L"狀態。結果’從 該反相器166輸出的一 DSE訊號變成"H"狀態（見第11 (M) 圖）。 如在第11(N)圖中所示，當該DSE訊號改變成"H”狀 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 _B7___ 五、發明説明（26 ) 態時，該DS輸入電路131j從該DS輸入端131d輸入一 DS訊號並且把它供應至該DATA輸入電路131k。 如在第11(0)圖中所示，該DATA輸入電路131k從該 DATA輸入-輸出端131e輸入資料並且把它供應至該I/O 5 電路136。供應至該I/O電路:136的資料會被寫入至下一 次一 WR訊號被供應的細胞13 2。 當N5(來自該DFF 154的輸出）改變成"H"狀態時（見 • 第11(H)圖），N10(來自該NOR元件160的輸出）變成 nL”狀態（見第11 (K)圖）。當N10變成”L"狀態時，N9 ( 10 來自該NOR元件159的輸出）改變成"H"狀態（見第11 (J) 圖）。 當N9改變成"H"狀態時，Nil (來自該NOR元件161 的輸出）變成"L”狀態（見第11 (L)圖）。結果，該DSE訊 號改變成”!^狀態（見第11(M)圖）。 15 當該DSE訊號改變成"L”狀態時，來自該DS輸入電路 131 j之DS訊號的輸入被完成。 藝結果，在被設定為”2"之叢發長度的情況中，寫入潛伏 會被設定為”3”且轉移運作將會被執行。 請參閱第12圖所示，叢發長度被設定為”4”的情況現 20 在將會被描述。 當在第6圖中所示的資訊處理單元被起動時，該控制 單元12〇把一設定叢發長度為”4”的命令供應到該半導體 記憶體裝置13 0的CMD輸入端131b。 該CMD解碼器131m經由該CMD輸入電路131g獲得 第29頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝..................訂..................線 (詩先^^牝面之注*寧項再填u'本頁) 1231903 A7 ____E______ 五、發明説明（Μ ) 該叢發長度設定命令並且偵測設定叢發長度的要求被作成 Ο 然後，該控制單元120把表示是為要被設定之叢發長 度之值之”4”的資料供應到該ADD輸入端13 1C。 5 該叢發長度斷定電路131η.經由該ADD輸入電路13 lh 輸入這資料、斷定該叢發長度是為π4"、並且通知該輸 入作動斷定電路131i BL=4。再者，該CMD解碼器131m 設定該I/O電路136以致於該叢發長度會為Π4"。 現在，叢發長度的設定已被完成。 10 請參閱第12圖所示，在叢發長度為，·4"之情況中之用 於把資料寫入的運作現在將會被描述。 當在第12(A)圖中所示之CLK訊號的輸入係開始且一 WR命令（見第12(B)圖係在第12(A)圖中所示之第零個前 緣從該CMD輸入端131b輸入時，該CMD輸入電路131g 15 把這WR命令供應到該CMD解碼器ι31τπ。 藉著把從該CMD輸入電路131g供應的命令解碼，該 CMD解碼器i31rn偵測該WR命令被提供，並且把一 WR訊 號供應到該DS輸入作動斷定電路I31i (見第12 (C)圖）。 當該WR訊號被提供時，在該DS輸入作動斷定電路

20 131i内之該等DFFs 150至156中的每一者係與該CLK 訊號之後緣同步地把該WR訊號閂鎖並且依序地把輸出供應 至後面之級的電路。結果，從該等DFFS 150至156輸出 的N1至N6是為各依序被延遲一個時鐘週期的WR訊號（見 第12 (D)至12 (工）圖）。 第30頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .•裝： 頁) 訂· 線丨 1231903 A7 B7 五、發明説明（2$) 該叢發長度被設定為，,4，，，所以在第9圖中所示的一 BL2訊號與BL4訊號係分別處於，1["與’^’狀態。因此，來 自該反相器164的輸出是為ΠΗ”而來自該反相器1SS的輪 出是為，，L”。結果，僅僅來自該NOR元件I62的輸出會被 5 供應到該NOR元件163。那鱿是說，如果叢發長度已被設 定為1,4,1的話，該等NOR元件157,158,及162被選擇而 •裝· 且由它們所產生的訊號被輸出作為一 DSE訊號：° 泰更具體地，當N2(來自該DFF 151的輸出）改變成該 "H”狀態時（見第12 (J)圖），N7 (來自該NOR元件157的 10 輸出）變成"L”狀態。結果，N8 (來自該NOR元件158的輸 出）與N12 (來自該NOR元件162的輸出）變成"H,,狀態（見 第 12(K)與 11(L)圖）。 當N12 (來自該NOR元件162的輸出）改變成"H"狀態 時，來自該NOR元件163的輸出變成nLn狀態。結果’從 15 該反相器166輸出的一 DSE訊號變成"H"狀態（見第12 (M) •線· 圖）。 馨 如在第12(N)圖中所示，當該DSE訊號改變成"…狀 態時，該DS輸入電路I31j從該DS輸入端13ΐά輸入一 DS訊號並且把它供應至該DATA輸入電路131k ° 20 如在第12 (〇）圖中所示，該DATA輸入電路I3 lk從該 DATA輸入-輸出端I31e輸入資料的四個位元並且把它們 供應至該I/O電路13 6。供應至該：T/Ο電路I36之資料的 四個位元會被寫入至下一次一 WR訊號被供應的細胞132 ° 當N6(來自該DFF 155的輸出）改變成，,Ηπ狀態時（見 第31頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 1231903 A7 ___B7_ 五、發明説明（叫） 第12 (H)圖），N8 (來自該NOR元件158的輸出）變成nL” 狀態（見第12 (K)圖）。當N8變成”L”狀態時，N7 (來自該 NOR元件157的輸出）改變成”H”狀態（見第12 (J)圖）。 當N7改變成"Ηπ狀態時，N12 (來自該NOR元件162 5 的輸出）變成nLn狀態（見第(L)圖）。結果，該DSE訊 號改變成nL”狀態（見第12(M)圖）。 當該DSE訊號改變成”L”狀態時，來自該DS輸入電路 131j之DS訊號的輸入被·完成。 頁) 結果，在被設定為”4”之叢發長度的情況中，寫入潛伏 10 會被設定為"2”且轉移運作將會被執行。 請參閱第13圖所示，在叢發長度為”2”且WR命令被 連讀地輸入之情況中的運作現在將會作描述。 當一第一 WR命令被輸入時，以上所述之相同的運作被 執行而且D11和D12被轉移。 15 在它們被轉移之後，N5 (來自該DFF 154的輸出）變成 •’L”狀態。N3 (來自該DFF 152的輸出）幾乎與它同時地變 成1·!·!1’狀態，所以一 DSE訊號保持"H"狀態。結果，D21和 D22將會在沒有該DSE訊號被重置下被連續地輸入。 因此，如果WR命令係連續地被輸入的話，資料的位元 20 會被連續地輸入。 請參閱第14圖所示，在叢發長度為"4”且WR命令被 連續地輸入之情況中的運作現在將會作描述。 當一第一 WR命令被輸入時，以上所述之相同的運作被 執行而且D11至D14被轉移。 第32頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 _B7____ 五、發明説明（SO) 在它們被轉移之後，N6(來自該DFF 155的輸出）變成 ，，L·，狀態。N2 (來自該DFF 151的輸出）幾乎與它同時地變 成”H”狀態，所以一 DSE訊號保持”11”狀態。結果，D21至 D24將會在沒有該DSE訊號被重置下被連續地輸入。 5 如上所述，在本發明的實砗例中，寫入潛伏係根據叢發 長度來被設定。因此，藉由根據叢發長度來設定最佳的潛 伏，資料能夠被有效地轉移。 _ 在以上的實施例中，叢發長度為"2"和"4"的情況業已 被描述。然而，本發明當然亦可應用於其他的情況。 10 此外，在以上的實施例中，寫入潛伏係根據叢發長度來 被設定。然而，寫入潛伏可以藉由，例如，把一個與叢發 長度無關之固定值與一個根據叢發長度來決定之值相加來 被計算。那就是說，寫入潛伏不僅與叢發長度有關而且亦 與用於讀取的存取時間有關。因此，寫入潛伏可以藉由把 15 這存取時間考量為固定且藉由把根據叢發長度改變之時間 加入這固定時間來被計算。這會使得寫入潛伏的計算變得 • 容易。 再者，在以上的實施例中，根據叢發長度的寫入潛伏係 由在第9圖中所示的電路產生。然而，這方法是一個簡單 2 0 的例子。本發明當然不受限於单单如此之^一個情況。例如 ，準備一個把叢發長度與寫入潛伏聯結的轉換表並且利用 這轉換表根據叢發長度來選擇寫入潛伏是有可能作為另一 個實施例。 (第二實施例） 第33頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------^..................ΤΓ..................線 (梵先K^lrny之注恕事¾冉填筘本頁) 1231903 10 15 20 五、發明説明（3> l ) 第15圖是為用於描述本發 1S圖中，命令輸入裝置3〇〇接一，作原理的圖示。在第 存貯單元選擇裝置3〇1從一I 外部輸入的命令。 一個對應於該命令之預定的存貯單貯單疋群組3〇4中選擇 叢發轉移裝置302以由兮广 : 擇之存貯單元作為目標來執行叢發::選擇裝置3G1所選 當該叢發轉移裝置302開始叢。 止裝置禁止該命令輸入裝置3〇〇接 ^時’命令輸入禁 該存貯單元群組304是為一組命令輸入。 像矩陣之儲存元件之細胞、一列解^ ~具有數個被排列 一感應放大器的存貯單元。_ 15、一行解碼器、及 選擇裝置310所選擇之存貯單元作為ΓίΓ被由Γ存貯單元 現在，在第15圖中的運作將會作描述。 假設-RD命令，例如，係從料令輸 及假設以一預定之存貯單元作為目標執行叢 被作成。然後，該存貯單元選擇參置^最發轉移的要求 組⑽中選擇適當的存貯單元裝置301從該存貯單元群 該叢發轉移裝置302以由該存貯單元選 選擇的存貯單元作為目標來執行叢 " 斤 叢發轉移裝…該預定的存=:區== 資料的位元並且把它們輸出到外部。 纟也讀取數個 當該叢發轉移裝置302開始叢發轉移時 止裝置如禁止該命令輸入裝置3。。輸人命令二H 命令輸人裝置在妓發轉移被完叙前殘人新的^ 第34頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） .裝· ，、句· :線· 1231903 A7 —----- —___B7___— 一 五、發明説明（义>) 令。這樣致使可以省卻把一命令解碼的過程。結果，運作 的邊界能夠破確保而且縱使在高速運作之時，穩定的運作 能夠被實現。 如上所述，就本發明的半導體記憶體裝置而言，輸入一 5命令在叢發轉移期間係被禁止·。這樣致使省卻把一命令解 碼的過程。因此，運作的邊界㈣被料而且即使在高速 運作之時，穩定的運作能夠被期待。 . I發明t一實施例現在將會作描述。 第16圖是為顯示本發明之實施例之結構的圖示。如在 10第I6圖中所示，本發明之半導體記憶體裝置包含一控制部 份220、存貯單元A 23〇、及存貯單元b 240。該存貯單 元A 23 0包括一細胞231、一行解碼器232、一列解碼器 233、一感應玫大器（sa)234、及一輸入-輸出（1/〇）電路 235 °類似地，該存貯單元B 240包括一細胞241、一行 15 解碼器242、一列解碼器243、一 SA 244、及一工/o電 路 245 ° 瞻該控制部份22〇輸入一 CLK訊號、CMD訊號、ADD訊 號、DATA訊號等等，並且把它們供應到該裝置的每一部份 。此外’在轉移資料的情況中，該控制部份220選擇一預 20 定的存貯單元並且從其那裡讀取資料或者把資料寫入到其 那裡。 在該存貯單元A 230内的細胞231包括一組被排列像 矩陣的儲存元件並且儲存資料輸入。 該列解碼器233在輸入或者輸出資料的情況中根據一 第35頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210><297公釐） .......................參..................ir-........-........線 (^^K^^ffi;之注¾事項再蜞趑本頁) 1231903 五、發明説明（3b 列位址來指定該細胞231中之一預定的列。 I行解碼器232在輪入或者輸出資料的情況 行位址來指定該細胞231中之一預定的行。 根據一 ^ 、234以預疋的增益把從該細胞231讀取山來 訊號放大並且把它轉換成數位訊號。 *來的 該I/O。電路235控制關於輸入與輸出資料的運作。 心1存貯早24Q的結構係與該存貯單元& 230的沾 目同’所以該存貯單元B 24G的描述將會被省略。 ，第17圖是為顯示在第16圈中所示之控制部份u 詳細結構的圖示。 之 一 CLK輸入端201接收從外部輸入的一 clk訊號。一 CMD輸入端202接收從外部輸入的—⑽訊號。—咖 入端2〇3接收從外部輸入的一 ADD訊號。 一 CLK輸入電路2〇4對從該CLK輸入端2〇1輸入的 CLK訊號執行波形成形並且把它供應到一 CMD輸入電路 2〇5、ADD輸入電路2〇6、與叢發長度計數器2〇9。 該CMD輸入電路2〇5對從該cmd輸入端2〇2輸入的 CMD訊號執行波形成形並且把它供應到一 CMD解碼器 〇 5 10 15 20 該ADD輸入電路206對從該ADD輸入端203輸入的 ADD訊號執行波形成形並且把它供應到一叢發長度斷定電 路 208 0 如果從該叢發長度計數器209供應出來的致能訊號係 處於ΠΗ”狀態的話，該CMD解碼器2 07從該CMD輸入電路 第36頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） •裝， Μ

Trj 訂丨 •線. 1231903 A7 _____B7 五、發明說明（34) ~ 、〜 2〇5獲得該CMD訊號、把它解碼、擷取一 RD命人 令、並且把它們供應到該叢發長度計數器2〇9。只命 叢發長度計數器2〇9供應出來的致能訊號不是處於果彳文該 , 態的話，該CMD解碼器207不獲得該cmd訊號。、”卟狀 * 5 如果設定叢發長度的一命今係在，例如，起動款 時被輸人的話，該叢發長度斷定電路20S分析該= 斷定被設定的叢發長度。 7 • 如果一 RD命令或WR命令被輸入且一叢發轉移被開始 的話，該叢發長度計數器2〇9作出重置一叢發位址的要求 10 、與該CLK訊號同步地計數一叢發長度、並且要求一叢發 位址產生電路25〇數完一叢發位址。再者，當一叢發轉移 係词始時，該叢發長度計數器209把一致能訊號改變成 狀態並且禁止獲得新的命令。 一位址輸入電路251對從叢發位址產生電路供應出來 15 的叢發位址BADD執行波形成形並且把它輸出作為一内部位 址工ADD。 籲 第18圖是為顯示在第16圖中所示之1/〇電路235之 結構的圖示。如在第18圖中所示，該I/O電路23 5包括 反相器260至265、一 NOR元件266、CMOS開關267和 20 268、包括一 NOR元件與反相器的〇R元件270至273、 包括一 NAND元件與反相器的AND元件274至277、及 M〇S開關280至287與290至297 ° 該反相器260把一個在叢發長度為”4"之情況中會變成 "H"狀態的BL4訊號反相，並且把結果供應到該等AND元 第37頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） !23l9〇3

發明說明（35 ) 件 274 與 275。 該NOR元件把該BL4訊號與〆RD/WR訊號之邁 輯總和反相並且把結果供應到反相器261與CMOS開關 26 7 和 268。 5 10 15 20 該反相器261把來自該NQR元件266的輸出反相並且 把結果供應到該等CMOS開關267和268 ° 如果來自該NOR元件266的輸出為·,Η"的話’該CM〇S 開關267變成ON狀態。 該反相器2 62把來自該CMOS開關267的輸出反相生 且把結果供應到該CMOS開關268。該反相器263把來自 該反相器262的輸出反相並且把結果回饋到該反相器262 的輸入。 如果來自該NOR元件266的輸出為"L"的話’該CM0S 開關268變成ON狀態。 該反相器264把來自該CMOS開關268的輸出反相並 且把結果供應到該OR元件2 70和AND元件274。該反相 器265把來自該反相器2 64的輸出反相並且把結果回饋到 該反相器264的輸入。 該等反相器261至265和CMOS開關267與2 68形成 一分頻電路而且該RD/WR訊號輸入的頻率係由這電路倍減 二。該經倍減的訊號被輸出作為一輸出訊號N1。該反相器 264把該經倍減的訊號反相並且把結果輸出作為一輸出訊 號N2。 該OR元件270找出來自該反相器264之輸出與該 第38頁 本紙張尺度適用中國國家標準（C^S) Α4規格（210X297公爱） 1231903 A7 _____B7 五、發明説明（36) BL4訊號的邏輯總和並且把它輸出。 該OR元件271找出該BL4訊號與來自該CMOS開關 268之輸出的邏輯總和並且把它輸出。 該OR元件272找出選擇而一或低-次位元之一 a#訊號 5 與該BL4訊號的邏輯總和並且每結果輸出。 該OR元件273找出選擇高-或低·次位元之一 NA#訊 號（"N"表示反相訊號）與該BL4訊號的邏輯總和並且把結 • 果輸出。 該AND元件2 74找出來自該反相器26〇之輸出與來自 10 該反相器264之輸出的邏輯乘積並且把它輸出。 該AND元件275找出來自該CMOS開關268之輸出與 來自該反相器260之輸出的邏輯乘積並且把它輸出。 該AND元件276找出來自該〇R元件272之輸出與選 擇一存貯單元之一 NBA#訊號的邏輯乘積並且把它輸出。 15 該AND元件277找出來自該元件273之輸出與選 擇一存貯單元之該NBA#訊號的邏輯乘積並且把它輸出。 • 當一個從該〇R元件270輸出的SWla訊號改變成"η” 狀態時’該等M0S開關280和281變成on狀態並且把 DB#1和DB#2分別與該感應放大器234的輸出3和b連 20 接。 當一個從該AND元件274輸出的Swic訊號改變成 "H"狀態時，該等M0S開關282和283變成ON狀態並且 把DB#1和DB#2分別與該感應放大器234的輸出c和d 連接。 第39頁 本紙張尺度適用中國國家標準A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 ^___ _B7_ 五、發明説明（) 當一個從該AND元件275輸出的SW3a訊號改變成 ΠΗ”狀態時，該等M0S開關284和285變成on狀態並且 把DB#3和DB#4分別與該感應放大器234的輸出a和b 連接。 5 當一個從該〇R元件271輸出的SW3C訊號改變成”H，， 狀態時，該等M0S開關286和287變成ON狀態並且把 DB#3和DB#4分別與該感應放大器234的輸出c和d連 頁) 當來自該AND元件276的輸出改變成"H”狀態時，該 10 等M〇S開關29〇至293變成ON狀態。結果，該M〇S開關 290將該MOS開關28 0與該感應放大器234的輸出a連 接，該MOS開關291將該MOS開關284與該感應放大器 234的輸出a連接，該MOS開關292將該MOS開關281 與該感應放大器234的輸出b連接，及該MOS開關293 15 將該M〇S開關285與該感應放大器234的輸出b連接。 當來自該AND元件277的輸出改變成"η"狀態時，該 荨MOS開關2 94至2 97變成〇N狀態。結果，該m〇S開關 294將該MOS開關282與該感應放大器234的輸出c連 接，該MOS開關295將該MOS開關286與該感應放大器 20 234的輸出c連接，該MOS開關296將該MOS開關283 與該感應放大234的輸出d連接，及該MOS開關297 將該MOS開關287與該感應放大器234的輸出d連接。 第19圖是為顯示在第16圖中所示之I/O電路245之 詳細結構的圖示。在第19圖中之對應於在第18圖中之那 第40頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚）

1231903 A7 ______ B7 五、發明説明 些的部份係以相同的符號標示而且它們的描述將會被省略 Ο 與該I/O電路235比較，輸入至該等AND元件27s 和277的一 NBA#訊號被改變成—ba#訊號。 此外，在第18圖之下右，份表示之從該感應放大器 出的QA係改變成QB。 除了這些事物之外，該I/O電路MS的結構係與在第 18圖中所示之該I/O電路235的結構相同。 以上之實施例的運作現在將會作描述。 當該半導體記憶體裝置被起動而且設定叢發長度的一模 式暫存器設定命令從該CMD輸入端2〇2輸入時，該CMD解 碼器2 0 7偵測設定叢發長度的要求被作成並且通知叢發長 度斷定電路208。 該叢發長度斷定電路20S獲得從該ADD輸入端203輸 15 入之用於設定叢發長度的資料並且斷定該叢發長度。例如 ’如果Π2Π被輸入作為叢發長度的話，該叢發長度斷定電路 _ 208確認它並且通知叢發長度計數器209。 結果，叢發長度會被設定。 現在，在以以上方式設定為”2”之叢發長度之情況中的 20 詳細運作將會作描述。 當要求資料從存貯單元Β 240之讀取的一 RDB命令， 在第20(B)圖中所示，於在第20 (Α)圖中所示之第零個時 鐘的前緣供應到該CMD輸入端202時，該CMD解碼器207 經由該CMD輸入電路205輸入這rDb命令並且把它解碼。 第41頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公爱） ........................^..................tr.................•線 f^^Rcfi'lrtt:之注念事Jfi再填窝本頁) l23l9〇3 五、發甲 A7 B7 5 10 15 20 明説明up =果，該CMD解碼器20*7確認從該存貯單元B 24〇讀取 貝料的要求被作成，並且通知叢發長度計數器。 該叢發長度計數器209提供一 RESET訊號到該叢發仗 址產生電路250。結果，該叢發位址產生電路250獲得從 該ADD輸入電路2〇6供應出來之叢發轉移的前導位址並且 把它輸出作為一 BADD。再者，該叢發位址產生電路25〇 把一個先前地與一 UP訊號同步地被輸入的位址數完，並且 把匕輸出作為第二位元和後面較低-次位元的BADD。該UP 訊號係與該CLK訊號同步地從該叢發長度計數器2 09供應 出來。 該位址輸入電路251對從叢發位址產生電路25〇供應 出来的BADD執行波形成形並且把它輸出作為一内部位址 工ADD 〇 從該位址輸入電路251輸出的内部位址IADD會在該 控制部份220中被使用俾選擇DB#1至DB#4。 在叢發轉移期間，該叢發長度計數器2〇9保持它供應 到該CMD解碼器207的一致能訊號在” L"狀態。當一致能 訊號係處於"L”狀態時，該CMD解碼器207暫緩從該CMD 輸入電路2〇5獲得新的命令。因此，如果叢發轉移係開始 的話，輸入新的命令將會被禁止。 在這例子中的運作係對應於一 RDB命令被輸入的情況 ’而且該存貯單元B 24〇被指定作為資料從其那裡讀取的 存貯單元。因此，一 BA#訊號係處於"H"狀態（見第22 (H) 圖）而一 NBA#訊號係處於狀態（見第21 (H)圖）。結果 第42頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） .........裝： f-V先^才竹籴之注^事^4-^^||- π) 、v 線- 1231903 A7 ________B7 _ 五、發明説明（CO) ’來自在第18圖中所示之存貯單元A 23〇之AND元件 276和277的輸出變成"L„狀態，所有的M〇s開關290至 29 7變成OFF狀態，而且到郎#1至DB#4的輸出被停止 〇 •5 另一方面，在第19圖中所示之存貯單元b 24〇的 工/0電路245中，一 BL4訊號為，所以來自該等OR 元件272與273的輸出係根據一 A#訊號和NA#訊號來變 • 成"H"或"L"狀態。更具體地，當該A#訊號為"H"時，來自 該OR元件2U的輸出為"η"且來自該〇R元件273的輸出 10 為。當該A#訊號為"L”時，來自該〇R元件272的輸 出是為"L"且來自該OR元件273的輸出為"HM。 如上所述，如果存貯單元B 240被選擇的話，該BA# 訊號係處於π Η π狀態。因此，從在第19圖中所示之AND元 件2 76輸出的一 AA#訊號（見第22 (I)圖），及從在第19 15 圖中所示之AND元件2 77輸出的NAA#訊號（見第22 (J) 圖），係根據來自該等OR元件272和273的輸出來變成 φ ΠΗΠ或者” Ln狀態。 在這例子中，如在第22 (J)圖中所示，該NAA#訊號係 • 與該BA#訊號同步地變成”11”狀態。因此，當該NAA#訊號 20 變成"H”狀態時，該等MOS開關294至2 97改變成ON狀 態。 如在第22(G)圖中所示，於第19圖中所示的SW3a訊 號和SW3C訊號係從一 N1訊號產生（見第22(D)圖）而且 係與該NAA#訊號同步地變成"H"狀態。因此，該感應放大 第43頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------^.................ΤΓ..................緣 (if先艮沭俨面之注念事項再填趑本頁) l23l9〇3 A7 ----- B7____ 五、發明説明（<r I ) 器244的輸出c和d會分別被連接至DB#3和DB#4。結 果，QB21和QB22會分別被發送到DB#3和DB#4(見第 22 (K)和 22 (L)圖）。

接著，當要求資料從存貯單元A 230之讀取的一 RDa 5 命令，在第20 (B)圖中顯示，係在第20 (A)圖中所示之第 一時鐘的前緣被供應到該CMD輸入端2〇2時，該CMD解碼 器20 7經由該CMD輸入電路2〇5輸入這RDA命令並且將 它解碼。結果，該CMD解碼器207確認從該存貯單元A 230讀取資料的要求被作為，並且通知叢發長度計數器 10 209 〇 該叢發長度計數器2〇9把一 RESET訊號供應到該叢發 位址產生電路25〇。結果，該叢發位址產生電路25〇獲得 從該ADD輸入電路2〇6供應出來之叢發轉移的前導位址並 且把它輸出作為一 BADD。再者，該叢發位址產生電路25〇 15 把一個先前地與一 UP訊號同步地被輸入的位址數完，並且 把它輸出作為第二和較低-次位元的BADD。該UP訊號係 與該CLK訊號同步地從該叢發長度計數器209供應出來。 該位址輸入電路251對從叢發位址產生電路250供應 出來的BADD執行波形成形並且把它輸出作為一内部位址 20 IADD0 從該位址輸入電路251輸出的内部位址IADD會在該 控制部份22 0中被使用俾選擇DB#1至DB#4。 在叢發轉移期間，該叢發長度計數器209保持它供應 到該CMD解碼器2〇7的一致能訊號在"L"狀態。這樣係與 第44頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -裝： 頁) .線. 1231903 A7 ---------B7 五、發明説明（必) ' ' ^ 以上的情況相同。當一致能訊號係處於％"狀態時，該⑽ 解碼器2〇7暫緩從該⑽輸入電路205獲得新的命令。因 %果叢發轉移係開始的話，輸人新的命令將會被禁止 〇 在這例子中的運作係對應兮一 RDA命令被輸入的情況 ’而^該存貯單元A 23Q被指定作為資料從其那裡讀取的 存貯單元。因此，一 NBA#訊號係處於"H，，狀態（見第η⑻ •圖）而一 BM訊號係處於"L"狀態（見第22(H)圖）。結果， 來自在第18圖中所示之存貯單元B 24〇之ΑΝ〇元件276 1〇和277的輸出變成，fL”狀態，所有的m〇S開關290至297 變成OFF狀態，而且到DB#;L至DB#4的輸出被停止。 另一方面’在第19圖中所示之存貯單元A 230的 工/0電路235中，一 BL4訊號為"L”，所以來自該等〇R 元件272與273的輸出係根據一 A#訊號和NA#訊號來變 15 成πΗη或nLn狀態。更具體地，當該A#訊號為”H"時，來自 該OR元件272的輸出為"H”且來自該〇R元件273的輸出 Φ 為"L"。當該A#訊號為"L"時，來自該〇R元件272的輸 出是為”L”且來自該OR元件273的輸出為"H，，。 如上所述，如果存貯單元A 230被選擇的話，該 20 NBA#訊號係處於"H"狀態。因此，從AND元件2 76輸出的 一 AA#訊號（見第21 (I)圖），及從AND元件2 77輸出的 NAA#訊號（見第21 (J)圖），係根據來自該等OR元件272 和2 73的輸出來變成MH”或者"L"狀態。 在這例子中，如在第21(J)圖中所示，該AA#訊號係 第45頁 本紙張尺度適用中國國家標準（°^) A4規格（210X297公釐） .....::............-袭..................^..................緣 1231903 A7 B7 五、發明説明（42? 5 10 15 20 與該NBA#訊號同步地變成"Η”狀態。因此，當該AA#訊號 變成"Η"狀態時，該等MOS開關294至297改變成ON狀 態。 如在第21(F)圖中所示，SWla訊號和SWlc訊號係從 一 N2訊號產生（見第21(E)囷）而且係與該AA#訊號同步 地變成ΠΗ"狀態。因此，該感應放大器234的輸出a和b 會分別被連接至DB#1和DB#2。結果，QA11和QA12會 分別被發送到DB#1和DB#2 (見第21(K)和21(L)圖）。 簡言之，如在第20圖中所示，如果一 RDB或者RDA 命令係在該CLK訊號的前緣輸入的話（見第20 (A)圖），對 應於該命令的一叢發位址係由該叢發位址產生電路25〇產 生而且係被供應到存貯單元A 23〇和存貯單元B 240。這 時，該BA#訊號和NBA#訊號顯示每一個從該等存貯單元選 擇的存貯單元。預定的輸出係由該等M0S開關28〇至287 和2 9〇至297選擇而且，如在第20(C)至2〇(F)圏中所 示，資料係輸出至DB#1至DB#4。 在這情況中，在到DB#1和DB#2之資料輪出與到 DB#3和DB#4之資料輸出之間係有一個對應於一個時鐘的 位移。再者，該輸出週期係相等於兩個時鐘。因此，即使 運作頻率被增加，運作的邊界能夠被確保。 此外’來自該叢發長度計數器209的一致能訊號禁止 該CMD解碼器20 7在叢發轉移把新的命令解碼。這省卻解 碼所需的過程而且運作的邊界於高速運作之時能夠被確保 。除了這之外，CMD解碼器207係不需要供應一個表示叢 第46頁 -----------------------裝：： ♦ · I { ii^Kiiirm;之注*事項冉 訂· •線. 1231903 A7 _B7_ 五、發明説明（d4 ) 發轉移正在執行的NOP到叢發長度計數器2 〇9。 再者，如果叢發長度被設定為一個比最大叢發長度小的 值的話（在以上例子中，最大叢發長度為”4”且叢發長度被 設定為”2")，一資料匯流排被分割而且資料係藉由交替地 5 使用該等分割的資料匯流排來戶皮轉移。結果，用於轉移資 料之每一位元的時間能狗被延長而且在高速運作之時的邊 界能夠被確保。 _ 在以上實施例中，存貯單元A 230 佔用Γ)B#1和DB#2 和存貯單元B 24〇佔用DB#3和DB#4的情況業已被描述 10 作為例子。然而，端視一 RD命令被輸入的時序而定，存貯 單元A 230佔用DB#3和DB#4而存貯單元b 240佔用 DB#1和DB#2的情況是可能的。 現在，在叢發長度被設定為"4"之情況中被執行的運作 將會作描述。 15 當該半導體記憶體裝置被起動且設定叢發長度的一模式 暫存器設定命令係從該CMD輸入端202輸入時，該CMD解 9 碼器207偵測設定叢發長度的要求被作成並且通知叢發長 度斷定電路208。 該叢發長度斷定電路208從該ADD輸入端2 03獲得資 ,20 料輸入並且斷定叢發長度。例如，如果叢發長度被設定為 ，，4，，的話，該叢發長度斷定電路208確認它並且通知叢發 長度計數器209。 當一 RDA命令係在叢發長度被設定為"4"之後在第 23(A)圖中所示之一 CLK訊號的第零個前緣被輸入時’該 第47頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .............-I:裝..................tr..................線 f詩先Kfi'^rm:之注¾亨項再埭¾本頁) 1231903 A7 B7 五、發明說明（¢5 ) ^— _解碼H 207制它並且通知叢發長度計數器2〇9。 該叢發長度計數器2〇9把一 RESET訊號供應到該叢 位址產生電路250。結果，該叢發位址產生電路2s〇從該 ADD輸入電路2〇6獲得叢發轉移的前導位址、產^二 5 BADD、並且經由該位址輸入電终2S1把它供應到存貯單一 A 230和存貯單元b 240。 該叢發長度計數器2〇9把它供應到該CMD解碼器2〇7 的一致能訊號保持在"L"狀態，所以解碼新的命令會被禁止 〇 10 在這例子中的運作係對應於一 RDA命令被輸入的情況 ，而且存貯單元A 23〇被選擇。因此，在第18圖中所示 的NBA#訊號係處於” H"狀態而在第η圖中所示的BA#訊 號係處於"L”狀態。結果，在第19圖中所示之存貯單元b 240中的所有MOS開關29 0到297變成OFF狀態而且來 15 自該存貯單元B 24〇的輸出被停止。 另一方面，在第18圖中所示的存貯單元A 230中， 來自該反相器26◦的輸出為"L"，所以來自該等AND元件 274和275的輸出變成” L”狀態。該BL4訊號係處於"H" 狀態，所以來自該等〇R元件270和271的輸出變成，，H” 20 狀態。該等M0S開關280,281,286,和287因此變成〇N 狀態。 這時，該BL4訊號被供應到該等OR元件272和273 ，所以來自它們的輸出係處於"H"狀態。該NBA#訊號係處 於”以狀態。所有的M0S開關290至297因此變成ON狀 第48頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ............裝— · i if先f/背由之注*事項再511^4 頁) ，丁- •線丨 1231903 A7 _________^B7_ 五、發明說明（46) 態。 結果，如在第23(C)至23(F)圖中所示，QA11至 QA14會分別輸出到DB# 1至DB#4。 接著’當一 RDB命令係在該CLK訊號的第二前緣被輸 5入時，該CMD解碼器207偵巧它並且通知叢發長度計數器 209 0 該叢發長度計數器2〇9把一 RESET訊號供應到該叢發 _ 位址產生電路250。結果·，該叢發位址產生電路250從該 ADD輸入電路2〇6獲得叢發轉移的前導位址、產生一 1〇 BADD、並且經由該位址輸入電路251把它供應到存貯單元 A 230和存貯單元B 240。 在這例子中的運作係對應於一 RDB命令被輸入的情况 ，而且存貯單元B 24 〇被選擇。因此，在第1S圖中所示 的NBA#訊號係處於"L”狀態而在第19圖中所示的BA#訊 15 號係處於…”狀態。結果，在第18圖中所示之存貯單元B 24 0中的所有MOS開關290到2 97變成OFF狀態而且來 • 自該存貯單元A 230的輸出被停止。 另一方面，在第19圖中所示的存貯單元B 24 0中， 來自該反相器260的輸出為”L1，，所以來自該等AND元件 20 274和275的輸出變成"L”狀態。該BL4訊號係處於"η" 狀態，所以來自該等OR元件2 7〇和2 71的輸出變成"H，· 狀態。該等M0S開關280,281,286,和287因此變成〇Kf 狀態。 這時，該BL4訊號被供應到該等OR元件272和273 第49頁 本紙張尺度適用中國國家標準（™s) Α4規格（210X297公釐） ------------------裝------------------訂.................線 (謗先尺tl'^m;之注t寧項冉¾¾本 1231903 A7 一____B7_____ 五、發明説明（) ，所以來自它們的輸出係處於"Hn狀態。該NBA#訊號係處 於”11”狀態。所有的MOS開關290至297因此變成ON狀 態。 結果，如在第23(C)至23(F)圖中所示，QA11至 5 QA14會分別輸出到DB#1至Ι)β#4。 這是在叢發長度被設定為η4”之情況中被執行的運作。 如上所述，如果叢發長度被設定為"4"的話，一預定的存貯 單元係由BA#訊號或者NBA#訊號選擇而且輸出a至d會分 別被輸出到DB#1至DB#4。因此，在習知情況中所執行之 10 相同的運作能夠被實現。 順便一提，在以上的實施例中，在叢發轉移期間輸入新 的命令係被禁止的情況（一中斷被禁能的情況）業已被描述 。現在，在一中斷被致能之情況中所執行的運作將會作描 述。 15 第24圖是為用於描述在叢發長度被設定為Mn且一中 斷被致能之情況中，在具有Π8η之最大叢發長度之半導體記 憶體裝置中所執行的運作。 在這例子中，一 RD2命令中斷一 RD1命令。如在 DB#5到DB#8中所示（見第24 (G)至24 (J)圖），該運作 20 週期本來是為四個時鐘。然而，如果一中斷係以這方式被 致能的話，該運作週期將會變成三個時鐘’如在DB#1至 DB#4中所示（見第24 (C)至24 (F)圖）。那就是說，運作 的邊界將會變得較窄。 因此，不致能一中斷的規格應該被採用以致於本發明的 第50頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ¾先κ^·1"，ιη;之注¾寧^冉 -裝丨 .線· 1231903 A7 ~〜_________B7___ 五、發明說明（4：私） 實施例會產生更大的欵果。 在以上之實施例中所示的電路是為簡單的例子。當然， 本發明不受限於這些電路。 此外’以上的實施例業已就最大叢發長度為”4”的情況 5來作描述作為例子。然而，理所當然的是，本發明亦可應 用於其他的情況。 再者’在以上的實施例中，用於禁止一中斷的裝置被定 位於半導體記憶體裝置内部，但它可以被定位於半導體記 憶體裝置外部。在該情況中，在以上所述之相同的效果能 1〇夠藉由在叢發轉移期間禁止把一命令供應到該CMD輸入端 2〇2來被獲得。 (第三實施例） 第25圖是為用於描述本發明之運作原理的圖示，如在 第25圖中所示’本發明之半導體記憶體裝置包含位址輸入 15 裝置401、資料輸入裝置402、叢發轉移裝置403、叢發 轉移長度指定裝置4〇4、資料輸入限制裝置4〇5、及細胞 _ 406。 該位址輸入裝置4 01接收被輸入之目的地的位址。 該資料輸入裝置4〇2接收要被轉移的輸入資料。在這 20例子中，對應於高-次位元群組的資料#1和對應於低-次位 元群組的資料#2被輸入。 該叢發轉移裝置4〇3執行經由該資料輸入裝置4〇2輸 入之資料#1與資料#2到對應於經由位址輸入裝置4〇1輸 入之位址之細胞4〇6之區域的叢發轉移。 第51頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公梦） ---------------------裝-.................tr..............…線 (¾先fttifrm;之注&事項再蜞 K 本ΤΓ) 1231903 A7 _B7 五、發明説明（Μ ) 該叢發轉移長度指定裝置4〇4接收由該叢發轉移裝置 4〇3所指定的叢發長度。在這例子中，對應於資料#1的叢 發轉移長度#1和對應於資料的叢發轉移長度係被輸 入。 5 如果π〇η的叢發轉移長度俾由該叢發轉移長度指定裝置 4〇4指定的話，該資料輸入限制裝置405限制資料從該資 料輸入裝置402輸入。 在第25圖中的運作現在將會作描述。 頁) 假設表示在叢發轉移被執行之情況中之目的地的一位址 10 係輸入該位址輸入裝置4〇1且"4位元"和"〇位元"係輸入 至該叢發轉移長度指定裝置4〇4分別作為叢發轉移長度η 和叢發轉移長度#2。 該叢發轉移裝置4〇3獲得經由該位址輸入裝置401輸 入之目的地的位址和經由該叢發轉移長度指定裝置4 04輸 15 入的叢發轉移長度#1和叢發轉移長度並且設定其之内部 電路。 該資料輸入限制裝置4〇5引用從該叢發轉移長度指定 裝置404供應出來的叢發轉移長度#1和叢發轉移長度#2 。在這情況中，該叢發轉移長度#2已被設定為π〇"，所以 20 該資料輸入限制裝置4〇5要求該資料輸入裝置4〇2限制資 料#2的輸入。 當預定的時間（對應於潛伏的時間）係在位址等等被輸 入之後過去時，該資料輸入裝置402僅輸入資料枯1並且把 它供應到該叢發轉移裝置^ 第52頁 本紙張尺度適用中國國家標準（挪）A4規格（210X297公爱） 1231903 A7 -- —___B7___ 五、發明説明（so) 該叢發轉移裝置403僅執行從資料輸入裝置402供應 出來之資料#1到對應於從位址輸入裝置401供應出來之位 址之細胞406之預定之區域的叢發轉移。 結果，僅資料的高-次位元群組會被轉移到該細胞406 5 。在這例子中，僅高-次位元鮮組被轉移的情況業已被描述 作為例子。然而，僅低-次位元群組能夠被轉移。 如上所述，就本發明的半導體記憶體裝置而言，僅資料 矚的高-次位元群組或低-次位元群組能夠被轉移到一細胞。 在以上的例子中，資料被分割成高-次位元群組與低- 10 次位元群組。然而，用於分割資料的另一種方法當然能夠 被採用。 此外’在以上的例子中，資料輸入係根據叢發轉移長度 來被限制。然而’叢發轉移可以根據叢發轉移長度來被限 15 本發明之一實施例現在將會作描述。 第26圖是為顯示本發明之半導體記憶體裝置之結構的 藝圖示。如在第26圖中所示，本發明之半導體記憶體裝置包 含一控制部份431、一細胞432、一列解碼器433、一行 解碼器434、一感應放大器（SA)435、及一 I/O電路436 20 〇 該控制部份431輸入一時鐘（CLK)訊號、命令（CMD) 訊號、位址（ADD)訊號、資料選通（DS)訊號、及DATa訊 號並且把它們供應到該裝置的每一部份。此外，該控制部 份431在寫入的情況中以預定的時序讀取資料。再者，在 第53頁 本紙張尺度標準（CNS) Α；^21〇χ297公爱) --- ::...................琴-................、玎..................線 f α先K^^tt;之注¾事項冉填Κ·本頁) 1231903 A7 _ B7__ 五、發明説明（51 ) 讀取的情況中，該控制部份431從一預定的位址讀取資料 並且將它輸出。 該細胞432包括一組被排列像矩陣的儲存元件並且儲 存輸入資料。 5 該列解碼器433根據一列位址來指定該細胞432内之 預定的列。 該行解碼器434根據一行位址來指定該細胞432内之 預定的行。 該SA 435以預定的增益把從該細胞432讀取的訊號 10 放大並且把它轉換成數位訊號。 該I/O電路436控制關於輸入與輸出資料的運作。 第27圖是為顯示在第26圖中所示之控制部份431之 詳細結構的圖示。 如在第27圖中所示，該控制部份431包含一 CLK輸 15 入端 431a、一 CMD 輸入端 431b、一 ADD 輸入端 431c、 一 DS輸入端431d、一 DATA輸入端431e、一 CLK輸入 電路431f、一 CMD輸入電路431g、一 ADD輸入電路 431h、一 DS輸入作動斷定電路431i、一 DS輸入電路 431j、一 DATA輸入電路431k、一 CMD解碼器431m、及 20 一叢發長度斷定電路431η。在這裡係有另一個部份（圓中 未示），該另一個部份係與在第27圖中以虛線圍起來之一 者相同。該兩個部份中之一者係供高-次位元群組使用而另 一者係供低-次位元群組使用。 該CLK輸入端431a接收一 CLK訊號輸入。該CMD輸 第54頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 _B7____ 五、發明説明（從） 入端431b接收一 CMD訊號輸入。該ADD輸入端431C接 收一 ADD訊號輸入。該DS輸入端431d接收一 DS訊號輸 ^ 入。該DATA輸入端431e接收一 DATA訊號輸入。 該CLK輸入電路431f包括一緩衝器等等並且把從該 ’ 5 CLK輸入端431a輸入的CLK :訊號供應到該CMD輸入電路 431g、ADD輸入電路431h、及DS輸入作動斷定電路 4311 〇 ® 與該CLK訊號同步，該CMD輸入電路431g獲得從該

CMD輸入端431b輸入的CMD訊號並且把它供應到該CMD 1 ◦ 解碼器43 1m。 與該CLK訊號同步，該ADD輸入電路43lh獲得從該 ADD輸入端431C輸入的ADD訊號並且把它供應到該叢發 長度斷定電路431η。 該DS輸入作動斷定電路431i根據由該叢發長度斷定 15 電路43ln所斷定的叢發長度（VW)來使一資料選通致能 (DSE)訊號作動。 • 當從該DS輸入作動斷定電路431i供應出來的一 DSe 訊號變成有源時，該DS輸入電路431j從該DS輸入端輸 入該DS訊號並且把它供應到該DATA輸入電路431k。 .20 當該DS訊號係從該DS輸入電路43lj供應時，該 DATA輸入電路431k從該DATA輸入端431e輸入資料並 且把它供應到在第26圖中所示的工/0電路436。 該CMD解碼器431m把從該CMD輸入電路431g輸入 的CMD訊號解碼。如果它是一個設定叢發長度的命令（叢發 第55頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝..............：：訂..................線 (^先閡fiflrtt;之注¾事項再蜞趑本頁) 1231903 A7 B7 --—--—- '一 —---- 五、發明説明（S3 ) 長度設定命令）的話，那麼該CMD解碼器431m把它供應到 該叢發長度斷定電路431n。 裝： • 备 I r^^^iw.tt;之注*事Jfi4· 當一叢發長度設定命令係從該CMD解碼器4：3im供應 時，該叢發長度斷定電路43ln藉由引用從該ADD輸入電 5 路43lh供應出來的資料來斷芩該叢發長度並且把它供應到 該DS輸入作動斷定電路431i。 在以上之實施例中的運作現在將會作描述。在這實施例 中的基本運作會首先配合第28圖簡潔地作描述，然後，詳 細的運作會配合第29圖作描述。 10 第28圖是為顯示如何把資料從一 DATA輸入端（對應 於在第27圖中所示的DATA輸入端431e)轉移到一細胞（ 對應於在第26圖中所示的細胞432)的圖示。 ·、-]· 如在第28圖中所示，輸入至DATA輸入端T1至T8的 8 -位元資料被分割成高-次位元群組與低-次位元群組而且 15 係被儲存作為在連續位址ADD1與ADD2的高-次位元群組 與低-次位元群組。 .線· 該最大叢發長度是為物理叢發長度而且係端視半導體記 憶體裝置的結構而定。一叢發長度（模式暫存器設定（MRS)) 係由一在，例如，起動一裝置之時被提供之用於初始化的 20 MRS命令設定。一叢發長度（VW)係由一 VW命令在寫入資 料之時指定而且係比由以上之MRS命令所設定的叢發長度 短或者係與由以上之MRS命令所設定的叢發長度相等。 為了簡潔起見，第28圖顯示8-位元資料被輸入作為 例子的情況。然而，在這實施例中，16-位元資料被輸入而 第56頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 _ B7 _ _ 五、發明説明（) 且被分割成高-次8位元與低-次8位元。 在這實施例中的詳細運作現在將會作描述。 當在第26圖中所示的半導體記憶體裝置被起動時，一 控制單元（圖中未示）把設定叢發長度為”4"的一命令供應 5 到該CMD輸入端431b。 該CMD解碼器431m經由該CMD輸入電路431g獲得 該叢發長度設定命令並且偵測設定叢發長度的要求被作成 •。 然後，該控制單元把表示是為叢發長度要被設定之值之 1〇 M"的資料供應到該ADD輸入端431c。 該叢發長度斷定電路431η經由該ADD輸入電路431h 獲得這資料、斷定該叢發長度為"4"、並且通知該DS輸入 作動斷定電路431i和DATA輸入電路431k BL=4。再者 ，該CMD解碼器431m設定該I/O電路43 6以致於該叢發 15 長度會被"4n。 現在，叢發長度（在第28圖中所示之叢發長度（MRS)) • 的設定已被完成。 請參閱第29圖所示，在叢發長度由一 MRS命令設定為 ”4Π之情況中，寫入資料的運作現在將會作描述。 .20 假設一 WR1命令（見第29(B)圖）係在第29(A)中所示 之一 CLK訊號的第零個前緣被輸入至該CMD輸入端431b 且VWU=1(見第29(D)圖）和VWL=1(見第29(1)圊）被輸 入。VWU (可變寫入上部（variable wirite upper))是 為設定高-次8位元之叢發長度的命令而VWL (可變寫入下 第57頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ............-........:裝..................tr..................線 (請先Kf;'背mj之注*事項再蜞趑本頁) 1231903 A7 __ B7__五、發明説明（S5 ) 部（variable wirite lower))是為設定低-次8位元之 叢發長度的命令。 該CMD輸入電路431g把從該CMD輸入端431b輸入 的命令供應到該CMD解碼器431m。 5 該CMD解碼器431m把芎命令解碼、偵測寫入資料的 要求被作成、及通知叢發長度斷定電路43 in。 如上所述，在這裡係有另一個部份（圖中未示），該另 一個部份係與在第27圖中以虛線圍起來之一者相同。該兩 個部份中之一者係供高-次位元群組使用而另一者係供低-10 次位元群組使用。用於寫入的要求與VWU係由該CMD解碼 器431m供應到對應於高-次8位元的電路（高-次位元電路) 。用於寫入的要求和VWL係由該CMD解碼器431m供應到 對應於低-次8位元的電路（低-次位元電路）。 該等高-次位元電路與低-次位元電路現在將會分別作 15 描述。 (1)高-次位元電路的運作 在該等高-次位元電路中的叢發長度斷定電路431η藉 著來自該CMD解碼器431m的要求來確認寫入資料的要求 被作成、確認一個藉著該VWU叢發長度應被設定的值（ = 1) 20 係經由該ADD輸入電路43 lh獲得、及通知該DS輸入作動 斷定電路431i和DATA輸入電路431k這個值。 當預定的時間（對應於寫入潛伏的時間）係在用於寫入 之要求已作成之後過去時，該DS輸入作動斷定電路431i 把一資料選通致能（DSE)訊號改變成"Η”狀態。結果，該 第58頁 (姑先Kfi^m;之注*事¾再

:裝·. A 頁) 訂· •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 ____B7_____一 五、發明説明（S6 ) DS輸入電路431j接受從該DS輸入端431d輸入的DS訊 號並且把它供應到該DATA輸入電路431k。 . 當該DS訊號係從該DS輸入電路431j供應時’該 DATA輸入電路431k開始從該DATA輸入端43 le輸入資 5 料的高-次8位元，如在第29(C)圖中所示。 該VWU已被設定為"1Π，所以該DATA輸入電路431k 係僅經由内部資料匯流排#U1把輸入資料Dll至D14中之 _ 資料D11的高-次8位元轉移到該I/O電路436。 (2)低-次位元電路的運作 10 另一方面，在該等低-次位元電路中的叢發長度斷定電 路431η藉著來自該CMD解碼器431m的要求來確認寫入 資料的要求被作成、確認一個藉著該VWL叢發長度應被設 定的值（ = 1)係經由該ADD輸入電路43 lh獲得、及通知該 DS輸入作動斷定電路431i和DATA輸入電路431k這個 15 值。 當預定的時間（對應於寫入潛伏的時間）係在用於寫入 # 之要求已作成之後過去時，該DS輸入作動斷定電路431土 把一 DSE訊號改變成”Η”狀態。結果，該DS輸入電路 - 43 lj接受從該DS輸入端43 Id輸入的DS訊號並且把它供 .2 0 應到該DATA輸入電路431k。 當該DS訊號係從該DS輸入電路4；31：ί供應時，該 DATA輸入電路431k開始從該DATA輸入端43le輸入資 料的低-次8位元，如在第29 (C)圖中所示。 該VWL已被設定為”1"，所以該DATA輸入電路43lk 第59頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -----------------------裝..................訂..................線 (if先之注念寧項再蜞趑本頁) 1231903 A7 _B7_ 五、發明説明) 係僅經由内部資料匯流排#L1把輸入資料Dll至D14中之 資料D11的低-次8位元轉移到該I/O電路436。 這是在WR1命令已被輸入之情況中，高-次位元電路與 低-次位元電路的運作。 5 隨後，當一 WR2命令係在第29 (A)圖中所示之CLK訊 號的第二前緣被輸入且VWU=4和VWL = 4被輸入時，以上 所述之相同的運作係被執行且資料D21至D24係在該CLK 訊號的第三前緣被讀取。 VWU=4，所以在高-次位元電路中的DATA輸入電路 10 431k分別經由内部資料匯流排#U1至#U4把資料D21至 D24的高-次8位元轉移到該I/O電路436(見第29(E)至 29 (H)圖）。 此外，VWL = 4，所以在低-次位元電路中的DATA輸入 電路431k分別經由内部資料匯流排#L1至#1^4把資料 15 D21至D24的低-次8位元轉移到該I/O電路436 (見第 29 (E)至 29(H)圖）。 隨後，當一 WR3命令係在第29 (A)圖中所示之CLK訊 號的第三前緣被輸入且VWU=2和VWL = 0被輸入時，以上 所述之相同的運作被執行而且資料D31至D34係在該CLK 20 訊號的第五個前緣被讀取。 VWU=2，所以在高-次位元電路中的DATA輸入電路 431k分別經由内部資料匯流排#U1和#U2把資料D31和 D32的高-次8位元轉移到該I/O電路436(見第29(E)至 29(H)圖）。 第60頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) fe- 訂， :線· 1231903 A7 B7 五、發明説明) 此外，VWL = 0，所以在低-次位元電路中的DATA輸入 電路431k不把資料轉移到該I/O電路436(見第29(J) ^ 至29 (Μ)圖）。結果，低-次位元組不會被寫入到該細胞 432 °

5 如上所述，寫入一高-或低-次位元組能夠藉由把VWU 或VWL設定為” 0 π來暫緩。 在以上的例子中，寫入資料的低-次位元組被暫緩。然 ® 而，寫入資料的高-次位元組亦能夠被暫緩。在該情況中， VWU=0應該被輸入、然後，以上所述之相同的運作會被執 10 行且寫入資料的高-次位元組會被暫緩。 順便一提，沒有用於指定VWU或VWL的特定位址。通 常，空閒位址被使用。例如，假設列位址與行位址係一次 輸入一個。通常，用於行位址之位元的數目係比用於列位 址之位元的數目少，所以準備給列位址的一些位址端在行 15 位址被輸入之時會是空閒的。如在第30至33圖中所示， 例如，這些空閒位址可以被指派給VWU與VWL。 ® 第30圖是為顯示在叢發長度為”2”（BL = 2)之情況中， 指派VWU和VWL到行位址之例子的圖示。在這例子中， — 高-次位元組的VWU被指派到A0和A1而低-次位元組的 •20 VWL被指派到A2和A3。更具體地，如果A0和A1分別為 "0”和Π0Π的話，那麼VWU=0 ;如果A0和A1分別為π1”和 Π0Π的話，那麼VWU=1 ;如果Α0和Α1分別為”0”和"1Π的 話，那麼VWU=2被指派。這是與低-次位元組的VWL相同 第61頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐〉 -----------------------裝..................訂：……------……線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1231903 A7 B7 五、發明説明（sq ) 第31圖是為顯示在叢發長度為”4”（BL = 4)之情況中， 指派VWU和VWL到行位址之例子的圖示。在這例子中， 高-次位元組的VWU被指派到A0和A1而低-次位元組的 VWL被指派到A2和A3。更具體地，如果A0和A1分別為 5 Π0Π和"0"的話，那麼VWU=0 如果A0和A1分別為"1"和 Π0Π的話，那麼VWU=1 ;如果A0和A1分別為Π0Π和Π1Π的 話，那麼VWU=2 ;如果Α0和Α1分別為”1Π和”1”的話， 那麼VWU=4被指派。這是與低-次位元組的VWL相同。 第32圖是為顯示在叢發長度為”8”（BL=8)之情況中， 10 指派VWU和VWL到行位址之例子的圖示。在這例子中， 高-次位元組的VWU被指派到A0至A2而低-次位元組的 VWL被指派到A3至A5 〇更具體地，如果AO、A1、和A2 分別為π 0 π、π 0 "、和"0 11的話，那麼VWU=0 ;如果A0、 A1和A2分別為”1”、"0”、和"0"的話，那麼VWU=1 ;如 15 果AO、A1、和A2分別為” 0 "、” 1 "、和” 0 ”的話，那麼 VWU=2 ;如果 AO、A1、和 A2 分別為，，1 "、" 1 "、和"0 "的 話，那麼VWU=4 ;如果AO、A1、和A2分另丨j為丨1 0 "、丨丨0丨丨 、和”1"的話，那麼VWU=8被指派。這是與低-次位元組的 VWL相同。 20 第33圖是為顯示在叢發長度為”16”（BL=16)之情況 中，指派VWU和VWL到行位址之例子的圖示。在這例子中 ，高-次位元組的VWU被指派到A0至A2而低-次位元組的 VWL被指派到A3至A5。更具體地，如果AO、A1、和A2 分別為"0 π、π 0 π、和π 0 π的話，那麼VWU= 0 ;如果AO、 第62頁 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 注 意 事 项 頁 1231903 A7 _____B7 五、發明説明（6〇) Α1和Α2分別為” 1 "、” 〇 ”、和"〇 "的話，那麼vwu=1 ;如 果AO、A1、和A2分別為’· 0 ”、” 1，，、和” 的話，那麼 • VWU= 2 ，如果AO、A1、和A2分另為” 1 ” 、 ” 1 "、和"〇"的 話’那麼VWU=4 ;如果AO、A1、和A2分別為11 〇 "、" 〇 ” 5 、和，，1"的話，那麼VWU=8 ;如果A0、A1、和A2分別為 ”1"、"〇”、和的話，那麼vwu=16被指派。這是與 低-次位元組的VWL相同。 * 如上所述，在這實施例中，叢發長度可以藉著VWU或 VWL來設定為"0"，所以高-或低_次位元組的轉移能夠被 1〇暫緩。因此，高-次位元組或低-次位元組係能夠被寫入到 該細胞432。 再者，在這實施例中，寫入高-和低_次位元組係能夠 藉著丽和狐來㈣緩。如此之—種轉移财在，例如 ’以寫入潛伏對半導想記憶趙裝置進行性能測試中係被考 15 量為有效的。 那就是說’就具有寫人潛伏的半導趙記㈣裝置而言， •如果寫入到-位址的命令被提供的話，僅輸入要被寫入之 資料的過程係在該命令被輸入之後在該週期中被執行。當 -下一個寫入命令被輸入時，該資料會實際地被寫入到該細 ‘20 胞 432 ° 因此’當-性能測試係對如此之半導趙記㈣裝置進行 時，寫入到-位址的命令係首先被輸入，然後一虛設寫入 命令必須被輸入來完成先前輪入之資料的寫入。在該情況 中，虛設資料對先前輸入的資料能夠具有影響，所以該虛 第63頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X2^JJ^ ^..................，可..................線 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 1231903 A7 B7 __ 五、發明説明（6() 設資料應該在VWU和VWIj被設定為"0"下被寫入。那麼， 該虛設資料不會被轉移到該細胞4 3 2而如此之問題能夠被 避免。 在以上的實施例中，如果VWU或VWL為” 0 ’’的話，資 5 料到該細胞432的轉移被暫緩。然而’以上所述之相同的 效果能夠藉著禁止從DATA輸入端43 le輸入資料來被獲得 ，其是為與在第26圖中所示的相同。 此外，在以上的實施例中，資料被分割成高-次位元群 組和低-次位元群組而且每一位元群組的vw被提供。然而 10 ，用於分割資料的另一種方法當然能夠被採用。 在第26和27圖中所示的結構是為簡單例子。理所當 然的是，本發明不受限於該等情況。 如在前面所述，本發明之一種具有叢發模式的半導體記 憶體裝置，在該叢發模式中，數個資料的位元係響應於一 15 外部命令來連續地被轉移，包含用於以叢發模式轉移資料 的轉移裝置、用於設定以叢發模式轉移之該數個資料之位 元之數目的轉移數目設定裝置、用於接收一輸入寫入命令 的寫入命令輸入裝置、用於測量在該寫入命令被輸入之後 已過去之時間的計時裝置、及用於根據由該轉移數目設定 2〇 裝置所設定之資料之位元之數目來設定在資料之寫入係開 始之前過去之時間的寫入開始時間設定裝置。這樣致使資 料有效地轉移。 再者，一資訊處理單元包含一具有叢發模式的半導體記 憶體裝置，在該叢發模式中，數個資料的位元係響應於一 第64頁 - -- ----— 丨丨 丨 一丨丨丨丨 --------—.——1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再ml本頁) •裝· 訂· :線丨 1231903 A7 ____B7 五、發明説明（β ) 外部命令來連續地被轉移，該半導體記憶體裝置包括用於 設定以叢發模式轉移之該數個資料之位元之數目的轉移數 、目設定裝置、用於接收一輸入寫入命令的寫入命令輸入裝 置、用於測量在該寫入命令被輪入之後已過去之時間的計 ^ 5 時裝置、及用於根據由該轉移數目設定裝置所設定之資料 之位元之數目來設定在資料之寫入係開始之前過去之時間 的寫入開始時間設定裝置及用於把一預定之命令提供到該 轉移數目設定裝置來指定該數個資料之位元之數目的轉移 數目指定裝置。這樣致使可以改進資訊處理單元的處理速 10 度。 如在前面所述，本發明之一種具有叢發轉移模式之具有 數個存貯單元的半導艘記憶體裴置，在該叢發轉移模式中 ，在預定之存貯單元中之數個資料的位元係藉由輸入一單 一命令來被連續地存取，包含用於接收被輸入之命令的命 15令輸入裝置、用於選擇對應於該命令之預定之存貯單元的 存貯單元選擇裝置、用於就一個由該存貯單元選擇裝置所 ^選擇作為一目標之存貯單元來執行叢發轉移的叢發轉移裝 置、及用於在叢發轉移由該叢發轉移裝置開㉟的情況中禁 - 止該命令輸入裝置接收被輸入之新之命令的命令輸入禁止 20裝置。這樣致使即使在高速運作之時可以實現穩定的運作 〇 如前面所述種具有數個存貯單元的半導體記憶艘裝 置包含—用於把數個存貯單元互相連接之具有η位元之策 度的匯流排、第一資料轉移裝置，該第一資料轉移裝置係 第65頁 本紙張尺度適用中國國家標準（⑶5) Α4規格（210X297公爱） -----------------------裝------------------、可-----------------------緣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1231903 A7 B7 五、發明説明（ 5 10 15 20 用於藉著該具有η位元之寬度之匯流排之部份的使用來把 資料在該第一資料轉移裝置與一預定的存貯單元之間轉移 、及第二資料轉移裝置，該第二資料轉移裝置係用於藉著 該具有η位元之見度之匯流排之部份的使用或者藉著不被 該第一存貯單元使用之所有之位元的使用來把資料在該第 二資料轉移裝置與另一存貯單元之間轉移。縱使在叢發長 度被设定為一個比最大叢發長度少之值的情況，這樣係致 使穩定的運作。 此外，一種資訊處理系統包含一具有叢發轉移模式之具 有數個存貯單元的半導體記憶體裝置，在該叢發轉移模式 中，在一預定之存貯單元内之數個資料的位元係藉由輸入 一單一命令來被連續地存取，該半導體記憶鱧裝置包括用 於接收該命令輸入的命令輸入裝置、用於選擇對應於該命 令之一預定之存貯單元的存貯單元選擇裝置、及用於就一 由該存貯單元選擇裝置所選擇作為一目標之存貯單元執行 叢發轉移的叢發轉移裝置和被定位於該半導體記憶體裝置 外部之用於禁止該命令輸入裝置在叢發轉移係由叢發轉移 裝置開始之情況中提供新之命令的命令提供禁止裝置。這 樣使負§fl處理系統即使在高速運作之時能夠穩定地運作。 如前面所述，本發明之一種具有叢發轉移模式的半導體 記憶體裝置，在該叢發轉移模式中，數個資料的位元係藉 由指定一個位址來被連續地轉移，包含用於接收被輸入之 位址的位址輸入裝置、用於接收被輸入之數個資料之位元 的資料輸入裝置、用於執行經由該資料輸入裝置輸入之該 第66頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再9本頁) •丁-、τ :線· 1231903 A7 _B7____— —— 五、發明説明（知） 數個資料之位元到對應於經由該位址輸入裝置輸入之位址 之細胞區域之叢發轉移的叢發轉移裝置、用於接收由該叢 發轉移裝置所指定之轉移長度的叢發轉移長度指定裝置' 及用於在”0”之叢發轉移長度係由該叢發轉移長度指定裝置 、 所指定的情況中限制資料從該货料輸入裝置輸入的資料輸 入限制裝置。這樣使得在對半導體記憶鱧裝置進行性能測 試的情況中能夠防止被寫入之資料的位元彼此干擾。 ® 再者，一種具有叢發轉移模式的半導體記憶體裝置’在 該叢發轉移模式中，數個資料的位元係藉由指定一個位址 10 來被連續地轉移，包含用於接收被輸入之位址的位址輸入 裝置、用於接收被輸入之數個資料之位元的資料輸入裝置 、用於執行經由該資料輸入裝置輸入之該數個資料之位元 到由經由該位址輸入裝置輸入之位址所指定之細胞區域之 叢發轉移的叢發轉移裝置、用於接收由該叢發轉移裝置所 15 指定之轉移長度的叢發轉移長度指定裝置、及用於在"0"之 叢發轉移長度係由該叢發轉移長度指定裝置所指定的情況 ® 中限制一轉移的轉移限制裝置。這樣致使寫入資料的部份 〇 ^ 前文僅為本發明之原理的舉例說明。再者，由於很多的 •2 0 變化和改變對於熟知此項技術之人仕來說會容量地發生， 本發明係不受限於所顯示和描述之精確的結構和應用，而 據此，所有適當的變化和等效物會被視為落在本發明之後 附之申請專利範圍與它們之等效物中的範圍之内。 元件標號對照表 第67頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝------------------ΤΓ------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 1231903 A7 B7 五 、發明説明 (65 ) Q1 讀取資料 Q2 讀取資料 D1 寫入資料 D2 寫入資料 201 CLK輸入端 202 CMD輸入端 203 ADD輸入端 204 CLK輸入電路 5 205 CMD輸入電路 .206 ADD輸入電路 209 叢發長度計數器 207 CMD解碼器 208 叢發長度斷定電路 211 位址輸入電路 210 叢發位址產生電路 工ADD 内部位址 BADD 叢發位址 Q11 資料 10 Q12 資料 Q13 資料 Q14 資料 Dll 資料 D12 資料 D13 資料 D14 資料 D31 資料 D3 2 資料 101 轉移裝置 15 102 轉移數目設定裝置 104 計時裝置 103 寫入命令輸入裝置 106 儲存部份 105 寫入開始時間設定裝置 110 中央處理單元 120 控制單元 130 半導體記憶體裝置. 140 匯流排 20 131 控制部份 132 細胞 133 列解碼器 134 行解碼器 135 感應放大器 136 輸入-輸出電路 131a CLK輸入端 131b CMD輸入端 131c ADD輸入端 131d DS輸入端 第68頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .....;.....·::.........裝—— (請先閲讀背面之注意事項再本頁) •、"丨 :線丨 1231903 A7 B7 五 、發明説明 (^ ) 131e DATA輸入-輸出端 131f CLK輸入電路 131g CMD輸入電路 131h ADD輸入電路 4 131i DS輸入作動斷定電路 131j DS輸入電路 131k DATA輸入電路 5 131m CMD解碼器 .150 資料正反器 131n 叢發長度斷定電路 151 資料正反器 152 資料正反器 153 資料正反器 • 154 資料正反器 155 資料正反器 156 資料正反器 157 NOR元件 10 158 NOR元件 159 NOR元件 160 NOR元件 161 NOR元件 162 NOR元件 163 NOR元件 164 反相器 165 反相器 166 反相器 180 反相器 15 181 反相器 182 反相器 183 反相器 184 反相器 ❿ 185 CMOS開關 186 CMOS開關 300 命令輸入裝置 304 存貯單元群組 301 存貯單元選擇裝置_ 220 控制部份 .2 0 230 存貯單元A 240 存貯單元B 231 細胞 232 行解碼器 233 列解碼器 234 感應放大器 235 I/O電路 241 細胞 242 行解碼器 243 列解碼器 第69頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ........裝------------------、可------------------绛 (請先閲讀背面之注意事項再填埒本頁) 1231903 A7 B7 五 、發明説明 244 感應放大器 245 I/O電路 250 叢發位址產生電路 251 位址輸入電路 260 反相器 261 反相器 262 反相器 263 反相器 5 264 反相器 .265 反相器 266 NOR元件 267 CMOS開關 268 CMOS開關 270 OR元件 271 OR元件 272 OR元件 273 OR元件 274 AND元件 10 275 AND元件 276 AND元件 277 AND元件 280 MOS開關 281 MOS開關 282 MOS開關 283 MOS開關 284 MOS開關 2 85 MOS開關 286 MOS開關 15 287 MOS開關 290 MOS開關 291 MOS開關 292 MOS開關 293 MOS開關 294 MOS開關 295 MOS開關 296 MOS開關 297 MOS開關 401 位址輸入裝置 20 402 資料輸入裝置 403 叢發轉移裝置 404 叢發轉移長度指定裝置 405 資料輸入限制裝置 406 細胞 431 控制部份 432 細胞 433 列解碼器 434 行解碼器 第70頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A7 B7 五 、發明説明 (必） 435 感應放大器 436 I/O電路 431a CLK輸入端 431b CMD輸入端 毳 431c ADD輸入端 431d DS輸入端 431e DATA輸入端 431f CLK輸入電路 5 431g CMD輸入電路 .431h ADD輸入電路 431i DS輸入作動斷定電路 431 j DS輸入電路 431k DATA輸入電路 • 431n 叢發長度斷定電路 431m CMD解碼器 T1 DATA輸入端 T2 DATA輸入端 10 T3 DATA輸入端 T4 DATA輸入端 T5 DATA輸入端 T6 DATA輸入端 T7 DATA輸入端 T8 DATA輸入端 ADD1 位址 ADD2 位址

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第71頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1231903 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 1. 一種具有叢發模式的半導體記憶體裝置，在該叢發模式 中，數個資料的位元係響應於一外部命令來被連續地轉 移，該裝置包含： 一用於以叢發模式轉移資料的轉移部份； 5 一用於設定以叢發模式轉移之該數個資料之位元之 數目的轉移數目設定部份； 一用於接收一輸入之寫入命令的寫入命令輸入部份 9 ' 一用於測量在該寫入命令被輸入之後過去之時間的 10 計時部份；及 一用於根據由該轉移數目設定部份所設定之資料之 位元之數目來設定在資料之寫入係開始之前過去之時間 的寫入開始時間設定部份。 2·如申請專利範圍第1項所述之半導體記憶體裝置，其中 15 ，要被寫入之資料被輸入的一資料輸入端亦被使用作為 讀取資料被輸出的一資料輸出端。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體記憶體裝置，其中 ，該寫入開始時間設定部份根據與資料之位元之數目無 關地固定之預定的時間和與資料之位元之數目相關的時 20 間來決定寫入開始時間。 4·如申請專利範圍第1項所述之半導體記憶體裝置，其中 ，該轉移數目設定部份依據從外部供應的命令來設定被 轉移之資料之位元的數目。 5·如申請專利範圍第1項所述之半導體記憶體裝置，其中 第72頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1231903 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ，該計時部份依據從外部供應的時鐘訊號來測試時間。 6 · —種資訊處理單元，包含： 一具有叢發模式的半導體記憶體裝置，在該叢發模 鼴 式中，數個資料的位元係響應於一外部命令來被連續地 •5 轉移，該裝置包括： 一用於設定以叢發模式轉移之該數個資料之位 元之數目的轉移數目設定部份； 一用於接收一輸入之寫入命令的寫入命令輸入 部份； 10 一用於測量在該寫入命令被輸入之後過去之時 間的計時部份； 一用於根據由該轉移數目設定部份所設定之資 料之位元之數目來設定在資料之寫入係開始之前過去之 時間的寫入開始時間設定部份；及 15 一用於把一預定之命令提供到該轉移數目設定 部份來指定該數個資料之位元之數目的轉移數目指定部 • 份。 7 · —種具有叢發轉移模式之具有數個存貯單元的半導體記 、 憶體裝置，在該叢發轉移模式中，於一預定之存貯單元 •2 0 中之數個資料的位元係藉由輸入一單一命令來被連續地 存取，該裝置包含： 一用於接收被輸入之命令的命令輸入部份； 一用於選擇對應於該命令之預定之存貯單元的存貯 單元選擇部份； 第73頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公釐） .......................裝..............::、ΤΓ------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 12319〇3 A8 B8 C8 DS ，- —' κ、申請專利範圍 於藉著該具有η位元之寬度之匯流排之部份的使用來把 資料在該第一資料轉移部份與一預定的存貯單元之間轉 移；及 一第二資料轉移部份，該第二資料轉移部份係用 $ 於藉著該具有η位元之寬度之匯流排之部份的使用或者 藉著不被該第一存貯單元使用之所有之位元的使用來把 資料在該第二資料轉移部份與另一存貯單元之間轉移。 工4· 一種具有叢發轉移模式的半導體記憶體裝置，在該叢 發轉移模式中，數個資料的位元係藉由指定一個位址 10 來被連續地轉移，該裝置包含： 一用於接收被輸入之位址的位址輸入部份； 一用於接收被輸入之數個資料之位元的資料輸入 部份； 一用於執行經由該資料輸入部份輸入之該數個資 15 料之位元到對應於經由該位址輸入部份輸入之位址之 細胞區域之叢發轉移的叢發轉移部份； 一用於接收由該叢發轉移部份所指定之轉移長度 的叢發轉移長度指定部份；及 一用於在"0"之叢發轉移長度係由該叢發轉移長 20 度指定部份所指定的情況中限制資料從該資料輸入部 份輸入的資料輸入限制裝置。 I5·如申請專利範圍第14項所述之半導體記憶體裝置，其 中，該叢發轉移長度指定部份能夠按一預定的位元群 組來設定資料的叢發轉移長度，且其中，該資料輸入 第76頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公爱）

1231903 - C8 D8 六、申請專利範圍 限制部份按該預定的位元群組來限制資料輸入。 16.如申請專利範圍第14項所述之半導體記憶體裝置，其 中，當預定的時間係在叢發長度由該叢發長度指定部 * 份指定之後過去時，該資料輸入部份開始輸入資料。 τ 5 17. —種具有叢發轉移模式的半導體記憶體裝置，在該叢 發轉移模式中，數個資料的位元係藉由指定一個位址 來被連續地轉移’該裝置包含： # 一用於接收被輸入之位址的位址輸入部份； 一用於接收被輸入之數個資料之位元的資料輸入 10 部份； 一用於執行經由該資料輸入部份輸入之該數個資 料之位元到由經由該位址輸入部份輸入之位址所指定 之細胞區域之叢發轉移的叢發轉移部份； 一用於接收由該叢發轉移部份所指定之轉移長度 15 的叢發轉移長度指定部份； 一用於在”〇"之叢發轉移長度係由該叢發轉移長 • 度指定部份所指定的情況中限制由該叢發轉移部份所 作之轉移的轉移限制部份。 - 1S·如申請專利範圍第17項所述之半導體記憶體裝置，其 *2 0 中，該叢發轉移長度指定部份能夠按一預定的位元群 組來設定資料的叢發轉移長度，且其中，該轉移限制 部份係按該預定的位元群組來限制資料轉移。 I9·如申請專利範圍第17項所述之半導體記憶體裝置，其 中，當預定的時間係在叢發長度由該叢發長度指定邹 份指定之後過去時，該資料輸入部份開始輸入資料。 第77頁 .......................裝------------------、ΤΓ------------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公釐）